JPH06333722A

JPH06333722A - 磁性フェライトの製造方法、磁性フェライト、積層型インダクタ部品、および複合積層部品

Info

Publication number: JPH06333722A
Application number: JP5144259A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Nakano; 敦之中野; Takahiro Sato; 高弘佐藤
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-05-24
Filing date: 1993-05-24
Publication date: 1994-12-02

Abstract

(57)【要約】【構成】本発明の磁性フェライトの製造方法は、仮焼
体を湿式粉砕して、フェライト原料を製造する磁性フェ
ライトの製造方法において、粉砕時の分散媒としてフッ
素系不活性溶液を用いたことを特徴とする。【効果】フェライト結晶粒界上のストレス縞（干渉
縞）が従来の条件でのフェライトより極端に低減され、
高いインダクタンスＬおよび高いＱ値が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性フェライトの製造
方法、磁性フェライト、この磁性フェライトを磁性材料
として用いるインダクタ部品、およびＬＣ複合部品等の
複合積層部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】各種フェライトが、その優れた磁気特性
からインダクタや複合積層部品等、各種電子部品として
用いられている。

【０００３】積層ＬＣ複合部品は、セラミック誘電体層
と内部電極層とを積層して構成されるコンデンサチップ
体と、フェライト磁性層と内部導体とを積層して構成さ
れるインダクタチップ体とを一体的に形成したものであ
る。

【０００４】このような複合積層部品は、体積が小さい
こと、堅牢性および信頼性が高いことなどから、各種電
子機器に多用されている。

【０００５】これらの部品、例えばＬＣ複合部品は、通
常、内部導体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層
用ペーストおよび内部電極層用ペーストを厚膜技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後、焼成する
ことにより製造される。この場合、磁性層に用いられる
磁性材料としては、低温焼成が可能であることからＮｉ
−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトが一般に用いられている。

【０００６】このようなＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト
は、次のようにして製造される。出発原料としては、通
常ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯおよびＦｅ₂Ｏ₃等を用い、
それらを適量秤量し、ボールミル等により湿式混合す
る。こうして湿式混合したものを、通常スプレードライ
ヤにより乾燥し、その後仮焼し、仮焼体を湿式粉砕して
フェライト粉末を得る。

【０００７】上記仮焼体の湿式粉砕は、一般に、収納容
器であるポットと、粉砕媒体である金属性ボールとを用
いるボールミルで、上記ポット内に仮焼体、金属性ボー
ルおよび通常水である粉砕時の分散媒を入れた状態で粉
砕を行なう。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フ
ェライトは、概略上記したようにして製造されるが、こ
のようにして製造されるフェライト粉末を用いた各種電
子部品について、インダクタンスＬの更なる増大、およ
びＱの更なる増加が望まれている。

【０００９】そこで、本発明は、従来に比べ、インダク
タンスＬが増大し、Ｑが増加した電子部品を構成するこ
とができる磁性フェライトを製造する方法を提供するこ
とを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明によって達成される。（１）仮焼体を湿式粉砕して、フェライト原料を製造す
る磁性フェライトの製造方法において、粉砕時の分散媒
としてパーフルオロ不活性液体を用いたことを特徴とす
る磁性フェライトの製造方法。（２）前記パーフルオロ不活性液体が、パーフルオロア
ルカン、パーフルオロ環状エーテルおよびパーフルオロ
３級アミンのうち一種以上である上記（１）の磁性フェ
ライトの製造方法。（３）上記（１）または（２）のいずれかの方法により
製造された磁性フェライト。（４）Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトである上記
（３）の磁性フェライト。（５）Ｃｕ成分の出発原料として水酸化銅を用いる上記
（４）の磁性フェライト。（６）フェライトの組成がＦｅ₂ Ｏ₃ ：４５〜５０ｍｏ
ｌ％、ＮｉＯ：４〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：３〜３０ｍ
ｏｌ％およびＺｎＯ：０．５〜３５ｍｏｌ％である上記
（４）または（５）の磁性フェライト。（７）フェライト磁性層と内部導体層とを積層して構成
されるインダクタ部を有するインダクタ部品であって、
前記フェライト磁性層が上記（３）ないし（６）のいず
れかの磁性フェライトで構成されていることを特徴とす
る積層型インダクタ部品。（８）フェライト磁性層と内部導体層とを積層して構成
されるインダクタ部を少なくとも有する複合積層部品で
あって、前記フェライト磁性層が上記（３）ないし
（６）のいずれかの磁性フェライトで構成されているこ
とを特徴とする複合積層部品。

