JP2800017B2 - 積層セラミックスコンデンサ - Google Patents
積層セラミックスコンデンサInfo
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- H—ELECTRICITY
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は積層セラミックスコンデンサに関する。
（従来技術） 積層セラミックスコンデンサは、複数の誘電体セラミ
ックス層と、各誘電体セラミックス層間に形成される複
数の内部電極と、誘電体セラミックス層の両端面におい
てこれらの内部電極と接続される外部電極とを含む。
ックス層と、各誘電体セラミックス層間に形成される複
数の内部電極と、誘電体セラミックス層の両端面におい
てこれらの内部電極と接続される外部電極とを含む。
従来、誘電体セラミックス層の材料としては、チタン
酸バリウムを主成分とする高誘電率系誘電体磁器組成物
が用いられていた。特に、誘電率の温度変化を小さくす
るため、チタン酸バリウムを主成分とし、これに酸化ビ
スマスのチタン酸塩，スズ酸塩，ジルコン酸塩などのビ
スマス化合物を副成分として添加したものが広く採用さ
れていた。そして、この誘電体セラミックス層は、誘電
体材料を1200℃前後の温度で焼成することによって形成
されていた。また、誘電体材料がこのような高温で焼成
されるため、内部電極用材料としては、融点が高くかつ
高温で酸化しにくい白金または銀−パラジウム合金など
が使用されていた。そして、誘電体セラミックス層と内
部電極とが形成された後、たとえば銀などを焼き付ける
ことによって外部電極が形成されていた。
酸バリウムを主成分とする高誘電率系誘電体磁器組成物
が用いられていた。特に、誘電率の温度変化を小さくす
るため、チタン酸バリウムを主成分とし、これに酸化ビ
スマスのチタン酸塩，スズ酸塩，ジルコン酸塩などのビ
スマス化合物を副成分として添加したものが広く採用さ
れていた。そして、この誘電体セラミックス層は、誘電
体材料を1200℃前後の温度で焼成することによって形成
されていた。また、誘電体材料がこのような高温で焼成
されるため、内部電極用材料としては、融点が高くかつ
高温で酸化しにくい白金または銀−パラジウム合金など
が使用されていた。そして、誘電体セラミックス層と内
部電極とが形成された後、たとえば銀などを焼き付ける
ことによって外部電極が形成されていた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、従来の積層セラミックスコンデンサで
は、誘電体セラミックス層の焼成温度が1200℃前後と高
温であるため、内部電極用材料として融点の低い銅や銅
合金を使用することができなかった。また、内部電極用
材料として酸化しやすい銅などを使用するために誘電体
材料を還元雰囲気中で焼成すると、誘電体セラミックス
層中のチタン酸バリウムやビスマス化合物中の酸化ビス
マスが還元されて絶縁抵抗が低下してしまうため、還元
雰囲気中で焼成することができなかった。そのため、内
部電極用材料として、融点が高くかつ高温で酸化しにく
い白色や銀−パラジウム合金などが使用されるが、これ
らの材料は高温であるため、積層セラミックスコンデン
サのコストアップの原因になっていた。また、銀−パラ
ジウム合金で形成された内部電極では、銀のマイグレー
ションにより特性が劣化することがあり、白金で形成さ
れた内部電極では、導電率が小さいために等価直列抵抗
が大きくなってしまう。
は、誘電体セラミックス層の焼成温度が1200℃前後と高
温であるため、内部電極用材料として融点の低い銅や銅
合金を使用することができなかった。また、内部電極用
材料として酸化しやすい銅などを使用するために誘電体
材料を還元雰囲気中で焼成すると、誘電体セラミックス
層中のチタン酸バリウムやビスマス化合物中の酸化ビス
マスが還元されて絶縁抵抗が低下してしまうため、還元
雰囲気中で焼成することができなかった。そのため、内
部電極用材料として、融点が高くかつ高温で酸化しにく
い白色や銀−パラジウム合金などが使用されるが、これ
らの材料は高温であるため、積層セラミックスコンデン
サのコストアップの原因になっていた。また、銀−パラ
ジウム合金で形成された内部電極では、銀のマイグレー
ションにより特性が劣化することがあり、白金で形成さ
れた内部電極では、導電率が小さいために等価直列抵抗
が大きくなってしまう。
それゆえに、この発明の主たる目的は、製造時に特性
が劣化せず、かつ低コストの積層セラミックスコンデン
サを提供することである。
が劣化せず、かつ低コストの積層セラミックスコンデン
サを提供することである。
（課題を解決するための手段） この発明は、複数の誘電体セラミックス層と、それぞ
れの端縁が誘電体セラミックス層の両端面に露出するよ
うに誘電体セラミックス層間に形成された複数の内部電
極と、誘電体セラミックス層の両端面において、露出し
た内部電極に接続される外部電極とを含み、誘電体セラ
ミックス層は、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分
としてのビスマス化合物とガラス化した還元防止剤を添
加含有した材料によって形成され、内部電極は銅または
銅合金を用いて形成された、積層セラミックスコンデン
サである。
れの端縁が誘電体セラミックス層の両端面に露出するよ
うに誘電体セラミックス層間に形成された複数の内部電
極と、誘電体セラミックス層の両端面において、露出し
た内部電極に接続される外部電極とを含み、誘電体セラ
ミックス層は、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分
としてのビスマス化合物とガラス化した還元防止剤を添
加含有した材料によって形成され、内部電極は銅または
銅合金を用いて形成された、積層セラミックスコンデン
サである。
この積層セラミックスコンデンサにおいて、ガラス化
した還元防止剤が、チタン酸バリウムを主成分とし副成
