JP3269903B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JP3269903B2 JP3269903B2 JP35174593A JP35174593A JP3269903B2 JP 3269903 B2 JP3269903 B2 JP 3269903B2 JP 35174593 A JP35174593 A JP 35174593A JP 35174593 A JP35174593 A JP 35174593A JP 3269903 B2 JP3269903 B2 JP 3269903B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１又は２以上の誘電体
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサは、誘電体磁
器原料粉末からなる未焼結磁器シート（グリーンシー
ト）に白金、パラジウム等の貴金属を主成分とする導電
性ペーストを所望パターンで印刷し、この未焼結磁器シ
ートを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中におい
て１３００℃〜１６００℃の温度で焼成させることによ
って製造されている。
器原料粉末からなる未焼結磁器シート（グリーンシー
ト）に白金、パラジウム等の貴金属を主成分とする導電
性ペーストを所望パターンで印刷し、この未焼結磁器シ
ートを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中におい
て１３００℃〜１６００℃の温度で焼成させることによ
って製造されている。
【０００３】ここで、導電性ペーストとして白金、パラ
ジウム等の貴金属を主成分とするものを使用しているの
は、導電性ペーストとしてこれら貴金属を主成分とする
ものを使用すれば、積層磁器コンデンサを酸化性雰囲気
中において１３００℃〜１６００℃の高温で焼成させて
も導電性ペーストが酸化せず、所望の内部電極が得られ
るからである。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価な材料であるので、従来の積層磁器コンデンサはコ
スト高になるという問題があった。
ジウム等の貴金属を主成分とするものを使用しているの
は、導電性ペーストとしてこれら貴金属を主成分とする
ものを使用すれば、積層磁器コンデンサを酸化性雰囲気
中において１３００℃〜１６００℃の高温で焼成させて
も導電性ペーストが酸化せず、所望の内部電極が得られ
るからである。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価な材料であるので、従来の積層磁器コンデンサはコ
スト高になるという問題があった。
【０００４】そこで、積層磁器コンデンサの製造コスト
を低下させるために、内部電極の材料としてニッケル等
の卑金属を使用した積層磁器コンデンサの開発が望まれ
ている。しかし、ニッケル等の卑金属を内部電極の材料
として用いると、大気中における１３００℃〜１６００
℃の焼成で内部電極の材料が酸化され、この酸化物が誘
電体層の材料と容易に反応してしまうので、内部電極を
形成することができない。
を低下させるために、内部電極の材料としてニッケル等
の卑金属を使用した積層磁器コンデンサの開発が望まれ
ている。しかし、ニッケル等の卑金属を内部電極の材料
として用いると、大気中における１３００℃〜１６００
℃の焼成で内部電極の材料が酸化され、この酸化物が誘
電体層の材料と容易に反応してしまうので、内部電極を
形成することができない。
【０００５】内部電極の材料の酸化を防止する方法とし
ては、還元性雰囲気中において焼成することが考えられ
るが、還元性雰囲気中において焼成すると、今度は誘電
体層の材料が著しく還元され、得られたものがコンデン
サとして機能しなくなるという問題があった。
ては、還元性雰囲気中において焼成することが考えられ
るが、還元性雰囲気中において焼成すると、今度は誘電
体層の材料が著しく還元され、得られたものがコンデン
サとして機能しなくなるという問題があった。
【０００６】そこで、本件特許出願人は還元性雰囲気中
における１３００℃〜１６００℃の温度の焼成によって
も所望の電気的特性が得られるような誘電体磁器組成物
を種々提案した。そして、これらの誘電体磁器組成物は
次に述べる特許公報に開示されている。
における１３００℃〜１６００℃の温度の焼成によって
も所望の電気的特性が得られるような誘電体磁器組成物
を種々提案した。そして、これらの誘電体磁器組成物は
次に述べる特許公報に開示されている。
【０００７】すなわち、特公昭６０−２０８５１号公報
には、{(BaxCaySrz)O}k(TinZr1-n)O2 からなる基本成分
と、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸
化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
には、{(BaxCaySrz)O}k(TinZr1-n)O2 からなる基本成分
と、Ｌｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸
化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開
示されている。
【０００８】また、特開昭６１−１４７４０４号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００９】また、特開昭６１−１４７４０５号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
【００１０】また、特開昭６１−１４７４０６号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}K(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上
の酸化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}K(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上
の酸化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
【００１１】これらの各公報に開示されている誘電体磁
器組成物は、還元性雰囲気中における１２００℃以下の
比較的低い温度の焼成で得ることができるものであり、
その比誘電率εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０6
ＭΩ・ｃｍ以上である。
器組成物は、還元性雰囲気中における１２００℃以下の
比較的低い温度の焼成で得ることができるものであり、
その比誘電率εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０6
ＭΩ・ｃｍ以上である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子回路の小型化、高密度化への更なる追求にともな
い、磁器コンデンサの小型大容量化が強く求められ、誘
電体層（グリーンシート）の薄膜化及び積層数の増加に
よりこれを解決することが試みられている。
る電子回路の小型化、高密度化への更なる追求にともな
い、磁器コンデンサの小型大容量化が強く求められ、誘
電体層（グリーンシート）の薄膜化及び積層数の増加に
よりこれを解決することが試みられている。
【００１３】しかしながら、積層磁器コンデンサにおい
て、その誘電体磁器層を薄膜化することは、単位厚みあ
たりの交流電圧が増すことになり、誘電損失（ｔａｎ
δ）が大きくなるという問題があった。
て、その誘電体磁器層を薄膜化することは、単位厚みあ
たりの交流電圧が増すことになり、誘電損失（ｔａｎ
δ）が大きくなるという問題があった。
【００１４】本発明は、上記各公報に開示されている誘
電体磁器組成物の電気的特性を維持し、更に誘電損失の
交流電圧特性が良好な誘電体磁器組成物を誘電体層とし
た磁器コンデンサ及びその製造方法を提供することを目
的とする。
電体磁器組成物の電気的特性を維持し、更に誘電損失の
交流電圧特性が良好な誘電体磁器組成物を誘電体層とし
た磁器コンデンサ及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する請求
項１及び請求項２記載の発明は、誘電体磁器組成物から
なる１又は２以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層
を挟持している少なくとも２以上の内部電極とを備えた
磁器コンデンサにおいて、前記誘電体磁器組成物が、１
００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の
添加成分との混合物を焼成したものからなり、前記基本
成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O
2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又はＶ、
Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択された１
種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋ，α及
びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなる。
項１及び請求項２記載の発明は、誘電体磁器組成物から
なる１又は２以上の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層
を挟持している少なくとも２以上の内部電極とを備えた
磁器コンデンサにおいて、前記誘電体磁器組成物が、１
００．０重量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の
添加成分との混合物を焼成したものからなり、前記基本
成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZryRz)O
2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又はＶ、
Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択された１
種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，ｋ，α及
びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなる。
【００１６】ここで、基本成分の組成式中におけるＣａ
の原子数の割合、すなわちｖの値を０．００≦ｖ≦０．
２７としたのは、ｖの値がこの範囲内にある場合には、
所望の電気的特性を有するとともに、温度特性が平坦
で、抵抗率ρの高い誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、０．２７を越えた場合には、緻密な焼結体を得る
ための焼成温度が１２５０℃を越えて高くなり過ぎ、比
誘電率εs も７０００未満と悪くなるからである。
の原子数の割合、すなわちｖの値を０．００≦ｖ≦０．
２７としたのは、ｖの値がこの範囲内にある場合には、
所望の電気的特性を有するとともに、温度特性が平坦
で、抵抗率ρの高い誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、０．２７を越えた場合には、緻密な焼結体を得る
ための焼成温度が１２５０℃を越えて高くなり過ぎ、比
誘電率εs も７０００未満と悪くなるからである。
【００１７】なお、このＣａは、上述したように磁器コ
ンデンサの温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を
図るために使用する元素であるため、あえて含有させな
くても、すなわちｖの値を零としても所望の電気的特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることはできる。
ンデンサの温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を
図るために使用する元素であるため、あえて含有させな
くても、すなわちｖの値を零としても所望の電気的特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることはできる。
【００１８】また、基本成分の組成式中におけるＭｇの