【００１１】

【作用】本発明の発明者らは、電子部品の電磁気特性
と、該電子部品の磁性フェライトの微細構造との関係を
研究した結果、磁性フェライト層の断面の透過型電子顕
微鏡写真において、フェライト結晶粒界上にストレス縞
（干渉縞）がある場合に、インダクタンスＬの劣化、お
よびＱの劣化があることを見出した。更に、ストレス縞
（干渉縞）の発生原因を詳しく調べた結果、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系フェライトから解離したＣｕＯ_Xが結晶粒界に
析出することでフェライト粒子に圧縮応力を与え、格子
が歪み、上記ストレス縞（干渉縞）が発生していること
が判明した。

【００１２】以上に鑑みて、フェライトの結晶粒界にお
けるＣｕＯ_Xの析出を抑制すべく、種々研究を行なった
ところ、上記ＣｕＯ_Xの析出は、粉砕時の分散媒として
フッ素系不活性溶液を用いることにより極度に減少する
ことを見出した。

【００１３】本発明は、この知見に基づくものであり、
粉砕時の分散媒としてフッ素系不活性溶液を用い、その
中で、仮焼体の粉砕を行なうものである。

【００１４】そして、このように粉砕時の分散媒として
フッ素系不活性溶液を用いた条件で仮焼体の粉砕を行な
ったフェライト素材を用いた電子部品は、フェライト結
晶粒界上のストレス縞（干渉縞）が従来の条件でのフェ
ライトより極端に低減され、高いインダクタンスＬおよ
び高いＱ値が得られる。

【００１５】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００１６】＜フェライトの組成＞本発明の磁性フェラ
イトとしては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトが用
いられる。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトに特に制
限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すれば
よいが、Ｆｅ₂ Ｏ₃ ：４５〜５０ｍｏｌ％、特に４７．
５〜４９．５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：４〜５０ｍｏｌ％、特
に５〜４５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：３〜３０ｍｏｌ％、特に
４．５〜１５．５ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０．５〜３５
ｍｏｌ％、特に１〜３１ｍｏｌ％であることが好まし
い。

【００１７】この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt% 程度
以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、
Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよい。

【００１８】そして、上記磁性フェライトの出発原料の
Ｃｕ成分として、酸化銅あるいは水酸化銅を用いる。こ
こで、水酸化銅とは、水酸化銅（Ｉ）Ｃｕ（ＯＨ）およ
び水酸化銅（II）Ｃｕ（ＯＨ）₂の両者を含むものとす
る。

【００１９】＜積層インダクタ＞第１図および第２図に
は、本発明の積層インダクタすなわち積層型インダクタ
の好適例が示される。

【００２０】積層型インダクタ１は、磁性体層２と、導
電体層３とが交互に積層一体化されて構成されるチップ
体１０を有する。

【００２１】そして、導電体層３はパターン状に形成さ
れるとともに、隣接する導電体層３は、第２図に示され
るように、互いに導通しており、これによりコイルが形
成されている。

【００２２】さらに、このチップ体１０の表面には、導
電体層３と導通する外部電極５が設けられている。

【００２３】チップ体１０の外形や寸法には特に制限が
なく、用途等に応じて適宜選択すればよいが、通常、外
形はほぼ直方体状の形状とし、寸法は（１．０〜５．
６）mm×（０．５〜５．０）×（０．６〜１．９）mm程
度とすればよい。

【００２４】積層型インダクタ１の磁性体層２の材質と
しては、上記のようなＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライ
トを使用する。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトは、
低温焼成材料であり、このような磁性層を用いたとき、
本発明の積層型インダクタは焼成時液相の生成が無く、
しかも電気抵抗の点で、より優れたものとなる。

【００２５】このような、フェライト系の磁性体層２
は、後記の導電体層用ペーストと８００〜９５０℃、特
に８５０〜９００℃の焼成温度にて同時焼成して形成で
きる。

【００２６】磁性体層２の焼成後の厚さには特に制限は
ないが、通常ベース厚は、２５０〜５００μm 程度、導
電体層３、３間の磁性体層厚は、１０〜１００μm 程度
とする。

【００２７】導電体層３の材質としては、従来公知の導
電体層材質は何れも使用できる。

【００２８】例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄやこれらの合金
等を用いればよいが、このうち、ＡｇまたはＡｇ合金、
特にＡｇが好適である。

