JPH04284611A

JPH04284611A - 複合積層部品

Info

Publication number: JPH04284611A
Application number: JP7400191A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nakano; 敦之中野; Takeshi Nomura; 武史野村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1991-03-13
Filing date: 1991-03-13
Publication date: 1992-10-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＬＣ複合部品等の複合
積層部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミックＬＣ複合部品は、セラミ
ック誘電体層と内部電極層とを積層して構成されるコン
デンサチップ体と、セラミック磁性層と内部導体とを積
層して構成されるインダクタチップ体とを一体的に形成
したものである。

【０００３】このような複合積層部品は、体積が小さい
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。

【０００４】これらの部品例えばＬＣ複合部品は、通常
、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層用
ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によっ
て積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に外
部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成するこ
とにより製造される。この場合、磁性層に用いられる磁
性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライトが一般に用いられている。

【０００５】しかし、磁性材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトを用いると、回路
抵抗が予測される値より大幅に低いことが判明した。

【０００６】本発明者らはこのような現象につき検討を
行なったところ、焼成や外部電極焼き付けの際、インダ
クタチップ体のセラミック磁性層と、コンデンサチップ
体のセラミック誘電体層との接合界面に、ＣｕやＣｕ酸
化物、ＺｎやＺｎ酸化物等が析出し、電気抵抗の低い層
が形成されており、この結果部品の回路抵抗が大幅に低
下してしまうことが判明した。

【０００７】このような問題を解決するためには、セラ
ミック磁性層と、セラミック誘電体層との接合界面に、
例えば、非磁性フェライト等の中間層を設け、Ｃｕ、Ｚ
ｎ等の析出を防止することが考えられる。そしてこのよ
うな中間層によりこれら析出量は減少するが、接合界面
で局局部的な析出を完全には防止できない。このため、
部品の回路抵抗は満足できるほどには向上しない。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、セラ
ミック磁性層と、セラミック誘電体層との接合界面での
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ２　Ｏ、Ｚｎ２Ｏ等の金属や抵抗が低
い酸化物の局部的な析出を抑制し、回路抵抗が高い複合
積層部品を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明によって達成される。

【００１０】（１）　　セラミック誘電体層と内部電極
層とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、セラ
ミック磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダ
クタチップ体とを一体的に有する複合積層部品であって
、前記セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
および／またはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、焼成時
および／または焼成後に、大気より酸素を過剰に含む雰
囲気中で熱処理を行なったことを特徴とする複合積層部
品。

【００１１】（２）　　前記雰囲気中の酸素分圧比が３
０〜１００％である上記（１）に記載の複合積層部品。

【００１２】（３）　　前記セラミック誘電体層が酸化
チタン系誘電体を含有する上記（１）または（２）に記
載の複合積層部品。

【００１３】（４）　　前記コンデンサチップ体と前記
インダクタチップ体とを同時焼成した上記（１）ないし
（３）のいずれかに記載の複合積層部品。

【００１４】（５）　　前記コンデンサチップ体と、前
記インダクタチップ体との間に、中間層が１層以上設層
されている上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の
複合積層部品。

【００１５】（６）　　前記中間層が前記セラミック誘
電体層と実質的に同一の誘電体材料と、前記セラミック
磁性層と実質的に同一の磁性材料とを混合した混合材料
を含有する上記（５）に記載の複合積層部品。

【００１６】（７）　　前記中間層の混合材料中の前記
誘電体材料に対する前記磁性材料の重量比が１／９〜９
／１である上記（６）に記載の複合積層部品。

【００１７】（８）　　前記中間層を２層以上有し、前
記中間層の混合材料中の前記誘電体材料に対する前記磁
性材料の重量比が、インダクタチップ体側ほど大である
上記（６）または（７）に記載の複合積層部品。

【００１８】

【作用】本発明の複合積層部品は、焼成時および／また
は焼成後、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理
される。

【００１９】このような酸素過剰雰囲気中で焼成ないし
熱処理をおこなうことによって、セラミック誘電体層や
セラミック磁性層内のＣｕ、Ｚｎ等をＣｕＯ、ＺｎＯ等
の抵抗が高く実害のない酸化物の形で析出させ、界面に
おけるＣｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ２　Ｏ、Ｚｎ２　Ｏ等
の抵抗が低い酸化物の局部的な析出を抑制する。

