JP2002020166A - 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ - Google Patents

誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ

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JP2002020166A
JP2002020166A JP2000198046A JP2000198046A JP2002020166A JP 2002020166 A JP2002020166 A JP 2002020166A JP 2000198046 A JP2000198046 A JP 2000198046A JP 2000198046 A JP2000198046 A JP 2000198046A JP 2002020166 A JP2002020166 A JP 2002020166A
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Yoichi Mizuno
洋一 水野
Hisamitsu Shizuno
寿光 静野
Kenji Saito
賢二 斎藤
Yasunobu Kawamoto
康信 河本
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Taiyo Yuden Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁器コンデンサの小型大容量化のために、グ
リーンシートを薄層化すると、単位厚み当りにかかる電
圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器コ
ンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。 【解決手段】 本発明は、Ｂａ及びＴｉの酸化物がＢａ
ＴｉＯ３に換算して１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳ
ｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙ
ｂ，Ｙから選択された１種又は２種以上）の酸化物がＲ
ｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｇの
酸化物がＭｇＯに換算して０．２〜１．５ｍｏｌ％、Ｍ
ｎ，Ｖ及びＣｒから選択された１種又は２種以上の酸化
物が各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して
０．０３〜０．６ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷの酸化物
が各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２
５ｍｏｌ％の割合で含有され、更にＳｉＯ２又はＳｉＯ
２を含むガラス成分が所定の割合で含有されている焼結
体を磁器コンデンサの誘電体層の材料として使用した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉなどの卑金属
を内部電極とする磁器コンデンサの誘電体層の材料とし
て好適な耐還元性を有する誘電体磁器組成物とこの誘電
体磁器組成物を誘電体層とした磁器コンデンサに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、積層磁器コンデンサの技術分野で
は、コストダウンのために内部電極の材料としてＮｉな
どの卑金属を用いることが主流となっている。内部電極
の材料としてＮｉなどの卑金属を用いた場合、内部電極
の酸化を防止するために、積層体チップの焼成を還元性
雰囲気中で行わなければならない。このため、誘電体磁
器組成物として耐還元性を有する誘電体磁器組成物が多
数開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
回路の小型化、高密度化にともない、磁器コンデンサも
小型大容量化が強く求められている。そして、磁器コン
デンサの小型大容量化のために、グリーンシートの薄層
化による誘電体磁器層の積層数の増加が試みられてい
る。
【０００４】しかし、積層磁器コンデンサにおいて、そ
の誘電体磁器層を薄層化すると、単位厚み当りにかかる
電圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器
コンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、３０００以上の誘電率を有し、
静電容量の温度変化率が−５５℃〜＋１２５℃で−１５
％〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲内を満足し、ｔａ
ｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，００ｓｅｃ以上の
電気的諸特性を有する信頼性の高い誘電体磁器組成物と
そのような誘電体磁器組成物からなる誘電体層を備えた
磁器コンデンサを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る誘電体磁器
組成物は、Ｂａ及びＴｉの酸化物がＢａＴｉＯ３に換算
して１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択され
た１種又は２種以上）の酸化物がＲｅ２Ｏ３に換算して
０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｇの酸化物がＭｇＯに換
算して０．２〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｎ，Ｖ及びＣｒから
選択された１種又は２種以上の酸化物が各々Ｍｎ
２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．０３〜
０．６ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷの酸化物が各々Ｍｏ
Ｏ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％
の割合で含有され、更にＳｉＯ２又はＳｉＯ２を含むガ
ラス成分が所定の割合で含有されている焼結体からなる
ことを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明に係る磁器コンデンサは、上
記誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電体磁器
層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも２以
上の内部電極とを備えてなることを特徴とするものであ
る。
【０００８】ここで、前記誘電体磁器組成物中のＲｅ
（希土類）の酸化物をＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜
１．５ｍｏｌ％の範囲としたのは、Ｒｅ（希土類）の酸
化物がＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５ｍｏｌ％より少な
くなると−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変
化率が−１５％〜＋１５％を超えてしまったり、所望の
寿命時間が得られなくなり、Ｒｅ（希土類）の酸化物が
Ｒｅ２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％を超えると１３０
０℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるからであ
る。また、希土類の元素は単独で用いてもよいし、２以
上の希土類の元素を組み合わせて用いてもよい。
【０００９】また、前記誘電体磁器組成物中のＭｇをＭ
ｇＯに換算して０．２〜１．５ｍｏｌ％の範囲としたの
は、ＭｇがＭｇＯに換算して０．２ｍｏｌ％より少なく
なると−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変化
率が−１５％〜＋１５％を超えてしまい、ＭｇがＭｇＯ
に換算して１．５ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０００
以下と小さくなったり、所望の寿命時間が得られなくな
るからである。
【００１０】また、前記誘電体磁器組成物中のＭｎ，
Ｖ，Ｃｒ酸化物を各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ
３に換算して０．０３〜０．６ｍｏｌ％の範囲としたの
は、これらの酸化物がＭｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ
３に換算して０．０３ｍｏｌ％より少なくなると所望の
寿命時間が得られなくなり、これらの酸化物がＭｎ２Ｏ
３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．６ｍｏｌ％を
超えると誘電率が３０００より小さくなるからである。
【００１１】また、前記誘電体磁器組成物中のＭｏ及び
／又はＷの酸化物が各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して
０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％の範囲としたのは、これ
らの酸化物がＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５よ
り少なくなると−５５℃〜１２５℃における静電容量の
温度変化率が−１５％〜＋１５％を超えてしまったり、
所望の寿命時間が得られなくなり、これらの酸化物がＭ
ｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．２５ｍｏｌ％を超えると
ｔａｎδが悪化したり、−５５℃〜１２５℃における静
電容量の温度変化率が−１５％〜＋１５％を超えてしま
うからである。
【００１２】また、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２を含むガラス
成分の最適範囲はその種類によって異なる。ＳｉＯ２の
場合は０．２０〜４．０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。
０．２０ｍｏｌ％未満になると１３００℃の焼成で緻密
な焼結体が得られず、４ｍｏｌ％を超えると所望の寿命
時間が得られなくなるからである。
【００１３】また、ＳｉＯ２を含むガラス成分がＬｉ２
Ｏ−ＢａＯ−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２で現わされる組成物か
らなる場合、該組成物は０．０５〜１．０ｗｔ％の範囲
が好ましい。０．０５ｗｔ％未満になると所望の寿命時
間が得られなくなり、１．０ｗｔ％を超えると誘電率が
３０００以下になったり、所望の寿命時間が得られなく
なるからである。
【００１４】また、ＳｉＯ２を含むガラス成分がＢ２Ｏ
３−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種
以上の酸化物）で現わされる場合、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ ２
が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一
の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３
９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点
Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１モ
ル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第三の点Ｃ
と、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第四の点Ｄと、前
記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前
記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２
Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。Ａ，Ｂ，Ｃ，
Ｄ，Ｅ，Ｆの範囲内にあれば、所望の電気的諸特性、寿
命時間が得られるが、範囲外になると１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１５】そして、この範囲内の組成物は０．０５〜
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
【００１６】また、ＳｉＯ２を含むガラス成分がＬｉ２
Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種
以上の酸化物）で現わされる場合、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ ２
が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の組成を示す第一の
点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９
モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成を示す第八の点Ｈ
と、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、
前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記ＳｉＯ ２が１モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、前記
Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記
ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ
２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯ
が１モル％の組成を示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。Ｇ，Ｈ，Ｉ，
Ｊ，Ｋ，Ｌの範囲内にあれば、所望の電気的諸特性、寿
命時間が得られるが、範囲外になると１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１７】そして、この範囲内の組成物は０．０５〜
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
【００１８】また、前記誘電体磁器組成物中にＦｅ，Ｎ
ｉ及びＣｕから選択された１種又は２種以上の酸化物を
前記Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物との合計で、各々ＦｅＯ，
ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に
換算して０．０４〜１．０ｍｏｌ％の割合で更に添加し
てもよい。これらの酸化物を０．０４〜１．０ｍｏｌ％
の範囲としたのは、これらの酸化物が０．０４ｍｏｌ％
より少なくなると所望の寿命時間が得られなくなり、こ
れらの酸化物が１．０ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０
００より小さくなるからである。
【００１９】なお、基本成分を得るための出発原料を、
実施例で示したもの以外の化合物形態、例えば酢酸Ｂ
ａ、硝酸Ｂａを用いてもよい。また、本発明は積層磁器
コンデンサ以外の一般的な単層の磁器コンデンサにも勿
論適用可能である。
【００２０】
【実施例】まず、ＢａＣＯ３，ＴｉＯ２，Ｒｅ２Ｏ３，
ＭｇＯ，ＭｎＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３，Ｆｅ
２Ｏ３，ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＭｏＯ３，ＷＯ３及びガラス
成分（ＳｉＯ２を含む）の各化合物の粉末を表１〜表
１に示す割合で各々秤量し、これらの化合物をＰＳＺ
を入れたボールミルに入れ、水を加え、湿式で約２０時
間混合した。そして、得られた泥漿を脱水し、２００℃
で５時間加熱し、乾燥させた。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表１】
【００２７】次に、乾燥させた前記泥漿を粉砕し、これ
を大気中において約８００℃で３時間仮焼し、この仮焼
物をボールミルに入れ、エタノールを加え、湿式で約１
０時間解砕した。そして、得られた泥漿を２００℃で５
時間加熱し、乾燥させ、仮焼物の粉末を得た。
【００２８】次に、この仮焼物の粉末１０００ｇ（１０
０重量部）に、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してスラリーを作成
した。
【００２９】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡した後、リバースロールコータに入れ、ポリエステ
ルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成した。