原子数の割合、すなわちｘの値を０．００≦ｘ≦０．０
３としたのは、ｘの値がこの範囲内にある場合には所望
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることがで
きるが、ｘの値が０．０３を越えた場合には、誘電体磁
器組成物の比誘電率εs が急激に低下して７０００未満
と悪くなるからである。
原子数の割合、すなわちｘの値を０．００≦ｘ≦０．０
３としたのは、ｘの値がこの範囲内にある場合には所望
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることがで
きるが、ｘの値が０．０３を越えた場合には、誘電体磁
器組成物の比誘電率εs が急激に低下して７０００未満
と悪くなるからである。
【００１９】なお、Ｍｇはキュリー点を低温側にシフト
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するものであるため、Ｃａと同
様、あえて含有させなくても、すなわちｘの値を零とし
ても所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得る
ことはできる。
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するものであるため、Ｃａと同
様、あえて含有させなくても、すなわちｘの値を零とし
ても所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得る
ことはできる。
【００２０】また、関係式０．６ｗ＋ｙの値を０．０５
≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｗ
＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることができるが、関係
式０．６ｗ＋ｙの値が０．０５未満となったり、０．２
６を越えたりした場合は、いずれも比誘電率εs が７０
００未満と悪くなるからである。
≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｗ
＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性
を有する誘電体磁器組成物を得ることができるが、関係
式０．６ｗ＋ｙの値が０．０５未満となったり、０．２
６を越えたりした場合は、いずれも比誘電率εs が７０
００未満と悪くなるからである。
【００２１】ここで、関係式０．６ｗ＋ｙの値について
範囲を定めたのは、ｗ，ｙで割合が示されるＳｒ，Ｚｒ
はいずれもキュリー点を低温側にシフトさせる元素であ
り、全体として考慮する必要があるからである。但し、
Ｓｒのシフターとしての特性はＺｒを１とした場合に３
／５（＝０．６）であるので、ｗには係数０．６を掛け
て補正した。
範囲を定めたのは、ｗ，ｙで割合が示されるＳｒ，Ｚｒ
はいずれもキュリー点を低温側にシフトさせる元素であ
り、全体として考慮する必要があるからである。但し、
Ｓｒのシフターとしての特性はＺｒを１とした場合に３
／５（＝０．６）であるので、ｗには係数０．６を掛け
て補正した。
【００２２】なお、関係式０．６ｗ＋ｙの値が０．２６
以下であっても、ｗの値が０．３７を越えると、比誘電
率εs が７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．
６ｗ＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上
限値は０．３７としなければならない。このため、Ｓ
ｒ，Ｚｒの割合は、０≦ｗ≦０．３７及び０＜ｙ≦０．
２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｗ＋ｙ
≦０．２６を満足させる範囲としなければならない。
以下であっても、ｗの値が０．３７を越えると、比誘電
率εs が７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．
６ｗ＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上
限値は０．３７としなければならない。このため、Ｓ
ｒ，Ｚｒの割合は、０≦ｗ≦０．３７及び０＜ｙ≦０．
２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｗ＋ｙ
≦０．２６を満足させる範囲としなければならない。
【００２３】また、基本成分の組成式中におけるＲの原
子数の割合、すなわちｚの値を０．００２≦ｚ≦０．０
４としたのは、ｚの値がこの範囲内にある場合には所望
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることがで
きるが、０．００２未満になった場合には、誘電体損失
ｔａｎδが大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０4 ＭΩ・
ｃｍ未満となり、０．０４を越えた場合には、１２５０
℃の焼成であっても緻密な焼結体を得ることができない
からである。
子数の割合、すなわちｚの値を０．００２≦ｚ≦０．０
４としたのは、ｚの値がこの範囲内にある場合には所望
の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることがで
きるが、０．００２未満になった場合には、誘電体損失
ｔａｎδが大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０4 ＭΩ・
ｃｍ未満となり、０．０４を越えた場合には、１２５０
℃の焼成であっても緻密な焼結体を得ることができない
からである。
【００２４】なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕはほゞ同様に働
き、これ等から選択された１つを使用しても、または複
数を使用しても同様な結果が得られる。また、基本成分
の組成式中におけるＲ成分のうちで、Ｌｕは表３中に記
載しなかったが、これも他のＲ成分と同様の作用効果を
有するものである。
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕはほゞ同様に働
き、これ等から選択された１つを使用しても、または複
数を使用しても同様な結果が得られる。また、基本成分
の組成式中におけるＲ成分のうちで、Ｌｕは表３中に記
載しなかったが、これも他のＲ成分と同様の作用効果を
有するものである。
【００２５】また、基本成分の組成式中における{(Ba
１−ｖ−ｗ−ｘCaｖSrｗMgｘ)O}の割合、すなわちｋの
値を１．００≦ｋ≦１．０４としたのは、ｋの値がこの
範囲内にある場合には、所望の電気的特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができるが、１．００未満にな
った場合には、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ未満
と、大幅に悪くなり、１．０４を越えた場合には、１２
５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることができないか
らである。また、基本成分の組成式中における(Ti
１−ｙ−ｚ Zr ｙ R ｚ )はＺｒが基本成分中に固溶している
ことを表わしている。
１−ｖ−ｗ−ｘCaｖSrｗMgｘ)O}の割合、すなわちｋの
値を１．００≦ｋ≦１．０４としたのは、ｋの値がこの
範囲内にある場合には、所望の電気的特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができるが、１．００未満にな
った場合には、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ未満
と、大幅に悪くなり、１．０４を越えた場合には、１２
５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることができないか
らである。また、基本成分の組成式中における(Ti
１−ｙ−ｚ Zr ｙ R ｚ )はＺｒが基本成分中に固溶している
ことを表わしている。
【００２６】また、基本成分の組成式中におけるＭ1 の
割合、すなわちαの値を０．０００５≦α≦０．０１と
したのは、αの値がこの範囲内にある場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、αの値が０．０００５未満になると交流電圧２０
０Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが５．０％を越え
て悪くなり、αの値が０．０１を越えると抵抗率ρが
１．０×１０4 ＭΩ・ｃｍ以下と悪くなってしまうから
である。
割合、すなわちαの値を０．０００５≦α≦０．０１と
したのは、αの値がこの範囲内にある場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、αの値が０．０００５未満になると交流電圧２０
０Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが５．０％を越え
て悪くなり、αの値が０．０１を越えると抵抗率ρが
１．０×１０4 ＭΩ・ｃｍ以下と悪くなってしまうから
である。
【００２７】なお、Ｍ1 成分のＰとＶはほぼ同様に働
き、０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰ
とＶのうち一方または両方を使用することが出来る。
き、０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲ではＰ
とＶのうち一方または両方を使用することが出来る。
【００２８】また、基本成分の組成式中におけるＭ2 の
割合、すなわちβの値を０．０００５≦β≦０．０１と
したのは、βの値がこの範囲内にある場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、βの値が０．０００５未満になると交流電圧２０
０Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが５．０％を越え
て悪くなり、βの値が０．０１を越えると比誘電率が７
０００未満と悪くなってしまうからである。
割合、すなわちβの値を０．０００５≦β≦０．０１と
したのは、βの値がこの範囲内にある場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、βの値が０．０００５未満になると交流電圧２０
０Ｖ／ｍｍにおける誘電損失ｔａｎδが５．０％を越え
て悪くなり、βの値が０．０１を越えると比誘電率が７
０００未満と悪くなってしまうからである。
【００２９】なお、Ｍ2 成分のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉはそれぞれほぼ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、または複数を組み合わせて使用
しても同様な結果が得られる。
ｏ，Ｎｉはそれぞれほぼ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、または複数を組み合わせて使用
しても同様な結果が得られる。
【００３０】また、基本成分の中には、本発明の目的を
阻害しない範囲で微量の鉱化剤を添加し、焼結性を向上
させてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加
してもよい。また、基本成分を得るための出発原料とし
ては、実施例で示した以外の酸化物を使用してもよい
し、水酸化物又はその他の化合物を使用してもよい。
阻害しない範囲で微量の鉱化剤を添加し、焼結性を向上
させてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加
してもよい。また、基本成分を得るための出発原料とし
ては、実施例で示した以外の酸化物を使用してもよい
し、水酸化物又はその他の化合物を使用してもよい。
【００３１】また、添加成分の添加量を、１００重量部
の基本成分に対して０．２〜５．０重量部としたのは、
添加成分の添加量がこの範囲内にある場合は１１９０〜
１２００℃の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁
器組成物を得ることができるが、０．２重量部未満にな
ると、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体を
得ることができなくなるし、また、５．０重量部を越え
