JP2003306377A - 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品Info
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- JP2003306377A JP2003306377A JP2002111577A JP2002111577A JP2003306377A JP 2003306377 A JP2003306377 A JP 2003306377A JP 2002111577 A JP2002111577 A JP 2002111577A JP 2002111577 A JP2002111577 A JP 2002111577A JP 2003306377 A JP2003306377 A JP 2003306377A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話等の電子機器は小型化が求められて
いることと、高周波が使用されていることから、これら
の電子機器で使用されるセラミック電子部品としてはで
きるだけ小さくて高周波特性の良いものが望まれてい
る。 【解決手段】 この発明に係るセラミック電子部品は、
誘電体層が主相とガラス相とを有する誘電体磁器からな
り、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からなり、
該誘電体成分にはＢｉが固溶しており、該主相及び／又
は該ガラス相にはＡｇが固溶している。ここで、前記主
相は例えばｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＮｄ ２Ｏ３で表さ
れる成分で形成することができ、前記ＢｉはＢｉ２Ｏ３
換算で前記主相の１２〜２４ｗｔ％の範囲が好ましく、
前記ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜４ｗｔ％の範
囲が好ましい。
いることと、高周波が使用されていることから、これら
の電子機器で使用されるセラミック電子部品としてはで
きるだけ小さくて高周波特性の良いものが望まれてい
る。 【解決手段】 この発明に係るセラミック電子部品は、
誘電体層が主相とガラス相とを有する誘電体磁器からな
り、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からなり、
該誘電体成分にはＢｉが固溶しており、該主相及び／又
は該ガラス相にはＡｇが固溶している。ここで、前記主
相は例えばｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＮｄ ２Ｏ３で表さ
れる成分で形成することができ、前記ＢｉはＢｉ２Ｏ３
換算で前記主相の１２〜２４ｗｔ％の範囲が好ましく、
前記ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜４ｗｔ％の範
囲が好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばフィル
タ、コンデンサ、デュプレクサ、共振器等のセラミック
電子部品、特に高周波用のセラミック電子部品とこれに
用いられている誘電体磁器組成物に関する。
タ、コンデンサ、デュプレクサ、共振器等のセラミック
電子部品、特に高周波用のセラミック電子部品とこれに
用いられている誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】フィルタ、コンデンサ、デュプレクサ、
共振器等のセラミック電子部品は、一般に、電極材料と
誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体
的に焼結させて製造されている。積層構造をとること
で、小型でありながら高性能の積層セラミック電子部品
を実現することが可能になる。
共振器等のセラミック電子部品は、一般に、電極材料と
誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体
的に焼結させて製造されている。積層構造をとること
で、小型でありながら高性能の積層セラミック電子部品
を実現することが可能になる。
【０００３】セラミック電子部品の代表例としてはチタ
ン酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを
積層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて
形成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがあ
る。
ン酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを
積層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて
形成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがあ
る。
【０００４】ところで、近年、高周波を利用した移動体
通信機器が広く使用されてきており、そのため、高周波
用のセラミック電子部品の高性能化が求められている。
通信機器が広く使用されてきており、そのため、高周波
用のセラミック電子部品の高性能化が求められている。
【０００５】高周波用のセラミック電子部品の特性は、
まず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘
電特性に大きく影響される。高周波用のセラミック電子
部品の誘電体層の材料として使用される誘電体磁器とし
ては、ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ
２Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２ −Ｃ
ａＴｉＯ２ 系誘電体磁器などが知られている。
まず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘
電特性に大きく影響される。高周波用のセラミック電子
部品の誘電体層の材料として使用される誘電体磁器とし
ては、ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ
２Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２ −Ｃ
ａＴｉＯ２ 系誘電体磁器などが知られている。
【０００６】また、高周波用のセラミック電子部品の電
気特性は、内部電極の材料として使用される金属の導電
性にも影響される。すなわち、マイクロ波用積層セラミ
ック電子部品の内部電極の材料としては導電性の良い金
属が好ましい。そして、導電性の良い金属としてはＡ
ｇ，Ｃｕ等が挙げられる。
気特性は、内部電極の材料として使用される金属の導電
性にも影響される。すなわち、マイクロ波用積層セラミ
ック電子部品の内部電極の材料としては導電性の良い金
属が好ましい。そして、導電性の良い金属としてはＡ
ｇ，Ｃｕ等が挙げられる。
【０００７】しかし、Ａｇ，Ｃｕ等の金属は融点が低
く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要が
あるのに対し、高周波用のセラミック電子部品の誘電体
層の材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温
度が１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層
