JP2843733B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JP2843733B2 JP2843733B2 JP5059414A JP5941493A JP2843733B2 JP 2843733 B2 JP2843733 B2 JP 2843733B2 JP 5059414 A JP5059414 A JP 5059414A JP 5941493 A JP5941493 A JP 5941493A JP 2843733 B2 JP2843733 B2 JP 2843733B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、１または２以上の誘
電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々
挟持させてなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々
挟持させてなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層磁器コンデンサは一般に次のような
方法によって製造されている。すなわち、ドクターブレ
ード法等によりセラミックグリーンシートを作成し、こ
のグリーンシート上に内部電極となる金属粉末のペース
トのパターンを印刷し、このグリーンシートを複数枚積
み重ねて熱圧着し、酸化性雰囲気中において１３００℃
以上の温度で焼成して焼結体を作り、内部電極と導通す
る外部電極を焼結体の端面に焼き付けることにより製造
されている。
方法によって製造されている。すなわち、ドクターブレ
ード法等によりセラミックグリーンシートを作成し、こ
のグリーンシート上に内部電極となる金属粉末のペース
トのパターンを印刷し、このグリーンシートを複数枚積
み重ねて熱圧着し、酸化性雰囲気中において１３００℃
以上の温度で焼成して焼結体を作り、内部電極と導通す
る外部電極を焼結体の端面に焼き付けることにより製造
されている。
【０００３】ここで、内部電極の材料が、パラジウム、
白金、銀−パラジウムといった貴金属であれば、上記製
造条件下でもセラミックと接触して酸化したり、セラミ
ックと直接反応しない。このため、このような貴金属が
積層磁器コンデンサの内部電極の材料として使用されて
いた。しかし、これらの貴金属は高価であるため、積層
磁器コンデンサのコストを高くするという欠点を有して
いた。そこで、積層磁器コンデンサのコストを下げるた
め、内部電極の材料にニッケル等の卑金属を用いること
が試みられている。
白金、銀−パラジウムといった貴金属であれば、上記製
造条件下でもセラミックと接触して酸化したり、セラミ
ックと直接反応しない。このため、このような貴金属が
積層磁器コンデンサの内部電極の材料として使用されて
いた。しかし、これらの貴金属は高価であるため、積層
磁器コンデンサのコストを高くするという欠点を有して
いた。そこで、積層磁器コンデンサのコストを下げるた
め、内部電極の材料にニッケル等の卑金属を用いること
が試みられている。
【０００４】しかし、内部電極の材料としてニッケル等
の卑金属を用いると、酸化性雰囲気中における焼成でニ
ッケルが酸化され、酸化されたニッケルがセラミックと
容易に反応し、所望の内部電極が形成されない。この場
合、内部電極の酸化を防止するために、焼成を還元性雰
囲気中で行なわせることが考えられるが、誘電体となる
べきセラミックの組成をそのままにして還元性雰囲気中
で焼成を行なわせると、セラミックが還元されて半導体
となり、得られたものがコンデンサとして機能しなくな
ってしまう。
の卑金属を用いると、酸化性雰囲気中における焼成でニ
ッケルが酸化され、酸化されたニッケルがセラミックと
容易に反応し、所望の内部電極が形成されない。この場
合、内部電極の酸化を防止するために、焼成を還元性雰
囲気中で行なわせることが考えられるが、誘電体となる
べきセラミックの組成をそのままにして還元性雰囲気中
で焼成を行なわせると、セラミックが還元されて半導体
となり、得られたものがコンデンサとして機能しなくな
ってしまう。
【０００５】そこで、このような問題を解決するため、
多くの誘電体磁器組成物が提案されている。例えば、特
開平３−２７８４１６号公報には、(Bak-(x+y)MxLy)O
k(Ti1- zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、
ＬはＣａ及び／またはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択された１種または２種
以上の元素）からなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2
及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから
選択された１種または２種以上の酸化物）からなる添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
多くの誘電体磁器組成物が提案されている。例えば、特
開平３−２７８４１６号公報には、(Bak-(x+y)MxLy)O
k(Ti1- zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、
ＬはＣａ及び／またはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択された１種または２種
以上の元素）からなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2
及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから
選択された１種または２種以上の酸化物）からなる添加
成分とを含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００６】また、特開平３−２７８４１２号公報に
は、(Bak-xMx)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＣａ及び
／またはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ
及びＹｂから選択された１種または２種以上の元素）か
らなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但
し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１
種または２種以上の酸化物）からなる添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
は、(Bak-xMx)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＣａ及び
／またはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ
及びＹｂから選択された１種または２種以上の元素）か
らなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但
し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１
種または２種以上の酸化物）からなる添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００７】また、特開平３−２７８４１４号公報に
は、(Bak-xMx)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及び
／またはＺｎ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ
及びＹｂから選択された１種または２種以上の元素）か
らなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但
し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１
種または２種以上の酸化物）からなる添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
は、(Bak-xMx)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及び
／またはＺｎ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ
及びＹｂから選択された１種または２種以上の元素）か
らなる基本成分と、Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯ（但
し、ＭＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１
種または２種以上の酸化物）からなる添加成分とを含む
誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００８】これらに開示されているの誘電体磁器組成
物は、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
で得ることができ、その比誘電率は３０００以上、抵抗
率ρは１×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、誘電損失ｔａ
ｎδが２．５％以下、かつ比誘電率の温度変化率が−５
５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基
準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃
を基準）の範囲の磁器コンデンサを得ることができるも
のである。
物は、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
で得ることができ、その比誘電率は３０００以上、抵抗
率ρは１×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、誘電損失ｔａ
ｎδが２．５％以下、かつ比誘電率の温度変化率が−５
５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基
準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃
を基準）の範囲の磁器コンデンサを得ることができるも
のである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
回路の小型化、高密度化にともない積層磁器コンデンサ
の更なる小型大容量化が求められて来ている。積層磁器
コンデンサの小型大容量化の方法としては、誘電体磁器
層を薄膜化してその積層数を増加させることが考えられ
