JP2779293B2 - 磁器コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
磁器コンデンサ及びその製造方法Info
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- JP2779293B2 JP2779293B2 JP4241368A JP24136892A JP2779293B2 JP 2779293 B2 JP2779293 B2 JP 2779293B2 JP 4241368 A JP4241368 A JP 4241368A JP 24136892 A JP24136892 A JP 24136892A JP 2779293 B2 JP2779293 B2 JP 2779293B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、１又は２以上の誘電体
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
磁器層を少なくとも２以上の内部電極によって各々挟持
させてなる単層又は積層構造の磁器コンデンサ及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、積層磁器コンデンサは、誘電体磁
器原料粉末からなる未焼結磁器シート（グリーンシー
ト）に白金、パラジウム等の貴金属を主成分とする導電
性ペーストを所望パターンで印刷し、この未焼結磁器シ
ートを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中におい
て１３００℃〜１６００℃の温度で焼成させることによ
って製造されている。
器原料粉末からなる未焼結磁器シート（グリーンシー
ト）に白金、パラジウム等の貴金属を主成分とする導電
性ペーストを所望パターンで印刷し、この未焼結磁器シ
ートを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性雰囲気中におい
て１３００℃〜１６００℃の温度で焼成させることによ
って製造されている。
【０００３】ここで、導電性ペーストとして白金、パラ
ジウム等の貴金属を主成分とするものを使用しているの
は、導電性ペーストとしてこれら貴金属を主成分とする
ものを使用すれば、積層磁器コンデンサを酸化性雰囲気
中において１３００℃〜１６００℃の高温で焼成させて
も導電性ペーストが酸化せず、所望の内部電極が得られ
るからである。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価な材料であるので、従来の積層磁器コンデンサはコ
スト高になるという問題があった。
ジウム等の貴金属を主成分とするものを使用しているの
は、導電性ペーストとしてこれら貴金属を主成分とする
ものを使用すれば、積層磁器コンデンサを酸化性雰囲気
中において１３００℃〜１６００℃の高温で焼成させて
も導電性ペーストが酸化せず、所望の内部電極が得られ
るからである。しかし、白金、パラジウム等の貴金属は
高価な材料であるので、従来の積層磁器コンデンサはコ
スト高になるという問題があった。
【０００４】この問題を解決することができるものとし
て、本件出願人に係わる特公昭６０−２０８５１号公報
には、{(BaxCaySrz)O}k(TinZr1-n)O2 からなる基本成分
と、ＭＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｃａ
Ｏ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化
物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
て、本件出願人に係わる特公昭６０−２０８５１号公報
には、{(BaxCaySrz)O}k(TinZr1-n)O2 からなる基本成分
と、ＭＯとＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，Ｃａ
Ｏ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上の酸化
物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物が開示
されている。
【０００５】また、特開昭６１−１４７４０４号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯからなる添加成分とを
含む誘電体磁器組成物が開示されている。
【０００６】また、特開昭６１−１４７４０５号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}k(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 からなる添加成分とを含む誘
電体磁器組成物が開示されている。
【０００７】また、特開昭６１−１４７４０６号公報に
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}K(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上
の酸化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
は、{(Ba1-x-yCaxSry)O}K(Ti1-zZrz)O2 からなる基本成
分と、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＣａＯ及びＳｒＯから選択された１種又は２種以上
の酸化物）からなる添加成分とを含む誘電体磁器組成物
が開示されている。
【０００８】これらの各公報に開示されている誘電体磁
器組成物は、還元性雰囲気中における１２００℃以下の
比較的低い温度の焼成で得ることができるものであり、
その比誘電率εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０6
ＭΩ・ｃｍ以上である。
器組成物は、還元性雰囲気中における１２００℃以下の
比較的低い温度の焼成で得ることができるものであり、
その比誘電率εは５０００以上、抵抗率ρは１×１０6
ＭΩ・ｃｍ以上である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子回路の高密度化への進展は著しく、積層磁器コン
デンサの小型化に対する要求は非常に強いが、更に、積
層磁器コンデンサが自動車等の電装用として使用される
ことから、高温における信頼性に対する要求も非常に強
い。
る電子回路の高密度化への進展は著しく、積層磁器コン
デンサの小型化に対する要求は非常に強いが、更に、積
層磁器コンデンサが自動車等の電装用として使用される
ことから、高温における信頼性に対する要求も非常に強
い。
【００１０】このため、積層磁器コンデンサの誘電体層
を構成する誘電体磁器組成物の比誘電率εと高温ＣＲ積
を、他の電気的特性を悪化させることなく、上記各公報
に開示されている誘電体磁器組成物よりも更に良好なら
しめた磁器コンデンサの開発が望まれていた。
を構成する誘電体磁器組成物の比誘電率εと高温ＣＲ積
を、他の電気的特性を悪化させることなく、上記各公報
に開示されている誘電体磁器組成物よりも更に良好なら
しめた磁器コンデンサの開発が望まれていた。
【００１１】そこで、本発明の目的は、非酸化性雰囲気
中における１２００℃以下の温度の焼成で得られるもの
であるにもかかわらず、誘電体層を構成している誘電体
磁器組成物の比誘電率εが７０００以上、誘電体損失ｔ
ａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０6 ＭΩ・ｃ
ｍ以上、１２５℃下におけるＣＲ積が１０００Ｆ・Ω以
上と、その電気的特性が従来のものより更に優れた磁器
コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
中における１２００℃以下の温度の焼成で得られるもの
であるにもかかわらず、誘電体層を構成している誘電体
磁器組成物の比誘電率εが７０００以上、誘電体損失ｔ
ａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０6 ＭΩ・ｃ
ｍ以上、１２５℃下におけるＣＲ積が１０００Ｆ・Ω以
上と、その電気的特性が従来のものより更に優れた磁器
コンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁器コンデ
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくと
も２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサにおい
て、
ンサは、誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電
体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくと
も２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサにおい
て、
【００１３】前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量
部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分との
混合物を焼成したものからなり、前記基本成分が、 (1−α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR' z)O3/2 （但し、Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′
は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，
Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素、
α，ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、 ０．００２≦α≦０．０４ ０≦ｖ≦０．２７ ０＜ｗ≦０．３７ ０．００１≦ｘ≦０．０３ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．５≦ｚ≦０．９ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図において、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第１の点Ａと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第２の点Ｂと、前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが７０モル％の
