JPH0666219B2 - 積層セラミックスコンデンサ - Google Patents
積層セラミックスコンデンサInfo
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- JPH0666219B2 JPH0666219B2 JP1044407A JP4440789A JPH0666219B2 JP H0666219 B2 JPH0666219 B2 JP H0666219B2 JP 1044407 A JP1044407 A JP 1044407A JP 4440789 A JP4440789 A JP 4440789A JP H0666219 B2 JPH0666219 B2 JP H0666219B2
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は積層セラミックスコンデンサに関する。
(従来技術) 積層セラミックスコンデンサは、複数の誘電体セラミッ
クス層と、各誘電体セラミックス層間に形成される複数
の内部電極と、誘電体セラミックス層の両端面において
これらの内部電極と接続される外部電極とを含む。
クス層と、各誘電体セラミックス層間に形成される複数
の内部電極と、誘電体セラミックス層の両端面において
これらの内部電極と接続される外部電極とを含む。
従来、誘電体セラミックス層の材料として、比較的誘電
率が大きく、誘電率の電圧依存性が小さく、かつ損失が
小さいという理由から、チタン酸ストロンチウムを主成
分として酸化ビスマスを含んだ材料が用いられていた。
そして、この誘電体セラミックス層は、誘電体材料を1
120℃以上の温度で焼成することによって形成されて
いた。また、誘電体材料がこのような高温で焼成される
ため、内部電極用材料としては、融点が高くかつ高温で
酸化しにくい白金または銀−パラジウム合金などが使用
されていた。そして、誘電体セラミックス層と内部電極
とが形成された後、たとえば銀などを焼き付けることに
よって外部電極が形成されていた。
率が大きく、誘電率の電圧依存性が小さく、かつ損失が
小さいという理由から、チタン酸ストロンチウムを主成
分として酸化ビスマスを含んだ材料が用いられていた。
そして、この誘電体セラミックス層は、誘電体材料を1
120℃以上の温度で焼成することによって形成されて
いた。また、誘電体材料がこのような高温で焼成される
ため、内部電極用材料としては、融点が高くかつ高温で
酸化しにくい白金または銀−パラジウム合金などが使用
されていた。そして、誘電体セラミックス層と内部電極
とが形成された後、たとえば銀などを焼き付けることに
よって外部電極が形成されていた。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、従来の積層セラミックスコンデンサで
は、誘電体セラミックス層の焼成温度が1120℃以上
と高温であるため、内部電極用材料として融点の低い銅
や銅合金を使用することができなかった。また、内部電
極用材料として酸化しやすい銅などを使用するために誘
電体材料を還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体セラミ
ックス層中の酸化ビスマスが還元されて絶縁抵抗が低下
してしまうため、還元性雰囲気中で焼成することができ
なかった。そのため、内部電極用材料として、融点が高
くかつ高温で酸化しにくい白金や銀−パラジウム合金な
どが使用されるが、これらの材料は高価であるため、積
層セラミックスコンデンサのコストアップの原因になっ
ていた。また、銀−パラジウム合金で形成された内部電
極では、銀のマイグレーションにより特性が劣化するこ
とがあり、白金で形成された内部電極では、導電率が小
さいために等価直列抵抗が大きくなってしまう。
は、誘電体セラミックス層の焼成温度が1120℃以上
と高温であるため、内部電極用材料として融点の低い銅
や銅合金を使用することができなかった。また、内部電
極用材料として酸化しやすい銅などを使用するために誘
電体材料を還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体セラミ
ックス層中の酸化ビスマスが還元されて絶縁抵抗が低下
してしまうため、還元性雰囲気中で焼成することができ
なかった。そのため、内部電極用材料として、融点が高
くかつ高温で酸化しにくい白金や銀−パラジウム合金な
どが使用されるが、これらの材料は高価であるため、積
層セラミックスコンデンサのコストアップの原因になっ
ていた。また、銀−パラジウム合金で形成された内部電
極では、銀のマイグレーションにより特性が劣化するこ
