JP7396157B2 - 誘電体磁器組成物および電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、誘電体磁器組成物、および、当該誘電体磁器組成物から構成される誘電体層を備える電子部品に関する。

現在セラミックコンデンサは幅広い用途で使用されており、要求される特性も様々である。高温環境での使用が想定される自動車向け製品では、良好な容量温度特性が求められる。一方で自動車の電動化が進む今日では信頼性の要求も高まっており、高温・高電界下において高い信頼性を持つセラミックコンデンサが求められている。

たとえば特許文献１では、積層セラミックコンデンサの評価にあたり、容量温度変化率ＴＣＣと高温負荷試験を行っている。しかし現状ではさらに厳しい条件において、良好な容量温度特性および高い信頼性を示すことができるセラミックコンデンサが求められている。

特開２０００－２２３３５１号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、良好な温度特性を有し、なおかつ高温・高電界下において高い信頼性を有する誘電体磁器組成物および当該誘電体磁器組成物で構成された電子部品を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分としてＲ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物、およびＳｉを含む酸化物を有する誘電体磁器組成物であって、
前記Ｒ元素はＥｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｙ，ＨｏおよびＹｂからなる群から選ばれる１以上の元素であり、
前記Ｍ元素はＭｇ，Ｃａ，Ｍｎ，ＶおよびＣｒからなる群から選ばれる１以上の元素であり、
Ｒ_２Ｏ_３換算での前記Ｒ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算での前記Ｓｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、
ＭＯ換算での前記Ｍ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算での前記Ｓｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、
前記誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子の個数の５０％以上がコアシェル構造を有するコアシェル誘電体粒子であり、
前記コアシェル誘電体粒子のシェル部ではチタン酸バリウムに前記Ｒ元素、前記Ｍ元素およびＳｉから選ばれる少なくとも１つが固溶しており、
前記コアシェル誘電体粒子のコア部は実質的にチタン酸バリウムから成ることを特徴としている。

本発明者は、本発明に係る誘電体磁器組成物が上記の構成であることにより、本発明に係る誘電体磁器組成物を有する積層セラミックコンデンサ等の電子部品は良好な温度特性を有し、なおかつ高温・高電界下において高い信頼性を有することを見出した。

本発明に係る誘電体磁器組成物は、前記チタン酸バリウム１００モル部に対して、
Ｒ_２Ｏ_３換算で前記Ｒ元素の酸化物が１．０モル部以上３．２モル部以下含まれ、
ＭＯ換算で前記Ｍ元素の酸化物が０．２モル部以上１．６モル部以下含まれ、
ＳｉＯ_２換算で前記Ｓｉを含む酸化物が０．８モル部以上３．２モル部以下含まれることが好ましい。

本発明に係る誘電体磁器組成物が上記の構成であることにより、本発明に係る誘電体磁器組成物は良好な温度特性を有し、なおかつ高温・高電界下において高い信頼性を有し、さらに高温絶縁比抵抗値が向上すると共に、比誘電率が向上する。

本発明に係る電子部品は、上記の誘電体磁器組成物で構成される誘電体層を有する。

本発明に係る電子部品は、前記誘電体層を挟んでいる一対の電極層をさらに有する電子部品であって、
前記誘電体粒子の少なくとも一部は全固溶誘電体粒子であり、
前記誘電体層と一方の前記内部電極層との境界から、前記誘電体層と他方の前記内部電極層との境界までを結ぶ前記内部電極層に垂直な線分の長さをＬＡとし、
前記線分上の前記シェル部および前記全固溶誘電体粒子の長さの合計をＬＢとしたとき、
前記ＬＡに対する前記ＬＢの比（ＬＢ／ＬＡ）が０．２以上０．９以下であることが好ましい。

本発明に係る電子部品が上記の構成であることにより、本発明に係る電子部品は高温・高電界下においてより高い信頼性を有する。

本発明に係る電子部品は、前記誘電体粒子の平均粒径が０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下であることが好ましい。

本発明に係る電子部品が上記の構成であることにより、本発明に係る電子部品はより良好な温度特性を有すると共に、より高い信頼性を有する。

図１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの容量領域の模式断面図である。 図３は、図２のIII部の拡大断面図である。 図４は、本発明の（ＬＢ／ＬＡ）の測定を説明するための説明図である。

図１に示すように、電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と、内部電極層３と、が交互に積層された構成の素子本体１０を有する。内部電極層３は、各端面が素子本体１０の対抗する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。

本実施形態において、容量領域は、積層方向に沿って内部電極層３が誘電体層２を挟んで積層する領域である。

素子本体１０の形状に特に制限はないが、図１に示すように、通常、直方体である。また、その寸法にも特に制限はない。

本実施形態に係る誘電体層２の厚みは特に制限されないが、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２．０μｍ以上５．０μｍ以下である。誘電体層２の厚みが上記の範囲内であることにより、誘電体層２の積層方向に後述する誘電体粒子２０を所定量含むことができる。

誘電体層２の積層数は特に制限されないが、１０以上であることが好ましく、より好ましくは５０以上、特に好ましくは１００以上である。積層数の上限は、特に限定されないが 、たとえば２０００程度である。

内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２を構成する材料が耐還元性を有するため、比較的安価な卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は ９５質量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各微量成分が合計０．１質量％程度以下含まれていても良い。内部電極層３の厚さは用途に応じて 適宜変更でき、特に限定されない。通常、０．１～３．０μｍ、好ましくは０．５～２．０μｍ程度である。

外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本実施形態では安価なＮｉ、Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。外部電極４の厚さは用途等に応じて適宜決定すれば良いが、通常、１０～５０μｍ程度であることが好ましい。