ると、比誘電率εs が７０００未満と悪くなるからであ
る。
の基本成分に対して０．２〜５．０重量部としたのは、
添加成分の添加量がこの範囲内にある場合は１１９０〜
１２００℃の焼成で所望の電気的特性を有する誘電体磁
器組成物を得ることができるが、０．２重量部未満にな
ると、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体を
得ることができなくなるし、また、５．０重量部を越え
ると、比誘電率εs が７０００未満と悪くなるからであ
る。
【００３２】そして、請求項１記載の発明は、前記添加
成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｌｉ2 Ｏ
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図における、前記Ｌｉ2 Ｏが１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が３０モル％、前記ＭＯが４０モル％
の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル
％、前記ＳｉＯ2 が５０モル％、前記ＭＯが０モル％の
組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、
前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成
を示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれ
た領域内にあるものである。
成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｌｉ2 Ｏ
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図における、前記Ｌｉ2 Ｏが１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が３０モル％、前記ＭＯが４０モル％
の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル
％、前記ＳｉＯ2 が５０モル％、前記ＭＯが０モル％の
組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、
前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成
を示す第五の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれ
た領域内にあるものである。
【００３３】ここで、添加成分の組成を、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓ
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ａ〜Ｅをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ａ〜Ｅをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。
【００３４】また、請求項２記載の発明は、前記添加成
分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3 と前
記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組成を
モル％で示す三角図において、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
の組成を示す第六の点Ｆと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、
前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
成を示す第七の点Ｇと、前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前
記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
示す第八の点Ｈと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記Ｓ
ｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の組成を示す
第九の点Ｉと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ
2 が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十
の点Ｊと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が
８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十一の
点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあ
るものである。
分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種
又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3 と前
記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組成を
モル％で示す三角図において、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
の組成を示す第六の点Ｆと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、
前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
成を示す第七の点Ｇと、前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前
記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
示す第八の点Ｈと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記Ｓ
ｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の組成を示す
第九の点Ｉと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ
2 が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十
の点Ｊと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が
８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十一の
点Ｋとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあ
るものである。
【００３５】ここで、添加成分の組成を、Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ｆ〜Ｋをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。
ｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す三角図において、
前記した点Ｆ〜Ｋをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
領域内としたのは、添加成分の組成をこの範囲内のもの
とすれば、所望の電気的特性の誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、添加成分の組成をこの範囲外とすれ
ば、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を得ることがで
きなくなるからである。なお、ＭＯ成分となるＢａＯ，
ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯは適当な比率で使用
してもよい。
【００３６】また、上記課題を解決する請求項３及び請
求項４記載の発明は、前記の基本成分と添加成分とから
なる未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程
と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工
程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以上の導電
性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前
記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する工程と、
前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処
理する工程とを備えたものである。
求項４記載の発明は、前記の基本成分と添加成分とから
なる未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製する工程
と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形成する工
程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以上の導電
性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工程と、前
記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する工程と、
前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中において熱処
理する工程とを備えたものである。
【００３７】ここで、添加成分としては、請求項１記載
の発明のもの（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ）及び請求項
２記載の発明のもの（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ）のい
ずれか一方を使用することができる、また、非酸化性雰
囲気としては、Ｈ2 やＣＯなどの還元性雰囲気のみなら
ず、Ｎ2 やＡｒなどの中性雰囲気であってもよい。ま
た、非酸化性雰囲気中における焼成温度は、電極材料を
考慮して種々変更することができる。ニッケルを内部電
極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範囲でニ
ッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく焼成す
ることができる。
の発明のもの（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ）及び請求項
２記載の発明のもの（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯ）のい
ずれか一方を使用することができる、また、非酸化性雰
囲気としては、Ｈ2 やＣＯなどの還元性雰囲気のみなら
ず、Ｎ2 やＡｒなどの中性雰囲気であってもよい。ま
た、非酸化性雰囲気中における焼成温度は、電極材料を
考慮して種々変更することができる。ニッケルを内部電
極とする場合には、１０５０℃〜１２００℃の範囲でニ
ッケル粒子の凝集をほとんど生じさせることなく焼成す
ることができる。
【００３８】また、酸化性雰囲気中における熱処理の温
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度
であればよく、５００〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述する実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度
であればよく、５００〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述する実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
【００３９】また、後述する実施例では非酸化性雰囲気