とがあり、白金で形成された内部電極では、導電率が小
さいために等価直列抵抗が大きくなってしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、製造時に特性が
劣化せず、かつ低コストの積層セラミックスコンデンサ
を提供することである。
劣化せず、かつ低コストの積層セラミックスコンデンサ
を提供することである。
(課題を解決するための手段) この発明は、複数の誘電体セラミックス層と、それぞれ
の端縁が誘電体セラミックス層の両端面に露出するよう
に誘電体セラミックス層間に形成された複数の内部電極
と、誘電体セラミックス層の両端面において、露出した
内部電極に接続される外部電極を含み、誘電体セラミッ
クス層は、チタン酸ストロンチウムを主成分とし、酸化
ビスマスと還元防止剤を添加含有した材料を焼成するこ
とによって形成され、内部電極は銅または銅合金を用い
て形成された、積層セラミックスコンデンサである。
の端縁が誘電体セラミックス層の両端面に露出するよう
に誘電体セラミックス層間に形成された複数の内部電極
と、誘電体セラミックス層の両端面において、露出した
内部電極に接続される外部電極を含み、誘電体セラミッ
クス層は、チタン酸ストロンチウムを主成分とし、酸化
ビスマスと還元防止剤を添加含有した材料を焼成するこ
とによって形成され、内部電極は銅または銅合金を用い
て形成された、積層セラミックスコンデンサである。
(作用) 誘電体セラミックス層の材料として、還元防止剤を含む
材料を用いることによって、還元性雰囲気中において
も、その特性を劣化させることなく低温で焼成すること
ができる。さらに、誘電体セラミックス層が還元性雰囲
気中において低温で焼成することができるため、内部電
極の材料として、融点が低く酸化されやすい銅や銅合金
などを使用することができる。
材料を用いることによって、還元性雰囲気中において
も、その特性を劣化させることなく低温で焼成すること
ができる。さらに、誘電体セラミックス層が還元性雰囲
気中において低温で焼成することができるため、内部電
極の材料として、融点が低く酸化されやすい銅や銅合金
などを使用することができる。
(発明の効果) この発明によれば、還元性雰囲気中で焼成しても誘電体
セラミックス層中の酸化ビスマスが還元されないため、
絶縁抵抗が低下したりしない。さらに、従来と比べて低
温で焼成することができるため、内部電極用材料として
融点の低い銅や銅合金を使用することができる。
セラミックス層中の酸化ビスマスが還元されないため、
絶縁抵抗が低下したりしない。さらに、従来と比べて低
温で焼成することができるため、内部電極用材料として
融点の低い銅や銅合金を使用することができる。
また、内部電極材料として、安価な銅や銅合金を使用す
ることができるため、従来に比べて材料コストを下げる
ことができる。また、内部電極用材料として銅や銅合金
などを用いると、マイグレーションによる特性の劣化が
なく、かつ導電率が大きいため等価直列抵抗を小さくす
ることができる。
ることができるため、従来に比べて材料コストを下げる
ことができる。また、内部電極用材料として銅や銅合金
などを用いると、マイグレーションによる特性の劣化が
なく、かつ導電率が大きいため等価直列抵抗を小さくす
ることができる。
さらに、内部電極用材料として、ガラスフリットを添加
したり、誘電体粉末および還元防止剤の少なくとも一方
を添加することによって、耐デラミネーション性を付与
した積層セラミックスコンデンサを得ることができる。
したり、誘電体粉末および還元防止剤の少なくとも一方
を添加することによって、耐デラミネーション性を付与
した積層セラミックスコンデンサを得ることができる。
この発明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例) 第1図はこの発明の一実施例を示す図解図である。この
積層セラミックスコンデンサ10は誘電体12を含む。
誘電体12は、複数の誘電体セラミックス層14を積層
することによって形成されている。誘電体セラミックス
層14の材料としては、チタン酸ストロンチウムを主成
分とし、酸化ビスマスを含む誘電体粉末、および還元防
止剤が用いられる。
積層セラミックスコンデンサ10は誘電体12を含む。
誘電体12は、複数の誘電体セラミックス層14を積層
することによって形成されている。誘電体セラミックス
層14の材料としては、チタン酸ストロンチウムを主成
分とし、酸化ビスマスを含む誘電体粉末、および還元防
止剤が用いられる。
誘電体粉末としては、たとえばaSrTiO3+bPb