と内部電極とを一体的に焼成して焼結させることができ
ず、このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料
として使用することはできない。
く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要が
あるのに対し、高周波用のセラミック電子部品の誘電体
層の材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温
度が１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層
と内部電極とを一体的に焼成して焼結させることができ
ず、このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料
として使用することはできない。
【０００８】Ａｇ，Ｃｕ等の金属を高周波用のセラミッ
ク電子部品の内部電極の材料として使用できるようにす
るためには、誘電体層の材料として使用されている前記
誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度にしな
ければならない。
ク電子部品の内部電極の材料として使用できるようにす
るためには、誘電体層の材料として使用されている前記
誘電体磁器の焼結温度を９００〜１０５０℃程度にしな
ければならない。
【０００９】一般に、誘電体磁器の焼結温度を下げる方
法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する
方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したよ
うに１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結
温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラ
ス成分をかなり多量に添加しなければならない。
法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する
方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したよ
うに１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結
温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラ
ス成分をかなり多量に添加しなければならない。
【００１０】しかし、高周波用のセラミック電子部品の
誘電体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガ
ラス成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有してい
る誘電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなっ
てしまう。
誘電体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガ
ラス成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有してい
る誘電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなっ
てしまう。
【００１１】そこで、Ａｇ，Ｃｕ等と一体焼成できる程
度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘電特
性を発現している主相が本来有している誘電特性を充分
に引き出すことができる誘電体磁器が求められ、そのよ
うな誘電体磁器として、例えば、特開２０００−５８３
６７、特開２００１−３１４６８、特開２００１−３１
４７０等で公開されたものが提案されている。
度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘電特
性を発現している主相が本来有している誘電特性を充分
に引き出すことができる誘電体磁器が求められ、そのよ
うな誘電体磁器として、例えば、特開２０００−５８３
６７、特開２００１−３１４６８、特開２００１−３１
４７０等で公開されたものが提案されている。
【００１２】特開２０００−５８３６７で公開された積
層セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とを積層
してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電
極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体
層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該
主相は誘電特性を発現する成分からなり、該ガラス相に
はＡｇが固溶している。
層セラミック電子部品は、誘電体層と内部電極とを積層
してなる素体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電
極に電気的に接続された外部電極とを備え、前記誘電体
層は主相とガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該
主相は誘電特性を発現する成分からなり、該ガラス相に
はＡｇが固溶している。
【００１３】ここで、前記主相がＢａＯ−ｘＴｉＯ２で
表わされる成分からなる場合、ｘは３．４７〜５．７１
が好ましい。また、前記主相がＢａＯ−ｙＮｄ２Ｏ３−
ｚＴｉＯ２で表わされる成分からなる場合、ｙは０．６
５〜１．４２、ｚは２．２９〜５．４２が好ましい。
表わされる成分からなる場合、ｘは３．４７〜５．７１
が好ましい。また、前記主相がＢａＯ−ｙＮｄ２Ｏ３−
ｚＴｉＯ２で表わされる成分からなる場合、ｙは０．６
５〜１．４２、ｚは２．２９〜５．４２が好ましい。
【００１４】この発明によれば、ガラス相にＡｇを固溶
させたので、焼成時におけるガラスの粘性が低下し、よ
り低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高い
誘電材料（主相）をその誘電特性を低下させることなく
低い温度で焼結させることができ、従って、導電性の良
いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用することが
でき、その結果、高周波特性の良い積層セラミック電子
部品を提供することができる。
させたので、焼成時におけるガラスの粘性が低下し、よ
り低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高い
誘電材料（主相）をその誘電特性を低下させることなく
低い温度で焼結させることができ、従って、導電性の良
いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用することが
でき、その結果、高周波特性の良い積層セラミック電子
部品を提供することができる。
【００１５】特開２００１−３１４６８で公開された誘
電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚ
ＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６
４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で
