JPH01315903A

JPH01315903A - 導電性ペーストおよびチップ部品

Info

Publication number: JPH01315903A
Application number: JP63146520A
Authority: JP
Inventors: Akio Okamura; 岡村　昭雄; Hiroshi Harada; 拓原田; Takeshi Nomura; 武史野村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-06-14
Filing date: 1988-06-14
Publication date: 1989-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、導電性ペーストおよびこの導電性ペーストを
用いて形成される導体層を有するチップ部品に関し、特
に積層セラミックコンデンサ、積層セラミックインダク
タ、積層セラミックＬＣ部品に関する。

〈従来の技術〉積層セラミックコンデンサ、積層セラミックインダクタ
およびこれらを一体化した積層セラミックＬＣ部品等の
チップ部品用の外部電極、内部電極あるいは内部導体用
ペーストには、従来、導電性材料として球状もしくは球
に類した形状の導電性無機物粒子が用いられている。

〈発明が解決しようとする課題〉このような球状粒子より作られた導電性ペーストを用い
てチップ部品を作製した場合、チップ部品のセラミック
素体（コンデンサの誘電体、インダクタの磁性体等）に
比べ導電性材料の焼結性が高いため、内部電極あるいは
内部導体を形成した場合には連続性が不十分で被覆率の
状態が悪い電極面あるいは導体面が形成され、例えば、
インピーダンスや等価直列抵抗（ＥＳＲ）等の電気的な
特性の劣化がしばしば発生ずる。　また、外部電極を形
成した場合には、焼結に伴う体積収縮が大きいため、焼
成の過程で外部電極のクラックが発生し易い。

そこで、球状の導電性粒子に替えて鱗片状の導電性粒子
を用いることも考えられるが、この場合、導電性粒子の
焼結性が悪化し、また、焼結性に異方性を生じることか
ら、例えば、外部電極を形成した場合には機械的強度が
低下し易い。

本発明の目的は、良好な電気特性を有する導体層を有す
るチップ部品、特にクラックがなく、機械的強度の高い
外部電極を有する積層セラミックコンデンサ、積層セラ
ミックイングククおよび積層セラミックＬＣ部品と、こ
のようなチップ部品を実現する導電性ペーストを提供す
ることにある。

〈課題を解決するための手段〉このような目的は下記の本発明によって達成される。

すなわち、本発明は、球状の導電性粒子と鱗片状の導電
性粒子とを含有することを特徴とする導電性ペーストで
ある。

以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明において球状の導電性粒子とは、球状あるいは球
に類する形状の導電性粒子であるが、好ましくは粒子の
長径を短径で除した値、すなわち、アスペクト比が２未
満であることが好ましい。

また、本発明において鱗片状の導電性粒子とは、好まし
くはアスペクト比が２以上、さらに好ましくは３以上の
導電性粒子である。

この場合のアスペクト比とは、好ましくは下記の方法に
より測定される。

すなわち、電子顕微鏡により撮影された写真から導電性
粒子の長径および短径を測定し、これらから無作為に抽
出して各粒子のアスペクト比を求め、次いで各粒子のア
スペクト比の相加平均を求める。　この場合、測定する
粒子数は、１００個以上であることが好ましい。　また
、この場合、ペースト中に分散された粒子について測定
してもよい。

本発明では、鱗片状の導電性粒子の含有量が、球状の導
電性粒子および鱗片状の導電性粒子の含有量の合計に対
し４０〜７０ｗｔ％であることが好ましい。

この値が７０ｗｔ％を超えると導電性粒子の焼結性が低
くなり過ぎるため、外部電極を形成した場合は強度が低
下し易い。　また、この値が４０ｗｔ％未満となるとチ
ップ部品のセラミック素体（コンデンサの誘電体、イン
ダクタの磁性体等）に比べ導電性ペーストの焼結性が高
くなり過ぎるため、外部電極を形成した場合にはクラッ
クが発生し易い。

