JP2002087880A - 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁器コンデンサの小型大容量化のために、グ
リーンシートを薄層化すると、単位厚み当りにかかる電
圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器コ
ンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。 【解決手段】 本発明は、Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３
に換算して１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選
択された１種又は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して
０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々Ｍ
ｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ
％の割合で含有され、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所
定の割合で含有されている焼結体を磁器コンデンサの誘
電体層の材料として使用した。
リーンシートを薄層化すると、単位厚み当りにかかる電
圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器コ
ンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。 【解決手段】 本発明は、Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３
に換算して１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選
択された１種又は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して
０．２５〜１．５ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々Ｍ
ｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ
％の割合で含有され、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所
定の割合で含有されている焼結体を磁器コンデンサの誘
電体層の材料として使用した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉなどの卑金属
を内部電極とする磁器コンデンサの誘電体層の材料とし
て好適な耐還元性を有する誘電体磁器組成物とこの誘電
体磁器組成物を誘電体層とした磁器コンデンサに関する
ものである。
を内部電極とする磁器コンデンサの誘電体層の材料とし
て好適な耐還元性を有する誘電体磁器組成物とこの誘電
体磁器組成物を誘電体層とした磁器コンデンサに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、積層磁器コンデンサの技術分野で
は、コストダウンのために内部電極の材料としてＮｉな
どの卑金属を用いることが主流となっている。内部電極
の材料としてＮｉなどの卑金属を用いた場合、内部電極
の酸化を防止するために、積層体チップの焼成を還元性
雰囲気中で行わなければならない。このため、誘電体磁
器組成物として耐還元性を有する誘電体磁器組成物が多
数開発されている。
は、コストダウンのために内部電極の材料としてＮｉな
どの卑金属を用いることが主流となっている。内部電極
の材料としてＮｉなどの卑金属を用いた場合、内部電極
の酸化を防止するために、積層体チップの焼成を還元性
雰囲気中で行わなければならない。このため、誘電体磁
器組成物として耐還元性を有する誘電体磁器組成物が多
数開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、電子
回路の小型化、高密度化にともない、磁器コンデンサも
小型大容量化が強く求められている。そして、磁器コン
デンサの小型大容量化のために、グリーンシートの薄層
化及び誘電体磁器層の積層数の増加が試みられている。
回路の小型化、高密度化にともない、磁器コンデンサも
小型大容量化が強く求められている。そして、磁器コン
デンサの小型大容量化のために、グリーンシートの薄層
化及び誘電体磁器層の積層数の増加が試みられている。
【０００４】しかし、積層磁器コンデンサにおいて、そ
の誘電体磁器層を薄層化すると、単位厚み当りにかかる
電圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器
コンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。
の誘電体磁器層を薄層化すると、単位厚み当りにかかる
電圧が増し、誘電体層の寿命時間が短くなり、積層磁器
コンデンサの信頼性が低下してしまうという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、３０００以上の誘電率を有し、
静電容量の温度変化率が−５５℃〜＋１２５℃で−１５
％〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲内を満足し、ｔａ
ｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，０００ｓｅｃ以上
の電気的諸特性を有する信頼性の高い誘電体磁器組成物
とそのような誘電体磁器組成物からなる誘電体層を備え
た磁器コンデンサを提供することを目的とする。
静電容量の温度変化率が−５５℃〜＋１２５℃で−１５
％〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲内を満足し、ｔａ
ｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，０００ｓｅｃ以上
の電気的諸特性を有する信頼性の高い誘電体磁器組成物
とそのような誘電体磁器組成物からなる誘電体層を備え
た磁器コンデンサを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る誘電体磁器
組成物は、Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３に換算して１０
０ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択された１種又
は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５
ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に
換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％の割合で含有さ
れ、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所定の割合で含有さ
れている焼結体からなることを特徴とするものである。
組成物は、Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３に換算して１０
０ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択された１種又
は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５
ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に
換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％の割合で含有さ
れ、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所定の割合で含有さ
れている焼結体からなることを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明に係る磁器コンデンサは、上
記誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電体磁器
層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも２以
上の内部電極とを備えてなることを特徴とするものであ
る。
記誘電体磁器組成物からなる１又は２以上の誘電体磁器
層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも２以
上の内部電極とを備えてなることを特徴とするものであ
る。
【０００８】ここで、前記誘電体磁器組成物中のＲｅ
（希土類元素）をＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．
５ｍｏｌ％の範囲としたのは、ＲｅがＲｅ２Ｏ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％より少なくなると−５５℃〜１２
５℃における静電容量の温度変化率が−１５％〜＋１５
％を超えてしまったり、所望の寿命時間が得られなくな
り、ＲｅがＲｅ２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％を超え
ると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなる
からである。また、希土類元素Ｒｅ（Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙ）は単独
で用いてもよいし、２種以上の希土類元素（Ｒｅ）を組
み合わせて用いてもよい。