誘電体層２は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物から構成されている。本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、チタン酸バリウムを主成分としている。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物は副成分として、Ｒ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物、およびＳｉを含む酸化物を有する。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物は、所望の特性に応じて、さらにその他の成分を含有していても良く、たとえばバリウム化合物などを含有していても良い。

本実施形態において、Ｒ元素の酸化物を構成するＲ元素はＥｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｙ，ＨｏおよびＹｂの中からなる群から選ばれる１種以上の元素であり、好ましくは、Ｇｄ、Ｄｙおよび／またはＹである。Ｒ元素は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

本実施形態において、Ｍ元素の酸化物を構成するＭ元素はＭｇ，Ｃａ，Ｍｎ，ＶおよびＣｒからなる群から選ばれる１種以上の元素であり、好ましくは、Ｍｇ、Ｍｎおよび／またはＶである。Ｍ元素は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。

本実施形態において、Ｓｉを含む酸化物は特に限定されず、ＳｉＯ_２等の酸化物であっても良いし、Ｓｉと他の元素たとえばアルカリ土類金属元素との複合酸化物であっても良い。本実施形態では、Ｓｉを含む酸化物としては、ＳｉＯ_２が好ましい。

酸化物換算（Ｒ_２Ｏ_３換算）でのＲ元素の酸化物の含有量（ＣＲ）とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量（ＣＳｉ）との比率（ＣＲ：ＣＳｉ）は、０．８：１～２．２：１の間に含まれる。

酸化物換算（ＭＯ換算）でのＭ元素の酸化物の含有量（ＣＭ）とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量（ＣＳｉ）との比率（ＣＭ：ＣＳｉ）は、０．２：１～１．８：１の間に含まれ、好ましくは０．３：１～１：１の間に含まれる。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、Ｒ_２Ｏ_３換算でＲ元素の酸化物が１．０モル部以上３．２モル部以下含まれることが好ましく、１．５モル部以上３．２モル部以下含まれることがより好ましい。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、ＭＯ換算でＭ元素の酸化物が０．２モル部以上１．６モル部以下含まれることが好ましい。本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、酸化物換算でＭ元素の酸化物が０．２モル部以上１．０モル部以下含まれることがより好ましい。これにより、比誘電率が向上する。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、ＭＯ換算でＭ元素の酸化物が０．３モル部以上１．０モル部以下含まれることがより好ましい。これにより、高温絶縁比抵抗値が向上する。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、ＳｉＯ_２換算で前記Ｓｉを含む酸化物が０．８モル部以上３．２モル部以下含まれることが好ましく、０．８モル部以上２．０モル部以下含まれることがより好ましい。

上記の通り、本実施形態に係る誘電体層２は、本実施形態に係る誘電体磁器組成物で構成されている。また、図２に示すように、本実施形態に係る誘電体層２は、誘電体粒子２０を含み、さらに副成分等が偏析して形成された偏析粒子２２を含んでいても良い。なお、偏析粒子２２は誘電体粒子２０には含まれない。

本実施形態では、誘電体粒子２０の個数の５０％以上がコアシェル構造を有するコアシェル誘電体粒子２００である。また、誘電体粒子２０は、コアシェル誘電体粒子２００の他、全固溶誘電体粒子２０２であっても良い。

コアシェル誘電体粒子２００は、副成分（Ｒ元素、Ｍ元素およびＳｉから選ばれる少なくとも１つ）が主成分（チタン酸バリウム）粒子の一部（周辺部）のみに存在している。具体的には、コアシェル誘電体粒子２００は実質的に主成分からなるコア部２００ａと、コア部２００ａの周囲に存在し、Ｒ元素が主成分に拡散しているシェル部２００ｂと、から構成される。すなわち、コア部２００ａは実質的に主成分からなっており、シェル部２００ｂは副成分に含まれる元素が固溶した主成分からなっている。

なお、コア部２００ａは実質的に主成分からなっているが、副成分等のその他の成分を含んでいても良く、０．０質量％～５．０質量％含んでいても良い。なお、コア部２００ａに含まれる副成分等のその他の成分の濃度は、シェル部２００ｂに含まれる副成分等のその他の成分の濃度よりも低い。

コアシェル誘電体粒子２００であると判断する方法は特に限定されないが、たとえば下記の方法が挙げられる。

コンデンサ試料を内部電極層３に垂直な面で切断後、表面に対してエッチング処理を行う。次にコンデンサ試料の誘電体層２についてＴＥＭ－ＥＤＳを用いて各元素の特性Ｘ線の定量分析を行い、各元素についてのマッピング画像を得る。

ＴＥＭ像とＴＥＭ－ＥＤＳ像とを比較し、ＢａおよびＴｉの濃度が周囲に比べ高い粒子を誘電体粒子２０であると認定する。また、誘電体粒子２０の境界部を粒界部であると認定し、誘電体粒子２０に比べ副成分の濃度が３倍以上の粒子を偏析粒子２２であると認定する。

得られたＲ元素の特性Ｘ線を定量分析して、Ｒ元素についてのマッピング画像を得る。

視野内に３０個以上、好ましくは３０個～２００個の誘電体粒子２０が存在する状態で観察し、偏析粒子２２を除く部分でのＲ元素の輝度の最大値の３０％以上の輝度を有する領域をシェル部２００ｂとした。また、誘電体粒子２０の面積に対するシェル部２００ｂの面積が９５％以下である誘電体粒子２０をコアシェル誘電体粒子２００であると判断しても良い。

なお、誘電体粒子２０の面積に対するシェル部２００ｂの面積が９５％を超える場合を全固溶誘電体粒子２０２と判断してもよい。全固溶誘電体粒子２０２では、副成分が主成分粒子の全体に拡散して固溶して存在している。

