JP3987692B2 - 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、コアシェル構造のセラミック粒子を含む耐還元性に優れた誘電体磁器組成物とこの誘電体磁器組成物を誘電体層とした磁器コンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
積層磁器コンデンサのコストダウンのため、内部電極の材料としてNi等の卑金属が使用され、この卑金属の内部電極と同時焼成できる耐還元性に優れた誘電体磁器組成物が多数提案されている。そして、そのような誘電体磁器組成物の1つとしてコアシェル構造のセラミック粒子を含むチタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、コアシェル構造のセラミック粒子を含む誘電率3000以上のチタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物を用い、Ni等の卑金属を内部電極とするX7R特性(EIA規格)又はB特性(EIAJ規格)を満足する積層磁器コンデンサを作製した場合、その磁器コンデンサの電圧負荷容量経時特性が悪化することがある。
【0004】
本発明は、誘電率εが3000以上と高誘電率で耐還元性に優れた誘電体磁器組成物を用いても、2V/μmの電圧負荷に対する容量経時変化の飽和値が−30%以内に収まる磁器コンデンサを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る誘電体磁器組成物は、セラミック粒子の焼結体からなり、該焼結体は内部にtwin(双晶)を有するコアシェル構造のセラミック粒子を含み、図1に示すように、該twinのドメイン(領域)幅が20nm未満のセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下、該twinのドメイン幅が20〜50nmのセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の30〜70%、該twinのドメイン幅が50nmを超えるセラミック粒子の粒子数及びtwinの観察されないセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下であることを特徴とするものである。
【0006】
また、本発明に係る磁器コンデンサは、上記誘電体磁器組成物からなる1又は2以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極とを備えていることを特徴とするものである。
【0007】
ここで、twinはコアシェル構造のチタン酸バリウム粒子をTEMにて(110)方位から観察したときに、平行な白黒の線群として認められるものであり、twinのドメイン幅とは、この平行な白黒の線群の幅(白黒の線群に対して直角な方向の長さ)をいう。
【0008】
ドメイン幅が20nm未満の粒子の粒子数を全セラミック粒子の粒子数の50%以下としたのは、50%を超えると2V/μmの電圧負荷容量経時の飽和値が−30%を超えてしまうが、50%以下になれば電圧負荷容量経時の飽和値が−30%以内に収まるからである。
【0009】
また、ドメイン幅が20〜50nmの粒子の粒子数を全セラミック粒子の粒子数の30〜70%の範囲としたのは、ドメイン幅が20〜50nmの粒子が30%未満になると誘電率εが3000未満になってしまい、ドメイン幅が20〜50nmの粒子が70%を超えると電圧負荷容量経時の飽和値が−30%を超えてしまうが、ドメイン幅が20〜50nmの粒子を30〜70%の範囲にすれば所望の電気的特性のものが得られるからである。
【0010】
また、ドメイン幅が50nmを超える粒子の粒子数もしくはtwinの観察されない粒子の粒子数を全セラミック粒子の粒子数の50%以下としたのは、これらの粒子が50%を超えると誘電率εが3000未満になってしまうが、これらの粒子が50%以下になれば誘電率εが3000以上になるからである。
【0011】
なお、チタン酸バリウム粒子は添加物の固溶が進み、結晶性が低下すると、白黒の線群として見えるtwinの縞の間隔が拡がってドメイン幅が広くなって行き、結晶性が更に低下するとtwinの縞が観察されなくなる。そこで、ドメイン幅が50nmを超える粒子とtwinの観察されない粒子を同列に扱った。
【0012】
また、前記セラミック粒子はBa及びTiの酸化物を主成分とするのが好ましく、前記セラミック粒子はRe(ReはSm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Yから選択された1種又は2種)の酸化物、Mgの酸化物、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物を含有しているのが好ましい。
【0013】
また、Ba及びTiの酸化物はBaTiO3に換算して100mol部、Reの酸化物がRe2O3に換算して0.25〜1.5mol部、Mgの酸化物がMgOに換算して0.2〜1.5mol部、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物がMn2O3,V2O5,Cr2O3に換算して0.025〜0.25mol部の割合で含有しているのが好ましい。
【0014】
また、前記焼結体はSiO2又はSiO2を含むガラス成分を含有しているのが好ましく、前記ガラス成分は0.05〜5wt%の割合で含有されているのが好ましい。
【0015】
【実施例】
実施例1: BaTiO3100mol部に対して、Ho2O3を1.0mol部、MgOを0.5mol部、Mn2O3を0.25mol部、Li2O−B2O3−SiO2−BaOを主成分とする酸化物ガラスを1.0wt%の組成割合になるよう秤量し、PSZボールを用いたボールミルで15〜24時間湿式混合粉砕して混合物を得た。
【0016】
ここで、主成分のBaTiO3としては結晶性が高い水熱合成粉を用いた。ガラスは焼結助剤として添加しており、コアに添加成分元素が必要以上に固溶する前に焼結を完了させる役割を持っている.
