WO2006022060A1

WO2006022060A1 - 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法

Info

Publication number: WO2006022060A1
Application number: PCT/JP2005/010025
Authority: WO
Inventors: Mitsuhiro Kusano; Shizuharu Watanabe
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2004-08-27
Filing date: 2005-06-01
Publication date: 2006-03-02
Also published as: DE602005022200D1; KR20080111568A; KR20070036794A; KR100884205B1; ATE473510T1; US20070128794A1; US7659568B2

Abstract

　抵抗素子としての機能をも与える外部電極を備える積層セラミックコンデンサにおいて、還元性雰囲気中での焼き付けによっても還元せず、それゆえ、内部電極においてＮｉまたはＮｉ合金を用いることができ、また、内部電極との間で良好な電気的接続状態を実現し得る、外部電極のための好ましい構造を提供する。コンデンサ本体（２）の外表面上に形成される外部電極（６および７）を、導電層（８）およびその上に形成される金属めっき層（９）を備える構造とし、導電層（８）を、Ｉｎ－Ｓｎ複合酸化物とガラス成分とを含む組成とする。

Description

明細書

積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法

技術分野

[0001] この発明は、積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法に関するもので、特に、抵抗素子としての機能をも与えられた外部電極を備える積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法に関するものである。

背景技術

[0002] 従来、平滑回路の高周波電圧変動を除去するためには、積層セラミックコンデンサを用い、他方、低周波電圧変動を除去するためには、タンタルコンデンサやアルミ- ゥム電解コンデンサを用いるとヽうように、コンデンサを使ヽ分けて、た。

[0003] 上述のように、積層セラミックコンデンサが専ら高周波電圧変動を除去するために用いられていたのは、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗 (ESR)がタンタルコンデンサゃアルミニウム電解コンデンサに比べて小さいため、積層セラミックコンデンサの等価回路構成成分が近似的に C成分および L成分のみとなり、低周波の電圧変動に対して容易に発振して、ノイズを発生させてしまうからである。そのため、低周波電圧変動を除去するためには、低周波電圧変動に対して発振しな、ESRの大きヽコンデンサ、すなわち、前述したようなタンタルコンデンサやアルミニウム電解コンデンサを用いる必要があった。

[0004] しかしながら、タンタルコンデンサやアルミニウム電解コンデンサは、積層セラミックコンデンサに比べて大型となり、このようなコンデンサを備える電子装置の小型化の障害となっている。

[0005] 他方、積層セラミックコンデンサにディスクリートな部品としての抵抗素子を直列に接続することによって、回路に抵抗成分を付与するようにし、低周波電圧変動に対する発振を抑制しょうとする方法も用いられている。し力しながら、この場合には、デイスクリートな部品としての抵抗素子を接続するための実装面積が必要となり、このことも、電子装置の小型化の障害となってしまう。

[0006] そこで、上述した問題を解決し得るものとして、積層セラミックコンデンサに備える外部電極に、抵抗素子としての機能をも与えたものが提案されている。

[0007] たとえば、特開平 4— 337616号公報 (特許文献 1)では、外部電極表面に金属酸化膜を形成し、たとえばバレル研磨を適用して、金属酸ィ匕膜の厚みを変えることによつて、 ESRを調整することが記載されている。

[0008] 次に、特開平 11— 121276号公報 (特許文献 2)では、外部電極に Snとの金属間化合物を形成し、 ESRを調整することが記載されて、る。

[0009] 次に、特開 2001— 223132号公報 (特許文献 3)では、外部電極を、難酸化性金属からなる第 1の導電層と、その上に形成されかつ導電性酸ィ匕物と絶縁性酸ィ匕物とを混合したものからなる第 2の導電層と、その上に形成されかつ難酸ィ匕性金属力もなる第 3の導電層との 3層構造をもって構成し、 ESRを高めることが記載されている。

[0010] 特許文献 3に記載された実施例では、第 1の導電層は、 Nまたは N /H雰囲気

2 2 2 で焼き付けることによって形成される。第 2の導電層は、酸化ルテニウム、酸化ルテ- ゥム化合物または黒鉛を主成分とするもので、大気中で焼き付けることによって形成される。第 3の導電層は、 Pd、 Ag、 Pt、 Au、 Rh、 Irおよび Ru力も選ばれる少なくとも 1種の金属を含む主成分を有し、大気中で焼き付けることによって形成される。

[0011] し力しながら、上述した特許文献 1ないし 3の各々に記載の技術には、次のような問題がある。

[0012] 特許文献 1に記載の技術では、まず、金属酸化膜の厚みによって ESRを調整するので、 ESRの調整が比較的困難であるという問題がある。

[0013] 特許文献 2に記載の技術では、金属間化合物の比抵抗が比較的小さいため、十分な ESRを得ることが困難であると!、う問題がある。

[0014] 特許文献 3に記載の技術では、外部電極が、それぞれ焼き付けによって形成される厚膜の 3層構造となっているため、外部電極全体としての厚みが増大し、部品の小型化を阻害する。また、難酸ィ匕性金属は貴金属であるので、これからなる第 1および第

3の導電層のための材料コストが高くなつてしまう。

[0015] また、特許文献 3に記載の技術において、第 2の導電層の材料として酸化ルテユウムが用いられると、たとえば N雰囲気のような中性または還元性雰囲気中での焼成

2

によって還元されるため、大気中のような酸ィ匕性雰囲気中での焼き付けが必須となる。し力しながら、酸ィ匕性雰囲気中での焼き付けに耐えるためには、コンデンサ本体に備える内部電極のための材料として高価な貴金属を用いる必要があり、現在主流となっている Mまたは Ni合金を内部電極の材料として用いることが不可能になる。

[0016] なお、上述の第 2の導電層のための材料として、還元されない酸化ルテニウム化合物などの抵抗成分を用いた場合、内部電極との間で信頼性の高い電気的接続状態が得られないため、内部電極との導通を確保するための層がさらに必要となる。前述した第 1の導電層は、内部電極との導通を確保する機能も有しており、そのため、特許文献 3に記載される技術では、第 1ないし第 3の導電層が必須であり、外部電極の厚みの増大は避けられな、のである。

