JP2879867B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、１または２以上の誘電
体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって挟持さ
せてなる単層または積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサは次のような
方法によって製造されていた。すなわち、ドクターブレ
ード法等によりセラミックグリーンシートを作成し、こ
のグリーンシート上に内部電極となる金属粉末のペース
トを印刷し、これらを複数枚積み重ねて熱圧着し、大気
雰囲気中において１３００℃以上の温度で焼成して焼結
体を作り、内部電極と導通する外部電極を焼結体の端面
に焼き付けていた。

【０００３】ここで、内部電極の材料としては、パラジ
ウム、白金、銀−パラジウムのような貴金属であれば、
上記製造条件下でもセラミックと接触して酸化したりセ
ラミックと直接反応を起こさないため、この様な貴金属
がこれまで多くの積層磁器コンデンサに使用されてい
た。しかし、上記のような貴金属は、内部電極の材料と
して優れた特性を有しているが、反面、高価であるため
コスト高の最大の原因になっていた。そこで、このよう
な問題を解決する手段として、内部電極の材料としてニ
ッケル等の卑金属を用いることが試みられている。

【０００４】しかし、内部電極の材料として、例えばニ
ッケルを用いると、大気雰囲気中における焼成でニッケ
ルが酸化され、酸化されたニッケルがセラミックと容易
に反応するため、内部電極を形成することができなくな
る。このような卑金属の酸化を防止するためには、還元
雰囲気中で焼成を行なわなければならないが、還元雰囲
気中で焼成を行なうと、セラミックは一般に著しく還元
されてしまい、コンデンサとして機能しなくなる。

【０００５】そこで、このような問題を解決するため、
次のような誘電体磁器組成物が本件出願人に係る提案と
して開示されている。例えば、特開平３−２７８４２４
号公報には、（１−α）｛（Ｂａ_k-(x+z) Ｍ_x Ｌ_z ）Ｏ
_k （Ｔｉ_1-y Ｒ_y ）Ｏ_2-y/2 ｝＋αＢａＺｒＯ₃ （但
し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／または
Ｓｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂ
から選択された１種または２種以上の金属元素）からな
る基本成分と、Ｂ₂ Ｏ₃ ，ＳｉＯ₂ 及びＭＯ（但し、Ｍ
ＯはＢａＯ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種また
は２種以上の金属酸化物）からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。

【０００６】これら開示されている誘電体磁器組成物
は、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で
磁器コンデンサを得ることができ、その比誘電率が３０
００以上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρ
が１×１０⁶ ＭΩ・ｃｍ以上であり、かつ比誘電率の温
度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％
（２５℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％＋１０
％（２０℃を基準）の範囲にすることができるものであ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年、電子回路の小型
化、高密度化にともない磁器コンデンサも小型大容量の
ものが強く求められている。その一つの手法として、積
層磁器コンデンサが知られており、その誘電体グリーン
シートの薄膜化、またはその積層数の増加により大容量
化することが試みられている。しかしながら、積層磁器
コンデンサにおいて、その誘電体磁器層を薄膜化するこ
とは、絶縁抵抗の低下を引き起こし、特に、高温におけ
るＣＲ積の低下が著しくなる。

【０００８】本発明の目的は、上記公報に開示されてい
る誘電体磁器組成物よりも更に、高温におけるＣＲ積の
大きな誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサを提供
することにある。具体的には、非酸化性雰囲気中におけ
る１２００℃以下の焼成で得られるものであるにもかか
わらず、誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の比
誘電率ε_s が３３００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．
５％以下、抵抗率ρが４×１０⁶ ＭΩ・ｃｍ以上、１５
０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静電容量の温
度変化率ΔＣ_-55 ，ΔＣ₁₂₅ が−１５％〜＋１５％、Δ
Ｃ_-25 ，ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％と、その電気的特
性が従来のものより更に優れた磁器コンデンサ及びその
製造方法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】 本発明における誘電体
磁器組成物は１００．０重量部の基本成分と、０．２〜
５．０重量部の添加成分との混合物を非酸化性雰囲気中
で焼成し、酸化性雰囲気中でこの焼成温度より低い温度
で熱処理したものからなり、前記基本成分が、 （１−α−β）（Ｂａ_{ｋ−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＬ_ｙ）Ｏ_ｋＴｉＯ_２＋αＢａＺｒ Ｏ_３＋β（Ｒ_１−ＺＲ′_Ｚ）Ｏ_３／２ （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／またはＳｒ、ＲはＬａ，Ｃ ｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕから選択された１
種または２種以上の元素、Ｒ′は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択さ
れた１種または２種以上の元素、 を満足する数値）で表される物質からなり、前記添加成
分がＢ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
または２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｂ_２Ｏ_３と
前記ＳｉＯ_２と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組成
をモル％で示す三角図において、前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル
％、前記ＳｉＯ_２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
の組成を示す第１の点Ａと、前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル％、
前記ＳｉＯ_２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
成を示す第２の点Ｂと、前記Ｂ_２Ｏ_３が２９モル％、前
記ＳｉＯ_２が１モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
示す第３の点Ｃと、前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記Ｓ
ｉＯ_２が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第
４の点Ｄと、前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記ＳｉＯ_２
が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第５の点
Ｅと、前記Ｂ_２Ｏ_３が１９モル％、前記ＳｉＯ_２が８０
モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆと
をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあり、 本
発明に係る内部電極は卑金属を主成分とする材料からな
るものである。