分としてのビスマス化合物を含有した誘電体材料に対し
て、20重量％以下の割合で添加される。
した還元防止剤が、チタン酸バリウムを主成分とし副成
分としてのビスマス化合物を含有した誘電体材料に対し
て、20重量％以下の割合で添加される。
また、このガラス化した還元防止剤としては、次の３
つの一般式、αMnO2＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−
γ）SiO2、αLi2O＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−γ）
SiO2、またはαZnO＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−
γ）SiO2（ただし、ROは、MgO、CaO、SrOおよびBaOの中
から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物）のいずれ
かで表され、α、βおよびγが、0.05≦α≦0.20、0.10
≦β≦0.60、0.20≦γ≦0.35の範囲内にあるガラス化し
た還元防止剤が用いられる。
つの一般式、αMnO2＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−
γ）SiO2、αLi2O＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−γ）
SiO2、またはαZnO＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−
γ）SiO2（ただし、ROは、MgO、CaO、SrOおよびBaOの中
から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物）のいずれ
かで表され、α、βおよびγが、0.05≦α≦0.20、0.10
≦β≦0.60、0.20≦γ≦0.35の範囲内にあるガラス化し
た還元防止剤が用いられる。
さらに、内部電極としては、ガラスフリットを添加し
た銅またはガラスフリットを添加した銅合金を用いて形
成された内部電極を使用することができる。
た銅またはガラスフリットを添加した銅合金を用いて形
成された内部電極を使用することができる。
また、誘電体粉末およびガラス化した還元防止剤の少
なくとも一方を添加した銅、または誘電体粉末およびガ
ラス化した還元防止剤の少なくとも一方を添加した銅合
金を用いて形成された内部電極を使用してもよい。
なくとも一方を添加した銅、または誘電体粉末およびガ
ラス化した還元防止剤の少なくとも一方を添加した銅合
金を用いて形成された内部電極を使用してもよい。
（作用） 誘電体セラミックス層の材料として、ガラス化した還
元防止剤を含む材料を用いることによって、還元雰囲気
中においても、その特性を劣化させることなく低温で焼
成することができる。さらに、誘電体セラミックス層が
還元雰囲気中において低温で焼成することができるた
め、内部電極の材料として、融点が低く酸化されやすい
銅や銅合金などを使用することができる。
元防止剤を含む材料を用いることによって、還元雰囲気
中においても、その特性を劣化させることなく低温で焼
成することができる。さらに、誘電体セラミックス層が
還元雰囲気中において低温で焼成することができるた
め、内部電極の材料として、融点が低く酸化されやすい
銅や銅合金などを使用することができる。
（発明の効果） この発明によれば、還元雰囲気中で焼成しても誘電体
セラミックス層中の主成分であるチタン酸バリウムやビ
スマス化合物に含まれる酸化ビスマスが還元されないた
め、絶縁抵抗が低下したりしない。さらに、従来と比べ
て低温で焼成することができるため、内部電極用材料と
して融点の低い銅や銅合金を使用することができる。
セラミックス層中の主成分であるチタン酸バリウムやビ
スマス化合物に含まれる酸化ビスマスが還元されないた
め、絶縁抵抗が低下したりしない。さらに、従来と比べ
て低温で焼成することができるため、内部電極用材料と
して融点の低い銅や銅合金を使用することができる。
このような効果を得るために、チタン酸バリウムを主
成分とし副成分としてビスマス化合物を含有した誘電体
材料に対して、ガラス化した還元防止剤を20重量％以下
の割合で添加することが望ましい。そして、チタン酸バ
リウムを主成分とし副成分としてビスマス化合物を含有
した誘電体材料に添加するガラス化した還元防止剤とし
て、上述のような組成を有する還元防止剤を用いること
により、大きい効果を得ることができる。
成分とし副成分としてビスマス化合物を含有した誘電体
材料に対して、ガラス化した還元防止剤を20重量％以下
の割合で添加することが望ましい。そして、チタン酸バ
リウムを主成分とし副成分としてビスマス化合物を含有
した誘電体材料に添加するガラス化した還元防止剤とし
て、上述のような組成を有する還元防止剤を用いること
により、大きい効果を得ることができる。
また、内部電極材料として、安価な銅や銅合金を使用
することができるため、従来に比べて材料コストを下げ
ることができる。また、内部電極用材料として銅や銅合
金などを用いると、マイグレーションによる特性の劣化
がなく、かつ導電率が大きいため等価直列抵抗を小さく
することができる。
することができるため、従来に比べて材料コストを下げ
ることができる。また、内部電極用材料として銅や銅合
金などを用いると、マイグレーションによる特性の劣化
がなく、かつ導電率が大きいため等価直列抵抗を小さく
することができる。
さらに、上述の主成分、副成分およびガラス化した還
元防止剤を用いた誘電体材料を使用するときの内部電極
用材料として、ガラスフリットを添加したり、誘電体粉
末およびガラス化した還元防止剤の少なくとも一方を添
加することによって、耐デラミネーション性を付与した
積層セラミックスコンデンサを得ることができる。
元防止剤を用いた誘電体材料を使用するときの内部電極
用材料として、ガラスフリットを添加したり、誘電体粉
末およびガラス化した還元防止剤の少なくとも一方を添