る。しかし、誘電体磁器層を薄膜化し過ぎると、誘電体
磁器層の絶縁抵抗が低下し、高温におけるＣＲ積が著し
く悪くなる。
回路の小型化、高密度化にともない積層磁器コンデンサ
の更なる小型大容量化が求められて来ている。積層磁器
コンデンサの小型大容量化の方法としては、誘電体磁器
層を薄膜化してその積層数を増加させることが考えられ
る。しかし、誘電体磁器層を薄膜化し過ぎると、誘電体
磁器層の絶縁抵抗が低下し、高温におけるＣＲ積が著し
く悪くなる。
【００１０】この発明は、高温におけるＣＲ積の大きな
小型大容量の磁器コンデンサを低コストで提供すること
にある。
小型大容量の磁器コンデンサを低コストで提供すること
にある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係る磁器コン
デンサは、誘電体磁器組成物からなる１または２以上の
誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少な
くとも２以上の内部電極とを備えており、前記誘電体磁
器組成物は１００．０重量部の基本成分と、０．２〜
５．０重量部の添加成分とからなり、前記基本成分は、
組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O6 …(1) （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
たはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素）で表される物質からなり、前記添加成分は
Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種また
は２種以上の酸化物）とからなる。
デンサは、誘電体磁器組成物からなる１または２以上の
誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少な
くとも２以上の内部電極とを備えており、前記誘電体磁
器組成物は１００．０重量部の基本成分と、０．２〜
５．０重量部の添加成分とからなり、前記基本成分は、
組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O6 …(1) （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
たはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素）で表される物質からなり、前記添加成分は
Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種また
は２種以上の酸化物）とからなる。
【００１２】ここで、基本成分の組成式(1) 中におい
て、αの値は、０．００１≦α≦０．０１の範囲が好ま
しい。αの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的
特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、αの値が０．００１未満になると、１５０℃下に
おけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下になり、比誘電率εs
が３３００以下になってしまい、αの値が０．０１を越
えると１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下に
なり、ｔａｎδが２．５％を越え、抵抗率ρが４．０×
１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れてしまうからである。
て、αの値は、０．００１≦α≦０．０１の範囲が好ま
しい。αの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的
特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、αの値が０．００１未満になると、１５０℃下に
おけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下になり、比誘電率εs
が３３００以下になってしまい、αの値が０．０１を越
えると１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下に
なり、ｔａｎδが２．５％を越え、抵抗率ρが４．０×
１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れてしまうからである。
【００１３】また、基本成分の組成式(1) 中において、
ｋの値は、１．００≦ｋ≦１．０５の範囲が好ましい。
ｋの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性を
有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができるが、
ｋの値が１．００未満になると、抵抗率ρが４．００×
１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下
になってしまい、ｋの値が１．０５を越えると、１２５
０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができなくなるか
らである。
ｋの値は、１．００≦ｋ≦１．０５の範囲が好ましい。
ｋの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性を
有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができるが、
ｋの値が１．００未満になると、抵抗率ρが４．００×
１０6 ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下
になってしまい、ｋの値が１．０５を越えると、１２５
０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができなくなるか
らである。
【００１４】また、基本成分の組成式(1) 中において、
ｘ＋ｙの値は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲が好
ましい。ｘ＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の
電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、ｘ＋ｙの値が０．０１未満になると、静電
容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲
から外れ、ｘ＋ｙの値が０．１０を越えると、静電容量
の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲から外
れてしまうからである。
ｘ＋ｙの値は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲が好
ましい。ｘ＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の
電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、ｘ＋ｙの値が０．０１未満になると、静電
容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲
から外れ、ｘ＋ｙの値が０．１０を越えると、静電容量
の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲から外
れてしまうからである。
【００１５】ただし、ｘ＋ｙ≦０．１０であっても、ｙ
≦０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０を満足してい
ても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度変化
率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲から外れてしまう
からである。
≦０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０を満足してい
ても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度変化
率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲から外れてしまう
からである。
【００１６】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎ、及びＬ成分の
ＣａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｘ＜０．１０を満足
する範囲ではＭｇとＺｎのうち一方または両方を使用す
ること、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうちの一方または両方を使用することができる。
ＣａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｘ＜０．１０を満足
する範囲ではＭｇとＺｎのうち一方または両方を使用す
ること、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうちの一方または両方を使用することができる。
【００１７】また、基本成分の組成式(1) 中において、
ｚの値は、０．００２≦ｚ≦０．０６の範囲が好まし
い。ｚの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特
性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができる
が、ｚの値が０．００２未満になると、静電容量の温度
変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲から外れ、
ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０％の範囲から外れ、ｚの値
が０．０６を越えると、緻密な焼結体が得られなくなる
からである。
ｚの値は、０．００２≦ｚ≦０．０６の範囲が好まし
い。ｚの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特
性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得ることができる
が、ｚの値が０．００２未満になると、静電容量の温度
変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲から外れ、
ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０％の範囲から外れ、ｚの値
が０．０６を越えると、緻密な焼結体が得られなくなる
からである。
【００１８】なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはほゞ同様に働
き、これらから選択された１つを使用しても、または複
数を組み合わせて使用しても同様な結果が得られる。
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕはほゞ同様に働
き、これらから選択された１つを使用しても、または複
数を組み合わせて使用しても同様な結果が得られる。
【００１９】また、前記基本成分の組成式(1) 中におい
て、ｋ−（ｘ＋ｙ）はＢａの原子数の割合を、ｘはＭ成
分の原子数の割合を、ｙはＬ成分の原子数の割合を、ｚ
はＲ成分の原子数の割合を示している。
て、ｋ−（ｘ＋ｙ）はＢａの原子数の割合を、ｘはＭ成
分の原子数の割合を、ｙはＬ成分の原子数の割合を、ｚ
はＲ成分の原子数の割合を示している。
【００２０】また、基本成分の中には、Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｍ
ｎＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯから選択された１種
または２種以上の酸化物を微量添加して焼結性を高めて
もよい。酸化物の添加量は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉとして、１．０原子％以下が好ましい。また、基本
成分の中には、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。更に、基本成分を得るための出発原料を実施例で
示した以外の例えばＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ等の酸化物
または水酸化物またはその他の化合物としてもよい。
ｎＯ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯから選択された１種
または２種以上の酸化物を微量添加して焼結性を高めて
もよい。酸化物の添加量は、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉとして、１．０原子％以下が好ましい。また、基本
成分の中には、その他の物質を必要に応じて添加しても
よい。更に、基本成分を得るための出発原料を実施例で
示した以外の例えばＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ等の酸化物
または水酸化物またはその他の化合物としてもよい。
【００２１】次に、添加成分の添加量の範囲を、１００
重量部の基本成分に対して０．２〜５．０重量部とした
のは、添加成分の添加量がこの範囲にある場合は、所望
の電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得るこ
とができるが、添加成分の添加量が０．２重量部未満に
なると、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ること
ができなくなり、また、添加成分の添加量が５．０重量
部を越えると、比誘電率εs が３３００未満となり、静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範
囲から外れてしまうからである。
重量部の基本成分に対して０．２〜５．０重量部とした
のは、添加成分の添加量がこの範囲にある場合は、所望
の電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得るこ
とができるが、添加成分の添加量が０．２重量部未満に
なると、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ること
ができなくなり、また、添加成分の添加量が５．０重量
部を越えると、比誘電率εs が３３００未満となり、静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範
囲から外れてしまうからである。
【００２２】また、添加成分の組成は、Ｂ2 Ｏ3 −Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、Ｂ
2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９
モル％の組成を示す第１の点Ａと、Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示す第２の点Ｂと、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃ
と、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯ
が９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、Ｂ2 Ｏ3 が９０
モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を
示す第５の点Ｅと、Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆと
をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあるのが
好ましい。
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、Ｂ
2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９
モル％の組成を示す第１の点Ａと、Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示す第２の点Ｂと、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃ
と、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯ
が９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、Ｂ2 Ｏ3 が９０
モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を
示す第５の点Ｅと、Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆと
をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあるのが
好ましい。
【００２３】添加成分の組成を、このようにＢ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図の第１〜
６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内と
したのは、添加成分の組成をこの領域内とすれば、所望
の電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得るこ
とができるが、添加成分の組成をこの領域外とすれば、
１２５０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができない
からである。なお、添加成分の出発原料は酸化物、水酸
化物等の他の化合物としてもよい。
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図の第１〜
６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内と
したのは、添加成分の組成をこの領域内とすれば、所望
の電気的特性を有する緻密な誘電体磁器組成物を得るこ
とができるが、添加成分の組成をこの領域外とすれば、
１２５０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができない
からである。なお、添加成分の出発原料は酸化物、水酸
化物等の他の化合物としてもよい。
【００２４】次に、この発明に係る磁器コンデンサの製
造方法は、前記基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混合物
からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼
結磁器シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で
挟持させた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸
化性雰囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受け
た積層物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを
備えたものである。
造方法は、前記基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混合物
からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼
結磁器シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で
挟持させた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸
化性雰囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受け
た積層物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを
備えたものである。
【００２５】ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ2 や
ＣＯ等の還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中
性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中にお
ける焼成温度は、電極材料を考慮して種々変更すること
ができ、ニッケルを内部電極の材料とする場合には、１
０５０〜１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほと
んど生じさせることなく熱処理することができる。
ＣＯ等の還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの中
性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中にお