中における焼成と、酸化性雰囲気中における熱処理を１
つの連続したプロフィールの中で行なっているが、もち
ろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲
気中における熱処理工程とを独立した工程に分けて行な
うことも可能である。
中における焼成と、酸化性雰囲気中における熱処理を１
つの連続したプロフィールの中で行なっているが、もち
ろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲
気中における熱処理工程とを独立した工程に分けて行な
うことも可能である。
【００４０】また、実施例では外部電極としてＺｎ電極
を使用しているが、電極の焼き付け条件を選択すること
によりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができる
のはもちろんであるし、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の
端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼き付けを同
時に行なうこともできる。
を使用しているが、電極の焼き付け条件を選択すること
によりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができる
のはもちろんであるし、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の
端面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼き付けを同
時に行なうこともできる。
【００４１】なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外の
一般的な単層の磁器コンデンサにももちろん適用可能で
ある。
一般的な単層の磁器コンデンサにももちろん適用可能で
ある。
【００４２】
【実施例】まず、Ｎｏ．１の試料の場合について説明す
る。基本成分の調製 表１に示す化合物を各々秤量し、これらの化合物を、複
数個のアルミナボール及び２．５リットルの水ととも
に、ポットミルに入れ、１５時間撹拌混合して、混合物
を得た。
る。基本成分の調製 表１に示す化合物を各々秤量し、これらの化合物を、複
数個のアルミナボール及び２．５リットルの水ととも
に、ポットミルに入れ、１５時間撹拌混合して、混合物
を得た。
【００４３】
【表１】
【００４４】ここで、表１の各化合物の重量（ｇ）は前
記基本成分の組成式 {(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZryRz)O2-z/2＋αM1＋βM2 …(1) （但し、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以
上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｏから選択された１種又は２種以上の
元素）における第一項の{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti
1-yZryRz)O2-z/2が {(Ba0.875Ca0.07Sr0.05Mg0.005)0}1.01(Ti0.83Zr0.15Er
0.02)O1.99 となるように計算して求めた値である。
記基本成分の組成式 {(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZryRz)O2-z/2＋αM1＋βM2 …(1) （但し、ＲはＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙ
ｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以
上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｏから選択された１種又は２種以上の
元素）における第一項の{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti
1-yZryRz)O2-z/2が {(Ba0.875Ca0.07Sr0.05Mg0.005)0}1.01(Ti0.83Zr0.15Er
0.02)O1.99 となるように計算して求めた値である。
【００４５】次に、この原料混合物をステンレスポット
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1) における第
一項の成分（第一基本成分）の粉末を得た。
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1) における第
一項の成分（第一基本成分）の粉末を得た。
【００４６】次に、この原料混合物をステンレスポット
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1)における第
一項の成分（第一基本成分）の粉末を得た。ここで、こ
の原料混合物中のＺｒは仮焼によりこの第一基本成分中
に均一に固溶する。
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1)における第
一項の成分（第一基本成分）の粉末を得た。ここで、こ
の原料混合物中のＺｒは仮焼によりこの第一基本成分中
に均一に固溶する。
【００４７】添加成分の調製 また、表２の化合物を各々秤量し、これらの化合物をポ
リエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３０
０ミリリットルのアルコールとともに加え、１０時間攪
拌混合して、混合物を得た。
リエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３０
０ミリリットルのアルコールとともに加え、１０時間攪
拌混合して、混合物を得た。
【００４８】
【表２】
【００４９】ここで、表２の各化合物の重量（ｇ）は、
Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
９モル％｛ＢａＯ（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モ
ル％）＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように
計算して求めた値である。また、ＭＯのうちでＢａＯ，
ＣａＯ及びＭｇＯの占める割合は、ＢａＯが２０モル
％、ＣａＯが５０モル％、ＭｇＯが３０モル％である。
Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
９モル％｛ＢａＯ（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モ
ル％）＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように
計算して求めた値である。また、ＭＯのうちでＢａＯ，
ＣａＯ及びＭｇＯの占める割合は、ＢａＯが２０モル
％、ＣａＯが５０モル％、ＭｇＯが３０モル％である。
【００５０】次に、前記混合物を大気中において約１０
００℃の温度で２時間仮焼し、これをアルミナポットに
複数個のアルミナボール及び３００ミリリットルの水と
ともに入れ、１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時
間乾燥させ、前記組成の添加成分の粉末を得た。
００℃の温度で２時間仮焼し、これをアルミナポットに
複数個のアルミナボール及び３００ミリリットルの水と
ともに入れ、１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時
間乾燥させ、前記組成の添加成分の粉末を得た。
【００５１】スラリーの調製 次に、１００重量部（１０００ｇ）の前記基本成分と、
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。ここで、有機バインダーとし
ては、アクリル酸エステルポリマー、グリセリン及び縮
合リン酸塩の水溶液からなるものを使用した。
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。ここで、有機バインダーとし
ては、アクリル酸エステルポリマー、グリセリン及び縮
合リン酸塩の水溶液からなるものを使用した。
【００５２】未焼結磁器シートの形成 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し、
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約１８μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０ｃｍ角の未焼結磁器シートを得
た。
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約１８μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０ｃｍ角の未焼結磁器シートを得
た。
【００５３】導電性ペーストの調製と印刷 また、粒径平均１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エ
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを攪拌機に入れて１０時間攪拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを攪拌機に入れて１０時間攪拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
【００５４】そして、前記未焼結磁器シートの片面にこ
の導電性ペーストからなるパターン（長さ１４ｍｍ、幅
７ｍｍ）を５０個、スクリーン印刷法によって形成さ
せ、乾燥させた。
の導電性ペーストからなるパターン（長さ１４ｍｍ、幅
７ｍｍ）を５０個、スクリーン印刷法によって形成さ
せ、乾燥させた。
【００５５】未焼結磁器シートの積層 次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペーストからな
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。そして、更に上記のように
して積層したものの上下両面に厚さ６０μｍの未焼結磁
器シートを各々４枚ずつ積層して積層物を得た。
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。そして、更に上記のように
して積層したものの上下両面に厚さ６０μｍの未焼結磁
器シートを各々４枚ずつ積層して積層物を得た。
【００５６】積層物の圧着と裁断 次に、約５０℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
【００５７】積層体チップの焼成 次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
【００５８】その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還
元雰囲気｛Ｈ2(２体積％）＋Ｎ2(９８体積％）｝に変
え、炉内の温度を６００℃から１１６０℃まで、１００
℃／ｈの速度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保
持し、その後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃
の温度を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
元雰囲気｛Ｈ2(２体積％）＋Ｎ2(９８体積％）｝に変
え、炉内の温度を６００℃から１１６０℃まで、１００
℃／ｈの速度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保
持し、その後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃
の温度を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
【００５９】外部電極の形成 次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうちで、
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、図１に示すような、３層の誘電体磁器層１２，
