JPH0891919A - 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 - Google Patents
酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品Info
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- JPH0891919A JPH0891919A JP6231779A JP23177994A JPH0891919A JP H0891919 A JPH0891919 A JP H0891919A JP 6231779 A JP6231779 A JP 6231779A JP 23177994 A JP23177994 A JP 23177994A JP H0891919 A JPH0891919 A JP H0891919A
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates the magnetic material being applied in the form of particles, e.g. by serigraphy, to form thick magnetic films or precursors therefor
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の酸化物磁性材料組成物は、焼成後の
Ｆｅ2Ｏ3換算で３０〜５２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後の
ＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕ
Ｏ換算で０〜３０ｍｏｌ％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換
算で０〜４０ｍｏｌ％のＺｎと、焼成後のＰｂＯ換算で
０．００５〜６ｍｏｌ％のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算
で０〜４ｍｏｌ％のＣｏと、焼成後のＭｇＯ換算で０〜
５ｍｏｌ％のＭｇと、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０
ｍｏｌ％のＳｉを含有するものである。 【効果】 本発明の酸化物磁性材料組成物は、損失が小
さく、また、これをインダクタ、積層チップインダクタ
および複合積層部品に用いた場合には、非常に高いＱお
よびＬを得る事ができる。
Ｆｅ2Ｏ3換算で３０〜５２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後の
ＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕ
Ｏ換算で０〜３０ｍｏｌ％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換
算で０〜４０ｍｏｌ％のＺｎと、焼成後のＰｂＯ換算で
０．００５〜６ｍｏｌ％のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算
で０〜４ｍｏｌ％のＣｏと、焼成後のＭｇＯ換算で０〜
５ｍｏｌ％のＭｇと、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０
ｍｏｌ％のＳｉを含有するものである。 【効果】 本発明の酸化物磁性材料組成物は、損失が小
さく、また、これをインダクタ、積層チップインダクタ
および複合積層部品に用いた場合には、非常に高いＱお
よびＬを得る事ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物磁性材料組成物
とその製造方法、ならびに、この酸化物磁性材料組成物
を用いたインダクタ、積層チップインダクタおよび複合
積層部品に関する。
とその製造方法、ならびに、この酸化物磁性材料組成物
を用いたインダクタ、積層チップインダクタおよび複合
積層部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】電気機器の高性能化の為に、それに用い
るインダクタとして、出来る限り損失の小さな、すなわ
ちＱの高いものが望まれている。インダクタのＱを向上
させる技術として、特開平２−１２２５０５号公報に、
積層チップインダクタを低酸素濃度雰囲気中で焼成し、
内部導体損失を小さく抑えＱを向上させる製造方法が開
示されている。また材料技術としては、特開平２−２８
８３０７号公報に、フェライトにホウケイ酸ガラスを添
加する事により、浮遊容量を小さくし、自己共振周波数
を高くして、高周波でのＱを向上させる技術が開示され
ている。更に、特開平４−２７１０３号公報には、Ｎｉ
Ｃｏフェライトが２００ＭＨｚ以上の高周波では高いＱ
が得られることが開示されている。
るインダクタとして、出来る限り損失の小さな、すなわ
ちＱの高いものが望まれている。インダクタのＱを向上
させる技術として、特開平２−１２２５０５号公報に、
積層チップインダクタを低酸素濃度雰囲気中で焼成し、
内部導体損失を小さく抑えＱを向上させる製造方法が開
示されている。また材料技術としては、特開平２−２８
８３０７号公報に、フェライトにホウケイ酸ガラスを添
加する事により、浮遊容量を小さくし、自己共振周波数
を高くして、高周波でのＱを向上させる技術が開示され
ている。更に、特開平４−２７１０３号公報には、Ｎｉ
Ｃｏフェライトが２００ＭＨｚ以上の高周波では高いＱ
が得られることが開示されている。
【０００３】ところが、これらの材料技術は、１００Ｍ
Ｈｚ以上の高周波では高いＱが得られるが、それより低
い周波数ではＱが低いという欠点がある。すなわち、１
〜１００ＭＨｚの周波数帯域におけるＱ向上の材料技術
は、未だ実用化されていないのが現状である。
Ｈｚ以上の高周波では高いＱが得られるが、それより低
い周波数ではＱが低いという欠点がある。すなわち、１
〜１００ＭＨｚの周波数帯域におけるＱ向上の材料技術
は、未だ実用化されていないのが現状である。
【０００４】ところで、電子部品の小型化が進むなか
で、焼結体に導線を巻線して得られる巻線型インダクタ
に代わって、磁性体層と導体層を積層し低温で同時焼成
した積層型インダクタが実用化されている。また更に、
数個のインダクタおよびコンデンサをワンチップ化した
複合積層部品も実用化に至っている。ところが、巻線型
から積層型インダクタにする事により、また積層部品の
複合化が進むにつれ、導体の直流抵抗や表皮効果などに
よる導体損失、応力や異成分の拡散などによる磁気損
失、浮遊容量による誘電損失などが増大し、Ｑが低下す
る傾向にあった。
で、焼結体に導線を巻線して得られる巻線型インダクタ
に代わって、磁性体層と導体層を積層し低温で同時焼成
した積層型インダクタが実用化されている。また更に、
数個のインダクタおよびコンデンサをワンチップ化した
複合積層部品も実用化に至っている。ところが、巻線型
から積層型インダクタにする事により、また積層部品の
複合化が進むにつれ、導体の直流抵抗や表皮効果などに
よる導体損失、応力や異成分の拡散などによる磁気損
失、浮遊容量による誘電損失などが増大し、Ｑが低下す
る傾向にあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
技術では十分なＱを示す材料が得られておらず、回路設
計上、もしくは複合積層部品の構造設計上困難が強いら
れ、果ては電気機器の性能低下へと結び付いていた。
技術では十分なＱを示す材料が得られておらず、回路設
計上、もしくは複合積層部品の構造設計上困難が強いら
れ、果ては電気機器の性能低下へと結び付いていた。
【０００６】そこで本発明の目的は、上記問題点を解決
し、Ｑの高い材料を獲得し、積層型インダクタや複合積
層部品のＱ低下をなくす事、および回路設計や複合積層
部品の構造設計を容易にし、さらには、電気機器の性能
を高めることにある。
し、Ｑの高い材料を獲得し、積層型インダクタや複合積
層部品のＱ低下をなくす事、および回路設計や複合積層
