JPH11251755A - 多層配線基板 - Google Patents
多層配線基板Info
- Publication number
- JPH11251755A JPH11251755A JP10046018A JP4601898A JPH11251755A JP H11251755 A JPH11251755 A JP H11251755A JP 10046018 A JP10046018 A JP 10046018A JP 4601898 A JP4601898 A JP 4601898A JP H11251755 A JPH11251755 A JP H11251755A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- containing compound
- parts
- terms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、高周波回路基板としての誘電体特
性を満足し、しかも、反りや基板の変形のない多層配線
基板を提供する。 【解決手段】 複数の誘電体層の層間に、ＡｇまたはＣ
ｕを主成分とする配線パターンを配置した多層配線基板
であって、前記誘電体層が、（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・
ｘＣａＴｉＯ3 と表した時、前記ｘが０≦ｘ≦０．２を
満足する誘電体材料に、該誘電体材料１００重量部に対
して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉＯ2 換算で０．０
１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属含有化合物をア
ルカリ土類金属酸化物換算で０．１〜２重量部が含有し
ている多層配線基板である。
性を満足し、しかも、反りや基板の変形のない多層配線
基板を提供する。 【解決手段】 複数の誘電体層の層間に、ＡｇまたはＣ
ｕを主成分とする配線パターンを配置した多層配線基板
であって、前記誘電体層が、（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・
ｘＣａＴｉＯ3 と表した時、前記ｘが０≦ｘ≦０．２を
満足する誘電体材料に、該誘電体材料１００重量部に対
して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、
アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉＯ2 換算で０．０
１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属含有化合物をア
ルカリ土類金属酸化物換算で０．１〜２重量部が含有し
ている多層配線基板である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を示す、高周波回
路の構成に適した多層配線基に関するものである。
波等の高周波領域において、高いＱ値を示す、高周波回
路の構成に適した多層配線基に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波やミリ波等の高周波領
域で動作する高周波回路は、マイクロストリップライン
を含む共振回路や所定周波数を抽出するフィルタ等など
が例示でき、誘電体基板に直接形成することがある。
域で動作する高周波回路は、マイクロストリップライン
を含む共振回路や所定周波数を抽出するフィルタ等など
が例示でき、誘電体基板に直接形成することがある。
【０００３】近年においては、携帯電話装置などに見ら
れるように、小型化が希求され、誘電体基板を、多層配
線基板で形成していた。
れるように、小型化が希求され、誘電体基板を、多層配
線基板で形成していた。
【０００４】また、製造方法としては、高周波回路を構
成する回路導体（内部配線パターンや表面配線パター
ン）を誘電体層間に配置して、基板と一体焼成してい
た。
成する回路導体（内部配線パターンや表面配線パター
ン）を誘電体層間に配置して、基板と一体焼成してい
た。
【０００５】このような多層配線基板の誘電体層として
は、焼成温度が１１００℃以上という高温であったた
め、回路導体の材料としては、高融点金属であるＰｔ、
Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。これら高融点の導
体材料は導通抵抗が大きいため、高周波回路基板には不
向きであった。即ち、共振回路やインダクタンスのＱ値
が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくな
る等の問題があった。
は、焼成温度が１１００℃以上という高温であったた
め、回路導体の材料としては、高融点金属であるＰｔ、
Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。これら高融点の導
体材料は導通抵抗が大きいため、高周波回路基板には不
向きであった。即ち、共振回路やインダクタンスのＱ値
が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくな
る等の問題があった。
【０００６】そこで、かかる問題点を解決すべく、導通
抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等などの回路導体を用いること
が考えられ、同時に、誘電体層を構成する材料として、
低温焼成の誘電体材料が提案されている。
抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等などの回路導体を用いること
が考えられ、同時に、誘電体層を構成する材料として、
低温焼成の誘電体材料が提案されている。
【０００７】例えば、本出題人は先にＭｇＯ、ＣａＯ、
ＴｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3を有する誘電体磁器
組成物を提案した（特開平８−２０８３３０号公報参
照）。
ＴｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3を有する誘電体磁器
組成物を提案した（特開平８−２０８３３０号公報参
照）。
【０００８】この誘電体磁器組成物は、９００〜１０５
０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の回路導体と同時に焼
成でき、しかも、誘電体層の比誘電率εｒを１８以上、
測定周波数８ＧＨｚでのＱ値（Ｑｆ値）が２００００以
