JPH0821266B2 - 誘電体ペ−スト - Google Patents

誘電体ペ−スト

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JPH0821266B2 JP62056204A JP5620487A JPH0821266B2 JP H0821266 B2 JPH0821266 B2 JP H0821266B2 JP 62056204 A JP62056204 A JP 62056204A JP 5620487 A JP5620487 A JP 5620487A JP H0821266 B2 JPH0821266 B2 JP H0821266B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は多層セラミック基板内にコンデンサ回路を
構成するための誘電体ペーストに関するものである。
〈従来の技術〉 電子回路をより高密度化、多機能化するなどのため
に、Ｌ、Ｃ、Ｒ回路を内蔵した多層基板が要望されてい
る。
そのような多層基板の１つに、グリーンシートの各層
に導電ペーストを厚膜技術で印刷後、各層を圧着して焼
成することにより、Ｌ、Ｃ、Ｒ回路を構成したものがあ
る。
〈発明が解決しようとする問題点〉 しかしながら、従来の多層基板の容量が10以下と小さ
いため、大容量のコンデンサ回路を内蔵することができ
ないという問題がある。
このため、ラジオ用チューナ回路におけるパスコンの
ようなに、100pF以上のコンデンサは。多層基板上に半
田付けするしかなく、電子回路の高密度化の妨げとなっ
ている。
〈問題点を解決するための手段〉 この発明は上記のような従来の問題点を解決するた
め、多層セラミック基板内に大容量コンデンサ回路を構
成することのできる誘電率（ε）が100以上の誘電体ペ
ーストを提供するものである。
即ち、この発明は一般式｛(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m・
(Ti1-uZru)O2で表される主成分において、上記式中の
ｘ、ｙ、ｚ、ｕおよびｍの値を０≦ｘ＜0.30、０≦ｙ＜
0.30、０≦ｚ＜0.50、０＜ｕ＜0.25、１≦ｍ＜1.03の範
囲内で含有し、かつ前記主成分に対してガラス成分を５
重量％以上、40重量％未満含み、該ガラス成分を一般式
aLi2O・bBaO・cB2O3・(1-a-b-c)SiO2で表わした時、ａ、
ｂ、ｃの値が０≦ａ＜0.25、0.1＜ｂ＜0.5、0.1＜ｃ＜
0.5、0.3＜ａ＋ｂ＋ｃ＜0.8（但し、ａ、ｂ、ｃはモル
比）の範囲内で含まれている誘電体粉末を有機ビヒクル
に分散させた誘電体ペーストである。なお、前記主成分
には５重量％以下のMnO2、LiFなど他の成分を含有して
もよい。
〈発明の効果〉 この発明によれば1050℃以下の、例えばN2ガス、Arガ
ス、CO2ガス、COガスあるいはH2ガスなどにより形成さ
れる非酸化性雰囲気中で焼成でき、1012Ωcm以上の高い
比抵抗を有し、しかも100以上の高い誘電率を有する誘
電体ペーストを得ることができる。
この誘電体ペーストを低温焼結セラミック多層基板の
グリーンシート各層に導体ペーストと共に厚膜技術で印
刷後、各層を圧着して焼成することにより、多層基板内
に大容量のコンデンサを構成することができるのであ
る。
また、非酸化性雰囲気中で焼成できるため、比抵抗が
低く、安価な銅、銅系合金あるいはその他の卑金属から
なる導体ペーストを用いることもできる。
〈実施例〉 以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
原料としてBaCO3、SrCO3、CaCO3、MgCO3、TiO2およびZrO2
を第１表に示す組成となるように秤量し、ボールミルで
16時間湿式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
次いで、この混合粉末を1100℃で２時間仮焼した。こ
の仮焼物に第１表に示す組成と量のガラス成分を添加
し、有機ビヒクルとしてエチルセルロース、テルピネオ
ールを加えて混練して誘電体ペーストを製造した。
得られた誘電体ペーストをスクリーンを用いて厚さ20
0μｍのSiO2、Al2O3、BaO、B2O3およびバインダーよりなる