【００２０】このため、回路抵抗が十分高い複合積層部
品を実現できる。

【００２１】また、セラミック誘電体層とセラミック磁
性層との間に所定の中間層、特にセラミック誘電体層と
実質的に同一の誘電体材料と、セラミック磁性層と実質
的に同一の磁性材料とを混合した混合材料を含有する中
間層を設層する。

【００２２】中間層、特に混合材料を含有する中間層を
設層することにより、セラミック磁性層とセラミック誘
電体層間の熱膨張係数の違いや界面での組成の急峻な変
化が緩和され、界面におけるＣｕ、Ｃｕ２　Ｏ、Ｚｎ、
Ｚｎ２　Ｏ等の析出がさらに減少し、この際、実害のな
いＣｕＯやＺｎＯの析出も減少する。

【００２３】この結果、部品の回路抵抗値がより一層向
上する。

【００２４】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００２５】本発明の複合積層部品は、後述するように
焼成時および／または焼成後に大気より酸素を過剰に含
む雰囲気中で熱処理されて作製されたものであり、好適
実施例である積層セラミックＬＣ複合部品を図１に示す
。

【００２６】図１に示されるＬＣ複合部品１は、セラミ
ック誘電体層２１と内部電極層２５とを積層して構成さ
れるコンデンサチップ体２と、セラミック磁性層３１と
内部導体３５とを積層して構成されるインダクタチップ
体３とを一体化したものであり、表面に外部電極５１を
有する。

【００２７】インダクタチップ体３のセラミック磁性層
３１の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトおよ
び／またはＮｉ−Ｚｎフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトを用いる。

【００２８】本発明で用いるＮｉ−Ｚｎフェライトに特
に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択す
ればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、１０〜２５モ
ル％、ＺｎＯの含有量は、１５〜４０モル％であること
が好ましい。

【００２９】また、本発明で用いるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトに特に制限はなく、目的に応じて種々の組成の
ものを選択すればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、
１５〜２５モル％、ＣｕＯの含有量は、５〜１５モル％
、ＺｎＯの含有量は２０〜３０モル％であることが好ま
しい。

【００３０】また、この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５ｗ
ｔ％　程度以下含有されていてもよい。さらにＣａ、Ｓ
ｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１ｗｔ％　程度以下含有されて
いてもよい。

【００３１】また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いる場合
、通常、さらにホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含有
される。

【００３２】本発明において、内部導体３５を構成する
導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１種
以上含有する合金等から選択すればよいが、インダクタ
として実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいことが
必要であるので、Ａｇ、Ｃｕおよびこれらを１種以上含
有する合金を用いることが好ましい。

【００３３】ＬＣ複合部品１のインダクタチップ体３は
、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体
状の形状とする。そして図１に示されるように、内部導
体３５は磁性層３１内にて通常スパイラル状に配置され
て内部巻線を構成し、その両端部は各外部電極５１、５
１に接続されている。

【００３４】このような場合、内部導体３５の巻線パタ
ーン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすること
ができ、またその巻数も用途に応じ適宜選択すればよい
。また、インダクタチップ体３の各部寸法等には制限は
なく、用途に応じ適宜選択すればよい。

【００３５】なお、内部導体３５の厚さは、通常５〜３
０μｍ　程度、巻線ピッチは通常４０〜１００μｍ　程
度、巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度とされる。また、磁性層３１のベース厚は通常２５０〜５００μｍ
　程度、内部導体３５、３５間の磁性層厚は通常１０〜
１００μｍ　程度とする。

【００３６】コンデンサチップ体２のセラミック誘電体
層２１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよ
いが、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を
用いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合
酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混
合物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させ
るために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させても
よい。

【００３７】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ３　Ｏ４、Ａｌ２　Ｏ３、
ＭｇＯ、ＳｉＯ２　等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ２　等
が、チタン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ３　、
ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３　、ＭｇＴｉＯ３やこれら
の混合物等が、ジルコン酸系複合酸化物としては、Ｂａ
ＺｒＯ３　、ＳｒＺｒＯ３　、ＣａＺｒＯ３　、ＭｇＺ
ｒＯ３　やこれらの混合物等が挙げられる。

【００３８】本発明において、内部電極層２５を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これらを１
種以上含有する合金等から選択すればよいが、特にＡｇ
、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。