部品の構造設計を容易にし、さらには、電気機器の性能
を高めることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１３）の本発明によって達成される。
（１）〜（１３）の本発明によって達成される。
【０００８】（１） 焼成後のＦｅ2Ｏ3換算で３０〜５
２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍ
ｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ
％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％の
Ｚｎと、焼成後のＰｂＯ換算で０．００５〜６ｍｏｌ％
のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算で０〜４ｍｏｌ％のＣｏ
と、焼成後のＭｇＯ換算で０〜５ｍｏｌ％のＭｇと、焼
成後のＳｉＯ2換算で０〜１０ｍｏｌ％のＳｉを含有す
る酸化物磁性材料組成物。
２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍ
ｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ
％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％の
Ｚｎと、焼成後のＰｂＯ換算で０．００５〜６ｍｏｌ％
のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算で０〜４ｍｏｌ％のＣｏ
と、焼成後のＭｇＯ換算で０〜５ｍｏｌ％のＭｇと、焼
成後のＳｉＯ2換算で０〜１０ｍｏｌ％のＳｉを含有す
る酸化物磁性材料組成物。
【０００９】（２） 焼成後のＦｅ2Ｏ3換算で３０〜５
２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍ
ｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ
％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％の
Ｚｎの混合物を仮焼成した後、焼成後のＰｂＯ換算で
０．００５〜６ｍｏｌ％のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算
で０〜４ｍｏｌ％のＣｏと、焼成後のＭｇＯ換算で０〜
５ｍｏｌ％のＭｇと、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０
ｍｏｌ％のＳｉを添加混合する（１）の酸化物磁性材料
組成物の製造方法。
２ｍｏｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍ
ｏｌ％のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ
％のＣｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％の
Ｚｎの混合物を仮焼成した後、焼成後のＰｂＯ換算で
０．００５〜６ｍｏｌ％のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算
で０〜４ｍｏｌ％のＣｏと、焼成後のＭｇＯ換算で０〜
５ｍｏｌ％のＭｇと、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０
ｍｏｌ％のＳｉを添加混合する（１）の酸化物磁性材料
組成物の製造方法。
【００１０】（３） Ｐｂを、その他の成分と乾式で混
合する（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
合する（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
【００１１】（４） Ｐｂを、その他の成分と湿式で混
合する際、そのスラリーのｐＨが１．５〜１１．０であ
る（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
合する際、そのスラリーのｐＨが１．５〜１１．０であ
る（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
【００１２】（５） Ｐｂを、その他の成分と湿式で混
合する際、その混合時間が０．２５〜５５時間である
（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
合する際、その混合時間が０．２５〜５５時間である
（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
【００１３】（６） Ｐｂを、その他の成分と混合容器
内に収納した状態で湿式混合する際、前記混合容器内の
雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の総表面積をＹとした
とき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） で表される関係を満たす（２）の酸化物磁性材料組成物
の製造方法。
内に収納した状態で湿式混合する際、前記混合容器内の
雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の総表面積をＹとした
とき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） で表される関係を満たす（２）の酸化物磁性材料組成物
の製造方法。
【００１４】（７） Ｐｂを、その他の成分と湿式で混
合する際、その混合媒体の表面および／または混合容器
の内壁面が非金属である（２）の酸化物磁性材料組成物
の製造方法。
合する際、その混合媒体の表面および／または混合容器
の内壁面が非金属である（２）の酸化物磁性材料組成物
の製造方法。
【００１５】（８） Ｐｂを、その他の成分と湿式で混
合する際、その分散媒がパーフルオロ不活性液体である
（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
合する際、その分散媒がパーフルオロ不活性液体である
（２）の酸化物磁性材料組成物の製造方法。
【００１６】（９） （１）の酸化物磁性材料組成物を
用いた磁心を有するインダクタ。
用いた磁心を有するインダクタ。
【００１７】（１０） 磁性体層と導体層を積層したチ
ップインダクタにおいて、磁性体層に（１）の酸化物磁
性材料組成物を用いた積層チップインダクタ。
ップインダクタにおいて、磁性体層に（１）の酸化物磁
性材料組成物を用いた積層チップインダクタ。
【００１８】（１１） 磁性体層と導体層との積層体を
９５０℃以下で焼成した（１０）の積層チップインダク
タ。
９５０℃以下で焼成した（１０）の積層チップインダク
タ。
【００１９】（１２） 磁性体層と導体層を積層して構
成されるインダクタ部を有する複合積層部品において、
磁性体層に（１）の酸化物磁性材料組成物を用いた複合
積層部品。
成されるインダクタ部を有する複合積層部品において、
磁性体層に（１）の酸化物磁性材料組成物を用いた複合
積層部品。
【００２０】（１３） 磁性体層と導体層との積層体を
９５０℃以下で焼成した（１２）の複合積層部品。
９５０℃以下で焼成した（１２）の複合積層部品。
【００２１】
【作用】本発明の酸化物磁性材料組成物は、Ｎｉ系フェ
ライト、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにＰｂを添加する
ことにより、μiを低下させ、焼結性のおよびＱを向上
させ、適応周波数を高周波化できる効果がある。また、
一般に、磁心の適応周波数の制御は、フェライトの組
成、特にＺｎ量による制御が行われる。
ライト、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにＰｂを添加する
ことにより、μiを低下させ、焼結性のおよびＱを向上
させ、適応周波数を高周波化できる効果がある。また、
一般に、磁心の適応周波数の制御は、フェライトの組