（希土類元素）をＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．
５ｍｏｌ％の範囲としたのは、ＲｅがＲｅ２Ｏ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％より少なくなると−５５℃〜１２
５℃における静電容量の温度変化率が−１５％〜＋１５
％を超えてしまったり、所望の寿命時間が得られなくな
り、ＲｅがＲｅ２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％を超え
ると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなる
からである。また、希土類元素Ｒｅ（Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙ）は単独
で用いてもよいし、２種以上の希土類元素（Ｒｅ）を組
み合わせて用いてもよい。
【０００９】また、前記誘電体磁器組成物中のＭｏ及び
／又はＷが各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５
〜０．２５ｍｏｌ％の範囲としたのは、これらの元素が
ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５より少なくなる
と−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変化率が
−１５％〜＋１５％を超えてしまったり、所望の寿命時
間が得られなくなり、これらの元素がＭｏＯ３，ＷＯ３
に換算して０．２５ｍｏｌ％を超えるとｔａｎδが悪化
したり、−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変
化率が−１５％〜＋１５％を超えてしまうからである。
／又はＷが各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５
〜０．２５ｍｏｌ％の範囲としたのは、これらの元素が
ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５より少なくなる
と−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変化率が
−１５％〜＋１５％を超えてしまったり、所望の寿命時
間が得られなくなり、これらの元素がＭｏＯ３，ＷＯ３
に換算して０．２５ｍｏｌ％を超えるとｔａｎδが悪化
したり、−５５℃〜１２５℃における静電容量の温度変
化率が−１５％〜＋１５％を超えてしまうからである。
【００１０】また、前記誘電体磁器組成物中にＭｇをＭ
ｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％以下の割合で含ませても
よい。ＭｇをＭｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％以下とし
たのは、１．５ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０００以
下と小さくなったり、所望の寿命時間が得られなくなる
からである。
ｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％以下の割合で含ませても
よい。ＭｇをＭｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％以下とし
たのは、１．５ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０００以
下と小さくなったり、所望の寿命時間が得られなくなる
からである。
【００１１】また、前記誘電体磁器組成物中にＭｎ，
Ｖ，Ｃｒを各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換
算して０．６ｍｏｌ％以下の割合で含ませてもよい。Ｍ
ｎ，Ｖ，Ｃｒを各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３
に換算して０．６ｍｏｌ％以下としたのは、０．６ｍｏ
ｌ％を超えると誘電率が３０００より小さくなるからで
ある。
Ｖ，Ｃｒを各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換
算して０．６ｍｏｌ％以下の割合で含ませてもよい。Ｍ
ｎ，Ｖ，Ｃｒを各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３
に換算して０．６ｍｏｌ％以下としたのは、０．６ｍｏ
ｌ％を超えると誘電率が３０００より小さくなるからで
ある。
【００１２】また、前記ＳｉＯ２の量は０．２０〜４．
０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。０．２０ｍｏｌ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、４
ｍｏｌ％を超えると所望の寿命時間が得られなくなるか
らである。
０ｍｏｌ％の範囲が好ましい。０．２０ｍｏｌ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られず、４
ｍｏｌ％を超えると所望の寿命時間が得られなくなるか
らである。
【００１３】また、ガラス成分としては、例えば、Ｂ２
Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２
種以上の酸化物）で現わされる組成物、Ｌｉ２Ｏ−Ｓｉ
Ｏ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸
化物）で現わされる組成物を挙げることができるが、電
気的特性を悪化させないものであれば、これら以外のガ
ラス成分であってもよい。
Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，
ＣａＯ，ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２
種以上の酸化物）で現わされる組成物、Ｌｉ２Ｏ−Ｓｉ
Ｏ２−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，Ｍ
ｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸
化物）で現わされる組成物を挙げることができるが、電
気的特性を悪化させないものであれば、これら以外のガ
ラス成分であってもよい。
【００１４】ガラス成分としてＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｍ
Ｏ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及び
ＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）で
現わされる組成物を使用する場合、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ ２
が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一
の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３
９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点
Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１モ
ル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第三の点Ｃ
と、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第四の点Ｄと、前
記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前
記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２
Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。この範囲内に
あれば、所望の電気的諸特性、寿命時間が得られるが、
範囲外になると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得ら
れなくなるからである。
Ｏ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及び
ＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）で
現わされる組成物を使用する場合、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ ２
が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第一
の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３
９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の点
Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１モ
ル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第三の点Ｃ
と、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第四の点Ｄと、前
記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前
記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２
Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。この範囲内に
