KR20010020897A - 비환원성 유전체 세라믹 및 모놀리식 세라믹 커패시터 - Google Patents
비환원성 유전체 세라믹 및 모놀리식 세라믹 커패시터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010020897A KR20010020897A KR1020000028043A KR20000028043A KR20010020897A KR 20010020897 A KR20010020897 A KR 20010020897A KR 1020000028043 A KR1020000028043 A KR 1020000028043A KR 20000028043 A KR20000028043 A KR 20000028043A KR 20010020897 A KR20010020897 A KR 20010020897A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- ceramic
- monolithic
- ceramic capacitor
- monolithic ceramic
- Prior art date
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 6
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 13
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 abstract description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 2
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017976 MgO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical group [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
Abstract
본 발명의 비환원성 유전체 세라믹은 일반식이 ABO3로 표현되는 퍼로브스카이트(perovskite) 구조를 가지고 있으며, 주결정상이 티탄산바륨을 주성분으로 함유하고 있다. 본 발명에서, -25℃ 이상의 온도에서 X선 회절법에 의해 구해지는 결정 축비 c/a는 1.000≤c/a≤1.003의 조건을 만족한다. 바람직하게, 비환원성 유전체 세라믹은 -25℃ 미만의 상전이점을 가지고 있다. 바람직하게, 비환원성 유전체 세라믹은 적어도 1종의 희토류 원소를 함유하고 있다. 또한, 본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹으로 구성된 유전체 세라믹을 포함하고 있는 모놀리식 세라믹 커패시터를 얻게 된다.
Description
본 발명은 비환원성 유전체 세라믹 및 이 비환원성 유전체 세라믹으로 구성된 유전체 세라믹층을 구비하고 있는 모놀리식 세라믹 커패시터에 관한 것이다. 보다 상세히하면, 본 발명은 고주파 교류 또는 직류중 고압(high to medium voltage DC)의 조건하에서 유리하게 사용되며, 비금속으로 구성된 내부전극을 구비하고 있는 모놀리식 세라믹 커패시터, 및 이 모놀리식 세라믹 커패시터의 유전체 세라믹층을 구성하는 비환원성 유전체 세라믹에 관한 것이다.
종래의 모놀리식 커패시터는 일반적으로 하기에서 기술하는 방법으로 제작된다.
먼저, 각 세라믹 그린시트의 표면에 내부전극을 형성하는 전극 재료를 도포하고, 유전체 세라믹층을 형성하는 유전체 재료를 포함하고 있는 복수개의 세라믹 그린시트를 준비한다. 유전체 재료로서는, 예를 들어 BaTiO3를 주성분으로 함유하고 있는 재료가 사용된다. 다음으로, 전극 재료를 각각 도포한 복수개의 세라믹 그린시트를 적층시키고 열압착을 시행한 다음에, 일체화로 소성시킴으로써, 내부전극이 형성되어 있는 세라믹 적층체를 얻게 된다. 이 세라믹 적층체의 측면에서, 내부전극과 전기적으로 접속되어 있는 외부전극을 베이킹시킴으로써, 모놀리식 세라믹 커패시터를 얻게 된다.
따라서, 이러한 내부전극의 재료로서는, 일반적으로, 세라믹 적층체의 소성에 의해 산화되지 않는 재료가 선택된다. 예를 들어, 백금, 금, 팔라듐 또는 은-팔라듐 합금 등의 귀금속이 내부전극의 재료로서 사용된다. 그러나, 이러한 내부전극의 재료가 우수한 특성을 가지고 있는 반면에, 상당히 고가로 모놀리식 세라믹 커패시터의 제조가를 상승시키는 원인이 된다.
제조가를 낮추기 위해서, 비교적 저렴한 니켈, 구리 등의 비금속으로 구성된 내부전극을 가지고 있는 모놀리식 세라믹 커패시터가 제안되고 있다.
그러나, 이러한 비금속은 고온의 산화 대기중에서 용이하게 산화되어, 내부전극으로서의 기능을 상실하게 된다. 모놀리식 세라믹 커패시터의 내부전극의 재료로서 비금속을 사용하기 위해서는, 세라믹 적층체를 얻기 위한 소성이 중성 또는 환원성 대기중에서 시행되어야 한다.