TiO3+cCaTiO3+dBi2O3+eSnO2
+fTiO2(ただし、a,b,c,d,eおよびfは
定数)で表される組成を有する材料が用いられる。この
材料は、所定量のSrCO3,Bi2O3,PbO,C
aCO3,TiO2およびSnO2などをボールミル中
で湿式混合し、蒸発乾燥後さらに焼成し、粉砕篩別して
得られる。なお、誘電体粉末としては、これ以外に、特
公昭59−8923号公報に示されたSrTiO3+M
gTiO3+Bi2O3+TiO2+Pb3O4,特開
昭59−20908号公報に示されたSrTiO3+C
aTiO3+Bi2O3・nTiO3,特開昭60−1
45951号公報に示されたSrTiO3+Bi2O3
+TiO2+NiOおよび特開昭49−30900号公
報に示されたSrTiO3+PbTiO3+Bi2O3
・nTiO2などを用いてもよい。
TiO3+cCaTiO3+dBi2O3+eSnO2
+fTiO2(ただし、a,b,c,d,eおよびfは
定数)で表される組成を有する材料が用いられる。この
材料は、所定量のSrCO3,Bi2O3,PbO,C
aCO3,TiO2およびSnO2などをボールミル中
で湿式混合し、蒸発乾燥後さらに焼成し、粉砕篩別して
得られる。なお、誘電体粉末としては、これ以外に、特
公昭59−8923号公報に示されたSrTiO3+M
gTiO3+Bi2O3+TiO2+Pb3O4,特開
昭59−20908号公報に示されたSrTiO3+C
aTiO3+Bi2O3・nTiO3,特開昭60−1
45951号公報に示されたSrTiO3+Bi2O3
+TiO2+NiOおよび特開昭49−30900号公
報に示されたSrTiO3+PbTiO3+Bi2O3
・nTiO2などを用いてもよい。
また、還元防止剤としては、たとえばd(MnO2+R
O)+(1−d)(B2O3+SiO2)あるいはe
(ZnO+RO)+(1−e)(B2O3+SiO2)
(ただし、ROはMgO,CaO,SrOおよびBaO
の中から選ばれる少なくとも1種類、dおよびeは定
数)で表される材料が用いられる。この材料は、通常、
所定量の各成分の酸化物,炭酸塩または水酸化物をボー
ルミル中で湿式混合して粉砕し、蒸発乾燥して粉末と
し、この粉末をアルミニウムるつぼ中で保持した後急冷
してガラス化し、粉砕篩別して得られる。しかし、還元
防止剤の材料としては、このような組成に限定されるも
のではない。
O)+(1−d)(B2O3+SiO2)あるいはe
(ZnO+RO)+(1−e)(B2O3+SiO2)
(ただし、ROはMgO,CaO,SrOおよびBaO
の中から選ばれる少なくとも1種類、dおよびeは定
数)で表される材料が用いられる。この材料は、通常、
所定量の各成分の酸化物,炭酸塩または水酸化物をボー
ルミル中で湿式混合して粉砕し、蒸発乾燥して粉末と
し、この粉末をアルミニウムるつぼ中で保持した後急冷
してガラス化し、粉砕篩別して得られる。しかし、還元
防止剤の材料としては、このような組成に限定されるも
のではない。
そして、誘電体セラミックス層14を形成するために、
これらの誘電体粉末と還元防止剤とが所定の割合で混合
され、ポリビニルブチラール系のバインダおよびエタノ
ールなどの有機溶媒を加えて、ボールミル中で湿式混合
される。この混合物をドクターブレード法などによって
成形し、乾燥して得られたセラミックスグリーンシート
を積層して焼成することによって、誘電体セラミックス
層14が得られる。
これらの誘電体粉末と還元防止剤とが所定の割合で混合
され、ポリビニルブチラール系のバインダおよびエタノ
ールなどの有機溶媒を加えて、ボールミル中で湿式混合
される。この混合物をドクターブレード法などによって
成形し、乾燥して得られたセラミックスグリーンシート
を積層して焼成することによって、誘電体セラミックス
層14が得られる。
これらの複数の誘電体セラミックス層14間には、複数
の内部電極16が形成される。これらの内部電極16
は、誘電体12の両端面に交互に露出するように形成さ
れる。
の内部電極16が形成される。これらの内部電極16
は、誘電体12の両端面に交互に露出するように形成さ
れる。
内部電極16の材料としては、主に銅または銅合金が使
用されるが、ホウケイ酸鉛やホウケイ酸ビスマスなどの
ようなガラスフリットを添加した銅またはこれらのガラ
スフリットを添加した銅合金を用いてもよい。さらに、
上述の誘電体粉末および還元防止剤のうちの少なくとも
一方を添加した銅またはこれらを添加した銅合金を用い
てもよい。なお、内部電極16用の材料としては、積層
セラミックスコンデンサ10の特性を損なわない範囲
で、これらの添加物が添加される。
用されるが、ホウケイ酸鉛やホウケイ酸ビスマスなどの