組成を示す第３の点Ｃと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、
前記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の組成
を示す第４の点Ｄと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記
ＳｉＯ2 が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示
す第５の点Ｅと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記Ｓｉ
Ｏ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第
６の点Ｆとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内
にあるものである。
部の基本成分と、０．２〜５．０重量部の添加成分との
混合物を焼成したものからなり、前記基本成分が、 (1−α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR' z)O3/2 （但し、Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′
は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，
Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素、
α，ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、 ０．００２≦α≦０．０４ ０≦ｖ≦０．２７ ０＜ｗ≦０．３７ ０．００１≦ｘ≦０．０３ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．５≦ｚ≦０．９ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）で表わされる物質からなり、前記添加
成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯはＢａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された
１種又は２種以上の酸化物）とからなり、前記Ｂ2 Ｏ3
と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組
成をモル％で示す三角図において、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モ
ル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、前記ＭＯが１９モル
％の組成を示す第１の点Ａと、前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル
％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％
の組成を示す第２の点Ｂと、前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル
％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが７０モル％の
組成を示す第３の点Ｃと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、
前記ＳｉＯ2 が０モル％、前記ＭＯが１０モル％の組成
を示す第４の点Ｄと、前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記
ＳｉＯ2 が１０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示
す第５の点Ｅと、前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記Ｓｉ
Ｏ2 が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第
６の点Ｆとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内
にあるものである。
【００１４】ここで、基本成分の組成式中における(R
1-zR' z)O3/2 の割合、すなわちαの値を０．００２≦α
≦０．０４としたのは、αの値がこの範囲内にある場合
は所望の電気的特性の焼結体を得ることができるが、
０．００２未満になった場合には、ｔａｎδが大幅に悪
化し、抵抗率ρも１×１０3 ＭΩ・ｃｍ未満となり、ま
た、０．０４を越えた場合には、焼成温度が１２５０℃
であっても、緻密な焼結体を得ることができないからで
ある。
1-zR' z)O3/2 の割合、すなわちαの値を０．００２≦α
≦０．０４としたのは、αの値がこの範囲内にある場合
は所望の電気的特性の焼結体を得ることができるが、
０．００２未満になった場合には、ｔａｎδが大幅に悪
化し、抵抗率ρも１×１０3 ＭΩ・ｃｍ未満となり、ま
た、０．０４を越えた場合には、焼成温度が１２５０℃
であっても、緻密な焼結体を得ることができないからで
ある。
【００１５】また、基本成分の組成式中におけるＣａの
原子数の割合、すなわちｖの値を０≦ｖ≦０．２７とし
たのは、ｖの値がこの範囲内にある場合には、所望の電
気的特性を有するとともに、温度特性が平坦で、抵抗率
ρの高い焼結体を得ることができるが、０．２７を越え
た場合には、緻密な焼結体を得るための焼成温度が１２
５０℃を越えて高くなり、比誘電率εs も７０００未満
となるからである。
原子数の割合、すなわちｖの値を０≦ｖ≦０．２７とし
たのは、ｖの値がこの範囲内にある場合には、所望の電
気的特性を有するとともに、温度特性が平坦で、抵抗率
ρの高い焼結体を得ることができるが、０．２７を越え
た場合には、緻密な焼結体を得るための焼成温度が１２
５０℃を越えて高くなり、比誘電率εs も７０００未満
となるからである。
【００１６】なお、このＣａは、上述したように磁器コ
ンデンサの温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を
図るために使用する元素であるため、あえて含有させな
くても、すなわちｖの値を零としても所望の電気的特性
を有する焼結体を得ることはできる。
ンデンサの温度特性を平坦にし、また抵抗率ρの向上を
図るために使用する元素であるため、あえて含有させな
くても、すなわちｖの値を零としても所望の電気的特性
を有する焼結体を得ることはできる。
【００１７】また、関係式０．６ｗ＋ｙの値を０．０５
≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｗ
＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性
を有する焼結体を得ることができるが、関係式０．６ｗ
＋ｙの値が０．０５未満となったり、０．２６を越えた
りした場合は、いずれも比誘電率εs が７０００未満と
なるからである。
≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６としたのは、関係式０．６ｗ
＋ｙの値がこの範囲内にある場合は、所望の電気的特性
を有する焼結体を得ることができるが、関係式０．６ｗ
＋ｙの値が０．０５未満となったり、０．２６を越えた
りした場合は、いずれも比誘電率εs が７０００未満と
なるからである。
【００１８】ここで、関係式０．６ｗ＋ｙの値について
範囲を定めたのは、ｗ，ｙで割合が示されるＳｒ，Ｚｒ
はいずれもキュリー点を低温側にシフトさせる元素であ
り、全体として考慮する必要があるからである。但し、
Ｓｒのシフターとしての特性はＺｒを１とした場合に３
／５（＝０．６）であるので、ｗには係数０．６を掛け
て補正した。
範囲を定めたのは、ｗ，ｙで割合が示されるＳｒ，Ｚｒ
はいずれもキュリー点を低温側にシフトさせる元素であ
り、全体として考慮する必要があるからである。但し、
Ｓｒのシフターとしての特性はＺｒを１とした場合に３
／５（＝０．６）であるので、ｗには係数０．６を掛け
て補正した。
【００１９】なお、関係式０．６ｗ＋ｙの値が０．２６
以下であっても、ｗの値が０．３７を越えると、比誘電
率εs が７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ
＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限値
は０．３７としなければならない。このため、Ｓｒ，Ｚ
ｒの割合は、０＜ｗ≦０．３７及び０＜ｙ＜０．２６を
満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．
２６を満足させる範囲としなければならない。
以下であっても、ｗの値が０．３７を越えると、比誘電
率εs が７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ
＋ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限値
は０．３７としなければならない。このため、Ｓｒ，Ｚ
ｒの割合は、０＜ｗ≦０．３７及び０＜ｙ＜０．２６を
満足する範囲で、且つ、０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．
２６を満足させる範囲としなければならない。
【００２０】また、基本成分の組成式中におけるＭｇの
原子数の割合、すなわちｘの値を０．００１≦ｘ≦０．
０３としたのは、ｘの値がこの範囲内の場合には所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、ｘの値が０．０３を越えた場合には誘電体磁器組
成物の比誘電率εs が急激に低下して７０００未満とな
るからである。
原子数の割合、すなわちｘの値を０．００１≦ｘ≦０．
０３としたのは、ｘの値がこの範囲内の場合には所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、ｘの値が０．０３を越えた場合には誘電体磁器組
成物の比誘電率εs が急激に低下して７０００未満とな
るからである。
【００２１】なお、Ｍｇはキュリー点を低温側にシフト
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するものである。また、Ｍｇ
は、ｘの値が０．０３以下の範囲において極微量であっ
てもそれなりの効果を有するが、量産する時の電気的特
性のバラツキを考慮すれば、ｘの値は０．０００１以上
とすることが望ましい。
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するものである。また、Ｍｇ
は、ｘの値が０．０３以下の範囲において極微量であっ
てもそれなりの効果を有するが、量産する時の電気的特