한편, 이러한 중성 또는 환원성 대기 등의 저산소 분압하에서 소성이 시행되면, 유전체 세라믹층을 구성하는 세라믹이 현저하게 환원되며, 그 결과 반도체화가 된다는 문제가 있다.
그러므로, 비금속의 산화를 방지하기 위해서, 저산소 분압하에서 소성이 시행되더라도, 반도체화되지 않는 유전체 세라믹이 제안되고 있다. 예를 들어, 일본 심사 특허공개번호 제 61-14611호에는 BaTiO3-(Mg, Zn, Sr, Ca)O-B2O3-SiO2계 유전체 세라믹이 개시되어 있고, 일본 무심사 특허공개번호 7-272971호에는 (Ba, M, L) (Ti, R)O3계 유전체 세라믹(여기에서, M은 Mg 또는 Zn, L은 Ca 또는 Sr, R은 Sc, Y 또는 희토류 원소)이 개시되어 있다.
전자 기구의 고집적화, 고기능화 및 저가격화가 최근에 진행됨으로써, 모놀리식 세라믹 커패시터의 사용 조건이 보다 엄격해진다. 모놀리식 세라믹 커패시터에 대한 저손실화, 절연성의 향상, 절연내력의 향상, 신뢰성의 향상, 대용량화, 저가격화 등의 요구가 강해지고 있다.
또한, 최근에는, 고주파 및 고전압 또는 고주파 및 대전류하에서 사용될 수 있는 모놀리식 세라믹 커패시터에 대한 요구가 높아지고 있다. 이러한 경우에, 모놀리식 세라믹 커패시터에서 요구되는 중대한 특성은 저손실 및 저발열이다. 이러한 이유로, 모놀리식 세라믹 커패시터의 손실과 발열이 크면, 모놀리식 세라믹 커패시터 자체의 수명이 단축된다. 또한, 모놀리식 세라믹 커패시터의 손실과 발열에 의해, 회로 내부에서의 온도가 상승하며, 이로 인해 주변 부품에 대한 오작동과 수명 단축이 발생한다.
아울러, 고전압 직류의 조건하에서 모놀리식 세라믹 커패시터의 사용도 증대된다. 그러나, 내부전극의 재료로서 특히 니켈를 사용하는 종래의 모놀리식 세라믹 커패시터는 비교적 낮은 전계 강도하에서 사용되므로, 커패시터를 높은 전계 강도하에서 사용하면, 절연성, 절연내력 및 신뢰성이 대폭 저하된다는 단점이 있다.
상술한 일본 심사 특허공개번호 제 61-14611호와 일본 무심사 특허공개번호 7-272971호에 기재되어 있는 유전체 세라믹을 사용하여 모놀리식 세라믹 커패시터를 제작할 때에는, 정전용량의 온도 변화율이 작더라도, 고주파 및 고전압 또는 고주파 및 대전류하에서 사용시에 손실 및 발열이 크다는 단점이 있다. 또한, 이러한 유전체 세라믹은 비환원성이므로, 저산소 분압하에서 소성에 의해 니켈 등의 비금속을 내부전극의 재료로서 사용하는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 저산소 분압하에서의 소성에 의해 얻어진 모놀리식 세라믹 커패시터를 고전압 직류의 조건하에서 사용할 때에는, 절연 저항치가 낮아지고, 신뢰성도 낮아진다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 고주파 및 고전압 또는 고주파 및 대전류하에서의 사용시에 저손실 및 저발열을 나타내고, 또한 교류 고온 부하 또는 직류 고온 부하에서 안정한 절연 저항을 나타내며, 예를 들어 모놀리식 세라믹 커패시터에서 유전체 세라믹층을 구성하기에 유리하게 사용되는 비환원성 유전체 세라믹을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상술한 목적을 달성하면서, 니켈 또는 니켈 합금 등의 저렴한 비금속을 내부전극의 재료로서 사용할 수 있는 모놀리식 세라믹 커패시터를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 한 구현예에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터 1를 도시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 모놀리식 세라믹 커패시터 1에 형성되어 있는 세라믹 적층체 3의 조립도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
1 ... 모놀리식 세라믹 커패시터 2a, 2b ... 유전체 세라믹층
3 ... 세라믹 적층체 4 ... 내부전극
5 ... 외부전극 6, 7 ... 도금층
본 발명의 한 특징에 따른 비환원성 유전체 세라믹은 일반식이 ABO3로 표현되는 퍼로브스카이트(perovskite) 구조를 가지고 있으며, 주결정상이 티탄산바륨을 주성분으로 함유하고 있다. -25℃ 이상의 온도에서 X선 회절법에 의해 구해지는 결정 축비 c/a는 1.000≤c/a≤1.003의 조건을 만족한다. 즉, 결정 구조가 입방형에 근접한 입방정계 또는 결정계를 포함하고 있다.