【0017】
次に,この混合物を脱水し乾燥して、空気中、800℃の条件で仮焼し、仮焼物を得た。この仮焼物をエタノールで湿式解砕し、乾燥させ、これに有機バインダー及び溶剤を加えてドクターブレード法で約5μmの厚みのセラミックグリーンシートを得た。
【0018】
次に、このセラミックグリーンシートにNi粉末を主成分とする導電性ペーストを用いて内部電極を印刷法により形成した。そして、このシートを10層に積層し、熱圧着して積層体を得、縦3.2mm×横1.6mmの3216形状に切断して、チップ状の積層体を得た。
【0019】
次に、このチップ状の積層体にNi外部電極をディップで形成し、N2雰囲気で脱バイした後、酸素分圧が10−5〜10−8atmの範囲で熱処理し、チップ状の焼結体を得た。
【0020】
次に、チップ状の焼結体をN2/800〜1000℃の条件で再酸化処理をおこない、積層磁器コンデンサを得た。得られた積層磁器コンデンサの1層厚みは約3μmであった。
【0021】
次に、この積層磁器コンデンサを積層方向に垂直に約30μmの厚さになるまで手研磨した後、イオンミリング処理で更に薄くし、内部電極間の誘電体層の部分をTEMにて(110)方位から、300個の粒子について観察し、各々の粒子についてコアのtwinのドメイン幅を測定した。
【0022】
ドメイン幅が20nm未満、20〜50nm、50nm超およびtwinなしの粒子は表1に示す通りであった。なお、TEMで(110)方位から観察したのは、観察する方位によってコアのドメイン幅が異なって観察されるので、統一するために(110)方向とした。
【0023】
次に、室温で各試料の誘電率及び容量の温度変化率を測定し、電圧負荷容量経時試験を行った。
【0024】
各試料の誘電率ε及び電圧負荷容量経時の飽和値は表1に示す通りであり、容量の温度変化率はX7R特性(EIA規格)及びB特性(EIAJ規格)をいずれも満足していた。
【0025】
なお、電気的特性は次の要領で測定した。
【0026】
(A)誘電率εは、温度20℃、周波数1kHz、電圧(実効値)1.0Vの条件で静電容量を測定し、この測定値と、一対の内部電極の対向面積と、この一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算で求めた。
【0027】
(B)電圧負荷容量経時の飽和値(%)は、40℃の恒温槽の中に試料を入れ、電圧負荷前の静電容量を測定し、その後2V/μmの電圧を印加し、この状態のまま定期的に静電容量を測定し、1000時間経過した後の静電容量を測定し、電圧負荷前の静電容量に対する静電容量の変化率(%)として求めた。
【0028】
【表1】
【0029】
表1の試料番号3,4,6〜12,15〜17から明らかなように、ドメイン幅が20nm未満の粒子が50%以下、ドメイン幅が20〜50nmの粒子が30〜70%、ドメイン幅が50nmを超える粒子又はtwinなしの粒子が50%以下の場合、誘電率εが3000以上となり、電圧負荷容量経時の飽和値が−30%以内に収まることがわかる。
【0030】
ところが、ドメイン幅が20nm未満の粒子が、試料番号13に示すように、50%を超えると電圧負荷容量経時の飽和値が−30%を超え、ドメイン幅が20〜50nmの粒子が、試料番号1,14に示すように、30%未満になると誘電率が3000未満になり、試料番号5に示すように、70%を超えると電圧負荷容量経時の飽和値が−30%を超え、ドメイン幅が50nmを超える粒子又はtwinなしの粒子が、試料番号1,2に示すように、50%を超えると誘電率が3000未満になることがわかる。
【0031】
実施例2: 次に、実施例1において、Ho2O3を以下に挙げる他の希土類酸化物;Sm2O3,Eu2O3,Tb2O3,Dy2O3,Er2O3,Tm2O3,Yb2O3,Y2O3で一部あるいは全量置換した条件で同様の実験をしたところ、twinについて実施例1と同様の微細構造が得られ、同様の電気的特性が得られた。
【0032】
また、Mn2O3をCr2O3,V2O5で一部あるいは全量置換した条件で同様の実験をしたところ、twinについて実施例1と同様の微細構造が得られ、同様の電気的特性が得られた。
【0033】
更に、1.0wt%のガラスをSiO2;1.0wt%で置換した条件で同様の実験をしたところ、twinについて実施例1と同様の微細構造が得られ、同様の電気的特性が得られた。
【0034】
【発明の効果】
コアシェル構造のセラミック粒子の焼結体からなる誘電体磁器組成物を誘電体層とした積層セラミックコンデンサについて、コアシェル構造の微細構造を最適化することにより、誘電率を3000以上に保ちながら電圧負荷容量経時特性を−30%以下と良好ならしめることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】コアのtwinのドメイン幅毎の粒子数の割合を%で示す三角図である。
Claims (16)
- セラミック粒子の焼結体からなり、該焼結体は内部にtwin(双晶)を有するコアシェル構造のセラミック粒子を含み、該twinのドメイン(領域)幅が20nm未満のセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下、該twinのドメイン幅が20〜50nmのセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の30〜70%、該twinのドメイン幅が50nmを超えるセラミック粒子の粒子数及びtwinの観察されないセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