本実施形態では、上記の視野内の誘電体粒子２０の個数の５０％以上がコアシェル誘電体粒子２００である。

なお、コアシェル誘電体粒子２００および全固溶誘電体粒子２０２を含む誘電体粒子２０はチタン酸バリウムおよび副成分の他にも、所望の特性に応じた成分を含んでいても良い。

偏析粒子２２においても、副成分の他にも、所望の特性に応じた成分を含んでいても良い。

本実施形態では、図２および図３に示すように誘電体層２に対して、内部電極層３（電極）に垂直な仮想線である線分ＶＬを引く。言い換えると、線分ＶＬは誘電体層２と内部電極層３との積層方向に平行であり、電圧が印加される方向に平行である。

線分ＶＬは誘電体層２と内部電極層３の境界を始点とし、当該誘電体層２と当該誘電体層２が接している他方の内部電極層３との境界を終点とする。本実施形態では、線分ＶＬの長さをＬＡとする。言い換えると、誘電体層２と一方の内部電極層３との境界から、誘電体層２と他方の内部電極層３との境界までを結ぶ内部電極層３に垂直な線分の長さをＬＡとする。

本実施形態では線分ＶＬ上のシェル部２００ｂおよび全固溶誘電体粒子２０２の長さの合計をＬＢとする。具体的には、図３により説明する。図３の線分ＶＬにおいて、Ｌ１はシェル部２００ｂであり、Ｌ２はコア部２００ａであり、Ｌ３はシェル部２００ｂであり、Ｌ４は偏析粒子２２であり、Ｌ５は全固溶誘電体粒子２０２であり、Ｌ６はシェル部２００ｂであり、Ｌ７はコア部２００ａであり、Ｌ８はシェル部２００ｂである。このため、「ＬＢ＝Ｌ１＋Ｌ３＋Ｌ５＋Ｌ６＋Ｌ８」となる。

本実施形態では、ＬＡに対するＬＢの比（ＬＢ／ＬＡ）が０．２以上０．９以下であることが好ましく、０．３以上０．９以下であることがより好ましい。

なお、図３では、誘電体層２の層間において、線分ＶＬに沿ってコアシェル誘電体粒子２００が２個と全固溶誘電体粒子２０２が１個であるため、誘電体粒子２０は全部で３個であるが、誘電体層２の層間における誘電体粒子２０の個数は特に限定されないが、一定の間隔で線分ＶＬを１０本引いた時の誘電体粒子２０の平均値が３個～５０個であることが好ましい。

本実施形態において、ＬＢ／ＬＡを決定する方法は特に限定されないが、たとえば以下の方法によりＬＢ／ＬＡを決定することができる。

まず、図４に素子本体１０として示すように、内部電極層３ａ，ｂに垂直方向に研磨してエッチング処理して一対の内部電極層３ａ，３ｂで挟まれる誘電体層２が現れるようにする。

このような一対の内部電極層３ａ，ｂで挟まれた誘電体層２について、内部電極層３ａ，３ｂに対して垂直方向であり、かつ、内部電極層３ａと誘電体層２との境界から当該誘電体層２に接している他方の内部電極層３ｂと誘電体層２との境界まで１０本～１００本の線分ＶＬを引く。言い換えると、誘電体層２と一方の内部電極層３との境界から、誘電体層２と他方の内部電極層３との境界までを結ぶ内部電極層３に垂直な線分ＶＬを上記の本数引く。図４ではＶＬ１～ＶＬ１０までの１０本の線分ＶＬを引いている。各線分ＶＬの長さがＬＡとなる。ＶＬの間隔は一定であることが好ましく、その間隔は０．１～０．５μｍであることが好ましい。

図４のｇｒａｐｈ αに示すように、線分ＶＬ上でのＲ元素の輝度を測定してグラフ化する。図４のｇｒａｐｈ αにおいて、Ｘ軸は線分ＶＬに沿う測定位置を示し、Ｙ軸はＲ元素の輝度を示す。Ｙ軸のＲ元素の輝度は、任意の点におけるＲ元素の含有量に比例した値であり、単位は無次元である。なお、図４のｇｒａｐｈ αはスムージング処理をしてある。このように、ｇｒａｐｈ αはスムージング処理してあることが好ましい。

また、図４にはｇｒａｐｈ αを１つしか記載していないが、線分ＶＬはＶＬ１からＶＬ１０まで１０本あるため、このようなｇｒａｐｈ αが１０個作成される。なお、図４のｇｒａｐｈ αおよび後述するｇｒａｐｈ βはＶＬ１に関する。

次に、各線分ＶＬにおいてＲ元素の輝度の最小値を求め、それらの平均値（平均Ｒｍｉｎ）を求める。

平均Ｒｍｉｎをバックグラウンドとして各ｇｒａｐｈ αからバックグランドを引いた各ｇｒａｐｈ βを作成する。

次に、各線分ＶＬにおけるｇｒａｐｈ βでのＲ元素の輝度の最大値を求め、それらの平均値（平均Ｒｍａｘ）を求める。この際に、線分ＶＬ上に偏析粒子２２がある場合には、偏析粒子２２を除いた区間におけるＲ元素の輝度の最大値を求めて、それらの平均値（平均Ｒｍａｘ）を求める。

線分ＶＬ上に偏析粒子２２があるか否かは、たとえば下記の方法により判断することができる。まず、各ｇｒａｐｈ βでＲ元素の輝度の平均値を求める。そして、その平均値の３倍の値となるピーク値を中心として、隣接する下に凸となっている部分、または、ピーク値の肩の部分を境界として、その境界内の領域を偏析粒子２２であると判断できる。たとえば図４のｇｒａｐｈ βにおいて、Ｌ１４の区間が偏析粒子２２であると判断しても良い。