본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹은, 바람직하게, 주파수 1㎑ 및 2Vrms/㎜ 이하의 교류 전계하에서 측정되는 비유전율의 온도 의존성에 관해서, 주결정상의 상전이점, 즉 비유전율의 변화가 급격한 극대치(피크값)에 이르는 온도가 -25℃ 미만이다. 추가적으로, 티탄산바륨계 유전체 세라믹은 상전이점, 즉 큐리점 이상의 온도에서는 입방정계의 구조를 가지고 있고, 상전이점 이하의 온도에서는 정방정계의 구조를 가지고 있다.
또한, 본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹은, 바람직하게 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y 및 Sc로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류 원소를 함유하고 있다. 이러한 희토류 원소를 함유하면, 직류의 조건하에서 사용되는 유전체 세라믹의 수명 특성이 만족할만하다.
본 발명의 다른 특징에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터는 복수개의 유전체 세라믹층; 상기 유전체 세라믹층들 사이에 형성되는 내부전극; 및 상기 내부전극에 전기적으로 접속되어 있는 외부전극을 포함하고 있다. 이러한 모놀리식 세라믹 커패시터에서, 유전체 세라믹층은 상술한 본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹으로 구성된다.
본 발명에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터에서, 내부전극은 바람직하게 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금으로 구성된다.
본 발명에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터에서, 외부전극은 바람직하게 도전성 금속분말, 또는 글래스 프릿(glass frit)이 첨가된 도전성 금속분말을 함유하고 있는 소결층으로 구성된 제 1 층, 및 도금층으로 구성된 제 2 층을 포함하고 있다.
도 1은 본 발명의 한 구현예에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터 1를 도시하는 단면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 모놀리식 세라믹 커패시터 1에 형성되어 있는 세라믹 적층체 3의 조립도이다.
모놀리식 세라믹 커패시터 1은 내부전극 4를 사이에 두고 복수개의 유전체 세라믹층 2a, 2b를 적층시킴으로써 얻은 직육면체 형상의 세라믹 적층체 3을 포함하고 있다. 세라믹 적층체 3의 양 측면에는, 특정한 내부전극 4에 전기적으로 접속되도록, 외부전극 5가 형성되어 있다. 외부전극 5 상에는, 니켈, 구리 등으로 구성된 제 1 도금층 6이 형성되어 있고, 아울러 제 1 도금층 6 상에는, 솔더(solder), 주석 등으로 구성된 제 2 도금층 7이 형성되어 있다.
모놀리식 세라믹 커패시터 1의 제조방법에 대해서 순서대로 설명할 것이다.
먼저, 유전체 세라믹층 2a, 2b의 주성분으로서, 소정의 조성 비율을 만족하도록 평량하고, 혼합한 티탄산바륨계 원료 분말을 준비한다.
이 원료 분말을 소성함으로써, 상술한 바와 같이, 일반식이 ABO3로 표현되는 퍼로브스카이트 구조를 가지고 있으며, 주결정상이 티탄산바륨을 주성분으로 함유하고 있는 비환원성 유전체 세라믹을 제작한다. 이 비환원성 유전체 세라믹에서, -25℃ 이상의 온도에서 X선 회절법에 의해 구해지는 결정 축비 c/a는 1.000≤c/a≤1.003의 조건을 만족한다. 바람직하게, 비환원성 유전체 세라믹에서, 주파수 1㎑ 및 2Vrms/㎜ 이하의 교류 전계하에서 측정되는 비유전율의 온도 의존성에 관해서, 주결정상의 상전이점이 -25℃ 미만이다. 아울러, 원료 분말은, 필요에 따라서, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y 및 Sc로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류 원소를, 예를 들어 산화물의 상태로 함유하고 있다.
