JP3269989B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１又は２以上の誘
電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々
挟持させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及び
その製造方法に関する。
電体磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々
挟持させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層磁器コンデンサの技術分野では、低
価格、高信頼性を得るために、内部電極の材料としてＮ
ｉを用いることが主流となっている。内部電極の材料と
してＮｉを用いた場合、内部電極の酸化を防止するため
に、積層体チップの焼成を還元性雰囲気中で行わなけれ
ばならない。このため、耐還元性を有する誘電体磁器組
成物が多数提案されている。例えば、次のような誘電体
磁器組成物が本件特許出願人により提案されている。
価格、高信頼性を得るために、内部電極の材料としてＮ
ｉを用いることが主流となっている。内部電極の材料と
してＮｉを用いた場合、内部電極の酸化を防止するため
に、積層体チップの焼成を還元性雰囲気中で行わなけれ
ばならない。このため、耐還元性を有する誘電体磁器組
成物が多数提案されている。例えば、次のような誘電体
磁器組成物が本件特許出願人により提案されている。
【０００３】すなわち、特公平５−３２８９３号公報に
は、(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2 -z/2（但し、ＭはＭ
ｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＳ
ｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択され
た１種または２種以上の金属元素）からなる基本成分
と、Ｌｉ2 Ｏ、ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種または２種以上の金属酸化物）からなる添加成分と
を含む誘電体磁器組成物が開示されている。
は、(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2 -z/2（但し、ＭはＭ
ｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＳ
ｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択され
た１種または２種以上の金属元素）からなる基本成分
と、Ｌｉ2 Ｏ、ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種または２種以上の金属酸化物）からなる添加成分と
を含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００４】また、特公平５−３２８９４号公報には、
(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及
び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＳｃ，
Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択された１
種または２種以上の金属元素）からなる基本成分と、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種また
は２種以上の金属酸化物）からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
(Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2（但し、ＭはＭｇ及
び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又はＳｒ、ＲはＳｃ，
Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ及びＹｂから選択された１
種または２種以上の金属元素）からなる基本成分と、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 及びＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種また
は２種以上の金属酸化物）からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
【０００５】これら提案に係る誘電体磁器組成物は、非
酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で磁器コ
ンデンサを得ることができ、その比誘電率が３０００以
上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×
１０6 ＭΩ．ｃｍ以上であり、かつ比誘電率の温度変化
率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃
を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２
０℃を基準）の範囲にすることができるものである。
酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で磁器コ
ンデンサを得ることができ、その比誘電率が３０００以
上、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×
１０6 ＭΩ．ｃｍ以上であり、かつ比誘電率の温度変化
率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃
を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２
０℃を基準）の範囲にすることができるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
回路の小型化、高密度化にともない、磁器コンデンサも
小型大容量化が強く求められている。そして、磁器コン
デンサの小型大容量化のために、グリーンシートの薄層
化による誘電体磁器層の積層数の増加が試みられてい
る。
回路の小型化、高密度化にともない、磁器コンデンサも
小型大容量化が強く求められている。そして、磁器コン
デンサの小型大容量化のために、グリーンシートの薄層
化による誘電体磁器層の積層数の増加が試みられてい
る。
【０００７】しかし、積層磁器コンデンサにおいて、そ
の誘電体磁器層を薄層化すると、単位厚み当りの電圧が
増し、誘電体磁器層を厚み２μｍ程度まで薄層化する
と、比誘電率の温度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１
５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２５℃〜８５℃で
−１０％〜＋１０％（２０℃を基準）の範囲を満たすこ
とができず、また、破壊電圧が著しく低下するという問
題点が生じてしまう。
の誘電体磁器層を薄層化すると、単位厚み当りの電圧が
増し、誘電体磁器層を厚み２μｍ程度まで薄層化する
と、比誘電率の温度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１
５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２５℃〜８５℃で
−１０％〜＋１０％（２０℃を基準）の範囲を満たすこ
とができず、また、破壊電圧が著しく低下するという問
題点が生じてしまう。
【０００８】本発明は、誘電体磁器層を厚み２μｍ程度
まで薄層化しても、比誘電率の温度変化率が−５５℃〜
１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２
５℃〜８５℃で−１０％＋１０％（２０℃を基準）の範
囲を満たし、破壊電圧が良好な磁器コンデンサを提供す
ることにある。
まで薄層化しても、比誘電率の温度変化率が−５５℃〜
１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）、−２
５℃〜８５℃で−１０％＋１０％（２０℃を基準）の範
囲を満たし、破壊電圧が良好な磁器コンデンサを提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁器コンデ
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１または２以上の誘
電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なく
とも２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成物
が１００重量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加
成分とからなり、前記基本成分が (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋β
Ｄ （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上
の金属元素、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから
選択された１種又は２種以上の酸化物、α，β，ｋ，
ｘ，ｙ，ｚは ０．００１≦α≦０．０５ ０．０００５≦β≦０．０３ １．００≦ｋ≦１．０４９ １．００１≦ｋ＋α≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分が、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（ＭＯはＢａＯ，Ｓ
ｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種ま
たは２種以上の金属酸化物、以下同じ）、及び／又は、
Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる。
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１または２以上の誘
電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なく
とも２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組成物
が１００重量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加
成分とからなり、前記基本成分が (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋β
Ｄ （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上
の金属元素、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから
選択された１種又は２種以上の酸化物、α，β，ｋ，
ｘ，ｙ，ｚは ０．００１≦α≦０．０５ ０．０００５≦β≦０．０３ １．００≦ｋ≦１．０４９ １．００１≦ｋ＋α≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分が、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（ＭＯはＢａＯ，Ｓ
ｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種ま
たは２種以上の金属酸化物、以下同じ）、及び／又は、
Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる。
【００１０】ここで、前記基本成分の組成式中における
