JP3798901B2 - 多層配線基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波、ミリ波等の高周波領域において、高いQ値を示す、高周波回路の構成に適した多層配線基に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、マイクロ波やミリ波等の高周波領域で動作する高周波回路は、マイクロストリップラインを含む共振回路や所定周波数を抽出するフィルタ等などが例示でき、誘電体基板に直接形成することがある。
【0003】
近年においては、携帯電話装置などに見られるように、小型化が希求され、誘電体基板を、多層配線基板で形成していた。
【0004】
また、製造方法としては、高周波回路を構成する回路導体(内部配線パターンや表面配線パターン)を誘電体層間に配置して、基板と一体焼成していた。
【0005】
このような多層配線基板の誘電体層としては、焼成温度が1100℃以上という高温であったため、回路導体の材料としては、高融点金属であるPt、Pd、W、Mo等が使用されていた。これら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、高周波回路基板には不向きであった。即ち、共振回路やインダクタンスのQ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる等の問題があった。
【0006】
そこで、かかる問題点を解決すべく、導通抵抗の小さいAg、Cu等などの回路導体を用いることが考えられ、同時に、誘電体層を構成する材料として、低温焼成の誘電体材料が提案されている。
【0007】
例えば、本出題人は先にMgO、CaO、TiO2 とB2 O3 、Li2 CO3 を有する誘電体磁器組成物を提案した(特開平8−208330号公報参照)。
【0008】
この誘電体磁器組成物は、900〜1050℃の比較的低温でAg、Cu等の回路導体と同時に焼成でき、しかも、誘電体層の比誘電率εrを18以上、測定周波数8GHzでのQ値(Qf値)が20000以上、かつ共振周波数の温度係数τfが±40ppm以内と優れた特性を達成することができる。これにより、高周波回路を小型化、高性能化が実現できる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平8−208330号公報に開示された誘電体磁器組成物の焼結温度(900〜1050℃)は、AgやCuなどと一体的焼結が可能な温度であるものの、若干高く、さらに焼結時の収縮開始温度が845〜960℃と比較的高温であるため、AgゃCuなどの回路導体材料の収縮挙動との整合性が得にくく、焼成された多層配線基板に反りや歪みが発生するという問題があった。
【0010】
これは、回路導体材料は、AgやCuを主成分とするが、Ag、Cuに対してガラス成分やセラミック成分、Pt、Pd等の金属を添加したものがあり、焼成時における収縮開始温度が高くとも650℃程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度との差が大きくなってしまう。
【0011】
本発明は上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、高周波回路用の基板として諸特性を満足し、しかも、焼結挙動が誘電体層間に配置したAgやCuなどの回路導体の焼結挙動と近似し、反りや基板の変形がなく、小型化が可能な多層配線基板を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多層配線基板は、カルボキシル基が付加された有機バインダを含有するスラリーを含んでなる誘電体グリーンシートを複数積層して焼結することにより形成される複数の誘電体層の層間に、AgまたはCuを主成分とする配線パターンを配してなる多層配線基板であって、前記誘電体層は、一般式(1−x)MgTiO3・xCaTiO3と表した時、xが0≦x≦0.2を満足する該誘電体層の構成材料100重量部に対して、B含有化合物をB2O3換算で3〜20重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、Si含有化合物をSiO2換算で0.01〜5重量部、アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜2重量部、含有している。
【0013】
尚、上述の誘電体層には、誘電体材料100重量部に対して、さらにMn含有化合物をMnO2 換算で0.1〜3重量部含有させることが好ましい。
【0014】
【作用】
本発明の多層配線基板は、誘電体層として、金属元素として少なくともMgおよびTiを含有し、これらのモル比による組成式を(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 で表した時、前記xが0≦x≦0.2を満足する誘電体材料を主成分として、この誘電体材料100重量部に対して、B含有化合物をB2 O3 換算で3〜20重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、Si含有化合物をSiO2 換算で0.01〜5重量部、さらにアルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜2重量部含有されて構成されている。また、主成分100重量部に対して、さらにMn合有化合物をMnO2 換算で0.1〜3重量部含有することが望ましい。
【0015】
このような誘電体層間に、Agおよび/またはCuを主成分とする回路導体を配置して多層基板が達成される。
【0016】