다음으로, 상술한 원료 분말에 유기 바인더를 첨가하여 슬러리(slurry)를 형성하며, 이 슬러리는 시트 상태로 형성된다. 따라서, 유전체 세라믹층 2a, 2b의 세라믹 그린시트를 얻게 된다.
유전체 세라믹층 2b의 각 세라믹 그린시트의 한쪽 주면 상에 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금 등의 비금속을 도전성 성분으로서 함유하고 있는 내부전극 4가 형성된다. 이 내부전극 4는 스크린 인쇄법, 증착법, 도금 등의 인쇄 방법에 의해 형성되어도 된다.
다음으로, 내부전극 4가 형성되어 있는 유전체 세라믹층 2b의 세라믹 그린시트를 필요한 수만큼 적층시키며, 도 2에 도시된 바와 같이, 이 그린시트를 내부전극이 형성되지 않은 유전체 세라믹층 2a의 세라믹 그린시트들 사이에 끼워넣은 다음에, 이를 압착시킴으로써, 생적층체(green laminate)를 얻는다.
다음으로, 이 생적층체를 소정의 분위기 중에서 소정의 온도로 소성함으로써, 세라믹 적층체 3을 얻는다.
다음으로, 세라믹 적층체 3의 양 측면에서, 외부전극 5는 특정한 내부전극 4에 전기적으로 접속되도록, 형성된다. 이 외부전극 5의 재료로서는, 내부전극 4와 동일한 재료를 사용하여도 된다. 또한, 외부전극 5의 재료로서, 은, 팔라듐, 은-팔라듐 합금, 구리, 구리 합금 등을 사용하여도 되고, 또는 B2O3-SiO2-BaO계 글래스 또는 Li2O-SiO2-BaO계 글래스 등의 글래스 프릿을 첨가한 금속 분말을 사용하여도 된다. 모놀리식 세라믹 커패시터 1의 용도, 사용 장소 등을 고려하여 적당한 재료를 선택하여 사용한다. 외부전극 5가 전형적으로, 금속 분말 페이스트를 소성에 의해 얻게 되는 세라믹 적층체 3에 도포하고, 그 다음에 베이킹 처리를 행함으로써 형성되더라도, 소성 전에 금속 분말 페이스트를 그린시트 적층체에 도포하여도 되고, 외부전극 5를 세라믹 적층체 3과 동시에 소성시킴으로써 형성하여도 된다.
그 다음에, 외부전극 5 상에 니켈, 구리 등으로 도금을 실시하여, 제 1 도금층 6을 형성한다. 마지막으로, 이 제 1 도금층 6 상에 솔더, 주석 등으로 구성된 제 2 도금층 7을 형성한다. 따라서, 모놀리식 세라믹 커패시터 1이 완성된다. 외부전극 5 상에, 상술한 도금층 등의 도전층의 형성은 모놀리식 세라믹 커패시터의 용도에 따라서 생략하는 것이 가능하다.
상술한 바와 같이, 유전체 세라믹층 2a, 2b를 구성하는데에 상술한 비환원성 유전체 세라믹을 사용하여 얻은 모놀리식 세라믹 커패시터 1에서는, 고주파 및 고전압 또는 고주파 및 대전류하에서의 사용 동안에 손실 및 발열이 줄어들 수 있고, 교류 고온 부하 또는 직류 고온 부하에서의 절연저항이 안정화될 수 있다. 또한, 니켈 또는 니켈 합금 등의 비금속을 내부전극 4의 재료로서 아무런 문제없이 사용할 수 있다.
<실시예>
본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹 및 모놀리식 세라믹 커패시터를 실시예를 토대로하여 구체적으로 설명할 것이다.
먼저, 출발 원료로서, 순도 99% 이상의 BaCO3, CaCO3, SrCO3, TiO2, ZrO2, BaTiO3, CaZrO3, SrTiO3, La2O3, CeO2, Pr6O11, Nd2O3, Sm2O3, Ho2O3, Dy2O3, Gd2O3, Eu2O3, Tb2O3, Er2O3, Tm2O3, Yb2O3, Lu2O3, Y2O3, Sc2O3, MgO, MnCO3및 SiO2의 각 분말을 준비하였다.