【００１０】ここで、αの値の範囲を、０．００５≦α
≦０．０４としたのは、αの値がこの範囲にある場合
は、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、αの値が０．００５未満になると、静
電容量の温度変化率ΔＣ_-55 が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ_-25 が−１０％〜＋１０％から外れてしま
い、αの値が０．０４を越えると、静電容量の温度変化
率ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％から外れてしまうからで
ある。

【００１１】また、βの値の範囲を、０．００２≦β≦
０．０４としたのは、βの値がこの範囲にある場合は、
所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、βの値が０．００２未満になると、抵抗率
ρが４．０×１０⁶ ＭΩ・ｃｍより小さくなり、１５０
℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下になってしまい、
βの値が０．０４を越えると、１２５０℃の焼成でも緻
密な焼結体を得ることができなくなるからである。

【００１２】また、ｋの値の範囲を、１．００≦ｋ≦
１．０５としたのは、ｋの値がこの範囲にある場合は、
所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、ｋの値が１．００未満になると、抵抗率ρ
が４．００×１０⁶ ＭΩ・ｃｍより小さくなり、静電容
量の温度変化率ΔＣ_-55 ，ΔＣ₁₂₅ が−１５％〜＋１５
％から外れ、ΔＣ_-25 ，ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％か
らはずれ、１５０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下
になってしまい、またｋの値が１．０５を越えると、１
２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることができなく
なるからである。

【００１３】また、ｘ＋ｙの値の範囲を、０．０１≦ｘ
＋ｙ≦０．１０としたのは、ｘ＋ｙの値がこの範囲にあ
る場合は、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物
を得ることができるが、ｘ＋ｙの値が０．０１未満にな
ると、静電容量の温度変化率ΔＣ_-55 が−１５％〜＋１
５％から外れ、ｘ＋ｙの値が０．１０を越えると、静電
容量の温度変化率ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％から外れ
てしまうからである。

【００１４】ただし、ｘ＋ｙ≦０．１０であっても、ｙ
≦０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０を満足してい
ても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の温度変化
率ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％から外れてしまうからで
ある。

【００１５】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎ及びＣａとＳｒ
はほゞ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足する範囲で
はＭｇとＺｎのうち一方または両方を使用すること、ま
た０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａとＳｒのうち
の一方または両方を使用することができる。

【００１６】また、ｚの値の範囲を、０．５≦ｚ≦０．
９としたのは、ｚの値がこの範囲にある場合は、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、ｚの値が０．５未満になると、１５０℃における
ＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下になり、ｔａｎδが２．５％
を越えてしまい、抵抗率ρが４．０×１０⁶ ＭΩ・ｃｍ
より小さくなり、静電容量の温度変化率ΔＣ_-55 ，ΔＣ
₁₂₅ が−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ_-25 ，ΔＣ₈₅
が−１０％〜＋１０％から外れ、ｚの値が０．９を越え
ると、１５０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下にな
り、比誘電率が３３００以下になってしまうからであ
る。

【００１７】なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕはほゞ同様に働き、これらから選択
された１つを使用しても、または複数を組み合わせて使
用しても同ような結果が得られるものである。またＲ′
成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂ及びＬｕもほゞ同様に働き、これらから選択さ
れた１つを使用しても、または複数を組み合わせて使用
しても同ような結果が得られるものである。

【００１８】ただし、ｚの値は、Ｒ成分及びＲ′成分の
それぞれが１種または複数種のいずれの場合においても
０．５≦ｚ≦０．９にすることが望ましい。また、Ｒ成
分とＲ′成分は、ｚの値が０．５≦ｚ≦０．９の範囲で
組み合わせることにより、高温でのＣＲ積の向上に寄与
するものである。すなわち、Ｒ成分の添加によって１５
０℃におけるＣＲ積を２００Ｆ・Ω以上にすることが可
能になる。なお、前記基本成分を示す組成式中におい
て、ｋ，ｘ，ｙ，ｚはもちろんそれぞれの元素の原子数
を示している。