【００３９】ＬＣ複合部品１のコンデンサチップ体２は
、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほぼ直方体
状の形状とする。そして図１に示されるように、内部電
極層２５の一端は外部電極５１に接続されている。

【００４０】コンデンサチップ体２の各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。

【００４１】なお、誘電体層２１の積層数は目的に応じ
て定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、
誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０
μｍ程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さは
、通常５〜３０μｍ　程度である。

【００４２】本発明のＬＣ複合部品１の外部電極５１を
構成する導電材に特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ｐｔ
、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合金などのこれ
らを１種以上含有する合金等から選択すればよいが、特
にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である
。また、外部電極５１の形状や寸法等には特に制限がな
く、目的や用途等に応じて適宜決定すればよいが、厚さ
は、通常１００〜２５００μｍ　程度である。

【００４３】本発明のＬＣ複合部品１の寸法には特に制
限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すればよいが
、通常（２．０〜１０．０ｍｍ）×（１．２〜１５．０
ｍｍ）×（１．２〜５．０ｍｍ）程度である。

【００４４】次に、本発明の複合積層部品のより好まし
い実施例である積層セラミックＬＣ複合部品を図２に示
す。　　図２に示されるＬＣ複合部品１は、セラミック
誘電体層２１と内部電極層２５とを積層して構成される
コンデンサチップ体２と、セラミック磁性層３１と内部
導体３５とを積層して構成されるインダクタチップ体３
とを中間層４を介して一体化したものであり、表面に外
部電極５１を有する。

【００４５】中間層４を一層以上設層することにより、
Ｃｕ、ＺｎやＣｕ２　Ｏ、Ｚｎ２　Ｏ等の酸化物の析出
がより一層減少し、回路抵抗が向上する。

【００４６】中間層４は、例えば、磁性材料、誘電体材
料、非磁性Ｚｎフェライト等、あるいはさらにガラス等
を添加して構成し、中間層４の熱膨張係数がセラミック
誘電体層２１とセラミック磁性層３１の中間程度の値に
なるようにすることが好ましい。そして特に、誘電体層
２１と実質的に同一の誘電体材料と、セラミック磁性層
３１と実質的に同一の磁性材料とを混合した混合材料を
含有させて構成することが好ましい。

【００４７】また、前記混合材料を用いる場合、誘電体
材料および磁性材料は、それぞれ、実質的に同一であれ
ばよいが、特に同一であることが好ましい。

【００４８】また、中間層４は、図示例では単層である
が、前記混合材料を用いる場合、２層以上の多層構造と
することが好ましい。

【００４９】材料が実質的に同一とは、組成が完全に一
致している場合だけではなく、組成が多少異なっている
場合、例えば１０モル％以上含有する構成成分を３０％
以内の相対比にて含有する場合を包含する。

【００５０】例えば、セラミック磁性層３１の磁性材料
がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトの場合、Ｎｉの含有量の
差がＮｉＯ換算で３モル％程度以下、Ｃｕの含有量の差
がＣｕＯ換算で２モル％程度以下、Ｚｎの含有量の差が
ＺｎＯ換算で４モル％程度以下であれば実質的に同一で
あり、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの場合、Ｎｉの含有量の差
がＮｉＯ換算で５モル％程度以下、Ｚｎの含有量の差が
ＺｎＯ換算で５モル％程度以下であれば実質的に同一で
ある。

【００５１】この場合、中間層４に用いるＮｉ−Ｃｕ−
ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトには、Ｃｏ、Ｍ
ｎ等が全体の５ｗｔ％　程度以下含有されていてもよく
、さらにＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１ｗｔ％　程
度以下含有されていてもよい。

【００５２】また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトの場合は、焼
成温度を低下させるため、通常ホウケイ酸ガラス等の各
種ガラスを添加して用いる。

【００５３】また、例えば、セラミック誘電体層２１の
誘電体材料が酸化チタン系誘電体の場合、Ｔｉの含有量
の差がＴｉＯ２　換算で１０ｗｔ％　程度以下、そして
さらにＣｕ等を含む場合は、Ｃｕ等の含有量の差がＣｕ
Ｏ等の各酸化物換算でそれぞれ７ｗｔ％　程度以下であ
れば実質的に同一である。