１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる積層
焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１６が
形成された積層磁器コンデンサ１０が得られた。
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、図１に示すような、３層の誘電体磁器層１２，
１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる積層
焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１６が
形成された積層磁器コンデンサ１０が得られた。
【００６０】ここで、外部電極１６は、前記側面に亜鉛
とガラスフリット(glass frit)とビヒクル(vehicle) と
からなる導電性ペーストを塗布し、この導電性ペースト
を、乾燥後、大気中において５５０℃の温度で１５分間
焼き付けて亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１
８の上に無電解メッキ法で銅層２０を形成し、更にこの
銅層２０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を
設けることによって形成した。
とガラスフリット(glass frit)とビヒクル(vehicle) と
からなる導電性ペーストを塗布し、この導電性ペースト
を、乾燥後、大気中において５５０℃の温度で１５分間
焼き付けて亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１
８の上に無電解メッキ法で銅層２０を形成し、更にこの
銅層２０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を
設けることによって形成した。
【００６１】なお、この積層磁器コンデンサ１０の誘電
体磁器層１２の厚さは０．０１２ｍｍ、一対の内部電極
１４，１４の対向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 で
ある。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結
前の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同
じである。
体磁器層１２の厚さは０．０１２ｍｍ、一対の内部電極
１４，１４の対向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 で
ある。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結
前の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同
じである。
【００６２】電気的特性の測定 次に、積層磁器コンデンサ１０の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、表５に示すように、比誘
電率εs が１４８００、ｔａｎδが１．３％、抵抗率ρ
が３．２５×１０6 ＭΩ・ｃｍ、交流電圧特性ｔａｎδ
が２．９％であった。
その平均値を求めたところ、表５に示すように、比誘
電率εs が１４８００、ｔａｎδが１．３％、抵抗率ρ
が３．２５×１０6 ＭΩ・ｃｍ、交流電圧特性ｔａｎδ
が２．９％であった。
【００６３】なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εs は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ2 ）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０１２ｍｍ）から計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率ε
s の測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。 (D) 交流電圧２００Ｖ／ｍｍでの誘電損失ｔａｎδ
（％）は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧（実行
値）２．４Ｖの条件で測定した。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ2 ）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０１２ｍｍ）から計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率ε
s の測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。 (D) 交流電圧２００Ｖ／ｍｍでの誘電損失ｔａｎδ
（％）は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧（実行
値）２．４Ｖの条件で測定した。
【００６４】以上、Ｎｏ．１の試料の場合について述べ
たが、Ｎｏ．２〜８９の試料の場合についても、基本成
分の組成を表３〜表３に示すように変え、添加成分
の組成を表４〜表４に示すように変え、還元性雰囲
気中における焼成温度を表５〜表５に示すように変
えた他は、Ｎｏ．１の試料の場合と全く同一の条件で積
層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気的特性を
測定した。Ｎｏ．１〜８９の試料の場合の焼成温度及び
電気的特性は表５〜表５に示す通りとなった。
たが、Ｎｏ．２〜８９の試料の場合についても、基本成
分の組成を表３〜表３に示すように変え、添加成分
の組成を表４〜表４に示すように変え、還元性雰囲
気中における焼成温度を表５〜表５に示すように変
えた他は、Ｎｏ．１の試料の場合と全く同一の条件で積
層磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電気的特性を
測定した。Ｎｏ．１〜８９の試料の場合の焼成温度及び
電気的特性は表５〜表５に示す通りとなった。
【００６５】表３〜表３において、１−ｖ−ｗ−ｘ
の欄には基本成分の組成式の第一項におけるＢａの原子
数の割合が、ｖの欄には基本成分の組成式の第一項にお
けるＣａの原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の組成
式の第一項におけるＳｒの原子数の割合が、ｘの欄には
基本成分の組成式の第一項におけるＭｇの原子数の割合
が、１−ｙ−ｚの欄には基本成分の組成式の第一項にお
けるＴｉの原子数の割合が、ｙの欄には基本成分の組成
式の第一項におけるＺｒの原子数の割合が、ｋの欄には
基本成分の組成式の第一項における{(Ba1-v-w-xCavSrwM
gx)O} の割合が、ｚの欄には基本成分の組成式の第一項
のＲの原子数の割合が、αの欄には基本成分の組成式に
おける第二項のＰ及び／又はＶの原子数の割合が、βの
欄には基本成分の組成式における第三項のＣｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｏから選択された１種又は２種以上の
元素の原子数の割合が示されている。
の欄には基本成分の組成式の第一項におけるＢａの原子
数の割合が、ｖの欄には基本成分の組成式の第一項にお
けるＣａの原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の組成
式の第一項におけるＳｒの原子数の割合が、ｘの欄には
基本成分の組成式の第一項におけるＭｇの原子数の割合
が、１−ｙ−ｚの欄には基本成分の組成式の第一項にお
けるＴｉの原子数の割合が、ｙの欄には基本成分の組成
式の第一項におけるＺｒの原子数の割合が、ｋの欄には
基本成分の組成式の第一項における{(Ba1-v-w-xCavSrwM
gx)O} の割合が、ｚの欄には基本成分の組成式の第一項
のＲの原子数の割合が、αの欄には基本成分の組成式に
おける第二項のＰ及び／又はＶの原子数の割合が、βの
欄には基本成分の組成式における第三項のＣｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｏから選択された１種又は２種以上の
元素の原子数の割合が示されている。
【００６６】また、表４〜表４において、添加成分
の内容の欄において、添加量重量部の欄には基本成分１
００重量部に対する添加成分の添加量が重量部で示さ
れ、組成の欄にはＬｉ2 Ｏ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭ
Ｏの割合がモル％で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％
で示されている。
の内容の欄において、添加量重量部の欄には基本成分１
００重量部に対する添加成分の添加量が重量部で示さ
れ、組成の欄にはＬｉ2 Ｏ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭ
Ｏの割合がモル％で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％
で示されている。
【００６７】また、表３〜表３、表４〜表４及
び表５〜表５において、Ｎｏ．１〜２４の試料によ
る実験は添加成分であるガラスの適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．２５〜３０の試料による実験は添加成分であ
るガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３１
〜３６の試料による実験はＣａの原子数の割合であるｖ
値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３７〜５２の試料に
よる実験はＳｒの原子数の割合であるｗ値と、Ｚｒの原
子数の割合であるｙ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．
５３〜５９の試料による実験はＭｇの原子数の割合であ
るｘ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．６０〜６６の試
料による実験はＲの種類による影響を明らかにし、Ｎ
ｏ．６７〜７２の試料による実験はＲの原子数の割合で
あるｚ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．７３〜７７の
試料による実験は{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O} 成分の割合
であるｋ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．７８〜８３
の試料による実験はＭ1 の原子数の割合であるα値の適
性範囲を明らかにし、Ｎｏ．８４〜８９の試料による実
験はＭ2 の原子の割合であるβ値の適正範囲を明らかに
するものである。
び表５〜表５において、Ｎｏ．１〜２４の試料によ
る実験は添加成分であるガラスの適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．２５〜３０の試料による実験は添加成分であ
るガラスの添加量の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３１
〜３６の試料による実験はＣａの原子数の割合であるｖ
値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．３７〜５２の試料に
よる実験はＳｒの原子数の割合であるｗ値と、Ｚｒの原
子数の割合であるｙ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．
５３〜５９の試料による実験はＭｇの原子数の割合であ
るｘ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．６０〜６６の試
料による実験はＲの種類による影響を明らかにし、Ｎ
ｏ．６７〜７２の試料による実験はＲの原子数の割合で
あるｚ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．７３〜７７の
試料による実験は{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O} 成分の割合
であるｋ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．７８〜８３