ようなガラスフリットを添加した銅またはこれらのガラ
スフリットを添加した銅合金を用いてもよい。さらに、
上述の誘電体粉末および還元防止剤のうちの少なくとも
一方を添加した銅またはこれらを添加した銅合金を用い
てもよい。なお、内部電極16用の材料としては、積層
セラミックスコンデンサ10の特性を損なわない範囲
で、これらの添加物が添加される。
さらに、誘電体12の両端面には、内部電極16と接続
されるように、2つの外部電極18が形成される。外部
電極18の材料としては、内部電極16と同じ材料を使
用することができる。また、銀,パラジウム,銀−パラ
ジウム合金などが使用可能であるが、積層セラミックス
コンデンサ10の使用用途,使用場所などを考慮に入れ
て、適当な材料が選択される。
されるように、2つの外部電極18が形成される。外部
電極18の材料としては、内部電極16と同じ材料を使
用することができる。また、銀,パラジウム,銀−パラ
ジウム合金などが使用可能であるが、積層セラミックス
コンデンサ10の使用用途,使用場所などを考慮に入れ
て、適当な材料が選択される。
また、第2図に示すように、外部電極18の外面に、た
とえば銀などによって別の電極20を形成してもよい。
とえば銀などによって別の電極20を形成してもよい。
さらに、第3図に示すように、たとえば銅合金とパラジ
ウムなどのように、異なる金属を用いて2つの外部電極
18a,18bを形成してもよい。
ウムなどのように、異なる金属を用いて2つの外部電極
18a,18bを形成してもよい。
また、内部電極16および外部電極18の材料となる金
属ペーストは、たとえば約0.1〜5μmの金属粉末に
ワニス分としてエチルセルロースを加え、α−テレピネ
オールなどの溶媒中に分散させたものである。これらの
内部電極16および外部電極18の厚みは、コンデンサ
の容量によっても異なるが、好ましくは内部電極16の
厚みは約0.5〜5μm,外部電極18の厚みは約10
〜80μmである。
属ペーストは、たとえば約0.1〜5μmの金属粉末に
ワニス分としてエチルセルロースを加え、α−テレピネ
オールなどの溶媒中に分散させたものである。これらの
内部電極16および外部電極18の厚みは、コンデンサ
の容量によっても異なるが、好ましくは内部電極16の
厚みは約0.5〜5μm,外部電極18の厚みは約10
〜80μmである。
この積層セラミックスコンデンサ10を製造するには、
誘電体粉末と還元防止剤とで形成されたセラミックスグ
リーンシートが準備される。このセラミックスグリーン
シートに、内部電極16となる金属ペーストがスクリー
ン印刷法などによって印刷される。これらの金属ペース
トは、セラミックスグリーンシートの両端縁に交互に露
出するように印刷される。そして、これらのセラミック
スグリーンシートが熱圧着されて積層体が得られる。そ
して、この積層体は、内部電極16となる金属ペースト
が酸化しない酸素分圧雰囲気下において焼成される。得
られた焼結体の両端面には、内部電極16と接続される
ように、外部電極18となる金属ペーストが塗布され焼
き付けられる。このようにして、積層セラミックスコン
デンサ10が形成される。
誘電体粉末と還元防止剤とで形成されたセラミックスグ
リーンシートが準備される。このセラミックスグリーン
シートに、内部電極16となる金属ペーストがスクリー
ン印刷法などによって印刷される。これらの金属ペース
トは、セラミックスグリーンシートの両端縁に交互に露
出するように印刷される。そして、これらのセラミック
スグリーンシートが熱圧着されて積層体が得られる。そ
して、この積層体は、内部電極16となる金属ペースト
が酸化しない酸素分圧雰囲気下において焼成される。得
られた焼結体の両端面には、内部電極16と接続される
ように、外部電極18となる金属ペーストが塗布され焼
き付けられる。このようにして、積層セラミックスコン
デンサ10が形成される。
実施例1 まず、aSrTiO3+bPbTiO3+cCaTiO
3+dBi2O3+eSnO2+fTiO2(ただし、
a,b,c,d,eおよびfは定数)で表される誘電体
粉末を得るため、SrCO3,Bi2O3,PbO,C
aCO3,TiO2およびSnO2を準備した。これら
の材料を所定の割合になるようにボールミルで16時間
湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥して粉末とし、こ
の粉末をジルコニア質の匣中において900〜950℃
で2時間焼成し、200メッシュの篩を通過するように
粉砕した。
3+dBi2O3+eSnO2+fTiO2(ただし、