ける焼成温度は、電極材料を考慮して種々変更すること
ができ、ニッケルを内部電極の材料とする場合には、１
０５０〜１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほと
んど生じさせることなく熱処理することができる。
【００２６】また、酸化性雰囲気中における熱処理温度
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定されることな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度、あるいはどのような
酸素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）
の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する
必要がある。後述する実施例ではこの熱処理温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定されることな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度、あるいはどのような
酸素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）
の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する
必要がある。後述する実施例ではこの熱処理温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
【００２７】また、後述する実施例では、非酸化性雰囲
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を１つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を１つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。
【００２８】また、実施例では外部電極としてＺｎ電極
を使用しているが、電極焼付け条件を選択することによ
りＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるのは
もちろん、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の端面に塗布し
て積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に行なうこと
も可能である。
を使用しているが、電極焼付け条件を選択することによ
りＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるのは
もちろん、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の端面に塗布し
て積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に行なうこと
も可能である。
【００２９】なお、基本成分の内容及び添加成分の内容
は前述した磁器コンデンサの場合と全く同様である。ま
た、この発明は積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
は前述した磁器コンデンサの場合と全く同様である。ま
た、この発明は積層磁器コンデンサ以外の一般的な単層
の磁器コンデンサにも勿論適用可能である。
【００３０】
【実施例】まず、試料番号１の場合について説明する。
試料番号１の場合は、使用する出発原料として、純度９
９．０％以上のＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＣａＣＯ
3，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 及びＥｒ2 Ｏ3 の粉末を用意
し、基本成分の組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O6 … (1) における第１項の (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 … (2) が (Ba0.96Mg0.03Zn0.01Ca0.01Sr0.01)O1.02(Ti0.98Er0.02)O1.99 … (3) となるように、前記粉末を以下のように秤量した。 ＢａＣＯ3 1029.33g ＭｇＯ 6.57g ＺｎＯ 4.42g ＣａＣＯ3 5.43g ＳｒＣＯ3 8.02g ＴｉＯ2 425.44g Ｅｒ2 Ｏ3 20.78g
試料番号１の場合は、使用する出発原料として、純度９
９．０％以上のＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＣａＣＯ
3，ＳｒＣＯ3 ，ＴｉＯ2 及びＥｒ2 Ｏ3 の粉末を用意
し、基本成分の組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O6 … (1) における第１項の (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 … (2) が (Ba0.96Mg0.03Zn0.01Ca0.01Sr0.01)O1.02(Ti0.98Er0.02)O1.99 … (3) となるように、前記粉末を以下のように秤量した。 ＢａＣＯ3 1029.33g ＭｇＯ 6.57g ＺｎＯ 4.42g ＣａＣＯ3 5.43g ＳｒＣＯ3 8.02g ＴｉＯ2 425.44g Ｅｒ2 Ｏ3 20.78g
【００３１】次に、これらの粉末をボールミルで約２０
時間湿式混合し、１５０℃で４時間乾燥させた後、粉砕
し、この粉砕物を大気中において約１２００℃で２時間
仮焼し、基本成分の組成式(1) における第１項の組成の
粉末を得た。
時間湿式混合し、１５０℃で４時間乾燥させた後、粉砕
し、この粉砕物を大気中において約１２００℃で２時間
仮焼し、基本成分の組成式(1) における第１項の組成の
粉末を得た。
【００３２】次に、基本成分の組成式(1) における第２
項のＭｇＮｂ2 Ｏ6 を得るために、ＭｇＣＯ3 ，Ｎｂ2
Ｏ5 の粉末を以下のように秤量した。 ＭｇＣＯ3 240.81g Ｎｂ2 Ｏ5 759.19g
項のＭｇＮｂ2 Ｏ6 を得るために、ＭｇＣＯ3 ，Ｎｂ2
Ｏ5 の粉末を以下のように秤量した。 ＭｇＣＯ3 240.81g Ｎｂ2 Ｏ5 759.19g
【００３３】次に、これらをボールミルで約２０時間湿
式混合し、１５０℃で４時間乾燥させた後、粉砕し、こ
の粉砕物を大気中において約１１００℃で２時間仮焼
し、ＭｇＮｂ2 Ｏ6 の粉末を得た。
式混合し、１５０℃で４時間乾燥させた後、粉砕し、こ
の粉砕物を大気中において約１１００℃で２時間仮焼
し、ＭｇＮｂ2 Ｏ6 の粉末を得た。
【００３４】そして、試料番号１の場合の基本成分を得
るために、上記基本成分の組成式(1) における１−αが
０．９９５モル、αが０．００５モルとなるように、基
本成分の第１項の成分粉末９９．５モル部（９９５．４
２ｇ）と、基本成分の第２項の成分粉末０．５モル部
（４．５８ｇ）とを混合し、基本成分の粉末１０００ｇ
を得た。
るために、上記基本成分の組成式(1) における１−αが
０．９９５モル、αが０．００５モルとなるように、基
本成分の第１項の成分粉末９９．５モル部（９９５．４
２ｇ）と、基本成分の第２項の成分粉末０．５モル部
（４．５８ｇ）とを混合し、基本成分の粉末１０００ｇ
を得た。
【００３５】一方、試料番号１の添加成分を得るため
に、 Ｂ2 Ｏ3 30.54g ＳｉＯ2 52.71g ＣａＣＯ3 11.71g ＳｒＣＯ3 2.16g ＢａＣＯ3 2.89g を秤量し、これらにアルコールを３００ｃｃ加え、ポリ
エチレンポットにてアルミナボールを用いて１０時間撹
拌した後、大気中１０００℃で２時間仮焼し、これを３
００ｃｃのアルコールと共にアルミナポットに入れ、ア
ルミナボールで１５時間粉砕し、しかる後、１５０℃で
４時間乾燥させて、Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が
６０モル％、ＭＯが１０モル％（ＣａＯ：８モル％，Ｓ
ｒＯ：１モル％，ＢａＯ：１モル％）の組成の添加成分
の粉末を得た。
に、 Ｂ2 Ｏ3 30.54g ＳｉＯ2 52.71g ＣａＣＯ3 11.71g ＳｒＣＯ3 2.16g ＢａＣＯ3 2.89g を秤量し、これらにアルコールを３００ｃｃ加え、ポリ
エチレンポットにてアルミナボールを用いて１０時間撹
拌した後、大気中１０００℃で２時間仮焼し、これを３
００ｃｃのアルコールと共にアルミナポットに入れ、ア
ルミナボールで１５時間粉砕し、しかる後、１５０℃で
４時間乾燥させて、Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が
６０モル％、ＭＯが１０モル％（ＣａＯ：８モル％，Ｓ
ｒＯ：１モル％，ＢａＯ：１モル％）の組成の添加成分
の粉末を得た。
【００３６】次に、基本成分の粉末１０００ｇ（１００
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン及び縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダ
ーを基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量
％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これらをボー
ルミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料のスラリーを
作成した。なお、この例ではＣｒ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ等の焼
結助剤を添加しなかったが、焼結助剤を添加する場合は
この段階で添加する。
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン及び縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダ
ーを基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量
％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これらをボー
ルミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料のスラリーを
作成した。なお、この例ではＣｒ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ等の焼
結助剤を添加しなかったが、焼結助剤を添加する場合は
この段階で添加する。