加することによって、耐デラミネーション性を付与した
積層セラミックスコンデンサを得ることができる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。こ
の積層セラミックスコンデンサ10は誘電体12を含む。誘
電体12は、複数の誘電体セラミックス層14を積層するこ
とによって形成されている。誘電体セラミックス層14の
材料としては、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分
としてのビスマス化合物を含む誘電体粉末、およびガラ
ス化した還元防止剤が用いられる。
の積層セラミックスコンデンサ10は誘電体12を含む。誘
電体12は、複数の誘電体セラミックス層14を積層するこ
とによって形成されている。誘電体セラミックス層14の
材料としては、チタン酸バリウムを主成分とし、副成分
としてのビスマス化合物を含む誘電体粉末、およびガラ
ス化した還元防止剤が用いられる。
誘電体粉末としては、たとえばaBaTiO3＋bBi2O3＋cTi
O2＋dM＋ePb3O4＋fNb2O5（ただし、ＭはLa2O3,CeO2,Nd2
O3,Sm2O3およびY2O3の中から選ばれる１種類、a,b,c,d,
eおよびｆは定数）で表される組成を有する材料が用い
られる。この材料は、所定量のBaTiO3,Bi2O3,TiO2,La2O
3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3,Y2O3,Pb3O4およびNb2O5などをボー
ルミル中で湿式混合し、蒸発乾燥後、粉砕篩別して得ら
れる。なお、誘電体粉末としては、これ以外に、特公昭
55−48644号公報に示されたBaTiO3＋Bi2O3・SnO2＋Nd2O
3,特開昭60−31793号公報に示されたBaTiO3＋Bi2O3・Sn
O2＋CaZrO3＋MgTiO3＋CeO2,特公昭56−45242号公報に示
されたBaTiO3＋Bi2O3・ZrO2＋CeO2などを用いてもよ
い。
O2＋dM＋ePb3O4＋fNb2O5（ただし、ＭはLa2O3,CeO2,Nd2
O3,Sm2O3およびY2O3の中から選ばれる１種類、a,b,c,d,
eおよびｆは定数）で表される組成を有する材料が用い
られる。この材料は、所定量のBaTiO3,Bi2O3,TiO2,La2O
3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3,Y2O3,Pb3O4およびNb2O5などをボー
ルミル中で湿式混合し、蒸発乾燥後、粉砕篩別して得ら
れる。なお、誘電体粉末としては、これ以外に、特公昭
55−48644号公報に示されたBaTiO3＋Bi2O3・SnO2＋Nd2O
3,特開昭60−31793号公報に示されたBaTiO3＋Bi2O3・Sn
O2＋CaZrO3＋MgTiO3＋CeO2,特公昭56−45242号公報に示
されたBaTiO3＋Bi2O3・ZrO2＋CeO2などを用いてもよ
い。
また、ガラス化した還元防止剤としては、たとえばｄ
（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2）あるいはｅ
（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2）（ただし、RO
はMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも１
種類、ｄおよびｅは定数）で表される材料が用いられ
る。この材料は、通常、所定量の各成分の酸化物，炭酸
塩または水酸化物をボールミル中で湿式混合して粉砕
し、蒸発乾燥して粉末とし、この粉末をアルミニウムる
つぼ中で保持した後急冷してガラス化し、粉砕篩別して
得られる。しかし、ガラス化した還元防止剤の材料とし
ては、このような組成に限定されるものではない。
（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2）あるいはｅ
（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2）（ただし、RO
はMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも１
種類、ｄおよびｅは定数）で表される材料が用いられ
る。この材料は、通常、所定量の各成分の酸化物，炭酸
塩または水酸化物をボールミル中で湿式混合して粉砕
し、蒸発乾燥して粉末とし、この粉末をアルミニウムる
つぼ中で保持した後急冷してガラス化し、粉砕篩別して
得られる。しかし、ガラス化した還元防止剤の材料とし
ては、このような組成に限定されるものではない。
そして、誘電体セラミックス層14を形成するために、
これらの誘電体粉末とガラス化した還元防止剤とが所定
の割合で混合され、ポリビニルブチラール系のバインダ
およびエタノールなどの有機溶媒を加えて、ボールミル
中で湿式混合される。この混合物をドクターブレード法
などによって成形し、乾燥して得られたセラミックスグ
リーンシートを積層して焼成することによって、誘電体
セラミックス層14が得られる。
これらの誘電体粉末とガラス化した還元防止剤とが所定
の割合で混合され、ポリビニルブチラール系のバインダ
およびエタノールなどの有機溶媒を加えて、ボールミル
中で湿式混合される。この混合物をドクターブレード法
などによって成形し、乾燥して得られたセラミックスグ
リーンシートを積層して焼成することによって、誘電体
セラミックス層14が得られる。
これらの複数の誘電体セラミックス層14間には、複数
の内部電極16が形成される。これらの内部電極16は、誘
電体12の両端面に交互に露出するように形成される。
の内部電極16が形成される。これらの内部電極16は、誘
電体12の両端面に交互に露出するように形成される。
内部電極16の材料としては、主に銅または銅合金が使
用されるが、ホウケイ酸鉛やホウケイ酸ビスマスなどの
ようなガラスフリットを添加した銅またはこれらのガラ