特許文献 1 :特開平 4— 337616号公報

特許文献 2：特開平 11— 121276号公報

特許文献 3 :特開 2001— 223132号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0017] そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る外部電極を備える積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法を提供しょうとすることである。

課題を解決するための手段

[0018] この発明は、セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、内部電極と電気的に接続されるようにコンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、内部電極が、 Mまたは Ni合金を含んでいる、積層セラミックコンデンサにまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、外部電極が、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む第 1の導電層を備えることを特徴としている。

[0019] 外部電極は、第 1の導電層の外面側に形成される金属めつき層をさらに備えることが好ましい。この場合、外部電極は、第 1の導電層と金属めつき層との間に形成される、 Cuもしくは Cu合金を含む第 2の導電層、または導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層をさらに備えることがより好ましい。

[0020] 上述した金属めつき層は、好ましくは、下地としての Niめっき層とその上に形成される Snまたは半田めつき層とを備える。

[0021] 第 1の導電層は、外部電極の抵抗値を調整するための導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物をさらに含んで、てもよ、。

[0022] この発明は、上述したような積層セラミックコンデンサ、すなわち、セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、内部電極と電気的に接続されるようにコンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、内部電極が、 Niまたは Ni合金を含み、外部電極が、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む導電層を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する方法にも向けられる。

[0023] この発明に係る積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法は、導電層に含まれるガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点の少なくとも一方を変えることによって外部電極の抵抗値を調整する工程を備えることを特徴としている。

[0024] 外部電極に備える導電層が、 In— Sn複合酸ィ匕物とガラス成分とに加えて、導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物を含む場合には、これらガラス成分の添加量、ガラス軟化点、および導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物の添加量の少なくとも 1つを変えることによって外部電極の抵抗値を調整することが行なわれる。

[0025] また、外部電極が、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む第 1の導電層と、第 1 の導電層の外面側に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層とを備える場合には、第 1の導電層に含まれるガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点、ならびに第 2の導電層に含まれる導電性金属成分の添加量の少なくとも 1つを変えることによって外部電極の抵抗値を調整することが行なわれる。

[0026] 上記第 1の導電層が、 In— Sn複合酸ィ匕物とガラス成分とに加えて、導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物を含む場合には、第 1の導電層に含まれるガラス成分の添カロ量、ガラス軟ィ匕点、および導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物の添加量、ならびに第 2の導電層に含まれる導電性金属成分の添加量の少なくとも 1つを変えることによつて外部電極の抵抗値を調整することが行なわれる。

[0027] この発明に係る積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法にお!ヽて、少なくとも 1つの内部電極について、外部電極に電気的に接続される引出し部の、第 1の導電層に接する辺の長さを変えることによって、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する工程をさらに備えてヽてもよヽ。

[0028] 上記の等価直列抵抗調整方法を適用した場合、積層セラミックコンデンサは、典型的には、引出し部の、第 1の導電層に接する辺の長さが、内部電極の、引出し部と対向する辺の長さより短くされた、少なくとも 1つの内部電極を備える構造を有する。発明の効果

[0029] 本件発明者は、抵抗成分 (所定の抵抗値を有する導電成分)となり得る物質につ!ヽて種々検討を重ねた結果、 In— Sn複合酸化物を見出した。

[0030] この In— Sn複合酸ィ匕物は、十分な耐還元性を有しているため、たとえば N雰囲気

2 のような中性ないしは還元性雰囲気での焼き付けを問題なく適用することができる。その結果、コンデンサ本体に備える内部電極において、 Mまたは Ni合金を用いていても、何らの問題をも引き起こさない。

[0031] また、 In— Sn複合酸化物によれば、 Mまたは Ni合金を含む内部電極との間で、 Ni

Sn金属間化合物を生成するため、外部電極に備える In— Sn複合酸化物を含む第 1の導電層と内部電極との間で信頼性の高い電気的接続状態を実現することができる。そのため、第 1の導電層と内部電極との間での導通を確保するための層を特に必要とせず、外部電極の厚みの増大を避けることができ、結果として、積層セラミックコンデンサの小型化に寄与する。

[0032] また、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む第 1の導電層は、後述する等価直列抵抗調整方法による効果力も明らかなように、その抵抗値の制御を容易に行なうことがでさる。

[0033] この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極が、第 1の導電層の外面側に形成される金属めつき層をさらに備えていると、積層セラミックコンデンサの耐候性を確保することができるとともに、積層セラミックコンデンサを表面実装部品として適したものとすることができる。 [0034] 外部電極が、上述した第 1の導電層と金属めつき層との間に形成される、 Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層をさらに備えていると、積層セラミックコンデンサの耐候性をより向上させることができるとともに、金属めつき層を形成するためのめっき工程において要求される十分な耐めっき性を積層セラミックコンデンサに対して与えることができる。

[0035] 外部電極が、上述した第 1の導電層と金属めつき層との間に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層を含む第 2の導電層をさらに備えていると、上述した Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層をさらに備えている場合と同様の効果が奏されるば力りでなぐ第 2の導電層に含まれる導電性金属成分の添加量の変更によっても、外部電極の抵抗値を調整することが可能になるという効果が奏される。また、 Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層の場合には、これを形成するため、たとえば 800°C程度の温度での焼付け処理が必要であるが、上述の導電性榭脂を含む第 2の導電層の場合には、これを形成するため、たとえば 250°C程度の比較的低温での熱硬化処理で済む。したがって、 Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層の場合に比べて、加熱に必要なエネルギーが少なくて済み、また、加熱設備もより簡素化できることから、工程をより簡略ィ匕することができる

[0036] 金属めつき層力下地としての Niめっき層とその上に形成される Snまたは半田めつき層とを備えていると、外部電極に対して良好な半田付け性を与えることができ、それゆえ、半田付けによる表面実装に適した積層セラミックコンデンサとすることができる。