図４のｇｒａｐｈ βに平均Ｒｍａｘ×０．３となる部分を直線ＢＬで示している。本実施形態では、平均Ｒｍａｘ×０．３以上であり、なおかつ、偏析粒子２２はない部分をシェル部２００ｂまたは全固溶誘電体粒子２０２と判断し、それらの合計をＬＢとすることができる。具体的には、ｇｒａｐｈ βにおいて、ＬＢはＬＢ＝Ｌ１１＋Ｌ１３＋Ｌ１６＋Ｌ１８＋Ｌ２０の式で求められる。

このようにして、ＬＡとＬＢをそれぞれ求めて、ＬＢ／ＬＡを算出することができる。

なお、本実施形態では、Ｌ１２、Ｌ１５、Ｌ１７およびＬ１９はコア部２００ｂであると判断して良い。

本実施形態は、誘電体粒子２０の平均粒径が０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下であることが好ましい。これにより、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサはより良好な温度特性を有する。

誘電体粒子２０の平均粒径を調整する方法は特に限定されないが、たとえば、主成分粒子の平均粒径を変化させたり、焼成時の保持温度を変化させたりすることにより、調整することができる。

高温環境での使用が想定される自動車向け積層セラミックコンデンサは、良好な容量温度特性が求められる。一方で自動車の電動化が進む今日では積層セラミックコンデンサの信頼性の要求も高まっており、高温・高電界下において高い信頼性を持つ積層セラミックコンデンサが求められている。しかし、良好な温度特性と高い信頼性はトレードオフの関係であり、両立することは困難とされている。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物は上記のような構成であることにより、当該誘電体磁器組成物を有する積層セラミックコンデンサ１などの電子部品は、良好な温度特性を有し、なおかつ高温・高電界下において高い高温負荷寿命すなわち信頼性を有する。

その理由は必ずしも定かではないが、以下の点が考えられる。

本実施形態では、一般的にチタン酸バリウムのＢａサイトを置換するＲ元素は誘電体粒子中に固溶することによりドナー成分として働き、誘電体磁器組成物の信頼性は向上する傾向がある。チタン酸バリウムのＴｉサイトを置換するＭ元素は、誘電体粒子中に固溶することによりアクセプタ成分として働き、誘電体磁器組成物の高温絶縁比抵抗は向上する傾向がある。そして、ドナー成分とアクセプタ成分を適切な比率にすることで最も信頼性が向上する。

誘電体粒子中のＲ元素およびＭ元素の固溶量が、誘電体磁器組成物の温度特性と密接に関係している。Ｒ元素およびＭ元素の固溶量を適切にすることで最も温度特性が向上する。

まず、（ＣＲ：ＣＳｉ）が上記の範囲に含まれるようにすることにより、Ｒ元素の酸化物を効率的に誘電体粒子２０中に固溶させることが可能であると考えられる。なぜならば、Ｒ元素の酸化物は誘電体粒子２０中において、チタン酸バリウムの主にＢａサイトを置換しやすい傾向があり、Ｓｉ元素は誘電体粒子の焼結を促進する働きをするためである。（ＣＲ：ＣＳｉ）において、（ＣＲ）が上記の範囲を上回らずに、上記の範囲に含まれることにより、誘電体粒子２０の焼結が促進する傾向となる。また、（ＣＲ：ＣＳｉ）において、（ＣＲ）が上記の範囲を下回らずに、上記の範囲に含まれることにより、誘電体粒子２０中のＲ元素の固溶量を適度な量にすることができる。以上の理由から、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は高温・高電界下において高い信頼性を有することができると考えられる。

また、（ＣＭ：ＣＳｉ）が上記の範囲に含まれるようにすることにより、Ｍ元素の酸化物を効率的に誘電体粒子２０中に固溶させることが可能であると考えられる。なぜならば、Ｍ元素の酸化物は誘電体粒子２０中において、チタン酸バリウムの主にＴｉサイトを置換しやすい傾向があり、Ｓｉ元素は誘電体粒子の焼結を促進する働きをするためである。（ＣＭ：ＣＳｉ）において、（ＣＭ）が上記の範囲に含まれることにより、誘電体粒子２０中のＲ元素およびＭ元素の固溶量を適度な量にすることができる。これにより、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は良好な温度特性を有することができると考えられる。特に、（ＣＭ：ＣＳｉ）の（ＣＭ）が上記の範囲を下回る場合に比べて、Ｍ元素の酸化物とＳｉを含む酸化物との比率が上記の範囲に含まれる場合は、温度特性が良好である。

上記の通り、本実施形態では、（ＣＲ：ＣＳｉ）および（ＣＭ：ＣＳｉ）が上記の範囲に含まれることにより、チタン酸バリウムのＢａサイトを置換する元素の量とＴｉサイトを置換する元素の量を適切にすることができる。このため、本実施形態に係る誘電体磁器組成物はドナー成分とアクセプタ成分のバランスが取れたシェル部２００ｂが一定量存在するコアシェル誘電体粒子２００を有することができ、良好な温度特性と高い信頼性を両立することができる。

さらに、ＬＢ／ＬＡが上記の範囲を満たすことにより誘電体層２中の電界方向に対して副成分の固溶部（シェル部２００ｂおよび全固溶誘電体粒子２０２）が存在するため、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１はより高い信頼性を有する。上記の観点から、線分ＶＬは誘電体層２と一方の内部電極層３との境界から、誘電体層２と他方の内部電極層３との境界までを結ぶ内部電極層３に垂直な任意の線分であることが好ましい。これにより、誘電体層２中の電界方向に対して副成分の固溶部（シェル部２００ｂおよび全固溶誘電体粒子２０２）が常に存在するため、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１はさらに高い信頼性を有する。