なお、この値が５０〜６０ｗｔ％であると、さらに好ま
しい結果を得る。

球状の導電性粒子の平均粒径は、０．１〜５０μｍであ
ることが好ましい。

平均粒径が５０μｍを超えると焼結性が悪くなり、０１
μｍ未満であると、導電性粒子を構成する材料のセラミ
ック素体への拡散が起こり易くなる。

なお、球状の導電性粒子の平均粒径が０１〜１０μｍで
あると、より好ましい結果を得る。

また、鱗片状の導電性粒子の平均粒径は０５〜２００μ
ｍであることが好ましい。

平均粒径が２００μｍをこえると、ペーストの印刷性が
悪（なり、特にスクリーン印刷法を用いる場合、印刷ス
クリーン上に導電性無機物粒子が残存し易くなり、スク
リーンメツシュの目詰りを起こし易くなり、生産性が低
下する。

平均粒径が０．５μｍ未満では、焼結性が高くなり、鱗
片状の粒子を用いる意味がな（なる。

なお、本発明における平均粒径は、下記■〜■のように
定義される。

■電子顕微鏡写真から測定した粒子の主面の最大径と最
小径との平均。

■粒子に窒素ガスを物理吸着させて粒子の表面積を測定
し、これから平均粒径を求めるいわゆるＢＥＴ法。

■例えば、フランホーファ回折あるいはミー散乱の散乱
角を測定して粒度分布を求めたり、あるいは、レーり散
乱によって生じたドツプラーシフトによる波数の変化を
光子相関法により遅れ時間を測定することによって算出
して粒度分布を求め、この粒度分布から平均粒径を算出
する光散乱法。

■電界溶液中に粒子を分散し、この粒子が細孔（オリフ
ィス）を通過する際に生じ、る電気抵抗変化を測定する
ことによって、粒子の数、体積、直径を測定する電気抵
抗法。

このＪ：つな導電性粒子の材質としては、導電性の無機
材質であるならば特に制限はないが、特に金属または焼
成後に金属となる酸化物であることが好ましい。

このような場合、上記における金属成分としては、Ａｇ
、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎ’ｉおよびＣｕのうちの１種以
上を含む金属単体ないし合金であることが好ましい。

このような場合、後に詳述する積層セラミックコンデン
サや積層セラミックＬＣ部品のコンデンサの外部電極用
としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃｕの１種ないし
２種以上の単体ないし合金、特にＡｇまたはＡｇ−Ｐｄ
の合金が好適である。

また、積層セラミックイングクタや積層セラミックＬ　
Ｃ部品のインダクタの外部電極用としては、Ｐｄ、Ａｇ
、Ｃｕの１種ないし２種以上の単体ないし合金、特にＡ
ｇまたはＡｇ−Ｐｄの合金が好適である。

鱗片状の導電性粒子を得るには、通常、市販の球状粒子
をボールミルやアトライター等によって粉砕処理すれば
よい。

本発明では、鱗片状の導電性粒子を含有する導電性ペー
ストを用いる結果、焼結後のクラックの発生を防止でき
る。

また、本発明の導電性ペーストは、鱗片状の導電性粒子
に加え球状の導電性粒子を含有するため、導電性ペース
トの焼結性を自在に調整できる。　そのため、特に、積
層セラミックコンデンサ、積層セラミックイングクタ、
積層セラミックＬＣ部品の外部電極として用いた場合、
セラミック素体との焼結性の差によって生しるクラック
を防止できる他、焼結性の低下し過ぎによる強度不足の
問題も生しない。

本発明の導電性ペースト中に含有される鱗片状の導電性
粒子および球状の導電性粒子の総量ｉ：ｊ：　４０〜８
０ｗｔ％程度であることが好ましい。

導電性ベース１〜中には、ガラスフリットが含有される
ことが好ましい。　ガラスフリットとしては、平均粒径
１０〜５０μｍ程度のポウケイ酸ガラスを用いることが
好ましく、ペースト中の含有量は２〜２０ｗｔ％程度で
あることが好ましい。