[0037] 第 1の導電層が、外部電極の抵抗値を調整するための導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物をさらに含んで、ると、この導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物の添加量の変更によっても、外部電極の抵抗値を調整することが可能になる。

[0038] この発明に係る積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法によれば、外部電極に備える導電層にお！ヽて、所定の抵抗値を有する導電成分である In— Sn複合酸ィ匕物を用いながら、電気絶縁成分であるガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点の少なくとも一方を変えることによって、外部電極の抵抗値を調整するようにしているので、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を容易に調整することができる。 [0039] 上述の導電層に導電性金属成分または絶縁性酸化物がさらに含まれて！/、る場合には、ガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点の少なくとも一方を変えることに加えて、導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物の添加量を変えることによつても、外部電極の抵抗値を調整することができので、外部電極の抵抗値の調整方法の多様化を図ることができる。

[0040] また、外部電極が、上述の導電層、すなわち第 1の導電層に加えて、この第 1の導電層の外面側に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層をさらに備えている場合には、第 1の導電層側での抵抗値調整だけでなぐ第 2の導電層に含まれる導電性金属成分の添加量を変えることによる抵抗値調整も可能になるので、外部電極の抵抗値の調整方法のさらなる多様ィ匕を図ることができる。

[0041] さらに、この発明に係る積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法において、内部電極に備える引出し部の、第 1の導電層に接する辺の長さを変えることによつても、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整することができるので、この方法を採用すれば、等価直列抵抗の調整幅をより広げることができる。

図面の簡単な説明

[0042] [図 1]図 1は、この発明の第 1の実施形態による積層セラミックコンデンサ 1を、積層方向に向く断面をもって図解的に示す正面図である。

[図 2]図 2は、この発明の第 2の実施形態による積層セラミックコンデンサ 11を、積層方向に向く断面をもって図解的に示す正面図である。

[図 3]図 3は、この発明の第 3の実施形態による積層セラミックコンデンサ 21を、積層方向に向く断面をもって図解的に示す正面図である。

[図 4]図 4は、この発明の第 4の実施形態による積層セラミックコンデンサ 31を、セラミック層 3の主面方向に延びる断面をもって図解的に示す平面図である。

[図 5]図 5は、実験例 4において得られたデータであって、 Ag露出率と ESRとの関係を示す図である。

符号の説明

[0043] 1, 11, 21, 31 積層セラミックコンデンサ 2 コンデンサ本体

3 セラミック層

4, 5 内部電極

6, 7 外部電極

8 第 1の導電層

9 金属めつき層

12, 12a 第 2の導電層

32 引出し部

33, 34 辺の長さ

発明を実施するための最良の形態

[0044] 図 1は、この発明の第 1の実施形態による積層セラミックコンデンサ 1を示している。

[0045] 積層セラミックコンデンサ 1は、チップ状のコンデンサ本体 2を備えている。コンデンサ本体 2は、誘電体セラミック力もなる複数のセラミック層 3と Mまたは Ni合金を含む内部電極 4および 5とが交互に積層された積層構造を有している。内部電極 4と内部電極 5とは、交互に配置され、かつ、間にセラミック層 3を介在させた状態で互いに対向しており、それによつて、静電容量を形成している。

[0046] コンデンサ本体 2の外表面上であって、相対向する端部上には、外部電極 6および

7が形成されている。一方の外部電極 6は内部電極 4と電気的に接続され、他方の外部電極 7は内部電極 5と電気的に接続される。

[0047] このような積層セラミックコンデンサ 1において、外部電極 6および 7の各々は、所定の抵抗値を有する導電成分としての In— Sn複合酸化物と電気絶縁成分としてのガラス成分とを含む導電層 8と、その上に形成される金属めつき層 9とを備えている。

[0048] 導電層 8は、 In— Sn複合酸ィ匕物粉末とガラスフリットと有機バインダとを含むペーストを、コンデンサ本体 2の端部上に塗布し、たとえば N雰囲気中で焼き付けることに

2

よって形成される。上述の In— Sn複合酸化物粉末は、たとえば、 In O粉末に所定

2 3

量の SnO粉末を混合し、次いで、 SnOが十分に固溶する温度および時間条件を

2 2

もって大気中で仮焼を行ない、その後、粉砕処理を施すことによって得ることができる。ここで、 SnO粉末の添加量は、 In O粉末および SnO粉末の合計量に対して、 SnO粉末が 1〜15重量％の範囲になるように選ばれることが導電性および耐還元

2

性の面力好ましい。

[0049] 導電層 8は、外部電極 6および 7の抵抗値の調整のため、たとえば Agのような導電性金属成分または Al Oもしくは ZrOのような絶縁性酸ィ匕物をさらに含んでいてもよ

2 3 2

い。

[0050] 金属めつき層 9は、詳細には図示しないが、下地としての Niめっき層とその上に形成される Snまたは半田めつき層とを備えることが好ましい。

[0051] 以上のような積層セラミックコンデンサ 1において、導電層 8は、そこに含まれる In—

Sn複合酸ィ匕物が十分な耐還元性を有しているため、 N雰囲気のような中性ないし

2

は還元性雰囲気中での焼き付けが可能である。また、この焼き付け工程において、導電層 8に含まれる In - Sn複合酸化物と内部電極 4および 5に含まれる Mまたは Ni 合金との間で Ni— Sn金属間化合物が生成されるため、導電層 8と内部電極 4および 5との間で信頼性の高い電気的接続状態を確保することができる。

[0052] また、外部電極 6および 7の各々における金属めつき層 9の存在は、積層セラミックコンデンサ 1の耐候性を確保し、また、積層セラミックコンデンサ 1を表面実装する際に良好な半田付け性を外部電極 6および 7に対して与えることができる。