成、特にＺｎ量による制御が行われる。
【００２２】Ｐｂを添加した材料および無添加の材料の
適応周波数が同等となるよう、その双方に適当なフェラ
イト組成を選択し磁気特性を比較すると、Ｐｂ添加材料
は無添加材料より、μi、Ｑ共に高い特性が得られる。
適応周波数が同等となるよう、その双方に適当なフェラ
イト組成を選択し磁気特性を比較すると、Ｐｂ添加材料
は無添加材料より、μi、Ｑ共に高い特性が得られる。
【００２３】また、共振周波数も比較的高い為、高周波
部品の設計に有利である。
部品の設計に有利である。
【００２４】さらに、Ｐｂ添加材料を用いた部品は、無
添加材料を用いたものに比べ、積層や複合化に伴うＱの
低下が小さく、高Ｌ、高Ｑを得る事ができる。
添加材料を用いたものに比べ、積層や複合化に伴うＱの
低下が小さく、高Ｌ、高Ｑを得る事ができる。
【００２５】以上の効果は、さらにＣｏ、Ｍｇ、Ｓｉを
添加する事で、より顕著となる。
添加する事で、より顕著となる。
【００２６】Ｐｂは、焼成後のＰｂＯ換算で０．００５
〜６ｍｏｌ％、より好ましくは０．０１〜６ｍｏｌ％、
更に好ましくは０．０５〜６ｍｏｌ％である。６ｍｏｌ
％を越えると、積層チップインダクタおよび複合積層部
品に用いた場合、内部導体として一般に用いられるＡｇ
の析出および断線の恐れが出てくる。０．００５ｍｏｌ
％未満であると焼結性およびＱが低下し、また、適応周
波数が低周波へ変化してしまう。
〜６ｍｏｌ％、より好ましくは０．０１〜６ｍｏｌ％、
更に好ましくは０．０５〜６ｍｏｌ％である。６ｍｏｌ
％を越えると、積層チップインダクタおよび複合積層部
品に用いた場合、内部導体として一般に用いられるＡｇ
の析出および断線の恐れが出てくる。０．００５ｍｏｌ
％未満であると焼結性およびＱが低下し、また、適応周
波数が低周波へ変化してしまう。
【００２７】Ｃｏは、焼成後のＣｏＯ換算で０〜４ｍｏ
ｌ％、より好ましくは０．０５〜３．５ｍｏｌ％、更に
好ましくは０．０５〜３．０ｍｏｌ％である。
ｌ％、より好ましくは０．０５〜３．５ｍｏｌ％、更に
好ましくは０．０５〜３．０ｍｏｌ％である。
【００２８】Ｍｇは、焼成後のＭｇＯ換算で０〜５ｍｏ
ｌ％、より好ましくは０〜４．５ｍｏｌ％、更に好まし
くは０〜４．０ｍｏｌ％である。
ｌ％、より好ましくは０〜４．５ｍｏｌ％、更に好まし
くは０〜４．０ｍｏｌ％である。
【００２９】Ｓｉは、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０
ｍｏｌ％、より好ましくは０〜９ｍｏｌ％、更に好まし
くは０〜８ｍｏｌ％である。
ｍｏｌ％、より好ましくは０〜９ｍｏｌ％、更に好まし
くは０〜８ｍｏｌ％である。
【００３０】Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉが、それぞれ前記範囲を
越えると、焼結性、μi、Ｑの低下を招く事になる。ま
た、これらの添加物はフェライトの仮焼成後に添加混合
する事により、焼結性がよくなり、μi、Ｑが向上す
る。仮焼成前に添加した場合には、フェライトの結晶化
が阻害され、また、焼結体の混合度が劣化し、焼結性お
よび磁気特性の劣化へと結び付く。
越えると、焼結性、μi、Ｑの低下を招く事になる。ま
た、これらの添加物はフェライトの仮焼成後に添加混合
する事により、焼結性がよくなり、μi、Ｑが向上す
る。仮焼成前に添加した場合には、フェライトの結晶化
が阻害され、また、焼結体の混合度が劣化し、焼結性お
よび磁気特性の劣化へと結び付く。
【００３１】Ｆｅは、焼成後のＦｅ2Ｏ3換算で３０〜５
２ｍｏｌ％、より好ましくは３０〜５０ｍｏｌ％であ
る。５２ｍｏｌ％を越えると、α−Ｆｅ2Ｏ3の析出によ
り焼結性、比抵抗の低下を招き、μi、Ｑの低下へとつ
ながる。３０％未満であると適応周波数が１００ＭＨｚ
を越え、本発明の目的に合致しない。
２ｍｏｌ％、より好ましくは３０〜５０ｍｏｌ％であ
る。５２ｍｏｌ％を越えると、α−Ｆｅ2Ｏ3の析出によ
り焼結性、比抵抗の低下を招き、μi、Ｑの低下へとつ
ながる。３０％未満であると適応周波数が１００ＭＨｚ
を越え、本発明の目的に合致しない。
【００３２】Ｎｉは高周波用材料には非常に重要な成分
であり、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％、より
好ましくは１０〜６５ｍｏｌ％である。５ｍｏｌ％未満
ではＱの低下を招く事になる。６５ｍｏｌ％を越えると
適応周波数が１００ＭＨｚを越えてしまう。
であり、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％、より
好ましくは１０〜６５ｍｏｌ％である。５ｍｏｌ％未満
ではＱの低下を招く事になる。６５ｍｏｌ％を越えると
適応周波数が１００ＭＨｚを越えてしまう。
【００３３】Ｃｕは、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍ
ｏｌ％である。３０ｍｏｌ％を越えるとＱが低下する。
又、複合積層部品に用いた場合、コンデンサ材料等の異
材質との接合界面においてＣｕＯやＺｎＯが析出し、回
路抵抗（ＩＲ）が低下する事がある。
ｏｌ％である。３０ｍｏｌ％を越えるとＱが低下する。
又、複合積層部品に用いた場合、コンデンサ材料等の異
材質との接合界面においてＣｕＯやＺｎＯが析出し、回
路抵抗（ＩＲ）が低下する事がある。
【００３４】Ｚｎは、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍ
ｏｌ％、より好ましくは０〜３５ｍｏｌ％である。４０
ｍｏｌ％を越えるとＱが低下する。又、フェライトのキ
ュリー点が１００℃以下となり、実用上、信頼性に欠け
るため、好ましくない。
ｏｌ％、より好ましくは０〜３５ｍｏｌ％である。４０
ｍｏｌ％を越えるとＱが低下する。又、フェライトのキ
ュリー点が１００℃以下となり、実用上、信頼性に欠け
るため、好ましくない。
【００３５】本発明の酸化物磁性材料組成物は、Ｆｅ、
Ｎｉ、および必要に応じＣｕ、Ｚｎを加えた混合物を仮
焼成しフェライト材料とした後、これにＰｂ、必要に応
じＣｏ、Ｍｇ、Ｓｉを添加混合することにより製造でき
る。なお、Ｐｂの添加は他の添加物をフェライト材料に
添加混合した後に行うことが好ましい。混合は乾式、湿
式のどちらを用いてもよい。ただし、Ｐｂを含有する材
料を湿式混合する場合には、Ｆｅ系材料を用いた混合容
器および混合媒体を使用すると、混合中にＰｂ化合物が
還元され、混合容器もしくは混合媒体にメッキされるこ
とがある。この場合、スラリー中のＰｂＯ濃度が減少
し、所望の組成が得られないと言う問題があるため、Ｐ
ｂメッキの抑制を図ることが必要である。
Ｎｉ、および必要に応じＣｕ、Ｚｎを加えた混合物を仮
焼成しフェライト材料とした後、これにＰｂ、必要に応
じＣｏ、Ｍｇ、Ｓｉを添加混合することにより製造でき
る。なお、Ｐｂの添加は他の添加物をフェライト材料に
添加混合した後に行うことが好ましい。混合は乾式、湿
式のどちらを用いてもよい。ただし、Ｐｂを含有する材
料を湿式混合する場合には、Ｆｅ系材料を用いた混合容
器および混合媒体を使用すると、混合中にＰｂ化合物が
還元され、混合容器もしくは混合媒体にメッキされるこ
とがある。この場合、スラリー中のＰｂＯ濃度が減少
し、所望の組成が得られないと言う問題があるため、Ｐ
ｂメッキの抑制を図ることが必要である。
【００３６】Ｐｂのメッキについては、混合中に混合容
器もしくは混合媒体から混入するＦｅ（ＯＨ）2とＰｂ
Ｏとの酸化還元反応が主因であると考えられる。すなわ
ち、Ｐｂメッキの抑制方法としては、Ｆｅ（ＯＨ）2混
入の防止、酸化剤の供給などが有効である。具体的に
は、Ｆｅを含む材料と乾式で混合すること、または湿式
混合を行う場合にはスラリーのｐＨを１．５〜１１．０
に制御すること、混合時間を０．２５〜５５時間とする
こと、混合容器内の雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の
総表面積をＹとしたとき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） を満たすこと、混合媒体の表面および／または混合容器