ガラスフリラットを含有するペーストを用いることにＪ
：す、外部電極とした場合に接着性が向上する。

本発明の導電性ペーストは、これらの導電性粒子に加え
、通常、バインダーおよび溶剤を含有する。

バインダーとしては、例えばエチルセルロース、アクリ
ル樹脂、ブヂラール樹脂等公知のものはいずれも使用可
能である。

バイングー含有量は２〜５ｗｔ％程度であることが好ま
しい。

溶剤としては、例えばテルピネオール、ブヂルカルビ１
ヘール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能であ
る。

溶剤含有量は２０〜５０ｗｔ％程度とすることが好まし
い。　この他、総計１０ｗｔ％程度以下の範囲で、必要
に応じ、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸
エステル等の分散剤や、シオクヂルフタレート、ジブチ
ルツクレート、ブチルフタリルグリコール酸ブチル等の
可塑剤や、デラミ防止、焼結抑制等の目的で、誘電体、
磁性体、絶縁体等の各種セラミック粉体等を添加するこ
ともてきる。

このような本発明の導電性ペーストＣＪ、スクリーン印
刷法等により塗布されたのち焼成されて、各種チップ部
品の導体層とされる。

焼成温度は材質に応じた公知の温度で行えばよい。　ま
た焼成雰囲気はＮｉ、Ｃｕ等においては非酸化性とする
が、他は空気中等で行えばよい。

適用可能なチップ部品についても公知の種々のものであ
ってよく、その導体層も種々のものであってよい。

これらのうち、積層セラミックコンデンサ、積層セラミ
ックインダクタ、積層セラミックＬ　Ｃ部品等に用いる
と好適である。

第１図に、本発明を積層セラミックコンデンサに適用し
た例が示される。

本発明による積層セラミックコンデンサ１は、従来のも
のと同様、内部電極２１．２５と誘電体層３を交互に積
層し、各内部電極２１゜２５に導通ずるように一対の外
部電極４１゜４５を設けて形成される。

そして、この外部電極４１．４５に、本発明の導電性ペ
ーストを用いればよい。

誘電体層３を構成する材質としては種々の誘電材料を用
いてよいが、酸化チタン系およびチタン酸系複合酸化物
あるいはこれらの混合物が好ましい。　酸化チタン系と
しては、必要に応しＮｉｐ、ＣｕＯｌＭｎ　３０４、Ａρ２０３
、Ｍ　ｇ　Ｏ、Ｓ　］、　０２を含むＴｉＯ２等、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ３、Ｓ　ｒ　Ｔ　ｉ　Ｏｓ、ＣａＴ　ｉ　Ｏ
３、Ｍ　ｇ　Ｔ　ｉ　０３やこれらの混合物等が挙げら
れる。

誘電体層３の積層数は目的に応じて定めればよいが、通
常は１〜１００程度とする。　−層あたりの厚さは通常
１０〜１５０ＬＬｍ程度とする。

また、内部電極２１．２５の厚さは、通常１〜２０μｍ
、特に１〜１５４ｚｍ程度とする。

外部電極４１．４５の厚さは、通常２０〜３００μｍ程
度とする。

このような積層セラミックコンデンサ１は、従来公知の
グリーンシート法や印刷法により製造される。　　また
、その大きさ等は、目的に応じ選定すればよい。

このような積層セラミックコンデンサ１は、本発明の導
電性ペーストと同様にして、誘電体のペーストを作製し
、これと内部電極用導電性ペーストとを積層したのち、
例えば８００〜１４００°Ｃにて同時焼成すればよい。

第２図に、本発明を積層セラミックインダクタ１０に適
用した場合の１例を示す。　本発明による積層セラミッ
クインダクタ１０は、従来のものと同様、内部巻線５、
磁性層６および一対の外部電極４１．４５を有する。