【００２９】Ａｇ合金としては、Ａｇを９５重量％以上
含むＡｇ−Ｐｄ合金等が好適である。

【００３０】このような導電体層３は、後述するように
導電体層用ペーストを塗布した後、焼成して形成される
ものである。

【００３１】この際、通常は、脱バインダ等によって導
電体層３内部に、空孔が形成されることが多い。

【００３２】導電体層３は、第２図に示されるように、
磁性体層２内にて、通常スパイラル状に配置され、その
両端部は一対の各外部電極５、５に接続されている。

【００３３】このような場合、導電体層３の巻線パター
ン、すなわち閉磁路形状は種々のパターンとすることが
でき、また、その巻数、厚さ、ピッチ等も用途に応じ適
宜選択すればよい。

【００３４】なお、導電体層３の厚さは、通常５〜３０
μm 程度、巻線ピッチは、通常４０〜１００μm 程度、
巻数は、通常１．５〜５０．５ターン程度とすればよ
い。

【００３５】また、外部電極５、５の材質については、
特に制限がなく、各種導電体材料、例えばＡｇ、Ｎｉ、
Ｃｕ等あるいはＡｇ−Ｐｄ等のこれらの合金などの印刷
膜、メッキ膜、蒸着膜、イオンプレーティング膜、スパ
ッタ膜あるいはこれらの積層膜などいずれも使用可能で
ある。

【００３６】外部電極５、５の厚さは任意であり、目的
や用途に応じ適宜決定すればよいが、通常５〜３０μm
程度である。

【００３７】＜積層型インダクタの製造方法＞次に、本
発明の積層型インダクタの製造方法について説明する。

【００３８】まず、磁性体層用ペースト、導電体層用ペ
ーストおよび外部電極用ペーストをそれぞれ製造する。

【００３９】＜磁性体層用ペースト＞磁性体層用ペース
トは、次のようにして製造される。

【００４０】例えば、フェライトペーストを製造するに
は、所定量のＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ₂ Ｏ₃ 等の
フェライト原料粉末をボールミル等により湿式混合す
る。用いる各原料粉末の平均粒径は通常０．１〜１０μ
m 程度とする。

【００４１】こうして湿式混合したものを、通常スプレ
ードライヤー等により乾燥させ、その後仮焼し、仮焼体
を形成する。この仮焼体を、平均粒径が０．０１〜０．
１μm 程度になるまでボールミルにて湿式粉砕し、スプ
レードライヤー等により乾燥する。

【００４２】ここで、仮焼体のボールミルによる湿式粉
砕の条件は例えば次の通りである。

【００４３】ポット：ステンレスボールミルポット粉砕媒体：スチールボール粉砕時の分散媒：パーフルオロ不活性液体ポット内雰囲気：一般に空気粉砕時間：４０〜７０時間

【００４４】なお、上記パーフルオロ不活性液体として
は、パーフルオロアルカン、パーフルオロ環状エーテ
ル、およびパーフルオロ３級アミンのうち一種以上を用
いることが望ましい。上記パーフルオロアルカンとして
は、直鎖をもつものでも、分鎖をもつものでもいずれで
あってもよいが、直鎖をもつものが望ましく、またその
炭素数は４〜１０程度のものが用いられる。上記パーフ
ルオロ環状エーテルとしては、５または６員の環状飽和
モノエーテルを用いることが望ましい。また、上記パー
フルオロ３級アミンとしては炭素数１〜５程度のパーフ
ルオロアルキル基を有するパーフルオロ３級アミンを用
いることが望ましい。以上のパーフルオロ不活性液体の
一部として、住友３Ｍ社の商標名「フロリナート」が知
られている。

【００４５】得られた混合フェライト粉末と、エチルセ
ルロース、アクリル樹脂等のバインダーと、テルピネオ
ール、ブチルカルビトール等の溶媒とを混合し、例えば
３本ロール等で混練してペーストとする。

【００４６】この場合、ペースト中には各種ガラスや酸
化物を含有させることができる。

【００４７】なお、フェライト粉末のほか、各種磁性粒
子を用いることも可能である。

【００４８】＜導電体層用ペースト＞導電体層用ペース
トは、通常、導電性粒子と、バインダーと、溶剤とを含
有する。

【００４９】導電性粒子の材質は、従来導電体層用ペー
ストに用いられるものであれば特に制限がなく、金属や
金属酸化物等の焼成後に金属になるものを用いればよ
い。

【００５０】この場合、金属成分としては、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｐｄ等の１種以上を含む金属単体、あるいはこれら
の合金が好ましい。