の内壁面が非金属であること、および混合分散媒がパー
フルオロ不活性液体であることによりＰｂメッキの抑制
が可能となる。
器もしくは混合媒体から混入するＦｅ（ＯＨ）2とＰｂ
Ｏとの酸化還元反応が主因であると考えられる。すなわ
ち、Ｐｂメッキの抑制方法としては、Ｆｅ（ＯＨ）2混
入の防止、酸化剤の供給などが有効である。具体的に
は、Ｆｅを含む材料と乾式で混合すること、または湿式
混合を行う場合にはスラリーのｐＨを１．５〜１１．０
に制御すること、混合時間を０．２５〜５５時間とする
こと、混合容器内の雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の
総表面積をＹとしたとき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） を満たすこと、混合媒体の表面および／または混合容器
の内壁面が非金属であること、および混合分散媒がパー
フルオロ不活性液体であることによりＰｂメッキの抑制
が可能となる。
【００３７】
【具体的構成】以下、一例として本発明のＬＣ複合積層
部品について、その構成を具体的に説明する。
部品について、その構成を具体的に説明する。
【００３８】ＬＣ複合積層部品の構造の１例を、図１
（斜視図）、図２（断面図）に示す。
（斜視図）、図２（断面図）に示す。
【００３９】図１および２に示されるＬＣ複合積層部品
１は、コンデンサ部２とインダクタ部３とを一体化した
ものであり、表面に外部電極５１を有する。コンデンサ
部２は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５によ
り構成される。インダクタ部３は、セラミック磁性体層
３１と内部導体層３５により構成される。又、内部電極
層２５と内部導体層３５は、それぞれ外部電極５１に接
続されている。
１は、コンデンサ部２とインダクタ部３とを一体化した
ものであり、表面に外部電極５１を有する。コンデンサ
部２は、セラミック誘電体層２１と内部電極層２５によ
り構成される。インダクタ部３は、セラミック磁性体層
３１と内部導体層３５により構成される。又、内部電極
層２５と内部導体層３５は、それぞれ外部電極５１に接
続されている。
【００４０】ＬＣ複合積層部品１の寸法には特に制限は
なく、目的に応じて定めれば良い。ただし通常は、
（１．６〜１５．０ｍｍ）×（０．８〜１０．０ｍｍ）
×（０．５〜５．０ｍｍ）程度である。
なく、目的に応じて定めれば良い。ただし通常は、
（１．６〜１５．０ｍｍ）×（０．８〜１０．０ｍｍ）
×（０．５〜５．０ｍｍ）程度である。
【００４１】コンデンサ部２は、従来公知の構造とすれ
ば良く、外形は通常ほぼ直方体の形状とする。又、各部
寸法等には特に制限はなく、目的に応じて定めれば良
い。ただし通常は、誘電体層２１の積層数が１〜１０
０、誘電体層２１の一層あたりの厚さが１０〜１５０μ
ｍ、内部電極層２５の一層あたりの厚さが３〜３０μｍ
程度のものが選択される インダクタ部３は、従来公知の構造とすれば良く、外形
は通常ほぼ直方体の形状とする。又、各部寸法等には特
に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただし通常
は、巻数が１．５〜５０．５ターン、巻線ピッチが１０
〜２００μｍ、内部導体層３５の厚さが３〜５０μｍ程
度のものが選択される。
ば良く、外形は通常ほぼ直方体の形状とする。又、各部
寸法等には特に制限はなく、目的に応じて定めれば良
い。ただし通常は、誘電体層２１の積層数が１〜１０
０、誘電体層２１の一層あたりの厚さが１０〜１５０μ
ｍ、内部電極層２５の一層あたりの厚さが３〜３０μｍ
程度のものが選択される インダクタ部３は、従来公知の構造とすれば良く、外形
は通常ほぼ直方体の形状とする。又、各部寸法等には特
に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただし通常
は、巻数が１．５〜５０．５ターン、巻線ピッチが１０
〜２００μｍ、内部導体層３５の厚さが３〜５０μｍ程
度のものが選択される。
【００４２】ＬＣ複合積層部品１の外部電極５１の厚さ
には特に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただ
し通常は、厚さ５０〜２００μｍ程度である。
には特に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただ
し通常は、厚さ５０〜２００μｍ程度である。
【００４３】コンデンサ部２のセラミック誘電体層２１
に用いる材料には、特に制限はなく、目的に応じて定め
れば良い。ただし通常は、チタン酸系複合酸化物やジル
コン酸系複合酸化物が主成分として用いられる。
に用いる材料には、特に制限はなく、目的に応じて定め
れば良い。ただし通常は、チタン酸系複合酸化物やジル
コン酸系複合酸化物が主成分として用いられる。
【００４４】ＬＣ複合積層部品１の外部電極５１、およ
び、コンデンサ部２の内部電極層２５に用いる材料に
は、特に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただ
し通常は、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉなど
が、単独、もしくはこれらを１種以上含有する合金とし
て用いられる。
び、コンデンサ部２の内部電極層２５に用いる材料に
は、特に制限はなく、目的に応じて定めれば良い。ただ
し通常は、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉなど
が、単独、もしくはこれらを１種以上含有する合金とし
て用いられる。
【００４５】インダクタ部３の内部導体層３５に用いる
材料には、電気伝導度の大きいものが好ましく、通常、
Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが用いられる。
材料には、電気伝導度の大きいものが好ましく、通常、
Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金などが用いられる。
【００４６】本発明の複合積層部品は、以上のようなＬ
Ｃ複合積層部品に限定されるものではなく、インダクタ
部を有するものであれば、この他各種の複合積層部品で
あって良い。
Ｃ複合積層部品に限定されるものではなく、インダクタ
部を有するものであれば、この他各種の複合積層部品で
あって良い。
【００４７】インダクタ部３のセラミック磁性体層３１
に用いる材料において、主成分となるフェライトは、Ｎ
ｉフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェ
ライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等のＮｉ系フェラ
イトである。Ｎｉ系フェライトは各種フェライトの中で
も、とりわけ高周波に適した材料であると言える。この
Ｎｉ系フェライトにＰｂを添加する事により、低損失、
高Ｑである材料を得る事ができる。また、更に、Ｃｏ、
Ｍｇ、Ｓｉを添加する事で、Ｐｂ添加の効果がより顕著
となり、特に高周波でのＱが向上する。
に用いる材料において、主成分となるフェライトは、Ｎ
ｉフェライト、Ｎｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェ
ライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等のＮｉ系フェラ
イトである。Ｎｉ系フェライトは各種フェライトの中で
も、とりわけ高周波に適した材料であると言える。この
Ｎｉ系フェライトにＰｂを添加する事により、低損失、
高Ｑである材料を得る事ができる。また、更に、Ｃｏ、
Ｍｇ、Ｓｉを添加する事で、Ｐｂ添加の効果がより顕著
となり、特に高周波でのＱが向上する。
【００４８】本発明の酸化物磁性材料組成物の製造方法
の一例を以下に説明する。
の一例を以下に説明する。
【００４９】所定量のＦｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎのフェラ
イト原料粉末を、ボールミル等により乾式または湿式混
合する。用いる粉末の粒径は、０．０５〜１０μｍ程度
とする。こうして混合したものを、スプレードライヤー
等により乾燥し、その後仮焼成し、粉砕する。この後、
材料の均質性を高めるために再度仮焼成および粉砕を行
ってもよい。
イト原料粉末を、ボールミル等により乾式または湿式混
合する。用いる粉末の粒径は、０．０５〜１０μｍ程度
とする。こうして混合したものを、スプレードライヤー
等により乾燥し、その後仮焼成し、粉砕する。この後、
材料の均質性を高めるために再度仮焼成および粉砕を行
ってもよい。
【００５０】次に、この仮焼成粉に所定量のＣｏ、Ｍ
ｇ、Ｓｉの添加物の粉末を加え、ボールミル等により、
粉体粒径が０．０１〜０．５μｍ程度となるまで乾式ま
たは湿式粉砕する。更にＰｂを加え乾式または湿式混合
した後、スプレードライヤー等で乾燥する。ここで、湿
式混合とする場合には０．２５〜５５時間程度とするこ
とが好ましい。Ｐｂを粉砕の最初から加えずに後から加
え、比較的短時間の混合で終了することにより、混合容
器であるポットや混合媒体であるボールへのＰｂのメッ
キを防止できる。用いる添加物の粒径は０．０５〜１０
μｍ程度とする。また、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ等の添
加物は、フェライトの仮焼成前に添加混合するより、仮
焼成後に添加混合する方が焼結性がよく、μi、Ｑが高
特性となる。
ｇ、Ｓｉの添加物の粉末を加え、ボールミル等により、
粉体粒径が０．０１〜０．５μｍ程度となるまで乾式ま
たは湿式粉砕する。更にＰｂを加え乾式または湿式混合
した後、スプレードライヤー等で乾燥する。ここで、湿
式混合とする場合には０．２５〜５５時間程度とするこ
とが好ましい。Ｐｂを粉砕の最初から加えずに後から加
え、比較的短時間の混合で終了することにより、混合容
器であるポットや混合媒体であるボールへのＰｂのメッ
キを防止できる。用いる添加物の粒径は０．０５〜１０
μｍ程度とする。また、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ等の添
加物は、フェライトの仮焼成前に添加混合するより、仮
焼成後に添加混合する方が焼結性がよく、μi、Ｑが高
特性となる。
【００５１】なお、本発明の酸化物磁性材料組成物の原
料は、反応後酸化物になれば特に制限は無く、酸化物の
他、金属単体、炭酸塩、水酸化物、ハロゲン化物等を反
応条件に合わせて任意に使用できる。
料は、反応後酸化物になれば特に制限は無く、酸化物の
他、金属単体、炭酸塩、水酸化物、ハロゲン化物等を反
応条件に合わせて任意に使用できる。
【００５２】また、不純物として、焼成後のＭｎＯ、Ｃ
ａＯ、Ｎａ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｖ
2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、およびＳｎＯ換算で、これらの和が全
体の５ｗｔ％以下含有されていてもよい。
ａＯ、Ｎａ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｖ
2Ｏ5、Ｂｉ2Ｏ3、およびＳｎＯ換算で、これらの和が全
体の５ｗｔ％以下含有されていてもよい。
【００５３】本発明の、ＬＣ複合積層部品等の複合積層
部品は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によ
り製造する事ができる。
部品は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によ
り製造する事ができる。
【００５４】セラミック磁性体層用ペーストは、以下の
ようにして作製できる。
ようにして作製できる。
【００５５】前述のようにして得られた酸化物磁性材料
組成物を、エチルセルロース等のバインダーとテルピネ
オール、ブチルカルビトール等の溶剤中に分散させて、
ペーストとする。
組成物を、エチルセルロース等のバインダーとテルピネ
オール、ブチルカルビトール等の溶剤中に分散させて、
ペーストとする。
【００５６】セラミック誘電体層用ペーストの構成に特
に制限はなく、例えば上記のような誘電材料、あるいは
焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、各種バイン
ダおよび溶剤と混練して調製する。
に制限はなく、例えば上記のような誘電材料、あるいは
焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、各種バイン
ダおよび溶剤と混練して調製する。
【００５７】内部電極層用ペースト、内部導体層用ペー
スト、および外部電極用ペーストの構成に特に制限はな
く、それぞれ、上記の各種導電性金属、合金、あるいは
焼成後に上記の導電体となる各種酸化物、有機金属化合
物、レジネートと、各種バインダおよび溶剤とを混練し
て調製する。
スト、および外部電極用ペーストの構成に特に制限はな
く、それぞれ、上記の各種導電性金属、合金、あるいは
焼成後に上記の導電体となる各種酸化物、有機金属化合
物、レジネートと、各種バインダおよび溶剤とを混練し
て調製する。
【００５８】印刷法に関しては、例えば、先ず、上記磁
性体層用ペーストと上記内部導体層用ペーストを、ＰＥ
Ｔ等の基板上に各所定のパターンを持つように、交互に
印刷積層し、インダクタ部を形成する。更に、その上
に、上記誘電体層用ペーストと上記内部電極層用ペース
トを、各所定のパターンを持つように交互に印刷積層
し、コンデンサ部を形成する。尚、コンデンサ部を先に
形成し、その上にインダクタ部を形成しても良い。
性体層用ペーストと上記内部導体層用ペーストを、ＰＥ
Ｔ等の基板上に各所定のパターンを持つように、交互に
印刷積層し、インダクタ部を形成する。更に、その上
に、上記誘電体層用ペーストと上記内部電極層用ペース
トを、各所定のパターンを持つように交互に印刷積層
し、コンデンサ部を形成する。尚、コンデンサ部を先に
形成し、その上にインダクタ部を形成しても良い。
【００５９】得られたＬＣ積層体を、８００〜９５０℃
程度で、０．１〜４時間焼成する。
程度で、０．１〜４時間焼成する。
【００６０】次に、このＬＣ焼結体に、外部電極用ペー
ストを印刷もしくは転写した後、焼成して、ＬＣ複合積
層部品を得る。
ストを印刷もしくは転写した後、焼成して、ＬＣ複合積
層部品を得る。
【００６１】尚、ＬＣ積層体の焼成前に、外部電極用ペ
ーストを印刷もしくは転写して、同時焼成しても良い。
ーストを印刷もしくは転写して、同時焼成しても良い。
【００６２】
【実施例】次に、本発明を実施例により説明する。
【００６３】（実施例１）磁性体層用粉末の作成 Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯの粉末を、焼成後の
酸化物換算で下記の各表に示す所定の組成となるように
秤量し、これらをボールミルを用いて湿式混合し、次い
で、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し
た。次に、この混合物を７１０℃で１０時間仮焼成し、
ボールミルにより粉体粒径が０．１μｍ程度になるまで
湿式粉砕した後、材料の均質性を高めるために再度７１
０℃で１０時間仮焼成した。つづいて、この仮焼成粉
に、ＣｏＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2の粉末を、焼成後の酸化
物換算で下記の各表に示す所定の組成となるように加
え、ボールミルにより粉体粒径が０．１μｍ以下となる
まで湿式粉砕した。更に、ＰｂＯを、焼成後の酸化物換
算で下記の各表に示す所定の組成となるように加え、２
時間湿式混合した後、スプレードライヤーにより乾燥
し、磁性体層用粉末とした。尚、用いた原料粉末は、す
べて粒径０．１〜３．０μｍのものを用いた。
酸化物換算で下記の各表に示す所定の組成となるように
秤量し、これらをボールミルを用いて湿式混合し、次い
で、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾燥し