【００３７】次に、上記スラリーを真空脱泡器に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で１
００℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍのグリーン
シートを得た。このシートを１０ｃｍ角の正方形に打ち
抜いて使用した。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で１
００℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍのグリーン
シートを得た。このシートを１０ｃｍ角の正方形に打ち
抜いて使用した。
【００３８】一方、内部電極の導電ペーストは、平均粒
径が１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロ
ース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇに溶解させ
たものとを攪拌器に入れ、１０時間攪拌することにより
得た。この導電性ペーストを長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍの
パターンを５０個有するスクリーンを介して上記グリー
ンシートの片面に印刷した後、これを乾燥させた。
径が１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロ
ース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇに溶解させ
たものとを攪拌器に入れ、１０時間攪拌することにより
得た。この導電性ペーストを長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍの
パターンを５０個有するスクリーンを介して上記グリー
ンシートの片面に印刷した後、これを乾燥させた。
【００３９】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた。しかる
後、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チッ
プを得た。
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた。しかる
後、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チッ
プを得た。
【００４０】次に、この積層チップを雰囲気焼成可能な
炉に入れ、大気雰囲気中で１００℃／ｈｒの速度で６０
０℃まで加熱して、有機バインダーを燃焼させた。しか
る後、炉の雰囲気を大気からＨ2(２体積％）＋Ｎ2(９８
体積％）の雰囲気に変えた。そして、炉を上記のごとき
還元性雰囲気とした状態を保って、積層チップの加熱温
度を６００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を
３時間保持した後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃ま
で降温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き
換えて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、
その後、室温まで冷却して積層焼結体チップ１５を得た
（図１参照）。
炉に入れ、大気雰囲気中で１００℃／ｈｒの速度で６０
０℃まで加熱して、有機バインダーを燃焼させた。しか
る後、炉の雰囲気を大気からＨ2(２体積％）＋Ｎ2(９８
体積％）の雰囲気に変えた。そして、炉を上記のごとき
還元性雰囲気とした状態を保って、積層チップの加熱温
度を６００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を
３時間保持した後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃ま
で降温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き
換えて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、
その後、室温まで冷却して積層焼結体チップ１５を得た
（図１参照）。
【００４１】次に、電極が露出する積層焼結体チップ１
５の側面に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる
導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５
０℃の温度で１５分間焼付けて亜鉛電極層１８を形成
し、更にこの上に銅層２０を無電解メッキで被着させ、
更にこの上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設
けて、一対の外部電極１６，１６を形成した。
５の側面に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる
導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５
０℃の温度で１５分間焼付けて亜鉛電極層１８を形成
し、更にこの上に銅層２０を無電解メッキで被着させ、
更にこの上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設
けて、一対の外部電極１６，１６を形成した。
【００４２】これにより、図１に示すごとく誘電体磁器
層１２と、内部電極１４と、外部電極１６，１６とから
なる積層磁器コンデンサ１０が得られた。なお、この積
層磁器コンデンサ１０の誘電体磁器層１２の厚さは０．
０２ｍｍ、内部電極１４の対向面積は、５ｍｍ×５ｍｍ
＝２５ｍｍ2 である。また、焼結後の誘電体磁器層１２
の組成は、焼結前の基本成分及び添加成分の混合物の組
成と実質的に同じである。
層１２と、内部電極１４と、外部電極１６，１６とから
なる積層磁器コンデンサ１０が得られた。なお、この積
層磁器コンデンサ１０の誘電体磁器層１２の厚さは０．
０２ｍｍ、内部電極１４の対向面積は、５ｍｍ×５ｍｍ
＝２５ｍｍ2 である。また、焼結後の誘電体磁器層１２
の組成は、焼結前の基本成分及び添加成分の混合物の組
成と実質的に同じである。
【００４３】次に、積層磁器コンデンサ１０の電気的特
性を測定したところ、表３に示すように、比誘電率ε
s が３５６０、ｔａｎδが１．０％、抵抗率ρが５．９
×１０6 ＭΩ・ｃｍ、１５０℃下におけるＣＲ積が３１
５Ｆ・Ω、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び
＋１２５℃の静電容量の変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−
１２．１％，＋６．１％、２０℃の静電容量を基準にし
た−２５℃，＋８５℃の静電容量の変化率ΔＣ-25 ，Δ
Ｃ85が−７．２％，−４．９％であった。
性を測定したところ、表３に示すように、比誘電率ε
s が３５６０、ｔａｎδが１．０％、抵抗率ρが５．９
×１０6 ＭΩ・ｃｍ、１５０℃下におけるＣＲ積が３１
５Ｆ・Ω、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び
＋１２５℃の静電容量の変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−
１２．１％，＋６．１％、２０℃の静電容量を基準にし
た−２５℃，＋８５℃の静電容量の変化率ΔＣ-25 ，Δ
Ｃ85が−７．２％，−４．９％であった。
【００４４】なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εs は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極の対向面積（２５ｍｍ2 ）と
一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さ０．０２ｍｍか
ら計算で求めた。 (B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記比誘電率の測定の
場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間
の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算
で求めた。 (D) 高温ＣＲ積（Ｆ・Ω）は、温度１５０℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で、静電容量を
測定し、しかる後、ＤＣ１００Ｖを６０秒間印加した後
に、一対の外部電極間の抵抗値を測定し、前記静電容量
の測定値と抵抗値を乗じたものを計算で求めた。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽中に試料を入れ、−
５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５０
℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度におい
て、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で
静電容量を測定し、温度２０℃及び２５℃に於ける静電
容量に対して各温度の静電容量の変化率を求めることに
より得た。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極の対向面積（２５ｍｍ2 ）と
一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さ０．０２ｍｍか
ら計算で求めた。 (B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記比誘電率の測定の
場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間
の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算
で求めた。 (D) 高温ＣＲ積（Ｆ・Ω）は、温度１５０℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で、静電容量を
測定し、しかる後、ＤＣ１００Ｖを６０秒間印加した後
に、一対の外部電極間の抵抗値を測定し、前記静電容量
の測定値と抵抗値を乗じたものを計算で求めた。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽中に試料を入れ、−
５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５０
℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度におい
て、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で
静電容量を測定し、温度２０℃及び２５℃に於ける静電
容量に対して各温度の静電容量の変化率を求めることに
より得た。
【００４５】以上、試料番号１の場合について説明した
が、試料番号２〜８７の場合についても、基本成分及び
添加成分の組成及びその割合、また、還元性雰囲気中に
おける焼成温度を変えた他は、試料番号１の場合と全く
同様の方法で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法
でその電気的特性を測定した。
が、試料番号２〜８７の場合についても、基本成分及び
添加成分の組成及びその割合、また、還元性雰囲気中に
おける焼成温度を変えた他は、試料番号１の場合と全く
同様の方法で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法
でその電気的特性を測定した。
【００４６】なお、表１〜は各々の試料についての
基本成分の組成及びその割合を示し、表２〜は各々
の試料についての添加成分の組成及びその割合を示し、
表３〜は各々の試料についての焼成温度及び積層磁
器コンデンサの電気的特性を示す。
基本成分の組成及びその割合を示し、表２〜は各々
の試料についての添加成分の組成及びその割合を示し、
表３〜は各々の試料についての焼成温度及び積層磁
器コンデンサの電気的特性を示す。
【００４７】また、表１〜のｘ，ｙ，ｋの欄の数値
は、前述した基本成分の組成式(1)の各元素の原子数、
すなわち、（Ｔｉ＋Ｒ）の原子数を１とした場合の各元
素の原子数の割合を示す。
は、前述した基本成分の組成式(1)の各元素の原子数、
すなわち、（Ｔｉ＋Ｒ）の原子数を１とした場合の各元
素の原子数の割合を示す。
【００４８】また、表１〜の、ｘの欄のＭｇ，Ｚｎ
は、前述した基本成分の組成式(1)におけるＭの内容を
示し、ｙの欄のＣａ，Ｓｒは、基本成分の組成式(1) に
おけるＬの内容を示し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは前述した
基本成分の組成式(1) のＲの内容を示す。
は、前述した基本成分の組成式(1)におけるＭの内容を
示し、ｙの欄のＣａ，Ｓｒは、基本成分の組成式(1) に
おけるＬの内容を示し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは前述した
基本成分の組成式(1) のＲの内容を示す。
【００４９】また、表２〜の添加成分の添加量は、
基本成分１００重量部に対する重量部で示されている。
添加成分のＭＯの欄には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されている。また、
焼結助剤の添加量は、前述した基本成分の組成式(1) に
おける基本成分１モル部に対するＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉの割合が原子％で示されている。
基本成分１００重量部に対する重量部で示されている。
添加成分のＭＯの欄には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されている。また、
焼結助剤の添加量は、前述した基本成分の組成式(1) に
おける基本成分１モル部に対するＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉの割合が原子％で示されている。
【００５０】また、表３〜において、静電容量の温
度特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び
＋１２５℃の静電容量の変化率をΔＣ-55 （％）及びΔ
Ｃ12 5 （％）で、２０℃の静電容量を基準にした−２５
℃及び＋８５℃の静電容量の変化率をΔＣ-25 （％）及
びΔＣ85（％）で示されている。
度特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び
＋１２５℃の静電容量の変化率をΔＣ-55 （％）及びΔ
Ｃ12 5 （％）で、２０℃の静電容量を基準にした−２５
℃及び＋８５℃の静電容量の変化率をΔＣ-25 （％）及
びΔＣ85（％）で示されている。
【００５１】
【表１】
【００５２】
【表１】
【００５３】
【表１】
【００５４】
【表１】
【００５５】
【表２】
【００５６】
【表２】
【００５７】
【表２】
【００５８】
【表２】
【００５９】
【表３】
【００６０】
【表３】
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表３】
【００６３】表１〜、表２〜及び表３〜か
ら明らかなように、この発明に従う実施例によれば、非
酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で、誘電
体層の比誘電率εs が３３００以上、抵抗率ρが４．０
×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、ｔａｎδが２．５％以
下、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 及びΔＣ125 が−１５％〜
＋１５％の範囲内、ΔＣ-25 及びΔＣ85が−１０％〜＋
１０％の範囲内の電気的特性を有する積層磁器コンデン
サを得ることができるものである。
ら明らかなように、この発明に従う実施例によれば、非
酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で、誘電
体層の比誘電率εs が３３００以上、抵抗率ρが４．０
×１０6 ＭΩ・ｃｍ以上であり、ｔａｎδが２．５％以
下、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 及びΔＣ125 が−１５％〜
＋１５％の範囲内、ΔＣ-25 及びΔＣ85が−１０％〜＋
１０％の範囲内の電気的特性を有する積層磁器コンデン
サを得ることができるものである。
【００６４】これに対し、試料番号２，５，１７，２
２，２３，２５〜２７，３０，３１，３５，３６，３
８，４３，５１〜５５，７１〜７７及び８２の例によれ
ば、この発明の目的とする電気的特性を備えた磁器コン
デンサを得ることができないので、これらの試料番号の
例はこの発明の範囲外のものである。
２，２３，２５〜２７，３０，３１，３５，３６，３
８，４３，５１〜５５，７１〜７７及び８２の例によれ
ば、この発明の目的とする電気的特性を備えた磁器コン
デンサを得ることができないので、これらの試料番号の
例はこの発明の範囲外のものである。
【００６５】表３〜には静電容量の温度変化率ΔＣ
-55 ，ΔＣ125 ，ΔＣ-25 ，ΔＣ85のみが表示されてい
るが、この発明に従う実施例では、−２５℃〜＋８５℃
の範囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１０％〜＋１
０％の範囲内に収まっており、又、−５５℃〜＋１２５
℃の範囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１５％〜＋
１５％の範囲内に収まっている。
-55 ，ΔＣ125 ，ΔＣ-25 ，ΔＣ85のみが表示されてい
るが、この発明に従う実施例では、−２５℃〜＋８５℃
の範囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１０％〜＋１
０％の範囲内に収まっており、又、−５５℃〜＋１２５
℃の範囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１５％〜＋
１５％の範囲内に収まっている。
【００６６】次に、この発明に係る磁器コンデンサに用
いられている誘電体磁器組成物の組成の適正範囲につい
て、表１〜、表２〜及び表３〜に示す実験
結果を参照しながら検討する。
いられている誘電体磁器組成物の組成の適正範囲につい
て、表１〜、表２〜及び表３〜に示す実験
結果を参照しながら検討する。
【００６７】まず、αの値の適正範囲について検討す
る。α＝０．００１（試料番号３）の場合には、所望の
電気的特性のものが得られるが、α＝０（試料番号２）
の場合には、１５０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以
下になり、比誘電率εs が３３００以下になってしま
う。従って、αの下限値は０．００１である。
る。α＝０．００１（試料番号３）の場合には、所望の
電気的特性のものが得られるが、α＝０（試料番号２）
の場合には、１５０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以
下になり、比誘電率εs が３３００以下になってしま
う。従って、αの下限値は０．００１である。
【００６８】また、α＝０．０１（試料番号４）の場合
には、所望の電気的特性のものが得られるが、α＝０．
０１５（試料番号５）の場合には、１５０℃におけるＣ
Ｒ積が２００Ｆ・Ω以下になり、ｔａｎδが２．５％を
越え、抵抗率ρが４×１０6ＭΩ・ｃｍより小さくな
り、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５
％〜＋１５％の範囲から外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１
０％〜＋１０％の範囲から外れる。従って、αの上限値
は０．０１である。
には、所望の電気的特性のものが得られるが、α＝０．
０１５（試料番号５）の場合には、１５０℃におけるＣ
Ｒ積が２００Ｆ・Ω以下になり、ｔａｎδが２．５％を
越え、抵抗率ρが４×１０6ＭΩ・ｃｍより小さくな
り、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５
％〜＋１５％の範囲から外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１
０％〜＋１０％の範囲から外れる。従って、αの上限値
は０．０１である。
【００６９】次に、ｋの値の適正範囲について検討す
る。ｋ＝１．００（試料番号３２）の場合には、所望の
電気的特性のものが得られるが、ｋ＜１．００（試料番
号３０，３１）の場合には、抵抗率ρが４．０×１０6
ＭΩ・ｃｍより大幅に小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ωより
大幅に小さくなってしまう。従って、ｋの下限値は１．
００である。
る。ｋ＝１．００（試料番号３２）の場合には、所望の
電気的特性のものが得られるが、ｋ＜１．００（試料番
号３０，３１）の場合には、抵抗率ρが４．０×１０6
ＭΩ・ｃｍより大幅に小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％の範囲から