BaTi1/2O2 の割合、すなわちαの値は、０．００１≦α
≦０．０５の範囲が好ましい。αの値が０．００１未満
では、誘電体磁器層の厚み２μｍの薄層化において、比
誘電率の温度変化率ΔＣ-55が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧
が１５０Ｖ未満になり、αの値が０．０５を越えると緻
密な焼結体が得られなくなってしまうが、αの値が０．
００１≦α≦０．０．の範囲では所望の電気的特性を有
するものが得られるためである。
BaTi1/2O2 の割合、すなわちαの値は、０．００１≦α
≦０．０５の範囲が好ましい。αの値が０．００１未満
では、誘電体磁器層の厚み２μｍの薄層化において、比
誘電率の温度変化率ΔＣ-55が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧
が１５０Ｖ未満になり、αの値が０．０５を越えると緻
密な焼結体が得られなくなってしまうが、αの値が０．
００１≦α≦０．０．の範囲では所望の電気的特性を有
するものが得られるためである。
【００１１】また、前記基本成分の組成式中におけるＤ
成分の割合、すなわちβの値は、０．０００５≦β≦
０．０３の範囲が好ましい。βの値が０．０００５未満
では、誘電体磁器層の厚み２μｍの薄層化において、比
誘電率の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧
が１５０Ｖ未満になり、βの値が０．０３を越えると比
誘電率が２０００より小さくなるが、βの値が０．００
０５≦β≦０．０３の範囲では所望の電気的特性を有す
るものが得られるためである。
成分の割合、すなわちβの値は、０．０００５≦β≦
０．０３の範囲が好ましい。βの値が０．０００５未満
では、誘電体磁器層の厚み２μｍの薄層化において、比
誘電率の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧
が１５０Ｖ未満になり、βの値が０．０３を越えると比
誘電率が２０００より小さくなるが、βの値が０．００
０５≦β≦０．０３の範囲では所望の電気的特性を有す
るものが得られるためである。
【００１２】なお、Ｄ成分、すなわちＣｒ，Ｍｎ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの酸化物は各々ほゞ同様に働き、これら
から選択された一つを使用しても、または複数を組み合
わせて使用しても同様な効果が得られる。
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの酸化物は各々ほゞ同様に働き、これら
から選択された一つを使用しても、または複数を組み合
わせて使用しても同様な効果が得られる。
【００１３】また、前記基本成分の組成式中におけるｋ
の値は１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲が好ましい。ｋ
の値が１．００未満では、抵抗率ρが１×１０6 ＭΩ・c
m より小さくなり、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 ，Δ
Ｃ125 が−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ
85が−１０％〜＋１０％から外れ、ｋの値が１．０４９
を越えると緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、
ｋの値が１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲では所望の電
気的特性を有する緻密な焼結体が得られるからである。
の値は１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲が好ましい。ｋ
の値が１．００未満では、抵抗率ρが１×１０6 ＭΩ・c
m より小さくなり、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 ，Δ
Ｃ125 が−１５％〜＋１５％から外れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ
85が−１０％〜＋１０％から外れ、ｋの値が１．０４９
を越えると緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、
ｋの値が１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲では所望の電
気的特性を有する緻密な焼結体が得られるからである。
【００１４】但し、αの値が０．００１≦α≦０．０５
で、ｋの値が１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲にあって
も、（ｋ＋α）の値は１．００１≦ｋ＋α≦１．０５の
範囲が好ましい。ｋ＋αが１．００１未満では、比誘電
率の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外
れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧が
１５０Ｖ未満になり、ｋ＋αの値が１．０５を越えると
緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、ｋ＋αの値
が１．００１≦ｋ＋α≦１．０５の範囲では所望の電気
的特性を有するものが得られるからである。
で、ｋの値が１．００≦ｋ≦１．０４９の範囲にあって
も、（ｋ＋α）の値は１．００１≦ｋ＋α≦１．０５の
範囲が好ましい。ｋ＋αが１．００１未満では、比誘電
率の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外
れ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れ、破壊電圧が
１５０Ｖ未満になり、ｋ＋αの値が１．０５を越えると
緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、ｋ＋αの値
が１．００１≦ｋ＋α≦１．０５の範囲では所望の電気
的特性を有するものが得られるからである。
【００１５】また、前記基本成分の組成式中におけるｘ
＋ｙの値は０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲が好まし
い。ｘ＋ｙの値が０．０１未満では静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、ｘ＋ｙの値
が０．１０を越えると、静電容量の温度変化率ΔＣ85が
−１０％〜＋１０％から外れてしまうが、ｘ＋ｙの値が
０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲では所望の電気的特
性を有するものが得られるからである。
＋ｙの値は０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲が好まし
い。ｘ＋ｙの値が０．０１未満では静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外れ、ｘ＋ｙの値
が０．１０を越えると、静電容量の温度変化率ΔＣ85が
−１０％〜＋１０％から外れてしまうが、ｘ＋ｙの値が
０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０の範囲では所望の電気的特
性を有するものが得られるからである。
【００１６】但し、ｘ＋ｙ≦０．１０であっても、ｙ≦
０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０を満足していて
も、ｙの値が０．０５を越えると、静電容量の温度変化
率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れてしまうからで
ある。
０．０５が好ましい。ｘ＋ｙ≦０．１０を満足していて
も、ｙの値が０．０５を越えると、静電容量の温度変化
率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から外れてしまうからで
ある。
【００１７】なお、前記基本成分の組成式中においてｘ
でその存在割合が表わされているＭ成分、すなわちＭｇ
とＺｎはほゞ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足する
範囲でＭｇとＺｎのうちの一方または両方を使用するこ
とができる。又、前記基本成分の組成式中においてｙで
その存在割合が表わされているＬ成分、すなわちＣａと
Ｓｒはほゞ同様に働き、０≦ｙ≦０．０５を満足する範
囲でＣａとＳｒのうちの一方または両方を使用すること
ができる。
でその存在割合が表わされているＭ成分、すなわちＭｇ
とＺｎはほゞ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足する
範囲でＭｇとＺｎのうちの一方または両方を使用するこ
とができる。又、前記基本成分の組成式中においてｙで
その存在割合が表わされているＬ成分、すなわちＣａと
Ｓｒはほゞ同様に働き、０≦ｙ≦０．０５を満足する範
囲でＣａとＳｒのうちの一方または両方を使用すること
ができる。
【００１８】また、前記基本成分の組成式中におけるＲ
成分の割合、すなわちｚの値は、０．００２≦ｚ≦０．
０６の範囲が好ましい。ｚの値が０．００２未満では静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０％から外れてしま
い、ｚの値が０．０６を越えると緻密な焼結体が得られ
なくなってしまうが、０．００２≦ｚ≦０．０６の範囲
では、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が得られ
るからである。
成分の割合、すなわちｚの値は、０．００２≦ｚ≦０．
０６の範囲が好ましい。ｚの値が０．００２未満では静
電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から
外れ、ΔＣ-25 が−１０％〜＋１０％から外れてしま
い、ｚの値が０．０６を越えると緻密な焼結体が得られ
なくなってしまうが、０．００２≦ｚ≦０．０６の範囲
では、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体が得られ
るからである。
【００１９】なお、Ｒ成分であるＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕはほゞ同様に
働き、これらから選択された１つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な効果が得られる。
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕはほゞ同様に
働き、これらから選択された１つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な効果が得られる。
【００２０】また、前記基本成分を示す組成式中におい
て、ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、前述した基本成分の組成式の
各元素の原子数、すなわち、（Ｔｉ＋Ｒ）の原子数を１
とした場合の各元素の原子数の割合を示し、又、α，β
は、前述した基本成分の組成式の各酸化物の原子数、す
なわち、前述した基本成分の組成式(Bak-(x+y)MxLy)O
k(Ti1-zRz)O2-z/2の分子数を１とした場合の各酸化物の
原子数の割合を示す。
て、ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、前述した基本成分の組成式の
各元素の原子数、すなわち、（Ｔｉ＋Ｒ）の原子数を１
とした場合の各元素の原子数の割合を示し、又、α，β
は、前述した基本成分の組成式の各酸化物の原子数、す
なわち、前述した基本成分の組成式(Bak-(x+y)MxLy)O
k(Ti1-zRz)O2-z/2の分子数を１とした場合の各酸化物の
原子数の割合を示す。
【００２１】また、基本成分を得るための出発原料を、