あれば、所望の電気的諸特性、寿命時間が得られるが、
範囲外になると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得ら
れなくなるからである。
【００１５】そして、この範囲内の組成物は０．０５〜
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
【００１６】ガラス成分としてＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−Ｍ
Ｏ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及び
ＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）で
現わされる組成物を使用する場合、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ ２
が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の組成を示す第七の
点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９
モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成を示す第八の点Ｈ
と、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、
前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記ＳｉＯ ２が１モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、前記
Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記
ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ
２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯ
が１モル％の組成を示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。Ｇ，Ｈ，Ｉ，
Ｊ，Ｋ，Ｌの範囲内にあれば、所望の電気的諸特性、寿
命時間が得られるが、範囲外になると１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
Ｏ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及び
ＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）で
現わされる組成物を使用する場合、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２
とＭＯとの組成範囲は、これらの組成をモル％で示す三
角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ ２
が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の組成を示す第七の
点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９
モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成を示す第八の点Ｈ
と、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、
前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記ＳｉＯ ２が１モル％、
前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、前記
Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記
ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ
２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯ
が１モル％の組成を示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内が好ましい。Ｇ，Ｈ，Ｉ，
Ｊ，Ｋ，Ｌの範囲内にあれば、所望の電気的諸特性、寿
命時間が得られるが、範囲外になると１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られなくなるからである。
【００１７】そして、この範囲内の組成物は０．０５〜
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
５．０ｗｔ％の範囲が好ましい。０．０５ｗｔ％未満に
なると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくな
り、５．０ｗｔ％を超えると誘電率が３０００以下にな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるからである。
【００１８】また、前記誘電体磁器組成物中にＦｅ，Ｎ
ｉ及びＣｕから選択された１種又は２種以上を前記Ｍ
ｎ，Ｖ，Ｃｒとの合計で、各々ＦｅＯ，ＮｉＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｍｎ ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して１．
０ｍｏｌ％以下の割合で更に添加してもよい。これらの
元素を酸化物として１．０ｍｏｌ％以下としたのは、こ
れらが１．０ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０００より
小さくなるからである。
ｉ及びＣｕから選択された１種又は２種以上を前記Ｍ
ｎ，Ｖ，Ｃｒとの合計で、各々ＦｅＯ，ＮｉＯ，Ｃｕ
Ｏ，Ｍｎ ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して１．
０ｍｏｌ％以下の割合で更に添加してもよい。これらの
元素を酸化物として１．０ｍｏｌ％以下としたのは、こ
れらが１．０ｍｏｌ％を超えると誘電率が３０００より
小さくなるからである。
【００１９】なお、本発明は積層磁器コンデンサ以外の
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可能であ
る。
一般的な単層の磁器コンデンサにも勿論適用可能であ
る。
【００２０】
【実施例】実施例Ａ： まず、ＢａＴｉＯ３，Ｒｅ２Ｏ
３，ＭｏＯ３，ＷＯ３及びガラス成分（ＳｉＯ２を含
む）の各化合物の粉末を表１〜表１に示す割合で各
々秤量し、これらの化合物をＰＳＺを入れたボールミル
に入れ、水を加え、湿式で約１５時間混合した。そし
て、得られた泥漿を脱水し、１５０℃で１５時間加熱
し、乾燥させた。
３，ＭｏＯ３，ＷＯ３及びガラス成分（ＳｉＯ２を含
む）の各化合物の粉末を表１〜表１に示す割合で各
々秤量し、これらの化合物をＰＳＺを入れたボールミル
に入れ、水を加え、湿式で約１５時間混合した。そし
て、得られた泥漿を脱水し、１５０℃で１５時間加熱
し、乾燥させた。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表１】
【００２５】次に、乾燥させた前記泥漿を粉砕し、これ
を大気中において約８００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物をボールミルに入れ、エタノールを加え、湿式で約８
時間解砕した。そして、得られた泥漿を１２０℃で５時
間加熱し、乾燥させ、仮焼物の粉末を得た。
を大気中において約８００℃で２時間仮焼し、この仮焼
物をボールミルに入れ、エタノールを加え、湿式で約８
時間解砕した。そして、得られた泥漿を１２０℃で５時
間加熱し、乾燥させ、仮焼物の粉末を得た。
【００２６】次に、この仮焼物の粉末１０００ｇ（１０
０重量部）に、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してスラリーを作成
した。
０重量部）に、アクリル酸エステルポリマー、グリセリ
ン、縮合リン酸塩の水溶液からなる有機バインダーを１
５重量％添加し、更に、５０重量％の水を加え、これら
をボールミルに入れ、粉砕及び混合してスラリーを作成
した。
【００２７】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡した後、リバースロールコータに入れ、ポリエステ
ルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成した。
そして、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、厚さ約５μｍで、１０
ｃｍ×１０ｃｍの正方形のグリーンシートを得た。
脱泡した後、リバースロールコータに入れ、ポリエステ
ルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を形成した。
そして、この薄膜をポリエステルフィルム上で１００℃
に加熱して乾燥させ、打ち抜き、厚さ約５μｍで、１０
ｃｍ×１０ｃｍの正方形のグリーンシートを得た。
【００２８】一方、平均粒径が０．５μｍのニッケル粉
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌機に入れ、１
０時間撹拌して、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、上記グリーンシートにこの導電性ペーストから
なる導電パターンを印刷し、乾燥させた。
末１０ｇと、エチルセルロース０．９ｇをブチルカルビ