た。次に、この混合物を７１０℃で１０時間仮焼成し、
ボールミルにより粉体粒径が０．１μｍ程度になるまで
湿式粉砕した後、材料の均質性を高めるために再度７１
０℃で１０時間仮焼成した。つづいて、この仮焼成粉
に、ＣｏＯ、ＭｇＯ、ＳｉＯ2の粉末を、焼成後の酸化
物換算で下記の各表に示す所定の組成となるように加
え、ボールミルにより粉体粒径が０．１μｍ以下となる
まで湿式粉砕した。更に、ＰｂＯを、焼成後の酸化物換
算で下記の各表に示す所定の組成となるように加え、２
時間湿式混合した後、スプレードライヤーにより乾燥
し、磁性体層用粉末とした。尚、用いた原料粉末は、す
べて粒径０．１〜３．０μｍのものを用いた。
【００６４】積層用ペーストおよびプレス成形用顆粒の
作成 得られた磁性体層用粉末１００重量部に対して、エチル
セルロース３．８４重量部、およびテルピネオール８３
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
作成 得られた磁性体層用粉末１００重量部に対して、エチル
セルロース３．８４重量部、およびテルピネオール８３
重量部を加え、三本ロールにて混練し、磁性体層用ペー
ストとした。
【００６５】平均粒径０．８μｍのＡｇ１００重量部に
対して、エチルセルロース２．５重量部およびテルピネ
オール４０重量部を加え、三本ロールにて混練し、内部
導体層用ペーストとした。
対して、エチルセルロース２．５重量部およびテルピネ
オール４０重量部を加え、三本ロールにて混練し、内部
導体層用ペーストとした。
【００６６】得られた磁性体層用粉末１００重量部に対
して、ポリビニルアルコール６％溶液を１０重量部加
え、顆粒とした。
して、ポリビニルアルコール６％溶液を１０重量部加
え、顆粒とした。
【００６７】積層チップインダクタおよびトロイダルコ
アの作成 得られた磁性体層用ペーストおよび内部導体層用ペース
トを、印刷積層法により成形し、グリーンチップとし
た。
アの作成 得られた磁性体層用ペーストおよび内部導体層用ペース
トを、印刷積層法により成形し、グリーンチップとし
た。
【００６８】得られた磁性体顆粒をトロイダル形状にプ
レス成形した。
レス成形した。
【００６９】これらグリーンチップおよびトロイダル成
形体を、空気中にて８５０〜９００℃で２時間焼成し
た。
形体を、空気中にて８５０〜９００℃で２時間焼成し
た。
【００７０】次に、平均粒径１．２μｍのＡｇ１００重
量部に対して、エチルセルロース３．０重量部、ガラス
フリット７重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練し、外部電極用ペーストとし
た。
量部に対して、エチルセルロース３．０重量部、ガラス
フリット７重量部およびテルピネオール４０重量部を加
え、三本ロールにて混練し、外部電極用ペーストとし
た。
【００７１】上記チップ焼結体に、上記外部電極用ペー
ストを印刷し、その後、空気中にて６００℃で３０分間
焼成して、外部電極を焼き付け、積層チップインダクタ
とした。
ストを印刷し、その後、空気中にて６００℃で３０分間
焼成して、外部電極を焼き付け、積層チップインダクタ
とした。
【００７２】積層チップインダクタの巻数は１．５ター
ンで、寸法は４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×０．６５ｍｍと
なるように作成した。
ンで、寸法は４．５ｍｍ×３．２ｍｍ×０．６５ｍｍと
なるように作成した。
【００７３】トロイダルコアの寸法は、外径９．４ｍｍ
×内径３．６ｍｍ×厚さ２．０ｍｍとなるように作成し
た。
×内径３．６ｍｍ×厚さ２．０ｍｍとなるように作成し
た。
【００７４】以上のようにして得られた積層チップイン
ダクタのインダクタンスＬ、Ｑの周波数特性、内部導体
の断線の有無等の評価を行った。又、トロイダルコアに
関しては、焼結密度を測定した。
ダクタのインダクタンスＬ、Ｑの周波数特性、内部導体
の断線の有無等の評価を行った。又、トロイダルコアに
関しては、焼結密度を測定した。
【００７５】得られた結果を各材料の組成と一緒に下記
の表に示す。尚、１〜１０ＭＨｚの比較的低周波対応の
材料の組成とその測定結果を表１、表２に、又、１０〜
１００ＭＨｚの比較的高周波対応の材料の組成とその測
定結果を表３、表４にそれぞれ示した。
の表に示す。尚、１〜１０ＭＨｚの比較的低周波対応の
材料の組成とその測定結果を表１、表２に、又、１０〜
１００ＭＨｚの比較的高周波対応の材料の組成とその測
定結果を表３、表４にそれぞれ示した。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
【００８０】表１〜表４に示す結果から判るように、Ｆ
ｅ2Ｏ3が３０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯが５〜６５ｍｏｌ
％、ＣｕＯが０〜３０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜４０ｍｏ
ｌ％、ＰｂＯが０．００５〜６ｍｏｌ％、ＣｏＯが０〜
４ｍｏｌ％、ＭｇＯが０〜５ｍｏｌ％、かつ、ＳｉＯ2
が０〜１０ｍｏｌ％の範囲にあるものは、それ以外の組
成のものに比べ、Ｌ、Ｑ共に高く、又、共振周波数も比
較的高い。
ｅ2Ｏ3が３０〜５２ｍｏｌ％、ＮｉＯが５〜６５ｍｏｌ
％、ＣｕＯが０〜３０ｍｏｌ％、ＺｎＯが０〜４０ｍｏ
ｌ％、ＰｂＯが０．００５〜６ｍｏｌ％、ＣｏＯが０〜
４ｍｏｌ％、ＭｇＯが０〜５ｍｏｌ％、かつ、ＳｉＯ2
が０〜１０ｍｏｌ％の範囲にあるものは、それ以外の組
成のものに比べ、Ｌ、Ｑ共に高く、又、共振周波数も比
較的高い。
【００８１】（実施例２）焼成後の酸化物換算で表５に
示す所定の組成となるように、実施例１と同様に磁性体
層用粉末を作成した。また、比較のために、ＰｂＯ、Ｃ
ｏＯ、ＭｇＯおよびＳｉＯ2をＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの混合物の仮焼成前に添加した磁性体層
用粉末を作成した。以下、実施例１と同様に積層チップ
インダクタ、トロイダルコアを作成した。
示す所定の組成となるように、実施例１と同様に磁性体
層用粉末を作成した。また、比較のために、ＰｂＯ、Ｃ
ｏＯ、ＭｇＯおよびＳｉＯ2をＦｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの混合物の仮焼成前に添加した磁性体層
用粉末を作成した。以下、実施例１と同様に積層チップ
インダクタ、トロイダルコアを作成した。
【００８２】以上のようにして得られた積層チップイン
ダクタの、インダクタンスＬ、Ｑの周波数特性の評価を
行った。又、トロイダルコアに関しては、焼結密度、μ
iを測定した。結果を表６に示す。
ダクタの、インダクタンスＬ、Ｑの周波数特性の評価を
行った。又、トロイダルコアに関しては、焼結密度、μ
iを測定した。結果を表６に示す。
【００８３】
【表５】
【００８４】
【表６】
【００８５】表５および表６に示す結果から判るよう
に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯおよびＳｉＯ2の添加物
は、フェライトの仮焼成前に添加混合するより、仮焼成
後に添加混合する方が、焼結性がよく、μi、Ｑが高特
性となる。
に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯおよびＳｉＯ2の添加物
は、フェライトの仮焼成前に添加混合するより、仮焼成
後に添加混合する方が、焼結性がよく、μi、Ｑが高特
性となる。
【００８６】（実施例３）ＰｂＯ含有率変動対策として
種々の実験を行った。磁性体層用粉末の仮焼後の酸化物
換算で、表７に示す組成を目的として原料粉末を秤量し
た。
種々の実験を行った。磁性体層用粉末の仮焼後の酸化物
換算で、表７に示す組成を目的として原料粉末を秤量し
た。
【００８７】
【表７】
【００８８】（実施例３−１）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際混合装置とし
てアトライタ、ボールミル、Ｖ型混合機および回転揺動
