KR100202500B1 - 세라믹전자부품 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

Ni를 주요금속성분으로 하는 내부전극과, Ag와 Cu를 주성분으로 하는 금속성분 및 유리성분을 함유하는 소결체로 구성되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품으로서, 외부전극과 내부전극과의 경계부를 Ni와 Cu를 주성분으로 하는 합금상으로 형성함으로써, 전극간의 좋은 접합성을 달성하고 신뢰성이 높은 세라믹전자부품을 제공한다.

외부전극구성금속을 Cu와 Ag를 주성분으로 하는 금속으로 하고, 이들을 저산소분압의 분위기하에 있어서 500-800

Description

세라믹전자부품 및 그 제조방법

본 발명은 예를 들면 적층세라믹콘덴서, 적층형 배리스터, 유전체공진기, 압전소자 등의 세라믹전자부품 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 외부전극과, Ni가 주성분인 내부전극을 구비하는 세라믹전자부품 및 그 제조방법에 관한 것이다.

종래 Ni가 주요금속성분인 내부전극(이하, Ni내부전극이라고 칭한다)을 구비하는 세라믹전자부품의 외부전극으로서는, 금속재료로서 Cu분말만 사용한 금속도료의 도막을 소결한 것(이하, Cu외부전극이라고 칭한다)이 일반적이었다. 이것은 Ni와 Cu가 전율고용계(全率固溶系)에서 본질적으로 결합을 만들기 쉽고, 내부전극과 외부전극과의 결합부를 형성하기 쉽기 때문이다. 그리고, Cu의 융점은 1083로 높기 때문에, Ni내부전극-Cu외부전극간(즉, Cu외부전극의 Ni내부전극과의 경계부) 및 Cu외부전극내에 있어서 양호한 소결결합상태를 달성하기 위해서는, 소성온도를 800보다 고온으로 하고, 또한 산화에 의한 소결결합저해를 억제하기 위해 저산소분압의 분위기하에서 소결하는 것이 필요하였다.

한편, 세라믹전자부품(세라믹소자)은 고온에서 저산소분압하에 노출되면 그 세라믹성분이 환원되고, 특성열화를 일으키는 경우가 있으며, 외부전극의 형성에 세심한 주의가 필요하였다.

상기와 같이, Ni내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외부전극을 Cu분말을 함유하는 도막의 소결에 의해 형성할 때, 대기중에서는 Cu 및 Ni가 용이하게 산화되기 때문에, 이들의 산화를 방지하기 위해 저산소분압의 분위기하에서 소결할 필요가 있고, 통상 N₂가스분위기하에서 소결이 행해진다. 통상 공업적으로 사용되는 N₂가스분위기에는 미량의 산소가 함유되어 있고, 그 산소분압은 수ppm에 미치지만, 소결전에 도막에 함유되는 바인더나 Cu분말 그 자체가 N₂가스분위기 중의 미량의 산소를 연소나 산화에 의해 소비하기 때문에, 실제의 소결시에 있어서의 분위기는 극히 낮은 산소분압이 되고, 그 결과 세라믹전자부품(세라믹소자)의 세라믹성분의 환원을 일으켜버리는 경우가 있다.

저산소분압의 분위기하에 있어서, 세라믹의 환원을 억제하기 위해서는 외부전극형성시의 소성온도를 가능한한 저온으로 하고, 세라믹의 환원반응속도를 저하시킬 필요가 있다. 그러나, 종래의 외부전극형성용도료, 즉 금속재료로서 Cu분말만 사용한 금속도료의 도막에서는 이것을 저온에서 소성하면, 형성되는 외부전극 자체의 소결상태가 열악해지며 또한 Ni내부전극과의 결합성도 불충분하게 되고, 결과적으로 전기특성 불량을 일으킨다고 하는 문제를 가지고 있었다.

또, 대기분위기에서 외부전극을 소성하여 형성하는 적층세라믹콘덴서가 제안되어 있다(일본국 특개평 2-150010호 공보). 그러나 이 방법으로는 외부전극과 내부전극과의 경계부에 합금상을 얻을 수 없고, 결과적으로 외부전극과 내부전극과의 강고한 결합일체화가 곤란하고, 설계용량을 안정되게 낼수 없다고 하는 문제가 있었다. 또한, 외부전극으로서 Cu:Ag의 비율이 100:1~100:40의 고Cu함량합금을 900이상에서 소성함으로써 용융상태를 만들어 외부전극을 형성하는 방법이 제안되어 있다(일본국 특개평 2-248020호 공보). 그러나 이 방법으로는 고온에서 소성하기 때문에 상기한 대로 세라믹성분의 환원을 일으켜버리고, 절연저항이 떨어지거나 사용에 의해 열화하여 전기특성불량을 일으킨다고 하는 문제를 가지고 있었다.

본 발명은 상기 종래의 문제를 해결하기 위해 세라믹소자의 세라믹을 환원하는 일 없이 그 자체가 양호한 상태로 소결하고, 또한 Ni내부전극에 그 일부가 양호한 결합성으로 일체화하여 구성되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다.

제1도는 본 발명의 일실시예의 세라믹을 이용한 콘덴서전극구조를 도시하는 것으로, Ni내부전극과 외부전극의 접합부분을 개략적으로 도시한 단면도.

제2도는 본 발명의 일실시예의 세라믹을 이용한 콘덴서전극구조를 도시하는 것으로, 제1도중의 부호(A) 부분의 확대단면도.