a,b,c,d,eおよびfは定数)で表される誘電体
粉末を得るため、SrCO3,Bi2O3,PbO,C
aCO3,TiO2およびSnO2を準備した。これら
の材料を所定の割合になるようにボールミルで16時間
湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥して粉末とし、こ
の粉末をジルコニア質の匣中において900〜950℃
で2時間焼成し、200メッシュの篩を通過するように
粉砕した。
また、aLi2O+bRO+cB2O3+(1−a−b
−c)SiO2(ただし、ROはMgO,CaO,Sr
OおよびBaOの中から選ばれる少なくとも1種類、
a,b,cおよびdは定数)で表される還元防止剤を得
るために、各成分の酸化物,炭酸塩および水酸化物を準
備した。そして、所定の割合でこれらを混合粉砕し、蒸
発乾燥して粉末を得た。この粉末をアルミニウムるつぼ
中において1300℃で1時間保持した後、急冷してガ
ラス化し、200メッシュの篩を通過するように粉砕し
た。
−c)SiO2(ただし、ROはMgO,CaO,Sr
OおよびBaOの中から選ばれる少なくとも1種類、
a,b,cおよびdは定数)で表される還元防止剤を得
るために、各成分の酸化物,炭酸塩および水酸化物を準
備した。そして、所定の割合でこれらを混合粉砕し、蒸
発乾燥して粉末を得た。この粉末をアルミニウムるつぼ
中において1300℃で1時間保持した後、急冷してガ
ラス化し、200メッシュの篩を通過するように粉砕し
た。
これらの誘電体粉末と還元防止剤とを表1および表2に
示す割合で混合し、ポリビニルブチラール系のバインダ
とエタノールとを加えてボールミル中で16時間湿式混
合し、混合粉末を得た。
示す割合で混合し、ポリビニルブチラール系のバインダ
とエタノールとを加えてボールミル中で16時間湿式混
合し、混合粉末を得た。
この混合粉末をドクターブレード法によってシート状に
成形し、乾燥後に適当な大きさに切断してセラミックス
グリーンシートを得た。得られたセラミックスグリーン
シートの片面にスクリーン印刷法によって銅ペーストを
印刷し、積層した。この積層体をN2,H2およびH2
Oなどからなる混合ガスの還元性雰囲気下において83
0〜1050℃で2時間焼成した。得られた焼結体の両
端面に銀ペーストを塗布し、窒素雰囲気中において80
0℃で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電
極を形成した。このようにして、積層セラミックスコン
デンサを得た。この積層セラミックスコンデンサの寸法
は次の通りである。
成形し、乾燥後に適当な大きさに切断してセラミックス
グリーンシートを得た。得られたセラミックスグリーン
シートの片面にスクリーン印刷法によって銅ペーストを
印刷し、積層した。この積層体をN2,H2およびH2
Oなどからなる混合ガスの還元性雰囲気下において83
0〜1050℃で2時間焼成した。得られた焼結体の両
端面に銀ペーストを塗布し、窒素雰囲気中において80
0℃で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電
極を形成した。このようにして、積層セラミックスコン
デンサを得た。この積層セラミックスコンデンサの寸法
は次の通りである。
幅:4.8mm 長さ:5.6mm 厚さ:1.2mm 有効誘電体層の厚さ:32μm 誘電体層数:17枚 内部電極層の厚さ:3μm 内部電極面積:21.5mm2 外部電極層の厚さ:60μm 得られた焼成体について、焼結度の試験を行い、最適焼
成温度を決定した。
成温度を決定した。
また、得られた積層セラミックスコンデンサについて、
温度25℃における1kHz,1Vrmsでの誘電率
(ε)、誘電損失(tanδ)、および+20℃を基準
とする−25〜+85℃の温度範囲での誘電率の温度特
性を測定した。
温度25℃における1kHz,1Vrmsでの誘電率
(ε)、誘電損失(tanδ)、および+20℃を基準
とする−25〜+85℃の温度範囲での誘電率の温度特
性を測定した。
さらに、積層セラミックスコンデンサに2kV/mmの直
流電圧を重畳したときの誘電率の変化(バイアス特性)
を測定した。
流電圧を重畳したときの誘電率の変化(バイアス特性)
を測定した。
以上の測定結果を表1および表2に示した。
なお、温度特性に関して記載したB、C、Dなる記号は
JIS規格による温度特性を意味する。各特性について
詳細に説明すれば、以下の通りである。
JIS規格による温度特性を意味する。各特性について
詳細に説明すれば、以下の通りである。