実施例で示したもの以外の化合物形態、例えばＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ等の酸化物または水酸化物その他の化合
物としてもよい。
実施例で示したもの以外の化合物形態、例えばＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ等の酸化物または水酸化物その他の化合
物としてもよい。
【００２２】次に、添加成分としては、Ｌｉ2 ＯとＳｉ
Ｏ2 とＭＯとからなるもの及び／又はＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 とＭＯとからなるものを使用することができる。ここ
で、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯ
から選択された１種または２種以上の金属酸化物を使用
することができる。また、添加成分の出発原料は酸化物
のみならず、水酸化物等の他の化合物としてもよい。
Ｏ2 とＭＯとからなるもの及び／又はＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ
2 とＭＯとからなるものを使用することができる。ここ
で、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯ
から選択された１種または２種以上の金属酸化物を使用
することができる。また、添加成分の出発原料は酸化物
のみならず、水酸化物等の他の化合物としてもよい。
【００２３】添加成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯとか
らなる場合、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯとの組成範囲
は、これらの組成をモル％で示す三角図における、Ｌｉ
2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モ
ル％の組成を示す第一の点Ａと、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を示す
第二の点Ｂと、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０
モル％、ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、
Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル％、ＭＯが
０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、Ｌｉ2 Ｏが２０モ
ル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を
示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内が好ましい。この添加成分の組成をこの領域外と
すれば、緻密な焼結体を得ることができないが、この領
域内の組成とすれば、所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるからである。
らなる場合、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯとの組成範囲
は、これらの組成をモル％で示す三角図における、Ｌｉ
2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モ
ル％の組成を示す第一の点Ａと、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を示す
第二の点Ｂと、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０
モル％、ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、
Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル％、ＭＯが
０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、Ｌｉ2 Ｏが２０モ
ル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を
示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内が好ましい。この添加成分の組成をこの領域外と
すれば、緻密な焼結体を得ることができないが、この領
域内の組成とすれば、所望の電気的特性の焼結体を得る
ことができるからである。
【００２４】また、添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭ
Ｏとからなる場合、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８
０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆ
と、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯ
が６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、Ｂ2 Ｏ3 が２
９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが７０モル％の組
成を示す第八の点Ｈと、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ
2 が１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉ
と、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯ
が１モル％の組成を示す第十の点Ｊと、Ｂ2 Ｏ3 が１９
モル％、ＳｉＯ2が８０モル％、ＭＯが１モル％の組成
を示す第十一の点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲ま
れた領域内が好ましい。この添加成分の組成をこの領域
外とすれば、緻密な焼結体を得ることができないが、こ
の領域内の組成とすれば、所望の電気的特性の焼結体を
得ることができるからである。
Ｏとからなる場合、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８
０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆ
と、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯ
が６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、Ｂ2 Ｏ3 が２
９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、ＭＯが７０モル％の組
成を示す第八の点Ｈと、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ
2 が１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉ
と、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯ
が１モル％の組成を示す第十の点Ｊと、Ｂ2 Ｏ3 が１９
モル％、ＳｉＯ2が８０モル％、ＭＯが１モル％の組成
を示す第十一の点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲ま
れた領域内が好ましい。この添加成分の組成をこの領域
外とすれば、緻密な焼結体を得ることができないが、こ
の領域内の組成とすれば、所望の電気的特性の焼結体を
得ることができるからである。
【００２５】添加成分の添加量は、１００重量部の基本
成分に対し、０．２〜５重量部の範囲が好ましい。添加
成分の添加量が０．２重量部未満の場合には、焼成温度
が１２５０℃であっても緻密な焼結体が得られず、添加
成分の添加量が５重量部を越えると、静電容量の温度変
化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外れるが、添加
成分が０．２〜５重量部の範囲にある場合は、所望の電
気的特性のものが得られるからである。
成分に対し、０．２〜５重量部の範囲が好ましい。添加
成分の添加量が０．２重量部未満の場合には、焼成温度
が１２５０℃であっても緻密な焼結体が得られず、添加
成分の添加量が５重量部を越えると、静電容量の温度変
化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％から外れるが、添加
成分が０．２〜５重量部の範囲にある場合は、所望の電
気的特性のものが得られるからである。
【００２６】誘電体磁器層の厚みは４μｍ以下、特に２
μｍ以下の場合が好ましい。上述した本発明に係る誘電
体磁器組成物によれば、誘電体磁器層をこれらの数値以
下に薄層化しても比誘電率の温度変化率や破壊電圧が悪
化しないからである。
μｍ以下の場合が好ましい。上述した本発明に係る誘電
体磁器組成物によれば、誘電体磁器層をこれらの数値以
下に薄層化しても比誘電率の温度変化率や破壊電圧が悪
化しないからである。
【００２７】次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造
方法は、上記の基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末の混合物を調製する工程と、前記混合物からな
る未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器
シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持さ
せた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰
囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受けた積層
物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えた
ものである。
方法は、上記の基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末の混合物を調製する工程と、前記混合物からな
る未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼結磁器
シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で挟持さ
せた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸化性雰
囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受けた積層
物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを備えた
ものである。
【００２８】ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ2 や
ＣＯなどの還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの
中性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中の
焼成温度は、電極材料を考慮して種々変えることができ
る。ニッケルを内部電極とする場合には、１０５０℃〜
１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じ
させることなく焼成させることができる。
ＣＯなどの還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの
中性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中の
焼成温度は、電極材料を考慮して種々変えることができ
る。ニッケルを内部電極とする場合には、１０５０℃〜
１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほとんど生じ
させることなく焼成させることができる。
【００２９】また、酸化性雰囲気中における熱処理の温
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度よりも低い温
度であればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好まし
い。酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定されるこ
となく、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したよう
な低酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使
用することができる。どのような温度あるいはどのよう
な酸素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル
等）の酸化と誘電体と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例では、この熱
処理温度を６００℃としたが、この温度に限定されるも
のではない。
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度よりも低い温
度であればよく、５００℃〜１０００℃の範囲が好まし
い。酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定されるこ
となく、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したよう
な低酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使
用することができる。どのような温度あるいはどのよう
な酸素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル
等）の酸化と誘電体と誘電体磁器層の酸化とを考慮して
種々変更する必要がある。後述する実施例では、この熱
処理温度を６００℃としたが、この温度に限定されるも
のではない。
【００３０】また、実施例では、非酸化性雰囲気中にお
ける熱処理と酸化性雰囲気中における熱処理を一つの連
続した焼成プロファイルの中で行なっているが、非酸化
性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲気における
熱処理工程とを独立した工程に分けて行なうことも可能
である。
ける熱処理と酸化性雰囲気中における熱処理を一つの連
続した焼成プロファイルの中で行なっているが、非酸化
性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲気における
熱処理工程とを独立した工程に分けて行なうことも可能
である。
【００３１】また、実施例では、外部電極としてＺｎ電
極を使用しているが、電極焼付け条件を選択することに
よりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるの
はもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積層体の端面に塗布
して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に行なうこ
とも可能である。
極を使用しているが、電極焼付け条件を選択することに
よりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるの
はもちろん、Ｎｉ外部電極を未焼結積層体の端面に塗布
して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に行なうこ
とも可能である。
【００３２】また、本発明は積層磁器コンデンサ以外の
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可能であ
る。
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可能であ
る。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の実施例を、試料番号１の場合
を中心に説明する。まず、ＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 及びＴｉＯ2 の各化合物の
粉末を表１に示すように各々秤量した。
を中心に説明する。まず、ＢａＣＯ3 ，ＭｇＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 及びＴｉＯ2 の各化合物の
粉末を表１に示すように各々秤量した。
【００３４】
【表１】
【００３５】ここで、表１の各化合物の重量は、前記基
本成分の組成式 (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋βＤ…(1) における第１項の (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2…(2) が後述する表４の試料番号１の成分組成、すなわち (Ba0.96Mg0.03Zn0.01Ca0.01Sr0.01)O1.02 (Ti0.98Er0.02)O1.99 …(3) となるように計算して求めたものである。また、各化合
物の純度は９９．０％以上とした。
本成分の組成式 (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋βＤ…(1) における第１項の (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2…(2) が後述する表４の試料番号１の成分組成、すなわち (Ba0.96Mg0.03Zn0.01Ca0.01Sr0.01)O1.02 (Ti0.98Er0.02)O1.99 …(3) となるように計算して求めたものである。また、各化合
物の純度は９９．０％以上とした。
【００３６】次に、これらの化合物をボールミルに入
れ、水を加え、湿式で約２０時間混合し、得られた泥漿
を１５０℃で４時間乾燥し、粉砕した後、大気中におい
て約１２００℃で２時間仮焼して、上記組成式(3) で表
わされる成分粉末を得た。
れ、水を加え、湿式で約２０時間混合し、得られた泥漿
を１５０℃で４時間乾燥し、粉砕した後、大気中におい
て約１２００℃で２時間仮焼して、上記組成式(3) で表
わされる成分粉末を得た。
【００３７】次に、基本成分の組成式(1) の第２項のBa
Ti1/2O2 を得るために、ＢａＣＯ3及びＴｉＯ2 の各化
合物の粉末を表２に示すように各々秤量した。
Ti1/2O2 を得るために、ＢａＣＯ3及びＴｉＯ2 の各化
合物の粉末を表２に示すように各々秤量した。
【００３８】
【表２】
【００３９】そして、これらの化合物をボールミルに入
れ、水を加え、湿式で約２０時間混合し、得られた泥漿
を１５０℃で１５時間乾燥し、粉砕した後、大気中にお
いて約１２０℃で２時間仮焼し、BaTi1/2O2 で表わされ
る成分粉末を得た。
れ、水を加え、湿式で約２０時間混合し、得られた泥漿
を１５０℃で１５時間乾燥し、粉砕した後、大気中にお
いて約１２０℃で２時間仮焼し、BaTi1/2O2 で表わされ
る成分粉末を得た。
【００４０】次に、上記組成式(1) の第１項の成分粉末
９９４．３７ｇ（１００モル部）と、第２項の成分粉末
４．１２ｇ（０．５モル部）と、第３項の成分（Ｍｎ
Ｏ）粉末１．５１ｇ（０．５モル部）とを湿式で混合し
た後、１５０℃で乾燥させ、後述する表４の試料番号
１の基本成分を得た。
９９４．３７ｇ（１００モル部）と、第２項の成分粉末
４．１２ｇ（０．５モル部）と、第３項の成分（Ｍｎ
Ｏ）粉末１．５１ｇ（０．５モル部）とを湿式で混合し
た後、１５０℃で乾燥させ、後述する表４の試料番号
１の基本成分を得た。
【００４１】また、添加成分を調製するために、Ｌｉ2
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 及びＢａＣＯ3
の各化合物の粉末を表３に示すように各々秤量した。
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 及びＢａＣＯ3
の各化合物の粉末を表３に示すように各々秤量した。
【００４２】
【表３】
【００４３】ここで、表３の各化合物の重量（ｇ）とモ
ル部は、添加成分の成分組成が後述する表５の試料番
号１の場合、すなわち、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ
2 が６０モル％、ＭＯが１０モル％｛ＣａＯ（８モル
％）＋ＳｒＯ（１モル％）＋ＢａＯ（１モル％）｝とな
るように計算して求めたものである。
ル部は、添加成分の成分組成が後述する表５の試料番
号１の場合、すなわち、Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ
2 が６０モル％、ＭＯが１０モル％｛ＣａＯ（８モル
％）＋ＳｒＯ（１モル％）＋ＢａＯ（１モル％）｝とな
るように計算して求めたものである。
【００４４】次に、これらの各化合物を３００ｃｃのア
ルコールとともにポリエチレンポットに入れ、アルミナ
ボールで１０時間混合した後、大気中において１０００
℃で２時間仮焼し、この仮焼によって得られたものを３
００ｃｃのアルコールとともにアルミナポットに入れ、
アルミナボールで１５時間粉砕し、その後、１５０℃で
４時間乾燥させ、後述する表５の試料番号１の場合の
添加成分を得た。
ルコールとともにポリエチレンポットに入れ、アルミナ
ボールで１０時間混合した後、大気中において１０００
℃で２時間仮焼し、この仮焼によって得られたものを３
００ｃｃのアルコールとともにアルミナポットに入れ、
アルミナボールで１５時間粉砕し、その後、１５０℃で
４時間乾燥させ、後述する表５の試料番号１の場合の
添加成分を得た。
【００４５】次に、基本成分の粉末１０００ｇ（１００
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更にアクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダー
を、基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量
％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これらをボー
ルミルに入れて、粉砕及び混合して磁器原料のスラリー
を作成した。
重量部）に対して上記添加成分の粉末１０ｇ（１重量
部）を加え、更にアクリル酸エステルポリマー、グリセ
リン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダー
を、基本成分と添加成分との合計重量に対して１５重量
％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これらをボー
ルミルに入れて、粉砕及び混合して磁器原料のスラリー
を作成した。
【００４６】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、厚さ約４μｍで、１０
ｃｍ×１０ｃｍの正方形のグリーンシートを得た。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、厚さ約４μｍで、１０
ｃｍ×１０ｃｍの正方形のグリーンシートを得た。
【００４７】一方、平均粒径が０．５μｍのニッケル粉
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを攪拌機に入れ、１
０時間攪拌して、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、上記グリーンシートにこの導電性ペーストから