組成式(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 (0≦x≦0.2)で表される誘電体材料(主成分)に、B含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Si含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加含有した誘電体層を用いることにより、比誘電率が18〜20で、Qf値が20000〔GHz〕以上となり、共振回路での共振周波数の温度変化が±40ppm/℃以内となり、高周波回路を構成するのに適した特性となる。また、焼成温度が870〜920℃となり、収縮開始温度が760〜830℃となり、多層配線基板の回路導体としてAgやCuなどの低抵抗材料を用いることができ、しかも、収縮開始温度に近似させることができ、誘電体層と回路導体とを同時焼結しても基板等の反り、歪み等の発生を抑制することができる。
【0017】
上述の組成式(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 (0≦x≦0.2)において、モル比率(x)が0.2を越えると、温度係数係数が±40ppm/℃から外れてしまい、安定した高周波動作が可能な多層配線基板が達成されない。
【0018】
また、誘電体材料に対して添加するB含有化合物、例えばB2 O3 は、主に焼結性を制御するものであり、添加量が3重量部未満では焼結しなくなる。また、添加量が20重量部を越えるとQf値が劣化してしまい、実用に適した範囲、例えば20000以上とすることができない。このQf値が20000以下となると、例えば、フィルタ特性のS/N比による損失が誘電体材料による損失(誘電体損)が顕著となる。
【0019】
また、主成分である誘電体材料に対して添加するアルカリ金属含有化合物、例えばLi2 CO3 、Na2 CO3 、K2 CO3 などは、主にQf値を20000 以上で安定させ、焼結性を制御するものであり、誘電体材料100重量部に対して、アルカリ金属含有化合物がアルカリ金属炭酸塩換算で6 〜7重量部で良好な結果を示す。尚、その添加量が1重量部未満や10重量部を越えたりすると、Qf値が20000 を下回る。
【0020】
また、主成分である誘電体材料に対して添加するSi含有化合物、例えばSiO2 は主に焼結開始温度、収縮開始温度やQf値を制御するものであり、主成分である誘電体材料100重量部に対して、Si含有化合物をSiO2 換算で0.01重量部未満では、例えば、焼結開始温度が930℃と、AgやCuの融点に近い温度で焼結が開始されてしまう。また、5重量部を越えると、極端にQf値が劣化してしまう。
【0021】
さらに主成分である誘電体材料に対して添加するアルカリ土類金属含有化合物、例えばBaO、MgO、SrOは、主に焼結開始温度の制御及び磁器組成物のスラリー化を制御するものである。そして、主成分である誘電体材料100重量部に対して、アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算が0.1重量部未満では、焼結不足となり、また、5重量部を越えると、Qf値が劣化するとともに、製造工程中のスラリー化が実用に適しない状態となる。例えば、スラリー化させるための溶剤の量が通常の1.5倍〜2.0倍を越える多量の溶剤が必要となる。
【0022】
尚、主成分である誘電体材料に対して添加するMn含有化合物は、主成分である誘電体材料100重量部に対して、Mn合有化合物がMnO2 換算で0.1重量部未満では、焼結温度が高くなり、3重量部を越えると、温度係数が極端に劣化してしまう。
【0023】
従って、本発明の多層配線基板の誘電層が、組成式(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 (0≦x≦0.2)で表される誘電体材料(主成分)に、B含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Si含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加含有することにより、誘電体層と回路導体とを同時焼結しても基板等の反り、歪み等の発生がなく、誘電体層の薄型化するために必要な安定した粘度のスリップ材を簡単に形成することもでき、共振回路、コンデンサ回路、フィルタ回路などを多層基板内に内装することができ、しかも、共振回路を構成するマイクロストリップ線路などを小型化することができ、温度特性に優れた多層配線基板となる。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の多層基板を図面に基づいて詳説する。
【0025】
図1は、本発明に係る多層基板の断面図である。図において、1は多層基板であり、5は電子部品である。多層基板1は、複数の誘電体層1a〜1dと、各誘電体層1a〜1d間に内装された所定回路導体(内部配線パターン)2・・・が配置され、多層基板1の表面には、所定回路導体(表面配線パターン)3が配置されている。また、誘電体層1a〜1dの各誘電体層の厚みには、ビアホール導体4が形成されている。
【0026】
上述の誘電体層1a〜1dは、組成式(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 (0≦x≦0.2)で表される誘電体材料(主成分)に、B含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Si含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物、Mn化合物が含有されて構成されている。
【0027】
内部配線パターン2、表面配線パターン3及びビアホール導体4は、AgやCuなどを主成分とする低抵抗材料からなり、所定回路網や電子部品の搭載用パッド、端子電極を構成するとともに、共振回路を構成するマイクロストリップ線路やインダクタ導体、コンデンサを形成するための平板容量電極、フィルタ回路を構成するインダクタ導体、平板容量電極パターンなどとなる。
【0028】