【００５４】この場合、焼成温度を低下させるため、ホ
ウケイ酸ガラス等の各種ガラスを添加してもよい。

【００５５】中間層４の混合材料中の誘電体材料と磁性
材料との含有比には特に制限がないが、誘電体材料の含
有量Ｗ１　に対する磁性材料の含有量Ｗ２　、すなわち
重量比Ｗ２　／Ｗ１　は１／９〜９／１が好ましい。

【００５６】前記範囲の場合、ＣｕやＣｕ酸化物、Ｚｎ
やＺｎ酸化物等の局部的な析出がより一層減少する。

【００５７】中間層４の厚さには特に制限はなく、用途
等に応じて適宜選択すればよいが、通常５〜１５０μｍ
程度である。

【００５８】また、中間層４の積層数には特に制限がな
く、図示例のように単層構造としてもよいが、Ｃｕ、Ｚ
ｎ等の析出をより一層減少できる点で、２層以上の多層
構造とし、インダクタチップ体側の層ほどＷ２　／Ｗ１
　が大となるような混合材料を設層することが好ましい
。この場合、各層のＷ２　／Ｗ１　は、例えば１／９〜
９／１の範囲内で設定すればよく、中間層全体の総重量
比Ｗ２　／Ｗ１　を５／５程度とすることが好ましい。

【００５９】多層の場合の積層数には特に制限がなく、
用途等に応じて適宜選択すればよいが、作業性等を考慮
すると、積層数は通常１〜５程度である。なお、中間層
の全厚は前記と同様とすればよく、また、各層の厚さは
、互いに異なっていても同一であってもよい。

【００６０】前述したように中間層４を設層する場合、
焼成前には、セラミック磁性層３１、中間層４、セラミ
ック誘電体層２１それぞれの界面で組成のある程度の急
峻な変化があり、それぞれの層を明瞭に区別できるが、
焼成ないし外部電極５１の焼き付け等により相互拡散が
生じ、焼成後は、ほぼ連続的ないしなだらかな傾斜のプ
ロファィルをもった層となる。

【００６１】なお、中間層４以外の構成、例えば、セラ
ミック誘電体層２１、内部電極２５、セラミック磁性層
３１、内部導体３５および外部電極５１や寸法等は前述
した中間層がないものと同様とすればよい。

【００６２】本発明の複合積層部品は、前述したＬＣ複
合部品に限定されるものではなく、前述した構成を一部
に有するものであれば、この他各種の複合積層部品であ
ってもよい。

【００６３】本発明のＬＣ複合部品１等の複合積層部品
は、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行な
って製造される。この場合、ペーストを用いた通常の印
刷法やシート法等用いればよい。

【００６４】セラミック磁性層用ペーストは、次のよう
にして作製する。

【００６５】まず、フェライトの原料粉末、例えばＮｉ
Ｏ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２　Ｏ３　等の各種粉末を、
所定量ボールミル等により湿式混合する。用いる原料粉
末の粒径は０．１〜１０μｍ　程度とする。

【００６６】こうして湿式混合したものを、通常スプレ
ードライヤーにより乾燥し、その後仮焼する。これを通
常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５μｍ　程
度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライヤーに
より乾燥する。

【００６７】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。

【００６８】なお、磁性層用ペースト中には、必要に応
じて各種ガラスや酸化物を含有させることができる。

【００６９】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、上記したようなセラミック誘電体層の組
成に応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体と
なる原料粉末を選択し、各種バインダおよび溶剤と混練
して調製すればよい。

【００７０】原料粉末としては、通常、酸化チタン系お
よびチタン酸系複合酸化物等を構成する酸化物を用いれ
ばよく、対応する酸化物誘電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の酸化物を用いればよい。

【００７１】またこれらは焼成により酸化物になる化合
物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ酸塩、有機
金属化合物等を用いてもよい。

【００７２】これらの原料粉末は、通常、平均粒子径０
．１〜５μｍ　程度のものが用いられる。

【００７３】また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。

【００７４】中間層用ペーストは、前記セラミック磁性
層用ペーストと同様にしてフェライト粉末を製造し、前
記セラミック誘電体層用ペーストと同様、所望の組成に
応じて各種誘電体材料あるいは焼成により誘電体となる
原料粉末を選択し、これらと、各種バインダと、各種溶
剤とを混練して調整すればよい。