상술한 원료 분말을, 하기 표 1에 나타낸 조성 및 몰비를 만족하도록 평량하였다. 표 1에서, 시료번호 14 및 15에 대해서, 출발 원료로서, 복합 금속산화물을 사용하였다.
| 시료번호 | 1 | 2 | 3 | *4 | *5 | *6 | *7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 |
| BaCO3 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 0 | 0 |
| CaCO3 | 8 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 5 | 0 | 1 | 20 | 0 | 0 |
| SrCO3 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 4 | 60 | 1 | 0 | 100 | 0 | 0 |
| TiO2 | 101 | 101 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 104 | 125 | 101 | 100 | 200 | 0 | 0 |
| ZrO2 | 8 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 40 | 0 | 1 | 20 | 0 | 0 |
| BaTiO3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 100 | 100 |
| CaZrO3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3 | 0 |
| SrTiO3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| La2O3 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| CeO2 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Pr6O11 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 3.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Nd2O3 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| Sm2O3 | 0 | 1 | 2 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Ho2O3 | 0 | 0 | 2 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 1 |
| Dy2O3 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0.15 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
| Gd2O3 | 2 | 0 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 5 | 0 |
| Eu2O3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 |
| Tb2O3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| Er2O3 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| Tm2O3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1.5 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Yb2O3 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Lu2O3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 |
| Y2O3 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 |
| Sc2O3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0.5 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| MgO | 4 | 6 | 11 | 3 | 2 | 1.5 | 1 | 12 | 3 | 2.5 | 2.5 | 4 | 1 | 12 | 2.5 |
| MnCO3 | 0.5 | 0.5 | 0.8 | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 | 1 | 0.5 | 0.5 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 1 | 0.3 |
| SiO2 | 2 | 2 | 2.5 | 2 | 2 | 1.5 | 1.5 | 2 | 2 | 1.5 | 2 | 2 | 1.5 | 2.5 | 2 |
다음으로, 상술한 각 시료의 평량된 분말에 폴리비닐부틸계 바인더 및 에탄올 등의 유기 용제를 첨가하고, 볼밀에 의해 습식 혼합을 실시하여, 세라믹 슬러리를 얻었다. 다음으로, 이 세라믹 슬러리를 닥터 블레이드법에 의해 시트 상태로 성형하며, 두께 25㎛의 직방형의 세라믹 그린시트를 얻었다.
각 시료에 대해서, 특정한 세라믹 그린시트 상에, 니켈을 주성분으로 함유하고 있는 도전성 페이스트를 인쇄하고, 내부전극을 구성하는 도전성 페이스트층을 형성하였다.
그 다음으로, 도전성 페이스트층이 형성되어 있는 복수개의 세라믹 그린시트를, 도전성 페이스트층이 노출되어 있는 단면과 형성될 적층체의 다른 단면이 상호 대면하도록, 적층시키고, 적층체의 각 상하면에 도전성 페이스트층이 형성되지 않은 세라믹 그린시트를 배치하였다. 그 다음에, 이를 압착시켜서, 생세라믹 적층체를 얻었다.
다음으로, 이 생세라믹 적층체를 질소 분위기 중에서 350℃의 온도로 가열하고, 바인더를 제거한 후에, 산소분압 10-9∼10-12MPa를 가지고 있는 H2, N2및 H2O 가스를 함유하고 있는 환원성 분위기 중에서, 1200∼1350℃의 온도 범위에서 2시간 동안 소성을 실시함으로써, 소결된 세라믹 적층체를 얻었다.
다음으로, 소결된 세라믹 적층체의 양 단면에 B2O3-Li2O-SiO2-BaO계 글래스 프릿 및 은 분말을 함유하고 있는 도전성 페이스트를 도포하며, 질소 분위기 중에서 600℃의 온도에서 베이킹을 실시하여, 내부전극과 전기적으로 접속되어 있는 외부전극을 형성하였다.
다음으로, 황산니켈, 염화니켈 및 붕산으로 이루어진 니켈 도금액을 준비하고, 배럴(barrel) 도금법에 의해 외부전극 상에 니켈 도금을 실시하였다. 마지막으로, 알칸술폰산조(alkanolsulfonic acid bath: AS bath)로 구성된 솔더 도금액을 준비하고, 배럴 도금법에 의해 상기 니켈 도금층 상에 솔더 도금을 실시하였다. 이에 의해 모놀리식 세라믹 커패시터를 얻었다.