B特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化率が−10〜+10%を
超えない。
℃〜+85℃における容量変化率が−10〜+10%を
超えない。
C特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化率が−20〜+20%を
超えない。
℃〜+85℃における容量変化率が−20〜+20%を
超えない。
D特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化率が−30〜+20%を
超えない。
℃〜+85℃における容量変化率が−30〜+20%を
超えない。
ここで、表1では、一定の成分組成39.9SrTiO
3+27.4PbTiO3+21.5CaTiO3+
4.3Bi2O3+1.8SnO2+11.1TiO2
(モル%)の誘電体粉末に、成分比率を変えた還元防止
剤を添加して誘電体セラミックスを形成し、電気的特性
を測定した。
3+27.4PbTiO3+21.5CaTiO3+
4.3Bi2O3+1.8SnO2+11.1TiO2
(モル%)の誘電体粉末に、成分比率を変えた還元防止
剤を添加して誘電体セラミックスを形成し、電気的特性
を測定した。
また、表2では、成分比率を変えた誘電体粉末に、一定
の成分組成5Li2O+10BaO+10CaO+5S
rO+5MgO+39B2O3+26SiO2(モル
%)の還元防止剤を添加して誘電体セラミックスを形成
し、電気的特性を測定した。
の成分組成5Li2O+10BaO+10CaO+5S
rO+5MgO+39B2O3+26SiO2(モル
%)の還元防止剤を添加して誘電体セラミックスを形成
し、電気的特性を測定した。
比較例として、39.9SrTiO3+27.4PbT
iO3+21.5CaTiO3+4.3Bi2O3+
1.8SnO2+11.1TiO2(モル%)の成分組
成の誘電体粉末に還元防止剤を添加せず、積層セラミッ
クスコンデンサを作製した(表1の試料番号13参
照)。
iO3+21.5CaTiO3+4.3Bi2O3+
1.8SnO2+11.1TiO2(モル%)の成分組
成の誘電体粉末に還元防止剤を添加せず、積層セラミッ
クスコンデンサを作製した(表1の試料番号13参
照)。
また、上述の誘電体粉末に、27.9Li2O+7.4
BaO+5.6CaO+5.6SrO+44.5SiO
2+2.0TiO2+7.0CuO(モル%)の成分組
成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコンデンサ
を作製した(表1の試料番号14参照)。
BaO+5.6CaO+5.6SrO+44.5SiO
2+2.0TiO2+7.0CuO(モル%)の成分組
成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコンデンサ
を作製した(表1の試料番号14参照)。
そして、これらについて、電気的特性を測定した。
実施例2 39.9SrTiO3+27.4PbTiO3+21.
5CaTiO3+4.3Bi2O3+1.8SnO2+
11.1TiO2(モル%)の成分組成の誘電体粉末
に、d(MnO2+RO)+(1−d)(B2O3+S
iO2)あるいはe(ZnO+RO)+(1−e)(B
2O3+SiO2)(ただし、ROはMgO,CaO,
SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも1種
類、dおよびeは定数)の成分組成の還元防止剤を添加
して、実施例1と同様に積層セラミックスコンデンサを
作製した。そして、これらの還元防止剤の成分比率を変
えて電気的特性を測定し、表3および表4に示した。
5CaTiO3+4.3Bi2O3+1.8SnO2+
11.1TiO2(モル%)の成分組成の誘電体粉末
に、d(MnO2+RO)+(1−d)(B2O3+S
iO2)あるいはe(ZnO+RO)+(1−e)(B
2O3+SiO2)(ただし、ROはMgO,CaO,
SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも1種
類、dおよびeは定数)の成分組成の還元防止剤を添加
して、実施例1と同様に積層セラミックスコンデンサを
作製した。そして、これらの還元防止剤の成分比率を変
えて電気的特性を測定し、表3および表4に示した。
比較例として、還元防止剤を全く添加せず、積層セラミ
ックスコンデンサを作製した(表3の試料番号13およ
び表4の試料番号13参照)。
ックスコンデンサを作製した(表3の試料番号13およ
び表4の試料番号13参照)。
また、還元防止剤の代わりに、27.9Li2O+7.