上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ以内
と優れた特性を達成することができる。これにより、高
周波回路を小型化、高性能化が実現できる。
０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の回路導体と同時に焼
成でき、しかも、誘電体層の比誘電率εｒを１８以上、
測定周波数８ＧＨｚでのＱ値（Ｑｆ値）が２００００以
上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ以内
と優れた特性を達成することができる。これにより、高
周波回路を小型化、高性能化が実現できる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
の焼結温度（９００〜１０５０℃）は、ＡｇやＣｕなど
と一体的焼結が可能な温度であるものの、若干高く、さ
らに焼結時の収縮開始温度が８４５〜９６０℃と比較的
高温であるため、ＡｇゃＣｕなどの回路導体材料の収縮
挙動との整合性が得にくく、焼成された多層配線基板に
反りや歪みが発生するという問題があった。
８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物
の焼結温度（９００〜１０５０℃）は、ＡｇやＣｕなど
と一体的焼結が可能な温度であるものの、若干高く、さ
らに焼結時の収縮開始温度が８４５〜９６０℃と比較的
高温であるため、ＡｇゃＣｕなどの回路導体材料の収縮
挙動との整合性が得にくく、焼成された多層配線基板に
反りや歪みが発生するという問題があった。
【００１０】これは、回路導体材料は、ＡｇやＣｕを主
成分とするが、Ａｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミ
ック成分、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあり、
焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃程度で
あるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度との差
が大きくなってしまう。
成分とするが、Ａｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミ
ック成分、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあり、
焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃程度で
あるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度との差
が大きくなってしまう。
【００１１】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、高周波回路用の基板として諸
特性を満足し、しかも、焼結挙動が誘電体層間に配置し
たＡｇやＣｕなどの回路導体の焼結挙動と近似し、反り
や基板の変形がなく、小型化が可能な多層配線基板を提
供することである。
ものであり、その目的は、高周波回路用の基板として諸
特性を満足し、しかも、焼結挙動が誘電体層間に配置し
たＡｇやＣｕなどの回路導体の焼結挙動と近似し、反り
や基板の変形がなく、小型化が可能な多層配線基板を提
供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の誘電体
層の層間に、ＡｇまたはＣｕを主成分とする配線パター
ンを配して成る多層配線基板であって、前記誘電体層
は、一般式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 と
表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する該誘電体材料
１００重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で
３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金
属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉ
Ｏ2 換算で０．０１〜５重量部、さらに、アルカリ土類
金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．１
〜２重量部を含有されている。
層の層間に、ＡｇまたはＣｕを主成分とする配線パター
ンを配して成る多層配線基板であって、前記誘電体層
は、一般式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 と
表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する該誘電体材料
１００重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で
３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金
属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉ
Ｏ2 換算で０．０１〜５重量部、さらに、アルカリ土類
金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．１
〜２重量部を含有されている。
【００１３】尚、上述の誘電体層には、誘電体材料１０
０重量部に対して、さらにＭｎ含有化合物をＭｎＯ2 換
算で０．１〜３重量部含有させることが好ましい。
０重量部に対して、さらにＭｎ含有化合物をＭｎＯ2 換
算で０．１〜３重量部含有させることが好ましい。
【００１４】
【作用】本発明の多層配線基板は、誘電体層として、金
属元素として少なくともＭｇおよびＴｉを含有し、これ
らのモル比による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘ
ＣａＴｉＯ3 で表した時、前記ｘが０≦ｘ≦０．２を満
足する誘電体材料を主成分として、この誘電体材料１０
０重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜
２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭
酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉＯ2