表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣ
ｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸化物をＺｎ
Ｏ換算にて０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物をＢ２Ｏ３
換算にて０．１〜３．０重量％、Ａｇを０．３〜１．５
重量％の範囲で含有したものからなる。
電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚ
ＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６
４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で
表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣ
ｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、Ｚｎ酸化物をＺｎ
Ｏ換算にて０．１〜４．０重量％、Ｂ酸化物をＢ２Ｏ３
換算にて０．１〜３．０重量％、Ａｇを０．３〜１．５
重量％の範囲で含有したものからなる。
【００１６】この発明によれば、所定の組成範囲にある
ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ
酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｂ酸化物およびＡｇが含有される
ので、誘電特性を低下させることなく、ＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金の融点以下で焼結可能な誘電体磁器
組成物が得られる。
ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ
酸化物、Ｚｎ酸化物、Ｂ酸化物およびＡｇが含有される
ので、誘電特性を低下させることなく、ＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金の融点以下で焼結可能な誘電体磁器
組成物が得られる。
【００１７】これにより、低抵抗であるＡｇやＡｇ合金
のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構
成することが可能となり、結果として高周波デバイスの
諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構
成することが可能となり、結果として高周波デバイスの
諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
【００１８】さらに、副成分として含有されるＡｇが、
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘
電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体
間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引
き込み発生が防止される。
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘
電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体
間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引
き込み発生が防止される。
【００１９】特開２００１−３１４７０で公開された誘
電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚ
ＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６
４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で
表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣ
ｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、ガラス組成物を
２．０〜１０重量％、Ａｇを０．３〜１．５重量％の範
囲で含有するものとし、上記のガラス組成物は以下の組
成の範囲にあるものとする。
電体磁器組成物は、一般式ｘＢａＯ・ｙＮｄ２Ｏ３・ｚ
ＴｉＯ２（ただし、６≦ｘ≦２３、１３≦ｙ≦３０、６
４≦ｚ≦６８、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００の関係を有する）で
表される主成分に対して、副成分としてＣｕ酸化物をＣ
ｕＯ換算にて０．１〜３．０重量％、ガラス組成物を
２．０〜１０重量％、Ａｇを０．３〜１．５重量％の範
囲で含有するものとし、上記のガラス組成物は以下の組
成の範囲にあるものとする。
【００２０】５重量％≦ＳｉＯ２≦１５重量％ １５重
量％≦Ｂ２Ｏ３≦２５重量％ ５０重量％≦（Ｍｇ＋Ｂ
ａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦８０重量％ ９０重
量％≦（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ
＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦１００重量％
量％≦Ｂ２Ｏ３≦２５重量％ ５０重量％≦（Ｍｇ＋Ｂ
ａＯ＋ＳｒＯ＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦８０重量％ ９０重
量％≦（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋ＭｇＯ＋ＢａＯ＋ＳｒＯ
＋ＺｎＯ＋ＣａＯ）≦１００重量％
【００２１】この発明によれば、所定の組成範囲にある
ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ
酸化物、所定の組成範囲にあるガラス組成物およびＡｇ
が含有されるので、誘電特性を低下させることなく、Ａ
ｇまたはＡｇを主成分とする合金の融点以下で焼結可能
な誘電体磁器組成物が得られる。
ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系主成分とともに、Ｃｕ
酸化物、所定の組成範囲にあるガラス組成物およびＡｇ
が含有されるので、誘電特性を低下させることなく、Ａ
ｇまたはＡｇを主成分とする合金の融点以下で焼結可能
な誘電体磁器組成物が得られる。
【００２２】これにより、低抵抗であるＡｇやＡｇ合金
のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構
成することが可能となり、結果として高周波デバイスの
諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
のような融点の低い金属を内部導体として電子部品を構
成することが可能となり、結果として高周波デバイスの
諸特性の向上、小型化、低コスト化が可能となる。
【００２３】さらに、副成分として含有されるＡｇが、
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘
電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体