[0053] 積層セラミックコンデンサ 1の等価直列抵抗 (ESR)を調整するため、外部電極 6および 7の抵抗値が調整される。そして、外部電極 6および 7の抵抗値は、導電層 8が有する抵抗値によって実質的に支配される。導電層 8において、 In— Sn複合酸化物は所定の抵抗値を有する導電成分として機能し、ガラス成分は電気絶縁成分として機能する。したがって、導電層 8の抵抗値の調整は、後述する実験例において確認され得るように、そこに含まれるガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点の少なくとも一方を変えることによって、これを容易に行なうことができる。

[0054] 導電層 8が Agのような導電性金属成分をさらに含んでいる場合には、この導電性金属成分は、抵抗値を下げるための導電成分として機能する。逆に、導電層 8が A1

2

Oまたは ZrOのような絶縁性酸ィ匕物をさらに含んでいる場合には、この絶縁性酸ィ匕

3 2

物は、抵抗値を上げるための絶縁成分として機能する。したがって、この場合には、ガラス成分の添加量、ガラス軟化点、および導電性金属成分または絶縁性酸化物の添加量の少なくとも 1つを変えることによって、導電層 8の抵抗値、ひいては外部電極 6および 7の抵抗値を調整することができ、結果として、積層セラミックコンデンサ 1の ESRを調整することができる。

[0055] 図 2は、この発明の第 2の実施形態による積層セラミックコンデンサ 11を示している。図 2に示した積層セラミックコンデンサ 11は、前述の図 1に示した積層セラミックコンデンサ 1と共通する多くの要素を備えている。したがって、図 2において、図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

[0056] 図 2に示した積層セラミックコンデンサ 11は、外部電極 6および 7の各々において、 Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層 12をさらに備えて、ることを特徴として！/、る。第 2の導電層 12は、第 1の導電層 8の外面側、すなわち第 1の導電層 8と金属めつき層 9との間に形成される。

[0057] 第 2の導電層 12は、たとえば、 Cu粉末または Cu合金粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含むペーストを、第 1の導電層 8上に、これを覆うように塗布し、焼き付けることによって形成されることができる。

[0058] 第 2の実施形態によれば、第 2の導電層 12の存在により、積層セラミックコンデンサ 11の耐候性をより向上させることができるとともに、金属めつき層 9の形成のためのめつき工程に際しての十分な耐めっき性を積層セラミックコンデンサ 11に対して与えることができる。

[0059] 図 3は、この発明の第 3の実施形態による積層セラミックコンデンサ 21を示している。図 3に示した積層セラミックコンデンサ 21は、前述の図 1に示した積層セラミックコンデンサ 1あるいは図 2に示した積層セラミックコンデンサ 11と共通する多くの要素を備えている。したがって、図 3において、図 1または図 2に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

[0060] 図 3に示した積層セラミックコンデンサ 21は、外部電極 6および 7の各々において、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層 12aをさらに備えていることを特徴としている。第 2の導電層 12aは、第 1の導電層 8 の外面側、すなわち第 1の導電層 8と金属めつき層 9との間に形成される。

[0061] 第 2の導電層 12aは、たとえば、 Ag粉末のような導電性金属成分とフエノール榭脂のような熱硬化性榭脂とを含む導電性榭脂を、第 1の導電層 8上に、これを覆うように塗布し、熱硬化させること〖こよって形成されることができる。

[0062] 第 3の実施形態によれば、第 2の導電層 12aの存在により、第 2の実施形態の場合と同様、耐候性の向上および耐めっき性を与えることができるば力りでなぐ第 2の導電層 12aに含まれる導電性金属成分の添加量の変更によっても、外部電極 6および 7の抵抗値を調整することが可能になる。すなわち、導電性金属成分の添加量の変更によつて、第 2の導電層 12aの表面での導電性金属成分の露出率が変更され、それによって、外部電極 6および 7の抵抗値を調整することができる。

[0063] また、第 2の導電層 12aは、これを形成するため、たとえば 250°C程度の比較的低温での熱硬化処理で済むので、この熱硬化のための加熱に必要なエネルギーが少なくて済み、また、加熱設備もより簡素化できることから、工程をより簡略ィ匕することができる。

[0064] なお、第 1および第 2の実施形態において、第 1の導電層 8は、 Agのような導電性金属成分または Al Oもしくは ZrOのような絶縁性酸ィ匕物を含んでいても、含んで

2 3 2

いなくてもよい。

[0065] 図 4は、この発明の第 4の実施形態による積層セラミックコンデンサ 31を、セラミック層 3の主面方向に延びる断面をもって図解的に示す平面図である。図 4に示した積層セラミックコンデンサ 31は、前述の図 1に示した積層セラミックコンデンサ 1と共通する多くの要素を備えている。したがって、図 4において、図 1に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

[0066] 図 4に示した積層セラミックコンデンサ 31は、構造的に見たとき、内部電極 4における外部電極 6に電気的に接続される引出し部 32の、第 1の導電層 8に接する辺の長さ 33力内部電極 4の、引出し部 32と対向する辺の長さ 34より短いことを特徴としている。なお、図 4では図示されないが、内部電極 4に対してセラミック層 3を介在させた状態で対向する内部電極 5につヽても、内部電極 4と実質的に同様の構成が採用されている。

[0067] 上記のような構造的特徴は、以下のような ESR調整方法を適用した結果として、もたらされたものである。 [0068] 前述した第 1な!ヽし第 3の実施形態では、外部電極 6および 7自身の抵抗値を調整することによって、積層セラミックコンデンサ 1、 11および 21の ESRを調整するようにしたが、この第 4の実施形態では、外部電極 6および 7の抵抗値を調整することにカロえて、引出し部 32の、第 1の導電層 8に接する辺の長さ 33を変えることによって、積層セラミックコンデンサ 31の ESRを調整するようにして!/、る。

[0069] 第 1の導電層 8が比較的高い抵抗値を示すものである場合には、後述する実験例力も明らかなように、引出し部 32の、第 1の導電層 8に接する辺の長さ 33を変えることにより、積層セラミックコンデンサ 31の ESRを比較的大きく変えることができる。したがつて、第 4の実施形態によれば、 ESR調整に関して、より広い調整幅を実現することができる。