이렇게 얻은 모놀리식 세라믹 커패시터의 외형 치수는 폭 3.2㎜, 길이 4.5㎜ 및 두께 1.0㎜ 이었고, 내부전극들 사이에 위치되는 유전체 세라믹층의 두께는 20㎛ 이었다. 또한, 각 내부전극의 유효 대향 면적은 8.8×10-6㎡ 이었다. 유효 유전체 세라믹층의 총수에 대해서는, 정전용량이 50nF가 되도록 소성을 실시하였다.
다음으로, 얻은 모놀리식 세라믹 커패시터 및 유전체 세라믹층을 구성하는 유전체 세라믹의 특성을 각 시료를 통해서 구하였고, 그의 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
표 2에서, 결정 축비 c/a는 -25℃와 +25℃의 각 온도에 대해서 유전체 세라믹층을 구성하는 유전체 세라믹에 X선 회절 분석을 시행하는 공정에 의해 구해지며, 그 결과를 리트벌드법(Rietveld method)에 의해 분석하였으며, X선 프로필 피팅(profile fitting)을 시행함으로써, 격자 상수를 산출하였다.
상전이점에 대해서는, 모놀리식 세라믹 커패시터의 정전용량을 자동 브리지식 측정기를 사용하여 측정하였으며, 온도 변화에 대한 정전용량의 변화율을 구하였다. 정전용량의 변화율이 급격한 극대치에 이르는 온도를 상전이점으로 정의한다. 온도 변화에 대한 정전용량의 변화율은 온도 25℃에서의 정전용량을 기준으로하여, 주파수 1㎑ 및 0.02Vrms의 조건하에서 측정하였다.
비유전율에 대해서는, 모놀리식 세라믹 커패시터의 정전용량을 자동 브리지식 측정기를 사용하여, 주파수 1㎑, 0.02Vrms 및 온도 25℃의 조건하에서 측정하였다. 이 정전용량으로부터 비율전율을 산출하였다.
발열 특성에 대해서는, 온도 상승폭을 평가하였다. 25℃의 온도를 유지하는 항온조 내에 모놀리식 세라믹 커패시터를 위치시키며, 교류 전원에 전기적으로 접속시키고, 다음으로 모놀리식 세라믹 커패시터에 100㎑, 100Vp-p의 고주파 고전압을 5분간 연속적으로 인가하였다. 이 모놀리식 세라믹 커패시터의 온도와 그의 주위 온도와의 차이를 적외선 방사 온도계를 사용하여 측정하였다.
교류 부하 시험에 대해서는, 절연저항에서 불량을 보여주는 시료수의 비율, 즉 불량률을 평가하였다. 100㎑, 100Vp-p의 고주파 고전압을, 100℃의 항온조에 있는 모놀리식 세라믹 커패시터에 인가하였으며, 250시간 경과 후에, 항온조로부터 모놀리식 세라믹 커패시터를 꺼내고, 그 다음에 온도 25℃ 및 직류 500V의 조건하에서 절연저항을 측정하였다. 저항 106Ω 이하를 나타내는 모놀리식 세라믹 커패시터는 불량품으로서 간주하였다.
고온 부하 시험에 대해서는, 각 시료에 따른 모놀리식 세라믹 커패시터 36개에 대해서, 150℃의 온도에서 500V의 직류 전압을 인가하면서, 시간에 따른 절연저항의 변화를 각 시험편(test piece)을 사용하여 측정하였다. 각 시료의 절연저항이 106Ω 이하에 이르는 시점에서의 경과 시간을 수명 시간이라 정의하였다. 각 시료에 대한 모든 시험편의 평균을 산출하였다.
표 1 및 표 2에서, 시료번호에 *가 붙은 시료는 본 발명의 범위를 벗어나는 시료를 나타낸다.
본 발명의 범위 내에 있는 시료번호 1∼3 및 8∼15에 대해서는, 표 2에 나타난 특성을 얻었고 또는 측정가능하므로, 본 발명에 따라서 니켈 등의 비금속을 내부전극의 재료로서 사용할 수 있다는 것이 확실하다.
또한, 본 발명의 범위 내에 있는 시료번호 1∼3 및 8∼15에 대해서는, -25℃ 이상의 온도 영역에서 X선 회절법에 의해 구해지는 수정 축비 c/a가 1.000≤c/a≤1.003의 조건을 만족하므로, 고주파 고전압을 인가할 때의 발열이 20℃ 이내의 온도 상승폭으로 억제되었으며, 또한 고주파 고전압을 장시간 인가한 후에, 절연저항에 대한 불량율이 0%로 억제되었다. 아울러, 직류중 고압을 인가할 때의 고온 부하 시험에서, 시료번호 13을 제외하고는, 750시간 이상의 수명 시간이 확보되었다.