の試料による実験はＭ1 の原子数の割合であるα値の適
性範囲を明らかにし、Ｎｏ．８４〜８９の試料による実
験はＭ2 の原子の割合であるβ値の適正範囲を明らかに
するものである。
【００６８】
【表３】
【００６９】
【表３】
【００７０】
【表３】
【００７１】
【表３】
【００７２】
【表３】
【００７３】
【表３】
【００７４】
【表４】
【００７５】
【表４】
【００７６】
【表４】
【００７７】
【表４】
【００７８】
【表４】
【００７９】
【表４】
【００８０】
【表５】
【００８１】
【表５】
【００８２】
【表５】
【００８３】
【表５】
【００８４】
【表５】
【００８５】
【表５】
【００８６】以上の結果から明らかなように、本発明に
従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２００
℃以下の焼成で、比誘電率εs が７０００以上、誘電体
損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０6 Ｍ
Ω・ｃｍ以上、交流電圧特性ｔａｎδが５％以下の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデン
サを得ることができるものである。
従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２００
℃以下の焼成で、比誘電率εs が７０００以上、誘電体
損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０6 Ｍ
Ω・ｃｍ以上、交流電圧特性ｔａｎδが５％以下の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を備えた磁器コンデン
サを得ることができるものである。
【００８７】これに対し、Ｎｏ．６〜８，１６〜１８，
２５，３０，３６，３７，４２，５０，５２，５９，６
７，７２，７３，７７，７８，８３，８４及び８９の試
料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサ
を得ることができない。従って、これらのＮｏ．の試料
は本発明の範囲外のものである。
２５，３０，３６，３７，４２，５０，５２，５９，６
７，７２，７３，７７，７８，８３，８４及び８９の試
料によれば、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサ
を得ることができない。従って、これらのＮｏ．の試料
は本発明の範囲外のものである。
【００８８】次に、本発明に係る磁器コンデンサに用い
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３、表４〜表４及び表５〜表
５に示す実験結果を参照しながら説明する。
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３、表４〜表４及び表５〜表
５に示す実験結果を参照しながら説明する。
【００８９】まず、基本成分の組成式中におけるＣａの
原子数の割合、すなわちｖの値について説明する。ｖの
値が、試料Ｎｏ．３５に示すように、０．２７の場合に
は、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、試料Ｎｏ．３６に示すように、０．３
０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高くなり、比誘
電率εs も７０００未満と悪くなる。従って、ｖの上限
値は０．２７である。
原子数の割合、すなわちｖの値について説明する。ｖの
値が、試料Ｎｏ．３５に示すように、０．２７の場合に
は、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得る
ことができるが、試料Ｎｏ．３６に示すように、０．３
０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高くなり、比誘
電率εs も７０００未満と悪くなる。従って、ｖの上限
値は０．２７である。
【００９０】また、Ｃａは温度特性を平坦にする作用及
び抵抗率ρを向上させる作用を有するが、ｖの値が、試
料Ｎｏ．３１に示すように、零であっても所望の電気的
特性の誘電体磁器組成物を得ることができる。従って、
ｖの下限値は零である。
び抵抗率ρを向上させる作用を有するが、ｖの値が、試
料Ｎｏ．３１に示すように、零であっても所望の電気的
特性の誘電体磁器組成物を得ることができる。従って、
ｖの下限値は零である。
【００９１】次に、基本成分の組成式中におけるＳｒの
原子数の割合であるｗの値と、Ｚｒの原子数の割合であ
るｙの値を、関係式０．６ｗ＋ｙの値で表わした場合に
ついて説明する。関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．４３に示すように、０．０５の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、試料Ｎｏ．３７に示すように、０．０１５の場合に
は、比誘電率εs が７０００未満と悪くなる。従って、
関係式０．６ｗ＋ｙの下限値は０．０５である。
原子数の割合であるｗの値と、Ｚｒの原子数の割合であ
るｙの値を、関係式０．６ｗ＋ｙの値で表わした場合に
ついて説明する。関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．４３に示すように、０．０５の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、試料Ｎｏ．３７に示すように、０．０１５の場合に
は、比誘電率εs が７０００未満と悪くなる。従って、
関係式０．６ｗ＋ｙの下限値は０．０５である。
【００９２】一方、関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．４９，５１に示すように、０．２６０の場合は、所
望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることが
できるが、試料Ｎｏ．５０，５２に示すように、０．２
６を越えて０．２９０になった場合には、比誘電率εs
が７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．６ｗ＋
ｙの上限値は０．２６である。
ｏ．４９，５１に示すように、０．２６０の場合は、所
望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることが
できるが、試料Ｎｏ．５０，５２に示すように、０．２
６を越えて０．２９０になった場合には、比誘電率εs
が７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．６ｗ＋
ｙの上限値は０．２６である。
【００９３】但し、関係式０．６ｗ＋ｙの値が０．２６
以下であっても、試料Ｎｏ．４２に示すように、ｗの値
が０．３７を越えて０．４０になった場合は、比誘電率
εsが７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．６
ｗ＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限
値は０．３７としなければならない。
以下であっても、試料Ｎｏ．４２に示すように、ｗの値
が０．３７を越えて０．４０になった場合は、比誘電率
εsが７０００未満と悪くなる。従って、関係式０．６
ｗ＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限
値は０．３７としなければならない。
【００９４】なお、ｗ，ｙで示されるＳｒ，Ｚｒはキュ
リー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率を
増大させる同様の作用を有し、０≦ｗ≦０．３７及び０
＜ｙ≦０．２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦
０．６ｗ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用するこ
とができる。
リー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率を
増大させる同様の作用を有し、０≦ｗ≦０．３７及び０
＜ｙ≦０．２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦
０．６ｗ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用するこ
とができる。
【００９５】次に、基本成分の組成式中におけるＭｇの
原子数の割合、すなわちｘの値の適正範囲について検討
する。ｘの値が、試料Ｎｏ．５８に示すように０．０３
の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、試料Ｎｏ．５９に示すよう
に、０．０３を越えた場合には、比誘電率εs が急激に
低下して７０００未満と悪くなる。従って、ｘの上限値
は０．０３である。
原子数の割合、すなわちｘの値の適正範囲について検討
する。ｘの値が、試料Ｎｏ．５８に示すように０．０３
の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、試料Ｎｏ．５９に示すよう
に、０．０３を越えた場合には、比誘電率εs が急激に
低下して７０００未満と悪くなる。従って、ｘの上限値
は０．０３である。
【００９６】また、Ｍｇはキュリー点を低温側へシフト
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するが、ｘの値が、試料Ｎｏ．
５３に示すように０であっても、所望の電気的特性を有
する誘電体磁器組成物を得ることができる。従って、ｘ
の下限値は０である。
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するが、ｘの値が、試料Ｎｏ．
５３に示すように０であっても、所望の電気的特性を有
する誘電体磁器組成物を得ることができる。従って、ｘ
の下限値は０である。
【００９７】次に、基本成分の組成式中におけるＲの割
合、すなわちｚの値について説明する。ｚの値が、試料
Ｎｏ．６８に示すように、０．００２の場合には所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、試料Ｎｏ．６７に示すように、０．００１の場合
には、誘電体損失ｔａｎδが大幅に悪化し、抵抗率ρも
１×１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と悪くなる。従って、ｚの下
限値は０．００２である。
合、すなわちｚの値について説明する。ｚの値が、試料
Ｎｏ．６８に示すように、０．００２の場合には所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、試料Ｎｏ．６７に示すように、０．００１の場合
には、誘電体損失ｔａｎδが大幅に悪化し、抵抗率ρも
１×１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と悪くなる。従って、ｚの下
限値は０．００２である。
【００９８】一方、ｚの値が、試料Ｎｏ．７１に示すよ
うに、０．０４の場合には所望の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．７２
に示すように、０．０６の場合には、焼成温度が１２５
０℃であっても緻密な焼結体を得ることができない。従
って、ｚの上限値は０．０４である。
うに、０．０４の場合には所望の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．７２
に示すように、０．０６の場合には、焼成温度が１２５
０℃であっても緻密な焼結体を得ることができない。従
って、ｚの上限値は０．０４である。
【００９９】なお、Ｒ成分のＳｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒ，Ｙｂもほゞ同様に働き、これ等から選択された１つ
を使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得
られる。また、Ｒ成分のうちで、Ｌｕは表３〜表３
中に記載しなかったが、これも他のＲ成分と同様の作用
効果を有するものである。
ｒ，Ｙｂもほゞ同様に働き、これ等から選択された１つ
を使用しても、または複数を使用しても同様な結果が得
