JP2012169620A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 19
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 10
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- 229910003440 dysprosium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(iii) oxide Chemical compound O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N holmium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ho+3].[Ho+3] OWCYYNSBGXMRQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 21
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 11
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/10—Metal-oxide dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明による積層セラミック電子部品は、平均粒径が100から300nmであるセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成された誘電体層と内部電極が交互に積層されたアクティブ層と、上記アクティブ層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、平均粒径が50から250nmで、上記アクティブ層と同一種類のセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成されたカバー層と、上記内部電極層と電気的に連結される外部電極とを含む。本発明による積層セラミック電子部品は、カバー層とアクティブ層を同時に均一に焼成させ、焼結収縮の不一致を最小化することで、信頼性が向上する効果がある。
【選択図】図1
Description
本発明の一実施形態に従って実施例1から20は、粒子サイズの異なるチタン酸バリウム(BaTiO3)が含まれた二つの誘電体組成物をそれぞれ有機溶媒で混合及び分散した。
比較例1から13は、アクティブ層及びカバー層のチタン酸バリウム(BaTiO3)の粒子サイズ及び両粒子のサイズの差が本発明の特許請求の範囲から外れるように製作したことを除き、上記実施例1から20と同じ方法で作製した。
×:不良(臨界絶縁抵抗が3Vr以下)
△:普通(3〜7Vr)
○:優秀(7Vr以上)
注2)耐湿絶縁抵抗評価レベル
×:不良(絶縁破壊された試片の数が10個以上)
△:普通(1〜5個)
○:優秀(0個)
101 アクティブ層
102 カバー層
110 セラミック素体
111 誘電体層
112 内部電極層
120a、120b 外部電極
Claims (14)
- 平均粒径が100から300nmであるセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成された誘電体層と内部電極層が交互に積層されたアクティブ層と、
前記アクティブ層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成され、平均粒径が50から250nmで、前記アクティブ層と同一種類のセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成されたカバー層と、
前記内部電極層と電気的に連結される外部電極と、
を含む積層セラミック電子部品。 - 前記カバー層を形成するセラミック粉末の平均粒径が前記アクティブ層を形成するセラミック粉末より50から100nm小さい、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記セラミック粉末はチタン酸バリウム(BaTiO3)系、鉛複合ペロブスカイト系及びチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系からなる群より選択される一つ以上である、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記カバー層の厚さは前記アクティブ層の一誘電体層より3から10倍厚い、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記一誘電体層の厚さは0.5から1.5μmである、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記誘電体組成物はマグネシウム酸化物(MgO)、希土類酸化物、マンガン酸化物(MnO)及びホウケイ酸塩系ガラスをさらに含む、請求項1に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記希土類酸化物はイットリウム酸化物(Y2O3)、ホルミウム酸化物(Ho2O3)、ジスプロシウム酸化物(Dy2O3)及びイッテルビウム酸化物(Yb2O3)からなる群より選択される一つ以上である、請求項6に記載の積層セラミック電子部品。
- 平均粒径が100から300nmであるセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成された誘電体層と内部電極層が交互に積層されたアクティブ層を設ける段階と、
平均粒径が50から250nmで、前記アクティブ層と同一種類のセラミック粉末を含む誘電体組成物で形成されたカバー層を設ける段階と、
前記カバー層を前記アクティブ層の上面及び下面のうち少なくとも一面に積層して積層体を形成する段階と、
前記積層体を切断してグリーンチップを製造する段階と、
前記グリーンチップを焼成してセラミック素体を製造する段階と、
を含む積層セラミック電子部品の製造方法。 - 前記カバー層を形成するセラミック粉末の平均粒径が前記アクティブ層を形成するセラミック粉末より50から100nm小さい、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック粉末はチタン酸バリウム(BaTiO3)系、鉛複合ペロブスカイト系及びチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)系からなる群より選択される一つ以上である、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記カバー層の厚さは前記アクティブ層の一誘電体層より3から10倍厚い、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記一誘電体層の厚さは0.5から1.5μmである、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記誘電体組成物はマグネシウム酸化物(MgO)、希土類酸化物、マンガン酸化物(MnO)及びホウケイ酸塩系ガラスをさらに含む、請求項8に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
- 前記希土類酸化物はイットリウム酸化物(Y2O3)、ホルミウム酸化物(Ho2O3)、ジスプロシウム酸化物(Dy2O3)及びイッテルビウム酸化物(Yb2O3)からなる群より選択される一つ以上である、請求項13に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0011551 | 2011-02-09 | ||
KR1020110011551A KR20120091655A (ko) | 2011-02-09 | 2011-02-09 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012169620A true JP2012169620A (ja) | 2012-09-06 |
Family
ID=46621888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012025025A Pending JP2012169620A (ja) | 2011-02-09 | 2012-02-08 | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012169620A (ja) |
KR (1) | KR20120091655A (ja) |
CN (1) | CN102637527A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101792275B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2017-11-01 | 삼성전기주식회사 | 내부 전극용 도전성 페이스트, 이를 포함하는 적층 세라믹 전자 부품 및 그 제조 방법 |
KR101452079B1 (ko) | 2012-12-28 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
KR101659143B1 (ko) * | 2014-04-16 | 2016-09-22 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
KR102392041B1 (ko) | 2017-03-10 | 2022-04-27 | 삼성전자주식회사 | 유전체, 그 제조 방법, 이를 포함하는 유전체 소자 및 전자 소자 |
KR102363288B1 (ko) * | 2017-03-10 | 2022-02-14 | 삼성전자주식회사 | 유전체, 그 제조 방법, 이를 포함하는 유전체 소자 및 전자 소자 |
KR102325821B1 (ko) | 2017-03-31 | 2021-11-11 | 삼성전자주식회사 | 2차원 페로브스카이트 소재, 이를 포함하는 유전체 및 적층형 커패시터 |
KR102191251B1 (ko) * | 2018-08-30 | 2020-12-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
KR102515246B1 (ko) * | 2021-03-19 | 2023-03-29 | 동의대학교 산학협력단 | 신규한 CsPbBr3/Glass 복합체의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 CsPbBr3/Glass 복합체 |
CN112992431B (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-03 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 多层片式陶瓷电容器用高分散镍内电极浆料及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243081A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2007123835A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2007266223A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2010155768A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物、誘電体組成物、及びこれを利用した積層セラミックキャパシタ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4933968B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2012-05-16 | Tdk株式会社 | セラミック電子部品 |
-
2011
- 2011-02-09 KR KR1020110011551A patent/KR20120091655A/ko not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-02-08 JP JP2012025025A patent/JP2012169620A/ja active Pending
- 2012-02-09 CN CN2012100285539A patent/CN102637527A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05243081A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
JP2007123835A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-05-17 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
JP2007266223A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
JP2010155768A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 焼結助剤用ホウケイ酸塩系ガラス組成物、誘電体組成物、及びこれを利用した積層セラミックキャパシタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120091655A (ko) | 2012-08-20 |
CN102637527A (zh) | 2012-08-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A02 | Decision of refusal |
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