제3도는 본 발명의 별도의 실시예의 세라믹을 이용한 콘덴서전극구조를 도시하는 것으로, 제1도중의 부호(A)에 해당하는 부분의 확대단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 유전체층(세라믹층) 2 : Ni내부전극

3 : 외부전극 4 : Cu소결분말

5 : Ni-Cu를 주성분으로 하는 합금상

6 : Cu-Ag를 주성분으로 하는 합금상 또는 Cu금속상

7 : 공홀

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 세라믹전자부품은 Ni가 주요금속성분인 내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 부설되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품으로서, 상기 외부전극이 금속성분 및 유리성분을 함유하는 소결체로 구성되고, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 Ag와 Cu를 주성분으로 하는 금속이며 또한 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu를 주성분으로 하는 합금상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 금속성분의 구성금속이 Ag와 Cu이며 또한 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu로 구성되고, 기타의 성분으로서 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하고, 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu로 구성되고, 기타의 성분으로서 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하고, 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu 및 상기 기타로서 함유하는 금속성분으로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu이고, 기타의 성분으로서 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn 및 Zn에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 1:99~99:1의 범위에 있는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 3:7~9:1의 범위에 있는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극의 기타의 성분으로서 함유하는 금속성분의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상인 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극소결체가 상기 금속성분과는 결합하지 않고, 분체혼합시의 초기의 입자형상을 유지한 채 존재하는 무기산화물입자를 함유하여 구성되는 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 무기산화물입자가 플레이크(flake)형상인 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 플레이크형상의 무기산화물입자가 마이카(mica)분말 및 몬트모릴로나이트(montmorillonite)를 주성분으로 하는 점토분말에서 선택되는 일종 또는 이들의 화합물인 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 외부전극소결체의 금속성분이 60~70중량%, 유리성분이 3~40중량%의 범위인 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 내부전극의 Ni함량이 90~100중량%의 범위에서, 기타의 금속성분이 0~10중량%의 범위인 것이 바람직하다.

또 상기 세라믹전자부품에 있어서는 내부전극을 구성하는 기타의 금속성분이 Fe, Co, Cu, Cr에서 선택되는 적어도 하나의 금속인 것이 바람직하다.

다음에 본 발명의 세라믹전자부품의 제조방법은 Ni가 주요금속성분인 내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 부설되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품을 제조하는 방법으로서, 상기 외부전극은 Ag분말과 Cu분말을 혼합한 금속분말, Cu-Ag합금으로 구성되는 금속분말, Cu분말의 표면을 Ag로 코팅한 금속분말 및 Ag분말의 표면을 Cu로 코팅한 금속분말에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말과, 유리원료와, 바인더용 유기물질을 함유하는 도료를 상기 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 도포하여 도막을 형성하고, 그런 후에 상기 도막을 저산소분압의 분위기하에 있어서 500~800의 범위의 온도에서 소성함으로써 상기 외부전극을 얻는 것을 특징으로 한다.

상기 방법에 있어서는 도료가 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말 또는 금속산화물 분말을 기타의 첨가물로서 함유하는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 도료가 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn 및 Zn에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말을 기타의 첨가물로서 함유하는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 도료가 In, Bi, Sn 및 Pb에서 선택되는 적어도 일종의 금속성분의 산화물 분말을 기타의 첨가물로서 함유하는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 금속분말에 있어서의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 1:99~99:1의 범위에 있는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 금속분말에 있어서의 Ag의 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 3:7~9:1의 범위에 있는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 Ag, Cu에 첨가되는 기타의 금속분말 혹은 금속산화물 분말의 금속성분으로서의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 도료가 900이상의 연화점을 가지는 무기산화물 입자를 함유하는 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 무기산화물 입자가 플레이크형상인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 플레이크형상의 무기산화물 입자가 마이카분말 및 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말에서 선택되는 적어도 일종의 분말인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 외부전극 소결체의 금속성분이 60~97중량% 유리성분이 3~40중량%의 범위인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 내부전극의 Ni함량이 90~100중량%의 범위에서 기타의 금속성분이 0~10중량%의 범위인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 상기 내부전극을 구성하는 기타의 금속성분이 Fe, Co, Cu, Cr에서 선택되는 적어도 하나의 금속인 것이 바람직하다.

또 상기 방법에 있어서는 외부전극의 소성시의 저산소분압의 분위기가 산소분압 0ppm 이상 1000ppm 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한 바람직한 산소분압은 0~500ppm의 범위이다.

본 발명의 세라믹전자부품용 외부전극 및 그 제조방법은 상기 구성으로 이루어지는 것이고, 외부전극형성용재료로서 Ni내부전극의 Ni와 합금화하기 쉬운 Cu 및 Cu와 합금을 만들고 당해 합금형성온도를 저하시키는 작용이 있는 Ag를 함유하는 금속재와, 유리재 등을 함유하는 도료를 이용함으로써, 500~800의 저온에서 소성해도 양호한 소결상태와, Ni내부전극과의 양호한 결합성을 가지는 외부전극을 얻을 수 있다. 또한, Cu 및 Ag와 저온에서 합금을 만들고 당해 합금형성온도를 더욱 저하시키는 작용이 있는 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn, Zn 등의 금속성분을 함유시킴으로써, 보다 양호한 소결상태와 Ni내부전극과의 양호한 결합성을 가지는 외부전극을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 외부전극의 형성메커니즘에 대해 설명한다.