なる５０個の導電パターン（長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍ）
を印刷し、乾燥させた。
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを攪拌機に入れ、１
０時間攪拌して、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、上記グリーンシートにこの導電性ペーストから
なる５０個の導電パターン（長さ１４ｍｍ、幅７ｍｍ）
を印刷し、乾燥させた。
【００４８】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
てグリーンシートを２枚積層した。この際、隣接する上
下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方向
に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の
上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリー
ンシートをそれぞれ５０枚ずつ積層した。そして、この
積層物を約５０℃の温度で厚さ方向に約４０トンの圧力
を加えて圧着させ、その後、この積層物を格子状に裁断
し、５０個の積層チップを得た。
てグリーンシートを２枚積層した。この際、隣接する上
下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方向
に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物の
上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリー
ンシートをそれぞれ５０枚ずつ積層した。そして、この
積層物を約５０℃の温度で厚さ方向に約４０トンの圧力
を加えて圧着させ、その後、この積層物を格子状に裁断
し、５０個の積層チップを得た。
【００４９】次に、この積層チップを雰囲気焼成が可能
な炉に入れ、大気中において１００℃／ｈの速度で６０
０℃まで加熱して、有機バインダを燃焼させた。しかる
後、炉の雰囲気を大気からＨ2 （２体積％）＋Ｎ2 （９
８体積％）の雰囲気に変えた。そして、炉をこの還元性
雰囲気とした状態を保って、積層チップの加熱温度を６
００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３時間
保持した後、１００℃／ｈの速度で６００℃まで降温
し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換え
て、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、その
後、室温まで冷却して焼結体チップを得た。
な炉に入れ、大気中において１００℃／ｈの速度で６０
０℃まで加熱して、有機バインダを燃焼させた。しかる
後、炉の雰囲気を大気からＨ2 （２体積％）＋Ｎ2 （９
８体積％）の雰囲気に変えた。そして、炉をこの還元性
雰囲気とした状態を保って、積層チップの加熱温度を６
００℃から焼成温度の１１５０℃（最高温度）を３時間
保持した後、１００℃／ｈの速度で６００℃まで降温
し、雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に置き換え
て、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、その
後、室温まで冷却して焼結体チップを得た。
【００５０】次に、電極が露出する焼結体チップの側面
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で５５０℃の
温度で１５分間焼付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの
上に無電解メッキ法で銅層を形成し、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成した。
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で５５０℃の
温度で１５分間焼付け、亜鉛電極層を形成し、更にこの
上に無電解メッキ法で銅層を形成し、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成した。
【００５１】これにより、図１に示すように、誘電体磁
器層１２と、内部電極１４と、外部電極１６とから成る
積層磁器コンデンサ１０が得られた。ここで、外部電極
１６は亜鉛電極層１８と、銅層２０と、半田層２２とか
ら形成されている。また、誘電体磁器層１２の厚さは
０．０２ｍｍ、一対の内部電極１４の対向面積は５ｍｍ
×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 である。また、焼結後の誘電体磁
器層１２の組成は、焼結前の基本成分及び添加成分の混
合組成と実質的に同じである。
器層１２と、内部電極１４と、外部電極１６とから成る
積層磁器コンデンサ１０が得られた。ここで、外部電極
１６は亜鉛電極層１８と、銅層２０と、半田層２２とか
ら形成されている。また、誘電体磁器層１２の厚さは
０．０２ｍｍ、一対の内部電極１４の対向面積は５ｍｍ
×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 である。また、焼結後の誘電体磁
器層１２の組成は、焼結前の基本成分及び添加成分の混
合組成と実質的に同じである。
【００５２】次に、完成した積層磁器コンデンサの電気
的特性を測定したところ、表６の試料番号１の欄に示
すように、比誘電率εs が２８５０、ｔａｎδが２．
１、絶縁抵抗ＩＲが５．４×１０3 ＭΩ、破壊電圧が２
７０Ｖ、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋
１２５℃の静電容量の変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−
８．８％，−８．９％、２０℃の静電容量を基準にした
−２５℃，＋８５℃の静電容量の変化率ΔＣ-25 ，ΔＣ
85が−３．５％，−７．５％であった。
的特性を測定したところ、表６の試料番号１の欄に示
すように、比誘電率εs が２８５０、ｔａｎδが２．
１、絶縁抵抗ＩＲが５．４×１０3 ＭΩ、破壊電圧が２
７０Ｖ、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋
１２５℃の静電容量の変化率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−
８．８％，−８．９％、２０℃の静電容量を基準にした
−２５℃，＋８５℃の静電容量の変化率ΔＣ-25 ，ΔＣ
85が−３．５％，−７．５％であった。
【００５３】なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εs は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４の対向面積と、一対の内
部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算で求めた。 (B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率の測
定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）は、温度２０℃においてＤＣ
２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間の抵
抗値を測定して得た。 (D) 破壊電圧（Ｖ）は、温度２０℃において直流電圧を
印加し電流値が２ｍＡを超えた電圧値を測定して得た。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を入れ、
−５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５
０℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度にお
いて、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件
で静電容量を測定し、２０℃及び２５℃の静電容量に対
する各温度における静電容量の変化率を求めることによ
って得た。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４の対向面積と、一対の内
部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算で求めた。 (B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率の測
定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 絶縁抵抗ＩＲ（ＭΩ）は、温度２０℃においてＤＣ
２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電極間の抵
抗値を測定して得た。 (D) 破壊電圧（Ｖ）は、温度２０℃において直流電圧を
印加し電流値が２ｍＡを超えた電圧値を測定して得た。 (E) 静電容量の温度特性は、恒温槽の中に試料を入れ、
−５５℃，−２５℃，０℃，＋２０℃，＋２５℃，＋５
０℃，＋８５℃，＋１１０℃，＋１２５℃の各温度にお
いて、周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件
で静電容量を測定し、２０℃及び２５℃の静電容量に対
する各温度における静電容量の変化率を求めることによ
って得た。
【００５４】以上、試料番号１の場合の試料の作成方法
及びその電気的特性の測定について述べたが、試料番号
２〜８８についても、基本成分及び添加成分の組成を表
４〜表４及び表５〜表５に示すように変化さ
せ、還元性雰囲気中における焼成温度を表６〜表６
に示すように変化させた他は、試料番号１の場合と全く
同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法
で電気的特性を測定した。
及びその電気的特性の測定について述べたが、試料番号
２〜８８についても、基本成分及び添加成分の組成を表
４〜表４及び表５〜表５に示すように変化さ
せ、還元性雰囲気中における焼成温度を表６〜表６
に示すように変化させた他は、試料番号１の場合と全く
同一の方法で積層磁器コンデンサを作成し、同一の方法
で電気的特性を測定した。
【００５５】表４〜表４は各々の試料の基本成分の
組成を示し、表５〜表５は基本成分の組成の続き及
び添加成分の組成を示し、表６〜表６は各々の試料
の焼成温度及び電気的特性を示す。
組成を示し、表５〜表５は基本成分の組成の続き及
び添加成分の組成を示し、表６〜表６は各々の試料
の焼成温度及び電気的特性を示す。
【００５６】また、ｘの欄のＭｇ，Ｚｎは、前述した基
本成分の組成式（１）のＭの内容を示し、ｙの欄のＣ
ａ，Ｓｒは、基本成分の組成式（１）のＬの内容を示
し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは、前述した基本成分の組成式
（１）のＲの内容を示し、βの欄のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉは、前述した基本成分の組成式(1) のＤの内
容を示している。
本成分の組成式（１）のＭの内容を示し、ｙの欄のＣ
ａ，Ｓｒは、基本成分の組成式（１）のＬの内容を示
し、ｚの欄のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは、前述した基本成分の組成式
（１）のＲの内容を示し、βの欄のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｎｉは、前述した基本成分の組成式(1) のＤの内
容を示している。
【００５７】また、表５〜表５の添加成分の添加量
は、基本成分１００重量部に対する重量部で示されてお