外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲か
ら外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ωより
大幅に小さくなってしまう。従って、ｋの下限値は１．
００である。
【００７０】また、ｋ＝１．０５（試料番号３４）の場
合には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｋ＞
１．０５（試料番号３５，３６）の場合には、１２５０
℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなってしまう。従
って、ｋの上限値は１．０５である。
合には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｋ＞
１．０５（試料番号３５，３６）の場合には、１２５０
℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなってしまう。従
って、ｋの上限値は１．０５である。
【００７１】次に、ｘ＋ｙの値の適正範囲について検討
する。ｘ＋ｙ＝０．０１（試料番号１８，１９）の場合
には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｘ＋ｙ＝
０（試料番号１７）の場合には、静電容量の温度変化率
ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲から外れる。従っ
て、ｘ＋ｙの下限値は０．０１である。
する。ｘ＋ｙ＝０．０１（試料番号１８，１９）の場合
には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｘ＋ｙ＝
０（試料番号１７）の場合には、静電容量の温度変化率
ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％の範囲から外れる。従っ
て、ｘ＋ｙの下限値は０．０１である。
【００７２】また、ｘ＋ｙ＝０．１０（試料番号２８，
２９）の場合には、所望の電気的特性のものが得られる
が、ｘ＋ｙ＝０．１１（試料番号２３，２５，２７）の
場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋
１０％の範囲から外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの上限
値は０．１０である。
２９）の場合には、所望の電気的特性のものが得られる
が、ｘ＋ｙ＝０．１１（試料番号２３，２５，２７）の
場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋
１０％の範囲から外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの上限
値は０．１０である。
【００７３】ただし、ｘ＋ｙ≦０．１０であっても、ｙ
の値が０．０５を越えると（試料番号２２，２６）、静
電容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲
から外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの値は、０．０１≦
ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲であるが、同時に、ｙ≦０．０
５でなければならない。
の値が０．０５を越えると（試料番号２２，２６）、静
電容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲
から外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの値は、０．０１≦
ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲であるが、同時に、ｙ≦０．０
５でなければならない。
【００７４】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎはほゞ同様に働
き、０≦ｘ＜０．１０を満足する範囲ではＭｇとＺｎの
うち一方または両方を使用することができ、また、Ｌ成
分のＣａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｙ≦０．０５を
満足する範囲でＣａとＳｒのうち一方または両方を使用
することができる。ただし、Ｍ成分及びＬ成分の１種ま
たは複数種のいずれを使用する場合も、ｘ＋ｙの値は、
０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲としなければならな
い。
き、０≦ｘ＜０．１０を満足する範囲ではＭｇとＺｎの
うち一方または両方を使用することができ、また、Ｌ成
分のＣａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｙ≦０．０５を
満足する範囲でＣａとＳｒのうち一方または両方を使用
することができる。ただし、Ｍ成分及びＬ成分の１種ま
たは複数種のいずれを使用する場合も、ｘ＋ｙの値は、
０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲としなければならな
い。
【００７５】次に、ｚの値の適正範囲について検討す
る。ｚ＝０．００２（試料番号３９）の場合には、所望
の電気的特性のものが得られるが、ｚ＝０（試料番号３
８）の場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１
５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０
％から外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω
以下になってしまう。従って、ｚの下限値は０．００２
である。
る。ｚ＝０．００２（試料番号３９）の場合には、所望
の電気的特性のものが得られるが、ｚ＝０（試料番号３
８）の場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１
５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０
％から外れ、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω
以下になってしまう。従って、ｚの下限値は０．００２
である。
【００７６】また、ｚ＝０．０６（試料番号４２）の場
合には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｚ＝
０．０７（試料番号４３）の場合には、１２５０℃の焼
成で緻密な焼結体が得られない。従って、ｚの上限値は
０．０６である。
合には、所望の電気的特性のものが得られるが、ｚ＝
０．０７（試料番号４３）の場合には、１２５０℃の焼
成で緻密な焼結体が得られない。従って、ｚの上限値は
０．０６である。
【００７７】なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは各々ほゞ同様に
働き、これらから選択された一つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な効果が得られるも
のである。
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは各々ほゞ同様に
働き、これらから選択された一つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な効果が得られるも
のである。
【００７８】次に、添加成分の添加量の適正範囲につい
て検討する。添加成分の添加量が、基本成分１００重量
部に対して０．２重量部（試料番号７８）の場合には、
１１９０℃の焼成で所望の電気的特性のものが得られる
が、０重量部（試料番号７７）の場合には、１２５０℃
の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、添加成分
の添加量の下限値は基本成分１００重量部に対して０．
２重量部である。
て検討する。添加成分の添加量が、基本成分１００重量
部に対して０．２重量部（試料番号７８）の場合には、
１１９０℃の焼成で所望の電気的特性のものが得られる
が、０重量部（試料番号７７）の場合には、１２５０℃
の焼成で緻密な焼結体が得られない。従って、添加成分
の添加量の下限値は基本成分１００重量部に対して０．
２重量部である。
【００７９】また、添加成分の添加量が、基本成分１０
０重量部に対して５．０重量部（試料番号８１）の場合
には、所望の電気的特性のものが得られるが、７．０重
量部（試料番号８２）の場合には、比誘電率が３３００
未満となり、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％
〜＋１５％から外れてしまう。従って、添加成分の添加
量の上限値は基本成分１００重量部に対して５．０重量
部である。
０重量部に対して５．０重量部（試料番号８１）の場合
には、所望の電気的特性のものが得られるが、７．０重
量部（試料番号８２）の場合には、比誘電率が３３００
未満となり、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％
〜＋１５％から外れてしまう。従って、添加成分の添加
量の上限値は基本成分１００重量部に対して５．０重量
部である。
【００８０】次に、添加成分の組成範囲は、Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図２）
の第１〜６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた
範囲内である。三角図における第１の点Ａは、Ｂ2 Ｏ3
が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％
（試料番号６１）の組成を示し、第２の点Ｂは、Ｂ2Ｏ3
が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成（試料番号６２）を示し、第３の点Ｃは、Ｂ2
Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが７０モ
ル％（試料番号６３）の組成を示し、第４の点Ｄは、Ｂ
2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが９モ
ル％（試料番号６４）の組成を示し、第５の点Ｅは、Ｂ
2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モ
ル％（試料番号６５）の組成を示し、第６の点Ｆは、Ｂ