Ag와 Cu는 779에 공정점을 가지고, Ag와 Cu의 금속분말을 혼합시키면 779로 액상을 형성한다. 그러나, 현실적으로는 공정점 이하의 온도에서 일부 Ag와 Cu가 결합을 개시하고, 융점을 저하시키는 물질을 형성하여, 이것을 기점으로서 더욱 결합이 촉진되며, 또한 Ag와 Cu의 공정물질이 형성된다. 따라서, 외부전극 전체에 있어서의 금속의 소결성은 Cu 그 자체가 가지는 소결성에 비해 저온화되는 것이 되고, 실질적으로 외부전극 전체가 Ag-Cu공정점 이하의 온도에서 소결되는 것이 된다.

한편, 공정이 된 합금조성(Ag와 Cu의 공정물질)은 그것의 연화온도가 저하함으로써 용이하게 내부전극의 Ni표면으로 이동한다. 그 결과, 이 공정물질을 모체로하여 Ni의 표면으로부터의 Ni와 Cu의 합금화가 촉진되고 합금이 형성된다. 이때 Ag와 Cu의 공정물질에는 Ni와 결합하기 어려운 Ag가 존재하지만, Ag는 Ni와 Cu의 결합을 저해하지 않고, 반대로 Cu를 Ni표면으로 운반하는 역할을 담당하게 되고, 종래의 금속재로서 Cu만을 이용한 경우보다도 저온에 있어서 Ni와 Cu의 합금이 형성되고, 내부전극과 외부전극의 양호한 결합상태를 형성할 수 있다.

마찬가지의 메커니즘에 의해 Ag 및 Cu와 합금을 만들고 더욱 저온에서 연화시키는 작용이 있는 Bi, Pb, Sn, Zn 등의 금속은 이들을 함유시킴으로써 더욱 저온에 있어서 Ni와 Cu의 합금이 형성되고, 내부전극과 외부전극의 양호한 결합상태를 형성할 수 있다. 경우에 따라서는 Ni, Cu 및 첨가금속원소로 합금을 형성하고, 매우 양호한 내부전극과 외부전극의 결합상태를 달성할 수 있다.

여기서 Bi, In, Sn, Pb 등의 함유방법으로서는 금속성분으로서 첨가해도 되지만, 산화물의 형태로 첨가해도 된다. 이것은 이들의 산화물이 저산화분압의 분위기하에서 소성을 행할 때에, 도료에 함유되는 바인더의 연소와 상환으로 용이하게 환원되어 금속성분이 되기 때문이다. 일반적으로 산화물입자 쪽이 비교적 미세하며 또한 단단하므로, 균일하게 도료중에 분산시키기 쉽다고 하는 이점을 가지고, 또한 산화물로부터 금속성분으로 환원될 때에 바인더 성분의 연소를 촉진하고, 세라믹소자의 환원을 억제하는 작용도 가지므로, 바람직하게는 산화물의 형태로 첨가하는 쪽이 보다 양호한 외부전극의 형성 및 세라믹전자부품의 제조를 가능하게 할 수 있다.

이상의 설명에서 명백한 바와 같이, 본 발명은 Ni를 주요금속성분으로 하는 내부전극과, Ag와 Cu를 주성분으로 하는 금속성분 및 유리성분을 함유하는 소결체로 구성되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품으로서, 외부전극과 내부전극의 경계부를 Ni와 Cu를 주성분으로 하는 합금상으로 형성함으로써, 전극간의 좋은 접합성을 달성하고 신뢰성이 높은 세라믹전자부품을 제공할 수 있다.

또 본 발명의 방법에 의하면, 외부전극구성금속을 Cu와 Ag를 주성분으로 하는 금속으로 하고, 더욱 바람직하게는 외부전극의 Ag:Cu의 중량비를 3:7~9:1로 하고, 이들을 저산소분압의 분위기하에 있어서 500~800의 범위의 저온에서 소성하여 연화시킴으로써, 전체가 Cu-Ag를 주성분으로 한 합금상으로 구성되고, Ni내부전극과의 경계부에 Ni-Cu를 주성분으로 한 합금상이 형성된 외부전극을 얻고, 이로써 외부전극의 저온소결화가 가능해지고 세라믹전자부품의 세라믹성분의 환원에 의한 전기특성의 열화를 방지할 수 있고, 또한 외부전극의 제조비용을 저감화할 수 있다.

이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.

[실시예 1]

Ni내부전극과 본 발명의 외부전극과의 결합(합금화)상태를 모델적으로 주사하기 위해 평균입자지름 0.5의 Cu분말을 100중량부, 바인더성분으로서 에틸셀룰로오즈를 2중량부, 용제로서 텔피네올을 30중량부와 함께 혼련한 금속도료를 제작하였다. 별도로 평균입자지름 0.5의 Cu분말과 평균입자 지름 1의 Ag분말을 표1에 나타내는 중량비로 혼합하고(혼합합계량 100중량부), 바인더성분으로서 에틸셀룰로오즈 2중량부, 용제로서 텔피네올을 30중량부와 함께 혼련한 금속도료를 제작하였다. 각각의 도료에 대해서 도료를 Ni메탈바상에 도표하여 건조시키고, 도막을 N₂분위기중에서 500~750의 온도에서 소성함으로써 외부전극재료를 제작하였다. N₂가스는 20~30ppm의 산소분압을 가지는 가스였다.

소성 후, Ni와 외부전극재료와의 결합상태를 조사하기 위해 단면의 합금상의 상태를 광학현미경으로 관찰하였다. 그 결과, Ag를 첨가한 것에는 저온으로부터 확실한 합금상이 관찰되고, 그 합금상은 Cu와 Ni만의 합금인 것을 원소분석의 결과 알았다. 이 합금상의 두께를 나타낸 것이 표1이다.