そして、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、厚さ約５μｍで、１０
ｃｍ×１０ｃｍの正方形のグリーンシートを得た。
【００３０】一方、平均粒径が０．５μｍのニッケル粉
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌機に入れ、１
０時間撹拌して、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、上記グリーンシートにこの導電性ペーストから
なる導電パターンを印刷し、乾燥させた。
【００３１】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
【００３２】次に、この積層物を約５０℃の温度で厚さ
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
【００３３】次に、内部電極が露出する積層チップの端
面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チップ
を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱し
て有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−８ａｔｍの条件下、１３００℃で焼成し、
その後、Ｎ２雰囲気下、６００〜８００℃で再酸化処理
を行ない、積層磁器コンデンサを得た。
【００３４】次に、得られた積層磁器コンデンサの電気
的諸特性を測定したところ、表２〜表２に示す通り
であった。また、この積層磁器コンデンサの誘電体層の
１層当たりの厚みを測定したところ３μｍであった。
【００３５】なお、電気的諸特性は次の要領で測定し
た。
【００３６】(A) 比誘電率εｓ は、温度２０℃、周波
数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量
を測定し、この測定値と、一対の内部電極１４の対向面
積と、一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算
で求めた。
【００３７】(B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
【００３８】(C) 比抵抗（Ωｃｍ）は、温度２０℃にお
いてＤＣ２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電
極間の抵抗値を測定して得た。なお、表２〜表２の
比抵抗の数値、例えば４．８Ｅ＋１２は４．８×１０
１２を意味する。
【００３９】(D) 加速寿命（ｓｅｃ）は、１５０℃／２
０Ｖ／μｍの直流電界下にて絶縁抵抗率（ρ）が１×１
０１０Ωｃｍになるまでの時間を測定して得た。
【００４０】(E) 容量変化率（％）は、恒温槽の中に試
料を入れ、−５５℃及び＋１２５℃の各温度において、
周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電
容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変
化率を求めることによって得た。
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表２】
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表２】
【００４６】
【表２】
【００４７】表１〜表１、表２〜表２から明ら
かなように、本発明に従う試料によれば、非酸化性雰囲
気中における１３００℃以下の焼成により、誘電体磁器
層の誘電率εが３０００以上、−５５℃〜＋１２５℃の
容量変化率が−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）以
内、ｔａｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，００ｓｅ
ｃ以上の電気的諸特性を有する信頼性の高い積層磁器コ
ンデンサを得ることができるものである。
【００４８】一方、試料番号１〜３，２５〜２７，２
９，３４，３６，４１，４２，５８，６１，６２，６
６，６７，７１，７２，７５，７９，８２，８４，８
５，８６，１０８〜１１１，１１５，１１６，１２２，
１２３，１３１，１３７，１３８，１４２，１４３，１
４６，１５０，１５３の試料では１３００℃の焼成で緻
密な焼結体が得られないか、本発明で目標とした電気的
諸特性が得られない。従って、これらの試料は本発明の
範囲外のものである。
【００４９】次に、本発明に係る誘電体磁器組成物の組
成範囲の限定理由について述べる。
【００５０】まず、希土類元素（Ｒｅ）の酸化物が、試
料番号３６に示すように、Ｒｅ２Ｏ ３に換算して０ｍｏ
ｌ％の場合、−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１
５％〜＋１５％から外れたり、所望の寿命時間が得られ
なくなるが、試料番号３７に示すように、Ｒｅ２Ｏ３に
換算して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。
【００５１】また、希土類元素（Ｒｅ）の酸化物が、試
料番号４１に示すように、Ｒｅ２Ｏ ３に換算して２．０
ｍｏｌ％の場合、１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得
られなくなってしまうが、試料番号４０に示すように、
Ｒｅ２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電
気的諸特性が得られる。
【００５２】従って、希土類元素（Ｒｅ）の酸化物の含
有割合の最適範囲は、Ｒｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜
１．５ｍｏｌ％となる。
【００５３】また、希土類元素（Ｒｅ）は、どの元素で
も同様の結果が得られ、試料番号４３〜５３に示すよう
に、単独で用いても、また、試料番号５４〜５７に示す
ように、複数種を混合して用いても同様の結果が得られ
る。
【００５４】また、Ｍｇの酸化物が、試料番号５８に示
すように、ＭｇＯに換算して０ｍｏｌ％の場合、ｔａｎ
δが３．５％を超えて悪化したり、−５５℃〜＋１２５
℃の容量変化率が−１５％〜＋１５％から外れてしまう
が、試料番号５９に示すように、ＭｇＯに換算して０．
２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００５５】また、Ｍｇの酸化物が、試料番号６１に示
すように、ＭｇＯに換算して２．０ｍｏｌ％の場合、誘
電率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得ら
れなくなるが、試料番号６０に示すように、ＭｇＯに換
算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得
られる。
【００５６】従って、Ｍｇの酸化物の含有割合の最適範
囲は、ＭｇＯに換算して０．２〜１．５ｍｏｌ％とな
る。
【００５７】また、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物が、試料番
号１〜３に示すように、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃ
ｒ２Ｏ３に換算して０．０２ｍｏｌ％の場合、所望の寿
命時間が得られなくなるが、試料番号４〜６に示すよう
に、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して
０．０３ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られ
る。
【００５８】また、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物が、試料番
号２５〜２７に示すように、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ
２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．７ｍｏｌ％の場合、
誘電率が３０００以下になるが、試料番号２２〜２４に
示すように、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に
換算して０．６ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が
得られる。
【００５９】従って、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物の含有割
合の最適範囲は、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ
３に換算して０．０３〜０．６ｍｏｌ％となる。
【００６０】また、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物は、試料番
号４〜６，１３〜１８に示すように、各々単独で用いて
も、また、試料番号７〜１２，１９〜２４に示すよう
に、複数種を混合して用いても同様の効果がある。
【００６１】また、Ｍｏ，Ｗの酸化物が、試料番号２
９，１１６，１２３に示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に
換算して０ｍｏｌ％の場合は、所望の寿命時間が得られ
なくなるが、試料番号３０，１１７，１２４に示すよう
に、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５ｍｏｌ％の
場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００６２】また、Ｍｏ，Ｗの酸化物が、試料番号３
４，１２２，１３７に示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に
換算して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の寿命時間が得
られなくなったり、ｔａｎδが３．５を超えて悪化した
り、−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１５％〜＋
１５％から外れてしまうが、試料番号３３，１２１，１
３６に示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．２
ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００６３】従って、Ｍｏ，Ｗの酸化物の含有割合の最
適範囲は、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜
０．２５ｍｏｌ％となる。
【００６４】また、Ｍｏ，Ｗの酸化物は、試料番号３０
〜３３，１１７〜１２１に示すように、各々単独で用い
ても、また、試料番号１２４〜１３０，１３２〜１３６
に示すように、混合して用いても同様の効果がある。
【００６５】また、ＳｉＯ２が、試料番号１１１に示す
ように、０．００ｍｏｌ％の場合、１３００℃の焼成で
緻密な焼結体が得られないが、試料番号１１２に示すよ
うに、０．２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得
られる。
【００６６】また、ＳｉＯ２が、試料番号１１５に示す
ように、５．０ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以下
となり、所望の寿命時間が得られないが、試料番号１１
４に示すように４．０ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸
特性が得られる。
【００６７】従って、ＳｉＯ２の含有割合の最適範囲は
０．２〜４．０ｍｏｌ％となる。
【００６８】また、ガラス成分であるＬｉ２Ｏ−ＢａＯ
−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２が、試料番号６２に示すように、
０の場合、ｔａｎδが３．５％を超えて悪化したり、所
望の寿命時間が得られなくなるが、試料番号６３に示す
ように、０．０５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。
【００６９】また、ガラス成分であるＬｉ２Ｏ−ＢａＯ
−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２が、試料番号６６に示すように、
２．０ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以下になった
り、所望の寿命時間が得られなくなったりするが、試料
番号６５に示すように、１．０ｍｏｌ％の場合、所望の
電気的諸特性が得られる。
【００７０】従って、ガラス成分であるＬｉ２Ｏ−Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２の含有割合の最適範囲は、０．
０５〜１．０ｗｔ％である。
【００７１】また、ＳｉＯ２を含むガラス成分がＢ２Ｏ
３−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種
以上の酸化物）で現わされる場合、これらの組成をモル
％で示す図１の三角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル
％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、
前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
成を示す第二の点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前
記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
示す第三の点Ｃと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記Ｓ
ｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第
四の点Ｄと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２
が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点
Ｅと、前記Ｂ２Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０
モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第六の点Ｆと
をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれば、
試料番号７３，７４，７６〜７８，８０，８１，８３に
示すように、所望の電気的諸特性が得られるが、試料番
号７２，７５，７９，８２に示すように、範囲外になる
と１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなる。
【００７２】また、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号６７に示すように、０ｗｔ％になると１３００℃の
焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号６８
に示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の電気的諸
特性が得られる。
【００７３】また、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号７１に示すように、１０．００ｗｔ％になると誘電
率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得られ
なくなるが、試料番号７０に示すように、５．００ｗｔ
％になると所望の電気的諸特性が得られる。
【００７４】従って、この範囲内のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
【００７５】また、ＳｉＯ２を含むガラス成分がＬｉ２
Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種
以上の酸化物）で現わされる場合、これらの組成をモル
％で示す図２の三角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル
％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の
組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前
記ＳｉＯ２が７９モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成
を示す第八の点Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記
ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示
す第九の点Ｉと、前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記Ｓｉ
Ｏ２が１モル％、前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第
十の点Ｊと、前記Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２