2 Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
モル％（試料番号６６）の組成を示す。
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図２）
の第１〜６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた
範囲内である。三角図における第１の点Ａは、Ｂ2 Ｏ3
が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％
（試料番号６１）の組成を示し、第２の点Ｂは、Ｂ2Ｏ3
が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成（試料番号６２）を示し、第３の点Ｃは、Ｂ2
Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが７０モ
ル％（試料番号６３）の組成を示し、第４の点Ｄは、Ｂ
2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが９モ
ル％（試料番号６４）の組成を示し、第５の点Ｅは、Ｂ
2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モ
ル％（試料番号６５）の組成を示し、第６の点Ｆは、Ｂ
2 Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
モル％（試料番号６６）の組成を示す。
【００８１】添加成分の組成範囲が、このようにＢ2 Ｏ
3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図
２）の第１〜６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲ま
れた範囲内（試料番号６１〜７０）であれば所望の電気
的特性のものを得ることができるが、添加成分の組成範
囲を上記範囲外（試料番号７１〜７６）とすれば、１２
５０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができない。
3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図
２）の第１〜６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲ま
れた範囲内（試料番号６１〜７０）であれば所望の電気
的特性のものを得ることができるが、添加成分の組成範
囲を上記範囲外（試料番号７１〜７６）とすれば、１２
５０℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができない。
【００８２】なお、ＭＯ成分は、試料番号８３〜８７の
場合に示されているように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＺｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の
試料に示すように２種以上の適当な比率でもよい。
場合に示されているように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，ＺｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の
試料に示すように２種以上の適当な比率でもよい。
【００８３】次に、焼結助剤であるＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉの添加量は、１．０原子％（試料番号５６〜
６０）の場合には、所望の電気的特性のものが得られる
が、１．５原子％（試料番号５１〜５５）の場合には、
比誘電率εs が３３００以下になってしまう。従って、
焼結助剤の添加量は、１．０原子％以下が好ましい。
Ｃｏ，Ｎｉの添加量は、１．０原子％（試料番号５６〜
６０）の場合には、所望の電気的特性のものが得られる
が、１．５原子％（試料番号５１〜５５）の場合には、
比誘電率εs が３３００以下になってしまう。従って、
焼結助剤の添加量は、１．０原子％以下が好ましい。
【００８４】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体層の比誘電率
εs が３３００以上、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・
ｃｍ以上であり、ｔａｎδが２．５％以下、１５０℃下
におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静電容量の温度変
化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５
℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％
（２０℃を基準）の範囲にある磁器コンデンサを提供す
ることができる。
εs が３３００以上、抵抗率ρが４．０×１０6 ＭΩ・
ｃｍ以上であり、ｔａｎδが２．５％以下、１５０℃下
におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静電容量の温度変
化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５
℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％
（２０℃を基準）の範囲にある磁器コンデンサを提供す
ることができる。
【図１】この発明の実施例に係る積層磁器コンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構
成する誘電体磁器組成物の添加成分の組成範囲を示す三
角図である。
成する誘電体磁器組成物の添加成分の組成範囲を示す三
角図である。
１２ 誘電体磁器層 １４ 内部電極 １５ 積層焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ Ｐｂ−Ｓｎ半田層
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
【表１○４】
【表２○１】
【表２○２】
【表２○３】
【表２○４】
【表３○１】
【表３○２】
【表３○３】
【表３○４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１または２以
上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
少なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
において、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O
6 （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
たはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、α，ｋ，ｘ，ｙ，ｚは、 ０．００１≦α≦０．０１ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表される物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体磁器組成物中に、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種または２種以上の
元素の酸化物が１．０原子％以下の割合で含有されてい
ることを特徴とする請求項１記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項３】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中においておいて焼
成する工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気
中において熱処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とから
なり、 前記基本成分が、組成式 (1−α)(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2 ＋αMgNb2O
6 （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
たはＳｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種
以上の元素、α，ｋ，ｘ，ｙ，ｚは、 ０．００１≦α≦０．０１ １．００≦ｋ≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表される物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種または２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 誘電体磁器組成物中に、Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ及びＮｉから選択された１種または２種以上の
元素の酸化物が１．０原子％以下の割合で含有されてい
ることを特徴とする請求項３記載の磁器コンデンサの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059414A JP2843733B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5059414A JP2843733B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251987A JPH06251987A (ja) | 1994-09-09 |
| JP2843733B2 true JP2843733B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=13112597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5059414A Expired - Fee Related JP2843733B2 (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
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1993
- 1993-02-25 JP JP5059414A patent/JP2843733B2/ja not_active Expired - Fee Related
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