られる。また、Ｒ成分のうちで、Ｌｕは表３〜表３
中に記載しなかったが、これも他のＲ成分と同様の作用
効果を有するものである。
【０１００】次に、基本成分の組成式中におけるＭ1 の
原子数の割合、すなわちαの値の適性範囲について検討
する。αの値が、試料Ｎｏ．７９に示すように、０．０
００５の場合には所望の電気的特性を有する誘電体磁器
組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．７８に示すよ
うに、０．０００２の場合には交流電圧２００Ｖ／ｍｍ
におけるｔａｎδが５．０％以上と悪化する。従って、
αの下限値は０．０００５である。
原子数の割合、すなわちαの値の適性範囲について検討
する。αの値が、試料Ｎｏ．７９に示すように、０．０
００５の場合には所望の電気的特性を有する誘電体磁器
組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．７８に示すよ
うに、０．０００２の場合には交流電圧２００Ｖ／ｍｍ
におけるｔａｎδが５．０％以上と悪化する。従って、
αの下限値は０．０００５である。
【０１０１】一方、αの値が、試料Ｎｏ．８２に示すよ
うに、０．０１の場合には所望の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８３
に示すように、０．０１５の場合には、抵抗率ρが１×
１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と悪化する。従って、αの上限値
は０．０１である。
うに、０．０１の場合には所望の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８３
に示すように、０．０１５の場合には、抵抗率ρが１×
１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と悪化する。従って、αの上限値
は０．０１である。
【０１０２】なお、Ｍ1 成分のＰとＶはほぼ同様に働
き、０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲では、
ＰとＶのうち一方または両方を使用することができる。
き、０．０００５≦α≦０．０１を満足する範囲では、
ＰとＶのうち一方または両方を使用することができる。
【０１０３】次に基本成分の組成式中におけるＭ2 の原
子数の割合、すなわちβの値の適性範囲について検討す
る。βの値が、試料Ｎｏ．８５に示すように、０．００
０５の場合には所望の電気特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８４に示すよう
に、０．０００２の場合には、交流電圧２００Ｖ／ｍｍ
におけるｔａｎδが５．０％以上と悪化する。従って、
βの下限値は０．０００５である。
子数の割合、すなわちβの値の適性範囲について検討す
る。βの値が、試料Ｎｏ．８５に示すように、０．００
０５の場合には所望の電気特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８４に示すよう
に、０．０００２の場合には、交流電圧２００Ｖ／ｍｍ
におけるｔａｎδが５．０％以上と悪化する。従って、
βの下限値は０．０００５である。
【０１０４】一方、βの値が、Ｎｏ．８８に示すよう
に、０．０１の場合には、所望の電気特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８９に
示すように、０．０１５の場合には、比誘電率が７００
０未満と悪化する。従って、βの上限値は０．０１であ
る。
に、０．０１の場合には、所望の電気特性を有する誘電
体磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．８９に
示すように、０．０１５の場合には、比誘電率が７００
０未満と悪化する。従って、βの上限値は０．０１であ
る。
【０１０５】なお、Ｍ2 成分のＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ
及びＣｏはそれぞれほぼ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、また、複数を組み合わせて使用
しても同様な効果が得られるものである。
及びＣｏはそれぞれほぼ同様に働き、これらから選択さ
れた一つを使用しても、また、複数を組み合わせて使用
しても同様な効果が得られるものである。
【０１０６】次に、添加成分の好ましい範囲について検
討する。まず、添加成分がＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの
場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図２の三角図に基づ
いて決定することができる。
討する。まず、添加成分がＬｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの
場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｌｉ2 Ｏ−Ｓｉ
Ｏ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図２の三角図に基づ
いて決定することができる。
【０１０７】この三角図における第一の点Ａは、試料Ｎ
ｏ．１に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第二の点
Ｂは、試料Ｎｏ．２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示し、第三の点Ｃは、試料Ｎｏ．３に示すように、Ｌｉ
2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＭＯが４０
モル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料Ｎｏ．４に示
すように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点Ｅは、試料
Ｎｏ．５に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、ＳｉＯ
2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示す。
ｏ．１に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第二の点
Ｂは、試料Ｎｏ．２に示すように、Ｌｉ2 Ｏが１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示し、第三の点Ｃは、試料Ｎｏ．３に示すように、Ｌｉ
2 Ｏが３０モル％、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＭＯが４０
モル％の組成を示し、第四の点Ｄは、試料Ｎｏ．４に示
すように、Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、ＳｉＯ2 が５０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第五の点Ｅは、試料
Ｎｏ．５に示すように、Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、ＳｉＯ
2 が８０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示す。
【０１０８】試料Ｎｏ．１〜５に示されるように、添加
成分の組成範囲が、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比
をモル％で示す三角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅを
順に結ぶ５本の直線で囲まれた範囲内であれば所望の電
気的特性を得ることができるが、試料Ｎｏ．６〜８に示
されるように、添加成分の組成を上記範囲外とすれば、
緻密な焼結体を得ることができない。
成分の組成範囲が、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比
をモル％で示す三角図（図２）の第一〜五の点Ａ〜Ｅを
順に結ぶ５本の直線で囲まれた範囲内であれば所望の電
気的特性を得ることができるが、試料Ｎｏ．６〜８に示
されるように、添加成分の組成を上記範囲外とすれば、
緻密な焼結体を得ることができない。
【０１０９】次に、添加成分がＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏの場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図３の三角図に
基づいて決定することができる。
Ｏの場合、添加成分の好ましい組成範囲は、Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比をモル％で示す図３の三角図に
基づいて決定することができる。
【０１１０】この三角図における第六の点Ｆは、試料Ｎ
ｏ．９に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第七の点
Ｇは、試料Ｎｏ．１０に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示し、第八の点Ｈは、試料Ｎｏ．１１に示すように、Ｂ
2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、ＭＯが７０
モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料Ｎｏ．１２に
示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2が０モル
％、ＭＯが１０モル％の組成を示し、第十の点Ｊは、試
料Ｎｏ．１４に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、Ｓ
ｉＯ2 が１０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第
十一の点Ｋは、試料Ｎｏ．１５に示すように、Ｂ2 Ｏ3
が２０モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％
の組成を示す。
ｏ．９に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が
８０モル％、ＭＯが１９モル％の組成を示し、第七の点
Ｇは、試料Ｎｏ．１０に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＭＯが６０モル％の組成を
示し、第八の点Ｈは、試料Ｎｏ．１１に示すように、Ｂ
2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、ＭＯが７０
モル％の組成を示し、第九の点Ｉは、試料Ｎｏ．１２に
示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2が０モル
％、ＭＯが１０モル％の組成を示し、第十の点Ｊは、試
料Ｎｏ．１４に示すように、Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、Ｓ
ｉＯ2 が１０モル％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第
十一の点Ｋは、試料Ｎｏ．１５に示すように、Ｂ2 Ｏ3
が２０モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが０モル％
の組成を示す。
【０１１１】試料Ｎｏ．９〜１５に示されるように、添
加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜
Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれば所望
の電気的特性を得ることができるが、試料Ｎｏ．１６〜
１８に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外と
すれば、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を
得ることができないか、又は緻密な焼結体を得ることが
できない。
加成分の組成範囲が、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成
比をモル％で示す三角図（図３）の第六〜十一の点Ｆ〜