スフリットを添加した銅合金を用いてもよい。さらに、
上述の誘電体粉末およびガラス化した還元防止剤のうち
の少なくとも一方を添加した銅またはこれらを添加した
銅合金を用いてもよい。なお、内部電極16用の材料とし
ては、積層セラミックスコンデンサ10の特性を損なわな
い範囲で、これらの添加物が添加される。
用されるが、ホウケイ酸鉛やホウケイ酸ビスマスなどの
ようなガラスフリットを添加した銅またはこれらのガラ
スフリットを添加した銅合金を用いてもよい。さらに、
上述の誘電体粉末およびガラス化した還元防止剤のうち
の少なくとも一方を添加した銅またはこれらを添加した
銅合金を用いてもよい。なお、内部電極16用の材料とし
ては、積層セラミックスコンデンサ10の特性を損なわな
い範囲で、これらの添加物が添加される。
さらに、誘電体12の両端面には、内部電極16と接続さ
れるように、２つの外部電極18が形成される。外部電極
18の材料としては、内部電極16と同じ材料を使用するこ
とができる。また、銀，パラジウム，銀−パラジウム合
金などが使用可能であるが、積層セラミックスコンデン
サ10の使用用途，使用場所などを考慮に入れて、適当な
材料が選択される。
れるように、２つの外部電極18が形成される。外部電極
18の材料としては、内部電極16と同じ材料を使用するこ
とができる。また、銀，パラジウム，銀−パラジウム合
金などが使用可能であるが、積層セラミックスコンデン
サ10の使用用途，使用場所などを考慮に入れて、適当な
材料が選択される。
また、第２図に示すように、外部電極18の外面に、た
とえば銀などによって別の電極20を形成してもよい。
とえば銀などによって別の電極20を形成してもよい。
さらに、第３図に示すように、たとえば銅合金とパラ
ジウムなどのように、異なる金属を用いて２つの外部電
極18a,18bを形成してもよい。
ジウムなどのように、異なる金属を用いて２つの外部電
極18a,18bを形成してもよい。
また、内部電極16および外部電極18の材料となる金属
ペーストは、たとえば約0.1〜５μｍの金属粉末にワニ
ス分としてエチルセルロースを加え、α−テレピネオー
ルなどの溶媒中に分散させたものである。これらの内部
電極16および外部電極18の厚みは、コンデンサの容量に
よっても異なるが、好ましくは内部電極16の厚みは約0.
5〜５μm,外部電極18の厚みは約10〜80μｍである。
ペーストは、たとえば約0.1〜５μｍの金属粉末にワニ
ス分としてエチルセルロースを加え、α−テレピネオー
ルなどの溶媒中に分散させたものである。これらの内部
電極16および外部電極18の厚みは、コンデンサの容量に
よっても異なるが、好ましくは内部電極16の厚みは約0.
5〜５μm,外部電極18の厚みは約10〜80μｍである。
この積層セラミックスコンデンサ10を製造するには、
誘電体粉末とガラス化した還元防止剤とで形成されたセ
ラミックスグリーンシートが準備される。このセラミッ
クスグリーンシートに、内部電極16となる金属ペースト
がスクリーン印刷法などによって印刷される。これらの
金属ペーストは、セラミックスグリーンシートの両端縁
に交互に露出するように印刷される。そして、これらの
セラミックスグリーンシートが熱圧着されて積層体が得
られる。そして、この積層体は、内部電極16となる金属
ペーストが酸化しない酸素分圧雰囲気下において焼成さ
れる。得られた焼成体の両端面には、内部電極16と接続
されるように、外部電極18となる金属ペーストが塗布さ
れ焼き付けられる。このようにして、積層セラミックス
コンデンサ10が形成される。
誘電体粉末とガラス化した還元防止剤とで形成されたセ
ラミックスグリーンシートが準備される。このセラミッ
クスグリーンシートに、内部電極16となる金属ペースト
がスクリーン印刷法などによって印刷される。これらの
金属ペーストは、セラミックスグリーンシートの両端縁
に交互に露出するように印刷される。そして、これらの
セラミックスグリーンシートが熱圧着されて積層体が得
られる。そして、この積層体は、内部電極16となる金属
ペーストが酸化しない酸素分圧雰囲気下において焼成さ
れる。得られた焼成体の両端面には、内部電極16と接続
されるように、外部電極18となる金属ペーストが塗布さ
れ焼き付けられる。このようにして、積層セラミックス
コンデンサ10が形成される。
実施例１ まず、aBaTiO3＋bBi2O3＋cTiO2＋dM＋ePb3O4＋fNb2O5
（ただし、ＭはLa2O3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3およびY2O3の中
から選ばれる１種類、a,b,c,d,eおよびｆは定数）で表
される誘電体粉末を得るため、BaCO3とTiO2を重量比で
1:1の割合で混合し、1100℃〜1250℃で仮焼してBaTiO3
を合成し、これを微粉砕した。次に、Bi2O3,TiO2,La
2O3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3,Y2O3,Pb3O4,Nb2O5を準備した。
これらの材料を所定の割合になるように秤量したのちボ
ールミルで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥
した後、200メッシュの篩を通過するように粉砕した。
（ただし、ＭはLa2O3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3およびY2O3の中
から選ばれる１種類、a,b,c,d,eおよびｆは定数）で表
される誘電体粉末を得るため、BaCO3とTiO2を重量比で
1:1の割合で混合し、1100℃〜1250℃で仮焼してBaTiO3
を合成し、これを微粉砕した。次に、Bi2O3,TiO2,La
2O3,CeO2,Nd2O3,Sm2O3,Y2O3,Pb3O4,Nb2O5を準備した。
これらの材料を所定の割合になるように秤量したのちボ
ールミルで16時間湿式混合した。この混合物を蒸発乾燥
した後、200メッシュの篩を通過するように粉砕した。