【００１９】また、基本成分の中に、本発明の目的を阻
害しない範囲で微量のＭｎＯ₂ （好ましくは０．０５〜
０．１重量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させ
てもよいし、その他の物質を必要に応じて添加してもよ
い。更に、基本成分を得るための出発原料を実施例で示
した以外の例えばＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ等の酸化物ま
たは水酸化物またはその他の化合物としてもよい。

【００２０】次に、添加成分の添加量の範囲を、１００
重量部の基本成分に対して０．２〜５．０重量部とした
のは、添加成分の添加量がこの範囲にある場合は、所望
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることがで
きるが、添加成分の添加量が０．２重量部未満になる
と、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなり、また、添加成分の添加量が５．０重量部を
越えると、比誘電率ε_sが３３００未満となり、静電容
量の温度変化率ΔＣ_-55 が−１５％〜＋１５％から外れ
てしまうからである。

【００２１】添加成分の組成を、Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ −
ＭＯの組成比をモル％で示す三角図の第１〜６の点Ａ〜
Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内としたのは、
添加成分の組成をこの領域内とすれば、所望の電気的特
性を有する誘電体磁器組成物を得ることができるが、添
加成分の組成をこの領域外とすれば、１２５０℃の焼成
でも緻密な焼結体を得ることができないからである。な
お、ＭＯ成分は、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｚ
ｎＯのいずれか１つであってもよいし、または適当な比
率としてもよい。また、添加成分の出発原料は酸化物、
水酸化物等の他の化合物としてもよい。

【００２２】次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造
方法は、前記基本成分と添加成分とからなる未焼結の磁
器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混合物か
らなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結
磁器シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟
持させた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化
性雰囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受けた
積層物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備
えたものである。

【００２３】ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ₂ や
ＣＯ等の還元性雰囲気のみならず、Ｎ₂ やＡｒなどの中
性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中にお
ける焼成温度は、電極材料を考慮して種々変更すること
ができ、ニッケルを内部電極とする場合には、１０５０
〜１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生
じさせることなく熱処理することができる。

【００２４】また、酸化性雰囲気中における熱処理温度
は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度で
あればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定されることな
く、例えば、Ｎ₂ に数ｐｐｍのＯ₂ を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度、あるいはどのような
酸素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）
の酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する
必要がある。後述する実施例ではこの熱処理温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。

【００２５】また、後述する実施例では、非酸化性雰囲
気中における熱処理と、酸化性雰囲気中における熱処理
を１つの連続した焼成プロファイルの中で行なっている
が、もちろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸
化性雰囲気における熱処理工程とを独立した工程に分け
て行なうことも可能である。

【００２６】また、実施例では外部電極としてＺｎ電極
を使用しているが、電極焼付け条件を選択することによ
りＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるのは
もちろん、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の端面に塗布し
て積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に行なうこと
も可能である。なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外
の一般的な単層の磁器コンデンサにもむろん適応可能で
ある。

【００２７】

【実施例】まず、表１、表２及び表３の試料Ｎ
ｏ．１の場合について説明する。試料Ｎｏ．１では、使
用する出発原料として、純度９９．０％以上のＢａＣＯ
₃ ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＣａＣＯ₃ ，ＳｒＣＯ₃ 及びＴｉ
Ｏ₂ の粉末を用意し、基本成分の一般式 （１−α−β)(Ba_k-(x+y)M_xL_y)O_kTiO₂＋αBaZrO₃＋β(R_1-zR′_Z)O_3/2…（１） における第１項の (Ba_k-(x+y)M_xL_y)O_kTiO₂ …（２） が (Ba_0.96Mg_0.03Zn_0.01Ca_0.01Sr_0.01)O_1.02TiO₂ …（３） の組成になるように、前記粉末を以下のように秤量し
た。 ＢａＣＯ₃ 1037.78g ＭｇＯ 6.63g ＺｎＯ 4.46g ＣａＣＯ₃ 5.48g ＳｒＣＯ₃ 8.09g ＴｉＯ₂ 437.57g これらをボールミルで約２０時間湿式混合した後、１５
０℃で４時間乾燥し、しかる後粉砕した。この粉砕物を
約１２００℃で２時間大気中で仮焼し、基本成分の第１
項の組成の粉末を得た。

【００２８】次に、基本成分の一般式 （１−α−β)(Ba_k-(x+y)M_xL_y)O_kTiO₂＋αBaZrO₃＋β(R_1-zR′_Z)O_3/2…（１） における第２項の BaZrO₃ を得るために、ＢａＣＯ₃ ，ＺｒＯ₂ の粉末を以下のよ
うに秤量した。 ＢａＣＯ₃ 615.61g ＺｒＯ₂ 384.39g これらをボールミルで約２０時間湿式混合した後、１５
０℃で４時間乾燥し、しかる後、粉砕した。この粉砕物
を約１２５０℃で２時間大気中で仮焼し、上記組成の粉
末を得た。