なお、ＬＢ／ＬＡが上記の範囲を上回る場合に比べて、ＬＢ／ＬＡが上記の範囲を満たす場合は温度特性がより良好である。

上記の通り、本実施形態では粒電体粒子２００の平均粒径が上記範囲に含まれることにより、高い比誘電率を維持しつつ良好な温度特性を発現することができる。

また、誘電体粒子２００の平均粒径が上記の範囲を下回る場合に比べて、誘電体粒子２００の平均粒径が上記の範囲である場合には、比誘電率が高くなる傾向となり、誘電体粒子２００の平均粒径が上記の範囲を上回る場合に比べて、誘電体粒子２００の平均粒径が上記の範囲である場合には、温度特性がより良好になる傾向となる。

なお、高温・高電界下においては積層セラミックコンデンサ１の絶縁抵抗値が低下し、ジュール発熱の影響が懸念される。そのため、高温・高電界下でも高い絶縁比抵抗を維持することが望ましい。

本実施形態に係る誘電体磁器組成物では、チタン酸バリウム１００モル部に対して、酸化物換算でＭ元素の酸化物が０．３モル部以上１．０モル部以下含まれることがより好ましい。これにより、高温絶縁比抵抗値が向上する。

（積層セラミックコンデンサの製造方法）
本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法は、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。

まず、誘電体原料（誘電体磁器組成物粉末）を準備し、これを塗料化して、誘電体層を形成するためのペースト（誘電体層用ペースト）を調製する。

誘電体原料として、主成分となるチタン酸バリウムの原料とＲ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物およびＳｉを含む酸化物の原料とを準備する。これらの原料としては、上記した成分の酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、たとえば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることもできる。

また、Ｂａ_ｕＴｉ_ｖＯ_３で表されるチタン酸バリウムを用いる場合に、ｕ／ｖは特に限定はされないが、０．９９５≦ｕ／ｖ≦１．０１５の範囲内であることが好ましい。

本実施形態に係るチタン酸バリウムは、いわゆる固相法の他、各種液相法（たとえば、シュウ酸塩法、水熱合成法、アルコキシド法、ゾルゲル法など）により製造されたものなど、種々の方法で製造されたものを用いることができる。

誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すれば良い。なお、焼成後の誘電体粒子を所定の範囲内にするために、チタン酸バリウム粒子の粒径は１００ｎｍ～２５０ｎｍであることが好ましい。

誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、誘電体原料と水系ビヒクルとを混練した水系の塗料であっても良い。

有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。バインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等、一般的な有機ビヒクルに用いられる各種バインダから適宜選択すれば良い。用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すれば良い。

水系ビヒクルとは、水溶性バインダや分散剤などを水中に溶解したものである。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂等、一般的な水系ビヒクルに用いられる各種バインダから適宜選択すれば良い。

内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。また、内部電極層用ペーストには、共材が含まれていても良い。共材としては特に制限されないが、主成分と同様の組成を有していることが好ましい。

外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すれば良い。

上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、たとえば、バインダは１～１０質量％程度、溶剤は１０～５０質量％程度とすれば良い。また 、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていても良い。これらの総含有量は、１０質量％以下とすることが好ましい。

印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に印刷、積層し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする 。

また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷し内部電極パターンを形成した後、これらを積層してグリーンチップとする。

（脱バインダ条件）
脱バインダ条件に特に制限はないが、昇温速度を好ましくは５～３００℃／時間、保持温度を好ましくは１８０～４００℃、温度保持時間を好ましくは０．５～４８時間とする。また脱バインダの雰囲気は、空気中もしくは還元雰囲気中とすることが好ましい。

（焼成条件）
脱バインダ後、グリーンチップの焼成を行う。焼成条件に特に制限はないが、昇温速度を好ましくは１００～１００００℃／時間とする。焼成時の保持温度は、好ましくは１３５０℃以下、より好ましくは１１５０～１２８０℃であり、焼成時の保持時間は、好ましくは０．５～２０時間、より好ましくは１．０～１５時間である。保持温度を上記の範囲にすることにより、内部電極層３を構成する材料の拡散を防ぐことができ、温度特性がより向上する。

焼成の雰囲気は、還元性雰囲気とすることが好ましい。雰囲気ガスには特に制限はなく、たとえば、Ｎ_２とＨ_２との混合ガスを加湿して用いることができる。

また、焼成時の酸素分圧は、内部電極用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定すれば良いが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は１０^－１４～１０^－９ＭＰａとすることが好ましい。降温速度に特に制限はないが、好ましくは５０～１００００℃／時間である。

（アニール条件）
還元性雰囲気中で焼成した後、素子本体１０にはアニール処理を施すことが好ましい。アニールは、誘電体層２を再酸化するための処理であり、これにより誘電体層２の絶縁抵抗（ＩＲ）を著しく上げることができ、信頼性（ＩＲ寿命）もより向上させることができる。

アニールの雰囲気に特に制限はないが、酸素分圧を１０^－９～１０^－５ＭＰａとすることが好ましい。

アニールの際の保持温度に特に制限はないが、１１００℃以下とすることが好ましく、９５０～１０９０℃とすることが特に好ましい。保持温度が上記の範囲内であることにより、誘電体層２が酸化され過ぎない程度に十分に酸化され、誘電体層２の絶縁抵抗（ＩＲ）、信頼性（ＩＲ寿命）および温度特性がより良好になる。なお、アニール工程は昇温過程および降温過程だけから構成しても良い。すなわち、温度保持時間を零としても良い。この場合、保持温度は最高温度と同義である。

上記以外のアニール条件としては、温度保持時間を好ましくは０～２０時間、より好ましくは２～４時間、降温速度を好ましくは５０～１０００℃／時間、より好ましくは１００～６００℃／時間とする。またアニールの雰囲気ガスに特に制限はないが、たとえば、加湿したＮ_２ガスを用いることが好ましい。