また、aLi2O＋bRO＋cB2O3＋（１−ａ−ｂ−ｃ）SiO2
（ただし、ROはMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる
少なくとも１種類、a,b,cおよびｄは定数）で表される
ガラス化した還元防止剤を得るために、各成分の酸化
物，炭酸塩および水酸化物を準備した。そして、所定の
割合でこれらを混合粉砕し、蒸発乾燥して粉末を得た。
この粉末をアルミニウムるつぼ中において1300℃で１時
間保持した後、急冷してガラス化し、200メッシュの篩
を通過するように粉砕した。
（ただし、ROはMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる
少なくとも１種類、a,b,cおよびｄは定数）で表される
ガラス化した還元防止剤を得るために、各成分の酸化
物，炭酸塩および水酸化物を準備した。そして、所定の
割合でこれらを混合粉砕し、蒸発乾燥して粉末を得た。
この粉末をアルミニウムるつぼ中において1300℃で１時
間保持した後、急冷してガラス化し、200メッシュの篩
を通過するように粉砕した。
これらの誘電体粉末とガラス化した還元防止剤とを表
１および表２に示す割合で混合し、ポリビニルブチラー
ル系のバインダとエタノールとを加えてボールミル中で
16時間湿式混合し、混合スラリを得た。
１および表２に示す割合で混合し、ポリビニルブチラー
ル系のバインダとエタノールとを加えてボールミル中で
16時間湿式混合し、混合スラリを得た。
この混合スラリをドクターブレード法によってシート
状に成形し、乾燥後に適当な大きさに切断してセラミッ
クスグリーンシートを得た。得られたセラミックスグリ
ーンシートの片面にスラリーン印刷法によって銅ペース
トを印刷し、積層した。この積層体をN2,H2およびH2Oな
どからなる混合ガスの還元雰囲気下において830〜1050
℃で２時間焼成した。得られた焼結体の両端面に銀ペー
ストを塗布し、窒素雰囲気中において800℃で焼き付
け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し
た。このようにして、積層セラミックスコンデンサを得
た。この積層セラミックスコンデンサの寸法は次の通り
である。
状に成形し、乾燥後に適当な大きさに切断してセラミッ
クスグリーンシートを得た。得られたセラミックスグリ
ーンシートの片面にスラリーン印刷法によって銅ペース
トを印刷し、積層した。この積層体をN2,H2およびH2Oな
どからなる混合ガスの還元雰囲気下において830〜1050
℃で２時間焼成した。得られた焼結体の両端面に銀ペー
ストを塗布し、窒素雰囲気中において800℃で焼き付
け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し
た。このようにして、積層セラミックスコンデンサを得
た。この積層セラミックスコンデンサの寸法は次の通り
である。
幅:4.8mm 長さ:5.6mm 厚さ:1.2mm 有効誘電体層の厚さ:32μｍ 誘電体層数:17枚 内部電極層の厚さ:3μｍ 内部電極面積:21.5mm2 外部電極層の厚さ:60μｍ 得られた焼成体について、焼結度の試験を行い、最適
焼成温度を決定した。
焼成温度を決定した。
また、得られた積層セラミックスコンデンサについ
て、温度25℃における1kHz,1Vrmsでの誘電率（ε）、誘
電損失（tanδ）、および＋20℃を基準とする＋25〜＋8
5℃の温度範囲での誘電率の温度特性を測定した。
て、温度25℃における1kHz,1Vrmsでの誘電率（ε）、誘
電損失（tanδ）、および＋20℃を基準とする＋25〜＋8
5℃の温度範囲での誘電率の温度特性を測定した。
以上の測定結果を表１および表２に示した。
なお、温度特性に関して記載したＢ、Ｃ、Ｄなる記号
はJIS規格による温度特性を意味する。各特性について
詳細に説明すれば、以下の通りである。
はJIS規格による温度特性を意味する。各特性について
詳細に説明すれば、以下の通りである。
Ａ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−５〜＋５％を越えない。
＋85℃における容量変化率が−５〜＋５％を越えない。
Ｂ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−10〜＋10％を超えない。
Ｃ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−20〜＋20％を超えない。
Ｄ特性:20℃における静電容量を基準として、−25℃〜
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を超えない。
＋85℃における容量変化率が−30〜＋20％を超えない。
ここで、表１では、一定の成分組成89.1BaTiO3＋5.3B
i2O3＋0.8TiO2＋1.3CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量
％）の誘電体粉末に、成分比率を変えたグラス化した還
元防止財を添加して誘電体セラミックス形成し、電気的
特性を測定した。
i2O3＋0.8TiO2＋1.3CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量
％）の誘電体粉末に、成分比率を変えたグラス化した還
元防止財を添加して誘電体セラミックス形成し、電気的
特性を測定した。
また、表２では、成分比率を変えた誘電体粉末に、一
定の成分組成5Li2O＋15BaO＋15CaO＋10SrO＋5MgO＋20B2
O3＋30SiO2（モル％）のガラス化した還元防止剤を添加
して誘電体セラミックスを形成し、電気的特性を測定し
た。
定の成分組成5Li2O＋15BaO＋15CaO＋10SrO＋5MgO＋20B2
O3＋30SiO2（モル％）のガラス化した還元防止剤を添加
して誘電体セラミックスを形成し、電気的特性を測定し
た。