り、添加成分のＭＯの内容の欄にはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されてい
る。
は、基本成分１００重量部に対する重量部で示されてお
り、添加成分のＭＯの内容の欄にはＢａＯ，ＳｒＯ，Ｃ
ａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されてい
る。
【００５８】表６〜表６において、静電容量の温度
特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋
１２５℃の静電容量の変化率をΔＣ-55 （％）及びΔＣ
125（％）で、２０℃の静電容量を基準にした−２５℃
及び＋８５℃の静電容量の変化率がΔＣ-25 （％）及び
ΔＣ85（％）で示されている。
特性は、２５℃の静電容量を基準にした−５５℃及び＋
１２５℃の静電容量の変化率をΔＣ-55 （％）及びΔＣ
125（％）で、２０℃の静電容量を基準にした−２５℃
及び＋８５℃の静電容量の変化率がΔＣ-25 （％）及び
ΔＣ85（％）で示されている。
【００５９】
【表４】
【００６０】
【表４】
【００６１】
【表４】
【００６２】
【表４】
【００６３】
【表４】
【００６４】
【表４】
【００６５】
【表５】
【００６６】
【表５】
【００６７】
【表５】
【００６８】
【表５】
【００６９】
【表５】
【００７０】
【表５】
【００７１】
【表６】
【００７２】
【表６】
【００７３】
【表６】
【００７４】
【表６】
【００７５】
【表６】
【００７６】
【表６】
【００７７】表４〜表４、表５〜表５及び表６
〜表６から明らかなように、本発明に従う試料によ
れば、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
により、誘電体磁器層の比誘電率εs が２０００以上、
ｔａｎδが２．５％以下、絶縁抵抗ＩＲが１×１０3 Ｍ
Ω以上、破壊電圧が１５０Ｖ以上、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 及びΔＣ125 が−１５％〜＋１５％、ΔＣ
-25 及びΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲となり、所
望の特性の積層磁器コンデンサを得ることができるもの
である。
〜表６から明らかなように、本発明に従う試料によ
れば、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成
により、誘電体磁器層の比誘電率εs が２０００以上、
ｔａｎδが２．５％以下、絶縁抵抗ＩＲが１×１０3 Ｍ
Ω以上、破壊電圧が１５０Ｖ以上、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 及びΔＣ125 が−１５％〜＋１５％、ΔＣ
-25 及びΔＣ85が−１０％〜＋１０％の範囲となり、所
望の特性の積層磁器コンデンサを得ることができるもの
である。
【００７８】一方、試料番号２，５，６，９，１０，１
３，２３，２８，２９，３１，３２，３４，３８，３
９，４４，６２〜６７，７４〜７８，８３の試料では本
発明の目的を達成することができない。従って、これら
の試料は本発明の範囲外のものである。
３，２３，２８，２９，３１，３２，３４，３８，３
９，４４，６２〜６７，７４〜７８，８３の試料では本
発明の目的を達成することができない。従って、これら
の試料は本発明の範囲外のものである。
【００７９】表６〜表６には静電容量の温度変化率
ΔＣ-55 ，ΔＣ125 ，ΔＣ-25 ，ΔＣ85のみが示されて
いるが、本発明の範囲に属する試料の−２５℃〜＋８５
℃の範囲の種々の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１０
％〜＋１０％の範囲に収まり、また、−５５℃〜＋１２
５℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔＣは、−１５％
〜＋１５％の範囲に収まっている。
ΔＣ-55 ，ΔＣ125 ，ΔＣ-25 ，ΔＣ85のみが示されて
いるが、本発明の範囲に属する試料の−２５℃〜＋８５
℃の範囲の種々の静電容量の温度変化率ΔＣは、−１０
％〜＋１０％の範囲に収まり、また、−５５℃〜＋１２
５℃の範囲の種々の静電容量の変化率ΔＣは、−１５％
〜＋１５％の範囲に収まっている。
【００８０】次に、本発明の誘電体磁器組成物の組成範
囲の限定理由について述べる。まず、αの値は、試料番
号２に示すように、α＝０．０００５の場合は、破壊電
圧が１５０Ｖ未満になり、静電容量の温度変化率ΔＣ
125 が−１５％〜＋１５％からはずれ、ΔＣ85が−１０
％〜＋１０％からはずれるが、試料番号３に示すよう
に、α＝０．００１の場合には、所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号５に示すように、α＝０．０５
１の場合は、緻密な焼結体が得られなくなってしまう
が、試料番号４に示すように、α＝０．０５の場合に
は、所望の電気的特性が得られる。従って、αの範囲
は、０．００１≦α≦０．０５でなければならない。
囲の限定理由について述べる。まず、αの値は、試料番
号２に示すように、α＝０．０００５の場合は、破壊電
圧が１５０Ｖ未満になり、静電容量の温度変化率ΔＣ
125 が−１５％〜＋１５％からはずれ、ΔＣ85が−１０
％〜＋１０％からはずれるが、試料番号３に示すよう
に、α＝０．００１の場合には、所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号５に示すように、α＝０．０５
１の場合は、緻密な焼結体が得られなくなってしまう
が、試料番号４に示すように、α＝０．０５の場合に
は、所望の電気的特性が得られる。従って、αの範囲
は、０．００１≦α≦０．０５でなければならない。
【００８１】次に、ｋの値は、試料番号３４に示すよう
に、ｋ＜１．００の場合には、絶縁抵抗ＩＲが１．０×
１０3 ＭΩより大幅に小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％からはず
れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３５に示すように、ｋ＝１．００
の場合には、所望の電気的特性が得られる。一方、ｋの
値が、試料番号３８に示すように、ｋ＞１．０４９の場
合には緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、試料
番号３７に示すように、ｋ＝１．０４９の場合には、所
望の電気的特性が得られる。従って、ｋの範囲は、１．
００≦ｋ≦１．０４９である。
に、ｋ＜１．００の場合には、絶縁抵抗ＩＲが１．０×
１０3 ＭΩより大幅に小さくなり、静電容量の温度変化
率ΔＣ-55 ，ΔＣ125 が−１５％〜＋１５％からはず
れ、ΔＣ-25 ，ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはずれ
てしまうが、試料番号３５に示すように、ｋ＝１．００
の場合には、所望の電気的特性が得られる。一方、ｋの
値が、試料番号３８に示すように、ｋ＞１．０４９の場
合には緻密な焼結体が得られなくなってしまうが、試料
番号３７に示すように、ｋ＝１．０４９の場合には、所
望の電気的特性が得られる。従って、ｋの範囲は、１．
００≦ｋ≦１．０４９である。
【００８２】更に、αの範囲が、０．００１≦α≦０．
０５であり、ｋの範囲が、１．００≦ｋ≦１．０４９で
あっても、ｋ＋αの値は、試料番号６に示すように、ｋ
＋αが１．０００の場合には破壊電圧が１５０Ｖ未満に
なり、静電容量の温度変化率ΔＣ125 が−１５％〜＋１
５％からはずれ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはず
れるが、試料番号７に示すように、ｋ＋α＝１．００１
の場合には、所望の電気的特性が得られる。また、試料
番号９に示すように、ｋ＋αが１．０６の場合は、緻密
な焼結体が得られなくなってしまうが、試料番号８に示
すように、ｋ＋α＝１．０５の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、αの範囲は、１．００１≦ｋ
＋α≦１．０５でなければならない。
０５であり、ｋの範囲が、１．００≦ｋ≦１．０４９で
あっても、ｋ＋αの値は、試料番号６に示すように、ｋ
＋αが１．０００の場合には破壊電圧が１５０Ｖ未満に
なり、静電容量の温度変化率ΔＣ125 が−１５％〜＋１
５％からはずれ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはず
れるが、試料番号７に示すように、ｋ＋α＝１．００１
の場合には、所望の電気的特性が得られる。また、試料
番号９に示すように、ｋ＋αが１．０６の場合は、緻密
な焼結体が得られなくなってしまうが、試料番号８に示
すように、ｋ＋α＝１．０５の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、αの範囲は、１．００１≦ｋ
＋α≦１．０５でなければならない。
【００８３】次に、βの値は、試料番号１０に示すよう
に、β＝０．０００２の場合は、破壊電圧が１５０Ｖ未
満になり、静電容量の温度変化率ΔＣ125 が−１５％〜
＋１５％からはずれ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から
はずれるが、試料番号１１に示すように、β＝０．００
０５の場合には、所望の電気的特性が得られる。また、
試料番号１３に示すように、β＝０．０４の場合は、比
誘電率が２０００以下になってしまうが、試料番号１２
に示すように、β＝０．０３の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、βの範囲は、０．０００５≦
β≦０．０３でなければならない。
に、β＝０．０００２の場合は、破壊電圧が１５０Ｖ未
満になり、静電容量の温度変化率ΔＣ125 が−１５％〜
＋１５％からはずれ、ΔＣ85が−１０％〜＋１０％から
はずれるが、試料番号１１に示すように、β＝０．００
０５の場合には、所望の電気的特性が得られる。また、
試料番号１３に示すように、β＝０．０４の場合は、比
誘電率が２０００以下になってしまうが、試料番号１２
に示すように、β＝０．０３の場合には、所望の電気的
特性が得られる。従って、βの範囲は、０．０００５≦
β≦０．０３でなければならない。
【００８４】なお、Ｄ成分のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉの酸化物は各々ほゞ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、または複数を組み合わせて使用
しても同様な効果が得られるものである。
Ｎｉの酸化物は各々ほゞ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、または複数を組み合わせて使用
しても同様な効果が得られるものである。
【００８５】次に、ｘ＋ｙの値は、試料番号２３に示す
ように、ｘ＋ｙ＝０の場合には、静電容量の温度変化率
ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれるが、試料番
号２４，２５に示すように、ｘ＋ｙ＝０．０１の場合に
は所望の電気的特性が得られる。また、試料番号２９，
３１に示すように、ｘ＋ｙ＝０．１１の場合には、静電
容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはず
れてしまうが、試料番号３３に示すように、ｘ＋ｙ＝
０．１０の場合には所望の電気的特性が得られる。ただ
し、試料番号２８，３２に示すように、ｘ＋ｙ≦０．１
０であっても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の
温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはずれてし
まう。従って、ｘ＋ｙの範囲は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦
０．１０であるが、同時にｙ≦０．０５でなければなら
