JP4380145B2 - 導電ペースト及びセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、セラミック素子に外部電極が配設された構造を有するセラミック電子部品の製造方法及びそれに用いられる導電ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
例えば、代表的なセラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、複数の内部電極（例えばＮｉ電極）１がセラミック層２を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面３ａ，３ｂに引き出されたセラミック素子５に、内部電極１と導通するように一対の外部電極（例えばＣｕ電極）４ａ，４ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを製造する場合、外部電極（Ｃｕ電極）４ａ，４ｂは、通常、セラミック素子５に導電ペースト（Ｃｕペースト）を塗布し、焼き付けることにより形成されており、耐はんだくわれ性及びはんだ付き性を確保するため、さらにその上に電解めっき法などの方法によりＮｉめっき膜６を形成し、さらにその上に、Ｓｎめっき膜（又はＳｎ−Ｐｂめっき膜）７を形成するようにしている。
【０００４】
ところで、外部電極４ａ，４ｂの状態やめっき条件などによっては、めっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などが、外部電極４ａ，４ｂに形成された微細孔や微細な隙間などを通って、セラミック素子５の内部にまで浸入する場合がある。このようにセラミック素子５の内部にまでめっき液が浸入すると、内部電極１を構成するＮｉとセラミック素子５の接合部分の酸化物を還元してしまうことがある。そして、接合部分の酸化物が還元されてしまうと、セラミック素子５の内部に残留する応力が解放され、クラックが発生して、積層セラミックコンデンサの信頼性を著しく低下させるという問題点がある。
【０００５】
このような問題点を解決するための方法として、外部電極（Ｃｕ電極）を緻密にしてＮｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などがセラミック素子の内部にまで浸入しないようにする方法が考えられるが、外部電極が緻密になりすぎると、外部電極中に含まれるガラス成分（結合剤）が外部電極の表面に析出し、その上に形成されるＮｉめっき膜や、Ｓｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜が、外部電極の表面に均一に形成されなくなり、はんだ付き不良による実装不良を引き起こすという問題点がある。
【０００６】
また、比表面積が１．０〜２．０ｍ2／ｇのＣｕ粉末を導電成分とする導電性ペーストを用いて外部電極（Ｃｕ端子電極）を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、この特許文献１の方法においては、Ｃｕ粉末の形態はリン片状粉でもよく、またリン片状粉と球状粉との混合粉のいずれでもよいとされている。
【０００７】
しかし、特許文献１の方法は、形成された後の外部電極がめっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液が外部電極を通過して、セラミック素子の内部にまで浸入すること、及びそれによって内部電極とセラミック素子の接合部分の酸化物が還元されることによる上述のような弊害については考慮されておらず、めっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などが通過することのない外部電極を形成することは容易でないのが実情である。
【０００８】
【特許文献１】
特開平５−３１３３号公報
【０００９】
本願発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、ガラス成分（結合剤）が外部電極の表面に析出したり、めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したりすることを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法及びそれに用いられる導電ペーストを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、
セラミック素子に外部電極が配設された構造を有するセラミック電子部品を製造する方法であって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布する工程と、
導電ペーストが塗布されたセラミック素子を熱処理して、導電ペーストを焼き付けることにより、Ｃｕを主成分とする外部電極を形成する工程と、
前記外部電極上にめっき膜を形成する工程と、
を具備することを特徴としている。
【００１１】
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とをＣｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布して焼き付けることにより、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入などを引き起こすことのない信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
すなわち、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、フレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを配合したＣｕ粉末を用いることにより、外部電極の厚みを確保し、かつ、適度な緻密さを確保するとともに、耐めっき液浸透性を向上させることが可能になり、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができるようになる。
【００１２】