換算で０．０１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属含
有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．１〜２重
量部含有されて構成されている。また、主成分１００重
量部に対して、さらにＭｎ合有化合物をＭｎＯ2 換算で
０．１〜３重量部含有することが望ましい。
属元素として少なくともＭｇおよびＴｉを含有し、これ
らのモル比による組成式を（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘ
ＣａＴｉＯ3 で表した時、前記ｘが０≦ｘ≦０．２を満
足する誘電体材料を主成分として、この誘電体材料１０
０重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜
２０重量部、アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭
酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化合物をＳｉＯ2
換算で０．０１〜５重量部、さらにアルカリ土類金属含
有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．１〜２重
量部含有されて構成されている。また、主成分１００重
量部に対して、さらにＭｎ合有化合物をＭｎＯ2 換算で
０．１〜３重量部含有することが望ましい。
【００１５】このような誘電体層間に、Ａｇおよび／ま
たはＣｕを主成分とする回路導体を配置して多層基板が
達成される。
たはＣｕを主成分とする回路導体を配置して多層基板が
達成される。
【００１６】組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴ
ｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）で表される誘電体材料（主成
分）に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ
含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加
含有した誘電体層を用いることにより、比誘電率が１８
〜２０で、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上となり、
共振回路での共振周波数の温度変化が±４０ｐｐｍ／℃
以内となり、高周波回路を構成するのに適した特性とな
る。また、焼成温度が８７０〜９２０℃となり、収縮開
始温度が７６０〜８３０℃となり、多層配線基板の回路
導体としてＡｇやＣｕなどの低抵抗材料を用いることが
でき、しかも、収縮開始温度に近似させることができ、
誘電体層と回路導体とを同時焼結しても基板等の反り、
歪み等の発生を抑制することができる。
ｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）で表される誘電体材料（主成
分）に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ
含有化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加
含有した誘電体層を用いることにより、比誘電率が１８
〜２０で、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上となり、
共振回路での共振周波数の温度変化が±４０ｐｐｍ／℃
以内となり、高周波回路を構成するのに適した特性とな
る。また、焼成温度が８７０〜９２０℃となり、収縮開
始温度が７６０〜８３０℃となり、多層配線基板の回路
導体としてＡｇやＣｕなどの低抵抗材料を用いることが
でき、しかも、収縮開始温度に近似させることができ、
誘電体層と回路導体とを同時焼結しても基板等の反り、
歪み等の発生を抑制することができる。
【００１７】上述の組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘ
ＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）において、モル比率
（ｘ）が０．２を越えると、温度係数係数が±４０ｐｐ
ｍ／℃から外れてしまい、安定した高周波動作が可能な
多層配線基板が達成されない。
ＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．２）において、モル比率
（ｘ）が０．２を越えると、温度係数係数が±４０ｐｐ
ｍ／℃から外れてしまい、安定した高周波動作が可能な
多層配線基板が達成されない。
【００１８】また、誘電体材料に対して添加するＢ含有
化合物、例えばＢ2 Ｏ3 は、主に焼結性を制御するもの
であり、添加量が３重量部未満では焼結しなくなる。ま
た、添加量が２０重量部を越えるとＱｆ値が劣化してし
まい、実用に適した範囲、例えば２００００以上とする
ことができない。このＱｆ値が２００００以下となる
と、例えば、フィルタ特性のＳ／Ｎ比による損失が誘電
体材料による損失（誘電体損）が顕著となる。
化合物、例えばＢ2 Ｏ3 は、主に焼結性を制御するもの
であり、添加量が３重量部未満では焼結しなくなる。ま
た、添加量が２０重量部を越えるとＱｆ値が劣化してし
まい、実用に適した範囲、例えば２００００以上とする
ことができない。このＱｆ値が２００００以下となる
と、例えば、フィルタ特性のＳ／Ｎ比による損失が誘電
体材料による損失（誘電体損）が顕著となる。
【００１９】また、主成分である誘電体材料に対して添
加するアルカリ金属含有化合物、例えばＬｉ2 ＣＯ3 、
Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 などは、主にＱｆ値を２００
０0以上で安定させ、焼結性を制御するものであり、誘
電体材料１００重量部に対して、アルカリ金属含有化合
物がアルカリ金属炭酸塩換算で6 〜７重量部で良好な結
果を示す。尚、その添加量が１重量部未満や１０重量部
を越えたりすると、Ｑｆ値が２０００0 を下回る。
加するアルカリ金属含有化合物、例えばＬｉ2 ＣＯ3 、
Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 などは、主にＱｆ値を２００
０0以上で安定させ、焼結性を制御するものであり、誘
電体材料１００重量部に対して、アルカリ金属含有化合
物がアルカリ金属炭酸塩換算で6 〜７重量部で良好な結
果を示す。尚、その添加量が１重量部未満や１０重量部
を越えたりすると、Ｑｆ値が２０００0 を下回る。