이에 반해서, 본 발명의 범위를 벗어나는 시료번호 4∼7에 대해서는, 상전이점이 -25℃ 보다 높았다. 예들 들어, -25℃에서의 c/a 축비가 1.003을 초과하는 비교적 큰 값이었다. 결과적으로, 고주파 고전압을 인가할 때의 발열에 대해서, 온도 상승폭이 20℃를 초과하고, 또는 열폭주를 발생시키며, 이로 인해 파괴에 이르게 된다.
또한, 시료번호 13에 나타난 바와 같이, 희토류 원소를 함유하고 있지 않은 경우에는, 직류 전압의 인가에 의한 고온 부하 시험에서 측정된 수명이 상당히 단축되었다. 따라서, 비환원성 유전체 세라믹은 이러한 희토류 원소를 함유하고 있는 것이 바람직하다.
부가하여, 상술한 실시예에서는, 희토류 원소가 원료 분말에 산화물의 상태로 함유되어 있지만, 희토류 원소를 알콕시드, 금속 유기 화합물 등의 상태로 함유하고 있어도 된다.
상술한 실시예에서는, 주결정상의 상전이점에 대해서 기술하고 있지만, 2차상이 존재하더라도, 특성에는 실질적인 영향을 주지 않는다.
또한, 상술한 실시예에서는, 소결 보조제로서 SiO2를 사용하였지만, 저온 소결을 목적으로 하는 글래스 등의 소결 보조제를 사용하더라도, 특성에는 실질적인 영향을 주지 않는다.
이제까지 상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹을 유전체 세라믹층에 사용함으로써, 고주파 및 고전압 또는 고주파 및 대전류하에서의 사용시에 손실 및 발열이 줄어들고, 교류 고온 부하 또는 직류 고온 부하에서 안정한 절연저항을 나타내는 모놀리식 세라믹 커패시터를 얻는다. 또한, 이러한 모놀리식 세라믹 커패시터에서, 내부전극의 재료로서 니켈, 니켈 합금, 구리 또는 구리 합금 등의 비금속을 아무런 문제없이 사용할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 비환원성 유전체 세라믹에 대해서, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y 및 Sc로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류 원소를 함유하고 있음으로써, 모놀리식 세라믹 커패시터를 직류에서 사용하여도 만족할만한 수명 특성을 얻을 수 있다.
Claims (6)
- 일반식이 ABO3로 표현되는 퍼로브스카이트(perovskite) 구조를 가지고 있으며, 주결정상이 티탄산바륨을 주성분으로 함유하고 있는 비환원성 유전체 세라믹으로서,-25℃ 이상의 온도에서 X선 회절법에 의해 구해지는 결정 축비 c/a가 1.000≤c/a≤1.003의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 비환원성 유전체 세라믹.
- 제 1항에 있어서, 주파수 1㎑ 및 2Vrms/㎜ 이하의 교류 전계하에서 측정되는 비유전율의 온도 의존성에 관해서, 상기 주결정상의 상전이점이 -25℃ 미만이 되는 것을 특징으로 하는 비환원성 유전체 세라믹.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 비환원성 유전체 세라믹은 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Y 및 Sc로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 희토류 원소를 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 비환원성 유전체 세라믹.
- 복수개의 유전체 세라믹층;상기 유전체 세라믹층들 사이에 형성되는 내부전극; 및상기 내부전극에 전기적으로 접속되어 있는 외부전극을 포함하고 있는 모놀리식 세라믹 커패시터로서,상기 유전체 세라믹층은 제 1항 내지 제 3항 중의 어느 한 항에 기재된 비환원성 유전체 세라믹을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 세라믹 커패시터.
- 제 4항에 있어서, 상기 내부전극은 니켈, 니켈 합금, 구리 및 구리 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 재료를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 세라믹 커패시터.