このような高周波回路においては、導損(導体膜による特性の損失)及び基板材料である誘電体損(誘電体材料による特性の損失)を如何に小さくするかが重要となる。上述の構造においては、配線パターン2、3にAgやCuなどの低抵抗材料を用いることにより、導体損が小さくできる。
【0029】
従って、誘電体層1a〜1dの誘電体材料による誘電体損を小さくすることが重要となる。
【0030】
多層配線基板は、内部配線パターン2、表面配線パターン3、ビアホール導体4となる導体膜、導体を形成した誘電体層1a〜1dとなる誘電体グリーンシートが複数積層されて、同時焼結されて形成される。
【0031】
即ち、誘電体層1a〜1dの誘電体諸特性は、上述のグリーンシートを形成する際の所定誘電体磁器材料の原料粉末によって規定される。
【0032】
また、製造工程上、上述の原料粉末と有機バインダ及び有機溶剤あるいは水とからなるスラリーが安定して形成されることが必要となる。即ち、多量の溶剤が必要となったり、経時的に粘度が変質しやすいものでは、実用上問題となる。
【0033】
ここで、スラリーには欠かせない有機バインダ及び溶剤は、低温短時間の焼成工程で完全に焼失されなくてはならない。例えば、熱分解性に優れた有機バインダとしては、2級もしくは3級炭素を有したブチルアクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに対応するアルキルメタクリレートを主成分とするものが例示できる。また、有機溶剤に対応してテトラエチレングリコールジアクリレート等のポリエチングリコールジアクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも有効である。スリップ材の溶剤として水を使用する際には、有機バインダには前述の主成分に加え、水に対する溶解性を上げるため親水性の官能基としてカルボキシル基が付加することが多く、酸価にして5以上の付加を行うのが好ましい。尚、付加量が少ない場合は水への溶解性、固形成分の粉末の分散性が悪くなる。
【0034】
また、スリップ材の溶剤として有機溶剤を使用する場合でも、シートにビアホール導体が形成される孔を形成するのに、フォトリソ技術(露光・現像)を用いることがある。この場合、露光を可能にするために光硬化可能なモノマー添加し、さらに、現像に対応して有機バインダのアルカリ水溶液への溶解性を上げるため親水性の官能基としてカルボキシル基が付加することが多く、酸価にして5以上の付加を行うのが好ましい。
【0035】
多層配線基板は、上述のように誘電体層1a〜1dとなるグリーンシートを作成し、該シートに、各誘電体層の厚みを貫くビアホール導体4となる貫通孔を形成し、この貫通孔に導体を充填し、該シート上に内部配線パターン2となる導体や表面配線パターン3となるなる導体膜を、AgやCuを主成分とする導電性ペーストを用いて印刷形成する。
【0036】
そして、このようにして得られたグリーンシートを積層順に応じて、積層・圧着した後、脱バインダー工程及び焼成工程からなる焼結処理により、誘電体層及び導体膜とを同時焼結する。
【0037】
尚、この焼結時としては、大気雰囲気中で、例えば、ピーク温度800〜950℃で焼成する。
【0038】
上述の原料粉末と有機バインダを溶剤と共に混合しスラリー材を得るにあたり、水を溶剤として使用した場合には、リチウムの水への溶解性が高いためリチウムが溶剤中へ溶出する。有機溶剤を使用した場合でも粉末の表面に吸着した水分により不安定化したリチウムが溶剤中へ溶出する。
【0039】
リチウムが溶出した部分からは原料粉末の他の成分もスラリー材の中に溶出する。例えば、原料のうちのアルカリ土類金属であり、2価の陽イオンとなるMg、Caは有機バインダ中のカルボキシル基と反応し、カルボキシル基の量が酸価にして5以上の有機バインダの場合はスラリー材がゲル化したり、時間経過と共に粘度が増加し、実用に耐えないスラリー材としてしまう。
【0040】
これを防止するため、各種成分の組成を検討することにより、添加物として加えるアルカリ土類金属の量を制限することにより、実用範囲内で安定した粘度を持つスラリー材を得ることができる。
【0041】
【実験例】
本発明者は、多層配線基板の誘電体層となる誘電体材料の特性を調べるために、原料として純度99%以上の、MgTiO3 粉末、CaTiO3 粉末、B2 O3 粉末、アルカリ金属炭酸塩粉末(Li2 CO3 、Na2 CO3 、K2 CO3 )、SiO2 粉末、MnO2 粉末、さらにアルカリ土類金属酸化物(MgO、CaO、Sr、BaO)を含むガラスフリットを、表1に示す割合となるように秤量し、純水を媒体とし、ZrO2 ボールを用いたボールミルにて20時間湿式混合した。
【0042】
次にこの混合物を乾燥(脱水)し、800℃で1時間板焼した。さらに、仮焼物を、粉砕粒径が1.0μm以下になるように粉砕した。この粉末に、メタクリレートとメタクリル酸を共重合させ酸価を50としたバインダを粉末に対して15wt%、DOPを可塑剤として4wt%、溶剤として3メトキシブチルアセテートを加え、40時間ボールミルで混合して、スリップ材を作成し、ドクターブレード法により成形しテープを得た。また前記粉砕後の粉末を誘電特性評価用の試料として直径10mm高さ8mmの円柱状に1ton/cm2 の圧力でプレス成型し、これを表1に示す温度で2時間焼成し、直径8mm、高さ6mmの円柱状の試料を得た。誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電体円柱共振器法にて周波数8GHzにおける比誘電率とQ値を測定した。Q値と測定周波数fとの積で表されるQf値を記載した。さらに、−40〜+85℃の温度範囲における共振周波数の温度係数τf〔ppm/℃〕を測定した。
【0043】