ない。
ように、ｘ＋ｙ＝０の場合には、静電容量の温度変化率
ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５％からはずれるが、試料番
号２４，２５に示すように、ｘ＋ｙ＝０．０１の場合に
は所望の電気的特性が得られる。また、試料番号２９，
３１に示すように、ｘ＋ｙ＝０．１１の場合には、静電
容量の温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはず
れてしまうが、試料番号３３に示すように、ｘ＋ｙ＝
０．１０の場合には所望の電気的特性が得られる。ただ
し、試料番号２８，３２に示すように、ｘ＋ｙ≦０．１
０であっても、ｙの値が０．０５を越えると静電容量の
温度変化率ΔＣ85が−１０％〜＋１０％からはずれてし
まう。従って、ｘ＋ｙの範囲は、０．０１≦ｘ＋ｙ≦
０．１０であるが、同時にｙ≦０．０５でなければなら
ない。
【００８６】なお、Ｍ成分のＭｇとＺｎ及びＬ成分のＣ
ａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうちの一方または両方を使用す
ること、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうちの一方または両方を使用することができる。
しかるに、Ｍ成分及びＬ成分の１種または複数種のいず
れの場合においてもｘ＋ｙの値は０．０１〜０．１０の
範囲にしなければならない。
ａとＳｒはほゞ同様に働き、０≦ｘ≦０．１０を満足す
る範囲ではＭｇとＺｎのうちの一方または両方を使用す
ること、また０≦ｙ≦０．０５を満足する範囲でＣａと
Ｓｒのうちの一方または両方を使用することができる。
しかるに、Ｍ成分及びＬ成分の１種または複数種のいず
れの場合においてもｘ＋ｙの値は０．０１〜０．１０の
範囲にしなければならない。
【００８７】次に、ｚの値は、試料番号３９に示すよう
に、ｚ＝０の場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ-55
が−１５％〜＋１５％からはずれ、ΔＣ25が−１０％〜
＋１０％からはずれてしまうが、試料番号４０に示すよ
うに，ｚ＝０．００２の場合には所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号４４に示すように、ｚ＝０．０
７の場合には、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体
が得られないが、試料番号４３に示すように、ｚ＝０．
０６の場合には、所望の電気的特性が得られる。従っ
て、ｚの範囲は、０．００２≦ｚ≦０．０６である。
に、ｚ＝０の場合には、静電容量の温度変化率ΔＣ-55
が−１５％〜＋１５％からはずれ、ΔＣ25が−１０％〜
＋１０％からはずれてしまうが、試料番号４０に示すよ
うに，ｚ＝０．００２の場合には所望の電気的特性が得
られる。また、試料番号４４に示すように、ｚ＝０．０
７の場合には、所望の電気的特性を有する緻密な焼結体
が得られないが、試料番号４３に示すように、ｚ＝０．
０６の場合には、所望の電気的特性が得られる。従っ
て、ｚの範囲は、０．００２≦ｚ≦０．０６である。
【００８８】尚、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは各々ほゞ同様に
働き、これらから選択された１つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な結果が得られる。
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕは各々ほゞ同様に
働き、これらから選択された１つを使用しても、または
複数を組み合わせて使用しても同様な結果が得られる。
【００８９】次に、添加成分の組成範囲は、Ｌｉ2 −Ｓ
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図２）の
第一〜五の点Ａ〜Ｅを順に結ぶ５本の直線で囲まれた範
囲及び／又は、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモ
ル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜Ｋを順
に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲である。
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図（図２）の
第一〜五の点Ａ〜Ｅを順に結ぶ５本の直線で囲まれた範
囲及び／又は、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモ
ル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜Ｋを順
に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲である。
【００９０】Ｌｉ2 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％
で示す三角図（図２）における第一の点Ａは、試料番号
５２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８
０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第二の点Ｂ
は、試料番号５３に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を示
し、第三の点Ｃは、試料番号５４に示すように、Ｌｉ2
Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＭＯが４０モ
ル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料番号５５に示す
ように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点Ｅは、試料
番号５６に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、ＳｉＯ
2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示す。試料番
号５２〜６１に示されるように、添加成分の組成範囲
が、Ｌｉ2 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三
角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅを順に結ぶ５本の直
線で囲まれた範囲内にあれば所望の電気的特性を得るこ
とができるが、試料番号６２〜６７に示されるように、
添加成分の組成を上記範囲外とすれば、緻密な焼結体を
得ることができない。
で示す三角図（図２）における第一の点Ａは、試料番号
５２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８
０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第二の点Ｂ
は、試料番号５３に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、
ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を示
し、第三の点Ｃは、試料番号５４に示すように、Ｌｉ2
Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＭＯが４０モ
ル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料番号５５に示す
ように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点Ｅは、試料
番号５６に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、ＳｉＯ
2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示す。試料番
号５２〜６１に示されるように、添加成分の組成範囲
が、Ｌｉ2 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三
角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅを順に結ぶ５本の直
線で囲まれた範囲内にあれば所望の電気的特性を得るこ
とができるが、試料番号６２〜６７に示されるように、
添加成分の組成を上記範囲外とすれば、緻密な焼結体を
得ることができない。
【００９１】同様に、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図３）における第六の点Ｆ
は、試料番号６８に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第七の点Ｇは、試料番号６９に示すように、Ｂ2 Ｏ
3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第八の点Ｈは、試料番号７０に示すよ
うに、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料番号
７１に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示し、第十の点Ｊ
は、試料番号７２に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を示
し、第十一の点Ｋは、試料番号７３に示すように、Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１モ
ル％の組成を示す。試料番号６８〜７３に示されるよう
に、添加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ
の組成比をモル％で示す三角図（図２）の第五〜十一の
点Ｆ〜Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれ
ば所望の電気的特性を得ることができるが、試料番号７
４〜７７に示されるように、添加成分の組成を上記範囲
外とすれば、緻密な焼結体を得ることができない。
比をモル％で示す三角図（図３）における第六の点Ｆ
は、試料番号６８に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、
ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示
し、第七の点Ｇは、試料番号６９に示すように、Ｂ2 Ｏ
3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル
％の組成を示し、第八の点Ｈは、試料番号７０に示すよ
うに、Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、ＳｉＯ2 が１モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料番号
７１に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が
１モル％、ＭＯが９モル％の組成を示し、第十の点Ｊ
は、試料番号７２に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル
％、ＳｉＯ2 が９モル％、ＭＯが１モル％の組成を示
し、第十一の点Ｋは、試料番号７３に示すように、Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１モ
ル％の組成を示す。試料番号６８〜７３に示されるよう
に、添加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ
の組成比をモル％で示す三角図（図２）の第五〜十一の
点Ｆ〜Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれ
ば所望の電気的特性を得ることができるが、試料番号７
４〜７７に示されるように、添加成分の組成を上記範囲
外とすれば、緻密な焼結体を得ることができない。
【００９２】なお、ＭＯの成分は試料番号８４〜８８に
示されるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｚ
ｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の試料に示す
ように２種以上の適当な比率でもよい。
示されるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ，Ｚ
ｎＯのいずれか１種であってもよいし、他の試料に示す
ように２種以上の適当な比率でもよい。
【００９３】次に、添加成分の添加量の値は、試料番号
７８に示すように、添加量が０重量部の場合には、その
焼成温度が１２５０℃であっても、緻密な焼結体は得ら
れないが、試料番号７９に示すように、添加量が基本成
分１００重量部に対して０．２重量部の場合には、１１
９０℃の焼成温度で所望の電気的特性が得られる。一
方、試料番号８３に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に対して７．０重量部の場合に
は、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５
％からはずれてしまうが、試料番号８２に示すように、
添加成分の添加量が、基本成分１００重量部に対して
５．０重量部の場合には、所望の電気的特性を得ること
ができる。従って、添加成分の添加量は、基本成分１０
０重量部に対して０．２〜５．０重量部の範囲である。
７８に示すように、添加量が０重量部の場合には、その
焼成温度が１２５０℃であっても、緻密な焼結体は得ら
れないが、試料番号７９に示すように、添加量が基本成
分１００重量部に対して０．２重量部の場合には、１１
９０℃の焼成温度で所望の電気的特性が得られる。一
方、試料番号８３に示すように、添加成分の添加量が、
基本成分１００重量部に対して７．０重量部の場合に
は、静電容量の温度変化率ΔＣ-55 が−１５％〜＋１５
％からはずれてしまうが、試料番号８２に示すように、
添加成分の添加量が、基本成分１００重量部に対して
５．０重量部の場合には、所望の電気的特性を得ること
ができる。従って、添加成分の添加量は、基本成分１０
０重量部に対して０．２〜５．０重量部の範囲である。
【００９４】なお、以上の説明では、添加成分として、
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯとＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ
を単独で用いた場合について説明したが、基本成分１０
０重量部に対して０．２〜５．０重量部の範囲であれ
ば、例えば試料番号８９に示すように、これら２種類の
添加成分を混合して用いても同様の結果が得られた。
Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯとＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ
を単独で用いた場合について説明したが、基本成分１０
０重量部に対して０．２〜５．０重量部の範囲であれ
ば、例えば試料番号８９に示すように、これら２種類の
添加成分を混合して用いても同様の結果が得られた。
【００９５】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体層の比誘電率ε
s が２０００以上、誘電体層の誘電損失ｔａｎδが２．
５％以下、絶縁抵抗ＩＲが１．０×１０3 ＭΩ以上、破
壊電圧が１５０Ｖ以上であり、且つ静電容量の温度変化
率が、−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５
℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％
（２０℃を基準）の範囲に収まることのできる磁器コン
デンサを提供することができる。
s が２０００以上、誘電体層の誘電損失ｔａｎδが２．
５％以下、絶縁抵抗ＩＲが１．０×１０3 ＭΩ以上、破
壊電圧が１５０Ｖ以上であり、且つ静電容量の温度変化
率が、−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５
℃を基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％
（２０℃を基準）の範囲に収まることのできる磁器コン
デンサを提供することができる。
【図１】本発明の実施例に係る積層型磁器コンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
【図３】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体磁器組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＭＯ）の組成範囲を示す三角図である。
【符号の説明】 １２ 磁器層 １４ 内部電極 １５ 焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ 半田層
【表４○１】
【表４○２】
【表４○３】
【表４○４】
【表４○５】
【表４○６】
【表５○１】
【表５○２】
【表５○３】
【表５○４】
【表５○５】
【表５○６】
【表６○１】
【表６○２】
【表６○３】
【表６○４】
【表６○５】
【表６○６】
フロントページの続き (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−272970（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００重量部の基本成分と、
０．２〜５重量部の添加成分との混合物を焼成したもの
からなり、 前記基本成分が (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋β
Ｄ （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上
の金属元素、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから
選択された１種又は２種以上の酸化物、α，β，ｋ，
ｘ，ｙ，ｚは ０．００１≦α≦０．０５ ０．０００５≦β≦０．０３ １．００≦ｋ≦１．０４９ １．００１≦ｋ＋α≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分が、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、Ｍ
ＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選
択された１種または２種以上の金属酸化物）、及び／又
は，Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
または２種以上の金属酸化物）からなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあり、 また、前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成
範囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十の点Ｊと前記Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋとをこの順に結
ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特徴とする
磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００重量部
の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とからな
り、 前記基本成分が (Bak-(x+y)MxLy)Ok(Ti1-zRz)O2-z/2＋αBaTi1/2O2 ＋β
Ｄ （但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＬはＣａ及び／又は
Ｓｒ、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕから選択された１種または２種以上
の金属元素、ＤはＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ及びＮｉから
選択された１種又は２種以上の酸化物、α，β，ｋ，
ｘ，ｙ，ｚは ０．００１≦α≦０．０５ ０．０００５≦β≦０．０３ １．００≦ｋ≦１．０４９ １．００１≦ｋ＋α≦１．０５ ０≦ｘ＜０．１０ ０≦ｙ≦０．０５ ０．０１≦ｘ＋ｙ≦０．１０ ０．００２≦ｚ≦０．０６ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分が、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、Ｍ
ＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選
択された１種または２種以上の金属酸化物）、及び／又
は，Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
または２種以上の金属酸化物）からなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあり、 また、前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成
範囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２９モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１モル％、
前記ＭＯが９モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十の点Ｊと前記Ｂ2
Ｏ3 が１９モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋとをこの順に結
ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特徴とする
磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16537897A JP3269989B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16537897A JP3269989B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340824A JPH10340824A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3269989B2 true JP3269989B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=15811245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16537897A Expired - Fee Related JP3269989B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269989B2 (ja) |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP16537897A patent/JP3269989B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340824A (ja) | 1998-12-22 |
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