比較例として、89.1BaTiO3＋5.3Bi2O3＋0.8TiO2＋1.3
CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量％）の成分組成の誘電
体粉末にガラス化した還元防止剤を添加せず、積層セラ
ミックスコンデンサを作製した（表１の試料番号13参
照）。
CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量％）の成分組成の誘電
体粉末にガラス化した還元防止剤を添加せず、積層セラ
ミックスコンデンサを作製した（表１の試料番号13参
照）。
また、上述の誘電体粉末に、27.9Li2O＋7.4BaO＋5.6C
aO＋5.6SrO＋44.5SiO2＋2.0TiO2＋7.0CuO（モル％）の
成分組成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコン
デンサを作製した（第１の試料番号14参照）。
aO＋5.6SrO＋44.5SiO2＋2.0TiO2＋7.0CuO（モル％）の
成分組成の低温焼結剤を添加し、積層セラミックスコン
デンサを作製した（第１の試料番号14参照）。
そして、これらについて、電気的特性を測定した。
実施例２ 89.1BaTiO3＋5.3Bi2O3＋0.8TiO2＋1.3CeO2＋1.8Pb3O4
＋1.7Nb2O5（重量％）の成分組成の誘電体粉末に、ｄ
（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2）あるいはｅ
（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2）（ただし、RO
はMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも１
種類、ｄおよびｅは定数）の成分組成のガラス化した還
元防止剤を添加して、実施例１と同様に積層セラミック
スコンデンサを作製した。そして、これらのガラス化し
た還元防止剤の成分比率を変えて電気的特性を測定し、
表３および表４に示した。
＋1.7Nb2O5（重量％）の成分組成の誘電体粉末に、ｄ
（MnO2＋RO）＋（１−ｄ）（B2O3＋SiO2）あるいはｅ
（ZnO＋RO）＋（１−ｅ）（B2O3＋SiO2）（ただし、RO
はMgO,CaO,SrOおよびBaOの中から選ばれる少なくとも１
種類、ｄおよびｅは定数）の成分組成のガラス化した還
元防止剤を添加して、実施例１と同様に積層セラミック
スコンデンサを作製した。そして、これらのガラス化し
た還元防止剤の成分比率を変えて電気的特性を測定し、
表３および表４に示した。
比較例として、ガラス化した還元防止剤を全く添加せ
ず、積層セラミックスコンデンサを作製した（表３の試
料番号13および表４の試料番号13参照）。
ず、積層セラミックスコンデンサを作製した（表３の試
料番号13および表４の試料番号13参照）。
また、ガラス化した還元防止剤の代わりに、27.9Li2O
＋7.4BaO＋5.6CaO＋5.6SrO＋44.5SiO2＋2.0TiO2＋7.0Cu
O（モル％）の成分組成の低温焼結財を添加し、積層セ
ラミックスコンデンサを作製した（表３の試料番号14お
よび表４の試料番号14参照）。
＋7.4BaO＋5.6CaO＋5.6SrO＋44.5SiO2＋2.0TiO2＋7.0Cu
O（モル％）の成分組成の低温焼結財を添加し、積層セ
ラミックスコンデンサを作製した（表３の試料番号14お
よび表４の試料番号14参照）。
そして、これらについて、電気的特性を測定した。
実施例３ 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代
わりに、5Pt−95Cu（原子％）組成の銅合金ペーストま
たは8Pd−92Cu（原子％）組成の銅合金ペーストを用い
る以外は実施例１と同一の方法で積層セラミックスコン
デンサを作製し、実施例１と同一の方法で電気的特性を
測定した。その結果、銅合金ペーストを用いた場合も銅
ペーストを用いた場合と同じ特性が得られた。
わりに、5Pt−95Cu（原子％）組成の銅合金ペーストま
たは8Pd−92Cu（原子％）組成の銅合金ペーストを用い
る以外は実施例１と同一の方法で積層セラミックスコン
デンサを作製し、実施例１と同一の方法で電気的特性を
測定した。その結果、銅合金ペーストを用いた場合も銅
ペーストを用いた場合と同じ特性が得られた。
なお、銅合金ペーストを用いる場合、銅以外の金属の
種類および添加量により銅合金の導電率や融点が変化す
ることがあり、純粋な銅に比べて特性が大きく損なわれ
ないように選ばれる。このため、銅合金ペーストの組成
は、積層セラミックスコンデンサの使用用途や誘電体粉
末およびガラス化した還元防止剤の組成により規定され
る。
種類および添加量により銅合金の導電率や融点が変化す
ることがあり、純粋な銅に比べて特性が大きく損なわれ
ないように選ばれる。このため、銅合金ペーストの組成
は、積層セラミックスコンデンサの使用用途や誘電体粉
末およびガラス化した還元防止剤の組成により規定され
る。
実施例４ 内部電極となる金属ペーストとして、銅ペーストの代
わりに、銅ペーストまたは5Pt−95Cu（原子％）組成の
銅合金ペーストに５重量％の89.1BaTiO3＋5.3Bi2O3＋0.
8TiO2＋1.3CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量％）組成の
誘電体粉末にガラス化した還元防止剤を添加したペース
トあるいは３重量％の上述のガラス誘電体粉末および２
重量％の上述のガラス化した還元防止剤を添加したペー
ストを用いる場合は、実施例１と同一の方法で積層セラ
ミックスコンデンサを作製し、実施例１と同一の方法で
電気的特性を測定した。その結果、これらの添加物を含
むペーストを用いた場合も、純粋な銅ペーストを用いた
場合と同じ特性が得られた。
わりに、銅ペーストまたは5Pt−95Cu（原子％）組成の
銅合金ペーストに５重量％の89.1BaTiO3＋5.3Bi2O3＋0.