尚、評価項目として、焼成温度はAgやCuの導体膜との焼結挙動を考慮して、焼成温度を870〜920℃に、収縮開始温度を760〜830℃を良品とし、また、比誘電率は18〜20を良品とし、Qf値が20000〔GHz〕以上を良品とし、温度係数を±40ppm/℃以内を良品とした。また、スラリー化に関しては、多量の溶剤を必要とすることなく、また、粘度の変質やゲル化することがなく、安定したシート成型ができるものを良品とした。
【0044】
【表1】
【0045】
これらの表1から、本発明の多層基板用誘電体磁器組成物では、(1−x)MgTiO3 ・xCaTiO3 と表した時、xが0≦x≦0.2を満足する該誘電体材料100重量部に対して、B含有化合物をB2 O3 換算で3〜20重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、Si含有化合物をSiO2 換算で0.01〜5重量部、アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜2重量部とすることにより、比誘電率が18〜20、Qf値が20000〔GHz〕以上、かつ、共振周波数の温度係数τfが±40ppm/℃以内の優れた誘電特性を有するとともに、760〜830℃で焼結収縮が開始し、920℃以下で焼成が可能な優れたものとすることができる。
【0046】
尚、表1のアルカリ金属化合物の欄において、Li、Na、Kと記載したが、これはLi2 CO3 、Na2 CO3 、K2 CO3 の意味であり、また、アルカリ土類金属化合物の欄において、Mg、Ba、Ca、Srと記載したが、これは、MgO、CaO、SrO、BaOの意味である。
【0047】
【発明の効果】
以上、詳述した通り、本発明によれば、組成式(1−x)MgTiO3 ・x CaTiO3 で表される主成分に、B含有化合物、アルカリ金属合有化合物、Si含有化合物、さらにアルカリ土類金属合有化合物を含有することにより、焼成温度を870〜920℃、収縮開始温度を760〜830℃とすることが可能となるため、AgやCu等の回路導体と同時に焼成でき、回路導体の収縮挙動の不整合から発生する基板等の反りや歪みを抑制することができる。
【0048】
また、高周波領域において、高い比誘電率(18〜20)と高いQf値(20000以上)となるため、高周波回路の小型・高性能化が実現できる。
【0049】
、また、温度特性にも優れた実用に適したシート化が可能な多層配線基板となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る多層基板の断面図である。
【符号の説明】
1・・・多層基板
2・・・内部配線導体
3・・・表面配線導体
4・・・ビアホール導体
5・・・電子部品
Claims (1)
- カルボキシル基が付加された有機バインダを含有するスラリーを含んでなるグリーンシートを複数積層して焼結することにより形成される複数の誘電体層の層間に、AgまたはCuを主成分とする配線パターンを配してなる多層配線基板であって、
前記誘電体層は、一般式(1−x)MgTiO3・xCaTiO3と表した時、xが0≦x≦0.2を満足する該誘電体材料100重量部に対して、
B含有化合物をB2O3換算で3〜20重量部、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で1〜10重量部、
Si含有化合物をSiO2換算で0.01〜5重量部、
アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で0.1〜5重量部、含有していることを特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04601898A JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04601898A JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11251755A JPH11251755A (ja) | 1999-09-17 |
JP3798901B2 true JP3798901B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=12735320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04601898A Expired - Fee Related JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3798901B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
JP3939504B2 (ja) * | 2001-04-17 | 2007-07-04 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置並びにその製造方法および実装構造 |
JP2007173857A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04601898A patent/JP3798901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11251755A (ja) | 1999-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050613 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050811 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060421 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 5 |
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