なお、フレーク状Ｃｕ粉末の比表面積Ｓを０．５〜０．９９ｍ2／ｇの範囲とするのが好ましいのは、比表面積Ｓが０．５ｍ2 ／ｇ未満になると、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出し、比表面積Ｓが０．９９ｍ2 ／ｇを超えると、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することによる。
【００１３】
また、フレーク状Ｃｕ粉末の長径Ｂを２１．１〜３２．８μmの範囲とすることが好ましいのは、長径Ｂを上記範囲とすることにより、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出すること、電極内部にボイドが発生すること、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することなどを防止できることによる。
【００１４】
また、フレーク状Ｃｕ粉末の厚みＴを０．９２〜１．５５μmの範囲とすることが好ましいのは、フレーク状Ｃｕ粉末の厚みＴが０．９２μm未満になると、電極の焼き付け後に、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入し、厚みＴが１．５５μmを超えると、焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出することによる。
【００１５】
また、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合を１０〜５０重量％の範囲としたのは、フレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０重量％未満になると、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出し、また、フレーク状Ｃｕ粉末の割合が５０重量％を超えると、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することによる。
【００１６】
また、請求項２のセラミック電子部品の製造方法は、前記外部電極上にめっき膜を形成する工程が、前記外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成する工程を備えたものであることを特徴としている。
【００１７】
外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにした場合、はんだ付き性に優れた外部電極を形成することが可能になるとともに、はんだ付け工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液がセラミック素子の内部にまで浸入することを防止して、信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することが可能になる。
【００１８】
また、請求項３のセラミック電子部品の製造方法は、前記セラミック素子が、セラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサ素子であって、前記卑金属内部電極と導通するように前記外部電極を形成することにより製造されるセラミック電子部品が積層セラミックコンデンサであることを特徴としている。
【００１９】
本願発明をセラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に適用した場合、積層セラミックコンデンサ素子の内部へのめっき液の浸入がなく、かつ、外部電極のはんだ付き性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを効率よくしかも低コストで製造することが可能になり特に有意義である。
【００２０】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、
セラミック素子に外部電極が配設され、前記外部電極表面にめっき膜が形成された構造を有するセラミック電子部品を製造する工程において、前記外部電極を形成するために用いられる導電ペーストであって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、
ガラス粉末と、
バインダーと、
有機溶剤と
を含有することを特徴としている。
【００２１】
本願発明（請求項４）の導電ペーストは、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有しているので、本願発明の導電ペーストを用いることにより、適度な緻密さを備え、かつ、ガラス成分（結合剤）の表面への析出がなく、めっき液のセラミック素子の内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができるようになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２３】
［実施形態１］
この実施形態１では、セラミック電子部品として、図１に示すように、複数の内部電極１がセラミック層２を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面３ａ，３ｂに引き出されたセラミック素子５に、内部電極１と導通するように外部電極４ａ，４ｂが配設され、さらに、耐はんだくわれ性及びはんだ付き性を確保するために、外部電極４ａ，４ｂの上にＮｉめっき膜６及びＳｎめっき膜７が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明する。
【００２４】
(１)まず、チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体粉末（セラミック粉末）と、バインダー、可塑材、溶剤を混合したスラリーをドクターブレード法などの方法で成形したセラミックグリーンシートの表面に内部電極となる導電ペーストを印刷して電極印刷シートを形成する。
なお、この実施形態１では、導電ペーストとしてＮｉ粉末を主たる導電成分とする卑金属導電ペーストを用いた。
(２)そして、この電極印刷シートと、導電ペーストの印刷されていないセラミックグリーンシート（上下両面側のカバーシート）を所定枚数積層し、圧着することにより、積層圧着体を形成する。
(３)それから、この積層圧着体を所定の位置でカットし、個々の未焼成のセラミック素子を切り出す。