【００５１】そして、特にＡｇ、Ａｇ合金、これらの酸
化物が好適である。

【００５２】また、導電性粒子の形状には特に制限がな
いが、ほぼ球状の形状が好ましい。また、導電性粒子の
平均粒径Ｄは、０．１〜１μm 、特に０．１〜０．４μ
m であることが好ましい。

【００５３】前記範囲未満ではペースト化が困難であ
り、また、印刷に適切でない。

【００５４】前記範囲をこえると高密度の導電体層を形
成できない。

【００５５】この場合、本発明では導電性粒子の粒径分
布がシャープなものを用いることが好ましい。

【００５６】具体的には、導電性粒子の平均粒径をＤと
するとき、Ｄ／２〜２Ｄの粒径の粒子が、全体の３０重
量％以上、特に４０重量％以上存在することが好まし
い。

【００５７】ただし、あまり大きくするのは困難である
ため、３０〜６０重量％、特に４０〜６０重量％とする
ことが好ましい。

【００５８】前記範囲未満では高密度の導電体層を形成
できない。

【００５９】なお、導電性粒子の粒径は、ＳＥＭにて観
察し、粒子の投影面積から円換算して算出すればよい。

【００６０】＜バインダー＞バインダーとしては、例え
ばエチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等
公知のものはいずれも使用可能である。

【００６１】また、バインダー含有量は、通常１〜５重
量％程度とする。

【００６２】溶剤としては、例えばテルピネオール、ブ
チルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使
用可能である。

【００６３】溶剤含有量は、通常１０〜５０重量％程度
とする。この他、総計１０重量％程度以下の範囲で、必
要に応じ、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪
酸エステル等の分散剤や、ジオクチルフタレート、ジブ
チルフタレート、ブチルフタリルグリコール酸ブチル等
の可塑剤や、デラミ防止、焼結抑制等の目的で、誘電
体、磁性体、絶縁体等の各種セラミック粉体等を添加す
ることもできる。

【００６４】このような各組成物を混合し、例えば３本
ロール等で混練してペーストとする。

【００６５】この場合、本発明の製造方法では、導電性
粒子が過不足なくペースト内に分散されるように混練す
る。

【００６６】具体的には、ポリエチレンテレフタレート
等の基材上に、混練後の導電体層用ペーストを塗布し、
塗膜の最上面を２０００〜１００００倍のＳＥＭ像に
て、観察したとき、塗膜の最外面に導電性粒子が存在し
ない領域の面積比が２０〜６０％、好ましくは３０〜５
０％、特に好ましくは３５〜４５％となるまで混練す
る。

【００６７】この場合、塗膜最外面とは、導電性粒子の
平均粒径Ｄの１〜５倍程度の領域である。

【００６８】前記範囲未満あるいは前記範囲をこえる
と、間隙６内にて、導電体層３が占める断面面積比が８
５％をこえ、また、磁性体層２と、導電体層３との接触
率が５０％をこえ、また、導電体層３の空孔率が５０％
をこえる。

【００６９】このような所望の分散性を有する導電体層
用ペーストを得るには、例えば３本ロールのロール間
隙、粘度、混練時間等を適宜調整すればよい。

【００７０】外部電極用ペーストは、前記の導電体材料
粉末を含有する通常のペーストを用いればよい。

【００７１】このような磁性体層用ペーストと導電体層
用ペーストは、印刷法、転写法、グリーンシート法等に
より、積層される。

【００７２】そして、所定の積層体寸法に切断した後、
焼成を行なう。

【００７３】焼成条件や焼成雰囲気は、材質等に応じて
適宜決定すればよいが、通常下記のとおりである。

【００７４】焼成温度：８５０〜９５０℃程度焼成時間：０．５〜５時間程度

【００７５】また、導電体層にＣｕ、Ｎｉ等を用いる場
合は、非酸化性雰囲気とし、このほか、Ａｇ、Ｐｄ等を
用いる場合は大気中でよい。

【００７６】＜複合積層部品＞本発明の好適実施例であ
る積層セラミックＬＣ複合部品を図３に示す。

【００７７】図３に示されるＬＣ複合部品２０は、セラ
ミック誘電体層２１と内部電極層２５とを積層して構成
されるコンデンサチップ体CTと、セラミック磁性層３１
と内部導体３５とを積層して構成されるインダクタチッ
プ体ITを一体化したものであり、表面に外部電極５１を
有する。なお、インダクタチップ体IT自体は、上記積層
インダクタ１のチップ体１０と同じであってよいので、
ここではその説明を省略する。