[0070] 上記の説明では、内部電極 4の引出し部 32について、辺の長さ 33が変更されるとしたが、好ましくは、他方の内部電極 5の引出し部についても、同様に、辺の長さが変更される。なお、 ESR調整のために辺の長さが変更されるのは、内部電極 4および 5 のすべてである場合に限らず、内部電極 4および 5のうちの少なくとも 1つであってもよい。

[0071] 図 4に示した積層セラミックコンデンサ 31に備える外部電極 6および 7は、第 1の導電層 8のみによって構成されている。し力しながら、このことは、第 4の実施形態の本質的な特徴ではなぐ第 4の実施形態による積層セラミックコンデンサ 31についても、図 1、図 2または図 3に示した外部電極 6および 7に備える構成が採用されてもよい。

[0072] 以上、この発明を図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他、種々の変形例が可能である。

[0073] たとえば、外部電極 6および 7は、第 1の実施形態では、導電層 8および金属めつき層 9を備え、第 2および第 3の実施形態では、第 1の導電層 8、第 2の導電層 12または 12aおよび金属めつき層 9を備える積層構造を有していた力これら各層の間にさらに別の機能を有する層が介在して、てもよ、。

[0074] また、図示の実施形態では、外部電極 6および 7の双方について、導電層 8等を備え、それによつて、抵抗素子としての機能をも与えられたが、このような抵抗素子としての機能をも与えるための導電層 8等を備える構造は、外部電極 6および 7のいずれか一方にのみ採用されるだけであってもよい。

[0075] 次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。

[0076] (実験例 1)

実験例 1は、この発明における特徴的構成である In— Sn複合酸ィ匕物による効果を確認するために実施したものである。

[0077] まず、公知の方法により、内部電極が Niを含み、静電容量が 1 Fとなるように設計された積層セラミックコンデンサのためのコンデンサ本体を用意した。

[0078] 他方、抵抗成分を含む導電層を形成するため、この発明の範囲内にある実施例では、次のようにして導電層用ペーストを作製した。

[0079] まず、 In O粉末と SnO粉末との合計量に対して、 SnO粉末が 5重量％の含有

2 3 2 2

率となるように、 In O粉末に SnO粉末を混合し、大気中において 1400°Cで 5時間

2 3 2

の仮焼を行ない、 SnOを十分に固溶させた後、平均粒径約 l /z mになるまで粉砕処

2

理を施し、 In— Sn複合酸化物粉末を得た。なお、 In— Sn複合酸化物について、上述した SnO粉末の添加量を 1〜15重量％の範囲内で変化させても、ほぼ同等の導

2

電性が得られることが確認されて、る。

[0080] 次に、上述のようにして得られた In— Sn複合酸ィ匕物粉末に、ガラスフリット（B— Si —Zn—Ba—Ca—Al系ガラス、軟ィ匕点：約 560°C、平均粒径：約 1 m)と、 80重量部のタービネオール系の有機溶剤および 20重量部のアクリル系榭脂からなるバインダを含む有機ビヒクルとを、「In— Sn複合酸化物」：「ガラス」：「有機ビヒクル」の体積比で 1 : 1 : 8となるように混合し、ロール分散処理によって、導電層用ペーストを得た。

[0081] 次に、前述のようにして用意されたコンデンサ本体の各端部に、上述の導電層用ぺ一ストをディップ法により塗布し、 150°Cの温度で 10分間乾燥した。この乾燥後の塗布膜厚は約 60 μ mであった。

[0082] 次に、上述のように導電層用ペーストが塗布され乾燥されたコンデンサ本体を、連続ベルト炉に通し、 N雰囲気 (酸素濃度： lOppm以下）中において最高温度 780°C

2

で 15分間保持する熱処理を施し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。

[0083] また、比較例として、導電層用ペーストにおいて、 In— Sn複合酸ィ匕物に代えて、 R uO、 Ca— Sr—Ru複合酸ィ匕物および黒鉛をそれぞれ用いたものを用意し、実施例の場合と同様の方法によって、試料としての積層セラミックコンデンサを作製した。

[0084] 次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、静電容量および ESRを測定するとともに、 X線回折により導電層に含まれる抵抗成分の還元の有無を評価した。これらの結果が表 1に示されている。

[0085] [表 1]

[0086] 表 1において、静電容量および ESRについては、試料数 10個についての平均値が示されている。

[0087] 表 1からわ力るように、外部電極となる導電層において In— Sn複合酸化物を用いることにより、 N雰囲気での熱処理によっても還元されず、また、設計値どおりの静電

2

容量が得られ、また、十分に大きい ESRを得ることができた。

[0088] これに対して、 RuOを用いた比較例では、 N雰囲気での熱処理で還元され、また

2 2

、それほど大き、ESRを得ることができなかった。

[0089] Ca— Sr— Ru複合酸ィ匕物を用いた比較例では、 N雰囲気での熱処理で還元され

2

なかったが、内部電極との間で良好な電気的接続状態が得られず、そのため、測定された静電容量が極めて小さくなり、 ESRについては測定することができな力つた。

[0090] 黒鉛を用いた比較例にぉ、ても、測定された静電容量が極めて小さぐ ESRの測定が不可能であった。

[0091] (実験例 2)

実験例 2は、導電層に含まれるガラス成分の添加量、ガラス軟化点および導電性金属成分の添カ卩量によって、積層セラミックコンデンサの ESRが調整可能であることを確認するために実施したものである。

[0092] (1)ガラス成分の添加量による ESR調整

上記実験例 1において実施例として作製した導電層用ペーストでは、「In—Sn複合酸化物」：「ガラス」の体積比が 1 : 1 (= 5 : 5)であった力これに加えて、 8 : 2の体積比とされた導電層用ペーストおよび 7： 3の体積比とされた導電層用ペーストをそれぞれ作製し、実験例 1の場合と同様の方法により、試料としての積層セラミックコンデンサを作製し、試料数 10個につき、 ESRを測定し、その平均値および標準偏差を求めるとともに、下式に基づいて、そのばらつき（3CV)を求めた。