間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引
き込み発生が防止される。
内部導体から誘電体内へのＡｇ拡散を抑制するので、誘
電特性の不均一性が防止され、かつ、内部導体と誘電体
間の空隙の発生や、内部導体の外部接続部位における引
き込み発生が防止される。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子回路の小型化、高密度化の流れはとどまるところ
がなく、高周波用のセラミック電子部品についても更な
る小型化が求められ、小型化のための種々の工夫が回路
設計上においてなされている。
る電子回路の小型化、高密度化の流れはとどまるところ
がなく、高周波用のセラミック電子部品についても更な
る小型化が求められ、小型化のための種々の工夫が回路
設計上においてなされている。
【００２５】また、高周波用のセラミック電子部品の小
型化に関しては積層セラミック電子部品で使用されてい
る誘電体磁器組成物の誘電率の大きさも大きく影響して
おり、誘電率が大きい方がセラミック電子部品を小型化
し易いので、ここで使用される誘電体磁器組成物の更な
る高誘電率化が求められている。
型化に関しては積層セラミック電子部品で使用されてい
る誘電体磁器組成物の誘電率の大きさも大きく影響して
おり、誘電率が大きい方がセラミック電子部品を小型化
し易いので、ここで使用される誘電体磁器組成物の更な
る高誘電率化が求められている。
【００２６】この発明は、従来よりも更に小型化した高
周波用のセラミック電子部品とこれに用いることのでき
る高誘電率の誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
周波用のセラミック電子部品とこれに用いることのでき
る高誘電率の誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
【００２７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体磁
器組成物は主相とガラス相とからなり、該主相は誘電特
性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分にはＢ
ｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが固
溶しており、この発明に係るセラミック電子部品は、誘
電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外
部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部
電極とを備え、前記誘電体層は前記誘電体磁器組成物か
らなるものである。
器組成物は主相とガラス相とからなり、該主相は誘電特
性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分にはＢ
ｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが固
溶しており、この発明に係るセラミック電子部品は、誘
電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該素体の外
部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続された外部
電極とを備え、前記誘電体層は前記誘電体磁器組成物か
らなるものである。
【００２８】ここで、誘電特性を発現する主相としては
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３で表される成分を使用す
ることができる。この場合、ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２
Ｏ３系の成分をｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＮｄ２Ｏ３
で表わした場合、ｘは１２≦ｘ≦１９、ｙは６４≦ｙ≦
７４、ｚは９≦ｚ≦１９の範囲が好ましい。
ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２Ｏ３で表される成分を使用す
ることができる。この場合、ＢａＯ−ＴｉＯ２−Ｎｄ２
Ｏ３系の成分をｘＢａＯ−ｙＴｉＯ２−ｚＮｄ２Ｏ３
で表わした場合、ｘは１２≦ｘ≦１９、ｙは６４≦ｙ≦
７４、ｚは９≦ｚ≦１９の範囲が好ましい。
【００２９】ｘを１２≦ｘ≦１９の範囲としたのは、ｘ
が１２未満になると所望の誘電率が得られなくなった
り、焼結性が低下し、ｘが１９を越えると電気特性であ
るτｆが＋側に大きくシフトしたり、所望のＱ値が得ら
れなくなるからである。
が１２未満になると所望の誘電率が得られなくなった
り、焼結性が低下し、ｘが１９を越えると電気特性であ
るτｆが＋側に大きくシフトしたり、所望のＱ値が得ら
れなくなるからである。
【００３０】ｙを６４≦ｙ≦７４の範囲としたのは、ｙ
が６４未満になると電気特性であるτｆが−側にシフト
したり、所望のＱ値が得られなくなり、ｙが７４を越え
ると焼結性が低下したり、電気特性であるτｆが＋側に
シフトしてしまうからである。
が６４未満になると電気特性であるτｆが−側にシフト
したり、所望のＱ値が得られなくなり、ｙが７４を越え
ると焼結性が低下したり、電気特性であるτｆが＋側に
シフトしてしまうからである。
【００３１】ｚを９≦ｚ≦１９の範囲としたのは、ｚが
９未満になると電気特性であるτｆが＋側にシフトした
り、所望のＱ値が得られなくなり、ｚが１９を越えると
所望の誘電率が得られず、所望のＱ値が得られなくな
り、また焼結性が低下するからである。
９未満になると電気特性であるτｆが＋側にシフトした
り、所望のＱ値が得られなくなり、ｚが１９を越えると
所望の誘電率が得られず、所望のＱ値が得られなくな
り、また焼結性が低下するからである。
【００３２】また、主相にはＢｉがＢｉ２Ｏ３換算で１
２〜２４ｗｔ％の割合で固溶されている。ＢｉがＢｉ２
Ｏ３換算で１２ｗｔ％未満になると所望の誘電率が得ら
れず、２４ｗｔ％を超えると焼結性が低下し、所望の誘
電率が得られず、またＱが低くなるからである。
２〜２４ｗｔ％の割合で固溶されている。ＢｉがＢｉ２
Ｏ３換算で１２ｗｔ％未満になると所望の誘電率が得ら
れず、２４ｗｔ％を超えると焼結性が低下し、所望の誘
電率が得られず、またＱが低くなるからである。
【００３３】また、ＡｇはＡｇ２Ｏ換算で主相の１〜４
ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の１ｗ
ｔ％未満になると焼結性が低下し、内部電極端部に空隙
ができ、Ａｇが主相の４ｗｔ％を越えるとＡｇが析出し
て絶縁抵抗ＩＲが劣化するからである。
ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の１ｗ
ｔ％未満になると焼結性が低下し、内部電極端部に空隙
ができ、Ａｇが主相の４ｗｔ％を越えるとＡｇが析出し
て絶縁抵抗ＩＲが劣化するからである。
【００３４】また、前記ガラス相は前記主相の５〜１２
ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の
５ｗｔ％未満になると焼結できなくなり、１２ｗｔ％を
越えると所望の誘電率が得られず、Ｑが悪化してしまう
からである。
ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の
５ｗｔ％未満になると焼結できなくなり、１２ｗｔ％を
越えると所望の誘電率が得られず、Ｑが悪化してしまう