(４)次に、この未焼成のセラミック素子を、窒素雰囲気中において脱バインダーした後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ雰囲気中、約１３００℃の温度条件で焼成することにより、セラミック素子（外部電極を形成する前の積層セラミックコンデンサ素子）を得る。
【００２５】
(５)次いで、Ｃｕ粉末、ガラス粉末、バインダー、及び有機溶剤を配合し、混練してなる導電ペーストを、ディッピング法などの方法によりセラミック素子（積層セラミックコンデンサ素子）に塗布した後、焼き付け炉にて約８５０℃で焼き付けを行い、外部電極（Ｃｕ厚膜電極）を形成する。
この実施形態１では、外部電極４ａ，４ｂを形成するための導電ペーストとして、平均粒径が約２μmの略球形状のＣｕ粉末と、表１に示すような比表面積Ｓ、長径Ｂ、厚みＴを有するフレーク状Ｃｕ粉末を、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が２０重量％となるように配合したＣｕ粉末と、ホウケイ酸亜鉛系のガラス粉末と、バインダー（この実施形態１ではアクリル系樹脂）、及び有機溶剤（この実施形態１ではエチレングリコールモノブチルエーテル系溶剤）を配合し、混練してなる導電ペーストを用いた。
また、この実施形態１で用いられているフレーク状Ｃｕ粉末は、球状のＣｕ粉末を扁平に押し潰すことにより製造されたものであって、表１に示すような比表面積を有するものが用いられている。
【００２６】
(６)それから、外部電極（Ｃｕ厚膜電極上）に電解めっきを施して、Ｎｉめっき膜を形成した後、Ｎｉめっき膜上にさらにＳｎめっき膜を形成することにより、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
この実施形態１で形成した外部電極の平均膜厚は約５０μm、Ｎｉめっき膜の膜厚は約２μm、Ｓｎめっき膜の膜厚は約３μmである。
【００２７】
それから、上述のようにして得た各試料（積層セラミックコンデンサ）について、めっき付き不良によるはんだ付き不良（実装不良）の発生率と、信頼性不良の発生率（７０℃，９５％ＲＨ，３０Ｖでの耐湿負荷試験における１０００ｈｒ経過後のショート不良の発生率）を調べた。その結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】
なお、表１において、試料番号に＊印を付したものは、本願発明の範囲外のものである。
【００３０】
表１に示すように、
比表面積Ｓ：０．５〜０．９９ｍ2／ｇ
長径Ｂ ：２１．１〜３２．８μm
厚みＴ ：０．９２〜１．５５μm
の要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末を用いた試料（試料番号８〜１３の試料）においては、焼き付けることにより形成された外部電極の表面にガラスの析出がなく、めっき付き性が良好で、それによるはんだ付き不良（実装不良）が発生せず、しかも、めっき液の浸入による信頼性不良の発生がないことが確認された。
【００３１】
これに対し、比表面積Ｓ、長径Ｂ、厚みＴのいずれかが上述の本願発明の要件を満たさない試料（試料番号１〜７，１４，１５の試料）については、はんだ付き不良（実装不良）あるいはめっき液の浸入による信頼性不良が発生することが確認された。
【００３２】
［実施形態２］
以下に説明する方法により、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを製造した。
【００３３】
(１)まず、チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体粉末（セラミック粉末）と、バインダー、可塑材、溶剤を混合したスラリーをドクターブレード法などの方法で成形したセラミックグリーンシートの表面に内部電極となる導電ペーストを印刷して電極印刷シートを形成する。
なお、この実施形態２でも、導電ペーストとしてＮｉ粉末を主たる導電成分とする卑金属導電ペーストを用いた。
(２)そして、この電極印刷シートと、導電ペーストの印刷されていないセラミックグリーンシート（上下両面側のカバーシート）を所定枚数積層し、圧着することにより、積層圧着体を形成する。
(３)それから、この積層圧着体を所定の位置でカットし、個々の未焼成のセラミック素子を切り出す。
(４)次に、この未焼成のセラミック素子を、窒素雰囲気中において脱バインダーした後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ雰囲気中、約１３００℃の温度条件で焼成することにより、セラミック素子（外部電極を形成する前の積層セラミックコンデンサ素子）を得る。
なお、このセラミック素子に別途Ｉｎ−Ｇａを塗布し、静電容量と絶縁抵抗を測定したところ、静電容量は１．０μＦ、絶縁抵抗は１０００ＭΩであった。
【００３４】
(５)次いで、セラミック素子にＣｕ粉末、ホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末、バインダー（アクリル系樹脂）、及び有機溶剤（エチレングリコールモノブチルエーテル系溶剤）を配合し、混練してなる導電ペーストを、ディッピング法などの方法により塗布した後、焼き付け炉にて、表２に示すようなそれぞれの温度条件で焼き付けを行い、外部電極（Ｃｕ厚膜電極）を形成する。
【００３５】
ただし、この実施形態２では、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、球形状Ｃｕ粉末を扁平に押し潰すことにより製造された、
比表面積Ｓ：０．６２ｍ2 ／ｇ
長径Ｂ ：３２．８μm
厚みＴ ：１．２１μm
のフレーク状Ｃｕ粉末を、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が表２に示すような各割合となるように球形状Ｃｕ粉末と配合してなるＣｕ粉末を用いた。
【００３６】
(６)それから、外部電極（Ｃｕ厚膜電極上）に電解めっきを施して、Ｎｉめっき膜を形成した後、Ｎｉめっき膜上にさらにＳｎめっき膜を形成することにより、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
なお、この実施形態２で形成した外部電極の平均膜厚は約５０μm、Ｎｉめっき膜の膜厚は約２μm、Ｓｎめっき膜の膜厚は約３μmである。
【００３７】