[표 1]

표1에서 명백한 바와 같이, Cu와 Ni는 본래 합금을 형성하기 쉬운 금속이지만, Cu분말 단독으로 Ni막과 합금을 형성하는 데에는 높은 온도를 필요로 하고, 한편 Cu분말에 Ag분말을 첨가함으로써 저온에 있어서도 Ni와 Cu의 합금을 만드는 작용이 있는 것을 알았다. 특히 금속재료중의 Ag중량%가 30~90인 경우, 그 합금화도 현저하고 500라고 하는 저온에서도 합금화를 확인할 수 있었다.

본 실시예에 있어서는 Cu분말과 Ag분말의 혼합분말을 이용하였지만 Ag-Cu합금분말, Cu분말에 Ag를 코팅한 분말 및 Ag 분말에 Cu를 코팅한 분말을 이용해도 같은 결과가 얻어졌다.

[실시예 2]

Ni내부전극과 본 발명의 외부전극과의 결합(합금화)상태를 모델적으로 조사하기 위해 평균입자지름 0.5의 Cu분말만을 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈, 용제로서의 텔피네올과 함께 혼련한 금속도료와, 평균입자지름 0.5의 Cu분말과 평균입자지름 1의 Ag분말을 소정 비율로 배합하고, 또한 평균입자지름 1의 Sn분말을 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.02가 되도록 첨가혼합한 분말을 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈, 용제로서의 텔피네올과 함께 혼련한 금속도료를 제작하였다. 이들 각각의 도료에 대해 실시예1과 같이 Ni메탈박상에 외부전극재료를 소성형성하였다. 소성 후 Ni와 외부전극재료와의 결합상태를 조사하기 위해 단면의 합금상의 상태를 광학현미경으로 관찰하였다. 그 결과, Cu에 ag와 Sn을 첨가한 것에는 저온으로부터 확실한 합금상이 관찰되고, 그 합금상은 Cu와 Ni, Sn의 합금인 것을 원소분석의 결과 알았다. 이 합금상의 두께를 나타낸 것이 표2이다.

[표 2]

표2에서 명백한 바와 같이 Cu와 Ni는 본래 합금을 형성하기 쉬운 금속이지만, Cu분말 단독으로 Ni막과 합금을 형성하는 데는 높은 온도를 필요로 하고, 한편 Cu분말에 Ag분말, Sn분말을 첨가함으로써 저온에 있어서도 Ni와 Cu를 주성분으로 하는 합금을 만드는 작용이 있다는 것을 알았다. 또한 실시예1과의 비교에서 단순히 Ag분말만을 첨가하는 것보다도 Sn분말도 첨가한 쪽이 보다 합금을 형성하기 쉽다는 것을 알았다. 이 경우 금속재료 중의 Ag중량%가 1~99의 넓은 범위에 있어서 현저하게 합금화가 달성되고, 500라고 하는 저온에서도 합금화를 확인할 수 있었다.

본 실시예에서는 Cu, Ag에 첨가한 기타의 금속성분 Sn의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.02인 경우의 실험을 기재하였지만, 기타의 금속성분 Sn의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상에서 그 합금형성효과가 확인되었다.

또, 본 실시예에서는 Cu, Ag에 첨가할 기타의 금속성분으로서 Sn에 대하여 행한 실험을 기재하였지만, 기타 Ag 및 Cu와 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 낮아지는 금속원소에 대해 상세히 확인을 행한 바, 마찬가지의 효과가 얻어지고 저온에 있어서의 합금형성이 확인되었다.

[실시예 3]

Ni내부전극과 본 발명의 외부전극과의 결합(합금화) 상태를 모델적으로 주사하기 위해 평균입자지름 0.5의 Cu분말만을 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈, 용제로서의 텔피네올과 함께 혼련한 금속도료와, 평균입자지름 0.5의 Cu분말과 평균입자지름 1의 Ag분말을 소정비율로 배합하고, 또한 평균입자지름 0.5의 PbO분말을 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 Pb분으로서 0.005가 되도록 첨가혼합한 분말을, 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈, 용제로서의 텔피네올과 함께 혼련한 금속도료를 제작하였다. 이들 각각의 도료에 대해 실시예1과 같이하여 Ni메탈박상에 외부전극재료를 소성형성하였다. 소성후, Ni와 외부전극재료와의 결합상태를 조사하기 위해, 단면의 합금상의 상태를 광학현미경으로 관찰하였다. 그 결과, Cu에 Ag와 PbO를 첨가한 것에는 저온으로부터 확실한 합금상이 관찰되고, 그 합금상은 Cu와 Ni만의 합금인것을 원소분석의 결과 알았다. 이 합금상의 두께를 나타낸 것이 표3이다.

[표 3]

표3에서 명백한 바와 같이, Cu와 Ni는 본래 합금을 형성하기 쉬운 금속이지만, Cu분말 단독으로 Ni막과 합금을 형성하는 데는 높은 온도를 필요로 하고, 한편 Cu분말에 Ag분말, PbO분말을 첨가함으로써 저온에 있어서도 Ni와 Cu의 합금을 만드는 작용이 있는 것을 알았다. 또한 실시예1과의 비교에서 단순히 Ag분말만을 첨가하는 것보다 PbO분말도 첨가한 쪽이 보다 합금을 형성하기 쉬운 것을 알았다. 이 경우, 금속재료중의 Ag가 1~99중량%의 넓은 범위에 있어서 현저하게 합금화가 달성되고, 500라고 하는 저온에서도 합금화를 확인할 수 있다.

본 실시예에서는 Cu, Ag에 첨가하는 금속산화물 PbO의 금속 Pb분으로서의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.005인 경우의 실험을 기재했지만, Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상으로 그 합금형성효과가 확인되었다.