積層セラミックインダクタ１０の外部電極４１．４５ば
、前記の導電性ペーストから形成される。

積層セラミックインダクタ１０の磁性層６の材質として
は、スピネル構造を有する各種スピネルソフトフェライ
トを用いることができるが、焼成温度の関係てＮ　１−
Ｃｕ系のフェライ）・を用いることが好ましい。

Ｎ　１−Ｃｕ系のフェライトは、低温焼成材料゛であり
、このような磁性層を用いたとき、本発明の積層チップ
イングククは焼成時液相の生成が無く、しかも電気抵抗
の点て、より優れたものとなる。

低温焼成可能なフェライトとしては、Ｎｉ−Ｃｕフェラ
イトの他、Ｎ　ｉ　−Ｚ　ｎフェライト、Ｎ　ｉ−Ｃｕ
　−Ｚ　ｎフェライト等がある。　この場合、Ｎｉの含
有量は、ＮｉＯに換算して４５〜５５ｍｏ１２％が好ま
しく、このＮｉの一部をＣｕおよび／またはＺｎが４０
ｍｏ１％程度以下置換してもよい。

この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５ｗｔ％程度以下含有さ
れていてもよい。　さらにＣａ、Ｓｌ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ
等が１ｗｔ％程度以下含有されていてもよい。

このような、フェライト系の磁性層６は、本発明の導電
性ペーストと６００〜１０００　’Ｃ１特に８００〜１
０００°Ｃの焼成温度にて同時焼成可能である。

積層セラミックインダクタ１０は、従来公知の構造とす
ればよく、外形は通常はぼ直方体状の形状とする。　そ
して第２図に示されるように、内部巻線５は磁性層６内
にて、通常スパイラル状に配置され、その両端部は各外
部電極４１．４５に接続されている。

このような場合、内部巻線５の巻線パターン、すなわち
閉磁路形状は種々のパターンとすることができ、またそ
の巻数も用途に応じ適宜選択すればよい。　また、積層
セラミックイングクク１０の各種寸法等には制限はなく
、用途に応じ適宜選択ずればよい。

なお、内部巻線５の厚さは、通常５〜３０μｍ　’　ｆ
！ｉｊ度、また、巻線ピッチは通常４０〜１００μｍ程
度とする。　外部電極４１．４５の厚さは通常５０〜５
００μｍとする。

また、外部電極４１．４５の形成方法としては、転写法
を用いることが好ましい。

なお、外部電極４１．４５は、単独の電極層から形成さ
れてもよいが、電極層の上に被覆層を設けた多層構造と
することが好ましい。　被覆層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎあ
るいはハング等から形成されることが好ましい。　この
ような被覆層は、ハング付けの際のハング濡れ性、ハン
タ゛耐熱性を向上させる。

このような積層セラミックインダクタ１０を製造するに
は従来公知の印刷法を用いればよい。

フェライトペーストは、次のようにして作製する。

まず、所定量のＮｉ０１ＺｎＯ，ＣｕＯ１１’　ｅ　２
０３等のフェライト原料粉末を所定量ボールミル等によ
り湿式混合する。　用いる各粉末の粒径は０．１〜１０
μｍ程度とする。

こうして湿式混合したものを、通常スプレードライヤー
により乾燥し、その後仮焼する。

これを通常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．１
１１ｍ程度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードラ
イヤーにより乾燥する。

得られた混合フェライト粉末をエヂルセルロース等のバ
イングーとテルピネオール、ブヂルカルビト−ル等の溶
媒中に溶かしてペーストとする。

なお、ペースト中には各種ガラスや酸化物を含有させる
ことができる。

このような積層セラミックインダクク１０は、外部電極
４１．４５にハング付等を行なうことにより、プリント
基板上等に搭載され、各種電子機器等に使用される。

以上では、積層セラミックイングクタを例にとり本発明
を説明したが、積層セラミックトランスの場合も本質的
に同様であり、用いる各種材料および製造工程に違いは
ない。