【００７８】＜コンデンサチップ体＞コンデンサチップ
体CTのセラミック誘電体層２１には特に制限がなく種々
の誘電体材料を用いてよいが、焼成温度が低いことか
ら、酸化チタン系誘電体を用いることが好ましい。ま
た、その他、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合
酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることもでき
る。また、焼成温度を低下させるために、ホウケイ酸ガ
ラス等のガラスを含有させてもよい。

【００７９】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ₃ Ｏ₄、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ₂ 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ₂ 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ
₃、ＣａＴｉＯ₃ 、ＭｇＴｉＯ₃ やこれらの混合物等
が、ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ₃ 、
ＳｒＺｒＯ₃ 、ＣａＺｒＯ₃ 、ＭｇＺｒＯ₃ やこれらの
混合物等が挙げられる。

【００８０】＜内部電極層＞本発明において、内部電極
層２５を構成する導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金
など、これらを１種以上含有する合金等から選択すれば
よいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が
好適である。

【００８１】＜構造＞ＬＣ複合部品１のコンデンサチッ
プ体CTは、従来公知の構造とすればよく、外形は通常ほ
ぼ直方体状の形状とする。そして図１に示されるよう
に、内部電極層２５の一端は外部電極５１に接続されて
いる。

【００８２】コンデンサチップ体CTの各部寸法等には特
に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよい。

【００８３】なお、誘電体層２１の積層数は目的に応じ
て定めればよいが、通常１〜１００程度である。また、
誘電体層２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０
μm程度であり、内部電極層２５の一層あたりの厚さ
は、通常５〜３０μm 程度である。

【００８４】＜外部電極の導電材＞本発明のＬＣ複合部
品１の外部電極５１を構成する導電材に特に制限はな
く、例えば、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡ
ｇ−Ｐｄ合金などのこれらを１種以上含有する合金等か
ら選択すればよいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などの
Ａｇ合金等が好適である。また、外部電極５１の形状や
寸法等には特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜
決定すればよいが、厚さは、通常１００〜２５００μm
程度である。

【００８５】＜ＬＣ複合部品の構造＞本発明のＬＣ複合
部品１の寸法には特に制限がなく、目的や用途等に応じ
て適宜選択すればよいが、通常（２．０〜１０．０mm）
×（１．２〜１５．０mm）×（１．２〜５．０mm）程度
である。

【００８６】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【００８７】なお、本明細書においては、チップインダ
クタで効果を特定できるので、複合積層部品についての
実施例は省略する。

【００８８】下記の各ペーストを調製した。

【００８９】（磁性体層用ペースト）最終組成でＦｅ₂
Ｏ₃ ：４９モル％、ＮｉＯ：８モル％、ＣｕＯ：１３
モル％およびＺｎＯ：３０モル％となるように出発原料
を混合した。これらを、ボールミルを用いて１６時間湿
式混合し、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤ
ーにより乾燥し、７００℃にて仮焼して仮焼体を形成
し、この仮焼体をボールミルにより次の条件で湿式粉砕
した。

【００９０】ポット：４インチ、ステンレスボ
ールミルポット粉砕媒体：１／２インチスチールボール２００
ｇ１／８インチスチールボール６００ｇ粉砕時の分散媒：フロリナート４００ｇポット内雰囲気：空気仮焼体：２００ｇ粉砕時間：６０時間

【００９１】このように粉砕した仮焼体をスプレードラ
イヤーで乾燥し、最終平均粒径０．１〜０．３μm のＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末とした。以上によ
り、本発明の実施例１によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト原料粉末を得た。

【００９２】一方、粉砕溶媒を水のままとしたこと以外
は上記実施例１と同様にして仮焼体を湿式粉砕し、これ
により比較例のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉を得
た。

【００９３】また、実施例１において出発原料のＣｕＯ
の代わりに水酸化銅Ｃｕ（ＯＨ）₂を用い、配合混合時
間を１６時間から５時間に短縮した以外は実施例１と同
様にしてＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉を得た。こ
れを実施例２とした。

【００９４】更に、ボールミルのポット内の雰囲気であ
る空気をＯ₂ガスで置換し、ポット内を酸素分圧の高い
系としたこと以外は、実施例１と同様にして仮焼体を湿
式粉砕し、これにより実施例３のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライト原料粉を得た。

【００９５】次いで、これらの原料粉末１００重量部に
対し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネ
オール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペー
ストとした。