4BaO+5.6CaO+5.6SrO+44.5Si
O2+2.0TiO2+7.0CuO(モル%)の成分
組成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコンデン
サを作製した(表3の試料番号14および表4の試料番
号14参照)。
4BaO+5.6CaO+5.6SrO+44.5Si
O2+2.0TiO2+7.0CuO(モル%)の成分
組成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコンデン
サを作製した(表3の試料番号14および表4の試料番
号14参照)。
そして、これらについて、電気的特性を測定した。
実施例3 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代わ
りに、5Pt−95Cu(原子%)組成の銅合金ペース
トまたは8Pd−92Cu(原子%)組成の銅合金ペー
ストを用いる以外は実施例1と同一の方法で積層セラミ
ックスコンデンサを作製し、実施例1と同一の方法で電
気的特性を測定した。その結果、銅合金ペーストを用い
た場合も銅ペーストを用いた場合と同じ特性が得られ
た。
りに、5Pt−95Cu(原子%)組成の銅合金ペース
トまたは8Pd−92Cu(原子%)組成の銅合金ペー
ストを用いる以外は実施例1と同一の方法で積層セラミ
ックスコンデンサを作製し、実施例1と同一の方法で電
気的特性を測定した。その結果、銅合金ペーストを用い
た場合も銅ペーストを用いた場合と同じ特性が得られ
た。
なお、銅合金ペーストを用いる場合、銅以外の金属の種
類および添加量により銅合金の導電率や融点が変化する
ことがあり、純粋な銅に比べて特性が大きく損なわれな
いように選ばれる。このため、銅合金ペーストの組成
は、積層セラミックスコンデンサの使用用途や誘電体粉
末および還元防止剤の組成により規定される。
類および添加量により銅合金の導電率や融点が変化する
ことがあり、純粋な銅に比べて特性が大きく損なわれな
いように選ばれる。このため、銅合金ペーストの組成
は、積層セラミックスコンデンサの使用用途や誘電体粉
末および還元防止剤の組成により規定される。
実施例4 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代わ
りに、銅ペーストまたは5Pt−95Cu(原子%)組
成の銅合金ペーストに5重量%の39.9SrTiO3
+27.4PbTiO3+21.5CaTiO3+4.
3Bi2O3+1.8SnO2+11.1TiO2(モ
ル%)組成の還元防止剤を添加したペーストあるいは3
重量%の上述の誘電体粉末および2重量%の上述の還元
防止剤を添加したペーストを用いる以外は、実施例1と
同一の方法で積層セラミックスコンデンサを作製し、実
施例1と同一の方法で電気的特性を測定した。その結
果、これらの添加物を含むペーストを用いた場合も、純
粋な銅ペーストを用いた場合と同じ特性が得られた。
りに、銅ペーストまたは5Pt−95Cu(原子%)組
成の銅合金ペーストに5重量%の39.9SrTiO3
+27.4PbTiO3+21.5CaTiO3+4.
3Bi2O3+1.8SnO2+11.1TiO2(モ
ル%)組成の還元防止剤を添加したペーストあるいは3
重量%の上述の誘電体粉末および2重量%の上述の還元
防止剤を添加したペーストを用いる以外は、実施例1と
同一の方法で積層セラミックスコンデンサを作製し、実
施例1と同一の方法で電気的特性を測定した。その結
果、これらの添加物を含むペーストを用いた場合も、純
粋な銅ペーストを用いた場合と同じ特性が得られた。
なお、銅ペーストまたは銅合金ペーストに対するガラス
フリット,誘電体粉末,還元防止剤あるいは誘電体粉末
を還元防止剤との混合物の添加量は、積層セラミックス
コンデンサの特性が大きく損なわれないように選ばれる
が、その添加量はほぼ40重量%以下である。
フリット,誘電体粉末,還元防止剤あるいは誘電体粉末
を還元防止剤との混合物の添加量は、積層セラミックス
コンデンサの特性が大きく損なわれないように選ばれる
が、その添加量はほぼ40重量%以下である。
表1〜表4に示すように、本発明の積層セラミックスコ
ンデンサは、1010Ωcm以上の良好な絶縁抵抗を有する
ことがわかる。これに対して、比較例の積層セラミック
スコンデンサでは、誘電損失,誘電率の電圧依存性およ
び絶縁抵抗などの特性が非常に劣り、積層セラミックス
コンデンサとして使用できないものがある。また、焼成
温度が1050℃以上となるため、融点の関係上、内部
電極として銅または銅合金を使用できないものがある。
ンデンサは、1010Ωcm以上の良好な絶縁抵抗を有する
ことがわかる。これに対して、比較例の積層セラミック
スコンデンサでは、誘電損失,誘電率の電圧依存性およ
び絶縁抵抗などの特性が非常に劣り、積層セラミックス
コンデンサとして使用できないものがある。また、焼成
温度が1050℃以上となるため、融点の関係上、内部
電極として銅または銅合金を使用できないものがある。
また、本発明の積層セラミックスコンデンサでは、非還
元性雰囲気中において低温で誘電体セラミックスを焼結
できるので、内部電極として銅や銅合金を主体とした材
料を用いることができる。そのため、内部電極にマイグ
レーションなどの心配がなく、かつ導電率の大きい積層
セラミックスコンデンサを低コストで製造することがで
きる。
元性雰囲気中において低温で誘電体セラミックスを焼結
できるので、内部電極として銅や銅合金を主体とした材
料を用いることができる。そのため、内部電極にマイグ
レーションなどの心配がなく、かつ導電率の大きい積層
セラミックスコンデンサを低コストで製造することがで
きる。
また、還元性雰囲気中で焼成しても比較的誘電率が大き
く、誘電率の電圧依存性が小さく、1010Ωcmの良好な
絶縁抵抗を有する積層セラミックスコンデンサを得るこ
とができる。
く、誘電率の電圧依存性が小さく、1010Ωcmの良好な