【００２９】次に、基本成分の一般式 （１−α−β)(Ba_k-(x+y)M_xL_y)O_kTiO₂＋αBaZrO₃＋β(R_1-zR′_Z)O_3/2…（１） における第３項の (R_1-zR ′_Z)O_3/2 …（４） が、 (Sm_0.2Er_0.8)O_3/2 …（５） になるように、Ｓｍ₂ Ｏ₃ ，Ｅｒ₂ Ｏ₃ の粉末を以下の
ように秤量した。 Ｓｍ₂ Ｏ₃ 185.61g Ｅｒ₂ Ｏ₃ 814.39g これらをボールミルで約２０時間湿式混合した後、１５
０℃で４時間乾燥し、しかる後、粉砕し、上記組成の粉
末を得た。

【００３０】そして、試料Ｎｏ．１の基本成分を得るた
めに、上記基本成分の一般式（１）における１−α−β
が０．９６モル、αが０．０２モル、βが０．０２とな
るように、９６モル部（９５９．７４ｇ）の基本成分の
第１項の成分粉末と、２モル部（２３．９７ｇ）の基本
成分の第２項の成分粉末と、２モル部（１６．２９ｇ）
の基本成分の第３項の成分粉末とを混合して１０００ｇ
の基本成分を得た。

【００３１】一方、試料Ｎｏ．１の添加成分を得るため
に、 Ｂ₂ Ｏ₃ 30.54g ＳｉＯ₂ 52.71g ＣａＣＯ₃ 11.71g ＳｒＣＯ₃ 2.16g ＢａＣＯ₃ 2.89g を秤量し、これらにアルコールを３００ｃｃ加え、ポリ
エチレンポットにてアルミナボールを用いて１０時間撹
拌した後、大気中１０００℃で２時間仮焼し、これを３
００ｃｃのアルコールと共にアルミナポットに入れ、ア
ルミナボールで１５時間粉砕し、しかる後、１５０℃で
４時間乾燥させて、Ｂ₂ Ｏ₃ が３０モル％、ＳｉＯ₂ が
６０モル％、ＭＯが１０モル％（ＣａＯ：８モル％，Ｓ
ｒＯ：１モル％，ＢａＯ：１モル％）の組成の添加成分
を得た。

【００３２】次に、基本成分の粉末１０００ｇ（１００
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更に、アクリル酸エステルポリマー、グリ
セリン及び縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダ
ーを基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量
％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これらをボー
ルミルに入れて粉砕及び混合して磁器原料のスラリーを
作成した。

【００３３】次に、上記スラリーを真空脱泡器に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で１
００℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍのグリーン
シートを得た。このシートを１０ｃｍ角の正方形に打ち
抜いて使用した。

【００３４】一方、内部電極の導電ペーストは、平均粒
径が１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エチルセルロ
ース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇに溶解させ
たものとを攪拌器に入れ、１０時間攪拌することにより
得た。この導電ペーストを長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍのパ
ターンを５０個有するスクリーンを介して上記グリーン
シートの片面に印刷した後、これを乾燥した。

【００３５】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約５０℃の温度で厚
さ方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させた。しかる
後、この積層物を格子状に裁断し、約５０個の積層チッ
プを得た。

【００３６】次に、この積層チップを雰囲気焼成可能な
炉に入れ、大気中で１００℃／ｈｒの速度で６００℃ま
で加熱して、有機バインダーを燃焼させた。しかる後、
炉の雰囲気を大気からＨ₂(２体積％）＋Ｎ₂(９８体積
％）の雰囲気に変えた。そして、炉を上記のごとき還元
性雰囲気とした状態を保って、積層チップの加熱温度を
６００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３時
間保持した後、１００℃／ｈｒの速度で６００℃まで降
温し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換え
て、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、その
後、室温まで冷却して焼結体チップを得た。

【００３７】次に、電極が露出する焼結体チップ１５の
側面に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電
性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気中で５５０℃
の温度で１５分間焼付け、亜鉛電極層１８を形成し、更
にこの上に銅２０を無電解メッキで被着させて、更にこ
の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を設けて、
一対の外部電極１６，１６を形成した。

【００３８】これにより、図１に示すごとく誘電体磁器
層１２と、内部電極１４と、外部電極１６とからなる積
層磁器コンデンサ１０が得られた。なお、この積層磁器
コンデンサ１０の誘電体磁器層１２の厚さは０．０２ｍ
ｍ、内部電極１４の対向面積は、５ｍｍ×５ｍｍ＝２５
ｍｍ² である。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成
は、焼結前の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実
質的に同じである。

