JP2578264B2 - セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法 - Google Patents
セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法Info
- Publication number
- JP2578264B2 JP2578264B2 JP11000391A JP11000391A JP2578264B2 JP 2578264 B2 JP2578264 B2 JP 2578264B2 JP 11000391 A JP11000391 A JP 11000391A JP 11000391 A JP11000391 A JP 11000391A JP 2578264 B2 JP2578264 B2 JP 2578264B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- equivalent series
- series resistance
- ceramic capacitor
- metal oxide
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミックコンデンサ
の等価直列抵抗調整方法に関するものである。
の等価直列抵抗調整方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ及びオペアンプ等を用いた電
子回路においては、電源の電圧変動及び電源ラインに重
畳するノイズによって、電子回路の誤動作を招くことが
多々ある。このため、図２に示すように電子回路１の電
源ライン２と接地導体との間に、例えばアルミ又はタン
タル電解コンデンサ３及びセラミックコンデンサ４等を
並列に接続して、電圧変動及びノイズを除去している。
子回路においては、電源の電圧変動及び電源ラインに重
畳するノイズによって、電子回路の誤動作を招くことが
多々ある。このため、図２に示すように電子回路１の電
源ライン２と接地導体との間に、例えばアルミ又はタン
タル電解コンデンサ３及びセラミックコンデンサ４等を
並列に接続して、電圧変動及びノイズを除去している。
【０００３】図３は電源ライン２と接地導体との間にコ
ンデンサ５を接続したときの等価回路を示す図である。
図において、Ｒはコンデンサ５の等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）、Ｌはコンデンサの等価直列インダクタンス（ＥＳ
Ｌ）、Ｃはコンデンサ５のキャパシタンス、Ｌ´は電源
ライン２の等価インダクタンスである。即ち、コンデン
サ５のリ−ド線及び電極の抵抗分により等価直列抵抗Ｒ
が生じ、リ−ド線のインダクタンス分により等価直列イ
ンダクタンスＬが生じる。このため、電源ライン２と接
地導体との間に公知のＲＬＣ直列回路が形成される。
ンデンサ５を接続したときの等価回路を示す図である。
図において、Ｒはコンデンサ５の等価直列抵抗（ＥＳ
Ｒ）、Ｌはコンデンサの等価直列インダクタンス（ＥＳ
Ｌ）、Ｃはコンデンサ５のキャパシタンス、Ｌ´は電源
ライン２の等価インダクタンスである。即ち、コンデン
サ５のリ−ド線及び電極の抵抗分により等価直列抵抗Ｒ
が生じ、リ−ド線のインダクタンス分により等価直列イ
ンダクタンスＬが生じる。このため、電源ライン２と接
地導体との間に公知のＲＬＣ直列回路が形成される。
【０００４】電子回路１内のＯＰアンプ、ＩＣ等による
高周波の方形波出力に伴い、電源ライン２に重畳するパ
ルス状の電圧変動（以下、パルス状のノイズと言う）を
除去するには、等価直列抵抗Ｒ及び等価直列インダクタ
ンスＬが小さいコンデンサ５を接続する必要がある。こ
のため、他種のものに比べて電極の比抵抗の小さいセラ
ミックコンデンサ４が用いられている。
高周波の方形波出力に伴い、電源ライン２に重畳するパ
ルス状の電圧変動（以下、パルス状のノイズと言う）を
除去するには、等価直列抵抗Ｒ及び等価直列インダクタ
ンスＬが小さいコンデンサ５を接続する必要がある。こ
のため、他種のものに比べて電極の比抵抗の小さいセラ
ミックコンデンサ４が用いられている。
【０００５】また、電源回路内のＯＰアンプ、ＩＣ等に
よる低周波の方形波に伴い、電源ライン２に重畳する電
圧変動（以下、低周波の電圧変動と言う）を除去するに
は、等価直列抵抗Ｒの大きなコンデンサ５を接続する必
要がある。即ち、電源ライン２の電圧が低周波変動した
場合、コンデンサ５によって形成されるＲＬＣ直列回路
に電源ライン２の等価インダクタンスＬ´を加えた回路
が定常状態に至るまでの過渡状態において、(1) 式に示
すように等価直列抵抗Ｒが小さいときは、電源ライン２
の電圧は振動する。例えば電源をオンした場合には、電
源ライン２の電圧は図４の(a) に示すように振動して定
常状態に至る。このため、電子回路１の誤動作を招きや
すい。また、電子回路１内のＯＰアンプ、ＩＣ等が低周
波の方形波を出力した場合には、電源ライン２の電圧は
図４の(b) に示すように振動的に変化し、安定するまで
に時間がかかるので、電子回路１の誤動作を招きやす