8TiO2＋1.3CeO2＋1.8Pb3O4＋1.7Nb2O5（重量％）組成の
誘電体粉末にガラス化した還元防止剤を添加したペース
トあるいは３重量％の上述のガラス誘電体粉末および２
重量％の上述のガラス化した還元防止剤を添加したペー
ストを用いる場合は、実施例１と同一の方法で積層セラ
ミックスコンデンサを作製し、実施例１と同一の方法で
電気的特性を測定した。その結果、これらの添加物を含
むペーストを用いた場合も、純粋な銅ペーストを用いた
場合と同じ特性が得られた。
なお、銅ペーストまたは銅合金ペーストに対するガラ
スフリット，誘電体粉末，ガラス化した還元防止剤ある
いは誘電体粉末とガラス化した還元防止剤との混合物の
添加量は、積層セラミックスコンデサの特性が大きく損
なわれないように選ばれるが、その添加量はほぼ40重量
％以下である。
スフリット，誘電体粉末，ガラス化した還元防止剤ある
いは誘電体粉末とガラス化した還元防止剤との混合物の
添加量は、積層セラミックスコンデサの特性が大きく損
なわれないように選ばれるが、その添加量はほぼ40重量
％以下である。
表１〜表４に示すように、本発明の積層セラミックス
コンデンサは、1010Ωcm以上の良好な絶縁抵抗を有する
ことがわかる。これに対して、比較例の積層セラミック
スコンデンサでは、誘電損失，誘電率の電圧依存性およ
び絶縁抵抗などの特性が非常に劣り、積層セラミックス
コンデンサとして使用できないものがある。また、焼成
温度が1050℃以上となるため、融点の関係上、内部電極
として銅または銅合金を使用できないものがある。
コンデンサは、1010Ωcm以上の良好な絶縁抵抗を有する
ことがわかる。これに対して、比較例の積層セラミック
スコンデンサでは、誘電損失，誘電率の電圧依存性およ
び絶縁抵抗などの特性が非常に劣り、積層セラミックス
コンデンサとして使用できないものがある。また、焼成
温度が1050℃以上となるため、融点の関係上、内部電極
として銅または銅合金を使用できないものがある。
また、本発明の積層セラミックスコンデンサでは、還
元雰囲気中において低温で誘電体セラミックスを焼結で
きるので、内部電極として銅や銅合金を主体とした材料
を用いることができる。そのため、内部電極にマイグレ
ーションなどの心配がなく、かつ導電率の大きい積層セ
ラミックスコンデンサを低コストで製造することができ
る。
元雰囲気中において低温で誘電体セラミックスを焼結で
きるので、内部電極として銅や銅合金を主体とした材料
を用いることができる。そのため、内部電極にマイグレ
ーションなどの心配がなく、かつ導電率の大きい積層セ
ラミックスコンデンサを低コストで製造することができ
る。
また、還元雰囲気中で焼成しても比較的誘電率が大き
く、誘電率の電圧依存性が小さく、1010Ωcm以上の良好
な絶縁抵抗を有する積層セラミックスコンデンサを得る
ことができる。
く、誘電率の電圧依存性が小さく、1010Ωcm以上の良好
な絶縁抵抗を有する積層セラミックスコンデンサを得る
ことができる。
第１図はこの発明の一実施例を示す図解図である。 第２図はこの発明の他の実施例を示す図解図である。 第３図はこの発明のさらに他の実施例を示す図解図であ
る。 図において、10は積層セラミックスコンデンサ、12は誘
電体、14は誘電体セラミックス層、16は内部電極、18は
外部電極を示す。
る。 図において、10は積層セラミックスコンデンサ、12は誘
電体、14は誘電体セラミックス層、16は内部電極、18は
外部電極を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 芳明 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (72)発明者 坂部 行雄 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−56407（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−3909（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】複数の誘電体セラミックス層、 それぞれの端縁が前記誘電体セラミックス層の両端面に
露出するように前記誘電体セラミックス層間に形成され
た複数の内部電極、および 前記誘電体セラミックス層の両端面において、露出した
前記内部電極に接続される外部電極を含み、 前記誘電体セラミックス層は、チタン酸バリウムを主成
分とし、副成分としてのビスマス化合物とガラス化した
還元防止剤を添加含有した材料によって形成され、 前記内部電極は銅または銅合金を用いて形成された、積
層セラミックスコンデンサ。 - 【請求項２】前記ガラス化した還元防止剤が、チタン酸
バリウムを主成分とし副成分としてのビスマス化合物を
含有した誘電体材料に対して、20重量％以下の割合で添
加された、特許請求の範囲第１項記載の積層セラミック
スコンデンサ。 - 【請求項３】前記ガラス化した還元防止剤が次の３つの
一般式、 αMnO2＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−γ）SiO2、 αLi2O＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−γ）SiO2、また
は αZnO＋βRO＋γB2O3＋（１−α−β−γ）SiO2 （ただし、ROは、MgO、CaO、SrOおよびBaOの中から選ば
れる少なくとも１種類以上の酸化物）のいずれかで表さ
れ、α、βおよびγが、 0.05≦α≦0.20 0.10≦β≦0.60 0.20≦γ≦0.35 の範囲内にある、特許請求の範囲第１項または第２項記
載の積層セラミックスコンデンサ。 - 【請求項４】前記内部電極は、ガラスフリットを添加し
た銅またはガラスフリットを添加した銅合金を用いて形
成された、特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の積層セラミックスコンデンサ。 - 【請求項５】前記内部電極は、誘電体粉末およびガラス
化した還元防止剤の少なくとも一方を添加した銅、また
は誘電体粉末およびガラス化した還元防止剤の少なくと
も一方を添加した銅合金を用いて形成された、特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の積層セラ
ミックスコンデンサ。
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Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5155072A (en) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High K dielectric compositions with fine grain size |
| JPH07118431B2 (ja) * | 1991-03-16 | 1995-12-18 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
| US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
| JP3350949B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
| US5600533A (en) * | 1994-06-23 | 1997-02-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor having an anti-reducing agent |
| US5659456A (en) * | 1995-01-12 | 1997-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitors |
| US5879812A (en) * | 1995-06-06 | 1999-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method of producing the same |
| US5820995A (en) * | 1995-10-27 | 1998-10-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated composite ceramics and elements using same |
| DE19546237A1 (de) * | 1995-12-12 | 1997-06-19 | Philips Patentverwaltung | Vielschichtkondensator mit Dielektrikum aus modifiziertem Bariumstrontiumtitanat |
| JP2993425B2 (ja) * | 1995-12-20 | 1999-12-20 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| BR9709333A (pt) * | 1996-05-21 | 1999-08-10 | Siemens Aktienesellschaft | Condensador de camadas múltiplas com alta capacidade específica e processo e produção para o mesmo |
| JP2998639B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2000-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH113834A (ja) * | 1996-07-25 | 1999-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| SG48535A1 (en) * | 1996-08-05 | 1998-04-17 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using the same |
| JP3039403B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH10312933A (ja) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品 |