【００３９】次に、積層磁器コンデンサ１０の電気的特
性を測定したところ、表３に示すように、比誘電率ε
_s が３５２０、ｔａｎδが１．３％、抵抗率ρが６．５
×１０⁶ ＭΩ・ｃｍ、高温におけるＣＲ積が２９６Ｆ・
Ω、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋１２
５℃の静電容量の変化率ΔＣ_-55 ，ΔＣ₁₂₅ が−１０．
４％，−３．９％、２０℃の静電容量を基準にした−２
５℃，＋８５℃の静電容量の変化率ΔＣ_-25 ，ΔＣ₈₅が
−５．１％，−７．８％であった。

【００４０】なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率ε_s は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極の対向面積（２５ｍｍ² ）と
一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さ０．０２ｍｍか
ら計算で求めた。 (B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記比誘電率の測定の
場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間
の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基づいて計算
で求めた。 (D) 高温ＣＲ積（Ｆ・Ω）は、温度１５０℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で、静電容量を
測定し、しかる後、ＤＣ１００Ｖを６０秒間印加した後
に、一対の外部電極間の抵抗値を測定し、前記静電容量
の測定値と抵抗値を乗じたものを計算で求めた。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽中に試料を入れ、−
５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５０
℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度におい
て、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で
静電容量を測定し、温度２０℃及び２５℃に於ける静電
容量に対して各温度の静電容量の変化率を求めることに
より得た。

【００４１】以上、試料Ｎｏ．１の作成方法及びその特
性について述べたが、試料Ｎｏ．２〜９４についても、
基本成分及び添加成分の組成及びその割合、また、焼成
温度を変えた他は、試料Ｎｏ．１と全く同様の方法で積
層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気的特性を
測定した。

【００４２】なお、表１〜には各々の試料について
の基本成分の組成及びその割合が示され、表２〜に
は各々の試料についての添加成分の組成及びその割合が
示され、表３〜には各々の試料についての焼成温度
及び積層磁器コンデンサの電気的特性が示されている。

【００４３】また、表１〜のｘ，ｙ，ｋの欄の数値
は、前述した基本成分の組成式（２）の各元素の原子
数、すなわち、ＴｉＯ₂ の原子数を１とした場合の各元
素の原子数の割合を示す。また、表１〜の１−ｚ及
びｚの欄の数値は、前述した基本成分の組成式（４）の
各元素の原子数の割合を示す。

【００４４】また、表１〜のｘの欄のＭｇ，Ｚｎ
は、前述した基本成分の組成式（１）のＭの内容を示
し、ｙの欄のＣａ，Ｓｒは、基本成分の組成式（１）の
Ｌの内容を示し、１−ｚの欄のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎ
ｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕは前述した基本成分の組成式
（１）のＲの内容を示し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは前述した
基本成分の組成式（１）のＲ′の内容を示す。

【００４５】表２〜の添加成分の添加量は、基本成
分１００重量部に対する重量部で示されている。添加成
分のＭＯの欄には、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯの割合がモル％で示されている。

【００４６】表３〜において、静電容量の温度特性
は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋１２
５℃の静電容量の変化率をΔＣ_-55 （％）及びΔＣ₁₂₅
（％）で、２０℃の静電容量を基準にした−２５℃及び
＋８５℃の静電容量の変化率をΔＣ_-25 （％）及びΔＣ
₈₅（％）で示されている。

【００４７】

【表１】

【００４８】

【表１】

【００４９】

【表１】

【００５０】

【表１】

【００５１】

【表１】

【００５２】

【表２】

【００５３】

【表２】

【００５４】

【表２】

【００５５】

【表２】

【００５６】

【表２】

【００５７】

【表３】

【００５８】

【表３】

【００５９】

【表３】

【００６０】

【表３】

【００６１】

【表３】

【００６２】表１〜、表２〜及び表３〜か
ら明らかなように、本発明に従う試料によれば、非酸化
性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で、比誘電率
ε_sが３３００以上、ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率
ρが４．０×１０⁶ ＭΩ・ｃｍ以上、１５０℃における
ＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上、静電容量の温度変化率ΔＣ
_-55 及びΔＣ₁₂₅ が−１５％〜＋１５％以内、ΔＣ_-25
及びΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％以内の電気的特性を有
する誘電体磁器組成物若しくは磁器コンデンサを得るこ
とができるものである。

【００６３】これに対し、試料Ｎｏ．１９，２４，２
５，２７〜２９，３２，３３，３７〜３９，４３，４
４，４９，５７，６１〜６３，６５，６７，７８〜８４
及び８９の試料によれば、所望の電気的特性を有する磁
器コンデンサを得ることができない。従って、これらの
Ｎｏ．の試料は本発明の範囲外のものである。