トール９．１ｇに溶解させたものとを撹拌機に入れ、１
０時間撹拌して、内部電極用の導電性ペーストを得た。
そして、上記グリーンシートにこの導電性ペーストから
なる導電パターンを印刷し、乾燥させた。
【００２９】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
てグリーンシートを１０枚積層した。この際、隣接する
上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手方
向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層物
の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグリ
ーンシートを積層した。
【００３０】次に、この積層物を約５０℃の温度で厚さ
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
方向に約４０トンの圧力を加えて圧着させ、その後、こ
の積層物を格子状に裁断し、縦３．２ｍｍ×横１．６ｍ
ｍの積層チップを得た。
【００３１】次に、内部電極が露出する積層チップの端
面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チップ
を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱し
て有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１３００℃で焼成
し、その後、Ｎ２雰囲気下、６００〜１０００℃で再酸
化処理を行ない、積層磁器コンデンサを得た。
面にＮｉ外部電極をディップで形成し、この積層チップ
を雰囲気焼成が可能な炉に入れ、Ｎ２雰囲気中で加熱し
て有機バインダを除去させ、続いて、酸素分圧が１０
−５〜１０−１０ａｔｍの条件下、１３００℃で焼成
し、その後、Ｎ２雰囲気下、６００〜１０００℃で再酸
化処理を行ない、積層磁器コンデンサを得た。
【００３２】次に、得られた積層磁器コンデンサの電気
的諸特性を測定したところ、表２〜表２に示す通り
であった。また、この積層磁器コンデンサの誘電体層の
１層当たりの厚みを測定したところ３μｍであった。
的諸特性を測定したところ、表２〜表２に示す通り
であった。また、この積層磁器コンデンサの誘電体層の
１層当たりの厚みを測定したところ３μｍであった。
【００３３】なお、電気的諸特性は次の要領で測定し
た。
た。
【００３４】(A) 比誘電率εｓ は、温度２０℃、周波
数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量
を測定し、この測定値と、一対の内部電極１４の対向面
積と、一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算
で求めた。
数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電容量
を測定し、この測定値と、一対の内部電極１４の対向面
積と、一対の内部電極間の誘電体磁器層の厚さから計算
で求めた。
【００３５】(B) 誘電損失ｔａｎδ（％）は、上記した
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
比誘電率の測定の場合と同一の条件で測定した。
【００３６】(C) 比抵抗（Ωｃｍ）は、温度２０℃にお
いてＤＣ２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電
極間の抵抗値を測定して得た。なお、表２〜表２の
比抵抗の数値、例えば４．８Ｅ＋１２は４．８×１０
１２を意味する。
いてＤＣ２５Ｖを６０秒間印加した後に、一対の外部電
極間の抵抗値を測定して得た。なお、表２〜表２の
比抵抗の数値、例えば４．８Ｅ＋１２は４．８×１０
１２を意味する。
【００３７】(D) 加速寿命（ｓｅｃ）は、１５０℃／２
０Ｖ／μｍの直流電界下にて絶縁抵抗率（ρ）が１×１
０１０Ωｃｍになるまでの時間を測定して得た。
０Ｖ／μｍの直流電界下にて絶縁抵抗率（ρ）が１×１
０１０Ωｃｍになるまでの時間を測定して得た。
【００３８】(E) 容量変化率（％）は、恒温槽の中に試
料を入れ、−５５℃及び＋１２５℃の各温度において、
周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電
容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変
化率を求めることによって得た。
料を入れ、−５５℃及び＋１２５℃の各温度において、
周波数１ｋＨｚ、電圧（実効値）１．０Ｖの条件で静電
容量を測定し、２５℃の静電容量に対する静電容量の変
化率を求めることによって得た。
【００３９】
【表２】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【表２】
【００４３】表１〜表１、表２〜表２から明ら
かなように、本発明に従う試料によれば、非酸化性雰囲
気中における１３００℃以下の焼成により、誘電体磁器
層の誘電率εが３０００以上、−５５℃〜＋１２５℃の
容量変化率が−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）以
内、ｔａｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，０００ｓ
ｅｃ以上の電気的諸特性を有する信頼性の高い積層磁器
コンデンサを得ることができるものである。
かなように、本発明に従う試料によれば、非酸化性雰囲
気中における１３００℃以下の焼成により、誘電体磁器
層の誘電率εが３０００以上、−５５℃〜＋１２５℃の
容量変化率が−１５％〜＋１５％（２５℃を基準）以
内、ｔａｎδ≦３．５％、加速寿命が２００，０００ｓ
ｅｃ以上の電気的諸特性を有する信頼性の高い積層磁器
コンデンサを得ることができるものである。
【００４４】一方、試料番号２９Ａ，３４Ａ，３６Ａ，
４１Ａ，４２Ａ、６２Ａ，６６Ａ，６７Ａ，７１Ａ，７
２Ａ，７５Ａ，７９Ａ，８２Ａ，１１１Ａ，１１５Ａ，
１１６Ａ，１２２Ａ，１２３Ａ，１３１Ａ，１３７Ａ，
１３８Ａ，１４２Ａ，１４３Ａ，１４６Ａ，１５０Ａ，
１５３Ａの試料では１３００℃の焼成で緻密な焼結体が
得られないか、本発明で目標とした電気的諸特性が得ら
れない。従って、これらの試料は本発明の範囲外のもの
である。
４１Ａ，４２Ａ、６２Ａ，６６Ａ，６７Ａ，７１Ａ，７
２Ａ，７５Ａ，７９Ａ，８２Ａ，１１１Ａ，１１５Ａ，
１１６Ａ，１２２Ａ，１２３Ａ，１３１Ａ，１３７Ａ，
１３８Ａ，１４２Ａ，１４３Ａ，１４６Ａ，１５０Ａ，
１５３Ａの試料では１３００℃の焼成で緻密な焼結体が
得られないか、本発明で目標とした電気的諸特性が得ら
れない。従って、これらの試料は本発明の範囲外のもの
である。
【００４５】次に、本発明に係る誘電体磁器組成物の組
成範囲の限定理由について述べる。
成範囲の限定理由について述べる。
【００４６】まず、希土類元素（Ｒｅ）が、試料番号３
６Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算して０ｍｏｌ％の
場合、−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１５％〜
＋１５％から外れたり、所望の寿命時間が得られなくな
るが、試料番号３７Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得
られる。
６Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算して０ｍｏｌ％の
場合、−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１５％〜
＋１５％から外れたり、所望の寿命時間が得られなくな
るが、試料番号３７Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得
られる。
【００４７】また、希土類元素（Ｒｅ）が、試料番号４
１Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算して２．０ｍｏｌ
％の場合、１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られな
くなってしまうが、試料番号４０Ａに示すように、Ｒｅ
２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的
諸特性が得られる。
１Ａに示すように、Ｒｅ２Ｏ３に換算して２．０ｍｏｌ
％の場合、１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られな
くなってしまうが、試料番号４０Ａに示すように、Ｒｅ
２Ｏ３に換算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的
諸特性が得られる。
【００４８】従って、希土類元素（Ｒｅ）の含有割合の
最適範囲は、Ｒｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５ｍ
ｏｌ％となる。
最適範囲は、Ｒｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５ｍ
ｏｌ％となる。
【００４９】また、希土類元素（Ｒｅ）は、どの元素で
も同様の結果が得られ、試料番号４３Ａ〜５３Ａに示す
ように、単独で用いても、また、試料番号５４Ａ〜５７
Ａに示すように、複数種を混合して用いても同様の結果
が得られる。
も同様の結果が得られ、試料番号４３Ａ〜５３Ａに示す
ように、単独で用いても、また、試料番号５４Ａ〜５７
Ａに示すように、複数種を混合して用いても同様の結果
が得られる。
【００５０】また、Ｍｏ，Ｗが、試料番号２９Ａ，１１
６Ａ，１２３Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算
して０ｍｏｌ％の場合は、所望の寿命時間が得られなく