[0093] 3CV[%] = 3 (標準偏差) Z (平均値） X 100

このようにして求められた平均値およびばらつき（3CV)が表 2に示されている。

[0094] [表 2]

[0095] 表 2において、「111 311複合酸ィ匕物：ガラス」が「5 : 5」の試料は、実験例 1における実施例と同等のものである。

[0096] 表 2からわ力るように、ガラス成分の添力卩量を変えることにより、 ESRを調整することができ、し力も、調整された ESRのばらつきが比較的小さかった。

[0097] (2)ガラス軟ィ匕点による ESR調整

実験例 1におヽて実施例として作製された導電層用ペーストでは、軟ィ匕点約 560°C のガラス成分を含んでいたが、これに加えて、同一組成系で軟ィ匕点が約 580°Cのガラス成分を含む導電性用ペーストおよび軟化点が約 600°Cのガラス成分を含む導電層用ペーストをさらに用意し、これら導電層用ペーストの各々にっき、実験例 1の場合と同様の方法により、試料となる積層セラミックコンデンサを作製し、試料数 10個につき、 ESRを測定し、その平均値を求めるとともに、そのばらつき（3CV)を求めた。その結果が表 3に示されて、る。

[0098] [表 3] ESR

力'ラス軟化点

平均値 (m Q ) 3CV ( %)

約 560°C 252 8.0 約 580°C 521 10.5

約 600°C 1813 14.1

[0099] 表 3において、「ガラス軟ィ匕点」が「約 560°C」のものは、実験例 1における実施例と同等のものである。

[0100] 表 3からわ力るように、導電層用ペーストに含まれるガラス成分のガラス軟ィ匕点を変えることによって、 ESRを調整でき、また、調整された ESRのばらつきが比較的小さかった。

[0101] なお、この実験においては、ガラス軟ィ匕点の変更は、実験例 1の実施例に用いられたものと同一組成系のガラス成分で、構成元素の比率を変えることにより行なったが、構成元素種を変えることにより、ガラス軟ィ匕点を変更するようにしてもよい。

[0102] (3)金属添カ卩による ESR調整

実験例 1において実施例として作製した導電層用ペーストは、導電性金属成分を含まなかったが、 Ag粉末を、 In— Sn複合酸化物粉末との合計量に対して、 5体積％、 10体積％および 20体積％となるように、それぞれ添加した導電層用ペーストをさらに作製し、これら導電層用ペーストについて、実験例 1の場合と同様の方法により、試料となる積層セラミックコンデンサを作製し、試料数 10個につき、 ESRを測定し、その平均値を求めるとともに、そのばらつき（3CV)を求めた。その結果が表 4に示されている。

[0103] [表 4]

[0104] 表 4において、「Ag添カ卩量」が「0」のものは、実験例 1における実施例と同等のものである。

[0105] 表 4からわ力るように、導電層用ペーストに導電性金属成分を添加したり、導電性金属成分の添加量を変えたりすることにより、 ESRを調整することができ、また、調整された ESRのばらつきが比較的小さ力つた。

[0106] (4)絶縁性酸ィ匕物添カ卩による ESR調整

実験例 1において実施例として作製した導電層用ペーストは、絶縁性酸化物を含まなかったが、絶縁性酸ィ匕物として、 Al O粉末および ZrO粉末を、それぞれ、 In-

2 3 2

Sn複合酸化物粉末との合計量に対して、 5体積％、 10体積％および 20体積％となるように、それぞれ添加した導電層用ペーストをさらに作製し、これら導電層用ペーストについて、実験例 1の場合と同様の方法により、試料となる積層セラミックコンデンサを作製し、試料数 10個につき、 ESRを測定し、その平均値を求めるとともに、そのばらつき（3CV)を求めた。その結果が表 5および表 6に示されている。

[0107] [表 5]

[0108] [表 6]

[0109] 表 5および表 6において、それぞれ、「A1 O添加量」および「ZrO添加量」が「0」

2 3 2

のものは、実験例 1における実施例と同等のものである。

[0110] 表 5および表 6からわ力るように、導電層用ペーストに絶縁性酸ィ匕物を添加したり、絶縁性酸ィ匕物の添加量を変えたりすることにより、 ESRを調整することができ、また、調整された ESRのばらつきが比較的小さ力つた。

[0111] (実験例 3)

実験例 3は、導電層の外面側に金属めつき層が形成される場合において、導電層すなわち第 1の導電層と金属めつき層との間に Cuまたは Cu合金を含む第 2の導電層が形成されることによる効果を確認するために実施したものである。

[0112] 実験例 3では、第 1の導電層用ペーストとして、実験例 2の（3)における Ag粉末を、 In— Sn複合酸化物粉末との合計量に対して、 10体積％添加したものを用いた。そして、この第 1の導電性用ペーストの塗布および乾燥後の厚みが約 40 mとなるようにし、また、最高温度 700°Cで 15分間保持する熱処理を採用したことを除いて、実験例 1の場合と同様の方法により、積層セラミックコンデンサを作製した。

[0113] 次に、この積層セラミックコンデンサの半数につき、 Cu粉末、ガラスおよび有機ビヒクルを含む導電性ペーストを、第 1の導電層を覆うように塗布し、次に、このように導電性ペーストが塗布された試料および導電性ペーストが塗布されな力つた試料の双方について、 N雰囲気中で最高温度 750°Cで 15分間保持する 2度目の焼き付けを

2

行ない、導電性ペーストが塗布された試料については、第 1の導電層上に第 2の導電層を形成した。この段階で、各試料について、 ESRを測定した。

[0114] 次に、すべての試料について、公知のバレルめつき法を適用して、 Niめっきおよび Snめっきを順次施し、このめつき後の ESRを測定した。そして、めっき前の ESRに対するめつき後の ESRの変化率を、試料数 10個につき算出し、その平均値を求めた。また、電圧印加高温放置による信頼性試験を実施し、絶縁抵抗が 2桁低下するまでの平均寿命を求めた。これらの結果が表 7に示されている。