い。Ｒ＜２・｛（Ｌ＋Ｌ´）／Ｃ｝1/2 …(1)ま
た、(2) 式に示すように等価直列抵抗が大きいときは、
電源ライン２の電圧は指数関数的に変化する。例えば電
源をオンした場合には、電源ライン２の電圧は図５の
(a) に示すように指数関数的に定常状態に至り、電子回
路１の誤動作を招くことはない。また、電源回路内のＯ
Ｐアンプ、ＩＣ等が低周波の方形波を出力した場合に
は、電源ライン２の電圧は図５の(b) に示すように瞬
時、指数関数的に変化して安定するので、電子回路１の
誤動作を招くことはない。Ｒ＞２・｛（Ｌ＋Ｌ´）／
Ｃ｝1/2 …(2) ◎このため、電源ライン２に重畳し
た低周波による電圧の変動を除去するためには、他種の
ものに比べて電極の比抵抗の大きなコンデンサ、例えば
アルミ又はタンタル電解コンデンサ３が用いられてい
る。
よる低周波の方形波に伴い、電源ライン２に重畳する電
圧変動（以下、低周波の電圧変動と言う）を除去するに
は、等価直列抵抗Ｒの大きなコンデンサ５を接続する必
要がある。即ち、電源ライン２の電圧が低周波変動した
場合、コンデンサ５によって形成されるＲＬＣ直列回路
に電源ライン２の等価インダクタンスＬ´を加えた回路
が定常状態に至るまでの過渡状態において、(1) 式に示
すように等価直列抵抗Ｒが小さいときは、電源ライン２
の電圧は振動する。例えば電源をオンした場合には、電
源ライン２の電圧は図４の(a) に示すように振動して定
常状態に至る。このため、電子回路１の誤動作を招きや
すい。また、電子回路１内のＯＰアンプ、ＩＣ等が低周
波の方形波を出力した場合には、電源ライン２の電圧は
図４の(b) に示すように振動的に変化し、安定するまで
に時間がかかるので、電子回路１の誤動作を招きやす
い。Ｒ＜２・｛（Ｌ＋Ｌ´）／Ｃ｝1/2 …(1)ま
た、(2) 式に示すように等価直列抵抗が大きいときは、
電源ライン２の電圧は指数関数的に変化する。例えば電
源をオンした場合には、電源ライン２の電圧は図５の
(a) に示すように指数関数的に定常状態に至り、電子回
路１の誤動作を招くことはない。また、電源回路内のＯ
Ｐアンプ、ＩＣ等が低周波の方形波を出力した場合に
は、電源ライン２の電圧は図５の(b) に示すように瞬
時、指数関数的に変化して安定するので、電子回路１の
誤動作を招くことはない。Ｒ＞２・｛（Ｌ＋Ｌ´）／
Ｃ｝1/2 …(2) ◎このため、電源ライン２に重畳し
た低周波による電圧の変動を除去するためには、他種の
ものに比べて電極の比抵抗の大きなコンデンサ、例えば
アルミ又はタンタル電解コンデンサ３が用いられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たように低周波の電圧変動を除去するためには、電源ラ
イン２と接地導体との間に、セラミックコンデンサに比
べて形状の大きなアルミ又はタンタル電解コンデンサ３
を接続しなければならないため、これを配置するための
広い実装面積が必要となり装置の小形化の障害となって
いる。
たように低周波の電圧変動を除去するためには、電源ラ
イン２と接地導体との間に、セラミックコンデンサに比
べて形状の大きなアルミ又はタンタル電解コンデンサ３
を接続しなければならないため、これを配置するための
広い実装面積が必要となり装置の小形化の障害となって
いる。
【０００７】本発明の目的は上記の問題点に鑑み、高い
等価直列抵抗値を得ることができるセラミックコンデン
サの等価直列抵抗調整方法を提供することにある。
等価直列抵抗値を得ることができるセラミックコンデン
サの等価直列抵抗調整方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、内部電極に導通する外部電極を備えたセ
ラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法であって、
前記外部電極の表面に金属酸化膜を形成すると共に、該
金属酸化膜の膜厚を変えて等価直列抵抗値を調整するセ
ラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法を提案す
る。
成するために、内部電極に導通する外部電極を備えたセ
ラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法であって、
前記外部電極の表面に金属酸化膜を形成すると共に、該
金属酸化膜の膜厚を変えて等価直列抵抗値を調整するセ
ラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法を提案す
る。
【０００９】
【作用】本発明によれば、例えば外部電極を加熱するこ
とにより、該外部電極の表面に比抵抗の大きな金属酸化
膜が形成され、セラミックコンデンサの等価直列抵抗の
値が増大する。さらに、研磨或いは加熱温度等によって
前記金属酸化膜の膜厚を変えることにより、前記等価直
列抵抗の値が変えられる。
とにより、該外部電極の表面に比抵抗の大きな金属酸化
膜が形成され、セラミックコンデンサの等価直列抵抗の
値が増大する。さらに、研磨或いは加熱温度等によって
前記金属酸化膜の膜厚を変えることにより、前記等価直