低温焼結セラミックグリーンシート上に、Cu系の導体ペ
ーストと共にコンデンサ回路を形成するように印刷し
た。
このようにして得られたグリーンシートの上下にペー
ストを印刷していないグリーンシートを重ねて圧着し、
N2ガス雰囲気中で焼成した。内蔵されたコンデンサはス
ルーホールにより基板上に電気的に接続された。
かくして得られた多層基板内蔵コンデンサについて、
次に示す各特性を夫々の条件や測定方法で測定し、その
結果を第２表に示した。
（１）焼成温度 （２）比誘電率および誘電損失：周波数1KHz、温度20℃
の条件 （３）容量温度特性:JIS規格による温度特性で示す。各
特性について詳細に説明すれば以下の通りである。
Ｂ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を越えない。
Ｃ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を越えない。
Ｄ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を越えない。
（４）比抵抗:20℃で500Vの直流電圧を印加して電流値
を測定し算出した値。
なお、第１表および第２表で＊印を付した試料番号の
ものは、この発明外のものであり、それ以外はこの発明
の範囲内のものである。
上記実施例にて示す第１表および第２表に基づいて、
この発明の誘電体ペーストを構成する各組成の限定理由
を説明する。
一般式｛(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m・(Ti1-uZru)O2で表
される主成分において、ｘ、ｙ、ｚ、ｕおよびｍの値を
０≦ｘ＜0.30、０≦ｙ＜0.30、０≦ｚ＜0.05、０＜ｕ＜
0.25、１≦ｍ＜1.03の範囲内とするのはｘ、ｙ、ｚ、ｕ
およびｍが夫々、0.3、0.3、0.05、0.25、1.03より大き
くなると、1050℃以下で焼成できなくなる。またｍが１
未満になると比抵抗が1012Ωcm未満となってしまうため
である。
ガラス成分が40重量％以上になると、誘電率が100以
下となり、５重量％未満では1050℃以下での焼成ができ
ない。
またガラス成分をaLi2O・bBaO・cB2O3・(1-a-b-c)SiO2の
一般式で表わした時、ａ、ｂ、ｃの値をモル比で０≦ａ
＜0.25、0.1＜ｂ＜0.5、0.1＜ｃ＜0.5、0.3＜ａ＋ｂ＋
ｃ＜0.8の範囲内とするのは、ａが0.25以上になると、
試料が焼成中に軟化し、基板および導体ペーストと反応
してしまう。またｂが0.5以上になると、1050℃以下で
焼成できなくなり、0.1以下になると、誘電率が100以下
となってしまう。ｃが0.5以上または0.1以下になると、
1050℃以下での焼成が不可能である。さらにａ＋ｂ＋ｃ
が0.8以上または0.3以下となる場合にも1050℃以下での
焼成ができない。
主成分に添加されるガラス成分は、予め所定の組成に
なるように配合しておき、これを熱処理して溶融し、そ
の後ガラス化して粉砕したものであるが、ガラスを構成
する成分をガラス化させることなく主成分の仮焼物に添
加しても同様の効果が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特公 昭62−1596（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】一般式｛(Ba1-x-y-zSrxCayMgz)O}m・(Ti1-u
    Zru)O2で表される主成分において、上記式中のｘ、ｙ、
    ｚ、ｕおよびｍの値を夫々 ０≦ｘ＜0.30 ０≦ｙ＜0.30 ０≦ｚ＜0.50 ０＜ｕ＜0.25 １≦ｍ＜1.03 の範囲内で含有し、かつ前記主成分に対してガラス成分
    を５重量％以上、40重量％未満含み、該ガラス成分を一
    般式aLi2O・bBaO・cB2O3・(1-a-b-c)SiO2で表わした時、
    ａ、ｂ、ｃの値がモル比で夫々 0≦ａ＜0.25 0.1＜ｂ＜0.5 0.1＜ｃ＜0.5 0.3＜ａ＋ｂ＋ｃ＜0.8 の範囲内で含まれている誘電体粉末を有機ビヒクルに分
    散させたことを特徴とする誘電体ペースト。
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