からである。
【００３５】また、ＰｂはＰｂＯ換算で主相の５ｗｔ％
以下であれば含有されていてもよい。Ｐｂを添加しなく
ても所望の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｐｂが主相
の５ｗｔ％を超えるとτｆが大きくシフトしてしまうか
らである。
以下であれば含有されていてもよい。Ｐｂを添加しなく
ても所望の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｐｂが主相
の５ｗｔ％を超えるとτｆが大きくシフトしてしまうか
らである。
【００３６】また、ＣｕはＣｕＯ換算で主相の０〜２ｗ
ｔ％含有されていてもよい。Ｃｕを添加しなくても所望
の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｃｕが主相の２ｗｔ
％を超えるとτｆが−側に大きくシフトしてしまうから
である。
ｔ％含有されていてもよい。Ｃｕを添加しなくても所望
の誘電体磁器組成物は得られるが、Ｃｕが主相の２ｗｔ
％を超えるとτｆが−側に大きくシフトしてしまうから
である。
【００３７】なお、Ｂａ，Ｔｉ，Ｎｄ，Ｂｉ，Ｐｂは主
相の成分であるが、焼成によりこれらの成分がガラス相
に拡散する可能性があるので、これらの成分がガラス相
に微量含まれていてもよい。
相の成分であるが、焼成によりこれらの成分がガラス相
に拡散する可能性があるので、これらの成分がガラス相
に微量含まれていてもよい。
【００３８】
【実施例】実施例１ まず、主相形成成分として、Ｂａ
Ｏ、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｂｉ ２ Ｏ３，ＰｂＯを表
１の試料番号１〜６に示す配合割合で各々秤量した。こ
こで、Ｂｉ２ Ｏ３は０〜３０ｗｔ％の範囲で変化させ
た。また、各化合物は純度９９．０％以上のものを使用
した。
Ｏ、ＴｉＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｂｉ ２ Ｏ３，ＰｂＯを表
１の試料番号１〜６に示す配合割合で各々秤量した。こ
こで、Ｂｉ２ Ｏ３は０〜３０ｗｔ％の範囲で変化させ
た。また、各化合物は純度９９．０％以上のものを使用
した。
【００３９】
【表１】
【００４０】次に、これらの化合物を水とともにボール
ミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿
をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾
燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３
２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において１
０５０℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成
分粉末を得た。
ミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿
をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾
燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３
２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において１
０５０℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成
分粉末を得た。
【００４１】また、ガラス形成成分として、Ｂ２ Ｏ
３ ：ＳｉＯ２：ＺｎＯ ＝１：５：４のホウケイ酸亜鉛
ガラスとＣｕＯ及びＡｇ２Ｏを表１の試料番号１〜６に
示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純度
９９．０％以上のものを使用した。
３ ：ＳｉＯ２：ＺｎＯ ＝１：５：４のホウケイ酸亜鉛
ガラスとＣｕＯ及びＡｇ２Ｏを表１の試料番号１〜６に
示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純度
９９．０％以上のものを使用した。
【００４２】次に、前記主相形成成分の粉末とガラス形
成成分の粉末を水とともにボールミルに入れ、湿式で１
５時間混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に
入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた
乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５のセラミック粉体と
し、このセラミック粉体を有機バインダとともにボール
ミルに入れて混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
成成分の粉末を水とともにボールミルに入れ、湿式で１
５時間混合し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に
入れて１５０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた
乾燥物を粉砕機で粉砕して３２５のセラミック粉体と
し、このセラミック粉体を有機バインダとともにボール
ミルに入れて混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
【００４３】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して
乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを
得た。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して
乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを
得た。
【００４４】一方、銀粉末を主成分とする内部電極用の
導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導
電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、
乾燥させた。
導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導
電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、
乾燥させた。
【００４５】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
て複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接す
る上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手
方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層
物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグ
リーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方
向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電
パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
て複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接す
る上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手
方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層
物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグ
リーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方
向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電
パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
【００４６】次に、この積層チップを電気炉に入れ、大
気雰囲気中において９３０℃で３時間焼成し、チップ状
の素体を得た。そして、このチップ状の素体の端部に一
対の外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを
得た。
気雰囲気中において９３０℃で３時間焼成し、チップ状
の素体を得た。そして、このチップ状の素体の端部に一
対の外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを
得た。
【００４７】次に、この積層セラミックコンデンサの電
気特性（εｒ，Ｑ，τｆ）を測定したところ、表２に示
す通りであった。
気特性（εｒ，Ｑ，τｆ）を測定したところ、表２に示
す通りであった。
【００４８】
【表２】
【００４９】表１，２に示す結果から、試料番号３〜５
に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算
で１２〜２４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性
のものが得られるが、試料番号１，２に示すように主相
に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算で１２ｗｔ％未満
になると所望の誘電率のものが得られなくなり、試料番
号６に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３
換算で２４ｗｔ％を超えると９３０℃の焼成で所望の密
度に焼結せず、所望の誘電率及び所望のＱのものが得ら
れなくなることがわかる。
に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算
で１２〜２４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性
のものが得られるが、試料番号１，２に示すように主相
に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３換算で１２ｗｔ％未満
になると所望の誘電率のものが得られなくなり、試料番
号６に示すように主相に対するＢｉの割合がＢｉ２Ｏ３
換算で２４ｗｔ％を超えると９３０℃の焼成で所望の密
度に焼結せず、所望の誘電率及び所望のＱのものが得ら
れなくなることがわかる。
【００５０】実施例２ 表３に示すようにＡｇ２Ｏの
添加量及びＣｕＯの添加量を変化させた以外は実施例１
と同様の条件で同様の実験をしたところ、表４に示すよ
うな結果が得られた。
添加量及びＣｕＯの添加量を変化させた以外は実施例１
と同様の条件で同様の実験をしたところ、表４に示すよ
うな結果が得られた。
【００５１】
【表３】
【００５２】
【表４】
【００５３】表３，４に示す結果から、試料番号９〜１
２に示すように主相に対するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算
で１〜４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のも
のが得られるが、試料番号７，８に示すように主相に対
するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で１ｗｔ％未満になると
９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、内部電極端部
に空隙ができ、試料番号１３に示すように主相に対する
Ａｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で４ｗｔ％を超えるとＩＲが
劣化することがわかる。
２に示すように主相に対するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算
で１〜４ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のも
のが得られるが、試料番号７，８に示すように主相に対
するＡｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で１ｗｔ％未満になると
９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、内部電極端部
に空隙ができ、試料番号１３に示すように主相に対する
Ａｇの割合がＡｇ２Ｏ換算で４ｗｔ％を超えるとＩＲが
劣化することがわかる。
【００５４】実施例３ 表５に示すようにＰｂＯの添
加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の
実験をしたところ、表６に示すような結果が得られた。
加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の
実験をしたところ、表６に示すような結果が得られた。
【００５５】
【表５】
【００５６】
【表６】
【００５７】表５，６に示す結果から、試料番号１９〜
２２に示すように主相に対するＰｂの割合がＰｂＯ換算
で０〜５ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のも
のが得られるが、試料番号２３に示すように主相に対す
るＰｂの割合がＰｂＯ換算で５ｗｔ％を超えるとτｆが
大きくシフトすることがわかる。
２２に示すように主相に対するＰｂの割合がＰｂＯ換算
で０〜５ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のも
のが得られるが、試料番号２３に示すように主相に対す
るＰｂの割合がＰｂＯ換算で５ｗｔ％を超えるとτｆが
大きくシフトすることがわかる。
【００５８】実施例４ 表７に示すようにガラスの添
加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の
実験をしたところ、表８に示すような結果が得られた。
加量を変化させた以外は実施例１と同様の条件で同様の
実験をしたところ、表８に示すような結果が得られた。
【００５９】
【表７】
【００６０】
【表８】
【００６１】表７，８に示す結果から、試料番号２６〜
２８に示すように主相に対するガラスの割合が５〜１２
ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得ら
れるが、試料番号２４、２５に示すように主相に対する
ガラスの割合が５ｗｔ％未満になると９３０℃の焼成で
所望の密度に焼結せず、試料番号２９に示すように主相