【００７５】この場合、前述したとおり、セラミック磁
性層用ペーストに用いたフェライト粉末と実質的に同一
組成、特に同一組成のフェライト粉末と、セラミック誘
電体層用ペーストに用いた原料粉末を焼成したものと焼
成により実質的に同一組成、特に同一組成になる原料粉
末とを用いて所望の混合比に調整する。

【００７６】用いるフェライトの原料粉末、誘電体の原
料粉末、さらにはフェライト粉末等の粒径などの諸条件
は前記と同様にすればよい。

【００７７】また、焼結助剤等として、必要に応じて各
種ガラスや酸化物を含有させてもよい。

【００７８】また、混合材料を用いない場合、例えば非
磁性Ｚｎフェライト等を用いる場合にも前記と同様にし
てペーストを作製すればよい。

【００７９】内部導体用ペースト、内部電極層用ペース
ト、および外部電極用ペーストは、それぞれ、上記した
各種導電性金属、合金、あるいは焼成後に上記した導電
材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と
、上記した各種バインダおよび溶剤とを混練して作製す
る。

【００８０】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５ｗｔ％　程度、溶剤は１０〜５０ｗｔ
％　程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要
に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選
択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含
有量は、１０ｗｔ％　以下であることが好ましい。

【００８１】ＬＣ複合部品１を製造するに際しては、例
えば、まず、磁性層用ペーストおよび内部導体用ペース
トを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、次いで、誘電体
層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを積層印刷し
てグリーンチップを形成する。次に、所定形状に切断し
た後、基板から剥離する。

【００８２】なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペー
ストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導
体用ペーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、こ
れらを積層してグリーンチップを形成してもよい。

【００８３】次いで、外部電極用ペーストをグリーンチ
ップに印刷ないし転写し、磁性層用ペースト、内部導体
用ペースト、誘電体層用ペースト、内部電極層用ペース
トおよび外部電極用ペーストを同時焼成する。

【００８４】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。

【００８５】また、中間層４を設層する場合は、磁性体
用ペースト上に中間層用ペーストを印刷した後、誘電体
層用ペーストを印刷すればよい。

【００８６】本発明では、焼成時および／または焼成後
、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で焼成処理を行な
う。

【００８７】この場合、最後の焼成時および／または最
後の焼成の後に前記の熱処理を行なうことが好ましい。

【００８８】例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き
付けるための焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時
および／またはこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部
電極を焼き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極
を焼き付つける時および／または外部電極を焼きつけた
後に所定の熱処理を行なうことが好ましい。なお、後者
のように２度焼成を行なう場合は、場合によっては、さ
らにチップ体の焼成時やチップ体の焼成後に熱処理を行
なってもよい。

【００８９】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、３０〜１
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。

【００９０】前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｕ２　
Ｏ、Ｚｎ２　Ｏ等の析出を抑制する能力が低下する。

【００９１】このような酸素過剰雰囲気中での熱処理は
、通常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行われ
るため、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条件
や外部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみを
単独で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００°Ｃ、
特に６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２．０時間
、特に１〜１．５時間とすることが好ましい。

【００９２】焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５
０〜９００℃とすることが好ましい。また、焼成時間は
、０．０５〜５時間、特に０．１〜３時間とすることが
好ましい。

【００９３】また、外部電極焼き付けのための焼成温度
は、通常５００〜７００°Ｃ程度、焼成時間は、通常１
０〜３０分程度である。

【００９４】なお、このほか、ＬＣ複合部品以外の各種
複合積層部品の場合も前記のとおり酸素過剰雰囲気中で
熱処理を行なって作製すればよい。

【００９５】このようにして製造されたＬＣ複合部品等
の本発明の複合積層部品は、外部電極に半田付等を行な
うことにより、プリント基板上等に実装され、各種電子
機器等に使用される。

【００９６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００９７】［ＬＣ複合部品の作製］下記の各ペースト
を調製した。

【００９８】（磁性層用ペースト）粒径０．１〜３．０
μｍ　程度のＮｉＯ（１７モル％）、ＣｕＯ（９モル％
）、ＺｎＯ（２５モル％）およびＦｅ２　Ｏ３　（４９
モル％）の粉体を用い、これらをボールミルを用いて湿
式混合し、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤ
ーにより乾燥し、７５０℃にて仮焼し、顆粒として、こ
れをボールミルにて粉砕したのちスプレードライヤーで
乾燥し、平均粒径０．１μｍ　のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライト原料粉末とした。

【００９９】次いで、この原料粉末１００重量部に対し
、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオー
ル７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペースト
とした。

【０１００】（内部導体用ペースト）平均粒径０．８μ
ｍ　のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．
５重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本
ロールにて混練し、ペーストとした。

【０１０１】（誘電体層用ペースト）平均粒径０．７μ
ｍのＴｉＯ２　（９２モル％）、平均粒径０．０５μｍ
のＣｕＯ（４モル％）および平均粒径０．５μｍのＮｉ
Ｏ（４モル％）を用いた。この誘電体粉末１００重量部
に対し、エチルセルロース３．５重量部、テルピネオー
ル４０重量部を加え、３本ロールにて混練してペースト
とした。

【０１０２】（内部電極層用ペースト）平均粒径０．８
μｍのＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．
５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、三本ロー
ルにて混練し、ペーストとした。

【０１０３】（中間層用ペースト）磁性層用ペーストに
用いたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末１００重量
部および誘電体層用ペーストに用いた誘電体粉末１００
重量部に対し、エチルセルロース３．５重量部、テルピ
ネオール４０重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペ
ーストとした。

【０１０４】（外部電極用ペースト）平均粒径１．２μ
ｍのＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース３．０
重量部、ガラスフリット７重量部、テルピネオール４０
重量部を加え三本ロールにて混練し、ペーストとした。

【０１０５】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、次いで誘電体
層用ペーストと、内部電極層用ペーストとを印刷積層し
てグリーンチップとした。

【０１０６】次に、酸素分圧比１００％の酸素雰囲気中
にて、８９０°Ｃで２時間焼成し、同時に焼処理を行な
った。

【０１０７】焼成後、外部電極用ペーストを印刷し、そ
の後、酸素分圧比１００％の酸素雰囲気中にて、６００
°Ｃで３０分間焼成して外部電極を焼き付け、同時に熱
処理を行なった。

【０１０８】このようにして５．０ｍｍ×５．０ｍｍ×
３．０ｍｍの図１に示されるＬＣフィルター複合部品サ
ンプルＮｏ．１を作製した。

【０１０９】磁性層の厚さは４０μｍ、内部巻線（内部
導体）の厚さは１５μｍ、その線巾は３００μｍ、巻回
数は２５ターンとした。

【０１１０】誘電体層の厚さは１００μｍ、誘電体層の
積層数は５層とし、内部電極層の厚さは１５μｍとした
。

【０１１１】外部電極の厚さは８００μｍとした。

【０１１２】また、このほか、下記の比較用サンプルＮ
ｏ．２、本発明のサンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．５を作製し
た。

【０１１３】サンプルＮｏ．２（比較）焼成および外部
電極の焼き付けを大気中で行なった他はサンプルＮｏ．
１と同様にした。

【０１１４】サンプルＮｏ．３（本発明）磁性層用ペー
ストと誘電体層用ペーストとの間に中間層用ペーストを
印刷し、厚さ５０μｍ　の単層の中間層を形成したほか
はサンプルＮｏ．１と同様にして、図２に示されるサン
プルＮｏ．３を作製した。

【０１１５】サンプルＮｏ．４（本発明）サンプルＮｏ
．３の単層の中間層を３層にしたほかはサンプルＮｏ．
３と同様にした。

【０１１６】サンプルＮｏ．　４の３層の中間層のうち
磁性層側の中間層には、誘電体粉末の含有量をＷ１　、
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末の含有量をＷ２　
としたとき、重量比Ｗ２　／Ｗ１　が７／３、中央の中
間層には、サンプルＮｏ．　１と同様、Ｗ２　／Ｗ１　
が５／５、誘電体層側の中間層には、Ｗ２　／Ｗ１　が
３／７となるように配合したペーストを用いた。また、
３層の厚さは、それぞれ２０μｍとし、中間層の全厚を
６０μｍとした。

【０１１７】サンプルＮｏ．５（本発明）サンプルＮｏ
．３に用いた中間層用ペーストのＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライト原料粉末および誘電体粉末を、非磁性Ｚｎフェラ
イトの原料粉末にかえた中間層用ペーストを作製し、こ
のペーストを使用した他はサンプルＮｏ．３と同様にし
た。