そして、この実施形態２で得た各試料（積層セラミックコンデンサ）について、めっき付き不良によるはんだ付き不良（実装不良）の発生率と、信頼性不良の発生率（７０℃，９５％ＲＨ，３０Ｖでの耐湿負荷試験における１０００ｈｒ経過後のショート不良の発生率）を調べた。その結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】
なお、表２において、試料番号に＊印を付したものは、本願発明の範囲外のものである。
表２に示すように、比表面積Ｓが０．６２ｍ2／ｇ、長径Ｂが３２．８μm、厚みＴが１．２１μmのフレーク状Ｃｕ粉末を１０〜５０重量％の割合で配合したＣｕ粉末を用いた導電ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極を形成した試料（試料番号２３〜２７の試料）においては、焼き付け後の外部電極の表面にガラスの析出がなく、めっき付き性が良好で、それによるはんだ付き不良（実装不良）が発生せず、しかも、めっき液の浸入による信頼性不良の発生がないことが確認された。
【００４０】
これに対し、フレーク状Ｃｕ粉末の配合割合が１０〜５０重量％の範囲を外れた試料（試料番号２１，２２，２８〜３０の試料）については、はんだ付き不良（実装不良）あるいはめっき液の浸入による信頼性不良が発生することが確認された。
【００４１】
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本願発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層セラミックバリスタ、積層ＬＣ複合部品、多層回路基板その他の種々のセラミック電子部品を製造する場合に適用することが可能であり、その場合にも上記実施形態１及び２の場合と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
また、上記実施形態では、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜を形成するようにしているが、Ｓｎめっき膜の代わりにＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにしてもよい。
【００４３】
また、本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、セラミック素子を構成するセラミックの種類、内部電極の構成材料などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布して焼き付けた後、外部電極上にめっき膜を形成するようにしているので、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入などを引き起こすことのない信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することができる。
すなわち、本発明においては、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、フレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを配合したＣｕ粉末を用いるようにしているので、耐めっき液浸透性に優れ、めっき液のセラミック素子内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することが可能になる。
【００４５】
また、請求項２のセラミック電子部品の製造方法のように、外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにした場合、はんだ付き性に優れた外部電極を形成することが可能になるとともに、はんだ付け工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液がセラミック素子の内部にまで浸入することを防止して、信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することができる。
【００４６】
また、請求項３のセラミック電子部品の製造方法のように、本願発明をセラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に適用した場合、積層セラミックコンデンサ素子の内部へのめっき液の浸入がなく、かつ、外部電極のはんだ付き性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを効率よくしかも低コストで製造することが可能になり特に有意義である。
【００４７】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有しているので、本願発明の導電ペーストを用いることにより、適度な緻密さを備え、かつ、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子の内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の一実施形態にかかる方法により製造される積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 内部電極
２ セラミック層
３ａ，３ｂ 端面
４ａ，４ｂ 外部電極
５ セラミック素子
６ Ｎｉめっき膜
７ Ｓｎめっき膜
【発明の属する技術分野】
本願発明は、セラミック素子に外部電極が配設された構造を有するセラミック電子部品の製造方法及びそれに用いられる導電ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
例えば、代表的なセラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサは、図１に示すように、複数の内部電極（例えばＮｉ電極）１がセラミック層２を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面３ａ，３ｂに引き出されたセラミック素子５に、内部電極１と導通するように一対の外部電極（例えばＣｕ電極）４ａ，４ｂが配設された構造を有している。
【０００３】