또, 본 실시예에서는 Cu, Ag에 첨가하는 금속산화물로서 PbO에 대해 행한 실험을 기재했지만, 기타 바인더연소를 촉진하고 그 자체는 환원되는 금속산화물인 Bi나 In, Sn 등의 산화물에 대해서도 상세하게 확인을 행한바, 마찬가지의 효과가 얻어지고 저온에 있어서 합금형성이 확인되었다.

[실시예 4]

금속분말 100중량부, 유리원료 6중량부 및 바인더로서의 에틸셀룰로오즈 3중량부를 용제로서의 텔피네올과 함께 혼련하여 금속도료를 제작했다. 여기서 금속분말에는 평균입자지름 0.8의 Cu분말 및 평균입자지름 1.5의 Ag분말 중의 어느 한쪽만 혹은 이들을 소정비율로 혼합한 것을 이용하였다. 또, 기타의 성분으로서 평균입자지름 0.5의 SnO₂분말을, Sn으로서 중량비가 Ag와 Cu의 총중량의 0.01이 되도록 혼합한 도료도 마찬가지로하여 제작하였다. 또한, 기타의 성분으로서 평균입자지름 1.0의 Zn분말을, 중량비가 Ag와 Cu의 총중량의 0.01이 되도록 혼합한 도료도 마찬가지로하여 제작하였다.

평가용 소자로서, 티탄산 바륨계 유전체로 구성되는 Ni내부전극적층 세라믹콘덴서(F특성, 0.1품, 약 2.0 1.25 두께 0.65)를 이용하고, 이 소자의 단부에 상기 금속도료를 도포건조하고, N₂분위기 중에서 650로 소성을 행하여 외부전극을 형성하였다. 또, 종래예(비교예)로서 금속분말을 Cu분말 단독으로 한 이외는 상기 금속도료와 마찬가지로하여 제작한 금속도료를 이용하고, 상기 Ni내부전극적층 세라믹 콘덴서의 단부에 도포건조하고, N₂분위기(N₂가스는 20~30ppm의 산소분압을 가지고 있었다) 중에서 900에서 소성을 행하여 외부전극을 형성하였다. 그리고 그 후, 내부전극의 Ni와 외부전극과의 결합상태의 지표로서 각 시료마다의 용량을 확인하였다. 그 결과가 표4이다.

[표 4]

표4에서 명백한 바와 같이, 650에서의 도료의 소성에서는 금속분말로서 Cu분말 단독 혹은 Ag분말 단독을 함유하는 도료를 이용하여 외부전극을 형성한 시료는 Ni내부전극과 외부전극과의 접합이 나쁘고, 용량의 인출이 불완전(종래예에 있어서의 용량인출율 : 0~50%)하였지만, 금속분말로서 Cu분말과 Ag분말을 혼합한 것을 함유하는 도료를 이용하여 외부전극을 형성한 시료는 둘다 내부전극의 Ni와 외부전극과의 접합이 양화(良化)하고, 규정용량이 인출되는 경향이 보였다. 특히 Ag분말을 금속분말 전체당 30~90중량% 함유하는 것은 상당히 접합이 양화하고 있고, 그 중에도 30~60중량% 함유하는 것은 전체 수에서 양호한 용량을 인출할 수 있었다. 금속분말로서 Cu분말 단독을 함유하는 도료를 소성하여 얻어지는 전극인 경우, 소성온도를 900로 올림으로써 용량의 인출은 양화하였다(본 실시예에 있어서의 용량인출율은 95~100%, 레벨이 낮은 것이라도 80%이상이었다.)

또, Cu분말과 Ag분말을 혼합한 것에 기타의 성분으로서 SnO₂분말을 첨가 함유하는 도료를 이용하여 외부전극을 형성한 시료는 둘다 내부전극의 Ni와 외부전극과의 접합이 더욱 양화하고, 규정용량을 인출할 수 있는 경향이 보였다. 이 경우 Ag분말을 금속분말 전체당 1~99중량% 함유하는 것으로 접합이 양화하고 있고, 그 중에서도 10~90중량% 함유하는 것은 전체 수에서 양호한 용량을 인출할 수 있었다. 또한, Cu분말과 Ag분말을 혼합한 것에 기타의 성분으로서 Zn분말을 첨가 함유하는 도료를 이용해서 외부전극을 형성한 시료도 둘다 내부전극의 Ni와 외부전극과의 접합이 더욱 양화하고 있고, 규정용량을 인출할 수 있는 경향이 보였다. 이 경우도 Ag분말을 금속분말 전체당 1~99중량% 함유하는 것으로 접합이 양화하고 있고, 그 중에서도 30~70중량% 함유하는 것을 전체수에서 양호한 용량을 인출할 수 있었다.

제1도는 본 발명의 일실시예의 세라믹을 이용한 콘덴서의 전극구조를 도시하는 것으로, Ni내부전극과 외부전극의 접합부분을 개략적으로 도시한 단면도이다. 즉, 금속분말로서 Cu분말 단독을 함유하는 도료의 도막을 소성하여 외부전극을 형성한 시료 및 Cu분말과 Ag분말을, Ag분말이 금속분말 전체당 50중량%가 되도록 혼합한 것을 함유하는 도료의 도막을 소성하여 외부전극을 형성한 시료, 나아가서는 Cu분말과 Ag분말을 Ag분말이 금속분말 전체당 50중량%가 되도록 혼합한 것에 SnO₂분말을 Sn으로서 중량비가 Ag와 Cu의 총중량의 0.01이 되도록 첨가한 것을 함유하는 도료의 도막을 소성하여 외부전극을 형성한 시료의 Ni내부전극과 외부전극의 접합부분을 개략적으로 도시한 단면도이다. 제2도, 제3도는 제1도중의 부호 A로 특정한 부분을 확대하여 도시한 도면이고, 제2도가 Ag분말을 금속분말 전체당 50중량% 함유시킨 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료, 혹은 Cu분말과 Ag분말을 Ag분말이 금속분말 전체당 50중량%가 되도록 혼합한 것에 SnO₂분말을 Sn으로서 중량비가 Ag와 Cu의 총중량의 0.01이 되도록 첨가한 것을 함유하는 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료, 혹은 금속분말로서 Cu분말 단독을 함유하는 도료의 도막을 900에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료의 콘덴서 전극구조이며, 제3도가 Cu분말 단독을 함유하는 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료의 콘덴서의 전극구조이다. 이들 도면에 있어서, 1은 유전체층(세라믹층), 2는 Ni내부전극, 3은 외부전극, 4는 Cu소결분, 5는 Ni-Cu합금상 또는 Ni-Cu-Sn합금상(Ni-Cu를 주요성분으로 하는 합금상), 6은 Cu-Ag합금상 또는 Cu-Ag-Sn합금상(Cu-Ag를 주요성분으로 하는 합금상) 혹은 Cu금속상, 7은 공홀이다.

제3도에 도시되는 바와 같이 금속분말로서 Cu분말 단독을 함유하는 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료에서는 전극간의 접합상태를 잘 모르지만, 제2도에 도시되는 바와 같이 Ag분말을 금속분말전체당 50중량%함유시킨 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료의 경우는 전극간, 즉 외부전극(3)의 내부전극(2)과의 경계부에서 Ni-Cu합금상이 성장하고 있는 상태가 관찰되었다. 또, 이 경우는 외부전극내의 금속결합도 Cu분말 단독인 경우보다도 촉진되고, 전극으로서의 연속성도 양화하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또, Cu분말 단독을 함유하는 도료의 도막을 900에서 소성하여 외부전극을 형성한 경우는 상기와 같은 합금상태 및 전극연속성이 확인되었다.

또한 Cu분말과 Ag분말을 혼합한 것에 기타 첨가할 성분으로서 SnO₂분말을 첨가한 도료의 도막을 650에서 소성하여 외부전극을 형성한 시료에서도, 제2도에 도시되는 바와 같이 전극간 즉 외부전극(3)의 내부전극(2)과의 경계부에서 Ni-Cu-Sn합금상이 성장하고 있는 상태가 관찰되었다. 또, 이 경우도 외부전극 내의 금속결합이 Cu분말 단독인 경우보다도 촉진되고, 전극으로서의 연속성도 더욱 양화하고 있는 것을 확인할 수 있었다.

본 실시예에 있어서는 Cu분말과 Ag분말을 혼합한 것에 기타 첨가할 성분으로서 SnO₂분말을 첨가한 경우의 외부전극구조를 예로서 도면에 도시하였지만, 기타 Ag 및 Cu와 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 낮아지는 금속원소를 첨가한 경우에 대해서도 상세히 확인을 행한 바, 마찬가지의 외부전극구조가 확인되었다.

[실시예 5]

평균입자지름 0.5의 Cu분말 및 평균입자지름 1.0의 Ag분말과 유리원료를 분체 전체당 각각 50중량%, 42중량%, 8중량%가 되도록 배합하여 구성되는 분체 100중량부와, 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈 3중량부를 용제로서의 텔비네올과 함께 혼련하여 금속도료를 얻었다. 이 금속도료를 실시예4와 마찬가지로 Ni내부전극적층 세라믹콘덴서소자의 단부에 도포건조하고, N₂분위기 중(N₂가스는 20~30ppm의 산소분압을 가진다), 600에서 소성하여 외부전극을 형성한 것, 700에서 소성하여 외부전극을 형성한 것, 800에서 소성하여 외부전극을 형성한 것을 각각 100개씩 제작하였다. 그 후, 이와 같이하여 제작한 시료(300개)의 각각에 대해 고온부하 가속수명시험을 행하였다. 이런 시료는 시료의 외부전극에 Ni-반전도금을 실시한 후, 이것을 소정 기판상에 실장하고, 150에서 DC250V를 인가하는 것이다. 또, 비교예의 시료로서 금속분말이 Cu분말 단독인 이외는 상기와 마찬가지로하여 제작한 도료를 상기 Ni내부전극적층 세라믹콘덴서소자의 단부에 도포건조하고, N₂분위기 중 900에서 소성하여 외부전극을 형성한 것을 100개 제작하고, 상기와 같은 고온부하 가속수명시험을 행하였다.

표5가 그 결과이며, 표중의 평균수명시간(Hr)은 각 시료(소자)에 있어서의 절연저항이 열화하여 쇼트하기 까지의 평균시간을 나타내고 있다.

[표 5]

표5에서 명백한 바와 같이 소성온도가 상승함에 따라 소자수명이 짧아지는 것을 알았다. 본 발명자는 해석의 결과, 소자수명의 저하는 소자의 세라믹성분의 환원에 의한 특성저하가 원인인 것을 분명히 하였다. 따라서, 소성에 의한 전극형성시의 소자의 세라믹성분의 환원이 고온만큼 촉진되고, 소자특성이 저하하는 것이 증명되어 저온소결의 우위성이 분명해졌다.