第３図に、本発明を積層セラミックＬＣ部品に適用した
１例を示す。

第３図のＬＣ複合部品１００は、積層セラミックインダ
クタ１０と積層セラミックコンデンサ１とを一体化した
ものである。　インダクタ１０は、所定のパターンに形
成した内部巻線５を介在させながら、磁性層６を積層し
たものである。　また、このインダクタ１０に積層−体
化されるコンデンサ１は、内部電極２１．２５を介して
セラミックの誘電体層３を積層したものである。

このような積層セラミックＬＣ複合部品１００のコンデ
ンサ１およびインダクタ１０は、前述の第１図および第
２図に示される積層セラミックコンデンサ１および積層
セラミックイングクタ１０と同様のものである。

なお、積層セラミックインダククの内部導体あるいは積
層セラミックコンデンサの内部電極用の導電性ペースト
は、鱗片状の導電性粒子を含有することが好ましい。　
好ましい含有量は、全導電性粒子の３０ｗｔ％以上であ
る。

このようなペーストを用いることにより、マイグレーシ
ョンの低い内部導体あるいは電極被覆率の高い内部電極
を得ることができる。

本発明の導電性ペーストは、この他公知の各種セラミッ
ク材料用のペーストやグリーンシートと組合わせること
ができる。

〈実施例〉以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

「実施例１］平均粒径０５μｍの球状Ａｇ粒子をボールミル粉砕して
、平均粒径ｌ　５μｍ、アスベクＩ・比３の鱗片状Ａｇ
粒子を得た。

上記球状Ａｇ粒子とこの鱗片状Ａｇ粒子との合計１重量
部に対し、ホウケイ酸ガラスフリット０．１重量部、テ
ルピネオール０．２重量部、エチルセルロース００３重
量部およびブヂルカルビトール０２重量部を加えて外部
電極用導電性ペーストとした。

また、平均粒径０６μｍの球状Ａｇ粒子をボールミル粉
砕処理して、平均粒径１８ＬＬｍ、アスペクト比３の鱗
片状Ａｇ粒子を得た。

得られた鱗片状のＡｇ粒子１重量部に対し、テルピネオ
ール０２重量部、エチルセルロース００３重量部および
ブヂルカルビトール０１重量部を加えて内部導体用導電
性ペーストとじた。

次に、フェライト原料として、粒径０１〜１．０μｍ程
度のＮｉ０１Ｃｕｂ、ＺｎＯおよびＦ　ｅ　２０３の粉
体な用い、これをボールミルを用いて湿式混合し、次い
で、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し
、７５０℃にて仮焼し、顆粒として、これをボールミル
にて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均粒
径０１μｍの粉体とした。

次いて、この粉体な所定量のエチルセルロースとともに
テルピネオール中に溶解し、ヘンシェルミキザーで混合
し、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトのフェライトペースト
を作製した。

内部導体用導電性ペーストとフェライトペーストを印刷
積層後、焼成した。

焼成温度は８５０℃、焼成時間は２時間とし、焼成雰囲
気は空気中とした。。

次いて上記の各種外部電極用導電性ペースｌ〜て転写法
により外部電極を形成し、　℃で１０分間焼成した。

このようにして４．５ｍ＋ｎＸ３．２ｍｍＸ］、、１ｍ
ｍの第２図に示されるようなセラミックインダクタサン
プルを作製した。

各フェライト層の厚さは４０μｍ、内部巻線の厚さは２
０μｍ、その線巾は３００μｍ、コイルは長径２．５ｍ
ｍ、短径１．３ｍｍの楕円形とした。

なお、外部電極用導電性ペースト中の鱗片状の導電性粒
子の含有比率を変えて各種外部電極用導電性ペース］・
を作製し、これら各ペーストを用いて各種セラミックイ
ンダクタサンプルを得た。　各インダクタサンプルに用
いたペース［・中の球状の導電性粒子および鱗片状の導
電性粒子の含有量の合計に対する鱗片状の導電性粒子の
含有量比（Ａ）を表１に示す。