図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを製造する場合、外部電極（Ｃｕ電極）４ａ，４ｂは、通常、セラミック素子５に導電ペースト（Ｃｕペースト）を塗布し、焼き付けることにより形成されており、耐はんだくわれ性及びはんだ付き性を確保するため、さらにその上に電解めっき法などの方法によりＮｉめっき膜６を形成し、さらにその上に、Ｓｎめっき膜（又はＳｎ−Ｐｂめっき膜）７を形成するようにしている。
【０００４】
ところで、外部電極４ａ，４ｂの状態やめっき条件などによっては、めっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などが、外部電極４ａ，４ｂに形成された微細孔や微細な隙間などを通って、セラミック素子５の内部にまで浸入する場合がある。このようにセラミック素子５の内部にまでめっき液が浸入すると、内部電極１を構成するＮｉとセラミック素子５の接合部分の酸化物を還元してしまうことがある。そして、接合部分の酸化物が還元されてしまうと、セラミック素子５の内部に残留する応力が解放され、クラックが発生して、積層セラミックコンデンサの信頼性を著しく低下させるという問題点がある。
【０００５】
このような問題点を解決するための方法として、外部電極（Ｃｕ電極）を緻密にしてＮｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などがセラミック素子の内部にまで浸入しないようにする方法が考えられるが、外部電極が緻密になりすぎると、外部電極中に含まれるガラス成分（結合剤）が外部電極の表面に析出し、その上に形成されるＮｉめっき膜や、Ｓｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜が、外部電極の表面に均一に形成されなくなり、はんだ付き不良による実装不良を引き起こすという問題点がある。
【０００６】
また、比表面積が１．０〜２．０ｍ2／ｇのＣｕ粉末を導電成分とする導電性ペーストを用いて外部電極（Ｃｕ端子電極）を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、この特許文献１の方法においては、Ｃｕ粉末の形態はリン片状粉でもよく、またリン片状粉と球状粉との混合粉のいずれでもよいとされている。
【０００７】
しかし、特許文献１の方法は、形成された後の外部電極がめっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液が外部電極を通過して、セラミック素子の内部にまで浸入すること、及びそれによって内部電極とセラミック素子の接合部分の酸化物が還元されることによる上述のような弊害については考慮されておらず、めっき工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液などが通過することのない外部電極を形成することは容易でないのが実情である。
【０００８】
【特許文献１】
特開平５−３１３３号公報
【０００９】
本願発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、ガラス成分（結合剤）が外部電極の表面に析出したり、めっき液が外部電極を通過してセラミック素子の内部に浸入したりすることを防止することが可能で、信頼性の高いセラミック電子部品を製造するためのセラミック電子部品の製造方法及びそれに用いられる導電ペーストを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、
セラミック素子に外部電極が配設された構造を有するセラミック電子部品を製造する方法であって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布する工程と、
導電ペーストが塗布されたセラミック素子を熱処理して、導電ペーストを焼き付けることにより、Ｃｕを主成分とする外部電極を形成する工程と、
前記外部電極上にめっき膜を形成する工程と、
を具備することを特徴としている。
【００１１】
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とをＣｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布して焼き付けることにより、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入などを引き起こすことのない信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することが可能になる。
すなわち、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、フレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを配合したＣｕ粉末を用いることにより、外部電極の厚みを確保し、かつ、適度な緻密さを確保するとともに、耐めっき液浸透性を向上させることが可能になり、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができるようになる。
【００１２】
なお、フレーク状Ｃｕ粉末の比表面積Ｓを０．５〜０．９９ｍ2／ｇの範囲とするのが好ましいのは、比表面積Ｓが０．５ｍ2 ／ｇ未満になると、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出し、比表面積Ｓが０．９９ｍ2 ／ｇを超えると、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することによる。
【００１３】
また、フレーク状Ｃｕ粉末の長径Ｂを２１．１〜３２．８μmの範囲とすることが好ましいのは、長径Ｂを上記範囲とすることにより、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出すること、電極内部にボイドが発生すること、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することなどを防止できることによる。
【００１４】
また、フレーク状Ｃｕ粉末の厚みＴを０．９２〜１．５５μmの範囲とすることが好ましいのは、フレーク状Ｃｕ粉末の厚みＴが０．９２μm未満になると、電極の焼き付け後に、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入し、厚みＴが１．５５μmを超えると、焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出することによる。