【０１１８】得られた各サンプルについてＸ線線分析を
行ない、のコンデンサチップ体と、インダクタチップ体
との接合部の近傍のＺｎおよびＣｕ含有濃度分布を求め
た。

【０１１９】この結果、サンプルＮｏ．１およびＮｏ．
２は接合界面でのＣｕ、Ｚｎ等の局部的な折出が確認さ
れたのに対し、Ｎｏ．３およびＮｏ．４は接合界面での
Ｃｕ、Ｚｎ等の局部的な折出がほとんどなかった。

【０１２０】また、各サンプルのインダクタチップ体と
コンデンサチップ体との界面における析出物をＸ線回折
にて測定したところ、比較用サンプルＮｏ．２の析出物
は、Ｃｕ、Ｃｕ２　Ｏ、Ｚｎ、Ｚｎ２　Ｏが大部分を占
めていたのに対し、本発明のサンプルＮｏ．１、３、４
およびお５の析出物は、ＣｕＯ、ＺｎＯが大部分を占め
ていた。

【０１２１】次に、各サンプルの回路抵抗ＩＲを測定し
た。結果は表１に示されるとおりである。

【０１２２】

【表１】

【０１２３】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。

【０１２４】なお、このほか、サンプルＮｏ．　１〜Ｎ
ｏ．　５のＮｉ−Ｃｕ−ＺｎフェライトをＮｉ−Ｚｎフ
ェライトにかえ、ガラスフリットを添加してペーストを
作製し、さらに、サンプルＮｏ．　１〜Ｎｏ．　５のＴ
ｉＯ２　およびＣｕＯをＴｉＯ２　のみにかえ、ガラス
フリットを添加してペーストを作製し、これらのペース
トを用いて各種サンプルを作製したところ同等の結果が
得られた。

【０１２５】また、ＬＣフィルター複合部品以外に、Ｌ
Ｃトラップ等の複合積層部品を作製したところ同等の結
果が得られた。

【０１２６】

【発明の効果】本発明の複合積層部品は、インダクタチ
ップ体とコンデンサチップ体との界面において、Ｃｕ、
Ｚｎ等の金属やＣｕ２　Ｏ、Ｚｎ２　Ｏ等の抵抗が低い
酸化物の局部的な析出がほとんどない。このため、部品
の回路抵抗が高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ
複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。

【図２】本発明の複合積層部品の好適実施例であるＬＣ
複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。

【符号の説明】

１　　ＬＣ複合部品２　　コンデンサチップ体２１　　セラミック誘電体層２５　　内部電極層３　　インダクタチップ体３１　　セラミック磁性層３５　　内部導体４　　中間層５１　　外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】　　セラミック誘電体層と内部電極層とを
積層して構成されるコンデンサチップ体と、セラミック
磁性層と内部導体とを積層して構成されるインダクタチ
ップ体とを一体的に有する複合積層部品であって、前記
セラミック磁性層がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトおよび
／またはＮｉ−Ｚｎフェライトを含有し、焼成時および
／または焼成後に、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中
で熱処理を行なったことを特徴とする複合積層部品。
【請求項２】　　前記雰囲気中の酸素分圧比が３０〜１
００％である請求項１に記載の複合積層部品。
【請求項３】　　前記セラミック誘電体層が酸化チタン
系誘電体を含有する請求項１または２に記載の複合積層
部品。
【請求項４】　　前記コンデンサチップ体と前記インダ
クタチップ体とを同時焼成した請求項１ないし３のいず
れかに記載の複合積層部品。
【請求項５】　　前記コンデンサチップ体と、前記イン
ダクタチップ体との間に、中間層が１層以上設層されて
いる請求項１ないし４のいずれかに記載の複合積層部品
。
【請求項６】　　前記中間層が前記セラミック誘電体層
と実質的に同一の誘電体材料と、前記セラミック磁性層
と実質的に同一の磁性材料とを混合した混合材料を含有
する請求項５に記載の複合積層部品。
【請求項７】　　前記中間層の混合材料中の前記誘電体
材料に対する前記磁性材料の重量比が１／９〜９／１で
ある請求項６に記載の複合積層部品。
【請求項８】　　前記中間層を２層以上有し、前記中間
層の混合材料中の前記誘電体材料に対する前記磁性材料
の重量比が、インダクタチップ体側ほど大である請求項
６または７に記載の複合積層部品。