上記脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ_２ガスや混合ガス等を加湿するためには、たとえばウェッター等を使用すれば良い。ウェッターを使用する場合、水温は５～７５℃程度が好ましい。

脱バインダ処理、焼成、アニールは連続して行ってもよく、それぞれ独立に行っても良い。

上記のようにして得られた素子本体１０の誘電体層２を構成する誘電体磁器組成物は、上述した誘電体磁器組成物である。この素子本体１０に端面研磨を施し、外部電極用ペーストを塗布して焼き付けし、外部電極４を形成する。そして、必要に応じて、外部電極４の表面に、めっき等により被覆層を形成する。

このようにして、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１が製造される。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は上記の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の態様で改変しても良い。

たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品が積層セラミックコンデンサである場合について説明したが、本発明に係る電子部品は、積層セラミックコンデンサに限定されず、上述した誘電体磁器組成物を有する電子部品であれば何でも良い。

たとえば、上述した誘電体磁器組成物に一対の電極が形成された単板型のセラミックコンデンサであっても良い。

（実験１）
実験１では、実施例１～７および比較例１～４に関する実験を行った。

主成分として平均粒径が２００ｎｍのＢａ_ｕＴｉ_ｖＯ_３粉末（ｕ／ｖ ＝１．００４）を準備し、Ｒ元素の酸化物の原料としてＤｙ_２Ｏ_３粉末を準備し、Ｍ元素の酸化物の原料としてＭｇＯ粉末、ＭｎＣＯ_３粉末およびＶ_２Ｏ_５粉末を混合したものを準備し、Ｓｉを含む酸化物の原料としてＳｉＯ_２粉末を準備した。

次に、上記で準備した各原料粉末を、表１に示す量となるように秤量し、ボールミルで２０時間湿式混合・粉砕し、乾燥して、誘電体原料を得た。また、ＭｎＣＯ_３は、焼成後にはＭｎＯとして誘電体磁器組成物中に含有されることとなる。

次いで、得られた誘電体原料：１００質量部と、ポリビニルブチラール樹脂：１０質量部と、可塑剤としてのジオクチルフタレート（ＤＯＰ）：５質量部と、溶媒としてのアルコール：１００質量部とをボールミルで混合してペースト化し、誘電体層用ペーストを得た。

また、上記とは別に、Ｎｉ粒子：４４．６質量部と、テルピネオール：５２質量部と、エチルセルロース：３質量部と、ベンゾトリアゾール：０．４質量部とを、３本ロールにより混練し、ペースト化して内部電極層用ペーストを作製した。

そして、上記にて作製した誘電体層用ペーストを用いて、ＰＥＴフィルム上に、乾燥後の厚みが４．５μｍとなるようにグリーンシートを形成した。次いで、この上に内部電極層用ペーストを用いて、電極層を所定パターンで印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離し、電極層（内部電極パターン）を有するグリーンシートを作製した。次いで、電極層を有するグリーンシートを複数枚積層し、加圧接着することによりグリーン積層体とし、このグリーン積層体を所定サイズに切断することにより、グリーンチップを得た。

次いで、得られたグリーンチップについて、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記条件にて行って、積層セラミック焼成体を得た。

脱バインダ処理条件は、昇温速度２５℃／時間、保持温度：２３５℃、保持時間：８時間、雰囲気：空気中とした。

焼成条件は、昇温速度２００℃／時間、保持温度１２４０℃とし、保持時間を２時間とした。降温速度は２００℃／時間とした。なお、雰囲気ガスは、加湿したＮ_２＋Ｈ_２混合ガスとし、酸素分圧が１０^－１０ＭＰａとなるようにした。

アニール条件は、昇温速度：２００℃／時間、保持温度：１０５０℃、保持時間：３時間、降温速度：２００℃／時間、雰囲気ガス：加湿したＮ_２ガス（酸素分圧：１０^－７ＭＰａ）とした。

なお、焼成およびアニールの際の雰囲気ガスの加湿には、ウェッターを使用した。

次いで、得られた積層セラミック焼成体の端面をバレル研磨した後、外部電極としてＣｕペーストを塗布し、還元雰囲気にて焼付け処理を行い、図１に示す積層セラミックコンデンサの試料を得た。得られたコンデンサの試料のサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍ ｍ×０．７ｍｍであり、誘電体層の層間厚みは３．０μｍ、内部電極厚み１．０μｍとした。また、誘電体層の数を１０層とした。

得られたコンデンサ試料について、下記の方法によりコアシェル構造の有無を判断し、下記の方法により温度特性および高温負荷寿命を測定した。

（誘電体粒子中のコアシェル誘電体粒子比率）
コンデンサ試料を内部電極層に垂直な面で切断後、表面に対してエッチング処理を行った。次にコンデンサ試料の誘電体層についてＴＥＭ－ＥＤＳを用いて各元素の特性Ｘ線の定量分析を行い、各元素についてのマッピング画像を得た。ＴＥＭ像とＴＥＭ－ＥＤＳ像とを比較し、ＢａおよびＴｉの濃度が周囲に比べ高い粒子を誘電体粒子２０であると認定した。

得られたＲ元素の特性Ｘ線を定量分析して、Ｒ元素についてのマッピング画像を得た。

視野内に３０個以上の誘電体粒子が存在する状態で観察し、偏析粒子を除く部分でのＲ元素の輝度の最大値の３０％以上の輝度を有し、誘電体粒子の面積に対するシェル部の面積が９５％以下である誘電体粒子をコアシェル誘電体粒子であると判断した。