【００１５】
また、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合を１０〜５０重量％の範囲としたのは、フレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０重量％未満になると、電極の焼き付け後にガラス成分が電極表面に析出し、また、フレーク状Ｃｕ粉末の割合が５０重量％を超えると、電極の内部にボイドが発生し、めっき液がセラミック素子の内部に浸入することによる。
【００１６】
また、請求項２のセラミック電子部品の製造方法は、前記外部電極上にめっき膜を形成する工程が、前記外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成する工程を備えたものであることを特徴としている。
【００１７】
外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにした場合、はんだ付き性に優れた外部電極を形成することが可能になるとともに、はんだ付け工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液がセラミック素子の内部にまで浸入することを防止して、信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することが可能になる。
【００１８】
また、請求項３のセラミック電子部品の製造方法は、前記セラミック素子が、セラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサ素子であって、前記卑金属内部電極と導通するように前記外部電極を形成することにより製造されるセラミック電子部品が積層セラミックコンデンサであることを特徴としている。
【００１９】
本願発明をセラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に適用した場合、積層セラミックコンデンサ素子の内部へのめっき液の浸入がなく、かつ、外部電極のはんだ付き性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを効率よくしかも低コストで製造することが可能になり特に有意義である。
【００２０】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、
セラミック素子に外部電極が配設され、前記外部電極表面にめっき膜が形成された構造を有するセラミック電子部品を製造する工程において、前記外部電極を形成するために用いられる導電ペーストであって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、
ガラス粉末と、
バインダーと、
有機溶剤と
を含有することを特徴としている。
【００２１】
本願発明（請求項４）の導電ペーストは、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有しているので、本願発明の導電ペーストを用いることにより、適度な緻密さを備え、かつ、ガラス成分（結合剤）の表面への析出がなく、めっき液のセラミック素子の内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができるようになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態を示して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２３】
［実施形態１］
この実施形態１では、セラミック電子部品として、図１に示すように、複数の内部電極１がセラミック層２を介して互いに対向するように配設され、かつ、交互に逆側の端面３ａ，３ｂに引き出されたセラミック素子５に、内部電極１と導通するように外部電極４ａ，４ｂが配設され、さらに、耐はんだくわれ性及びはんだ付き性を確保するために、外部電極４ａ，４ｂの上にＮｉめっき膜６及びＳｎめっき膜７が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサを製造する場合を例にとって説明する。
【００２４】
(１)まず、チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体粉末（セラミック粉末）と、バインダー、可塑材、溶剤を混合したスラリーをドクターブレード法などの方法で成形したセラミックグリーンシートの表面に内部電極となる導電ペーストを印刷して電極印刷シートを形成する。
なお、この実施形態１では、導電ペーストとしてＮｉ粉末を主たる導電成分とする卑金属導電ペーストを用いた。
(２)そして、この電極印刷シートと、導電ペーストの印刷されていないセラミックグリーンシート（上下両面側のカバーシート）を所定枚数積層し、圧着することにより、積層圧着体を形成する。
(３)それから、この積層圧着体を所定の位置でカットし、個々の未焼成のセラミック素子を切り出す。
(４)次に、この未焼成のセラミック素子を、窒素雰囲気中において脱バインダーした後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ雰囲気中、約１３００℃の温度条件で焼成することにより、セラミック素子（外部電極を形成する前の積層セラミックコンデンサ素子）を得る。
【００２５】
(５)次いで、Ｃｕ粉末、ガラス粉末、バインダー、及び有機溶剤を配合し、混練してなる導電ペーストを、ディッピング法などの方法によりセラミック素子（積層セラミックコンデンサ素子）に塗布した後、焼き付け炉にて約８５０℃で焼き付けを行い、外部電極（Ｃｕ厚膜電極）を形成する。
この実施形態１では、外部電極４ａ，４ｂを形成するための導電ペーストとして、平均粒径が約２μmの略球形状のＣｕ粉末と、表１に示すような比表面積Ｓ、長径Ｂ、厚みＴを有するフレーク状Ｃｕ粉末を、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が２０重量％となるように配合したＣｕ粉末と、ホウケイ酸亜鉛系のガラス粉末と、バインダー（この実施形態１ではアクリル系樹脂）、及び有機溶剤（この実施形態１ではエチレングリコールモノブチルエーテル系溶剤）を配合し、混練してなる導電ペーストを用いた。