性のバラツキを考慮すれば、ｘの値は０．０００１以上
とすることが望ましい。
【００２２】また、基本成分の組成式中におけるＲ′の
原子数の割合、すなわちｚの値を０．５≦ｚ≦０．９と
したのは、ｚの値がこの範囲内にある場合には所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、０．５
未満になった場合、もしくは、０．９を越えた場合に
は、高温ＣＲ積が１０００Ｆ・Ωを割ってしまい、所望
の電気的特性のものを得ることができないからである。
原子数の割合、すなわちｚの値を０．５≦ｚ≦０．９と
したのは、ｚの値がこの範囲内にある場合には所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、０．５
未満になった場合、もしくは、０．９を越えた場合に
は、高温ＣＲ積が１０００Ｆ・Ωを割ってしまい、所望
の電気的特性のものを得ることができないからである。
【００２３】なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕはほゞ同様に働き、これ等から選択
された１つを使用しても、または複数を使用しても同様
な結果が得られる。また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕもほゞ同
様に働き、これ等から選択された１つを使用しても、ま
たは複数を使用しても同様な結果が得られる。
Ｐｍ，Ｓｍ及びＥｕはほゞ同様に働き、これ等から選択
された１つを使用しても、または複数を使用しても同様
な結果が得られる。また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｇｄ，
Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ及びＬｕもほゞ同
様に働き、これ等から選択された１つを使用しても、ま
たは複数を使用しても同様な結果が得られる。
【００２４】基本成分の組成式中における{(Ba1-v-w-xC
avSrwMgx)O} の割合、すなわちｋの値を１．００≦ｋ≦
１．０４としたのは、ｋの値がこの範囲内にある場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、１．００未満になった場合には、抵抗率ρが１×
１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなり、１．０４を
越えた場合には、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を
得ることができないからである。
avSrwMgx)O} の割合、すなわちｋの値を１．００≦ｋ≦
１．０４としたのは、ｋの値がこの範囲内にある場合に
は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、１．００未満になった場合には、抵抗率ρが１×
１０4 ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなり、１．０４を
越えた場合には、１２５０℃の焼成でも緻密な焼結体を
得ることができないからである。
【００２５】なお、基本成分の中には、本発明の目的を
阻害しない範囲で微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５
〜０．１重量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上さ
せてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加し
てもよい。また、基本成分を得るための出発原料として
は、実施例で示した以外の酸化物を使用してもよいし、
水酸化物又はその他の化合物を使用してもよい。
阻害しない範囲で微量のＭｎＯ2 （好ましくは０．０５
〜０．１重量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上さ
せてもよい。また、その他の物質を必要に応じて添加し
てもよい。また、基本成分を得るための出発原料として
は、実施例で示した以外の酸化物を使用してもよいし、
水酸化物又はその他の化合物を使用してもよい。
【００２６】次に、添加成分の添加量を、１００重量部
の基本成分に対して０．２〜５．０重量部としたのは、
添加成分の添加量がこの範囲内にある場合は１１８０〜
１１９０℃の焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を
得ることができるが、０．２重量部未満になると、焼成
温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることが
できないし、また、５．０重量部を越えると、比誘電率
εs が７０００未満となるからである。
の基本成分に対して０．２〜５．０重量部としたのは、
添加成分の添加量がこの範囲内にある場合は１１８０〜
１１９０℃の焼成で所望の電気的特性を有する焼結体を
得ることができるが、０．２重量部未満になると、焼成
温度が１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることが
できないし、また、５．０重量部を越えると、比誘電率
εs が７０００未満となるからである。
【００２７】添加成分の組成を、Ｂ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 と
ＭＯとの組成をモル％で示す三角図において、前記した
点Ａ〜Ｆをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内と
したのは、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれ
ば、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、添加成分の組成をこの範囲外とすれば、１２５０
℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができないからであ
る。なお、ＭＯ成分は、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または適
当な比率としてもよい。
ＭＯとの組成をモル％で示す三角図において、前記した
点Ａ〜Ｆをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内と
したのは、添加成分の組成をこの範囲内のものとすれ
ば、所望の電気的特性を有する焼結体を得ることができ
るが、添加成分の組成をこの範囲外とすれば、１２５０
℃の焼成で緻密な焼結体を得ることができないからであ
る。なお、ＭＯ成分は、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または適
当な比率としてもよい。
【００２８】次に、本発明に係る磁器コンデンサの製造
方法は、前記の基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混合物
からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼
結磁器シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で
挟持させた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸
化性雰囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受け
た積層物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを
備えたものである。
方法は、前記の基本成分と添加成分とからなる未焼結の
磁器粉末からなる混合物を調製する工程と、前記混合物
からなる未焼結磁器シートを形成する工程と、前記未焼
結磁器シートを少なくとも２以上の導電性ペースト膜で
挟持させた積層物を形成する工程と、前記積層物を非酸
化性雰囲気中において焼成する工程と、前記焼成を受け
た積層物を酸化性雰囲気中において熱処理する工程とを
備えたものである。
【００２９】ここで、非酸化性雰囲気としては、Ｈ2 や
ＣＯなどの還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの
中性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中に
おける焼成温度は、電極材料を考慮して種々変更するこ
とができる。ニッケルを内部電極とする場合には、１０
５０℃〜１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほと
んど生じさせることなく焼成することができる。
ＣＯなどの還元性雰囲気のみならず、Ｎ2 やＡｒなどの
中性雰囲気であってもよい。また、非酸化性雰囲気中に
おける焼成温度は、電極材料を考慮して種々変更するこ
とができる。ニッケルを内部電極とする場合には、１０
５０℃〜１２００℃の範囲でニッケル粒子の凝集をほと
んど生じさせることなく焼成することができる。
【００３０】また、酸化性雰囲気中における熱処理の温
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度
であればよく、５００〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述する実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
度は、非酸化性雰囲気中における焼成温度より低い温度
であればよく、５００〜１０００℃の範囲が好ましい。
酸化性雰囲気としては、大気雰囲気に限定することな
く、例えば、Ｎ2 に数ｐｐｍのＯ2 を混合したような低
酸素濃度の雰囲気から任意の酸素濃度の雰囲気を使用す
ることができる。どのような温度あるいはどのような酸
素濃度の雰囲気にするかは、電極材料（ニッケル等）の
酸化と誘電体磁器層の酸化とを考慮して種々変更する必
要がある。後述する実施例ではこの熱処理の温度を６０
０℃としたが、この温度に限定されるものではない。
【００３１】また、後述する実施例では非酸化性雰囲気
中における焼成と、酸化性雰囲気中における熱処理を１
つの連続したプロファイルの中で行なっているが、もち
ろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲
気中における熱処理工程とを独立した工程に分けて行な
うことも可能である。
中における焼成と、酸化性雰囲気中における熱処理を１
つの連続したプロファイルの中で行なっているが、もち
ろん非酸化性雰囲気中における焼成工程と、酸化性雰囲
気中における熱処理工程とを独立した工程に分けて行な
うことも可能である。
【００３２】また、実施例では外部電極としてＺｎ電極