なるが、試料番号３０Ａ，１１７Ａ，１２４Ａに示すよ
うに、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５ｍｏｌ％
の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
６Ａ，１２３Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算
して０ｍｏｌ％の場合は、所望の寿命時間が得られなく
なるが、試料番号３０Ａ，１１７Ａ，１２４Ａに示すよ
うに、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５ｍｏｌ％
の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００５１】また、Ｍｏ，Ｗが、試料番号３４Ａ，１２
２Ａ，１３７Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の寿命時間が得られ
なくなったり、ｔａｎδが３．５を超えて悪化したり、
−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１５％〜＋１５
％から外れてしまうが、試料番号３３Ａ，１２１Ａ，１
３６Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．
２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
２Ａ，１３７Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算
して０．２５ｍｏｌ％の場合、所望の寿命時間が得られ
なくなったり、ｔａｎδが３．５を超えて悪化したり、
−５５℃〜＋１２５℃の容量変化率が−１５％〜＋１５
％から外れてしまうが、試料番号３３Ａ，１２１Ａ，１
３６Ａに示すように、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．
２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００５２】従って、Ｍｏ，Ｗの含有割合の最適範囲
は、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５
ｍｏｌ％となる。
は、ＭｏＯ３，ＷＯ３に換算して０．０２５〜０．２５
ｍｏｌ％となる。
【００５３】また、Ｍｏ，Ｗは、試料番号３０Ａ〜３３
Ａ，１１７Ａ〜１２１Ａに示すように、各々単独で用い
ても、また、試料番号１２４Ａ〜１３０Ａ，１３２Ａ〜
１３６Ａに示すように、混合して用いても同様の効果が
ある。
Ａ，１１７Ａ〜１２１Ａに示すように、各々単独で用い
ても、また、試料番号１２４Ａ〜１３０Ａ，１３２Ａ〜
１３６Ａに示すように、混合して用いても同様の効果が
ある。
【００５４】また、ＳｉＯ２が、試料番号１１１Ａに示
すように、０．００ｍｏｌ％の場合、１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られないが、試料番号１１２Ａに示
すように、０．２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。
すように、０．００ｍｏｌ％の場合、１３００℃の焼成
で緻密な焼結体が得られないが、試料番号１１２Ａに示
すように、０．２ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。
【００５５】また、ＳｉＯ２が、試料番号１１５Ａに示
すように、５．０ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以
下となり、所望の寿命時間が得られないが、試料番号１
１４Ａに示すように、４．０ｍｏｌ％の場合、所望の電
気的諸特性が得られる。
すように、５．０ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以
下となり、所望の寿命時間が得られないが、試料番号１
１４Ａに示すように、４．０ｍｏｌ％の場合、所望の電
気的諸特性が得られる。
【００５６】従って、ＳｉＯ２の含有割合の最適範囲は
０．２〜４．０ｍｏｌ％となる。
０．２〜４．０ｍｏｌ％となる。
【００５７】従って、ガラス成分であるＬｉ２Ｏ−Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２の含有割合の最適範囲は、０．
０５〜１．０ｗｔ％である。
Ｏ−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２の含有割合の最適範囲は、０．
０５〜１．０ｗｔ％である。
【００５８】また、ガラス成分がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされる場合、これらの組成をモル％で示す図１の
三角図における、前記Ｂ２Ｏ ３が１モル％、前記ＳｉＯ
２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第
一の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が
３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の
点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１
モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第三の点Ｃ
と、前記Ｂ２Ｏ ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第四の点Ｄと、前
記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前
記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２
Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内にあれば、試料番号７３
Ａ，７４Ａ，７６Ａ〜７８Ａ，８０Ａ，８１Ａ，８３Ａ
に示すように、所望の電気的諸特性が得られるが、試料
番号７２Ａ，７５Ａ，７９Ａ，８２Ａに示すように、範
囲外になると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
なくなる。
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされる場合、これらの組成をモル％で示す図１の
三角図における、前記Ｂ２Ｏ ３が１モル％、前記ＳｉＯ
２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第
一の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が
３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第二の
点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１
モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を示す第三の点Ｃ
と、前記Ｂ２Ｏ ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第四の点Ｄと、前
記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前
記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２
Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記Ｍ
Ｏが１モル％の組成を示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ
６本の直線で囲まれた範囲内にあれば、試料番号７３
Ａ，７４Ａ，７６Ａ〜７８Ａ，８０Ａ，８１Ａ，８３Ａ
に示すように、所望の電気的諸特性が得られるが、試料
番号７２Ａ，７５Ａ，７９Ａ，８２Ａに示すように、範
囲外になると１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られ
なくなる。
【００５９】また、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号６７Ａに示すように、０ｗｔ％になると１３００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号６
８Ａに示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の電気
的諸特性が得られる。
番号６７Ａに示すように、０ｗｔ％になると１３００℃
の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号６
８Ａに示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の電気
的諸特性が得られる。
【００６０】また、Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号７１Ａに示すように、１０．００ｗｔ％になると誘
電率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得ら
れなくなるが、試料番号７０Ａに示すように、５．００
ｗｔ％になると所望の電気的諸特性が得られる。
番号７１Ａに示すように、１０．００ｗｔ％になると誘
電率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得ら
れなくなるが、試料番号７０Ａに示すように、５．００
ｗｔ％になると所望の電気的諸特性が得られる。