また、この実施形態１で用いられているフレーク状Ｃｕ粉末は、球状のＣｕ粉末を扁平に押し潰すことにより製造されたものであって、表１に示すような比表面積を有するものが用いられている。
【００２６】
(６)それから、外部電極（Ｃｕ厚膜電極上）に電解めっきを施して、Ｎｉめっき膜を形成した後、Ｎｉめっき膜上にさらにＳｎめっき膜を形成することにより、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
この実施形態１で形成した外部電極の平均膜厚は約５０μm、Ｎｉめっき膜の膜厚は約２μm、Ｓｎめっき膜の膜厚は約３μmである。
【００２７】
それから、上述のようにして得た各試料（積層セラミックコンデンサ）について、めっき付き不良によるはんだ付き不良（実装不良）の発生率と、信頼性不良の発生率（７０℃，９５％ＲＨ，３０Ｖでの耐湿負荷試験における１０００ｈｒ経過後のショート不良の発生率）を調べた。その結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
なお、表１において、試料番号に＊印を付したものは、本願発明の範囲外のものである。
【００３０】
表１に示すように、
比表面積Ｓ：０．５〜０．９９ｍ2／ｇ
長径Ｂ ：２１．１〜３２．８μm
厚みＴ ：０．９２〜１．５５μm
の要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末を用いた試料（試料番号８〜１３の試料）においては、焼き付けることにより形成された外部電極の表面にガラスの析出がなく、めっき付き性が良好で、それによるはんだ付き不良（実装不良）が発生せず、しかも、めっき液の浸入による信頼性不良の発生がないことが確認された。
【００３１】
これに対し、比表面積Ｓ、長径Ｂ、厚みＴのいずれかが上述の本願発明の要件を満たさない試料（試料番号１〜７，１４，１５の試料）については、はんだ付き不良（実装不良）あるいはめっき液の浸入による信頼性不良が発生することが確認された。
【００３２】
［実施形態２］
以下に説明する方法により、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを製造した。
【００３３】
(１)まず、チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体粉末（セラミック粉末）と、バインダー、可塑材、溶剤を混合したスラリーをドクターブレード法などの方法で成形したセラミックグリーンシートの表面に内部電極となる導電ペーストを印刷して電極印刷シートを形成する。
なお、この実施形態２でも、導電ペーストとしてＮｉ粉末を主たる導電成分とする卑金属導電ペーストを用いた。
(２)そして、この電極印刷シートと、導電ペーストの印刷されていないセラミックグリーンシート（上下両面側のカバーシート）を所定枚数積層し、圧着することにより、積層圧着体を形成する。
(３)それから、この積層圧着体を所定の位置でカットし、個々の未焼成のセラミック素子を切り出す。
(４)次に、この未焼成のセラミック素子を、窒素雰囲気中において脱バインダーした後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏ雰囲気中、約１３００℃の温度条件で焼成することにより、セラミック素子（外部電極を形成する前の積層セラミックコンデンサ素子）を得る。
なお、このセラミック素子に別途Ｉｎ−Ｇａを塗布し、静電容量と絶縁抵抗を測定したところ、静電容量は１．０μＦ、絶縁抵抗は１０００ＭΩであった。
【００３４】
(５)次いで、セラミック素子にＣｕ粉末、ホウケイ酸亜鉛系ガラス粉末、バインダー（アクリル系樹脂）、及び有機溶剤（エチレングリコールモノブチルエーテル系溶剤）を配合し、混練してなる導電ペーストを、ディッピング法などの方法により塗布した後、焼き付け炉にて、表２に示すようなそれぞれの温度条件で焼き付けを行い、外部電極（Ｃｕ厚膜電極）を形成する。
【００３５】
ただし、この実施形態２では、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、球形状Ｃｕ粉末を扁平に押し潰すことにより製造された、
比表面積Ｓ：０．６２ｍ2 ／ｇ
長径Ｂ ：３２．８μm
厚みＴ ：１．２１μm
のフレーク状Ｃｕ粉末を、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が表２に示すような各割合となるように球形状Ｃｕ粉末と配合してなるＣｕ粉末を用いた。
【００３６】
(６)それから、外部電極（Ｃｕ厚膜電極上）に電解めっきを施して、Ｎｉめっき膜を形成した後、Ｎｉめっき膜上にさらにＳｎめっき膜を形成することにより、図１に示すような構造を有する積層セラミックコンデンサを得た。
なお、この実施形態２で形成した外部電極の平均膜厚は約５０μm、Ｎｉめっき膜の膜厚は約２μm、Ｓｎめっき膜の膜厚は約３μmである。
【００３７】
そして、この実施形態２で得た各試料（積層セラミックコンデンサ）について、めっき付き不良によるはんだ付き不良（実装不良）の発生率と、信頼性不良の発生率（７０℃，９５％ＲＨ，３０Ｖでの耐湿負荷試験における１０００ｈｒ経過後のショート不良の発生率）を調べた。その結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
なお、表２において、試料番号に＊印を付したものは、本願発明の範囲外のものである。
表２に示すように、比表面積Ｓが０．６２ｍ2／ｇ、長径Ｂが３２．８μm、厚みＴが１．２１μmのフレーク状Ｃｕ粉末を１０〜５０重量％の割合で配合したＣｕ粉末を用いた導電ペーストを塗布して焼き付けることにより外部電極を形成した試料（試料番号２３〜２７の試料）においては、焼き付け後の外部電極の表面にガラスの析出がなく、めっき付き性が良好で、それによるはんだ付き不良（実装不良）が発生せず、しかも、めっき液の浸入による信頼性不良の発生がないことが確認された。
【００４０】
これに対し、フレーク状Ｃｕ粉末の配合割合が１０〜５０重量％の範囲を外れた試料（試料番号２１，２２，２８〜３０の試料）については、はんだ付き不良（実装不良）あるいはめっき液の浸入による信頼性不良が発生することが確認された。
【００４１】