を使用しているが、電極の焼付け条件を選択することに
よりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるの
はもちろんであるし、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の端
面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に
行なうこともできる。なお、本発明は積層磁器コンデン
サ以外の一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可
能である。
を使用しているが、電極の焼付け条件を選択することに
よりＮｉ，Ａｇ，Ｃｕ等の電極を用いることができるの
はもちろんであるし、Ｎｉ外部電極を未焼成積層体の端
面に塗布して積層体の焼成と外部電極の焼付けを同時に
行なうこともできる。なお、本発明は積層磁器コンデン
サ以外の一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可
能である。
【００３３】
【実施例】まず、表３のＮｏ．１の試料の場合につい
て説明する。基本成分の調製 表１に示す化合物を各々秤量し、これらの化合物を、複
数個のアルミナボール及び２．５リットルの水ととも
に、ポットミルに入れ、１５時間攪拌混合して、混合物
を得た。
て説明する。基本成分の調製 表１に示す化合物を各々秤量し、これらの化合物を、複
数個のアルミナボール及び２．５リットルの水ととも
に、ポットミルに入れ、１５時間攪拌混合して、混合物
を得た。
【００３４】
【表１】
【００３５】ここで、表１の各化合物の重量（ｇ）は、
前記基本成分の組成式 (1-α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR'Z)O3/2 …(1) （但し、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′は、
Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ
及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素）にお
ける第１項の{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2が {Ba0.84Ca0.07Sr0.08Mg0.01)O}1.01(Ti0.90Zr0.10)O2 となるように計算して求めた値である。
前記基本成分の組成式 (1-α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR'Z)O3/2 …(1) （但し、ＲはＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及び
Ｅｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′は、
Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，Ｔｍ
及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素）にお
ける第１項の{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2が {Ba0.84Ca0.07Sr0.08Mg0.01)O}1.01(Ti0.90Zr0.10)O2 となるように計算して求めた値である。
【００３６】次に、この原料混合物をステンレスポット
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1) における第
１項の成分（第１基本成分）の粉末を得た。
に入れ、熱風式乾燥器を用い、１５０℃で４時間乾燥
し、この乾燥した混合物を粗粉砕し、この粗粉砕した混
合物をトンネル炉を用い、大気中において約１２００℃
で２時間仮焼し、上記基本成分の組成式(1) における第
１項の成分（第１基本成分）の粉末を得た。
【００３７】そして、表３の試料Ｎｏ．１に示すよう
に、１−αが０．９８モル、αが０．０２モルとなるよ
うに、９８モル部（９８４．０８ｇ）の第１基本成分の
粉末と、２モル部（１５．９２ｇ、うち、Ｄｙ2 Ｏ3 が
１１．５５ｇ，Ｐｒ2 Ｏ3 が４．３７ｇ）の第２基本成
分（基本成分の組成式(1) における第２項の成分）の粉
末とを湿式ポットミルで撹拌混合し、１５０℃で乾燥さ
せ、１０００ｇの基本成分粉末を得た。
に、１−αが０．９８モル、αが０．０２モルとなるよ
うに、９８モル部（９８４．０８ｇ）の第１基本成分の
粉末と、２モル部（１５．９２ｇ、うち、Ｄｙ2 Ｏ3 が
１１．５５ｇ，Ｐｒ2 Ｏ3 が４．３７ｇ）の第２基本成
分（基本成分の組成式(1) における第２項の成分）の粉
末とを湿式ポットミルで撹拌混合し、１５０℃で乾燥さ
せ、１０００ｇの基本成分粉末を得た。
【００３８】添加成分の調製 また、表２の化合物を各々秤量し、これらの化合物をポ
リエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３０
０ミリリットルのアルコールとともに加え、１０時間攪
拌混合して、混合物を得た。
リエチレンポットに、複数個のアルミナボール及び３０
０ミリリットルのアルコールとともに加え、１０時間攪
拌混合して、混合物を得た。
【００３９】
【表２】
【００４０】ここで、表２の各化合物の重量（ｇ）は、
Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
９モル％｛ＢａＯ（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モ
ル％）＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように
計算して求めた値である。また、ＭＯのうちでＢａＯ，
ＣａＯ及びＭｇＯの占める割合は、ＢａＯが２０モル
％、ＣａＯが５０モル％、ＭｇＯが３０モル％である。
Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、ＭＯが１
９モル％｛ＢａＯ（３．８モル％）＋ＣａＯ（９．５モ
ル％）＋ＭｇＯ（５．７モル％）｝の組成となるように
計算して求めた値である。また、ＭＯのうちでＢａＯ，
ＣａＯ及びＭｇＯの占める割合は、ＢａＯが２０モル
％、ＣａＯが５０モル％、ＭｇＯが３０モル％である。
【００４１】次に、前記混合物を大気中において約１０
００℃の温度で２時間仮焼し、これをアルミナポットに
複数個のアルミナボール及び３００ミリリットルの水と
ともに入れ、１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時
間乾燥させ、前記組成の添加成分の粉末を得た。
００℃の温度で２時間仮焼し、これをアルミナポットに
複数個のアルミナボール及び３００ミリリットルの水と
ともに入れ、１５時間粉砕し、その後、１５０℃で４時
間乾燥させ、前記組成の添加成分の粉末を得た。
【００４２】スラリーの調製 次に、１００重量部（１０００ｇ）の前記基本成分と、
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。ここで、有機バインダーとし
ては、アクリル酸エステルポリマー、グリセリン及び縮
合リン酸塩の水溶液からなるものを使用した。
２重量部（２０ｇ）の前記添加成分とをボールミルに入
れ、更に、これらの基本成分と添加成分との合計重量に
対して１５重量％の有機バインダーと５０重量％の水を
入れ、これらを混合及び粉砕して誘電体磁器組成物の原
料となるスラリーを得た。ここで、有機バインダーとし
ては、アクリル酸エステルポリマー、グリセリン及び縮
合リン酸塩の水溶液からなるものを使用した。
【００４３】未焼結磁器シートの形成 次に、上記スラリーを真空脱泡機に入れて脱泡処理し、
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０ｃｍ角の未焼結磁器シートを得
た。
この脱泡処理したスラリーをポリエステルフィルム上に
リバースコータを用いて所定の厚さで塗布し、この塗布
されたスラリーをこのポリエステルフィルムとともに１
００℃で加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍの長尺な未
焼結磁器シートを得た。そして、この長尺な未焼結磁器
シートを裁断して１０ｃｍ角の未焼結磁器シートを得
た。
【００４４】導電性ペーストの調製と印刷 また、粒径平均１．５μｍのニッケル粉末１０ｇと、エ
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを攪拌機に入れて１０時間攪拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
チルセルロース０．９ｇをブチルカルビトール９．１ｇ
に溶解させたものとを攪拌機に入れて１０時間攪拌し、
内部電極用の導電性ペーストを得た。
【００４５】そして、前記未焼結磁器シートの片面にこ
の導電性ペーストからなるパターン（長さ１４ｍｍ、幅
７ｍｍ）を５０個、スクリーン印刷法によって形成さ
せ、乾燥させた。
の導電性ペーストからなるパターン（長さ１４ｍｍ、幅
７ｍｍ）を５０個、スクリーン印刷法によって形成さ
せ、乾燥させた。
【００４６】未焼結磁器シートの積層 次に、この未焼結磁器シートを、導電性ペーストからな
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。そして、更に上記のように
して積層したものの上下両面に厚さ６０μｍの未焼結磁
器シートを各々４枚ずつ積層して積層物を得た。
るパターンが形成されている側を上にして２枚積層し
た。この積層の際、隣接する上下の未焼結磁器シート間
において、導電性ペーストからなるパターンが長手方向
に半分程ずれるようにした。そして、更に上記のように
して積層したものの上下両面に厚さ６０μｍの未焼結磁
器シートを各々４枚ずつ積層して積層物を得た。
【００４７】積層物の圧着と裁断 次に、約５０℃の温度下において、この積層物に厚さ方
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
向から約４０トンの荷重を加えて、この積層物を構成し
ている未焼結磁器シート相互を圧着させた。そして、こ
の積層物を格子状に裁断して、５０個の積層体チップを
得た。
【００４８】積層体チップの焼成 次に、この積層体チップを雰囲気焼成が可能な炉に入
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
れ、この炉内を大気雰囲気にし、１００℃／ｈの速度で
６００℃まで昇温させ、未焼結磁器シート中の有機バイ
ンダーを燃焼除去させた。
【００４９】その後、炉内の雰囲気を大気雰囲気から還
元雰囲気｛Ｈ2(２体積％）＋Ｎ2(９８体積％）｝に変