【００２０】また、主成分である誘電体材料に対して添
加するＳｉ含有化合物、例えばＳｉＯ2 は主に焼結開始
温度、収縮開始温度やＱｆ値を制御するものであり、主
成分である誘電体材料１００重量部に対して、Ｓｉ含有
化合物をＳｉＯ2 換算で０．０１重量部未満では、例え
ば、焼結開始温度が９３０℃と、ＡｇやＣｕの融点に近
い温度で焼結が開始されてしまう。また、５重量部を越
えると、極端にＱｆ値が劣化してしまう。
加するＳｉ含有化合物、例えばＳｉＯ2 は主に焼結開始
温度、収縮開始温度やＱｆ値を制御するものであり、主
成分である誘電体材料１００重量部に対して、Ｓｉ含有
化合物をＳｉＯ2 換算で０．０１重量部未満では、例え
ば、焼結開始温度が９３０℃と、ＡｇやＣｕの融点に近
い温度で焼結が開始されてしまう。また、５重量部を越
えると、極端にＱｆ値が劣化してしまう。
【００２１】さらに主成分である誘電体材料に対して添
加するアルカリ土類金属含有化合物、例えばＢａＯ、Ｍ
ｇＯ、ＳｒＯは、主に焼結開始温度の制御及び磁器組成
物のスラリー化を制御するものである。そして、主成分
である誘電体材料１００重量部に対して、アルカリ土類
金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算が０．１
重量部未満では、焼結不足となり、また、５重量部を越
えると、Ｑｆ値が劣化するとともに、製造工程中のスラ
リー化が実用に適しない状態となる。例えば、スラリー
化させるための溶剤の量が通常の１．５倍〜２．０倍を
越える多量の溶剤が必要となる。
加するアルカリ土類金属含有化合物、例えばＢａＯ、Ｍ
ｇＯ、ＳｒＯは、主に焼結開始温度の制御及び磁器組成
物のスラリー化を制御するものである。そして、主成分
である誘電体材料１００重量部に対して、アルカリ土類
金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算が０．１
重量部未満では、焼結不足となり、また、５重量部を越
えると、Ｑｆ値が劣化するとともに、製造工程中のスラ
リー化が実用に適しない状態となる。例えば、スラリー
化させるための溶剤の量が通常の１．５倍〜２．０倍を
越える多量の溶剤が必要となる。
【００２２】尚、主成分である誘電体材料に対して添加
するＭｎ含有化合物は、主成分である誘電体材料１００
重量部に対して、Ｍｎ合有化合物がＭｎＯ2 換算で０．
１重量部未満では、焼結温度が高くなり、３重量部を越
えると、温度係数が極端に劣化してしまう。
するＭｎ含有化合物は、主成分である誘電体材料１００
重量部に対して、Ｍｎ合有化合物がＭｎＯ2 換算で０．
１重量部未満では、焼結温度が高くなり、３重量部を越
えると、温度係数が極端に劣化してしまう。
【００２３】従って、本発明の多層配線基板の誘電層
が、組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ
3 （０≦ｘ≦０．２）で表される誘電体材料（主成分）
に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ含有
化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加含有
することにより、誘電体層と回路導体とを同時焼結して
も基板等の反り、歪み等の発生がなく、誘電体層の薄型
化するために必要な安定した粘度のスリップ材を簡単に
形成することもでき、共振回路、コンデンサ回路、フィ
ルタ回路などを多層基板内に内装することができ、しか
も、共振回路を構成するマイクロストリップ線路などを
小型化することができ、温度特性に優れた多層配線基板
となる。
が、組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ
3 （０≦ｘ≦０．２）で表される誘電体材料（主成分）
に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ含有
化合物、アルカリ土類金属含有化合物を所定量添加含有
することにより、誘電体層と回路導体とを同時焼結して
も基板等の反り、歪み等の発生がなく、誘電体層の薄型
化するために必要な安定した粘度のスリップ材を簡単に
形成することもでき、共振回路、コンデンサ回路、フィ
ルタ回路などを多層基板内に内装することができ、しか
も、共振回路を構成するマイクロストリップ線路などを
小型化することができ、温度特性に優れた多層配線基板
となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の多層基板を図面に
基づいて詳説する。
基づいて詳説する。
【００２５】図１は、本発明に係る多層基板の断面図で
ある。図において、１は多層基板であり、５は電子部品
である。多層基板１は、複数の誘電体層１ａ〜１ｄと、
各誘電体層１ａ〜１ｄ間に内装された所定回路導体（内
部配線パターン）２・・・が配置され、多層基板１の表
面には、所定回路導体（表面配線パターン）３が配置さ
れている。また、誘電体層１ａ〜１ｄの各誘電体層の厚
みには、ビアホール導体４が形成されている。
ある。図において、１は多層基板であり、５は電子部品
である。多層基板１は、複数の誘電体層１ａ〜１ｄと、
各誘電体層１ａ〜１ｄ間に内装された所定回路導体（内
部配線パターン）２・・・が配置され、多層基板１の表
面には、所定回路導体（表面配線パターン）３が配置さ
れている。また、誘電体層１ａ〜１ｄの各誘電体層の厚
みには、ビアホール導体４が形成されている。
【００２６】上述の誘電体層１ａ〜１ｄは、組成式（１
−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．
２）で表される誘電体材料（主成分）に、Ｂ含有化合
物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ含有化合物、アルカ
リ土類金属含有化合物、Ｍｎ化合物が含有されて構成さ
れている。
−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 （０≦ｘ≦０．
２）で表される誘電体材料（主成分）に、Ｂ含有化合
物、アルカリ金属含有化合物、Ｓｉ含有化合物、アルカ
リ土類金属含有化合物、Ｍｎ化合物が含有されて構成さ
れている。
【００２７】内部配線パターン２、表面配線パターン３
及びビアホール導体４は、ＡｇやＣｕなどを主成分とす
る低抵抗材料からなり、所定回路網や電子部品の搭載用
パッド、端子電極を構成するとともに、共振回路を構成
するマイクロストリップ線路やインダクタ導体、コンデ
ンサを形成するための平板容量電極、フィルタ回路を構
成するインダクタ導体、平板容量電極パターンなどとな