なお、上記実施形態では、積層セラミックコンデンサを例にとって説明したが、本願発明は、積層セラミックコンデンサに限らず、積層セラミックバリスタ、積層ＬＣ複合部品、多層回路基板その他の種々のセラミック電子部品を製造する場合に適用することが可能であり、その場合にも上記実施形態１及び２の場合と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
また、上記実施形態では、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜を形成するようにしているが、Ｓｎめっき膜の代わりにＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにしてもよい。
【００４３】
また、本願発明は、さらにその他の点においても上記実施形態に限定されるものではなく、セラミック素子を構成するセラミックの種類、内部電極の構成材料などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
上述のように、本願発明（請求項１）のセラミック電子部品の製造方法は、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布して焼き付けた後、外部電極上にめっき膜を形成するようにしているので、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子内部への浸入などを引き起こすことのない信頼性の高いセラミック電子部品を効率よく製造することができる。
すなわち、本発明においては、導電ペーストを構成するＣｕ粉末として、フレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを配合したＣｕ粉末を用いるようにしているので、耐めっき液浸透性に優れ、めっき液のセラミック素子内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することが可能になる。
【００４５】
また、請求項２のセラミック電子部品の製造方法のように、外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成するようにした場合、はんだ付き性に優れた外部電極を形成することが可能になるとともに、はんだ付け工程で、Ｎｉめっき液や、Ｓｎめっき液又はＳｎ−Ｐｂめっき液がセラミック素子の内部にまで浸入することを防止して、信頼性の高いセラミック電子部品を確実に製造することができる。
【００４６】
また、請求項３のセラミック電子部品の製造方法のように、本願発明をセラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサの製造方法に適用した場合、積層セラミックコンデンサ素子の内部へのめっき液の浸入がなく、かつ、外部電極のはんだ付き性に優れた信頼性の高い積層セラミックコンデンサを効率よくしかも低コストで製造することが可能になり特に有意義である。
【００４７】
また、本願発明（請求項４）の導電ペーストは、比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有しているので、本願発明の導電ペーストを用いることにより、適度な緻密さを備え、かつ、ガラス成分（結合剤）の表面への析出や、めっき液のセラミック素子の内部への浸入を防止することが可能な外部電極を効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の一実施形態にかかる方法により製造される積層セラミック電子部品（積層セラミックコンデンサ）の例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 内部電極
２ セラミック層
３ａ，３ｂ 端面
４ａ，４ｂ 外部電極
５ セラミック素子
６ Ｎｉめっき膜
７ Ｓｎめっき膜
Claims (4)
- セラミック素子に外部電極が配設された構造を有するセラミック電子部品を製造する方法であって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、ガラス粉末と、バインダーと、有機溶剤とを含有する導電ペーストをセラミック素子の所定の領域に塗布する工程と、
導電ペーストが塗布されたセラミック素子を熱処理して、導電ペーストを焼き付けることにより、Ｃｕを主成分とする外部電極を形成する工程と、
前記外部電極上にめっき膜を形成する工程と、
を具備することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。 - 前記外部電極上にめっき膜を形成する工程が、前記外部電極上にＮｉめっき膜を形成し、さらに該Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜又はＳｎ−Ｐｂめっき膜を形成する工程を備えたものであることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品の製造方法。
- 前記セラミック素子が、セラミック中にＮｉを主成分とする卑金属内部電極が配設された構造を有する積層セラミックコンデンサ素子であって、前記卑金属内部電極と導通するように前記外部電極を形成することにより製造されるセラミック電子部品が積層セラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック電子部品の製造方法。
- セラミック素子に外部電極が配設され、前記外部電極表面にめっき膜が形成された構造を有するセラミック電子部品を製造する工程において、前記外部電極を形成するために用いられる導電ペーストであって、
比表面積Ｓが０．５〜０．９９ｍ2／ｇ、長径Ｂが２１．１〜３２．８μm、厚みＴが０．９２〜１．５５μmの要件を満たすフレーク状Ｃｕ粉末と、球形状Ｃｕ粉末とを、Ｃｕ粉末全体に対するフレーク状Ｃｕ粉末の割合が１０〜５０重量％の割合となるように配合したＣｕ粉末を主成分とする金属粉末と、
ガラス粉末と、
バインダーと、
有機溶剤と
を含有することを特徴とする導電ペースト。
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| JP2004172383A (ja) | 2004-06-17 |
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