え、炉内の温度を６００℃から１１６０℃まで、１００
℃／ｈの速度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保
持し、その後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃
の温度を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
元雰囲気｛Ｈ2(２体積％）＋Ｎ2(９８体積％）｝に変
え、炉内の温度を６００℃から１１６０℃まで、１００
℃／ｈの速度で昇温させ、１１６０℃の温度を３時間保
持し、その後、１００℃／ｈの速度で降温させ、炉内の
雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）に変え、６００℃
の温度を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室
温まで冷却して積層焼結体チップを得た。
【００５０】外部電極の形成 次に、この積層焼結体チップの対向する側面のうちで、
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、図１に示すような、３層の誘電体磁器層１２，
１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる積層
焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１６が
形成された積層磁器コンデンサ１０が得られた。
内部電極の端部が露出している側面に一対の外部電極を
形成し、図１に示すような、３層の誘電体磁器層１２，
１２，１２と２層の内部電極１４，１４とからなる積層
焼結体チップ１５の端部に一対の外部電極１６，１６が
形成された積層磁器コンデンサ１０が得られた。
【００５１】ここで、外部電極１６は、前記側面に亜鉛
とガラスフリット(glass frit)とビヒクル(vehicle) と
からなる導電性ペーストを塗布し、この導電性ペースト
を、乾燥後、大気中において５５０℃の温度で１５分間
焼き付けて亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１
８の上に無電解メッキ法で銅層２０を形成し、更にこの
銅層２０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を
設けることによって形成した。
とガラスフリット(glass frit)とビヒクル(vehicle) と
からなる導電性ペーストを塗布し、この導電性ペースト
を、乾燥後、大気中において５５０℃の温度で１５分間
焼き付けて亜鉛電極層１８とし、更にこの亜鉛電極層１
８の上に無電解メッキ法で銅層２０を形成し、更にこの
銅層２０の上に電気メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層２２を
設けることによって形成した。
【００５２】なお、この積層磁器コンデンサ１０の誘電
体磁器層１２の厚さは０．０２ｍｍ、一対の内部電極１
４，１４の対向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前
の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同じ
である。
体磁器層１２の厚さは０．０２ｍｍ、一対の内部電極１
４，１４の対向面積は５ｍｍ×５ｍｍ＝２５ｍｍ2 であ
る。また、焼結後の誘電体磁器層１２の組成は、焼結前
の基本成分及び添加成分の混合物の組成と実質的に同じ
である。
【００５３】電気的特性の測定 次に、積層磁器コンデンサ１０の電気的特性を測定し、
その平均値を求めたところ、表３の右欄に示すよう
に、比誘電率εs が１５７００、ｔａｎδが１．１％、
抵抗率ρが３．９５×１０6 ＭΩ・ｃｍ、高温ＣＲ積が
１７７０Ｆ・Ωであった。
その平均値を求めたところ、表３の右欄に示すよう
に、比誘電率εs が１５７００、ｔａｎδが１．１％、
抵抗率ρが３．９５×１０6 ＭΩ・ｃｍ、高温ＣＲ積が
１７７０Ｆ・Ωであった。
【００５４】なお、電気的特性は次の要領で測定した。 (A) 比誘電率εs は、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ2 ）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０２ｍｍ）から計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率ε
s の測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。 (D) 高温ＣＲ積（Ｆ・Ω）は、温度１２５℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測
定し、また、ＤＣ１００Ｖを１分間印加した後に、一対
の外部電極１６，１６間の抵抗値〔ＭΩ〕を測定し、計
算で求めた。
圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測定し、この
測定値と、一対の内部電極１４，１４の対向面積（２５
ｍｍ2 ）と一対の内部電極１４，１４間の誘電体磁器層
１２の厚さ（０．０２ｍｍ）から計算で求めた。 (B) 誘電体損失ｔａｎδ（％）は、上記した比誘電率ε
s の測定の場合と同一の条件で測定した。 (C) 抵抗率ρ（ＭΩ・ｃｍ）は、温度２０℃においてＤ
Ｃ１００Ｖを１分間印加した後に、一対の外部電極１
６，１６間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法とに基
づいて計算で求めた。 (D) 高温ＣＲ積（Ｆ・Ω）は、温度１２５℃、周波数１
ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量を測
定し、また、ＤＣ１００Ｖを１分間印加した後に、一対
の外部電極１６，１６間の抵抗値〔ＭΩ〕を測定し、計
算で求めた。
【００５５】以上、Ｎｏ．１の試料の場合について述べ
たが、Ｎｏ．２〜１００の試料の場合についても、基本
成分及び添加成分の組成を表３〜表３の左欄に示す
ように変え、還元性雰囲気中における焼成温度を表３
〜表３の右欄に示すように変えた他は、Ｎｏ．１の試
料の場合と全く同一の条件で積層磁器コンデンサを作成
し、同一の方法で電気的特性を測定した。Ｎｏ．１〜１
００の試料の場合の焼成温度及び電気的特性は表３〜
表３の右欄に示す通りとなった。
たが、Ｎｏ．２〜１００の試料の場合についても、基本
成分及び添加成分の組成を表３〜表３の左欄に示す
ように変え、還元性雰囲気中における焼成温度を表３
〜表３の右欄に示すように変えた他は、Ｎｏ．１の試
料の場合と全く同一の条件で積層磁器コンデンサを作成
し、同一の方法で電気的特性を測定した。Ｎｏ．１〜１
００の試料の場合の焼成温度及び電気的特性は表３〜
表３の右欄に示す通りとなった。
【００５６】表３〜表３において、１−αの欄には
基本成分の組成式における第１項の{(Ba1-v-w-xCavSrwM
gx)O}k(Ti1-yZry)O2の割合が、１−ｖ−ｗ−ｘの欄には
基本成分の組成式の第１項におけるＢａの原子数の割合
が、ｖの欄には基本成分の組成式の第１項におけるＣａ
の原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の組成式の第１
項におけるＳｒの原子数の割合が、ｘの欄には基本成分
の組成式の第１項におけるＭｇの原子数の割合が、１−
ｙの欄には基本成分の組成式の第１項におけるＴｉの原
子数の割合が、ｙの欄には基本成分の組成式の第１項に
おけるＺｒの原子数の割合が、ｗ＋ｙの欄には基本成分
の組成式の第１項におけるＳｒ＋Ｚｒの原子数の割合
が、ｋの欄には基本成分の組成式の第１項における{(Ba
1-v-w-xCavSrwMgx)O} の割合が、αの欄には基本成分の
組成式の第２項の(R1-zR'Z)O3/2 の割合が、１−ｚの欄
には基本成分の組成式の第２項のＲの原子数の割合が、
ｚの欄には基本成分の組成式における第２項のＲ′の原
子数の割合が示されている。
基本成分の組成式における第１項の{(Ba1-v-w-xCavSrwM
gx)O}k(Ti1-yZry)O2の割合が、１−ｖ−ｗ−ｘの欄には
基本成分の組成式の第１項におけるＢａの原子数の割合
が、ｖの欄には基本成分の組成式の第１項におけるＣａ
の原子数の割合が、ｗの欄には基本成分の組成式の第１
項におけるＳｒの原子数の割合が、ｘの欄には基本成分
の組成式の第１項におけるＭｇの原子数の割合が、１−
ｙの欄には基本成分の組成式の第１項におけるＴｉの原
子数の割合が、ｙの欄には基本成分の組成式の第１項に
おけるＺｒの原子数の割合が、ｗ＋ｙの欄には基本成分
の組成式の第１項におけるＳｒ＋Ｚｒの原子数の割合
が、ｋの欄には基本成分の組成式の第１項における{(Ba
1-v-w-xCavSrwMgx)O} の割合が、αの欄には基本成分の
組成式の第２項の(R1-zR'Z)O3/2 の割合が、１−ｚの欄
には基本成分の組成式の第２項のＲの原子数の割合が、
ｚの欄には基本成分の組成式における第２項のＲ′の原
子数の割合が示されている。
【００５７】また、表３〜表３において、添加成分
の内容の欄において、添加量重量部の欄には基本成分１
００重量部に対する添加成分の添加量が重量部で示さ
れ、組成の欄にはＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯの割合が
モル％で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａＯ，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されてい
る。
の内容の欄において、添加量重量部の欄には基本成分１
００重量部に対する添加成分の添加量が重量部で示さ
れ、組成の欄にはＢ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 及びＭＯの割合が
モル％で示され、ＭＯの内容の欄にはＢａＯ，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯの割合がモル％で示されてい
る。
【００５８】また、表３〜表３において、Ｎｏ．１
〜１９の試料による実験は添加成分であるガラスの適正
範囲を明らかにし、Ｎｏ．２０〜３１の試料による実験
は添加成分であるガラスの添加量の適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．３２〜４３の試料による実験はＣａの原子数
の割合であるｖ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．４４
〜５９の試料による実験はＳｒの原子数の割合であるｗ
値と、Ｚｒの原子数の割合であるｙ値の適正範囲を明ら
かにし、Ｎｏ．６０〜６９の試料による実験はＭｇの原