る。
及びビアホール導体４は、ＡｇやＣｕなどを主成分とす
る低抵抗材料からなり、所定回路網や電子部品の搭載用
パッド、端子電極を構成するとともに、共振回路を構成
するマイクロストリップ線路やインダクタ導体、コンデ
ンサを形成するための平板容量電極、フィルタ回路を構
成するインダクタ導体、平板容量電極パターンなどとな
る。
【００２８】このような高周波回路においては、導損
（導体膜による特性の損失）及び基板材料である誘電体
損（誘電体材料による特性の損失）を如何に小さくする
かが重要となる。上述の構造においては、配線パターン
２、３にＡｇやＣｕなどの低抵抗材料を用いることによ
り、導体損が小さくできる。
（導体膜による特性の損失）及び基板材料である誘電体
損（誘電体材料による特性の損失）を如何に小さくする
かが重要となる。上述の構造においては、配線パターン
２、３にＡｇやＣｕなどの低抵抗材料を用いることによ
り、導体損が小さくできる。
【００２９】従って、誘電体層１ａ〜１ｄの誘電体材料
による誘電体損を小さくすることが重要となる。
による誘電体損を小さくすることが重要となる。
【００３０】多層配線基板は、内部配線パターン２、表
面配線パターン３、ビアホール導体４となる導体膜、導
体を形成した誘電体層１ａ〜１ｄとなる誘電体グリーン
シートが複数積層されて、同時焼結されて形成される。
面配線パターン３、ビアホール導体４となる導体膜、導
体を形成した誘電体層１ａ〜１ｄとなる誘電体グリーン
シートが複数積層されて、同時焼結されて形成される。
【００３１】即ち、誘電体層１ａ〜１ｄの誘電体諸特性
は、上述のグリーンシートを形成する際の所定誘電体磁
器材料の原料粉末によって規定される。
は、上述のグリーンシートを形成する際の所定誘電体磁
器材料の原料粉末によって規定される。
【００３２】また、製造工程上、上述の原料粉末と有機
バインダ及び有機溶剤あるいは水とからなるスラリーが
安定して形成されることが必要となる。即ち、多量の溶
剤が必要となったり、経時的に粘度が変質しやすいもの
では、実用上問題となる。
バインダ及び有機溶剤あるいは水とからなるスラリーが
安定して形成されることが必要となる。即ち、多量の溶
剤が必要となったり、経時的に粘度が変質しやすいもの
では、実用上問題となる。
【００３３】ここで、スラリーには欠かせない有機バイ
ンダ及び溶剤は、低温短時間の焼成工程で完全に焼失さ
れなくてはならない。例えば、熱分解性に優れた有機バ
インダとしては、２級もし〈は３級炭素を有したブチル
アクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに
対応するアルキルメタクリレートを主成分とするものが
例示できる。また、有機溶剤に対応してテトラエチレン
グリコールジアクリレート等のポリエチングリコールジ
アクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも
有効である。スリップ材の溶剤として水を使用する際に
は、有機バインダには前述の主成分に加え、水に対する
溶解性を上げるため親水性の官能基としてカルボキシル
基が付加することが多〈、酸価にして５以上の付加を行
うのが好ましい。尚、付加量が少ない場合は水への溶解
性、固形成分の粉末の分散性が悪くなる。
ンダ及び溶剤は、低温短時間の焼成工程で完全に焼失さ
れなくてはならない。例えば、熱分解性に優れた有機バ
インダとしては、２級もし〈は３級炭素を有したブチル
アクリレート等のアルキルアクリレートおよびそれらに
対応するアルキルメタクリレートを主成分とするものが
例示できる。また、有機溶剤に対応してテトラエチレン
グリコールジアクリレート等のポリエチングリコールジ
アクリレートおよびそれらに対応するメタクリレートも
有効である。スリップ材の溶剤として水を使用する際に
は、有機バインダには前述の主成分に加え、水に対する
溶解性を上げるため親水性の官能基としてカルボキシル
基が付加することが多〈、酸価にして５以上の付加を行
うのが好ましい。尚、付加量が少ない場合は水への溶解
性、固形成分の粉末の分散性が悪くなる。
【００３４】また、スリップ材の溶剤として有機溶剤を
使用する場合でも、シートにビアホール導体が形成され
る孔を形成するのに、フォトリソ技術（露光・現像）を
用いることがある。この場合、露光を可能にするために
光硬化可能なモノマー添加し、さらに、現像に対応して
有機バインダのアルカリ水溶液への溶解性を上げるため
親水性の官能機としてカルボキシル基が付加することが
多〈、酸価にして５以上の付加を行うのが好ましい。
使用する場合でも、シートにビアホール導体が形成され
る孔を形成するのに、フォトリソ技術（露光・現像）を
用いることがある。この場合、露光を可能にするために
光硬化可能なモノマー添加し、さらに、現像に対応して
有機バインダのアルカリ水溶液への溶解性を上げるため
親水性の官能機としてカルボキシル基が付加することが
多〈、酸価にして５以上の付加を行うのが好ましい。
【００３５】多層配線基板は、上述のように誘電体層１
ａ〜１ｄとなるグリーンシートを作成し、該シートに、
各誘電体層の厚みを貫くビアホール導体４となる貫通孔
を形成し、この貫通孔に導体を充填し、該シート上に内
部配線パターン２となる導体や表面配線パターン３とな
るなる導体膜を、ＡｇやＣｕを主成分とする導電性ペー
ストを用いて印刷形成する。
ａ〜１ｄとなるグリーンシートを作成し、該シートに、
各誘電体層の厚みを貫くビアホール導体４となる貫通孔
を形成し、この貫通孔に導体を充填し、該シート上に内
部配線パターン２となる導体や表面配線パターン３とな
るなる導体膜を、ＡｇやＣｕを主成分とする導電性ペー
ストを用いて印刷形成する。
【００３６】そして、このようにして得られたグリーン
シートを積層順に応じて、積層・圧着した後、脱バイン
ダー工程及び焼成工程からなる焼結処理により、誘電体
層及び導体膜とを同時焼結する。
シートを積層順に応じて、積層・圧着した後、脱バイン
ダー工程及び焼成工程からなる焼結処理により、誘電体
層及び導体膜とを同時焼結する。
【００３７】尚、この焼結時としては、大気雰囲気中
で、例えば、ピーク温度８００〜９５０℃で焼成する。
で、例えば、ピーク温度８００〜９５０℃で焼成する。
【００３８】上述の原料粉末と有機バインダを溶剤と共
に混合しスラリー材を得るにあたり、水を溶剤として使
用した場合には、リチウムの水への溶解性が高いためリ
チウムが溶剤中へ溶出する。有機溶剤を使用した場合で
も粉末の表面に吸着した水分により不安定化したリチウ
ムが溶剤中へ溶出する。
に混合しスラリー材を得るにあたり、水を溶剤として使
用した場合には、リチウムの水への溶解性が高いためリ
チウムが溶剤中へ溶出する。有機溶剤を使用した場合で