が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の
点Ｋと、前記Ｌｉ２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４
モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十二の点Ｌ
とをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれ
ば、試料番号１４４，１４５，１４７〜１４９，１５
１，１５２，１５４に示すように、所望の電気的諸特性
が得られるが、試料番号１４３，１４６，１５０，１５
３に示すように、範囲外になると１３００℃の焼成で緻
密な焼結体が得られなくなる。
【００７６】また、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号１３８に示すように、０ｗｔ％になると１３００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号１
３９に示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の電気
的諸特性が得られる。
【００７７】また、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号１４２に示すように、１０．００ｗｔ％になると１
３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試
料番号１４１に示すように、５．００ｗｔ％になると所
望の電気的諸特性が得られる。
【００７８】従って、この範囲内のＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
【００７９】また、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕの酸化物とＭ
ｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物との合計が、試料番号８４〜８６
に示すように、０．０３ｍｏｌ％の場合は、所望の寿命
時間が得られなくなるが、試料番号８７〜８９に示すよ
うに、０．０４ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が
得られる。
【００８０】また、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕの酸化物とＭ
ｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物との合計が、試料番号１０８〜１
１０に示すように、１．３ｍｏｌ％の場合、誘電率が３
０００以下となったり、所望の寿命時間が得られなくな
るが、試料番号１０５〜１０７に示すようにず、１．０
０ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００８１】従って、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕの酸化物とＭ
ｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物との合計の含有割合の最適範囲
は、ＦｅＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，
Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．０４〜１．００ｍｏｌ％とな
る。
【００８２】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体層の比誘電率ε
ｒ が３０００以上、ｔａｎδが３．５％以下、−５５
℃〜１２５℃における静電容量の温度変化率が−１５％
〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲に収まり、所望の寿
命時間を有する信頼性の高い磁器コンデンサを得ること
ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯの組成をモル％で示
す三角図である。
【図２】Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯの組成をモル％で示
す三角図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 賢二 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 河本 康信 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA11 AA13 AA16 AA17 AA18 AA19 AA21 AA23 AA25 AA28 AA30 BA09 5E001 AB01 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AF06 AH01 AH05 AH06 AH09 AJ01 AJ02 5G303 AA01 AB06 AB07 AB11 AB14 AB20 BA12 CA01 CA03 CB02 CB03 CB06 CB10 CB11 CB13 CB16 CB17 CB18 CB23 CB30 CB32 CB35 CB36 CB37 CB38 CB40 CB41 CB43

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｂａ及びＴｉの酸化物がＢａＴｉＯ３に
    換算して１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇ
    ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択
    された１種又は２種以上）の酸化物がＲｅ２Ｏ３に換算
    して０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｇの酸化物がＭｇＯ
    に換算して０．２〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｎ，Ｖ及びＣｒ
    から選択された１種又は２種以上の酸化物が各々Ｍｎ２
    Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．０３〜０．
    ６ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷの酸化物が各々Ｍｏ
    Ｏ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％
    の割合で含有され、更にＳｉＯ２又はＳｉＯ２を含むガ
    ラス成分が所定の割合で含有されている焼結体からなる
    ことを特徴とする誘電体磁器組成物。
  2. 【請求項２】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＢａＯ−Ｔ
    ｉＯ２−ＳｉＯ２で現わされる組成物からなり、該組成
    物が０．０５〜１．０ｗｔ％の割合で含有されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
  3. 【請求項３】 前記ガラス成分がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−
    ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
    びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
    で現わされ、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲
    が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前記
    Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記
    ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｂ２
    Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯ
    が６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３
    が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが７
    ０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｂ２Ｏ３が９