- 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 외부전극은 각각 도전성 금속분말 및 글래스 프릿(glass frit)이 첨가된 도전성 금속분말 중의 하나를 함유하고 있는 소결층으로 구성된 제 1 층; 및 도금층으로 구성된 제 2 층을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 모놀리식 세라믹 커패시터.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11142742A JP2000327414A (ja) | 1999-05-24 | 1999-05-24 | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP11-142742 | 1999-05-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010020897A true KR20010020897A (ko) | 2001-03-15 |
| KR100400154B1 KR100400154B1 (ko) | 2003-10-01 |
Family
ID=15322530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0028043A KR100400154B1 (ko) | 1999-05-24 | 2000-05-24 | 비환원성 유전체 세라믹 및 모놀리식 세라믹 커패시터 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6259594B1 (ko) |
| EP (1) | EP1056102B1 (ko) |
| JP (1) | JP2000327414A (ko) |
| KR (1) | KR100400154B1 (ko) |
| CN (1) | CN1216382C (ko) |
| DE (1) | DE60042577D1 (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391268B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2002050536A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2002234769A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-08-23 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム粉末の製造方法、チタン酸バリウム粉末、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2003002739A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-08 | Murata Mfg Co Ltd | チタン酸バリウム粉末の製造方法、チタン酸バリウム粉末およびその評価方法、誘電体セラミック、ならびに積層セラミックコンデンサ |
| JP3858717B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2006-12-20 | 松下電器産業株式会社 | セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP4506090B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2010-07-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP4782552B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器 |
| JP4941702B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-05-30 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック粉末及びこれを用いた導電ペースト、積層セラミック電子部品、その製造方法 |
| JP5132972B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-01-30 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体セラミックス及びその製造方法並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP5142651B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-02-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP5142649B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-02-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP5142665B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2013-02-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP5142666B2 (ja) * | 2007-10-26 | 2013-02-13 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP5094572B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2012-12-12 | 京セラ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR102037264B1 (ko) * | 2014-12-15 | 2019-10-29 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2753887B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-05-20 | 京セラ株式会社 | コンデンサー内蔵複合回路基板 |
| US5202814A (en) * | 1990-03-13 | 1993-04-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreducing dielectric ceramic composition |
| US5600533A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent |
| DE69532235T2 (de) * | 1994-10-19 | 2004-09-16 | Tdk Corp. | Keramischer mehrschicht-chipkondensator |
| JP3024536B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2000-03-21 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3180690B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| WO1999018587A2 (en) * | 1997-10-08 | 1999-04-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ceramic multilayer capacitor |
| DE19902153B4 (de) * | 1998-01-20 | 2005-03-10 | Murata Manufacturing Co | Verfahren und Bariumtitanat-Pulver zur Herstellung von dielektrischer Keramik |
-
1999
- 1999-05-24 JP JP11142742A patent/JP2000327414A/ja active Pending
-
2000
- 2000-03-28 DE DE60042577T patent/DE60042577D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-28 EP EP00106628A patent/EP1056102B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-24 KR KR10-2000-0028043A patent/KR100400154B1/ko active IP Right Grant
- 2000-05-24 CN CN001176749A patent/CN1216382C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-24 US US09/577,957 patent/US6259594B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1056102A3 (en) | 2006-05-24 |
| CN1274931A (zh) | 2000-11-29 |
| DE60042577D1 (de) | 2009-09-03 |
| CN1216382C (zh) | 2005-08-24 |
| EP1056102B1 (en) | 2009-07-22 |
| US6259594B1 (en) | 2001-07-10 |
| KR100400154B1 (ko) | 2003-10-01 |
| EP1056102A2 (en) | 2000-11-29 |
| JP2000327414A (ja) | 2000-11-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100438517B1 (ko) | 내환원성 유전체 세라믹 콤팩트 및 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR100259321B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR100313233B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 커패시터 | |
| KR100326951B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JP2998639B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3918372B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物、および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3039397B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| KR100313003B1 (ko) | 유전체세라믹조성물및이를이용한적층세라믹커패시터 | |
| KR100375719B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| KR100271099B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP3024537B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100326950B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 적층 세라믹 부품 | |
| JPH10223471A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| KR100400154B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 및 모놀리식 세라믹 커패시터 | |
| JPH1083932A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3039409B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4491842B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JP3783403B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ | |
| JPH1050549A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP4258172B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH10172857A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH10172858A (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120821 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130902 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140902 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150911 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160909 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170908 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190906 Year of fee payment: 17 |