Ｋを順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれば所望
の電気的特性を得ることができるが、試料Ｎｏ．１６〜
１８に示されるように、添加成分の組成を上記範囲外と
すれば、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を
得ることができないか、又は緻密な焼結体を得ることが
できない。
【０１１２】
【発明の効果】本発明によれば、磁器コンデンサの誘電
体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述した
ように構成したので、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε
s を７２００〜１８９００と飛躍的に向上させることが
でき、従って、磁器コンデンサの小型大容量化を図るこ
とができるという効果がある。
体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述した
ように構成したので、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε
s を７２００〜１８９００と飛躍的に向上させることが
でき、従って、磁器コンデンサの小型大容量化を図るこ
とができるという効果がある。
【０１１３】また、本発明によれば、磁器コンデンサの
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述
したように構成したので、誘電損失の交流電圧特性が良
好な磁器コンデンサを得ることができるという効果があ
る。
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述
したように構成したので、誘電損失の交流電圧特性が良
好な磁器コンデンサを得ることができるという効果があ
る。
【０１１４】更に、本発明によれば、磁器コンデンサの
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中で焼結させるので、内部電極をニッケル等の安価
な卑金属の導電性ペーストで形成することができ、従っ
て、磁器コンデンサの小型大容量化とあいまって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることができるという効果
がある。
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中で焼結させるので、内部電極をニッケル等の安価
な卑金属の導電性ペーストで形成することができ、従っ
て、磁器コンデンサの小型大容量化とあいまって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることができるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例に係る積層磁器コンデンサの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体組成物の添加成分（Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏ）の組成範囲を示す三角図である。
【図３】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏ）の組成範囲を示す三角図である。
する誘電体組成物の添加成分（Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｍ
Ｏ）の組成範囲を示す三角図である。
１２ 誘電体磁器層 １４ 内部電極 １５ 積層焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ Ｐｂ−Ｓｎ半田層
【表３○１】
【表３○２】
【表３○３】
【表３○４】
【表３○５】
【表３○６】
【表４○１】
【表４○２】
【表４○３】
【表４○４】
【表４○５】
【表４○６】
【表５○１】
【表５○２】
【表５○３】
【表５○４】
【表５○５】
【表５○６】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本多 むつみ 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−174710（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−177010（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−133116（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (4)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZr
yRz)O2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから
選択された１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又
はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，
ｋ，α及びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZr
yRz)O2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから
選択された１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又
はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，
ｋ，α及びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十一の点Ｋとを
この順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを
特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項３】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分と
からなり、 前記基本成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZr
yRz)O2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから
選択された１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又
はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，
ｋ，α及びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＬｉ2 ＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｌｉ2 Ｏと前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、 前記Ｌｉ2 Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、 前記Ｌｉ2 Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ2 が３０モル
％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、 前記Ｌｉ2 Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ2 が５０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第四の点Ｄと、 前記Ｌｉ2 Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第五の点Ｅとをこ
の順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサの製造方法。 - 【請求項４】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
量部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分と
からなり、 前記基本成分が、{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-y-zZr
yRz)O2-z/2＋αM1＋βM2（但し、Ｒは、Ｓｃ，Ｙ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕから
選択された１種又は２種以上の元素、Ｍ1 はＰ及び／又
はＶ、Ｍ2 はＣｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選択さ
れた１種又は２種以上の元素、ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ，
ｋ，α及びβは、 ０．００≦ｖ≦０．２７ ０．００≦ｗ≦０．３７ ０．００≦ｘ≦０．０３ ０．００＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．００２≦ｚ≦０．０４ １．００≦ｋ≦１．０４ ０．０００５≦α≦０．０１ ０．０００５≦β≦０．０１ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第六の点Ｆと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第七の点Ｇと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第十一の点Ｋとを
この順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを
特徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35174593A JP3269903B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35174593A JP3269903B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07201645A JPH07201645A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3269903B2 true JP3269903B2 (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18419318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35174593A Expired - Lifetime JP3269903B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3269903B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3180690B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2002050536A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2005104770A (ja) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| CN114133244B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-10-18 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高介电常数gps定位用微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35174593A patent/JP3269903B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07201645A (ja) | 1995-08-04 |
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