    ０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが９モル
    ％の組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル
    ％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組
    成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２Ｏ３が１９モル％、前
    記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を
    示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
    範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５〜
    ５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする
    請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
  4. 【請求項４】 前記ＳｉＯ２が０．２０〜４．０ｍｏｌ
    ％の割合で含有されていることを特徴とする請求項１に
    記載の誘電体磁器組成物。
  5. 【請求項５】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−
    ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
    びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
    で現わされ、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲
    が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前記
    Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記
    ＭＯが５モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｌｉ２
    Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９モル％、前記ＭＯが
    ２０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏが
    １９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが８０
    モル％の組成を示す第九の点Ｉと、前記Ｌｉ２Ｏが８９
    モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが１０モル
    ％の組成を示す第十の点Ｊと、前記Ｌｉ２Ｏが９０モル
    ％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組
    成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ２Ｏが５モル％、前
    記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を
    示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれ
    た範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５〜
    ５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする
    請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
  6. 【請求項６】 Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕから選択された１種
    又は２種以上の酸化物が前記Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物と
    の合計で、各々ＦｅＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，
    Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．０４〜１．０ｍｏ
    ｌ％の範囲で含有されていることを特徴とする請求項１
    に記載の誘電体磁器組成物。
  7. 【請求項７】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
    の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
    なくとも２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組
    成物が、Ｂａ及びＴｉの酸化物がＢａＴｉＯ３に換算し
    て１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
    ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択された
    １種又は２種以上）の酸化物がＲｅ２Ｏ３に換算して
    ０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｇの酸化物がＭｇＯに換
    算して０．２〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｎ，Ｖ及びＣｒから
    選択された１種又は２種以上の酸化物が各々Ｍｎ
    ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．０３〜
    ０．６ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷの酸化物が各々Ｍｏ
    Ｏ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．３ｍｏｌ％の
    割合で含有され、更にＳｉＯ２又はＳｉＯ２を含むガラ
    ス成分が所定の割合で含有されている焼結体からなるこ
    とを特徴とする磁器コンデンサ。
  8. 【請求項８】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＢａＯ−Ｔ
    ｉＯ２−ＳｉＯ２で現わされる組成物からなり、該組成
    物が前記ＢａＴｉＯ３に対して０．０５〜１．０ｗｔ％
    の割合で含有されていることを特徴とする請求項７に記
    載の磁器コンデンサ。
  9. 【請求項９】 前記ガラス成分がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−
    ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
    びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
    で現わされ、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲
    が、これらの組成をモル％で示す三角図における、Ｂ２
    Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲が、これらの組成を
    モル％で示す三角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル
    ％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
    の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｂ ２Ｏ３が１モル％、
    前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
    成を示す第二の点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前
    記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
    示す第三の点Ｃと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記Ｓ
    ｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第