| JPH11228222A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-08-24 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品 |
| JP3275818B2 (ja) | 1998-02-12 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ |
| JP3620636B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2005-02-16 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサの選別方法 |
| US6185087B1 (en) | 1999-04-08 | 2001-02-06 | Kemet Electronics Corp. | Multilayer ceramic chip capacitor with high reliability compatible with nickel electrodes |
| US6368514B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-09 | Luminous Intent, Inc. | Method and apparatus for batch processed capacitors using masking techniques |
| JP2001126946A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
| JP3498211B2 (ja) * | 1999-12-10 | 2004-02-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型半導体セラミック電子部品 |
| US6801422B2 (en) * | 1999-12-28 | 2004-10-05 | Intel Corporation | High performance capacitor |
| US6724611B1 (en) * | 2000-03-29 | 2004-04-20 | Intel Corporation | Multi-layer chip capacitor |
| CN1256735C (zh) * | 2000-04-26 | 2006-05-17 | 古河电气工业株式会社 | 介电陶瓷、树脂－陶瓷复合材料、电气部件和天线及其制造方法 |
| DE60129957T2 (de) * | 2001-09-07 | 2008-05-08 | U-Blox Ag | GPS-Empfänger mit rauscharmem Verstärker, Duplex-Filtereinheit und GPS-Handapparat |
| JP2004289087A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-14 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
| WO2006022060A1 (ja) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法 |
| US20060162844A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-07-27 | Needes Christopher R | Multi-component LTCC substrate with a core of high dielectric constant ceramic material and processes for the development thereof |
| CN101333105B (zh) * | 2008-07-01 | 2011-04-13 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 薄介质x7r mlcc介质瓷料 |
| KR100983046B1 (ko) * | 2008-12-29 | 2010-09-17 | 삼성전기주식회사 | 소결조제용 붕규산염계 유리 조성물, 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층 세라믹 커패시터 |
| WO2012023406A1 (ja) * | 2010-08-18 | 2012-02-23 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| WO2012128175A1 (ja) | 2011-03-18 | 2012-09-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミック、積層セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP5910533B2 (ja) | 2012-05-08 | 2016-04-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品内蔵基板及び電子部品の製造方法 |
| KR102202488B1 (ko) * | 2015-07-06 | 2021-01-13 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
| CN105680170A (zh) * | 2016-02-01 | 2016-06-15 | 广东风华高新科技股份有限公司 | Ltcc天线 |
| KR102463330B1 (ko) * | 2017-10-17 | 2022-11-04 | 삼성전기주식회사 | 코일 전자 부품 |
| CN109180177A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-11 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种x9r型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5324600A (en) * | 1976-08-19 | 1978-03-07 | Murata Manufacturing Co | Nonnreducing dielectric ceramic composition |
| US4353153A (en) * | 1978-11-16 | 1982-10-12 | Union Carbide Corporation | Method of making capacitor with CO-fired end terminations |
| JPS5954107A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-28 | 松下電器産業株式会社 | 高誘電率磁器組成物 |
| JPS593909A (ja) * | 1982-06-29 | 1984-01-10 | ニチコン株式会社 | セラミツクコンデンサ用電極ペ−スト |
| DE3237571A1 (de) * | 1982-10-09 | 1984-04-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Keramisches dielektrikum auf basis von wismut enthaltendem bati0(pfeil abwaerts)3(pfeil abwaerts) |
| US4506026A (en) * | 1982-12-22 | 1985-03-19 | Tam Ceramics, Inc. | Low firing ceramic dielectric for temperature compensating capacitors |
| DE3476993D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-04-13 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in soliddielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS60131707A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | 株式会社村田製作所 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
| JPS6119005A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPH0610931B2 (ja) * | 1984-07-05 | 1994-02-09 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
| JPS6156407A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | 京セラ株式会社 | 積層型磁器コンデンサ |
| JPS61147404A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-05 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS6229008A (ja) * | 1985-07-29 | 1987-02-07 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPH0821266B2 (ja) * | 1987-03-11 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 誘電体ペ−スト |
| US4845062A (en) * | 1987-10-19 | 1989-07-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Low-firing dielectric composition |
| JPH0821257B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
-
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