子数の割合であるｘ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．
７０〜７９の試料による実験はＲ′の原子数の割合であ
るｚ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．８０〜９０の試
料による実験は(R1-zR'z)O3/2 成分の割合であるαの適
正範囲を明らかにし、Ｎｏ．９１〜１００の試料による
実験は{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}成分の割合であるｋの
適正範囲を明らかにするものである。
〜１９の試料による実験は添加成分であるガラスの適正
範囲を明らかにし、Ｎｏ．２０〜３１の試料による実験
は添加成分であるガラスの添加量の適正範囲を明らかに
し、Ｎｏ．３２〜４３の試料による実験はＣａの原子数
の割合であるｖ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．４４
〜５９の試料による実験はＳｒの原子数の割合であるｗ
値と、Ｚｒの原子数の割合であるｙ値の適正範囲を明ら
かにし、Ｎｏ．６０〜６９の試料による実験はＭｇの原
子数の割合であるｘ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．
７０〜７９の試料による実験はＲ′の原子数の割合であ
るｚ値の適正範囲を明らかにし、Ｎｏ．８０〜９０の試
料による実験は(R1-zR'z)O3/2 成分の割合であるαの適
正範囲を明らかにし、Ｎｏ．９１〜１００の試料による
実験は{(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}成分の割合であるｋの
適正範囲を明らかにするものである。
【００５９】
【表３】
【００６０】
【表３】
【００６１】
【表３】
【００６２】
【表３】
【００６３】
【表３】
【００６４】
【表３】
【００６５】
【表３】
【００６６】表３〜表３から明らかなように、本発
明に従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２
００℃以下の焼成で、比誘電率εs が７０００以上、誘
電体損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０
6 ＭΩ・ｃｍ以上、１２５℃下におけるＣＲ積が１００
０Ｆ・Ω以上の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を
備えた磁器コンデンサを得ることができるものである。
明に従う試料によれば、非酸化性雰囲気中における１２
００℃以下の焼成で、比誘電率εs が７０００以上、誘
電体損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０
6 ＭΩ・ｃｍ以上、１２５℃下におけるＣＲ積が１００
０Ｆ・Ω以上の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を
備えた磁器コンデンサを得ることができるものである。
【００６７】これに対し、Ｎｏ．１１〜１３，２０，２
５，２６，３１，３７，４３，４４，４９，５７，５
９，６４，６９，７０，７９，８０，８５，８６，９
０，９１，９５，９６及び１００の試料によれば、所望
の電気的特性を有する磁器コンデンサを得ることができ
ない。従って、これらのＮｏ．の試料は本発明の範囲外
のものである。
５，２６，３１，３７，４３，４４，４９，５７，５
９，６４，６９，７０，７９，８０，８５，８６，９
０，９１，９５，９６及び１００の試料によれば、所望
の電気的特性を有する磁器コンデンサを得ることができ
ない。従って、これらのＮｏ．の試料は本発明の範囲外
のものである。
【００６８】次に、本発明に係る磁器コンデンサに用い
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３に示す実験結果を参照しながら説
明する。
られている誘電体磁器組成物の組成範囲の限定理由につ
いて、表３〜表３に示す実験結果を参照しながら説
明する。
【００６９】まず、基本成分の組成式中におけるＣａの
原子数の割合、すなわちｖの値について説明する。ｖの
値が、試料Ｎｏ．３６及び４２に示すように、０．２７
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、試料Ｎｏ．３７及び４３に示すように、
０．３０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高くな
り、比誘電率εs も７０００未満となる。従って、ｖの
上限値は０．２７である。
原子数の割合、すなわちｖの値について説明する。ｖの
値が、試料Ｎｏ．３６及び４２に示すように、０．２７
の場合には、所望の電気的特性を有する焼結体を得るこ
とができるが、試料Ｎｏ．３７及び４３に示すように、
０．３０の場合には、焼成温度が１２５０℃と高くな
り、比誘電率εs も７０００未満となる。従って、ｖの
上限値は０．２７である。
【００７０】また、Ｃａは温度特性を平坦にする作用及
び抵抗率ρを向上させる作用を有するが、ｖの値が、試
料Ｎｏ．３２及び３８に示すように、零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、ｖ
の下限値は零である。
び抵抗率ρを向上させる作用を有するが、ｖの値が、試
料Ｎｏ．３２及び３８に示すように、零であっても所望
の電気的特性の焼結体を得ることができる。従って、ｖ
の下限値は零である。
【００７１】次に、基本成分の組成式中におけるＳｒの
原子数の割合であるｗの値と、Ｚｒの原子数の割合であ
るｙの値を、関係式０．６ｗ＋ｙの値で表わした場合に
ついて説明する。関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．５０に示すように、０．０５の場合には、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、試料Ｎ
ｏ．４４に示すように、０．０３５の場合には、比誘電
率εs が７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ
＋ｙの下限値は０．０５である。
原子数の割合であるｗの値と、Ｚｒの原子数の割合であ
るｙの値を、関係式０．６ｗ＋ｙの値で表わした場合に
ついて説明する。関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．５０に示すように、０．０５の場合には、所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、試料Ｎ
ｏ．４４に示すように、０．０３５の場合には、比誘電
率εs が７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ
＋ｙの下限値は０．０５である。
【００７２】一方、関係式０．６ｗ＋ｙの値が、試料Ｎ
ｏ．５６，５８に示すように、０．２６０，０．２５８
の場合は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、試料Ｎｏ．５７，５９に示すように、０．
２６を越えて０．２９０，０．２８５になった場合に
は、比誘電率εs が７０００未満となる。従って、関係
式０．６ｗ＋ｙの上限値は０．２６である。
ｏ．５６，５８に示すように、０．２６０，０．２５８
の場合は、所望の電気的特性を有する焼結体を得ること
ができるが、試料Ｎｏ．５７，５９に示すように、０．
２６を越えて０．２９０，０．２８５になった場合に
は、比誘電率εs が７０００未満となる。従って、関係
式０．６ｗ＋ｙの上限値は０．２６である。
【００７３】但し、関係式０．６ｗ＋ｙの値が０．２６
以下であっても、試料Ｎｏ．４９に示すように、ｗの値
が０．３７を越えて０．４０になった場合は、比誘電率
εsが７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ＋
ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限値は
０．３７としなければならない。
以下であっても、試料Ｎｏ．４９に示すように、ｗの値
が０．３７を越えて０．４０になった場合は、比誘電率
εsが７０００未満となる。従って、関係式０．６ｗ＋
ｙの上限値は０．２６であるが、同時に、ｗの上限値は
０．３７としなければならない。
【００７４】なお、ｗ，ｙで示されるＳｒ，Ｚｒはキュ
リー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率を
増大させる同様の作用を有し、０＜ｗ≦０．３７及び０
＜ｙ＜０．２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦
０．６ｗ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用するこ
とができる。
リー点を低温側にシフトさせ、室温における比誘電率を
増大させる同様の作用を有し、０＜ｗ≦０．３７及び０
＜ｙ＜０．２６を満足する範囲で、且つ、０．０５≦
０．６ｗ＋ｙ≦０．２６を満足させる範囲で使用するこ
とができる。
【００７５】次に、基本成分の組成式中におけるＭｇの
原子数の割合、すなわちｘの値の適正範囲について検討
する。ｘの値が、試料Ｎｏ．６３及び６８に示すように
０．０３の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体
磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．６４及び
６９に示すように、０．０３を越えた場合には、比誘電
率εs が急激に低下して７０００未満となる。従って、
ｘの上限値は０．０３である。
原子数の割合、すなわちｘの値の適正範囲について検討
する。ｘの値が、試料Ｎｏ．６３及び６８に示すように
０．０３の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体
磁器組成物を得ることができるが、試料Ｎｏ．６４及び
６９に示すように、０．０３を越えた場合には、比誘電
率εs が急激に低下して７０００未満となる。従って、
ｘの上限値は０．０３である。
【００７６】また、Ｍｇはキュリー点を低温側へシフト
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するが、ｘの値が０．０３以下
の範囲において、極微量であってもそれなりの効果を有
する。しかし、量産する時の電気的特性のバラツキを考
慮すれば、ｘの値は０．０００１以上とすることが望ま
しい。
させるとともに、温度特性を平坦にする作用及び抵抗率
ρを向上させる作用を有するが、ｘの値が０．０３以下
の範囲において、極微量であってもそれなりの効果を有
する。しかし、量産する時の電気的特性のバラツキを考