【００６１】従って、この範囲内のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
【００６２】また、ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされる場合、これらの組成をモル％で示す図２の
三角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ
２が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の組成を示す第七
の点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７
９モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成を示す第八の点
Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モ
ル％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示す第九の点Ｉ
と、前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、
前記Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋと、前記
Ｌｉ２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記
ＭＯが１モル％の組成を示す第十二の点Ｌとをこの順に
結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれば、試料番号１
４４Ａ，１４５Ａ，１４７Ａ〜１４９Ａ，１５１Ａ，１
５２Ａ，１５４Ａに示すように、所望の電気的諸特性が
得られるが、試料番号１４３Ａ，１４６Ａ，１５０Ａ，
１５３Ａに示すように、範囲外になると１３００℃の焼
成で緻密な焼結体が得られなくなる。
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされる場合、これらの組成をモル％で示す図２の
三角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ
２が９４モル％、前記ＭＯが５モル％の組成を示す第七
の点Ｇと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７
９モル％、前記ＭＯが２０モル％の組成を示す第八の点
Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏが１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モ
ル％、前記ＭＯが８０モル％の組成を示す第九の点Ｉ
と、前記Ｌｉ２Ｏが８９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル
％、前記ＭＯが１０モル％の組成を示す第十の点Ｊと、
前記Ｌｉ２Ｏが９０モル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、
前記ＭＯが１モル％の組成を示す第十一の点Ｋと、前記
Ｌｉ２Ｏが５モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記
ＭＯが１モル％の組成を示す第十二の点Ｌとをこの順に
結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にあれば、試料番号１
４４Ａ，１４５Ａ，１４７Ａ〜１４９Ａ，１５１Ａ，１
５２Ａ，１５４Ａに示すように、所望の電気的諸特性が
得られるが、試料番号１４３Ａ，１４６Ａ，１５０Ａ，
１５３Ａに示すように、範囲外になると１３００℃の焼
成で緻密な焼結体が得られなくなる。
【００６３】また、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号１３８Ａに示すように、０ｗｔ％になると１３００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号
１３９Ａに示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の
電気的諸特性が得られる。
番号１３８Ａに示すように、０ｗｔ％になると１３００
℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、試料番号
１３９Ａに示すように、０．０５ｗｔ％になると所望の
電気的諸特性が得られる。
【００６４】また、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯが、試料
番号１４２Ａに示すように、１０．００ｗｔ％になると
１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、
試料番号１４１Ａに示すように、５．００ｗｔ％になる
と所望の電気的諸特性が得られる。
番号１４２Ａに示すように、１０．００ｗｔ％になると
１３００℃の焼成で緻密な焼結体が得られなくなるが、
試料番号１４１Ａに示すように、５．００ｗｔ％になる
と所望の電気的諸特性が得られる。
【００６５】従って、この範囲内のＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
−ＭＯの含有割合の最適範囲は、０．０５〜５．０ｗｔ
％である。
【００６６】実施例Ｂ： 実施例Ａで出発原料とした
各化合物粉末とＭｇＯの粉末を表３〜表３に示す割
合で各々秤量し、これらを用いて実施例Ａと同様にして
積層セラミックコンデンサを作成し、その焼結性及び電
気的特性を調べたところ、表４〜表４に示す通りの
結果が得られた。
各化合物粉末とＭｇＯの粉末を表３〜表３に示す割
合で各々秤量し、これらを用いて実施例Ａと同様にして
積層セラミックコンデンサを作成し、その焼結性及び電
気的特性を調べたところ、表４〜表４に示す通りの
結果が得られた。
【００６７】
【表３】
【００６８】
【表３】
【００６９】
【表３】
【００７０】
【表３】
【００７１】
【表４】
【００７２】
【表４】
【００７３】
【表４】
【００７４】
【表２】
【００７５】得られた結果は、基本的に実施例Ａの結果
と同様である。Ｍｇの量については、試料番号６１Ｂに
示すように、ＭｇＯに換算して２．０ｍｏｌ％の場合、
誘電率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得
られなくなるが、試料番号６０Ｂに示すように、ＭｇＯ
に換算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。また、実施例Ａの試料Ｎｏ．３２Ａ示すよ
うにＭｇの量が０でも所望の電気的特性が得られる。
と同様である。Ｍｇの量については、試料番号６１Ｂに
示すように、ＭｇＯに換算して２．０ｍｏｌ％の場合、
誘電率が３０００以下になったり、所望の寿命時間が得
られなくなるが、試料番号６０Ｂに示すように、ＭｇＯ
に換算して１．５ｍｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性
が得られる。また、実施例Ａの試料Ｎｏ．３２Ａ示すよ
うにＭｇの量が０でも所望の電気的特性が得られる。
【００７６】従って、Ｍｇの含有割合の最適範囲は、Ｍ
ｇＯに換算して０〜１．５ｍｏｌ％となる。
ｇＯに換算して０〜１．５ｍｏｌ％となる。
【００７７】実施例Ｃ： 実施例Ａで出発原料とした各
化合物と遷移金属の酸化物（ＭｎＯ ２，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＮｉＯ，ＣｕＯ）の各粉末を表５
〜表５に示す割合で各々秤量し、これらを用いて実
施例Ａと同様にして積層セラミックコンデンサを作成
し、焼結性及び電気的特性を調べたところ、表６〜表
６に示す通りの結果が得られた。
化合物と遷移金属の酸化物（ＭｎＯ ２，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ
２Ｏ３，Ｆｅ２Ｏ３，ＮｉＯ，ＣｕＯ）の各粉末を表５
〜表５に示す割合で各々秤量し、これらを用いて実
施例Ａと同様にして積層セラミックコンデンサを作成
し、焼結性及び電気的特性を調べたところ、表６〜表
６に示す通りの結果が得られた。
【００７８】
【表５】
【００７９】
【表５】
【００８０】
【表５】
【００８１】
【表５】
【００８２】
【表５】
【００８３】
【表５】
【００８４】
【表６】
【００８５】
【表６】
【００８６】
【表６】
【００８７】
【表６】
【００８８】
【表６】
【００８９】
【表６】
【００９０】得られた結果は、基本的に実施例Ａの結果
と同様である。遷移金属のうち、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの量に
ついては、試料番号２２Ｃ〜２４Ｃに示すように、各々
Ｍｎ ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．６ｍ
ｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。また、
実施例Ａの試料Ｎｏ．３２Ａ示すように、Ｍｎ，Ｖ，Ｃ
ｒの量が０でも所望の電気的特性が得られる。
と同様である。遷移金属のうち、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの量に
ついては、試料番号２２Ｃ〜２４Ｃに示すように、各々
Ｍｎ ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０．６ｍ
ｏｌ％の場合、所望の電気的諸特性が得られる。また、
実施例Ａの試料Ｎｏ．３２Ａ示すように、Ｍｎ，Ｖ，Ｃ
ｒの量が０でも所望の電気的特性が得られる。
【００９１】従って、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒの含有割合の最適