【００６４】表３〜には静電容量の温度変化率ΔＣ
_-55 ，ΔＣ₁₂₅ ，ΔＣ_-25 ，ΔＣ₈₅のみが表示されてい
るが、本発明に従う試料では、−２５℃〜＋８５℃の範
囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１０％〜＋１０％
の範囲に収まっており、又、−５５℃〜＋１２５℃の範
囲の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１５％〜＋１５％
の範囲に収まっている。

【００６５】次に、本発明に係る磁器コンデンサに用い
られている誘電体磁器組成物の組成の適正範囲につい
て、表１〜、表２〜及び表３〜に示す実験
結果を参照しながら検討する。まず、ｘ＋ｙの値につい
て検討する。ｘ＋ｙの値が、試料Ｎｏ．２０，２１に示
すように、０．０１の場合には、所望の電気的特性を有
する誘電体磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．１９に
示すように、０の場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ
_-55 が−１５％〜＋１５％から外れる。従って、ｘ＋ｙ
の下限値は０．０１である。

【００６６】また、ｘ＋ｙの値が、試料Ｎｏ．３０，３
１に示すように、０．１０の場合には、所望の電気的特
性を有する誘電体磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．
２５，２７，２９に示すように、０．１１の場合には、
静電容量の温度変化率ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％から
外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの上限値は０．１０であ
る。

【００６７】ただし、試料Ｎｏ．２４，２８に示すよう
に、ｙの値が０．０５を越えると、ｘ＋ｙ≦０．１０で
あっても、静電容量の温度変化率ΔＣ₈₅が−１０％〜＋
１０％から外れてしまう。従って、ｘ＋ｙの範囲は、
０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０であるが、同時に、ｙ≦
０．０５でなければならない。

【００６８】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎはほゞ同様に働
き、０≦ｘ≦０．１０を満足する範囲ではＭｇとＺｎの
うち一方または両方を使用することができ、また、Ｌ成
分のＣａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｙ≦０．０５を
満足する範囲でＣａとＳｒのうち一方または両方を使用
することができる。ただし、Ｍ成分及びＬ成分の１種ま
たは複数種のいずれの場合においても、ｘ＋ｙの範囲
は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０としなければならな
い。

【００６９】次に、ｋの値について検討する。ｋの値
が、試料Ｎｏ．３４に示すように、１．００の場合に
は、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物が得られる
が、試料Ｎｏ．３２，３３に示すように、ｋ＜１．００
の場合には、抵抗率ρが４．０×１０⁶ ＭΩ・ｃｍより
大幅に小さくなり、静電容量の温度変化率ΔＣ_-55 ，Δ
Ｃ_{12 5} が−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ_-25 ，ΔＣ
₈₅が−１０％〜＋１０％から外れ、１５０℃におけるＣ
Ｒ積が２００Ｆ・Ωより大幅に小さくなってしまう。従
って、ｋの下限値は１．００である。

【００７０】また、ｋの値が、試料Ｎｏ．３６に示すよ
うに、ｋ＝１．０５の場合には、所望の電気的特性の誘
電体磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．３７，３８に
示すように、ｋ＞１．０５の場合には、１２５０℃の焼
成でも緻密な焼結体が得られなくなってしまう。従っ
て、ｋの上限値は１．０５である。

【００７１】次に、αの値について検討する。αの値
が、試料Ｎｏ．４０に示すように、０．００５の場合に
は所望の電気的特性の誘電体磁器組成物が得られるが、
試料Ｎｏ．３９に示すように、α＝０の場合には、静電
容量の温度変化率ΔＣ_-55 が−１５％〜＋１５％から外
れ、ΔＣ_-25 が−１０％〜＋１０％から外れてしまう。
従って、αの下限値は０．００５である。

【００７２】また、αの値が、試料Ｎｏ．４２に示すよ
うに、０．０４の場合には、所望の電気的特性の誘電体
磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．４３に示すよう
に、０．０５の場合には、ΔＣ₈₅が−１０％〜＋１０％
から外れてしまう。従って、αの上限値は０．０４であ
る。

【００７３】次に、βの値について検討する。βの値
が、試料Ｎｏ．４５に示すように、０．００２の場合に
は所望の電気的特性の誘電体磁器組成物が得られるが、
試料Ｎｏ．４４に示すように、０の場合には、抵抗率ρ
が４．０×１０⁶ ＭΩ・ｃｍより小さくなり、１５０℃
におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以下になってしまう。従
って、βの下限値は０．００２である。