また、比較のために、球状の導電性粒子のみを含有する
ペーストを用いたインダクタサンプルおよび鱗片状の導
電性粒子のみを含有するペーストを用いたインダクタサ
ンプルも作製した。

これらのインダクタサンプルについて、インダクタンス
しおよび１０　Ｍ　ＨｚにおけるＱ値を測定した。　結
果を表１に示す。

表　　　　　１インダクタ　　Ａ　　　　　　Ｌ　　　　　　Ｑサンプ
ルＮｏ、　　（ｗｔ％）　　　　（ＬＬＨｌｌ　　　　
　　　、５０　　３．４．８　　５８　８２　　　　　
　４０　　３３．３　　５６．０３　　　　　　２０　
　２９．９　　５５．３４　　　　　　８０　　　’２
４．４　　’９４．７５（比較）　　　　０　　２７．
８　　６７．７６（比較）　　１００　　２２．６　　
９３．５さらに、表１に示す本発明のサンプルＮｏ。

１と、比較サンプルＮｏ、５および６について下記の観
察を行なった。

■インダクタサンプルの外部電極を研摩し、光学顕微鏡
により写真撮影を行なった。

本発明のサンプルＮｏ、１の写真を、第４Ａ図に、比較
サンプルＮｏ、５の写真を第４Ｂ図に、比較サンプルＮ
ｏ、６の写真を第４Ｃ図に示す。

■走査型電子顕微鏡によりインダククザンプルの外部電
極表面の写真撮影を行なった。

本発明のサンプルＮｏ、１の写真を、第５Ａ図に、比較
サンプルＮｏ、５の写真を第５Ｂ図に、比較サンプルＮ
ｏ、６の写真を第５Ｃ図に示すにれらの各図から明らかなように、本発明サンプルＮｏ、
ｌでは外部電極内に空間が適度に存在し、このことによ
り表面にクラックが発生しておらず、セラミック素体と
の接着強度も十分である。　これに対し、球状の導電性
粒子のみを用いて形成した比較サンプルＮＯ３５では、
外部電極内に空間が殆どない。　こ　のため、焼成の過
程で電極とセラミック素体間の応力が大きくなり、クラ
ックが発生し易い。　また、鱗片状の導電性粒子のみを
用いて形成した比較サンプルＮｏ、６では、外部電極内
に空間が多数存在し、強度が不足していることがわかる
。