[0115] [表 7]

表 7からわ力るように、第 2の導電層を、金属めつき層の下に存在させることにより、 ESR変化率を小さくし、平均寿命を長くすることができ、それゆえ、耐めっき性および耐候性に優れたものとすることができた。 [0117] (実験例 4)

実験例 4は、導電層の外面側に金属めつき層が形成される場合において、導電層すなわち第 1の導電層と金属めつき層との間に導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層が形成されることによる効果を確認するために実施したものである。

[0118] 実験例 4では、第 1の導電層用ペーストとして、実験例 1において作製したのと同様の In— Sn複合酸化物粉末に、実験例 1で用いたのと同様のガラスフリットと有機ビヒクルとを混合するとともに、抵抗値調整用の Ag粉末 (平均粒径:約 1 m)を混合し、「 In— Sn複合酸化物」：「ガラス」：「Ag」：「有機ビヒクル」の体積比で 9. 7 : 10 : 0. 3 : 8 0となるように混合し、ロール分散処理によって、第 1の導電層用ペーストを得た。

[0119] 次に、実験例 1において用いたのと同様のコンデンサ本体の各端部に、上述の第 1 の導電層用ペーストをディップ法により塗布し、 150°Cの温度で 10分間乾燥した。この乾燥後の塗布膜厚は約 60 μ mであった。

[0120] 次に、上述のように第 1の導電層用ペーストが塗布され乾燥されたコンデンサ本体を、連続ベルト炉に通し、 N雰囲気 (酸素濃度： lOppm以下）中において最高温度

2

780°Cで 15分間保持する熱処理を施し、外部電極において第 1の導電層が形成された積層セラミックコンデンサを得た。この段階で ESRを測定したところ、試料数 10 個につ、ての平均値で 134m Ωであった。

[0121] 次に、上記積層セラミックコンデンサの第 1の導電層の上に、導電性金属成分として Ag粉末を含み、かつ熱硬化性榭脂としてフエノール榭脂を含む、導電性榭脂を塗布し、これを温度 250°Cおよび 60分間の硬化条件で硬化させることによって、第 2の導電層を形成し、この段階（めっき前)で、 ESRを測定した。この ESRが、表 8の「めつき前」の欄に示されている。

[0122] なお、ここで、上記導電性榭脂として、 Agの体積比率が異なる 3種類のもの、すなわち、試料 2および 3の各々に係る導電性榭脂を用意し、表 8に示すように、 Ag露出率が異なる試料を作製した。

[0123] 次に、公知のバレルめつき法を適用して、 Niめっきおよび Snめっきを順次施し、このめつき後の ESRも測定した。そして、めっき前の ESRに対するめっき後の ESRの変化率を求めた。これらの結果力それぞれ、表 8の「めっき後」および「めっき後の E SR変化率」の各欄に示されて、る。

[0124] [表 8]

[0125] なお、表 8に示した数値は、試料数 10個についての平均値である。

[0126] 表 8の「めっき前」の欄に示された ESR値と前述の第 2の導電層形成前の ESR値である「134πι Ω」とを比較すると、第 2の導電層の形成によって、 ESR値が増大しており、第 2の導電層の形成によっても、 ESR値を変化させ得ることがわかる。

[0127] また、表 8の「めっき前」、「めっき後」および「めっき後の ESR変化率」を参照すれば、めっき前後の ESR値はほとんど変化しておらず、第 2の導電層の形成によって、十分な耐めっき性が付与されて、ることがわかる。

[0128] 図 5には、第 2の導電層における Ag露出率の逆数、すなわち「lZAg露出率」と「めっき後 ESR」との関係が示されている。なお、「lZAg露出率」は、 Ag露出率が 10 0%のときを「1」として表したもので、図 5において、「〇」でプロットした点は、第 2の導電層の形成前の場合、すなわち、外部電極の表面がすべて導電性金属で覆われて V、る場合 (Ag露出率が 100%の場合に相当）を示して！/、る。

[0129] 図 5からわ力るように、 Ag露出率の逆数と ESRとの間に良好な比例関係が認められる。このことは、第 2の導電層において、 Agの体積比率 (配合比）を変えて Agの露出面積を変えることによって、抵抗値の制御が可能であることを意味している。

[0130] (実験例 4)

実験例 4は、内部電極の引出し部の幅方向寸法を変えることによって、積層セラミツクコンデンサの ESRが調整可能であることを確認するために実施したものである。

[0131] まず、公知の方法により、内部電極が Niを含み、静電容量が 1 Fとなるように設計された積層セラミックコンデンサのためのコンデンサ本体を用意した。このとき、内部電極の引出し部の、コンデンサ本体の端面力も露出する辺の長さ（すなわち、引出し部の幅方向寸法）が、 1500 m、 1000 mおよび 500 mとされた 3種類のコンデンサ本体を用意した。なお、これら 3種類のコンデンサ本体のいずれについても、内部電極の、引出し部と対向する辺の長さは、 3000 /z mであった。

[0132] 他方、抵抗成分を含む導電層を形成するため、この発明の範囲内にある実施例では、次のようにして導電層用ペーストを作製した。

[0133] まず、 In O粉末と SnO粉末との合計量に対して、 SnO粉末が 5重量％の含有

2 3 2 2

2 3 2

2

理を施し、 In— Sn複合酸化物粉末を得た。

[0134] 次に、上述のようにして得られた In— Sn複合酸ィ匕物粉末に、ガラスフリット（B— Si — Zn— Ba— Ca— A1系ガラス、軟ィ匕点：約 560°C、平均粒径:約: L m)と、抵抗値調整用の Ag粉末（平均粒径:約 1 μ m)と、 80重量部のタービネオール系の有機溶剤および 20重量部のアクリル系榭脂からなるバインダを含む有機ビヒクルとを、 Γΐη- Sn複合酸化物」：「ガラス」：「Ag」：「有機ビヒクル」の体積比で 9. 7 : 10 : 0. 3 : 80となるように混合し、ロール分散処理によって、導電層用ペーストを得た。