【００７４】また、βの値が、試料Ｎｏ．４８に示すよ
うに、０．０４の場合には、所望の電気的特性の誘電体
磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．４９に示すよう
に、０．０５の場合には、１２５０℃の焼成で緻密な焼
結体が得られなくなってしまう。従って、βの上限値は
０．０４である。

【００７５】次に、ｚの値について検討する。ｚの値
が、試料Ｎｏ．６０，６６に示すように、０．５の場合
には、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物が得られる
が、試料Ｎｏ．６１，６２，６５，６７に示すように、
ｚ＜０．５の場合には、ｔａｎδが２．５％を越えてし
まい、抵抗率ρが４×１０⁶ より小さくなり、１５０℃
下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ωより大幅に小さくな
り、静電容量の温度変化率ΔＣ_-55 ，ΔＣ₁₂₅ が−１５
％〜＋１５％から外れ、ΔＣ_-25 ，ΔＣ₈₅が−１０％〜
＋１０％から外れてしまう。従って、ｚの下限値は０．
５である。

【００７６】また、ｚの値が、試料Ｎｏ．５８，６４に
示すように、０．９０の場合には、所望の電気的特性の
誘電体磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．５７，６３
に示すように、０．９５の場合には、比誘電率ε_s が３
３００以下になり、１５０℃におけるＣＲ積が２００Ｆ
・Ω以下になってしまう。従って、ｚの上限値は０．９
０である。

【００７７】なお、Ｒ成分のＬａ，ＣＥ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕ、また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは各
々ほゞ同様に働き、これらから選択された一つを使用し
ても、または複数を組み合わせて使用しても同様な効果
が得られるものである。

【００７８】ただし、ｚの値は、Ｒ成分及びＲ′成分の
各々が１種または複数種のいずれの場合においても０．
５≦ｚ≦０．９の範囲にすることが望ましい。また、Ｒ
成分とＲ′成分は、ｚの値が０．５≦ｚ≦０．９の範囲
で組み合わせることにより、高温でのＣＲ積の向上に寄
与するものである。すなわち、Ｒ成分とＲ′成分とを上
記範囲で組み合わせて添加することによって、１５０℃
下におけるＣＲ積を２００Ｆ・Ω以上にすることが可能
になる

【００７９】次に、添加成分の添加量の適正範囲につい
て検討する。添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．８５に示
すように、基本成分１００重量部に対して０．２重量部
の場合には、１１９０℃の焼成で所望の電気的特性の誘
電体磁器組成物が得られるが、試料Ｎｏ．８４に示すよ
うに、基本成分１００重量部に対して０重量部の場合に
は、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体が得られない。
従って、添加成分の添加量の下限値は基本成分１００重
量部に対して０．２重量部である。

【００８０】また、添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．８
８に示すように、基本成分１００重量部に対して５．０
重量部の場合には、所望の電気的特性の誘電体磁器組成
物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８９に示すよう
に、基本成分１００重量部に対して７．０重量部の場合
には、比誘電率が３３００未満となり、静電容量の温度
変化率ΔＣ_-55 が−１５％〜＋１５％からはずれてしま
う。従って、添加成分の添加量の上限値は基本成分１０
０重量部に対して５．０重量部である。

【００８１】次に、添加成分の組成範囲は、Ｂ₂ Ｏ₃ −
ＳｉＯ₂ −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図２）
の第１〜６の点Ａ〜Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた
範囲である。三角図における第１の点Ａは、試料Ｎｏ．
６８に示すように、Ｂ₂ Ｏ₃が１モル％、ＳｉＯ₂ が８
０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第２の点Ｂ
は、試料Ｎｏ．６９に示すように、Ｂ₂ Ｏ₃ が１モル
％、ＳｉＯ₂ が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示し、第３の点Ｃは、試料Ｎｏ．７０に示すように、Ｂ
₂ Ｏ₃ が２９モル％、ＳｉＯ₂ が１モル％、ＭＯが７０
モル％の組成を示し、第４の点Ｄは、試料Ｎｏ．７１に
示すように、Ｂ₂ Ｏ₃ が９０モル％、ＳｉＯ₂ が１モル
％、ＭＯが９モル％の組成を示し、第５の点Ｅは、試料
Ｎｏ．７２に示すように、Ｂ₂ Ｏ₃ が９０モル％、Ｓｉ
Ｏ₂ が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を示し、第６の
点Ｆは、試料Ｎｏ．７３に示すように、Ｂ₂ Ｏ₃ が１９
モル％、ＳｉＯ₂ が８０モル％、ＭＯが１モル％の組成
を示す。