表２では、視野内の誘電体粒子の個数のうちのコアシェル誘電体粒子の個数の割合を記載している。

（Ｘ７Ｓ特性（１２５℃での容量変化率（温度特性）））
コンデンサ試料に対し、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒ ｍｓの条件下で、－５５℃～１２５℃における静電容量を測定し、２５℃における静電容量を基準として静電容量の変化率ΔＣを算出し、ＥＩＡ規格の温度特性であるＸ７Ｓ特性を満足するか否かについて評価した。本実施例では高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±２２％以内であるか否かを評価した。１２５℃での容量変化率が±２２％を満足していれば－５５℃での容量変化率もＸ７Ｓ特性を満足できる。結果を表２に示す。

（（ＭＴＴＦ（高温負荷寿命））
コンデンサ試料に対し、２００℃にて４０Ｖ／μｍの電界下で直流電圧の印加状態を保持し、コンデンサ試料の絶縁劣化時間を測定することにより、高温負荷寿命を評価した。本実施例においては、電圧印加開始から絶縁抵抗が１桁落ちるまでの時間を寿命と定義した。また、本実施例では、上記の評価を２０個のコンデンサ試料について行い、これをワイブル解析することにより算出した平均故障時間（ＭＴＴＦ）をそのコンデンサ試料の平均寿命と定義した。本実施例では、平均寿命５時間以上を良好とし、７時間以上を特に良好とした。結果を表２に示す。

（判定）
コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上であり、温度特性がＸ７Ｓ特性を満たし、高温負荷寿命が７時間以上である場合をＡとし、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上であり、温度特性がＸ７Ｓ特性を満たし、高温負荷寿命が５時間以上７時間未満である場合をＢとし、それ以外をＣと判定した。結果を表２に示す。

（実験２）
実験２では、比較例５に関する実験を行った。

比較例５では、焼成時の保持温度を１２８０℃とした以外は実施例１と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製し、実験１と同様に特性評価を行った。

表１および表２より、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上の場合（実施例１～７）は、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１から外れる場合（比較例１、２）、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１を上回る場合（比較例４）に比べて、高温負荷寿命が高いことが確認できた。

表１～表４より、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上である場合（実施例１～７）は、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１を下回る場合（比較例３）またはコアシェル誘電体粒子比率が５０％未満の場合に比べて温度特性が良好であり、Ｘ７Ｓ特性を満たすことが確認できた。

（実験３）
実験３では、実施例８～１０に関する実験を行った。

実験３ではＲ元素の種類を変えた以外は実施例１と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製し、実験１と同様に特性評価を行った。

表５および表６より、Ｒ元素をＧｄに変えた場合（実施例８）、Ｙに変えた場合（実施例９）およびＤｙおよびＹｂに変えた場合（実施例１０）においても、Ｘ７Ｓ特性を満たし、高温負荷寿命が高くなることが確認できた。

（実験４）
実験４では、実施例１１～２４に関する実験を行った。

実験４では、Ｒ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物およびＳｉＯ_２の含有量を表７に記載した通りとした以外は、実験１と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製し、実験１と同様に特性評価を行った。結果を表８に示す。

表７および表８より、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上であり、さらにチタン酸バリウム１００モル部に対して、Ｒ_２Ｏ_３換算でＲ元素の酸化物が１．０モル部以上３．２モル部以下含まれ、ＭＯ換算でＭ元素の酸化物が０．２モル部以上１．６モル部以下含まれ、ＳｉＯ_２換算でＳｉを含む酸化物が０．８モル部以上３．２モル部以下含まれる場合（実施例４、１１～１８）は、より良好な高温負荷寿命が得られることが確認できた。

（実験５）
実験５では、実施例２３、２５、１１、２６および２７に関して実験を行った。

実験５では、Ｒ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物およびＳｉＯ_２の含有量を表９に記載した通りとした以外は、実験１と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製し、実験１と同様に特性評価を行った。結果を表１０に示す。また、実験１と同様の特性評価に加え、下記の方法により高温絶縁比抵抗および比誘電率についても評価を行った。

（高温絶縁比抵抗値）
１２５℃で２０分間加熱したコンデンサ試料に対し、温度を１２５℃で維持した状態で絶縁抵抗計（アドバンテスト社製Ｒ８３４０Ａ）を用いて、２５Ｖ／μｍの直流電圧を１分間印加した後の絶縁抵抗値を測定した。コンデンサ試料の平均層間厚み及び重なり面積から高温絶縁比抵抗値を算出した。本実施例では、５．０×１０^９Ωｍ以上を良好とした。結果を表１０に示す。

（比誘電率）
比誘電率εｒは、コンデンサ試料に対し、１５０℃にて１時間熱処理を行い、２４時間後の静電容量値を基準温度２５℃においてデジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ社製４２７４Ａ）にて、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で測定した。コンデンサ試料に対し、静電容量および平均層間厚み、重なり面積から比誘電率εｒを算出した（単位なし）。比誘電率は高い方が好ましく、本実施例では２０００以上を良好として、Ａと記載し、２０００以下の場合をＢと記載している。結果を表１０に示す。

表９および表１０より、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上であり、さらにＭ元素の酸化物の含有量が１．０ｍｏｌ％以下の場合（実施例２３、２５、１１および２６）は、高温絶縁比抵抗値と比誘電率の両方において良好な結果が得られた。また、Ｍ元素の酸化物の含有量が０．３～１．０ｍｏｌ％の範囲内の場合（実施例２５、１１および２６）は、コンデンサ試料はＸ７Ｓ特性を満たし、特に良好な高温負荷寿命となることが確認できた。

（実験６）
実験６では、実施例１４、１１、１２、２、２１および３に関して実験を行った。

実験６では、Ｒ元素の酸化物、Ｍ元素の酸化物およびＳｉＯ_２の含有量を表１１に記載した通りとした以外は、実験１と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製し、実験１と同様に特性評価を行った。結果を表１２に示す。また、実験１と同様の特性評価に加え、ＬＢ／ＬＡの最小値および最大値を測定した。