[실시예 6]

평균입자지름 0.5의 Cu분말 및 평균입자지름 1.0의 Ag분말과 유리원료를, 분체전체당 각각이 54중량%, 40중량%, 6중량%가 되도록 배합하여 구성되는 분체 100중량부와, 바인더성분으로서의 에틸셀룰로오즈 3중량부와, 금속재료성분(Cu분말 및 Ag분말)에 대한 체적점유율이 5~50%가 되는 양의 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말을, 용제로서의 텔비네올과 함께 혼련하여 금속도료를 얻었다. 이 금속도료를 실시예4와 마찬가지로하여 Ni내부전극적층 세라믹콘덴서소자의 단부에 도포건조하고, N₂분위기 중(N₂가스는 20~30ppm의 산소분압을 가진다)에서 650에서 소성을 행한 외부전극을 형성하였다. 그 후, 외부전극에 Ni-반전도금을 실시한 후, 소정 기판상에 실장하여 굴곡강도시험을 행하였다(JIS C 6484 굴곡시험에 준한다). 비교예의 시료로서 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말을 첨가하지 않은 이외는 상기와 같이하여 제작한 도료를 이용하고, Ni내부전극 적층 세라믹콘덴서소자의 단부에 외부전극을 형성한 것을 제작하여 상기와 같은 굴곡시험을 행하였다.

시험의 결과, 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말을 첨가하지 않은 도료를 이용하여 외부전극을 형성한 비교예의 시료에서는 3~5기판을 굴곡시킨 시점에서 소자가 파괴되고 쇼트하였지만, 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말을 첨가한 도료를 이용하여 외부전극을 형성한 시료에서는 전체수 10까지 소자피괴가 발생하지 않았다.

이 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말의 도료에의 첨가에 의해 실장시의 기판의 굴곡부하에 의한 시료(전자부품)의 파괴를 억제할 수 있는 것은 이하의 이유에 의한다. 즉, 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말은 그 연화점이 900이상이며, 도막을 소성하여 얻어지는 외부전극 내에 금속 등의 다른 성분에 결합하는 일 없이 그 입자형상을 보존한 채 무작위로 분산한다. 이 때문에 기판의 굴곡에 의해 시료(전자부품)에 스트레스가 가해진 경우, 전극내에 있어서의 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말과의 금속 등의 다른 성분과의 계면이 미소한 미끄러짐면이 되어, 외부전극 전체가 소성변형하는 것이 되고, 그 결과 기판의 굴곡은 이 외부전극의 소성변형에 의해 흡수되어 시료(전자부품)에의 스트레스가 완화된다.

본 발명자는 또한 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말 이외에 마이카분말, 산화티탄분말, 산화동분말 등의 연화점이 900이상의 다른 무기산화물 입자의 첨가에 대해서도 검토하였지만, 이들을 첨가한 경우도 마찬가지로 기판의 굴골부하에 의한 시료(전자부품)파괴를 억제할 수 있는 효과가 얻어지는 것을 확인할 수 있었다. 또, 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말과 마이카분말은 플레이크형상의 입자이고, 이들을 첨가한 경우 입자표면적이 크고 외부전극의 연속성을 보다 효과적으로 저해하기 때문에, 구상에 가까운 입자형성인 산화동이나 산화티탄 등의 분말을 첨가한 경우에 비해, 앞에서 설명한 금속 등의 다른 성분과의 계면에 있어서의 미끄러짐작용은 보다 현저하게 발현하는 것이 되고, 기판의 굴곡부하에 의한 시료(전자부품)파괴를 억제할 수 있는 효과의 정도가 커지는 것도 알았다. 또한, 이들 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말, 마이카분말, 산화티탄, 산화동 등의 무기산화물은 이들 중에서 선택되는 2종 이상을 혼합하여 첨가할 수도 있다.

[실시예 7]

실시예5의 조건에 있어서 온도 600, 외부전극의 소성분위기로서 하기의 산소분압이 다른 조건으로 한 이외는 실시예5와 동일한 조건에서 각각 100개 소성하고 세라믹콘덴서를 얻었다.

(1) N₂가스분위기 중의 산소분압 : 50ppm

(2) N₂가스분위기 중의 산소분압 : 100ppm

(3) N₂가스분위기 중의 산소분압 : 500ppm

(4) N₂가스분위기 중의 산소분압 : 1000ppm

(5) N₂가스분위기 중의 산소분압 : 2000ppm

표6이 그 결과이며, 표중의 평균용량(nF)은 1kHz, 1V에서의 용량치를 나타내고 있다.

[표 6]

표6에서 명백한 바와 같이, N₂가스분위기 중의 산소분압 : 1000ppm 이하에서 실용적으로 충분한 제품이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다. 또, 산소분압 : 500ppm 이하에서는 더욱 용량을 안정되게 인출할 수 있고, 품질의 편차가 없는 안정된 제품이 얻어지는 것을 확인할 수 있었다.

이상과 같이 본 발명에 의하면, Ni내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외부전극을 Ni와 합금을 형성하는 Cu에 또한 Ag를 배합함으로써 저온에서의 Cu와 Ni와의 합금형성작용이 촉진되며, 또한 전극 내에서의 금속성분의 결합성도 향상한다. 또, Ag와 Cu에 또한 기타의 성분으로서 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분을 첨가 함유시킴으로써, 더욱 저온에서의 Cu와 Ni와의 합금형성작용이 촉진된다. 따라서, 낮은 소성온도에서 내부전극과의 사이에 충분한 결합이 얻어지며 또한 강도적으로 안정된 외부전극을 형성하는 것이 가능해진다. 또, 전기적특성 및 기계적 특성에 뛰어난 외부전극을 세라믹성분의 환원에 의한 전자부품의 특성열화를 초래하는 일 없이 저소비전력으로 제조할 수 있는 효과가 얻어진다.