範囲は、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算
して０．６ｍｏｌ％以下となる。
範囲は、各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算
して０．６ｍｏｌ％以下となる。
【００９２】また、Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒは、試料番号４Ｃ〜
６Ｃ，１３Ｃ〜１８Ｃに示すように、各々単独で用いて
も、また、試料番号７Ｃ〜１２Ｃ，１９Ｃ〜２４Ｃに示
すように、複数種を混合して用いても同様の効果があ
る。
６Ｃ，１３Ｃ〜１８Ｃに示すように、各々単独で用いて
も、また、試料番号７Ｃ〜１２Ｃ，１９Ｃ〜２４Ｃに示
すように、複数種を混合して用いても同様の効果があ
る。
【００９３】また、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕとＭｎ，Ｖ，Ｃ
ｒとの合計が、試料番号１０８Ｃ〜１１０Ｃに示すよう
に、１．３ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以下とな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるが、試料番号
１０５Ｃ〜１０７Ｃに示すように、１．００ｍｏｌ％の
場合、所望の電気的諸特性が得られる。
ｒとの合計が、試料番号１０８Ｃ〜１１０Ｃに示すよう
に、１．３ｍｏｌ％の場合、誘電率が３０００以下とな
ったり、所望の寿命時間が得られなくなるが、試料番号
１０５Ｃ〜１０７Ｃに示すように、１．００ｍｏｌ％の
場合、所望の電気的諸特性が得られる。
【００９４】従って、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕとＭｎ，Ｖ，
Ｃｒとの合計の含有割合の最適範囲は、ＦｅＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算
して１．００ｍｏｌ％以下となる。
Ｃｒとの合計の含有割合の最適範囲は、ＦｅＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算
して１．００ｍｏｌ％以下となる。
【００９５】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体層の比誘電率ε
ｒ が３０００以上、ｔａｎδが３．５％以下、−５５
℃〜１２５℃における静電容量の温度変化率が−１５％
〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲に収まり、所望の寿
命時間を有する信頼性の高い磁器コンデンサを得ること
ができるという効果がある。
ｒ が３０００以上、ｔａｎδが３．５％以下、−５５
℃〜１２５℃における静電容量の温度変化率が−１５％
〜＋１５％（２５℃を基準）の範囲に収まり、所望の寿
命時間を有する信頼性の高い磁器コンデンサを得ること
ができるという効果がある。
【図１】Ｂ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＭＯで表わされるガラス
の組成をモル比（％）で示す三角図である。
の組成をモル比（％）で示す三角図である。
【図２】Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯで表わされるガラス
の組成をモル比（％）で示す三角図である。
の組成をモル比（％）で示す三角図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 静野 寿光 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06 AA07 AA08 AA11 AA13 AA16 AA17 AA18 AA19 AA21 AA23 AA25 AA26 AA28 AA30 BA09 CA08 GA02 5E001 AB01 AB03 AE02 AE03 AE04 5G303 AA01 AB06 AB07 AB11 AB14 AB20 CA01 CA03 CB02 CB03 CB06 CB10 CB11 CB13 CB16 CB17 CB18 CB23 CB30 CB32 CB35 CB36 CB37 CB38 CB40 CB41 CB43
Claims (14)
- 【請求項１】 Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３に換算して
１００ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択された
１種又は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜
１．５ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々ＭｏＯ３，Ｗ
Ｏ３に換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％の割合で
含有され、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所定の割合で
含有されている焼結体からなることを特徴とする誘電体
磁器組成物。 - 【請求項２】 ＭｇがＭｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％
以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１
に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 Ｍｎ，Ｖ及びＣｒから選択された１種又
は２種以上が各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に
換算して０．６ｍｏｌ％以下の割合で含有されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記ガラス成分がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされ、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前記
Ｂ２Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記
ＭＯが１９モル％の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｂ２
Ｏ３が１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯ
が６０モル％の組成を示す第二の点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３
が２９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが７
０モル％の組成を示す第三の点Ｃと、前記Ｂ２Ｏ３が９
０モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが９モル
％の組成を示す第四の点Ｄと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル
％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組
成を示す第五の点Ｅと、前記Ｂ２Ｏ３が１９モル％、前
記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を
示す第六の点Ｆとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた
範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５〜
５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記ＳｉＯ２が０．２０〜４．０ｍｏｌ
％の割合で含有されていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−
ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ及
びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化物）
で現わされ、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲
が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前記
Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記
ＭＯが５モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｌｉ２
Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９モル％、前記ＭＯが
２０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏが
１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが８０
モル％の組成を示す第九の点Ｉと、前記Ｌｉ２Ｏが８９
モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが１０モル
％の組成を示す第十の点Ｊと、前記Ｌｉ２Ｏが９０モル
％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組
成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ２Ｏが５モル％、前