も粉末の表面に吸着した水分により不安定化したリチウ
ムが溶剤中へ溶出する。
【００３９】リチウムが溶出した部分からは原料粉末の
他の成分もスラリー材の中に溶出する。例えば、原料う
ちのアルカリ土類金属であり、２価の陽イオンとなるＭ
ｇ、Ｃａは有機バインダ中のカルボキシル基と反応し、
カルボキシル基の量が酸価にして５以上の有機バインダ
の場合はスラリー材がゲル化したり、時間経過と共に粘
度が増加し、実用に耐えないスラリー材としてしまう。
他の成分もスラリー材の中に溶出する。例えば、原料う
ちのアルカリ土類金属であり、２価の陽イオンとなるＭ
ｇ、Ｃａは有機バインダ中のカルボキシル基と反応し、
カルボキシル基の量が酸価にして５以上の有機バインダ
の場合はスラリー材がゲル化したり、時間経過と共に粘
度が増加し、実用に耐えないスラリー材としてしまう。
【００４０】これを防止するため、各種成分の組成を検
討することにより、添加物として加えるアルカリ土類金
属の量を制限することにより、実用範囲内で安定した粘
度を持つスラリー材を得ることができる。
討することにより、添加物として加えるアルカリ土類金
属の量を制限することにより、実用範囲内で安定した粘
度を持つスラリー材を得ることができる。
【００４１】
【実験例】本発明者は、多層配線基板の誘電体層となる
誘電体材料の特性を調べるために、原料として純度９９
％以上の、ＭｇＴｉＯ3 粉末、ＣａＴｉＯ3 粉末、Ｂ2
Ｏ3 粉末、アルカリ金属炭酸塩粉末（Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎ
ａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 ）、ＳｉＯ2 粉末、ＭｎＯ2 粉
末、さらにアルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、
Ｓｒ、ＢａＯ）を含むガラスフリットを、表１に示す割
合となるように秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて２０時間湿式混合した。
誘電体材料の特性を調べるために、原料として純度９９
％以上の、ＭｇＴｉＯ3 粉末、ＣａＴｉＯ3 粉末、Ｂ2
Ｏ3 粉末、アルカリ金属炭酸塩粉末（Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎ
ａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 ）、ＳｉＯ2 粉末、ＭｎＯ2 粉
末、さらにアルカリ土類金属酸化物（ＭｇＯ、ＣａＯ、
Ｓｒ、ＢａＯ）を含むガラスフリットを、表１に示す割
合となるように秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボー
ルを用いたボールミルにて２０時間湿式混合した。
【００４２】次にこの混合物を乾燥（脱水）し、８００
℃で１時間板焼した。さらに、仮焼物を、粉砕粒径が
１．０μｍ以下になるように粉砕した。この粉末に、メ
タクリレートとメタクリル酸を共重合させ酸価を５０と
したバインダを粉末に対して１５ｗｔ％、ＤＯＰを可塑
剤として４ｗｔ％、溶剤として３メトキシブチルアセテ
ートを加え、４０時間ボールミルで混合して、スリップ
材を作成し、ドクターブレード法により成形しテープを
得た。また前記粉砕後の粉末を誘電特性評価用の試料と
して直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ
2 の圧力でプレス成型し、これを表１に示す温度で２時
間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得
た。誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電体円柱共
振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測
定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表されるＱｆ値を
記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の温度範囲におけ
る共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／℃〕を測定し
た。
℃で１時間板焼した。さらに、仮焼物を、粉砕粒径が
１．０μｍ以下になるように粉砕した。この粉末に、メ
タクリレートとメタクリル酸を共重合させ酸価を５０と
したバインダを粉末に対して１５ｗｔ％、ＤＯＰを可塑
剤として４ｗｔ％、溶剤として３メトキシブチルアセテ
ートを加え、４０時間ボールミルで混合して、スリップ
材を作成し、ドクターブレード法により成形しテープを
得た。また前記粉砕後の粉末を誘電特性評価用の試料と
して直径１０ｍｍ高さ８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ
2 の圧力でプレス成型し、これを表１に示す温度で２時
間焼成し、直径８ｍｍ、高さ６ｍｍの円柱状の試料を得
た。誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電体円柱共
振器法にて周波数８ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測
定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表されるＱｆ値を
記載した。さらに、−４０〜＋８５℃の温度範囲におけ
る共振周波数の温度係数τｆ〔ｐｐｍ／℃〕を測定し
た。
【００４３】尚、評価項目として、焼成温度はＡｇやＣ
ｕの導体膜との焼結挙動を考慮して、焼成温度を８７０
〜９２０℃に、収縮開始温度を７６０〜８３０℃を良品
とし、また、比誘電率は１８〜２０を良品とし、Ｑｆ値
が２００００〔ＧＨｚ〕以上を良品とし、温度係数を±
４０ppm/℃以内を良品とした。また、スラリー化に関し
ては、多量の溶剤を必要とすることなく、また、粘度の
変質やゲル化することがなく、安定したシート成型がで
きるものを良品とした。
ｕの導体膜との焼結挙動を考慮して、焼成温度を８７０
〜９２０℃に、収縮開始温度を７６０〜８３０℃を良品
とし、また、比誘電率は１８〜２０を良品とし、Ｑｆ値
が２００００〔ＧＨｚ〕以上を良品とし、温度係数を±
４０ppm/℃以内を良品とした。また、スラリー化に関し
ては、多量の溶剤を必要とすることなく、また、粘度の
変質やゲル化することがなく、安定したシート成型がで
きるものを良品とした。
【００４４】