に対するガラスの割合が１２ｗｔ％を超えると所望の誘
電率及び所望のＱのものが得られなくなることがわか
る。
２８に示すように主相に対するガラスの割合が５〜１２
ｗｔ％の場合は所望の焼結性及び電気特性のものが得ら
れるが、試料番号２４、２５に示すように主相に対する
ガラスの割合が５ｗｔ％未満になると９３０℃の焼成で
所望の密度に焼結せず、試料番号２９に示すように主相
に対するガラスの割合が１２ｗｔ％を超えると所望の誘
電率及び所望のＱのものが得られなくなることがわか
る。
【００６２】実施例５ 表９に示すように主相形成成
分であるＢａＯ，ＴｉＯ２，Ｎｄ２Ｏ３の割合を変化さ
せた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたと
ころ、表１０に示すような結果が得られた。
分であるＢａＯ，ＴｉＯ２，Ｎｄ２Ｏ３の割合を変化さ
せた以外は実施例１と同様の条件で同様の実験をしたと
ころ、表１０に示すような結果が得られた。
【００６３】
【表９】
【００６４】
【表１０】
【００６５】表９，１０に示す結果から、試料番号３１
〜３３に示すようにｘが１２〜１９の場合は所望の焼結
性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３０に示
すように、ｘが１２未満になると所望の誘電率のものが
得られなくなったり、９３０℃の焼成で所望の密度に焼
結せず、試料番号３４に示すように、ｘが１９を越える
と電気特性であるτｆが＋側に大きくシフトしたり、所
望のＱ値のものが得られなくなることがわかる。
〜３３に示すようにｘが１２〜１９の場合は所望の焼結
性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３０に示
すように、ｘが１２未満になると所望の誘電率のものが
得られなくなったり、９３０℃の焼成で所望の密度に焼
結せず、試料番号３４に示すように、ｘが１９を越える
と電気特性であるτｆが＋側に大きくシフトしたり、所
望のＱ値のものが得られなくなることがわかる。
【００６６】また、表９，１０に示す結果から、試料番
号３６，３７に示すようにｙが６４〜７４の場合は所望
の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３
５に示すように、ｙが６４未満になると電気特性である
τｆが−側にシフトしたり、所望のＱ値のものが得られ
なくなり、試料番号３８に示すように、ｙが７４を越え
ると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、電気特性
であるτｆが＋側にシフトすることがわかる。
号３６，３７に示すようにｙが６４〜７４の場合は所望
の焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３
５に示すように、ｙが６４未満になると電気特性である
τｆが−側にシフトしたり、所望のＱ値のものが得られ
なくなり、試料番号３８に示すように、ｙが７４を越え
ると９３０℃の焼成で所望の密度に焼結せず、電気特性
であるτｆが＋側にシフトすることがわかる。
【００６７】また、表９，１０に示す結果から、試料番
号４０，４１に示すようにｚが９〜１９の場合は所望の
焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３９
に示すように、ｚが９未満になると電気特性である所望
のＱ値のものが得られなくなったり、τｆが＋側にシフ
トし、試料番号４２に示すように、ｚが１９を越えると
所望の誘電率や所望のＱ値のものが得られなくなり、９
３０℃の焼成で所望の密度に焼結しなくなることがわか
る。
号４０，４１に示すようにｚが９〜１９の場合は所望の
焼結性及び電気特性のものが得られるが、試料番号３９
に示すように、ｚが９未満になると電気特性である所望
のＱ値のものが得られなくなったり、τｆが＋側にシフ
トし、試料番号４２に示すように、ｚが１９を越えると
所望の誘電率や所望のＱ値のものが得られなくなり、９
３０℃の焼成で所望の密度に焼結しなくなることがわか
る。
【００６８】
【発明の効果】この発明は、誘電体層を形成している誘
電体磁器組成物の主相にＢｉ２Ｏ３換算で１２〜２４重
量％のＢｉが固溶しているので、誘電体磁器組成物の誘
電率が従来のものより高くなり、その結果、従来より小
型のセラミック電子部品を得ることができるという効果
がある。
電体磁器組成物の主相にＢｉ２Ｏ３換算で１２〜２４重
量％のＢｉが固溶しているので、誘電体磁器組成物の誘
電率が従来のものより高くなり、その結果、従来より小
型のセラミック電子部品を得ることができるという効果
がある。
【００６９】また、この発明によれば、ガラス相にＡｇ
が固溶しているので、焼成時におけるガラスの粘度が低
下し、より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温
度の高い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させ
ることなく低い温度で焼結させることができ、従って、
導電性の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用
することができ、その結果、高周波特性の良いセラミッ
ク電子部品を得ることができるという効果がある。
が固溶しているので、焼成時におけるガラスの粘度が低
下し、より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温
度の高い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させ
ることなく低い温度で焼結させることができ、従って、
導電性の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用
することができ、その結果、高周波特性の良いセラミッ
ク電子部品を得ることができるという効果がある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 粕谷 雄一
東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘
電株式会社内
Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 AA24 AA25
AA32 AA35 BA09 CA03 CA05
5E001 AB03 AE02 AE03 AH01 AH06
AH09 AJ01 AJ02
5G303 AA02 AB06 AB15 BA12 CA01
CA03 CB03 CB05 CB11 CB22
CB25 CB35 CB43
Claims (16)
- 【請求項１】 主相とガラス相とを有する誘電体磁器か
らなり、該主相は誘電特性を発現する誘電体成分からな
り、該誘電体成分にはＢｉが固溶し、該主相及び／又は
該ガラス相にはＡｇが固溶していることを特徴とする誘
電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記主相がｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚＮ
ｄ２Ｏ３で表される成分からなり、ｘが１２≦ｘ≦１
９、ｙが６４≦ｙ≦７４、ｚが９≦ｚ≦１９であり、Ｂ
ｉがＢｉ２Ｏ３換算で前記主相の１２〜２４ｗｔ％の割
合で含有されていることを特徴とする請求項１に記載の
誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 ＡｇがＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜４
ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする請求項
１又は２に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記ガラス相が前記主相の５〜１２ｗｔ
％の割合で含有されていることを特徴とする請求項１〜
３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記主相にＰｂが固溶していることを特
徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の誘電体磁器組
成物。 - 【請求項６】 ＰｂがＰｂＯ換算で前記主相の５ｗｔ％
以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１
〜５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 前記ガラス相にＣｕが固溶していること
を特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の誘電体磁
器組成物。 - 【請求項８】 ＣｕがＣｕＯ換算で前記主相の２ｗｔ％
以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１
〜７のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項９】 誘電体層と内部電極とを積層してなる素
体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的
に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相と
ガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電
特性を発現する誘電体成分からなり、該誘電体成分には
Ｂｉが固溶し、該主相及び／又は該ガラス相にはＡｇが
固溶していることを特徴とするセラミック電子部品。 - 【請求項１０】 前記主相がｘＢａＯ・ｙＴｉＯ２・ｚ
Ｎｄ２Ｏ３で表される成分からなり、ｘが１２≦ｘ≦１
９、ｙが６４≦ｙ≦７４、ｚが９≦ｚ≦１９であり、Ｂ
ｉがＢｉ２Ｏ３換算で前記主相の１２〜２４ｗｔ％の割
合で含有されていることを特徴とする請求項９に記載の
セラミック電子部品。 - 【請求項１１】 ＡｇがＡｇ２Ｏ換算で前記主相の１〜
４ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする請求
項９又は１０に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項１２】 前記ガラス相が前記主相の５≦ガラス
≦１２ｗｔ％の割合で含有されていることを特徴とする
請求項９〜１１のいずれかに記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項１３】 前記主相にＰｂが固溶していることを
特徴とする請求項９〜１２のいずれかに記載のセラミッ
ク電子部品。 - 【請求項１４】 ＰｂがＰｂＯ換算で前記主相の５ｗｔ
％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項
９〜１３のいずれかに記載のセラミック電子部品。 - 【請求項１５】 前記ガラス相にＣｕが固溶しているこ
とを特徴とする請求項９〜１４のいずれかに記載のセラ
ミック電子部品。 - 【請求項１６】 ＣｕがＣｕＯ換算で前記主相の２ｗｔ
％以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項
９〜１５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111577A JP4146152B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111577A JP4146152B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003306377A true JP2003306377A (ja) | 2003-10-28 |
| JP4146152B2 JP4146152B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=29394330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002111577A Expired - Fee Related JP4146152B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 誘電体磁器組成物及びセラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4146152B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004284941A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 低温焼成用誘電体組成物および電子部品 |
| JP2012148919A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックス組成物及び電子部品 |
| JP2014122144A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Fdk Corp | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、積層チップ部品、積層チップ部品の製造方法 |
| JP2018098386A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
-
2002
- 2002-04-15 JP JP2002111577A patent/JP4146152B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004284941A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-10-14 | Ngk Insulators Ltd | 低温焼成用誘電体組成物および電子部品 |
| JP2012148919A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミックス組成物及び電子部品 |
| JP2014122144A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Fdk Corp | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、積層チップ部品、積層チップ部品の製造方法 |
| JP2018098386A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | Tdk株式会社 | 積層電子部品 |
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| JP4146152B2 (ja) | 2008-09-03 |
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