    四の点Ｄと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２
    が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点
    Ｅと、前記Ｂ２Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０
    モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第六の点Ｆと
    をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にある組成
    物からなり、該組成物が０．０５〜５ｗｔ％の割合で含
    有されていることを特徴とする請求項７に記載の磁器コ
    ンデンサ。
  10. 【請求項１０】 前記ＳｉＯ２が０．２０〜４．０ｍｏ
    ｌ％の割合で含有されていることを特徴とする請求項７
    に記載の磁器コンデンサ。
  11. 【請求項１１】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２
    −ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ
    及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化
    物）で現わされ、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２とＭＯとの組成範
    囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前
    記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前
    記ＭＯが５モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｌｉ
    ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９モル％、前記ＭＯ
    が２０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏ
    が１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが８
    ０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、前記Ｌｉ２Ｏが８
    ９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが１０モ
    ル％の組成を示す第十の点Ｊと、前記Ｌｉ２Ｏが９０モ
    ル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の
    組成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ２Ｏが５モル％、
    前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯが１モル％の組成
    を示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ６本の直線で囲ま
    れた範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５
    〜５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とす
    る請求項７に記載の磁器コンデンサ。
  12. 【請求項１２】 前記誘電体磁器組成物中にＦｅ，Ｎｉ
    及びＣｕから選択された１種又は２種以上の酸化物が前
    記Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの酸化物との合計で、各々ＦｅＯ，Ｎ
    ｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換
    算して０．０４〜１．０ｍｏｌ％の範囲で含有されてい
    ることを特徴とする請求項７に記載の磁器コンデンサ。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6809052B2 (en) 2002-01-15 2004-10-26 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
WO2005016845A1 (ja) * 2003-08-14 2005-02-24 Rohm Co., Ltd. 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
WO2006003753A1 (ja) * 2004-07-05 2006-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
KR100778641B1 (ko) * 2004-07-05 2007-11-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터
JPWO2006018928A1 (ja) * 2004-08-19 2008-05-08 株式会社村田製作所 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP2008162818A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Samsung Electro Mech Co Ltd 誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物の製造方法
JP2008254936A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、複合電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP2010040798A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2012171852A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Murata Mfg Co Ltd 粒界絶縁型半導体セラミック、半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法
JP2016127120A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2017028224A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2017108128A (ja) * 2015-12-01 2017-06-15 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ用誘電体材料および積層セラミックコンデンサ

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002265265A (ja) * 2001-03-08 2002-09-18 Taiyo Yuden Co Ltd 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ
US20020150777A1 (en) * 2001-04-11 2002-10-17 Kerchner Jeffrey A. Electrode additives including compositions and structures formed using the same
US6673274B2 (en) 2001-04-11 2004-01-06 Cabot Corporation Dielectric compositions and methods to form the same
WO2005082807A1 (ja) * 2004-02-27 2005-09-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ
TW200531955A (en) * 2004-03-16 2005-10-01 Tdk Corp Dielectric ceramic composition, multilayer ceramic capacitor, and method for manufacturing the same
WO2006006333A1 (ja) * 2004-07-08 2006-01-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ
CN100519474C (zh) * 2004-12-24 2009-07-29 株式会社村田制作所 电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器
JP2007131476A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP4821357B2 (ja) * 2006-02-14 2011-11-24 Ｔｄｋ株式会社 電子部品、誘電体磁器組成物およびその製造方法
WO2008004393A1 (fr) * 2006-07-07 2008-01-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Céramique diélectrique, composant électronique céramique et condensateur céramique feuilleté
JP5144052B2 (ja) * 2006-10-13 2013-02-13 太陽誘電株式会社 誘電体セラミック組成物、積層セラミックコンデンサ及びその製造方法
CN101033132B (zh) * 2007-02-13 2010-10-13 电子科技大学 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料
JP5132972B2 (ja) * 2007-04-09 2013-01-30 太陽誘電株式会社 誘電体セラミックス及びその製造方法並びに積層セラミックコンデンサ
JP5655039B2 (ja) * 2012-07-31 2015-01-14 太陽誘電株式会社 誘電体セラミックス、積層セラミックコンデンサ及びそれらの製造方法
JP6533429B2 (ja) * 2015-07-28 2019-06-19 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
US10065894B2 (en) * 2015-08-05 2018-09-04 Ferro Corporation High-K LTCC dielectric compositions and devices
JP6571048B2 (ja) 2016-06-24 2019-09-04 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ、セラミック粉末、およびそれらの製造方法
CN106747420B (zh) * 2016-12-27 2020-01-07 山东国瓷功能材料股份有限公司 一种x5r型多层陶瓷电容器用薄介质材料及其制备方法
JP6795422B2 (ja) 2017-02-16 2020-12-02 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3227859B2 (ja) * 1993-01-08 2001-11-12 株式会社村田製作所 非還元性誘電体磁器組成物
US5650367A (en) * 1994-01-28 1997-07-22 Kyocera Corporation Dielectric ceramic composition
JP2993425B2 (ja) * 1995-12-20 1999-12-20 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP3091192B2 (ja) * 1998-07-29 2000-09-25 ティーディーケイ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2001240466A (ja) * 2000-02-28 2001-09-04 Taiyo Yuden Co Ltd 誘電体磁器と積層セラミック電子部品
JP3987692B2 (ja) * 2001-06-12 2007-10-10 太陽誘電株式会社 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6809052B2 (en) 2002-01-15 2004-10-26 Tdk Corporation Dielectric ceramic composition and electronic device
US7351676B2 (en) 2003-08-14 2008-04-01 Rohm Co., Ltd. Dielectric porcelain composition, multilayer ceramic capacitor, and electronic component
WO2005016845A1 (ja) * 2003-08-14 2005-02-24 Rohm Co., Ltd. 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
JPWO2005016845A1 (ja) * 2003-08-14 2007-10-04 ローム株式会社 誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ、および電子部品
JP4497162B2 (ja) * 2004-07-05 2010-07-07 株式会社村田製作所 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
JPWO2006003753A1 (ja) * 2004-07-05 2008-04-17 株式会社村田製作所 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
KR100778641B1 (ko) * 2004-07-05 2007-11-28 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 유전체 세라믹 및 적층 세라믹 커패시터
JP2010180124A (ja) * 2004-07-05 2010-08-19 Murata Mfg Co Ltd 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
WO2006003753A1 (ja) * 2004-07-05 2006-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ
JP4491794B2 (ja) * 2004-08-19 2010-06-30 株式会社村田製作所 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JPWO2006018928A1 (ja) * 2004-08-19 2008-05-08 株式会社村田製作所 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ
JP2008162818A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Samsung Electro Mech Co Ltd 誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ並びに誘電体磁器組成物の製造方法
JP2008254936A (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Tdk Corp 誘電体磁器組成物、複合電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP2010040798A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Murata Mfg Co Ltd 積層セラミックコンデンサ
JP2012171852A (ja) * 2011-02-24 2012-09-10 Murata Mfg Co Ltd 粒界絶縁型半導体セラミック、半導体セラミックコンデンサ、及び半導体セラミックコンデンサの製造方法
JP2016127120A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2017028224A (ja) * 2015-07-28 2017-02-02 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ
JP2017108128A (ja) * 2015-12-01 2017-06-15 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサ用誘電体材料および積層セラミックコンデンサ

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Publication number Publication date
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