【００９６】（内部導体用ペースト）平均粒径０．８μ
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。

【００９７】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、積層積層型チ
ップインダクタを製造した。

【００９８】この場合、焼成温度は８９０℃、焼成時間
は２時間とし、焼成雰囲気は大気中とした。

【００９９】得られた積層型チップインダクタの寸法
は、４．５mm×３．２mm×１．１mm、巻数９．５ターン
とした。

【０１００】上記積層型チップインダクタのうち、実施
例１の磁性フェライトと比較例の磁性フェライトを用い
たものについて、それぞれのフェライト磁性層断面を透
過型電子顕微鏡で撮影した。それぞれの写真を図４およ
び図５として示した。図４の写真から分かるように、実
施例１のフェライト磁性層においては、フェライト結晶
粒界にストレス縞（干渉縞）が見当たらないが、図５の
写真から分かるように、比較例のフェライト磁性層にお
いては、フェライト結晶粒界にストレス縞（干渉縞）が
観察される。

【０１０１】更に、上記積層型チップインダクタについ
て、測定周波数４００ｋＨｚの条件にてのＬ（インダク
タンス）およびＱを求めた。得られた結果を表１に示
す。

【０１０２】

【表１】

【０１０３】表１に示す結果から分かるように、粉砕時
の分散媒としてフロリナートを用いることにより、比較
例に比べて、電磁気特性、特にインダクタンスＬが極め
て向上した。

【０１０４】また、表１から分かるように、実施例３の
ように、出発原料のＣｕ成分として酸化銅の代わりに水
酸化銅を用いることで、短時間（５時間）の配合混合時
間でも各原料粉末が均一に分散され、磁気劣化の原因で
あったＣｕＯの偏析がなくなり、均一なフェライト組織
が得られ、他の実施例と同様の電磁気特性が得られた。

【０１０５】

【発明の効果】以上から明瞭なように、本発明によれ
ば、電磁気特性を持つ磁性フェライトを得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の積層型インダクタの一例を示す断面図
である。

【図２】上記積層型インダクタの一部破さい平面図であ
る。

【図３】本発明の複合ＬＣ積層部品の一部を切り欠いて
示した斜視図である。

【図４】結晶構造を示す図面代用写真であって、本発明
の製造方法により製造されたインダクタチップ体のフェ
ライト磁性層断面の透過電子顕微鏡写真である。

【図５】結晶構造を示す図面代用写真であって、比較例
の製造方法により製造されたインダクタチップ体のフェ
ライト磁性層断面の透過電子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１積層型インダクタ２磁性体層３導電体層５外部電極１０チップ体２０複合ＬＣ積層部品 CT コンデンサチップ体 IT インダクタチップ体２１セラミック誘電体層２５内部電極３１セラミックス磁性層３５内部導体５１外部電極

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【手続補正書】

【提出日】平成５年７月２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図５

【補正方法】変更

【補正内容】

【図５】

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｆ 17/00 Ｄ 7319−5Ｅ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】仮焼体を湿式粉砕して、フェライト原料
を製造する磁性フェライトの製造方法において、粉砕時
の分散媒としてパーフルオロ不活性液体を用いたことを
特徴とする磁性フェライトの製造方法。
【請求項２】前記パーフルオロ不活性液体が、パーフ
ルオロアルカン、パーフルオロ環状エーテルおよびパー
フルオロ３級アミンのうち一種以上である請求項１の磁
性フェライトの製造方法。
【請求項３】請求項１または２のいずれかの方法によ
り製造された磁性フェライト。
【請求項４】Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系磁性フェライトであ
る請求項３の磁性フェライト。
【請求項５】Ｃｕ成分の出発原料として水酸化銅を用
いる請求項４の磁性フェライト。
【請求項６】フェライトの組成がＦｅ₂ Ｏ₃ ：４５〜
５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：４〜５０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：３
〜３０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０．５〜３５ｍｏｌ％で
ある請求項４または５の磁性フェライト。
【請求項７】フェライト磁性層と内部導体層とを積層
して構成されるインダクタ部を有するインダクタ部品で
あって、前記フェライト磁性層が請求項３ないし６のいずれかの
磁性フェライトで構成されていることを特徴とする積層
型インダクタ部品。
【請求項８】フェライト磁性層と内部導体層とを積層
して構成されるインダクタ部を少なくとも有する複合積
層部品であって、前記フェライト磁性層が請求項３ないし６のいずれかの
磁性フェライトで構成されていることを特徴とする複合
積層部品。