慮すれば、ｘの値は０．０００１以上とすることが望ま
しい。
【００７７】次に、基本成分の組成式の第２項における
（Ｒ1-z Ｒ′z ）の割合、すなわちαの値について説明
する。αの値が、試料Ｎｏ．８１及び８７に示すよう
に、０．００２の場合には所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．８０及び８６に
示すように、０．００１の場合には、誘電体損失ｔａｎ
δが大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０3 ＭΩ・ｃｍ未
満となる。従って、αの下限値は０．００２である。
（Ｒ1-z Ｒ′z ）の割合、すなわちαの値について説明
する。αの値が、試料Ｎｏ．８１及び８７に示すよう
に、０．００２の場合には所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．８０及び８６に
示すように、０．００１の場合には、誘電体損失ｔａｎ
δが大幅に悪化し、抵抗率ρも１×１０3 ＭΩ・ｃｍ未
満となる。従って、αの下限値は０．００２である。
【００７８】一方、αの値が、試料Ｎｏ．８４及び８９
に示すように、０．０４の場合には所望の電気的特性を
有する焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．８５及
び９０に示すように、０．０６の場合には、焼成温度が
１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
い。従って、αの上限値は０．０４である。
に示すように、０．０４の場合には所望の電気的特性を
有する焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．８５及
び９０に示すように、０．０６の場合には、焼成温度が
１２５０℃であっても緻密な焼結体を得ることができな
い。従って、αの上限値は０．０４である。
【００７９】次に、基本成分の組成式の第２項中におけ
るＲ′の原子数の割合、すなわちｚの値について説明す
る。ｚの値が、試料Ｎｏ．７１に示すように、０．５の
場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得ることが
できるが、試料Ｎｏ．７０に示すように、０．４０の場
合には、高温ＣＲ積が悪化し、１０００未満となる。従
って、ｚの下限値は０．５である。
るＲ′の原子数の割合、すなわちｚの値について説明す
る。ｚの値が、試料Ｎｏ．７１に示すように、０．５の
場合には所望の電気的特性を有する焼結体を得ることが
できるが、試料Ｎｏ．７０に示すように、０．４０の場
合には、高温ＣＲ積が悪化し、１０００未満となる。従
って、ｚの下限値は０．５である。
【００８０】一方、ｚの値が試料Ｎｏ．７８に示すよう
に、０．９の場合には、所望の電気的特性のものを得る
ことができるが、試料Ｎｏ．７９に示すように、０．９
５の場合には、高温ＣＲ積は悪化し、１０００未満とな
る。従って、ｚの下限値は０．９０である。
に、０．９の場合には、所望の電気的特性のものを得る
ことができるが、試料Ｎｏ．７９に示すように、０．９
５の場合には、高温ＣＲ積は悪化し、１０００未満とな
る。従って、ｚの下限値は０．９０である。
【００８１】なお、Ｒ成分のＬａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕはほゞ同様に働き、これ等から選択さ
れた１つを使用しても、または複数を使用しても同様な
結果が得られる。また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂもほゞ同様に働き、これ等から選択され
た１つを使用しても、または複数を使用しても同様な結
果が得られる。
Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕはほゞ同様に働き、これ等から選択さ
れた１つを使用しても、または複数を使用しても同様な
結果が得られる。また、Ｒ′成分のＳｃ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ，Ｅｒ，Ｙｂもほゞ同様に働き、これ等から選択され
た１つを使用しても、または複数を使用しても同様な結
果が得られる。
【００８２】次に、基本成分の組成式中における{(Ba
1-v-w-xCavSrwMgx)O} の割合、すなわちｋの値について
説明する。ｋの値が、試料Ｎｏ．９２及び９７に示すよ
うに、１．００の場合には、所望の電気的特性を有する
焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．９１及び９６
に示すように、０．９９の場合には、抵抗率ρが１×１
０4 ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなる。従って、ｋの
下限値は１．００である。
1-v-w-xCavSrwMgx)O} の割合、すなわちｋの値について
説明する。ｋの値が、試料Ｎｏ．９２及び９７に示すよ
うに、１．００の場合には、所望の電気的特性を有する
焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．９１及び９６
に示すように、０．９９の場合には、抵抗率ρが１×１
０4 ＭΩ・ｃｍ未満と、大幅に低くなる。従って、ｋの
下限値は１．００である。
【００８３】一方、ｋの値が、試料Ｎｏ．９４及び９９
に示すように、１．０４の場合には所望の電気的特性の
焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．９５及び１０
０に示すように、１．０５の場合には、緻密な焼結体を
得ることができない。従って、ｋの上限値は１．０４で
ある。
に示すように、１．０４の場合には所望の電気的特性の
焼結体を得ることができるが、試料Ｎｏ．９５及び１０
０に示すように、１．０５の場合には、緻密な焼結体を
得ることができない。従って、ｋの上限値は１．０４で
ある。
【００８４】次に、添加成分の添加量について説明す
る。添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．１７及び２３に示
すように、１００重量部の基本成分に対して０．２重量
部の場合には、１１８０〜１１９０℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成
分の添加量が零の場合には、試料Ｎｏ．２０及び２６に
示すように、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼
結体を得ることができない。従って、添加成分の下限値
は、１００重量部の基本成分に対して０．２重量部であ
る。
る。添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．１７及び２３に示
すように、１００重量部の基本成分に対して０．２重量
部の場合には、１１８０〜１１９０℃の焼成で所望の電
気的特性を有する焼結体を得ることができるが、添加成
分の添加量が零の場合には、試料Ｎｏ．２０及び２６に
示すように、焼成温度が１２５０℃であっても緻密な焼
結体を得ることができない。従って、添加成分の下限値
は、１００重量部の基本成分に対して０．２重量部であ
る。
【００８５】一方、添加成分の添加量が、試料Ｎｏ．２
４及び３０に示すように、１００重量部の基本成分に対
して５重量部の場合には、所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、添加成分の添加量が、試料
Ｎｏ．２５及び３１に示すように、１００重量部の基本
成分に対して７重量部の場合には、比誘電率εs が７０
００未満となる。従って、添加成分の添加量の上限値
は、１００重量部の基本成分に対して５重量部である。
４及び３０に示すように、１００重量部の基本成分に対
して５重量部の場合には、所望の電気的特性を有する焼
結体を得ることができるが、添加成分の添加量が、試料
Ｎｏ．２５及び３１に示すように、１００重量部の基本
成分に対して７重量部の場合には、比誘電率εs が７０
００未満となる。従って、添加成分の添加量の上限値
は、１００重量部の基本成分に対して５重量部である。
【００８６】次に添加成分の好ましい組成範囲について
説明する。添加成分の好ましい組成範囲は、図１のＢ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比を示す三角図に基づいて
決定することができる。三角図の第１の点Ａは、試料Ｎ
ｏ．１のＢ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、
ＭＯが１９モル％の組成を示し、第２の点Ｂは、試料Ｎ
ｏ．２のＢ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、
ＭＯが６０モル％の組成を示し、第３の点Ｃは、試料Ｎ
ｏ．３のＢ2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、
ＭＯが７０モル％の組成を示し、第４の点Ｄは、試料Ｎ
ｏ．４のＢ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、
ＭＯが１０モル％の組成を示し、第５の点Ｅは、試料Ｎ
ｏ．５のＢ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第６の点Ｆは、試料
Ｎｏ．６のＢ2 Ｏ3 が２０モル％、ＳｉＯ2 が８０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示す。
説明する。添加成分の好ましい組成範囲は、図１のＢ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＭＯの組成比を示す三角図に基づいて
決定することができる。三角図の第１の点Ａは、試料Ｎ
ｏ．１のＢ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が８０モル％、
ＭＯが１９モル％の組成を示し、第２の点Ｂは、試料Ｎ
ｏ．２のＢ2 Ｏ3 が１モル％、ＳｉＯ2 が３９モル％、
ＭＯが６０モル％の組成を示し、第３の点Ｃは、試料Ｎ
ｏ．３のＢ2 Ｏ3 が３０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、
ＭＯが７０モル％の組成を示し、第４の点Ｄは、試料Ｎ
ｏ．４のＢ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が０モル％、
ＭＯが１０モル％の組成を示し、第５の点Ｅは、試料Ｎ
ｏ．５のＢ2 Ｏ3 が９０モル％、ＳｉＯ2 が１０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示し、第６の点Ｆは、試料
Ｎｏ．６のＢ2 Ｏ3 が２０モル％、ＳｉＯ2 が８０モル
％、ＭＯが０モル％の組成を示す。