列抵抗の値が変えられる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明を適用して作成した積層セラミ
ックコンデンサの一例を示す断面図である。図におい
て、１０はコンデンサ本体（以下、本体と称する）で、
直方体形状を有し、その大きさは例えば3.2mm x 2.5mm
x2.5mm である。また、本体１０は複数の内部電極層１
１ａ，１１ｂと誘電体層１２が積層して形成され、内部
電極層１１ａは本体１０の長手方向一端側に導出され、
内部電極層１１ｂは他端側に導出されている。内部電極
層１１ａと内部電極層１１ｂによって一対の対向電極が
形成される。
ックコンデンサの一例を示す断面図である。図におい
て、１０はコンデンサ本体（以下、本体と称する）で、
直方体形状を有し、その大きさは例えば3.2mm x 2.5mm
x2.5mm である。また、本体１０は複数の内部電極層１
１ａ，１１ｂと誘電体層１２が積層して形成され、内部
電極層１１ａは本体１０の長手方向一端側に導出され、
内部電極層１１ｂは他端側に導出されている。内部電極
層１１ａと内部電極層１１ｂによって一対の対向電極が
形成される。
【００１１】さらに、本体１０の両端部には、内部電極
層１１ａ，１１ｂに導通する外部電極１３が形成され、
この外部電極１３の表面には金属酸化膜１４が形成され
ると共に、金属酸化膜１４の表面には金属メッキ膜１５
が形成されている。内部電極１１ａ，１１ｂは、これら
の外部電極１３、金属酸化膜１４及び金属メッキ膜１５
を介して外部回路と接続できるようになっている。
層１１ａ，１１ｂに導通する外部電極１３が形成され、
この外部電極１３の表面には金属酸化膜１４が形成され
ると共に、金属酸化膜１４の表面には金属メッキ膜１５
が形成されている。内部電極１１ａ，１１ｂは、これら
の外部電極１３、金属酸化膜１４及び金属メッキ膜１５
を介して外部回路と接続できるようになっている。
【００１２】前述したように、外部電極１３の表面に比
抵抗の大きな金属酸化膜１４が形成されているので、コ
ンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）が従来のものに比べ
て大きくなる。従って、前述した積層セラミックコンデ
ンサを用いることにより、形状の大きなアルミ又はタン
タル電解コンデンサを用いることなく電源ラインに重畳
する低周波の電圧変動を容易に除去することができると
共に、装置の小形化を図ることができる。
抵抗の大きな金属酸化膜１４が形成されているので、コ
ンデンサの等価直列抵抗（ＥＳＲ）が従来のものに比べ
て大きくなる。従って、前述した積層セラミックコンデ
ンサを用いることにより、形状の大きなアルミ又はタン
タル電解コンデンサを用いることなく電源ラインに重畳
する低周波の電圧変動を容易に除去することができると
共に、装置の小形化を図ることができる。
【００１３】次に、前述の構成よりなる積層セラミック
コンデンサの作製手順及び等価直列抵抗値の調整方法を
説明する。チタン酸バリウム系のセラミック材料からな
る厚さが１８μｍのグリ−ンシ−トに、バインダ材と混
合してペ−スト状にしたニッケルをスクリ−ン印刷して
内部電極層１１ａ，１１ｂを形成したものを複数枚積層
する。このとき、前述したように本体１０の両端に、内
部電極層１１ａ，１１ｂが交互に導出されるようにす
る。さらに、これらを圧着した後、前述した形状に合わ
せてカットし、脱バインダ処理を行った後、所定温度に
て還元焼成する。さらに、本体１０の両端部にニッケル
によって外部電極１３を形成した後、熱処理炉において
加熱処理を行う。これにより、外部電極１３の表面に金
属酸化膜１４が形成される。
コンデンサの作製手順及び等価直列抵抗値の調整方法を
説明する。チタン酸バリウム系のセラミック材料からな
る厚さが１８μｍのグリ−ンシ−トに、バインダ材と混
合してペ−スト状にしたニッケルをスクリ−ン印刷して
内部電極層１１ａ，１１ｂを形成したものを複数枚積層
する。このとき、前述したように本体１０の両端に、内
部電極層１１ａ，１１ｂが交互に導出されるようにす
る。さらに、これらを圧着した後、前述した形状に合わ
せてカットし、脱バインダ処理を行った後、所定温度に
て還元焼成する。さらに、本体１０の両端部にニッケル
によって外部電極１３を形成した後、熱処理炉において
加熱処理を行う。これにより、外部電極１３の表面に金
属酸化膜１４が形成される。
【００１４】この後、積層セラミックコンデンサを自然
冷却し、バレル研磨によって金属酸化膜１４の膜厚を調
整する。これにより、等価直列抵抗の値を変えることが
できる。さらに、積層セラミックコンデンサをニッケル
無電解メッキ槽中に入れて、金属酸化膜１４の表面にニ
ッケルメッキ膜１５を形成する。これにより、所望する
等価直列抵抗を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
冷却し、バレル研磨によって金属酸化膜１４の膜厚を調
整する。これにより、等価直列抵抗の値を変えることが
できる。さらに、積層セラミックコンデンサをニッケル
無電解メッキ槽中に入れて、金属酸化膜１４の表面にニ
ッケルメッキ膜１５を形成する。これにより、所望する
等価直列抵抗を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができる。
【００１５】図６は第１の実施例によって得られた等価
直列抵抗値を示すもので、バレル研磨を施した時間と等
価直列抵抗値との関係を示すものである。この第１の実
施例において使用した積層セラミックコンデンサは、そ
の外部電極１３がニッケル導電性ペ−ストを非酸化雰囲
気中で焼成して形成され、また静電容量が４．７μＦ、
寸法が４．５×３．２ｍｍ角のもので、これを４０００
個用意した。
直列抵抗値を示すもので、バレル研磨を施した時間と等
価直列抵抗値との関係を示すものである。この第１の実
施例において使用した積層セラミックコンデンサは、そ
の外部電極１３がニッケル導電性ペ−ストを非酸化雰囲
気中で焼成して形成され、また静電容量が４．７μＦ、
寸法が４．５×３．２ｍｍ角のもので、これを４０００
個用意した。
【００１６】まず、これらの積層セラミックコンデンサ
を熱処理炉に入れ、大気中、６５０℃の温度で５０分間
加熱処理した後、炉内で自然冷却した。これにより、外
部電極１３の表面に金属酸化膜１４が形成される。
を熱処理炉に入れ、大気中、６５０℃の温度で５０分間
加熱処理した後、炉内で自然冷却した。これにより、外
部電極１３の表面に金属酸化膜１４が形成される。
【００１７】炉内から取り出された４０００個の積層セ
ラミックコンデンサを１０００個と３０００個に分け、
この３０００個をＳｉＣのボ−ル状メディアと共にバレ
ル研磨槽に入れ、バレル研磨槽を回転させて乾式バレル
研磨を行い、研磨を開始してから５分後、１０分後、１
５分後にそれぞれ１０００個づつ取り出した。これによ
り、研磨時間に対応して金属酸化膜１４の膜厚が変えら
れる。
ラミックコンデンサを１０００個と３０００個に分け、
この３０００個をＳｉＣのボ−ル状メディアと共にバレ
ル研磨槽に入れ、バレル研磨槽を回転させて乾式バレル
研磨を行い、研磨を開始してから５分後、１０分後、１
５分後にそれぞれ１０００個づつ取り出した。これによ
り、研磨時間に対応して金属酸化膜１４の膜厚が変えら
れる。
【００１８】次に、前述した４０００個の積層セラミッ
クコンデンサを研磨時間の違いに応じた１０００個づつ
のグル−プ毎にそれぞれ別々にニッケル無電解メッキ槽
中に入れ、外部電極１３の表面にニッケルメッキ膜１５
を形成した。
クコンデンサを研磨時間の違いに応じた１０００個づつ
のグル−プ毎にそれぞれ別々にニッケル無電解メッキ槽
中に入れ、外部電極１３の表面にニッケルメッキ膜１５
を形成した。
【００１９】このようにして外部電極１３の表面に金属
酸化膜１４が形成された積層セラミックコンデンサの各
グル−プから５０個づつ無作為に取り出し、測定周波数
１ＭＨｚで、等価直列抵抗値を測定した値の平均値が図
６に示すものである。即ち、バレル研磨を施さないもの
の等価直列抵抗値は１１０ｍΩ、研磨を５分間施したも
のの等価直列抵抗値は７１ｍΩ、１０分間のものは２５
ｍΩ、また１５分間のものは２０ｍΩとなった。
酸化膜１４が形成された積層セラミックコンデンサの各
グル−プから５０個づつ無作為に取り出し、測定周波数
１ＭＨｚで、等価直列抵抗値を測定した値の平均値が図
６に示すものである。即ち、バレル研磨を施さないもの
の等価直列抵抗値は１１０ｍΩ、研磨を５分間施したも
のの等価直列抵抗値は７１ｍΩ、１０分間のものは２５
ｍΩ、また１５分間のものは２０ｍΩとなった。
【００２０】前述したように積層セラミックコンデンサ
においても高い等価直列抵抗値を得ることができると共
に、容易に等価直列抵抗値を調整することができる。
においても高い等価直列抵抗値を得ることができると共
に、容易に等価直列抵抗値を調整することができる。
【００２１】図７は第２の実施例によって得られた等価
直列抵抗値を示すもので、熱処理温度と等価直列抵抗値
との関係を示すものである。この第２の実施例において
使用した積層セラミックコンデンサは、第１の実施例に
使用したものと同等のものであり、その外部電極１３が
ニッケル導電性ペ−ストを非酸化雰囲気中で焼成して形
成され、また静電容量が４．７μＦ、寸法が４．５×
３．２ｍｍ角のもので、これを３０００個用意した。
直列抵抗値を示すもので、熱処理温度と等価直列抵抗値
との関係を示すものである。この第２の実施例において
使用した積層セラミックコンデンサは、第１の実施例に
使用したものと同等のものであり、その外部電極１３が
ニッケル導電性ペ−ストを非酸化雰囲気中で焼成して形
成され、また静電容量が４．７μＦ、寸法が４．５×
３．２ｍｍ角のもので、これを３０００個用意した。
【００２２】これらの積層セラミックコンデンサを１０
００個づつのグル−プに分け、各グル−プ毎に別々に熱
処理炉に入れ、第１のグル−プのコンデンサは大気中、
４００℃で５０分間、第２のグル−プは大気中、５００
℃で５０分間、また第３のグル−プは７７０℃で５０分
間それぞれ加熱処理した後、炉内で自然冷却した。
００個づつのグル−プに分け、各グル−プ毎に別々に熱
処理炉に入れ、第１のグル−プのコンデンサは大気中、
４００℃で５０分間、第２のグル−プは大気中、５００
℃で５０分間、また第３のグル−プは７７０℃で５０分
間それぞれ加熱処理した後、炉内で自然冷却した。
【００２３】次に、炉内から取り出したコンデンサを各
グル−プ毎にそれぞれ別々にニッケル無電解メッキ槽中
に入れ、外部電極１３の表面にニッケルメッキ膜１５を
形成した。
グル−プ毎にそれぞれ別々にニッケル無電解メッキ槽中
に入れ、外部電極１３の表面にニッケルメッキ膜１５を
形成した。
【００２４】前述のようにして外部電極１３の表面に金
属酸化膜１４が形成された積層セラミックコンデンサの
各グル−プから５０個づつ無作為に取り出し、第１の実
施例と同様に測定周波数１ＭＨｚで、等価直列抵抗値を
測定した値の平均値が図７に示すものである。即ち、４
００℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は３１ｍΩ、
５００℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は７２ｍ
Ω、また７７０℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は
４０３ｍΩとなった。
属酸化膜１４が形成された積層セラミックコンデンサの
各グル−プから５０個づつ無作為に取り出し、第１の実
施例と同様に測定周波数１ＭＨｚで、等価直列抵抗値を
測定した値の平均値が図７に示すものである。即ち、４
００℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は３１ｍΩ、
５００℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は７２ｍ
Ω、また７７０℃で熱処理したものの等価直列抵抗値は
４０３ｍΩとなった。
【００２５】このように第２の実施例においても高い等
価直列抵抗値を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができると共に、容易に等価直列抵抗値を調整する
ことができた。
価直列抵抗値を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができると共に、容易に等価直列抵抗値を調整する
ことができた。
【００２６】前述したように本実施例によれば、外部電
極１３の表面に金属酸化膜１４を形成したので、高い等
価直列抵抗値を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができると共に、この金属酸化膜１４の膜厚を変え
ることによって容易に等価直列抵抗値を調整することが
できた。このように、製造工程における最終段階で、前
記金属酸化膜の膜厚を変えることにより容易に前記等価
直列抵抗値を調整することができるので、需要に応じた
等価直列抵抗値を有するセラミックコンデンサを、迅速
に供給することができる。
極１３の表面に金属酸化膜１４を形成したので、高い等
価直列抵抗値を有する積層セラミックコンデンサを得る
ことができると共に、この金属酸化膜１４の膜厚を変え
ることによって容易に等価直列抵抗値を調整することが
できた。このように、製造工程における最終段階で、前
記金属酸化膜の膜厚を変えることにより容易に前記等価
直列抵抗値を調整することができるので、需要に応じた
等価直列抵抗値を有するセラミックコンデンサを、迅速
に供給することができる。
【００２７】尚、本実施例においては本発明を積層セラ
ミックコンデンサに適用したがこれに限定されることは
ない。
ミックコンデンサに適用したがこれに限定されることは
ない。
【００２８】また、本実施例では外部電極１３及び金属
メッキ膜としてニッケルを用いたがこれに限定されない
ことは言うまでもないことである。
メッキ膜としてニッケルを用いたがこれに限定されない
ことは言うまでもないことである。
【００２９】さらに、本実施例ではバレル研磨を施す時
間、又は熱処理の温度を変えることによって金属酸化膜
１４の膜厚を変えたが、熱処理を施す時間を変えること
によっても、或いはこれらを適宜組み合わせて金属酸化
膜１４の膜厚を変えても、等価直列抵抗値を調整するこ
とができる。
間、又は熱処理の温度を変えることによって金属酸化膜
１４の膜厚を変えたが、熱処理を施す時間を変えること
によっても、或いはこれらを適宜組み合わせて金属酸化
膜１４の膜厚を変えても、等価直列抵抗値を調整するこ
とができる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、外
部電極の表面に金属酸化膜を形成することにより、高い
等価直列抵抗値を有するセラミックコンデンサを得るこ
とができるので、形状の大きなアルミ又はタンタル電解
コンデンサを用いることなく、形状の小型なセラミック
コンデンサを用いて電源ラインに重畳する低周波の電圧
変動を容易に除去することができると共に、装置の小形
化を図ることができる。さらに、製造工程における最終
段階で、前記金属酸化膜の膜厚を変えることにより容易
に前記等価直列抵抗値を調整することができるので、需
要に応じた等価直列抵抗値を有するセラミックコンデン
サを、迅速に供給することができるという非常に優れた
効果を奏するものである。
部電極の表面に金属酸化膜を形成することにより、高い
等価直列抵抗値を有するセラミックコンデンサを得るこ
とができるので、形状の大きなアルミ又はタンタル電解
コンデンサを用いることなく、形状の小型なセラミック
コンデンサを用いて電源ラインに重畳する低周波の電圧
変動を容易に除去することができると共に、装置の小形
化を図ることができる。さらに、製造工程における最終
段階で、前記金属酸化膜の膜厚を変えることにより容易
に前記等価直列抵抗値を調整することができるので、需
要に応じた等価直列抵抗値を有するセラミックコンデン
サを、迅速に供給することができるという非常に優れた
効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明を適用して作成した積層セラミックコ
ンデンサの一例を示す断面図
ンデンサの一例を示す断面図
【図２】 電子回路のノイズ対策を説明する図
【図３】 コンデンサの等価回路を示す図
【図４】 ＲＬＣ直列回路の振動特性を示す図
【図５】 ＲＬＣ直列回路の指数関数特性を示す図
【図６】 本発明の第１の実施例におけるバレル研磨時
間と等価直列抵抗値との関係を示す図
間と等価直列抵抗値との関係を示す図
【図７】 本発明の第２の実施例における熱処理温度と
等価直列抵抗値との関係を示す図
等価直列抵抗値との関係を示す図
１０…コンデンサ本体、１１ａ，１１ｂ…内部電極、１
２…誘電体層、１３…外部電極、１４…金属酸化膜、１
５…金属メッキ膜。
２…誘電体層、１３…外部電極、１４…金属酸化膜、１
５…金属メッキ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 登坂 正一 東京都台東区上野６丁目16番20号太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−195110（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−136808（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−55935（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭60−6219（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 内部電極に導通する外部電極を備えたセ
ラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法であって、
前記外部電極の表面に金属酸化膜を形成すると共に、該
金属酸化膜の膜厚を変えて等価直列抵抗値を調整する、
ことを特徴とするセラミックコンデンサの等価直列抵抗
調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000391A JP2578264B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000391A JP2578264B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337616A JPH04337616A (ja) | 1992-11-25 |
| JP2578264B2 true JP2578264B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=14524638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000391A Expired - Lifetime JP2578264B2 (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578264B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100345031B1 (ko) * | 1997-10-06 | 2002-07-24 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자장치 및 그 제조방법 |
| JP4276084B2 (ja) | 2002-03-07 | 2009-06-10 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型電子部品 |
| WO2006022060A1 (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法 |
| JP2007209078A (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 車両用交流発電機 |
| JP2012054410A (ja) * | 2010-09-01 | 2012-03-15 | Tdk Corp | 積層コンデンサ、及び積層コンデンサの実装構造 |
| JP5806960B2 (ja) * | 2012-03-22 | 2015-11-10 | 太陽誘電株式会社 | 積層コンデンサ及びその製造方法 |
| KR20130111000A (ko) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP5910533B2 (ja) * | 2012-05-08 | 2016-04-27 | 株式会社村田製作所 | 電子部品、電子部品内蔵基板及び電子部品の製造方法 |
| JP5985023B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2016-09-06 | 太陽誘電株式会社 | 積層コンデンサ |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11000391A patent/JP2578264B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04337616A (ja) | 1992-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9875850B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component and board having the same mounted thereon | |
| US20150041195A1 (en) | Electronic chip component and board having the same mounted thereon | |
| TW201508790A (zh) | 多層陶瓷電容器及設有該電容器之基板 | |
| JP2578264B2 (ja) | セラミックコンデンサの等価直列抵抗調整方法 | |
| TW201428791A (zh) | 多層陶瓷電容器、該多層陶瓷電容器的安裝板件，及該多層陶瓷電容器的製造方法 | |
| JP4428852B2 (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JPH104027A (ja) | 積層型電子部品 | |
| KR20210023440A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조 방법 | |
| JP2000058376A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JP2002093623A (ja) | 積層インダクタ | |
| JPH09180956A (ja) | 積層型セラミックコンデンサ | |
| JP3306814B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP6301629B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| TW202211273A (zh) | 諧振多層陶瓷電容器 | |
| JPH11317321A (ja) | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 | |
| JPH11219821A (ja) | 積層型インダクタ、及びその製造方法 | |
| JP2015226026A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP6616929B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH0828305B2 (ja) | コンデンサ | |
| JP6527612B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6028113Y2 (ja) | トリミングが可能な複合部品 | |
| JPH0523043B2 (ja) | ||
| JPH07169651A (ja) | 積層チップフィルタ | |
| JP2002110451A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP2000261272A (ja) | 低域通過フィルタ及びそれを用いた電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19960917 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091107 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101107 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111107 Year of fee payment: 15 |