Claims (31)

1. Ni가 주요금속성분인 내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 부설되는 외부전극을 함유하는 세라믹전자부품에 있어서, 상기 외부전극이 금속성분 및 유리성분을 함유하는 소결체로 구성되고 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 Ag와 Cu를 주성분으로 하는 금속이고, 또한, 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu를 주성분으로 하는 합금상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
2. 제1항에 있어서, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 Ag와 Cu이며, 또한 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹저자부품.
3. 제1항에 있어서, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu로 구성되고, 기타의 성분으로서 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하고, 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹저자부품.
4. 제1항에 있어서, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu로 구성되고, 기타의 성분으로서 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하고, 상기 내부전극과의 경계부가 Ni와 Cu 및 상기 기타로서 함유하는 금속성분으로 구성되는 합금상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
5. 제3항에 있어서, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu이고, 기타의 성분으로서 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn 및 Zn에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
6. 제4항에 있어서, 상기 외부전극의 금속성분의 구성금속이 주로 Ag와 Cu이고, 기타의 성분으로서 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn 및 Zn에서 선택되는 적어도 일종의 금속을 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
7. 제1항에 있어서, 상기 외부전극의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 1:99~99:1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
8. 제2항에 있어서, 상기 외부전극의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 3:7~9:1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
9. 제3항에 있어서, 상기 외부전극의 기타의 성분으로서 함유하는 금속성분의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
10. 제4항에 있어서, 상기 외부전극의 기타의 성분으로서 함유하는 금속성분의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
11. 제1항에 있어서, 상기 외부전극소결체가 상기 금속성분과는 결합하지 않고, 분체혼합시의 초기의 입자형상을 유지한 채 존재하는 무기산화물입자를 함유하여 구성되는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
12. 제11항에 있어서, 상기 무기산화물 입자가 플레이크형상인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
13. 제12항에 있어서, 상기 플레이크형상의 무기산화물 입자가 마이카분말 및 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말에서 선택되는 일종 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
14. 제1항에 있어서, 상기 외부전극소결체의 금속성분이 60~97중량%, 유리성분이 3~40중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
15. 제1항에 있어서, 상기 내부전극의 Ni함량이 90~100중량%의 범위이고, 기타의 금속성분이 0~10중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
16. 제15항에 있어서, 상기 내부전극을 구성하는 기타의 금속성분이 Fe, Co, Cu, Cr에서 선택되는 적어도 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품.
17. Ni가 주요금속성분인 내부전극을 구비하는 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 부설되는 외부전극을 함유하는 전자부품을 제조하는 방법에 있어서, Ag분말과 Cu분말을 혼합한 금속분말, Cu-Ag합금으로 구성되는 금속분말, Cu분말의 표면을 Ag로 코팅한 금속분말 및 Ag분말의 표면을 Cu로 코팅한 금속분말에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말과, 유리원료와, 바인더용 유기물질을 함유하는 도료를 상기 세라믹전자부품의 외측 가장자리에 도포하여 도막을 형성하고, 그런 후에 상기 도막을 저산소분압의 분위기하에 있어서 500~800범위의 온도에서 소성함으로써 상기 외부전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 도료가 Ag 및 Cu 각각과 합금을 형성하고 그 융점이 Ag 및 Cu 각각의 융점보다도 저하하는 금속성분에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말 또는 금속산화물 분말을 기타의 첨가물로서 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
19. 제18항에 있어서, 상기 도료가 Bi, Ce, Ga, In, Pb, Sn 및 Zn에서 선택되는 적어도 일종의 금속분말을 기타의 첨가물로서 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
20. 제18항에 있어서, 상기 도료가 In, Bi, Sn 및 Pb에서 선택되는 적어도 일종의 금속성분의 산화물 분말을 기타 첨가물로서 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
21. 제17항에 있어서, 상기 금속분말에 있어서의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 1:99~99:1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
22. 제18항에 있어서, 상기 금속분말에 있어서, Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 1:99~99:1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
23. 제17항에 있어서, 상기 금속분말에 있어서의 Ag와 Cu의 중량비(Ag:Cu)가 3:7~9:1의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
24. 제17항에 있어서, 상기 Ag, Cu에 첨가되는 기타의 금속분말 혹은 금속산화물 분말의 금속성분으로서의 중량비가 Ag와 Cu의 총중량에 대해 0.001 이상인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
25. 제17항에 있어서, 상기 도료가 900이상의 연화점을 가지는 무기산화물 입자를 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
26. 제25항에 있어서, 상기 무기산화물 입자가 플레이크형상인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
27. 제25항에 있어서, 상기 플레이크형상의 무기산화물 입자가 마이카분말 및 몬트모릴로나이트를 주성분으로 하는 점토분말에서 선택되는 적어도 일종의 분말인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
28. 제17항에 있어서, 상기 외부전극 소결체의 금속성분이 60~97중량%, 유리성분이 3~40중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
29. 제17항에 있어서, 상기 내부전극의 Ni함량이 90~100중량%의 범위에서, 기타의 금속성분이 0~10중량%의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
30. 제17항에 있어서, 상기 내부전극을 구성하는 기타의 금속성분이 Fe, Co, Cu, Cr에서 선택되는 적어도 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.
31. 제17항에 있어서, 상기 외부전극의 소성시의 저산소분압의 분위기가 산소분압 0ppm 이상 1000ppm 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 세라믹전자부품의 제조방법.