記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を
示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ６本の直線で囲まれ
た範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５〜
５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｕから選択された１種
又は２種以上が前記Ｍｎ，Ｖ，Ｃｒとの合計で、各々Ｆ
ｅＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ ５，Ｃｒ２
Ｏ３に換算して０〜１．０ｍｏｌ％の範囲で含有されて
いることを特徴とする請求項３に記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項８】 誘電体磁器組成物からなる１又は２以上
の誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少
なくとも２以上の内部電極とを備え、前記誘電体磁器組
成物が、Ｂａ及びＴｉがＢａＴｉＯ３に換算して１００
ｍｏｌ％、Ｒｅ（ＲｅはＳｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄ
ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙから選択された１種又
は２種以上）がＲｅ２Ｏ３に換算して０．２５〜１．５
ｍｏｌ％、Ｍｏ及び／又はＷが各々ＭｏＯ３，ＷＯ３に
換算して０．０２５〜０．２５ｍｏｌ％の割合で含有さ
れ、更にＳｉＯ２又はガラス成分が所定の割合で含有さ
れている焼結体からなることを特徴とする磁器コンデン
サ。 - 【請求項９】 ＭｇがＭｇＯに換算して１．５ｍｏｌ％
以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項８
に記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１０】 Ｍｎ，Ｖ及びＣｒから選択された１種
又は２種以上が各々Ｍｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３
に換算して０．６ｍｏｌ％以下の割合で含有されている
ことを特徴とする請求項８に記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１１】 前記ガラス成分がＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２
−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ
及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化
物）で現わされ、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範
囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、Ｂ
２Ｏ３とＳｉＯ２とＭＯとの組成範囲が、これらの組成
をモル％で示す三角図における、前記Ｂ２Ｏ３が１モル
％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％
の組成を示す第一の点Ａと、前記Ｂ２Ｏ３が１モル％、
前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組
成を示す第二の点Ｂと、前記Ｂ２Ｏ３が２９モル％、前
記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが７０モル％の組成を
示す第三の点Ｃと、前記Ｂ２Ｏ３が９０モル％、前記Ｓ
ｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが９モル％の組成を示す第
四の点Ｄと、前記Ｂ ２Ｏ３が９０モル％、前記ＳｉＯ２
が９モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第五の点
Ｅと、前記Ｂ２Ｏ３が１９モル％、前記ＳｉＯ２が８０
モル％、前記ＭＯが１モル％の組成を示す第六の点Ｆと
をこの順に結ぶ６本の直線で囲まれた範囲内にある組成
物からなり、該組成物が０．０５〜５ｗｔ％の割合で含
有されていることを特徴とする請求項８〜１０のいずれ
かに記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１２】 前記ＳｉＯ２が０．２０〜４．０ｍｏ
ｌ％の割合で含有されていることを特徴とする請求項８
〜１０のいずれかに記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１３】 前記ガラス成分がＬｉ２Ｏ−ＳｉＯ２
−ＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，ＭｇＯ
及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の酸化
物）で現わされ、Ｌｉ２ＯとＳｉＯ２とＭＯとの組成範
囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前
記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が９４モル％、前
記ＭＯが５モル％の組成を示す第七の点Ｇと、前記Ｌｉ
２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が７９モル％、前記ＭＯ
が２０モル％の組成を示す第八の点Ｈと、前記Ｌｉ２Ｏ
が１９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが８
０モル％の組成を示す第九の点Ｉと、前記Ｌｉ２Ｏが８
９モル％、前記ＳｉＯ２が１モル％、前記ＭＯが１０モ
ル％の組成を示す第十の点Ｊと、前記Ｌｉ２Ｏが９０モ
ル％、前記ＳｉＯ２が９モル％、前記ＭＯが１モル％の
組成を示す第十一の点Ｋと、前記Ｌｉ２Ｏが５モル％、
前記ＳｉＯ２が９４モル％、前記ＭＯが１モル％の組成
を示す第十二の点Ｌとをこの順に結ぶ６本の直線で囲ま
れた範囲内にある組成物からなり、該組成物が０．０５
〜５．０ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とす
る請求項８〜１０のいずれかに記載の磁器コンデンサ。 - 【請求項１４】 前記誘電体磁器組成物中にＦｅ，Ｎｉ
及びＣｕから選択された１種又は２種以上が前記Ｍｎ，
Ｖ，Ｃｒとの合計で、各々ＦｅＯ，ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｍ
ｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５，Ｃｒ２Ｏ３に換算して０〜１．０
ｍｏｌ％の範囲で含有されていることを特徴とする請求
項１０に記載の磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280788A JP3854454B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000280788A JP3854454B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002087880A true JP2002087880A (ja) | 2002-03-27 |
| JP3854454B2 JP3854454B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=18765551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000280788A Expired - Lifetime JP3854454B2 (ja) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3854454B2 (ja) |
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-
2000
- 2000-09-14 JP JP2000280788A patent/JP3854454B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US11101073B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-08-24 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor comprising the same |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100915 Year of fee payment: 4 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110915 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915 Year of fee payment: 6 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120915 Year of fee payment: 6 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130915 Year of fee payment: 7 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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