【表１】
【００４５】これらの表１から、本発明の多層基板用誘
電体磁器組成物では、（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａ
ＴｉＯ3 と表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する該
誘電体材料１００重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2
Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化
合物をＳｉＯ2 換算で０．０１〜５重量部、アルカリ土
類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．
１〜２重量部とすることにより、比誘電率が１８〜２
０、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上、かつ、共振周
波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた誘
電特性を有するとともに、７６０〜８３０℃で焼結収縮
が開始し、９２０℃以下で焼成が可能な優れたものとす
ることができる。
電体磁器組成物では、（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａ
ＴｉＯ3 と表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する該
誘電体材料１００重量部に対して、Ｂ含有化合物をＢ2
Ｏ3 換算で３〜２０重量部、アルカリ金属含有化合物を
アルカリ金属炭酸塩換算で１〜１０重量部、Ｓｉ含有化
合物をＳｉＯ2 換算で０．０１〜５重量部、アルカリ土
類金属含有化合物をアルカリ土類金属酸化物換算で０．
１〜２重量部とすることにより、比誘電率が１８〜２
０、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上、かつ、共振周
波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた誘
電特性を有するとともに、７６０〜８３０℃で焼結収縮
が開始し、９２０℃以下で焼成が可能な優れたものとす
ることができる。
【００４６】尚、表１のアルカリ金属化合物の欄におい
て、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋと記載したが、これはＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 の意味であり、また、
アルカリ土類金属化合物の欄において、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃ
ａ、Ｓｒと記載したが、これは、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの意味である。
て、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋと記載したが、これはＬｉ2 Ｃ
Ｏ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 の意味であり、また、
アルカリ土類金属化合物の欄において、Ｍｇ、Ｂａ、Ｃ
ａ、Ｓｒと記載したが、これは、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯの意味である。
【００４７】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 で表さ
れる主成分に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属合有化合
物、Ｓｉ含有化合物、さらにアルカリ土類金属合有化合
物を含有することにより、焼成温度を８７０〜９２０
℃、収縮開始温度を７６０〜８３０℃とすることが可能
となるため、ＡｇやＣｕ等の回路導体と同時に焼成で
き、回路導体の収縮挙動の不整合から発生する基板等の
反りや歪みを抑制することができる。
組成式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣａＴｉＯ3 で表さ
れる主成分に、Ｂ含有化合物、アルカリ金属合有化合
物、Ｓｉ含有化合物、さらにアルカリ土類金属合有化合
物を含有することにより、焼成温度を８７０〜９２０
℃、収縮開始温度を７６０〜８３０℃とすることが可能
となるため、ＡｇやＣｕ等の回路導体と同時に焼成で
き、回路導体の収縮挙動の不整合から発生する基板等の
反りや歪みを抑制することができる。
【００４８】また、高周波領域において、高い比誘電率
（１８〜２０）と高いＱｆ値（２００００以上）となる
ため、高周波回路の小型・高性能化が実現できる。
（１８〜２０）と高いＱｆ値（２００００以上）となる
ため、高周波回路の小型・高性能化が実現できる。
【００４９】、また、温度特性にも優れた実用に適した
シート化が可能な多層配線基板となる。
シート化が可能な多層配線基板となる。
【図１】本発明に係る多層基板の断面図である。
１・・・多層基板 ２・・・内部配線導体 ３・・・表面配線導体 ４・・・ビアホール導体 ５・・・電子部品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中澤 秀司 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内 (72)発明者 戸田 浩文 鹿児島県国分市山下町１番４号 京セラ株 式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層の層間に、ＡｇまたはＣ
ｕを主成分とする配線パターンを配して成る多層配線基
板であって、 前記誘電体層は、一般式（１−ｘ）ＭｇＴｉＯ3 ・ｘＣ
ａＴｉＯ3 と表した時、ｘが０≦ｘ≦０．２を満足する
該誘電体材料１００重量部に対して、 Ｂ含有化合物をＢ2 Ｏ3 換算で３〜２０重量部、 アルカリ金属含有化合物をアルカリ金属炭酸塩換算で１
〜１０重量部、 Ｓｉ含有化合物をＳｉＯ2 換算で０．０１〜５重量部、
さらに、アルカリ土類金属含有化合物をアルカリ土類金
属酸化物換算で０．１〜２重量部を含有されていること
を特徴とする多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04601898A JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04601898A JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251755A true JPH11251755A (ja) | 1999-09-17 |