【００８２】試料Ｎｏ．６８〜７７に示されるように、
添加成分の組成範囲が、Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ −ＭＯの組
成比をモル％で示す三角図（図２）の第１〜６の点Ａ〜
Ｆを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内であれば所望
の電気的特性を得ることができるが、試料Ｎｏ．７８〜
８３に示されるように、添加成分の組成範囲を上記範囲
外とすれば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得る
ことができない。

【００８３】なお、ＭＯ成分は、試料Ｎｏ．９０〜９４
に示すように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｚｎ
Ｏのいずれか１種であってもよいし、他の試料に示すよ
うに２種以上の適当な比率でもよい。

【００８４】

【発明の効果】 本発明によれば、本発明に従う組成の
誘電体磁器組成物を用いて製造された積層磁器コンデン
サは、内部電極の材料として卑金属を使用し、非酸化性
雰囲気中で焼成し、酸化性雰囲気中でこの焼成温度より
低い温度で熱処理して製造されたものであるにもかかわ
らず、比誘電率ε_ｓが３３００以上、誘電損失ｔａｎδ
が２．５％以下、抵抗率ρが４．０×１０^６ＭΩ・ｃｍ
以上、１５０℃下におけるＣＲ積が２００Ｆ・Ω以上で
あり、且つ、静電容量の温度変化率が−５５℃〜１２５
℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２５℃〜
８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃を基準）の範囲に
収まることのできるものであり、特に、高温におけるＣ
Ｒ積の大きな誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサ
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る積層磁器コンデンサの断
面図である。

【図２】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体磁器組成物の添加成分の組成範囲を示す三角
図である。

【符号の説明】

１２ 誘電体磁器層 １４ 内部電極 １５ 積層焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ Ｐｂ−Ｓｎ半田層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本多 むつみ 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−177010（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−278424（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−23261（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１または２以
   上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している
   少なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサ
   において、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
   と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を非酸
   化性雰囲気中で焼成し、酸化性雰囲気中でこの焼成温度
   より低い温度で熱処理したものからなり、 前記基本成分が、 （１−α−β）（Ｂａ_{ｋ−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＬ_ｙ）Ｏ_ｋＴｉＯ_２＋αＢａＺｒ Ｏ_３＋β（Ｒ_１−ＺＲ′_Ｚ）Ｏ_３／２ （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
   たはＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
   びＥｕから選択された１種または２種以上の元素、Ｒ′
   は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，
   Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上の元
   素、 を満足する数値）で表される物質からなり、 前記添加成分がＢ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とＭＯ（但し、ＭＯ
   はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
   された１種または２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ_２Ｏ_３と前記ＳｉＯ_２と前記ＭＯとの組成範囲
   が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル％、前記ＳｉＯ_２が８０モル％、
   前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル％、前記ＳｉＯ_２が３９モル％、
   前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が２９モル％、前記ＳｉＯ_２が１モル％、
   前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記ＳｉＯ_２が１モル％、
   前記ＭＯが９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記ＳｉＯ_２が９モル％、
   前記ＭＯが１モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１９モル％、前記ＳｉＯ_２が８０モル
   ％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
   の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあり、 前記内部電極が卑金属を主成分とする材料からな ること
   を特徴とする磁器コンデンサ。
2. 【請求項２】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
   する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
   成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
   上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
   程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中においておいて焼
   成する工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気
   中において前記焼成温度より低い温度で熱処理する工程
   とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
   量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とから
   なり、 前記基本成分が、 （１−α−β）（Ｂａ_{ｋ−（ｘ＋ｙ）}Ｍ_ｘＬ_ｙ）Ｏ_ｋＴｉＯ_２＋αＢａＺｒ Ｏ_３＋β（Ｒ_１−ＺＲ′_Ｚ）Ｏ_３／２ （但し、ＭはＭｇ及び／またはＺｎ、ＬはＣａ及び／ま
   たはＳｒ、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
   びＥｕから選択された１種または２種以上の元素、Ｒ′
   は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，
   Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上の元
   素、 を満足する数値）で表される物質からなり、 前記添加成分がＢ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とＭＯ（但し、ＭＯ
   はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
   された１種または２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ_２Ｏ_３と前記ＳｉＯ_２と前記ＭＯとの組成範囲
   が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル％、前記ＳｉＯ_２が８０モル％、
   前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１モル％、前記ＳｉＯ_２が３９モル％、
   前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が２９モル％、前記ＳｉＯ_２が１モル％、
   前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記ＳｉＯ_２が１モル％、
   前記ＭＯが９モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が９０モル％、前記ＳｉＯ_２が９モル％、
   前記ＭＯが１モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ_２Ｏ_３が１９モル％、前記ＳｉＯ_２が８０モル
   ％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
   の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあり、 前記導電性ペースト膜が卑金属を主成分とする材料から
   な ることを特徴とする磁器コンデンサの製造方法。