- 前記セラミック粒子がBa及びTiの酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項1に記載の誘電体磁器組成物。
- 前記セラミック粒子がRe(ReはSm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Yから選択された1種又は2種)の酸化物、Mgの酸化物、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物を含有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の誘電体磁器組成物。
- Ba及びTiの酸化物がBaTiO3に換算して100mol%、Reの酸化物がRe2O3に換算して0.25〜1.5mol%、Mgの酸化物がMgOに換算して0.2〜1.5mol%、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物がMn2O3,V2O5,Cr2O3に換算して0.025〜0.25mol%含有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 前記焼結体がSiO2又はSiO2を含むガラス成分を含有していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 前記ガラス成分が0.05〜5wt%の割合で含有されていることを特徴とする請求項5に記載の誘電体磁器組成物。
- 誘電率が3000以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
- 誘電体磁器組成物からなる1又は2以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも2以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成物が、セラミック粒子の焼結体からなり、該焼結体は内部にtwin(双晶)を有するコアシェル構造のセラミック粒子を含み、該twinのドメイン(領域)幅が20nm未満のセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下、該twinのドメイン幅が20〜50nmのセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の30〜70%、該twinのドメイン幅が50nmを超えるセラミック粒子の粒子数及びtwinの観察されないセラミック粒子の粒子数が全セラミック粒子の粒子数の50%以下であることを特徴とする磁器コンデンサ。
- 前記セラミック粒子がBa及びTiの酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項8に記載の磁器コンデンサ。
- 前記セラミック粒子がRe(ReはSm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Yから選択された1種又は2種)の酸化物、Mgの酸化物、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物を含有していることを特徴とする請求項8又は9に記載の磁器コンデンサ。
- Ba及びTiの酸化物がBaTiO3に換算して100mol%、Reの酸化物がRe2O3に換算して0.25〜1.5mol%、Mgの酸化物がMgOに換算して0.2〜1.5mol%、Mn,V及びCrから選択された1種又は2種以上の酸化物がMn2O3,V2O5,Cr2O3に換算して0.025〜0.25mol%含有していることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の磁器コンデンサ。
- 前記焼結体がSiO2又はSiO2を含むガラス成分を含有していることを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の磁器コンデンサ。
- 前記ガラス成分が0.05〜5wt%の割合で含有されていることを特徴とする請求項12に記載の磁器コンデンサ。
- 前記内部電極が卑金属からなることを特徴とする請求項8〜13のいずれかに記載の磁器コンデンサ。
- X7R特性(EIA規格)又はB特性(EIAJ規格)を満足することを特徴とする請求項8〜14のいずれかに記載の磁器コンデンサ。
- 前記誘電体磁器組成物の誘電率が3000以上であることを特徴とする請求項8〜15のいずれかに記載の磁器コンデンサ。
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JP2993425B2 (ja) * | 1995-12-20 | 1999-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
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JP3391268B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
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