【００８７】本発明の組成範囲に属する試料の添加成分
は、図２に示す三角図の第１〜６の点Ａ〜Ｆをこの順に
結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内となっている。添加成
分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができる。一方、試料Ｎ
ｏ．１１〜１３のように、添加成分の組成を本発明で特
定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることができ
ない。
は、図２に示す三角図の第１〜６の点Ａ〜Ｆをこの順に
結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内となっている。添加成
分の組成をこの範囲内のものとすれば、所望の電気的特
性を有する焼結体を得ることができる。一方、試料Ｎ
ｏ．１１〜１３のように、添加成分の組成を本発明で特
定した範囲外とすれば、緻密な焼結体を得ることができ
ない。
【００８８】なお、ＭＯ成分は、例えば試料Ｎｏ．１４
〜１８に示すように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または他
の試料に示すように適当な比率としてもよい。
〜１８に示すように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍｇ
Ｏ，ＺｎＯのいずれか１つであってもよいし、または他
の試料に示すように適当な比率としてもよい。
【００８９】
【発明の効果】本発明によれば、磁器コンデンサの誘電
体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述した
ように構成したので、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε
s を７０００〜２１５００と飛躍的に向上させることが
でき、従って、磁器コンデンサの小型大容量化を図るこ
とができるという効果がある。
体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述した
ように構成したので、非酸化性雰囲気中における１２０
０℃以下の焼成であるにもかかわらず、その比誘電率ε
s を７０００〜２１５００と飛躍的に向上させることが
でき、従って、磁器コンデンサの小型大容量化を図るこ
とができるという効果がある。
【００９０】また、本発明によれば、磁器コンデンサの
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述
したように構成したので、高温におけるＣＲ積を高める
ことができ、従って、磁器コンデンサの高温における信
頼性を高めることができるという効果がある。
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物の組成を前述
したように構成したので、高温におけるＣＲ積を高める
ことができ、従って、磁器コンデンサの高温における信
頼性を高めることができるという効果がある。
【００９１】更に、本発明によれば、磁器コンデンサの
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中で焼結させるので、内部電極をニッケル等の安価
な卑金属の導電性ペーストで形成することができ、従っ
て、磁器コンデンサの小型大容量化とあいまって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることができるという効果
がある。
誘電体層を構成している誘電体磁器組成物を非酸化性雰
囲気中で焼結させるので、内部電極をニッケル等の安価
な卑金属の導電性ペーストで形成することができ、従っ
て、磁器コンデンサの小型大容量化とあいまって、磁器
コンデンサの低コスト化を図ることができるという効果
がある。
【図１】本発明の実施例に係る積層磁器コンデンサの断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に係る磁器コンデンサの誘電体層を構成
する誘電体組成物の添加成分の組成範囲を示す三角図で
ある。
する誘電体組成物の添加成分の組成範囲を示す三角図で
ある。
１２ 誘電体磁器層 １４ 内部電極 １５ 積層焼結体チップ １６ 外部電極 １８ 亜鉛電極層 ２０ 銅層 ２２ Ｐｂ−Ｓｎ半田層
【表３○１】
【表３○２】
【表３○３】
【表３○４】
【表３○５】
【表３○６】
【表３○７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岸 弘志 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備えた磁器コンデンサに
おいて、 前記誘電体磁器組成物が、１００．０重量部の基本成分
と、０．２〜５．０重量部の添加成分との混合物を焼成
したものからなり、 前記基本成分が、 (1−α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR' z)O3/2 （但し、Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′
は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，
Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素、
α，ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、 ０．００２≦α≦０．０４ ０≦ｖ≦０．２７ ０＜ｗ≦０．３７ ０．００１≦ｘ≦０．０３ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．５≦ｚ≦０．９ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項２】 未焼結の磁器粉末からなる混合物を調製
する工程と、前記混合物からなる未焼結磁器シートを形
成する工程と、前記未焼結磁器シートを少なくとも２以
上の導電性ペースト膜で挟持させた積層物を形成する工
程と、前記積層物を非酸化性雰囲気中において焼成する
工程と、前記焼成を受けた積層物を酸化性雰囲気中にお
いて熱処理する工程とを備え、 前記未焼結の磁器粉末からなる混合物が、１００．０重
量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とから
なり、 前記基本成分が、 (1−α){(Ba1-v-w-xCavSrwMgx)O}k(Ti1-yZry)O2+α(R1-zR' z)O3/2 （但し、Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ及
びＥｕから選択された１種又は２種以上の元素、Ｒ′
は、Ｓｃ，Ｙ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｔｂ，
Ｔｍ及びＬｕから選択された１種又は２種以上の元素、
α，ｖ，ｗ，ｘ，ｙ，ｚ及びｋは、 ０．００２≦α≦０．０４ ０≦ｖ≦０．２７ ０＜ｗ≦０．３７ ０．００１≦ｘ≦０．０３ ０＜ｙ＜０．２６ ０．０５≦０．６ｗ＋ｙ≦０．２６ ０．５≦ｚ≦０．９ １．００≦ｋ≦１．０４ を満足する数値）で表わされる物質からなり、 前記添加成分がＢ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 とＭＯ（但し、ＭＯ
はＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択
された１種又は２種以上の酸化物）とからなり、 前記Ｂ2 Ｏ3 と前記ＳｉＯ2 と前記ＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図において、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル％、
前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が１モル％、前記ＳｉＯ2 が３９モル％、
前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が３０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が０モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が９０モル％、前記ＳｉＯ2 が１０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅと、 前記Ｂ2 Ｏ3 が２０モル％、前記ＳｉＯ2 が８０モル
％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第６の点Ｆとをこ
の順に結ぶ６本の直線で囲まれた領域内にあることを特
徴とする磁器コンデンサの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4241368A JP2779293B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4241368A JP2779293B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669064A JPH0669064A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2779293B2 true JP2779293B2 (ja) | 1998-07-23 |
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| JP (1) | JP2779293B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6291380B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-09-18 | Rohm Co., Ltd. | Dielectric ceramic and capacitor using the same |
| JP4446324B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2010-04-07 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP4241368A patent/JP2779293B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0669064A (ja) | 1994-03-11 |
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