絶縁抵抗を有する積層セラミックスコンデンサを得るこ
とができる。
第1図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第2図はこの発明の他の実施例を示す図解図である。 第3図はこの発明のさらに他の実施例を示す図解図であ
る。 図において、10は積層セラミックスコンデンサ、12
は誘電体、14は誘電体セラミックス層、16は内部電
極、18は外部電極を示す。
る。 図において、10は積層セラミックスコンデンサ、12
は誘電体、14は誘電体セラミックス層、16は内部電
極、18は外部電極を示す。
Claims (3)
- 【請求項1】複数の誘電体セラミックス層、 それぞれの端縁が前記誘電体セラミックス層の両端面に
露出するように前記誘電体セラミックス層間に形成され
た複数の内部電極、および 前記誘電体セラミックス層の両端面において、露出した
前記内部電極に接続される外部電極を含み、 前記誘電体セラミックス層は、チタン酸ストロンチウム
を主成分とし、酸化ビスマスと還元防止剤を添加含有し
た材料を焼成することによって形成され、 前記内部電極は銅または銅合金を用いて形成された、積
層セラミックスコンデンサ。 - 【請求項2】前記内部電極は、ガラスフリットを添加し
た銅またはガラスフリットを添加した銅合金を用いて形
成された、特許請求の範囲第1項記載の積層セラミック
スコンデンサ。 - 【請求項3】前記内部電極は、誘電体粉末および還元防
止剤の少なくとも一方を添加した銅または誘電体粉末お
よび還元防止剤の少なくとも一方を添加した銅合金を用
いて形成された、特許請求の範囲第1項記載の積層セラ
ミックスコンデンサ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044407A JPH0666219B2 (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 積層セラミックスコンデンサ |
DE4005505A DE4005505C2 (de) | 1989-02-22 | 1990-02-21 | Monolithischer keramischer Kondensator |
US07/482,980 US5036425A (en) | 1989-02-22 | 1990-02-21 | Monolithic ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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KR20000015822A (ko) * | 1996-05-21 | 2000-03-15 | 칼 하인쯔 호르닝어 | 박막 다층 콘덴서_ |
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ATE481743T1 (de) * | 1999-12-16 | 2010-10-15 | Epcos Ag | Zwischenprodukt für ein piezoelektrisches bauelement |
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WO2006022060A1 (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法 |
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KR20140081568A (ko) * | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 |
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CN112420401B (zh) * | 2020-10-20 | 2022-05-17 | 江苏大学 | 一种氧化铋/氧化锰复合型超级电容器及其制备方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140127A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Shinko Electric Co Ltd | 計量供給制御装置の較正方法 |
JPS60145951A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
Family Cites Families (8)
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---|---|---|---|---|
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US4101952A (en) * | 1976-08-17 | 1978-07-18 | Sprague Electric Company | Monolithic base-metal glass-ceramic capacitor |
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JPH0821257B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60140127A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Shinko Electric Co Ltd | 計量供給制御装置の較正方法 |
JPS60145951A (ja) * | 1984-01-09 | 1985-08-01 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
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