| JP3798901B2 JP3798901B2 (ja) | 2006-07-19 |
Family
ID=12735320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04601898A Expired - Fee Related JP3798901B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3798901B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
| JP2002314028A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Iep Technologies:Kk | 半導体装置並びにその製造方法および実装構造 |
| JP2007173857A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04601898A patent/JP3798901B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001284807A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Kyocera Corp | 回路基板 |
| JP2002314028A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Iep Technologies:Kk | 半導体装置並びにその製造方法および実装構造 |
| JP2007173857A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3798901B2 (ja) | 2006-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5056528B2 (ja) | 絶縁体セラミック組成物およびそれを用いた絶縁体セラミック | |
| US6403200B2 (en) | Insulator ceramic composition | |
| JP3223199B2 (ja) | 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品 | |
| JP5076907B2 (ja) | フォルステライト粉末の製造方法、フォルステライト粉末、フォルステライト焼結体、絶縁体セラミック組成物、および積層セラミック電子部品 | |
| JP5742373B2 (ja) | 誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び誘電体磁器製造用粉末の製造方法 | |
| JP2001247360A (ja) | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP2002104870A (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP3680715B2 (ja) | 絶縁体磁器組成物 | |
| JP3860687B2 (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP3130214B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| JP3798901B2 (ja) | 多層配線基板 | |
| JP4506090B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP3934841B2 (ja) | 多層基板 | |
| JP2001284807A (ja) | 回路基板 | |
| JP2021153105A (ja) | 積層電子部品 | |
| JP4691978B2 (ja) | 誘電体組成物の製造方法 | |
| JP3764605B2 (ja) | 回路基板の製法 | |
| JP3372061B2 (ja) | 高周波誘電体材料ならびに共振器およびその製造方法 | |
| JP3373436B2 (ja) | セラミック積層電子部品 | |
| JP2003306377A (ja) | 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 | |
| JP3697975B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP2001284818A (ja) | 回路基板およびその製法 | |
| JP2003026472A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法、積層セラミック電子部品および積層セラミック電子部品製造用の生の複合積層体 | |
| JP4057853B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体および多層配線基板 | |
| JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050613 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050811 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051011 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060418 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060421 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090428 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100428 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110428 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120428 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |