JPH11317321A - 積層セラミックコンデンサとその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサとその製造方法Info
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- JPH11317321A JPH11317321A JP12199398A JP12199398A JPH11317321A JP H11317321 A JPH11317321 A JP H11317321A JP 12199398 A JP12199398 A JP 12199398A JP 12199398 A JP12199398 A JP 12199398A JP H11317321 A JPH11317321 A JP H11317321A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 近年における電子回路の小型化、高密度化の
流れに伴い、積層セラミックコンデンサについても小型
大容量化が求められ、小型大容量化のために誘電体層の
積層数の更なる増加と、誘電体層の更なる薄層化が進ん
でいる。このため、誘電体層の絶縁抵抗が小さくなり過
ぎ、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなるという問題が
あった。 【解決手段】 この発明に係る積層セラミックコンデン
サは、誘電体層の、内部電極のエッジ部近傍の領域の全
部又は一部を他の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形
成した。例えば、誘電体磁器を形成しているセラミック
粒子の粒径を他の領域の誘電体磁器を形成しているセラ
ミック粒子の粒径より小さくして耐電圧を高くすること
ができる。内部電極を形成する導体パターンのエッジ部
近傍の領域の全部又は一部に粒成長抑制剤を塗布して焼
成すれば誘電体磁器を形成しているセラミック粒子の粒
径を小さくすることができる。
流れに伴い、積層セラミックコンデンサについても小型
大容量化が求められ、小型大容量化のために誘電体層の
積層数の更なる増加と、誘電体層の更なる薄層化が進ん
でいる。このため、誘電体層の絶縁抵抗が小さくなり過
ぎ、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなるという問題が
あった。 【解決手段】 この発明に係る積層セラミックコンデン
サは、誘電体層の、内部電極のエッジ部近傍の領域の全
部又は一部を他の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形
成した。例えば、誘電体磁器を形成しているセラミック
粒子の粒径を他の領域の誘電体磁器を形成しているセラ
ミック粒子の粒径より小さくして耐電圧を高くすること
ができる。内部電極を形成する導体パターンのエッジ部
近傍の領域の全部又は一部に粒成長抑制剤を塗布して焼
成すれば誘電体磁器を形成しているセラミック粒子の粒
径を小さくすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は誘電体層と内部電
極との積層数が多く、該誘電体層の厚さの極めて薄い小
型大容量の積層セラミックコンデンサに関する。
極との積層数が多く、該誘電体層の厚さの極めて薄い小
型大容量の積層セラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサはチップ状の
素体と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極と
からなる。該素体は誘電体層と内部電極とが交互に多数
層積層された積層体からなる。該内部電極のうち、隣り
合う内部電極は誘電体層を介して対向し、別々の外部電
極と電気的に接続されている。
素体と、該素体の両端部に形成された一対の外部電極と
からなる。該素体は誘電体層と内部電極とが交互に多数
層積層された積層体からなる。該内部電極のうち、隣り
合う内部電極は誘電体層を介して対向し、別々の外部電
極と電気的に接続されている。
【０００３】前記素体は、セラミックグリーンシートと
導体パターンとを交互に積層させて形成したチップ状の
積層体を脱バインダした後、大気中において１２００〜
１３００℃程度の高温で焼成することにより製造されて
いる。
導体パターンとを交互に積層させて形成したチップ状の
積層体を脱バインダした後、大気中において１２００〜
１３００℃程度の高温で焼成することにより製造されて
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におけ
る電子回路の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラ
ミックコンデンサについても小型大容量化が求められ、
小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加
と、誘電体層の更なる薄層化が進んでいる。
る電子回路の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラ
ミックコンデンサについても小型大容量化が求められ、
小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加
と、誘電体層の更なる薄層化が進んでいる。
【０００５】しかし、誘電体層の薄層化が進むと、単位
厚み当りの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破
壊が生じ易くなるという問題があった。
厚み当りの電界強度が大きくなり、内部電極間で絶縁破
壊が生じ易くなるという問題があった。
【０００６】この発明は、誘電体層を薄くしても薄くし
たほどには絶縁破壊が生じないようにした小型大容量の
積層セラミックコンデンサを提供することを目的とす
る。
たほどには絶縁破壊が生じないようにした小型大容量の
積層セラミックコンデンサを提供することを目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る積層セラ
ミックコンデンサは、誘電体磁器からなる誘電体層と内
部電極とを交互に積層してなる積層体と、該内部電極に
各々接続された状態で該積層体の端部に形成された一対
の外部電極とを備えている。そして、前記誘電体層の、
前記内部電極のエッジ部近傍の領域の全部又は一部を他
の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形成したものであ
る。
ミックコンデンサは、誘電体磁器からなる誘電体層と内
部電極とを交互に積層してなる積層体と、該内部電極に
各々接続された状態で該積層体の端部に形成された一対
の外部電極とを備えている。そして、前記誘電体層の、
前記内部電極のエッジ部近傍の領域の全部又は一部を他
の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形成したものであ
る。
【０００８】ここで、前記誘電体層の、前記内部電極の
エッジ部近傍の領域の全部又は一部を他の領域より耐電
圧の高い誘電体磁器で形成したのは、積層セラミックコ
ンデンサに電圧を印加した場合、図７に示すように、内
部電極１０のエッジ部近傍に電荷が集中し、この部分に
おける電界が特に強くなることにより誘電体層１２に絶
縁破壊１４が生じ易いので、この部分の誘電体層の耐電
圧を高くしてこのような絶縁破壊が生じないようにする
ためである。
エッジ部近傍の領域の全部又は一部を他の領域より耐電
圧の高い誘電体磁器で形成したのは、積層セラミックコ
ンデンサに電圧を印加した場合、図７に示すように、内
部電極１０のエッジ部近傍に電荷が集中し、この部分に
おける電界が特に強くなることにより誘電体層１２に絶
縁破壊１４が生じ易いので、この部分の誘電体層の耐電
圧を高くしてこのような絶縁破壊が生じないようにする
ためである。
【０００９】そして、例えば、誘電体磁器を形成してい
るセラミック粒子の粒径を他の領域の誘電体磁器を形成
しているセラミック粒子の粒径より小さくして耐電圧を
高くすることができる。絶縁破壊は粒界に沿って進行す
るものと考えられ、セラミック粒子の粒径を小さくすれ
ば粒界が多くなり、絶縁破壊が進行し難くなるからであ
る。耐電圧の高い誘電体磁器を形成しているセラミック
粒子の粒径は他の領域の誘電体磁器を形成しているセラ
ミック粒子の粒径の２／３以下が好ましい。
るセラミック粒子の粒径を他の領域の誘電体磁器を形成
しているセラミック粒子の粒径より小さくして耐電圧を
高くすることができる。絶縁破壊は粒界に沿って進行す
るものと考えられ、セラミック粒子の粒径を小さくすれ
ば粒界が多くなり、絶縁破壊が進行し難くなるからであ
る。耐電圧の高い誘電体磁器を形成しているセラミック
粒子の粒径は他の領域の誘電体磁器を形成しているセラ
ミック粒子の粒径の２／３以下が好ましい。
【００１０】また、前記誘電体層をＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）
Ｏ３ 系の誘電体磁器で形成した場合、前記耐電圧の高
い誘電体磁器としてはＣａＴｉＯ３ を含有したものを
用いることができるが、耐電圧が高く、積層セラミック
コンデンサの諸特性を著しく低下させるものでない限
り、これ以外の組成の誘電体磁器を用いてもよい。
Ｏ３ 系の誘電体磁器で形成した場合、前記耐電圧の高
い誘電体磁器としてはＣａＴｉＯ３ を含有したものを
用いることができるが、耐電圧が高く、積層セラミック
コンデンサの諸特性を著しく低下させるものでない限
り、これ以外の組成の誘電体磁器を用いてもよい。
【００１１】また、この発明に係る積層セラミックコン
デンサの製造方法は、未焼成セラミック層と導体パター
ンとを交互に積層する積層工程と、該積層工程で得られ
た積層体を高温で焼成する焼成工程と、該焼成工程で得
られた素体の端部に一対の外部電極を形成する外部電極
形成工程とを備えている。そして、前記積層工程におい
て前記導体パターンのエッジ部近傍に粒成長抑制剤又は
粒成長抑制剤を含有したセラミックペーストを塗布する
ものである。
デンサの製造方法は、未焼成セラミック層と導体パター
ンとを交互に積層する積層工程と、該積層工程で得られ
た積層体を高温で焼成する焼成工程と、該焼成工程で得
られた素体の端部に一対の外部電極を形成する外部電極
形成工程とを備えている。そして、前記積層工程におい
て前記導体パターンのエッジ部近傍に粒成長抑制剤又は
粒成長抑制剤を含有したセラミックペーストを塗布する
ものである。
【００１２】ここで、セラミックペーストと導体パター
ンとの交差面積（ΔＳ）の導体パターンの面積（Ｓ）に
対する割合、すなわち交差割合（ΔＳ／Ｓ）×１００
（％）は１０〜３５％が好ましい。セラミックペースト
と導体パターンの交差面積の導体パターンの面積に対す
る割合が１０％未満では耐電圧向上の効果が小さく、３
５％を越えると、誘電率がこれを実施しない場合の７０
％以下に悪化するからである。
ンとの交差面積（ΔＳ）の導体パターンの面積（Ｓ）に
対する割合、すなわち交差割合（ΔＳ／Ｓ）×１００
（％）は１０〜３５％が好ましい。セラミックペースト
と導体パターンの交差面積の導体パターンの面積に対す
る割合が１０％未満では耐電圧向上の効果が小さく、３
５％を越えると、誘電率がこれを実施しない場合の７０
％以下に悪化するからである。
【００１３】また、前記セラミックペーストの塗布厚さ
は０．５〜１μｍが好ましい。前記セラミックペースト
の塗布厚さが０．５μｍ未満では効果が小さく、１μｍ
を越えると、誘電体層に構造欠陥が発生するからであ
る。なお、前記粒成長抑制剤としては、例えばＣａＣＯ
３ 、ＣａＴｉＯ３ 等、Ｃａを含有する化合物を用いる
ことができる。
は０．５〜１μｍが好ましい。前記セラミックペースト
の塗布厚さが０．５μｍ未満では効果が小さく、１μｍ
を越えると、誘電体層に構造欠陥が発生するからであ
る。なお、前記粒成長抑制剤としては、例えばＣａＣＯ
３ 、ＣａＴｉＯ３ 等、Ｃａを含有する化合物を用いる
ことができる。
【００１４】また、上記積層セラミックコンデンサの製
造方法では導体パターンのエッジ部近傍の誘電体磁器の
粒成長を抑制しているが、未焼成セラミック層の材料と
して粒成長を抑制したセラミック組成物を用い、積層工
程において導体パターンの中央付近に粒成長促進剤を塗
布してもよい。粒成長促進剤としては、例えばＳｉ−Ｂ
−Ｍ−Ｏ系、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｍ−Ｏ系等のガラス的な焼結
助剤を用いることができる。
造方法では導体パターンのエッジ部近傍の誘電体磁器の
粒成長を抑制しているが、未焼成セラミック層の材料と
して粒成長を抑制したセラミック組成物を用い、積層工
程において導体パターンの中央付近に粒成長促進剤を塗
布してもよい。粒成長促進剤としては、例えばＳｉ−Ｂ
−Ｍ−Ｏ系、Ｓｉ−Ｌｉ−Ｍ−Ｏ系等のガラス的な焼結
助剤を用いることができる。
【００１５】
【実施例】まず、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３ を主成分と
したＦ特材料の粉末に有機溶剤、有機バインダ、可塑剤
などを加え、これらをボールミルで充分に混練し、セラ
ミックスラリーを得た。そして、このセラミックスラリ
ーをドクターブレード法でシート状に成形し、これを１
００℃程度の温度で乾燥させ、厚さ７μｍのセラミック
グリーンシートを得た。
したＦ特材料の粉末に有機溶剤、有機バインダ、可塑剤
などを加え、これらをボールミルで充分に混練し、セラ
ミックスラリーを得た。そして、このセラミックスラリ
ーをドクターブレード法でシート状に成形し、これを１
００℃程度の温度で乾燥させ、厚さ７μｍのセラミック
グリーンシートを得た。
【００１６】次に、Ｐｄ粉末を主成分とする導電ペース
トを用意し、上記セラミックグリーンシートにこの導電
ペーストからなる導体パターンを所定のパターンで多数
印刷し、その後、この導体パターンを乾燥させた。
トを用意し、上記セラミックグリーンシートにこの導電
ペーストからなる導体パターンを所定のパターンで多数
印刷し、その後、この導体パターンを乾燥させた。
【００１７】次に、Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３ の１０％
をＣａＴｉＯ３ （粒成長抑制剤）で置換したセラミッ
クペーストを用意し、図１に示すように、上記セラミッ
クグリーンシート１６の導体パターン１８のエッジ部近
傍にこのセラミックペースト２０を１μｍの厚みで印刷
し、その後、この印刷したセラミックペースト２０を乾
燥させた。
をＣａＴｉＯ３ （粒成長抑制剤）で置換したセラミッ
クペーストを用意し、図１に示すように、上記セラミッ
クグリーンシート１６の導体パターン１８のエッジ部近
傍にこのセラミックペースト２０を１μｍの厚みで印刷
し、その後、この印刷したセラミックペースト２０を乾
燥させた。
【００１８】次に、この導体パターン１８及びセラミッ
クペースト２０を印刷したセラミックグリーンシート１
６を１０枚積層して積層体を形成し、得られた積層体に
４００ｋｇ／ｃｍ２ の圧力を厚さ方向に加えてこれら
を一体に圧着させた。そして、この積層体を導体パター
ン毎にチップ状に裁断し、２．４×１．４ｍｍのサイズ
のチップ状の積層体を多数得た。
クペースト２０を印刷したセラミックグリーンシート１
６を１０枚積層して積層体を形成し、得られた積層体に
４００ｋｇ／ｃｍ２ の圧力を厚さ方向に加えてこれら
を一体に圧着させた。そして、この積層体を導体パター
ン毎にチップ状に裁断し、２．４×１．４ｍｍのサイズ
のチップ状の積層体を多数得た。
【００１９】次に、このチップ状の積層体を、大気中に
おいて４００℃で２時間加熱して脱バインダし、続い
て、１２００〜１３００℃まで昇温させ、その温度で２
時間焼成して焼結させ、その後、常温まで冷却し、積層
セラミックコンデンサの素体を得た。ここで、素体のサ
イズは、２．０×１．２ｍｍ、誘電体層の厚みは約５μ
ｍ、内部電極のサイズは１．６５×０．７５ｍｍであっ
た。
おいて４００℃で２時間加熱して脱バインダし、続い
て、１２００〜１３００℃まで昇温させ、その温度で２
時間焼成して焼結させ、その後、常温まで冷却し、積層
セラミックコンデンサの素体を得た。ここで、素体のサ
イズは、２．０×１．２ｍｍ、誘電体層の厚みは約５μ
ｍ、内部電極のサイズは１．６５×０．７５ｍｍであっ
た。
【００２０】次に、上記焼成により得られた素体の両端
部にＡｇペーストを焼き付けて外部電極を形成し、積層
セラミックコンデンサを得た。
部にＡｇペーストを焼き付けて外部電極を形成し、積層
セラミックコンデンサを得た。
【００２１】次に、この積層セラミックコンデンサの誘
電体層の誘電率ε及び耐電圧（ＢＤＶ）を測定したとこ
ろ、表１に示す通りであった。
電体層の誘電率ε及び耐電圧（ＢＤＶ）を測定したとこ
ろ、表１に示す通りであった。
【００２２】ここで、積層セラミックコンデンサの誘電
体層の誘電率εは、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒｍｓの条件で測定した静電容量、誘電体層の厚
み、層数及び内部電極の有効交差面積から算出した。
体層の誘電率εは、温度２０℃、周波数１ｋＨｚ、電圧
１Ｖｒｍｓの条件で測定した静電容量、誘電体層の厚
み、層数及び内部電極の有効交差面積から算出した。
【００２３】また、積層セラミックコンデンサの誘電体
層の耐電圧（ＢＤＶ）は、室温で絶縁オイル内に試料の
積層セラミックコンデンサを浸漬し、この積層セラミッ
クコンデンサに直流電圧を印加し、この電圧を５０Ｖ／
ｓｅｃの速度で上げ、絶縁破壊を生じた時の電圧の値を
求め、積層セラミックコンデンサ１０個の平均値を耐電
圧とした。
層の耐電圧（ＢＤＶ）は、室温で絶縁オイル内に試料の
積層セラミックコンデンサを浸漬し、この積層セラミッ
クコンデンサに直流電圧を印加し、この電圧を５０Ｖ／
ｓｅｃの速度で上げ、絶縁破壊を生じた時の電圧の値を
求め、積層セラミックコンデンサ１０個の平均値を耐電
圧とした。
【００２４】また、５０個の積層セラミックコンデンサ
を試料として用い、外観を検査した後、この積層セラミ
ックコンデンサを切断し、断面を研磨して構造欠陥の有
無を調べたところ、表１に示す通りであった。
を試料として用い、外観を検査した後、この積層セラミ
ックコンデンサを切断し、断面を研磨して構造欠陥の有
無を調べたところ、表１に示す通りであった。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１に示す結果から、試料番号９に示すよ
うに、内部電極の面積に対する内部電極とセラミックペ
ーストの交差面積の割合が３５％を越えると、誘電体層
の誘電率がこれを実施しない場合の７０％以下に悪化す
ることがわかる。
うに、内部電極の面積に対する内部電極とセラミックペ
ーストの交差面積の割合が３５％を越えると、誘電体層
の誘電率がこれを実施しない場合の７０％以下に悪化す
ることがわかる。
【００２７】また、試料番号４，６に示すように、セラ
ミックペーストの厚さが１．０μｍを越えると誘電体層
内に構造欠陥（デラミネーション、クラック）が発生す
ることがわかる。
ミックペーストの厚さが１．０μｍを越えると誘電体層
内に構造欠陥（デラミネーション、クラック）が発生す
ることがわかる。
【００２８】次に、絶縁破壊を生じていない積層セラミ
ックコンデンサを試料として用い、この積層セラミック
コンデンサを切断し、断面を研磨して誘電体層を形成し
ているセラミック粒子の粒径の大小を観察したところ、
図２に示すように、誘電体層１２を形成しているセラミ
ック粒子の粒径は、内部電極１０のエッジ部近傍では小
さく、その他の領域では大きくなっていることが確認さ
れた。
ックコンデンサを試料として用い、この積層セラミック
コンデンサを切断し、断面を研磨して誘電体層を形成し
ているセラミック粒子の粒径の大小を観察したところ、
図２に示すように、誘電体層１２を形成しているセラミ
ック粒子の粒径は、内部電極１０のエッジ部近傍では小
さく、その他の領域では大きくなっていることが確認さ
れた。
【００２９】なお、上記実施例では、セラミックペース
トを図１に示すようなパターンで塗布しているが、図３
〜図６に示すようなパターンで塗布してもよい。また、
上記実施例ではＰｄ粉末を主成分とする導電ペーストで
内部電極を形成したが、Ａｇ−Ｐｄ粉末やＮｉ粉末を主
成分とする導電ペースト等で内部電極を形成してもよ
い。
トを図１に示すようなパターンで塗布しているが、図３
〜図６に示すようなパターンで塗布してもよい。また、
上記実施例ではＰｄ粉末を主成分とする導電ペーストで
内部電極を形成したが、Ａｇ−Ｐｄ粉末やＮｉ粉末を主
成分とする導電ペースト等で内部電極を形成してもよ
い。
【００３０】
【発明の効果】この発明によれば、積層セラミックコン
デンサの誘電体層のエッジ部近傍の誘電体磁器の耐電圧
をその他の部分の誘電体磁器より大きくしたので、誘電
体層の薄層化を進めても、内部電極間で絶縁破壊が生じ
難くなり、従って、積層セラミックコンデンサの誘電体
層を薄層化して更に小型大容量化を図ることができると
いう効果がある。
デンサの誘電体層のエッジ部近傍の誘電体磁器の耐電圧
をその他の部分の誘電体磁器より大きくしたので、誘電
体層の薄層化を進めても、内部電極間で絶縁破壊が生じ
難くなり、従って、積層セラミックコンデンサの誘電体
層を薄層化して更に小型大容量化を図ることができると
いう効果がある。
【図１】導体パターンの上にセラミックペーストを一の
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】導体パターンの上にセラミックペーストを他の
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
【図４】導体パターンの上にセラミックペーストを他の
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
【図５】導体パターンの上にセラミックペーストを他の
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
【図６】導体パターンの上にセラミックペーストを他の
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
パターンで印刷したセラミックグリーンシートの積層体
の部分平面図である。
【図７】絶縁破壊を生じている積層セラミックコンデン
サの断面の一部を拡大して示す説明図である。
サの断面の一部を拡大して示す説明図である。
１０ 内部電極 １２ 誘電体層 １４ 絶縁破壊 １６ セラミックグリーンシート １８ 導体パターン ２０ セラミックペースト
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極
とを交互に積層してなる積層体と、該内部電極に各々接
続された状態で該積層体の端部に形成された一対の外部
電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、 前記誘電体層の、前記内部電極のエッジ部近傍の領域の
全部又は一部を他の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で
形成したことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記耐電圧の高い誘電体磁器を形成して
いるセラミック粒子が他の領域の誘電体磁器を形成して
いるセラミック粒子より粒径が小さいことを特徴とする
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 前記耐電圧の高い誘電体磁器を形成して
いるセラミック粒子の粒径が他の領域の誘電体磁器を形
成しているセラミック粒子の粒径の２／３以下であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の積層セラミックコンデ
ンサ。 - 【請求項４】 前記誘電体層がＢａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３
系の誘電体磁器からなり、前記耐電圧の高い誘電体磁
器がＣａＴｉＯ３ を含有していることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の積層セラミックコンデン
サ。 - 【請求項５】 未焼成セラミック層と導体パターンとを
交互に積層する積層工程と、該積層工程で得られた積層
体を高温で焼成する焼成工程と、該焼成工程で得られた
素体の端部に一対の外部電極を形成する外部電極形成工
程とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法にお
いて、 前記積層工程において前記導体パターンのエッジ部近傍
に粒成長抑制剤又は粒成長抑制剤を含有したセラミック
ペーストを塗布することを特徴とする積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 前記導体パターン上の前記セラミックペ
ーストの塗布面積が導体パターンの面積の１０〜３５
％、前記セラミックペーストの塗布厚さが０．５〜１μ
ｍであることを特徴とする請求項５に記載の積層セラミ
ックコンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 前記粒成長抑制剤がＣａを含有する化合
物からなることを特徴とする請求項５又は６に記載の積
層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項８】 未焼成セラミック層と導体パターンとを
交互に積層する積層工程と、該積層工程で得られた積層
体を高温で焼成する焼成工程と、該焼成工程で得られた
素体の端部に一対の外部電極を形成する外部電極形成工
程とを備えた積層セラミックコンデンサの製造方法にお
いて、 前記未焼成セラミック層の材料として粒成長を抑制した
セラミック組成物を用い、前記積層工程において前記導
体パターンの中央付近に粒成長促進剤を塗布することを
特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199398A JPH11317321A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12199398A JPH11317321A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11317321A true JPH11317321A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=14824917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12199398A Withdrawn JPH11317321A (ja) | 1998-05-01 | 1998-05-01 | 積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11317321A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242827A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2008258468A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2015159140A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
| JP2016157904A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
| CN113053662A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电容器 |
| US11257627B2 (en) * | 2019-03-28 | 2022-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US20220139625A1 (en) * | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
-
1998
- 1998-05-01 JP JP12199398A patent/JPH11317321A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007242827A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2008258468A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP2015159140A (ja) * | 2014-02-21 | 2015-09-03 | 京セラ株式会社 | コンデンサ |
| JP2016157904A (ja) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | Tdk株式会社 | 積層コンデンサ |
| US11257627B2 (en) * | 2019-03-28 | 2022-02-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| CN113053662A (zh) * | 2019-12-27 | 2021-06-29 | 株式会社村田制作所 | 层叠陶瓷电容器 |
| US20220139625A1 (en) * | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor |
| US11923145B2 (en) * | 2020-11-02 | 2024-03-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer capacitor having improved reliability by adjusting grain size of dielectric layer |
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