式混合機を用いた。各混合装置を用いた時の磁性体層用
粉末中のＰｂＯ含有率を表８に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際混合装置とし
てアトライタ、ボールミル、Ｖ型混合機および回転揺動
式混合機を用いた。各混合装置を用いた時の磁性体層用
粉末中のＰｂＯ含有率を表８に示す。
【００８９】
【表８】
【００９０】表８に示す結果から判るように、乾式で混
合する事により、ＰｂＯ含有率が安定する。
合する事により、ＰｂＯ含有率が安定する。
【００９１】（実施例３−２）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際ボールミルの
スラリーのｐＨを、ＨＮＯ3およびＮａＯＨを用いて、
１．１〜１２．９の範囲で変化させた。スラリーのｐＨ
が磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼす影響を表
９に示す。さらに、前記の通りに積層チップインダクタ
を作成し、磁気特性を測定した。スラリーのｐＨが磁気
特性におよぼす影響を表９に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際ボールミルの
スラリーのｐＨを、ＨＮＯ3およびＮａＯＨを用いて、
１．１〜１２．９の範囲で変化させた。スラリーのｐＨ
が磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼす影響を表
９に示す。さらに、前記の通りに積層チップインダクタ
を作成し、磁気特性を測定した。スラリーのｐＨが磁気
特性におよぼす影響を表９に示す。
【００９２】
【表９】
【００９３】表９に示す結果から判るように、スラリー
のｐＨが１．５〜１１．０の範囲にある時、ＰｂＯ含有
率は安定し、かつ、磁気特性も高特性となる。
のｐＨが１．５〜１１．０の範囲にある時、ＰｂＯ含有
率は安定し、かつ、磁気特性も高特性となる。
【００９４】（実施例３−３）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際のボールミル
での混合時間を０．２５〜１１０時間の範囲で変化させ
た。ボールミルでの混合時間が磁性体層用粉末中のＰｂ
Ｏ含有率におよぼす影響を表１０に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際のボールミル
での混合時間を０．２５〜１１０時間の範囲で変化させ
た。ボールミルでの混合時間が磁性体層用粉末中のＰｂ
Ｏ含有率におよぼす影響を表１０に示す。
【００９５】
【表１０】
【００９６】表１０に示す結果から判るように、混合時
間が０．２５〜５５時間の範囲にあるものは、酸化物磁
性材料組成物中のＰｂＯ含有率が安定している。
間が０．２５〜５５時間の範囲にあるものは、酸化物磁
性材料組成物中のＰｂＯ含有率が安定している。
【００９７】（実施例３−４）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この 際、空気、窒
素および酸素の比率を変える事により、ボールミル容器
内の酸素量を変化させた。ボ−ルミル容器内の雰囲気中
の酸素量が、磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼ
す影響を表１１に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この 際、空気、窒
素および酸素の比率を変える事により、ボールミル容器
内の酸素量を変化させた。ボ−ルミル容器内の雰囲気中
の酸素量が、磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼ
す影響を表１１に示す。
【００９８】
【表１１】
【００９９】表１１に示す結果から判るように、ボール
ミル容器内の雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の総表面
積をＹとしたとき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） で表される関係を満たすものは、酸化物磁性材料組成物
中のＰｂＯ含有率が安定している。
ミル容器内の雰囲気中の酸素量をＸ、混合媒体の総表面
積をＹとしたとき、その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） で表される関係を満たすものは、酸化物磁性材料組成物
中のＰｂＯ含有率が安定している。
【０１００】（実施例３−５）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際、混合媒体の
表面、および、ボールミルの内壁面の材質に、それぞれ
鉄、ステンレス、ジルコニア、アルミナ、ナイロンおよ
びポリエチレンを用いた。混合媒体の表面、および、ボ
ールミルの内壁面の各材質が、磁性体層用粉末中のＰｂ
Ｏ含有率におよぼす影響を表１２に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際、混合媒体の
表面、および、ボールミルの内壁面の材質に、それぞれ
鉄、ステンレス、ジルコニア、アルミナ、ナイロンおよ
びポリエチレンを用いた。混合媒体の表面、および、ボ
ールミルの内壁面の各材質が、磁性体層用粉末中のＰｂ
Ｏ含有率におよぼす影響を表１２に示す。
【０１０１】
【表１２】
【０１０２】表１２に示す結果から判るように、混合媒
体の表面および／またはボールミル容器の内壁面が非金
属である場合、酸化物磁性材料組成物中のＰｂＯ含有率
が安定している。
体の表面および／またはボールミル容器の内壁面が非金
属である場合、酸化物磁性材料組成物中のＰｂＯ含有率
が安定している。
【０１０３】（実施例３−６）前記原料粉末を用いた磁
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際、ボールミル
の分散媒に水およびパーフルオロ不活性液体を用いた。
分散媒が磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼす影
響を表１３に示す。
性体層用粉末の作成において、Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯの仮焼成粉に、ＰｂＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯ
およびＳｉＯ2を同時に添加した。この際、ボールミル
の分散媒に水およびパーフルオロ不活性液体を用いた。
分散媒が磁性体層用粉末中のＰｂＯ含有率におよぼす影
響を表１３に示す。
【０１０４】
【表１３】
【０１０５】表１３に示す結果から判るように、分散媒
がパーフルオロ不活性液体である場合、酸化物磁性材料
組成物中のＰｂＯ含有率が安定している。
がパーフルオロ不活性液体である場合、酸化物磁性材料
組成物中のＰｂＯ含有率が安定している。
【０１０６】
【発明の効果】本発明の酸化物磁性材料組成物は、損失
が小さく、又これをインダクタ、積層チップインダクタ
および複合積層部品等に用いた場合には、積層や複合化
に伴うＱの低下を軽減する事ができ、約１〜１００ＭＨ
ｚの周波数帯域において、非常に高いＱおよびＬを得る
事ができる。
が小さく、又これをインダクタ、積層チップインダクタ
および複合積層部品等に用いた場合には、積層や複合化
に伴うＱの低下を軽減する事ができ、約１〜１００ＭＨ
ｚの周波数帯域において、非常に高いＱおよびＬを得る
事ができる。
【０１０７】これにより、回路設計や複合積層部品の構
造設計が容易となり、さらに、電気機器の性能を高める
事ができる。
造設計が容易となり、さらに、電気機器の性能を高める
事ができる。
【０１０８】本発明の酸化物磁性材料組成物の製造方法
は、上記効果をより顕著とし、又、適当な組成を安定し
て得る事ができ、更に、焼成温度を低くする事ができる
ので、省エネルギーの面でも有用である。
は、上記効果をより顕著とし、又、適当な組成を安定し
て得る事ができ、更に、焼成温度を低くする事ができる
ので、省エネルギーの面でも有用である。
