JP5193319B2 - セラミックス組成物及び電子部品 - Google Patents
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Description
下式(1)で現わされる主相成分と、
B成分、Li成分、Zn成分及びAg成分からなる第1副成分と、
Si成分、Al成分及びBi成分から選ばれる少なくとも1種以上を含有する第2副成分とを含み、
前記第1副成分は、前記主相成分100質量部に対し酸化物換算で、B成分を0.3〜1.4質量部、Li成分を0.1〜0.3質量部、Zn成分を1.5〜7質量部及びAg成分を1.5〜2質量部含有し、
前記第2副成分は、前記主相成分100質量部に対し酸化物換算で、Si成分を0〜1.25質量部、Al成分を0〜1.25質量部、Bi成分を0〜5質量部含有し、
Si成分のみを単独で含む場合、Si成分の含有量が0.4〜1質量部であり、
Al成分のみを単独で含む場合、Al成分の含有量が0.5〜1質量部であり、
Bi成分のみを単独で含む場合、Bi成分の含有量が4〜5質量部であり、
Bi成分を含まずSi成分とAl成分とを含む場合、Si成分とAl成分の合計含有量が0.9質量部以下であり、
Si成分又はAl成分と、Bi成分とを含む場合、Si成分の含有量が1.25質量部以下、Al成分の含有量が1.25質量部以下、Bi成分の含有量が4〜5質量部であり、
Si成分とAl成分とBi成分とを含む場合、Si成分とAl成分との合計含有量が1.15質量部以下、Bi成分の含有量が4〜5質量部であることを特徴とする。
Ba4(Re(1−x),Bix)9.33Ti18O54 ・・・(1)
(式(1)中、Reは希土類元素であり、xは0〜0.15である)
本発明のセラミックス組成物は、下式(1)で現わされる主相成分と、B成分、Li成分、Zn成分及びAg成分からなる第1副成分と、Si成分、Al成分及びBi成分から選ばれる少なくとも1種以上を含有する第2副成分とを含む組成物である。
Ba4(Re(1−x),Bix)9.33Ti18O54 ・・・(1)
以下、各成分について説明する。
また、Al成分のみを単独で含む場合は、Al成分を0.5〜1質量部含有する。
また、Bi成分のみを単独で含む場合は、Bi成分を4〜5質量部含有する。
また、Bi成分を含まずSi成分とAl成分とを含む場合は、Si成分とAl成分とを合計で0.9質量部以下(好ましくは0.4〜0.7質量部)含有する。
また、Si成分又はAl成分と、Bi成分とを含む場合は、Si成分を1.25質量部以下(好ましくは0.4〜0.75質量部)、Al成分を1.25質量部以下(好ましくは0.4〜0.75質量部)、Bi成分を4〜5質量部含有する。
また、Si成分とAl成分とBi成分とを含む場合は、Si成分とAl成分とを合計で1.15質量部以下(好ましくは0.4〜0.75質量部)、Bi成分を4〜5質量部含有する。
次に、本発明の電子部品について説明する。
Ba4(Nd0.9,Bi0.1)9.33Ti18O54 ・・・(2−2)
Ba4(Nd0.865,Bi0.135)9.33Ti18O54 ・・・(2−3)
Ba4(Nd0.85,Bi0.15)9.33Ti18O54 ・・・(2−4)
Ba4(Nd0.84,Bi0.16)9.33Ti18O54 ・・・(2−5)
各焼結体の焼結性、嵩密度、誘電率ε、Q×f値、温度係数τfを評価した。結果を表1〜6にまとめて記す。なお、焼結性は、930℃で焼結したものを○、焼結しなかったものを×として評価した。また、嵩密度は、アルキメデス法に基づき測定した。また、誘電率ε、Q×f値、温度係数τfは、JIS R1627に準拠し、3GHz〜5GHzの共振周波数における値を測定した。また、温度係数τfは、3GHz〜5GHzの共振周波数の−30℃〜85℃間における温度変化率を測定した。
Claims (5)
- 下式(1)で現わされる主相成分と、
B成分、Li成分、Zn成分及びAg成分からなる第1副成分と、
Si成分、Al成分及びBi成分から選ばれる少なくとも1種以上を含有する第2副成分とを含み、
前記第1副成分は、前記主相成分100質量部に対し酸化物換算で、B成分を0.3〜1.4質量部、Li成分を0.1〜0.3質量部、Zn成分を1.5〜7質量部及びAg成分を1.5〜2質量部含有し、
前記第2副成分は、前記主相成分100質量部に対し酸化物換算で、Si成分を0〜1.25質量部、Al成分を0〜1.25質量部、Bi成分を0〜5質量部含有し、
Si成分のみを単独で含む場合、Si成分の含有量が0.4〜1質量部であり、
Al成分のみを単独で含む場合、Al成分の含有量が0.5〜1質量部であり、
Bi成分のみを単独で含む場合、Bi成分の含有量が4〜5質量部であり、
Bi成分を含まずSi成分とAl成分とを含む場合、Si成分とAl成分の合計含有量が0.9質量部以下であり、
Si成分又はAl成分と、Bi成分とを含む場合、Si成分の含有量が1.25質量部以下、Al成分の含有量が1.25質量部以下、Bi成分の含有量が4〜5質量部であり、
Si成分とAl成分とBi成分とを含む場合、Si成分とAl成分との合計含有量が1.15質量部以下、Bi成分の含有量が4〜5質量部であることを特徴とするセラミックス組成物。
Ba4(Re(1−x),Bix)9.33Ti18O54 ・・・(1)
(式(1)中、Reは希土類元素であり、xは0〜0.15である) - 請求項1に記載のセラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び/又は内部にあって、前記セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有することを特徴とする電子部品。
- 前記導体層が、Ag及び/又はAg合金で形成されている請求項2に記載の電子部品。
- 前記導体層の表面が湿式メッキ処理されている請求項2又は3に記載の電子部品。
- 前記電子部品が基板である、請求項2〜4のいずれか1項に記載の電子部品。
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