[0135] 次に、前述のようにして用意されたコンデンサ本体の各端部に、上述の導電層用ぺ一ストをディップ法により塗布し、 150°Cの温度で 10分間乾燥した。この乾燥後の塗布膜厚は約 60 μ mであった。

[0136] 次に、上述のように導電層用ペーストが塗布され乾燥されたコンデンサ本体を、連続ベルト炉に通し、 N雰囲気 (酸素濃度： lOppm以下）中において最高温度 780°C

2

で 15分間保持する熱処理を施し、実施例としての試料となる積層セラミックコンデンサを得た。

[0137] 他方、上記実施例に係る導電層用ペーストに代えて、 Cu粉末、ガラスおよび有機ビヒクルを含む、比較例としての導電層用ペーストを用意し、前述のようにして用意されたコンデンサ本体の各端部に、この導電層用ペーストをディップ法により塗布し、乾燥した後、 N雰囲気中で最高温度 750°Cで 15分間保持する熱処理を施し、比較

2

例としての試料となる積層セラミックコンデンサを得た。

[0138] 次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、 ESRを測定した。その結果が表 9に示されている。

[0139] [表 9]

[0140] 表 9に示した ESRは、試料数 10個についての平均値である。

[0141] 表 9の「実施例」からわ力るように、外部電極となる導電層において In— Sn複合酸化物を用いることによって、導電層に比較的高い抵抗性を与えた場合には、内部電極の引出し部の幅方向寸法を短くするほど、すなわち内部電極と導電層との接合面積を狭くするほど、 ESRを高めるように大きく変化させることができた。

[0142] 他方、「比較例」では、外部電極となる導電層にお、て Cu厚膜を用いたため、導電層の抵抗値は元々比較的低い。そのため、内部電極の引出し部の幅方向寸法を変化させても、 ESRに大きな変化は見られなかった。

Claims

請求の範囲

[1] セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、前記内部電極と電気的に接続されるように前記コンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、

前記内部電極は、 Mまたは Ni合金を含み、

前記外部電極は、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む第 1の導電層を備える積層セラミックコンデンサ。

[2] 前記外部電極は、前記第 1の導電層の外面側に形成される金属めつき層をさらに備える、請求項 1に記載の積層セラミックコンデンサ。

[3] 前記外部電極は、前記第 1の導電層と前記金属めつき層との間に形成される、 Cu または Cu合金を含む第 2の導電層をさらに備える、請求項 2に記載の積層セラミックコンデンサ。

[4] 前記外部電極は、前記第 1の導電層と前記金属めつき層との間に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層をさらに備える、請求項 2に記載の積層セラミックコンデンサ。

[5] 前記金属めつき層は、下地としての Niめっき層とその上に形成される Snまたは半田めつき層とを備える、請求項 2に記載の積層セラミックコンデンサ。

[6] 前記第 1の導電層は、前記外部電極の抵抗値を調整するための導電性金属成分または絶縁性酸ィ匕物をさらに含む、請求項 1に記載の積層セラミックコンデンサ。

[7] 前記内部電極は、前記外部電極に電気的に接続される引出し部を備え、少なくとも 1つの前記内部電極については、前記引出し部の、前記第 1の導電層に接する辺の長さが、前記内部電極の、前記引出し部と対向する辺の長さより短い、請求項 1に記載の積層セラミックコンデンサ。

[8] セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、前記内部電極と電気的に接続されるように前記コンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、前記内部電極は、 Niまたは Ni合金を含み、前記外部電極は、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む導電層を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する方法であって、

前記導電層に含まれる前記ガラス成分の添加量およびガラス軟ィ匕点の少なくとも一方を変えることによって前記外部電極の抵抗値を調整する工程を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法。

[9] セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、前記内部電極と電気的に接続されるように前記コンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、前記内部電極は、 Niまたは Ni合金を含み、前記外部電極は、 In— Sn複合酸化物と、ガラス成分と、導電性金属成分または絶縁性酸化物とを含む導電層を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する方法であつて、

前記導電層に含まれる前記ガラス成分の添加量、ガラス軟化点、および前記導電性金属成分または前記絶縁性酸ィ匕物の添加量の少なくとも 1つを変えることによって前記外部電極の抵抗値を調整する工程を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法。

[10] セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、前記内部電極と電気的に接続されるように前記コンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、前記内部電極は、 Niまたは Ni合金を含み、前記外部電極は、 In— Sn複合酸化物とガラス成分とを含む第 1の導電層と、前記第 1の導電層の外面側に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層とを備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する方法であって、

前記第 1の導電層に含まれる前記ガラス成分の添加量およびガラス軟化点、ならびに前記第 2の導電層に含まれる前記導電性金属成分の添加量の少なくとも 1つを変えることによって前記外部電極の抵抗値を調整する工程を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法。

[11] セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層構造を有するコンデンサ本体と、前記内部電極と電気的に接続されるように前記コンデンサ本体の外表面上に形成される外部電極とを備え、前記内部電極は、 Niまたは Ni合金を含み、前記外部電極は、 In— Sn複合酸化物と、ガラス成分と、導電性金属成分または絶縁性酸化物とを含む第 1の導電層と、前記第 1の導電層の外面側に形成される、導電性金属成分および熱硬化性榭脂を主成分とする導電性榭脂を含む第 2の導電層とを備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗を調整する方法であって、

前記第 1の導電層に含まれる前記ガラス成分の添加量、ガラス軟化点、および前記導電性金属成分または前記絶縁性酸化物の添加量、ならびに前記第 2の導電層に含まれる前記導電性金属成分の添加量の少なくとも 1つを変えることによって前記外部電極の抵抗値を調整する工程を備える、積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法。

前記内部電極は、前記外部電極に電気的に接続される引出し部を備え、少なくとも 1つの前記内部電極について、前記引出し部の、前記第 1の導電層に接する辺の長さを変えることによって、前記等価直列抵抗を調整する工程をさらに備える、請求項 8 な!、し 11の、ずれかに記載の積層セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法。