〈発明の作用効果〉本発明では、鱗片状の導電性粒子を含有する導電性ペー
ストを用いる結果、焼結後のクラックの発生を防止でき
、また、電極被覆率を向上できる。

また、本発明の導電性ペーストは、鱗片状の導電性粒子
に加え球状の導電性粒子を含有するため、導電性ペース
トの焼結性を自在に調整できる。　そのため、特に、積
層セラミックコンデンサ、積層セラミックイングクク、
積層セラミックＬＣ部品の外部電極として用いた場合、
セラミック素体と焼結性を近似させることができ、クラ
ックの発生が防止できる他、焼結性の低下し過ぎによる
強度不足の問題も生じない。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のチップ部品の一例である積層セラミ
ックコンデンサの縦断面図、第２図は、本発明のチップ
部品の一例である積層セラミックイングククの一部を切
欠いて示す平面図、第３図（Ｊ、本発明のチップ部品の
一例である積層セラミックＬＣ部品の一部を切欠いて示
す斜視図である。第４Ａ図、第４Ｂ図および第４Ｃ図は、図面代用写真で
あって、積層セラミックイングククの外部電極の研摩面
の導電性粒子の構造を示す光学顕微鏡写真である。第５Ａ図、第５Ｂ図および第５Ｃ図は、図面代用写真で
あって、積層セラミックインダクタの外部電極表面の導
電性粒子の構造を示す走査型電子顕微鏡写真である。符号の説明１・・・・積層セラミックコンデンサ、１０・・・・積
層セラミックイングクク、１００・・・・積層セラミッ
クＬＣ部品、２１．２５・・・・内部電極、３・・・・誘電体層、５・・・・内部巻線、６・・・・磁性層１：一二１−；ｔ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）球状の導電性粒子と鱗片状の導電性粒子とを含有
することを特徴とする導電性ペースト。
（２）前記鱗片状の導電性粒子の含有量が、前記球状の
導電性粒子および前記鱗片状の導電性粒子の含有量の合
計に対し４０〜７０ｗｔ％である請求項１に記載の導電
性ペースト。
（３）前記球状の導電性粒子の平均粒径をその平均厚さ
で除した値が２未満であり、前記鱗片状の導電性粒子の
平均粒径をその平均厚さで除した値が２以上である請求
項１または２に記載の導電性ペースト。
（４）前記球状の導電性粒子および鱗片状の導電性粒子
の平均粒径が、それぞれ０．１〜５０μｍおよび０．５〜２０．０μｍである請求項１な
いし３のいずれかに記載の導電性ペースト。
（５）前記球状の導電性粒子および鱗片状の導電性粒子
の含有量の合計が４０〜８０ｗｔ％である請求項１ない
し４のいずれかに記載の導電性ペースト。
（６）ガラスフリットが含有される請求項１ないし５の
いずれかに記載の導電性ペースト。
（７）ガラスフリットの含有量が２〜２０ｗｔ％である
請求項６に記載の導電性ペースト。
（８）溶剤およびバインダーが含有される請求項１ない
し７のいずれかに記載の導電性ペースト。
（９）溶剤およびバインダーの含有量が、それぞれ、２
０〜５０ｗｔ％および２〜１０ｗｔ％である請求項８に
記載の導電性ペースト。
（１０）さらに、分散剤、可塑剤およびセラミック粉体
の１種以上が含有される請求項６ないし９のいずれかに
記載の導電性ペースト。
（１１）前記球状の導電性粒子および鱗片状の導電性粒
子が金属または焼成後に金属となる酸化物の粒子である
請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電性ペースト
。
（１２）前記金属がＡｇ，Ｐｄ，Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉおよ
びＣｕのうちの１種以上を含むものである請求項１１に
記載の導電性ペースト。
（１３）請求項１ないし１２に記載の導電性ペーストを
塗布後焼成して得られた導体層を有するチップ部品。
（１４）焼成温度が６００〜１５００℃である請求項１
３に記載のチップ部品。
（１５）前記チップ部品が積層セラミックコンデンサで
あり、前記導体層が積層セラミックコンデンサの外部電
極である請求項１３または１４に記載のチップ部品。
（１６）前記チップ部品が積層セラミックインダクタで
あり、前記導体層が積層セラミックインダクタの外部電
極である請求項１３または１４に記載のチップ部品。
（１７）前記チップ部品が積層セラミックＬＣ部品であ
り、前記導体層が積層セラミックＬＣ部品の外部電極で
ある請求項１３または１４に記載のチップ部品。
（１８）前記導体層の厚さが１〜２０μｍである請求項
１３ないし１７のいずれかに記載のチップ部品。
（１９）前記チップ部品の誘電体材料が酸化チタン系ま
たはチタン酸複合酸化物系である請求項１５または１７
に記載のチップ部品。
（２０）前記チップ部品の磁性材料がＮｉ−Ｃｕ系フェ
ライトである請求項１６または１７に記載のチップ部品
。
（２１）鱗片状の導電性粒子を含有する導電性ペースト
を塗布後焼成して得られた内部電極を有する請求項１５
または１７ないし１９のいずれかに記載のチップ部品。
（２２）鱗片状の導電性粒子を含有する導電性ペースト
を塗布後焼成して得られた内部導体を有する請求項１６
ないし１８または２０に記載のチップ部品。