（ＬＢ／ＬＡの最小値および最大値）
上記の方法により線分ＶＬ１～ＶＬ１０の各ＬＢ／ＬＡを求め、その中での最小値および最大値を表１２に示す。なお、図４のｇｒａｐｈ αおよびｇｒａｐｈ βは実施例１１に関する。

表１２より、Ｒ₂Ｏ₃換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ₂換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ₂換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子比率が５０％以上であり、さらにＬＢ／ＬＡの最小値および最大値が０．２以上０．９以下である場合、すなわち任意の線分ＶＬにおいてＬＢ／ＬＡを満たす場合（実施例１４、１１、１２および１）には、コンデンサ試料はＸ７Ｓ特性を満たし、特に良好な高温負荷寿命となることが確認できた。

（実験７）
実験７では、実施例２２、１２および２３に関して実験を行った。

実施例２２では主成分として平均粒径１３０ｎｍのチタン酸バリウム粉末を使用し焼成時の保持温度を１２２０℃とし、実施例２３では主成分として平均粒径２５０ｎｍのチタン酸バリウム粉末を使用し焼成時の保持温度を１２６０℃とした以外は、実施例１２と同様の方法で積層セラミックコンデンサ試料を作製した。また、実験１と同様の特性評価に加え、下記の方法により誘電体粒子平均粒径の測定を行うと共に、温度特性がＸ７Ｒ特性を満足しているか否かについて評価を行った。

（誘電体粒子の平均粒径）
誘電体粒子の平均粒径の測定方法としては、まず、得られたコンデンサ試料を内部電極層に垂直な面で切断し、その切断面を研磨した。そして、その研磨面にケミカルエッチングを施し、その後、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察を行い、約１０００個の粒子をカウントし誘電体粒子の形状を球と仮定して算出した。結果を表１４に示す。

（Ｘ７Ｒ特性（１２５℃での容量変化率（温度特性）））
コンデンサ試料に対し、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル（測定電圧）１．０Ｖｒｍｓの条件下で、－５５℃～１２５℃における静電容量を測定し、２５℃における静電容量を基準として静電容量の変化率ΔＣを算出し、ＥＩＡ規格の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足するか否かについて評価した。本実施例では高温側（１２５℃）での容量変化率ΔＣが±１５％以内であるか否かを評価した。１２５℃での容量変化率が±１５％を満足していれば－５５℃での容量変化率もＸ７Ｒ特性を満足できる。結果を表１４に示す。

表１３および表１４より、Ｒ_２Ｏ_３換算でのＲ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、ＭＯ換算でのＭ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ_２換算でのＳｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、コアシェル誘電体粒子が５０％以上であり、さらに誘電体粒子の平均粒径が１５０～３００ｎｍの範囲内の場合には、Ｘ７Ｒ特性を満たし、特に良好な高温負荷寿命が得られることが確認できた。

１… 積層セラミックコンデンサ
１０… 素子本体
２… 誘電体層
２０… 誘電体粒子
２００… コアシェル誘電体粒子
２００ａ… コア部
２００ｂ… シェル部
２０２… 全固溶誘電体粒子
２２… 偏析粒子
３… 内部電極層
４… 外部電極

Claims (3)

1. 誘電体磁器組成物で構成される誘電体層を有し、前記誘電体層を挟んでいる一対の電極層をさらに有する電子部品であって、
   前記誘電体磁器組成物はチタン酸バリウムと、Ｒ元素の酸化物と、Ｍ元素の酸化物と、Ｓｉを含む酸化物と、を有し、
   前記Ｒ元素はＥｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｙ，ＨｏおよびＹｂからなる群から選ばれる１以上の元素であり、
   前記Ｍ元素はＭｇ，Ｃａ，Ｍｎ，ＶおよびＣｒからなる群から選ばれる１以上の元素であり、
   Ｒ₂Ｏ₃換算での前記Ｒ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ₂換算での前記Ｓｉを含む酸化物の含有量との比が０．８：１～２．２：１の間に含まれ、
   ＭＯ換算での前記Ｍ元素の酸化物の含有量とＳｉＯ₂換算での前記Ｓｉを含む酸化物の含有量との比が０．２：１～１．８：１の間に含まれ、
   前記チタン酸バリウム１００モル部に対して、
   Ｒ₂Ｏ₃換算でＲ元素の酸化物が２．２モル部以上３．２モル部以下含まれ、
   ＭＯ換算で前記Ｍ元素の酸化物が０．２モル部以上１．０モル部以下含まれ、
   前記誘電体磁器組成物を構成する誘電体粒子の個数の５０％以上がコアシェル構造を有するコアシェル誘電体粒子であり、
   前記コアシェル誘電体粒子のシェル部ではチタン酸バリウムに前記Ｒ元素、前記Ｍ元素およびＳｉから選ばれる少なくとも１つが固溶しており、
   前記コアシェル誘電体粒子のコア部は実質的にチタン酸バリウムから成り、
   前記誘電体粒子の少なくとも一部は全固溶誘電体粒子であり、
   前記誘電体層と一方の前記内部電極層との境界から、前記誘電体層と他方の前記内部電極層との境界までを結ぶ前記内部電極層に垂直な線分の長さをＬＡとし、
   前記線分上の前記シェル部および前記全固溶誘電体粒子の長さの合計をＬＢとしたとき、
   前記ＬＡに対する前記ＬＢの比（ＬＢ／ＬＡ）が０．３以上０．９以下である電子部品。
2. 前記チタン酸バリウム１００モル部に対して、
   ＳｉＯ₂換算で前記Ｓｉを含む酸化物が０．８モル部以上３．２モル部以下含まれる請求項１に記載の電子部品。
3. 前記誘電体粒子の平均粒径が０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下である請求項１または２に記載の電子部品。
   
   

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