【図１】本発明の複合積層部品の一例を、一部切り欠い
て示した斜視図である。
て示した斜視図である。
【図２】本発明の複合積層部品の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ ＬＣ複合積層部品 ２ コンデンサ部 ２１ セラミック誘電体層 ２５ 内部電極層 ３ インダクタ部 ３１ セラミック磁性体層 ３５ 内部導体層 ５１ 外部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 1/34 17/00 Ｄ 4230−5Ｅ Ｈ０１Ｆ 1/34 Ｂ (72)発明者 斎藤 論 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (13)
- 【請求項１】 焼成後のＦｅ2Ｏ3換算で３０〜５２ｍｏ
ｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％
のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ％のＣ
ｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％のＺｎ
と、焼成後のＰｂＯ換算で０．００５〜６ｍｏｌ％のＰ
ｂと、焼成後のＣｏＯ換算で０〜４ｍｏｌ％のＣｏと、
焼成後のＭｇＯ換算で０〜５ｍｏｌ％のＭｇと、焼成後
のＳｉＯ2換算で０〜１０ｍｏｌ％のＳｉを含有する酸
化物磁性材料組成物。 - 【請求項２】 焼成後のＦｅ2Ｏ3換算で３０〜５２ｍｏ
ｌ％のＦｅと、焼成後のＮｉＯ換算で５〜６５ｍｏｌ％
のＮｉと、焼成後のＣｕＯ換算で０〜３０ｍｏｌ％のＣ
ｕと、焼成後のＺｎＯ換算で０〜４０ｍｏｌ％のＺｎの
混合物を仮焼成した後、焼成後のＰｂＯ換算で０．００
５〜６ｍｏｌ％のＰｂと、焼成後のＣｏＯ換算で０〜４
ｍｏｌ％のＣｏと、焼成後のＭｇＯ換算で０〜５ｍｏｌ
％のＭｇと、焼成後のＳｉＯ2換算で０〜１０ｍｏｌ％
のＳｉを添加混合する請求項１の酸化物磁性材料組成物
の製造方法。 - 【請求項３】 Ｐｂを、その他の成分と乾式で混合する
請求項２の酸化物磁性材料組成物の製造方法。 - 【請求項４】 Ｐｂを、その他の成分と湿式で混合する
際、そのスラリーのｐＨが１．５〜１１．０である請求
項２の酸化物磁性材料組成物の製造方法。 - 【請求項５】 Ｐｂを、その他の成分と湿式で混合する
際、その混合時間が０．２５〜５５時間である請求項２
の酸化物磁性材料組成物の製造方法。 - 【請求項６】 Ｐｂを、その他の成分と混合容器内に収
納した状態で湿式混合する際、前記混合容器内の雰囲気
中の酸素量をＸ、混合媒体の総表面積をＹとしたとき、
その比が次式 Ｘ／Ｙ≧１．０×１０-1 （ｍｏｌ／ｍ2） で表される関係を満たす請求項２の酸化物磁性材料組成
物の製造方法。 - 【請求項７】 Ｐｂを、その他の成分と湿式で混合する
際、その混合媒体の表面および／または混合容器の内壁
面が非金属である請求項２の酸化物磁性材料組成物の製
造方法。 - 【請求項８】 Ｐｂを、その他の成分と湿式で混合する
際、その分散媒がパーフルオロ不活性液体である請求項
２の酸化物磁性材料組成物の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１の酸化物磁性材料組成物を用い
た磁心を有するインダクタ。 - 【請求項１０】 磁性体層と導体層を積層したチップイ
ンダクタにおいて、磁性体層に請求項１の酸化物磁性材
料組成物を用いた積層チップインダクタ。 - 【請求項１１】 磁性体層と導体層との積層体を９５０
℃以下で焼成した請求項１０の積層チップインダクタ。 - 【請求項１２】 磁性体層と導体層を積層して構成され
るインダクタ部を有する複合積層部品において、磁性体
層に請求項１の酸化物磁性材料組成物を用いた複合積層
部品。 - 【請求項１３】 磁性体層と導体層との積層体を９５０
℃以下で焼成した請求項１２の複合積層部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231779A JPH0891919A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231779A JPH0891919A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0891919A true JPH0891919A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=16928907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231779A Withdrawn JPH0891919A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0891919A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916476A (en) * | 1997-04-01 | 1999-06-29 | Tdk Corporation | Oxide magnetic materials, making method, antenna coils, and inductance elements |
| EP1219577A2 (en) * | 2000-12-25 | 2002-07-03 | TDK Corporation | Low temperature sintered ferrite material and ferrite parts using the same |
| JP2004224634A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Tdk Corp | フェライト磁性材料およびフェライトコア |
| KR100576408B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2006-05-09 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성 페라이트용 분말, 자성 페라이트, 적층형 페라이트부품 및 이의 제법 |
| JP2007045435A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Dainippon Printing Co Ltd | パレット |
| JP2010165964A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コイル部品およびその製造方法 |
| KR101282195B1 (ko) * | 2011-05-13 | 2013-07-05 | 주식회사 이엠따블유 | ＮｉＺｎＣｕ 페라이트, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자 부품 |
| KR20140101960A (ko) * | 2013-02-13 | 2014-08-21 | 주식회사 이엠따블유 | 니켈 아연 구리 페라이트 및 이의 제조 방법 |
| JPWO2014069440A1 (ja) * | 2012-10-31 | 2016-09-08 | 戸田工業株式会社 | フェライト焼結板及びフェライト焼結シート |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6231779A patent/JPH0891919A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5916476A (en) * | 1997-04-01 | 1999-06-29 | Tdk Corporation | Oxide magnetic materials, making method, antenna coils, and inductance elements |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |