WO2013022064A1 - 誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 Download PDF

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    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type

Definitions

  • the present invention relates to a dielectric ceramic used for a multilayer ceramic electronic component typified by a multilayer ceramic capacitor.
  • the present invention also relates to a multilayer ceramic electronic component, a multilayer ceramic capacitor, and a method for manufacturing the multilayer ceramic capacitor.
  • multilayer ceramic capacitor 1 which is a typical example of the multilayer ceramic electronic component according to the present invention will be described.
  • the multilayer ceramic capacitor 1 includes a multilayer body 2 including a plurality of laminated ceramic layers 3 and a plurality of internal electrodes 4 and 5 formed along an interface between the ceramic layers 3.
  • This dielectric ceramic contains at least two types of perovskite-type barium calcium zirconate titanate crystal particles (BCTZ-type crystal particles) in which a part of the A site is substituted with Ca and a part of the B site is substituted with Zr. It is a sintered body.
  • BCTZ-type crystal particles perovskite-type barium calcium zirconate titanate crystal particles
  • x, y, m are respectively 0.15 ⁇ x ⁇ 0.25 0.15 ⁇ y ⁇ 0.20 and 1.000 ⁇ m.
  • the dielectric ceramic according to the present invention includes a perovskite type compound having Ba, Ca, Ti, and Zr, includes Si, optionally includes Mn, includes crystal particles, and has a total content of Ti and Zr of 1
  • the Mn content is 0.015 mol part or less
  • the Si content is 0.005 mol part or more and less than 0.03 mol part
  • the molar ratio of Ca / (Ba + Ca) is 0.05 ⁇ x ⁇ 0.20
  • the molar ratio y of Zr / (Ti + Zr) is 0.03 ⁇ y ⁇ 0.18, and the average grain size of crystal grains is less than 130 nm. It is characterized by.
  • the average particle diameter of the crystal particles is more than 50 nm and less than 130 nm.
  • the present invention also includes a laminate including a plurality of laminated ceramic layers and a plurality of internal electrodes formed along an interface between the ceramic layers, an external electrode formed on the outer surface of the laminate, And the ceramic layer is also directed to a multilayer ceramic electronic component including the above dielectric ceramic.
  • a multilayer ceramic capacitor according to the present invention includes a multilayer body including a plurality of dielectric ceramic layers including crystal grains stacked and a plurality of internal electrodes formed along an interface between the dielectric ceramic layers. And a plurality of external electrodes formed on the outer surface of the laminate and electrically connected to the internal electrodes, the laminate includes a perovskite type compound having Ba, Ca, Ti, Zr, and Si is included, Mn is optionally included, and when the total content of Ti and Zr is 1 mol part, the Mn content is 0.015 mol part or less, and the Si content is 0.005 mol.
  • Another multilayer ceramic capacitor according to the present invention includes a plurality of dielectric ceramic layers including crystal grains stacked, and a plurality of internal electrodes formed along an interface between the dielectric ceramic layers.
  • the average particle diameter of the crystal particles is more than 50 nm and less than 130 nm.
  • the method for producing a multilayer ceramic capacitor according to the present invention includes a step of mixing a powder containing a perovskite compound having Ba, Ca, Ti, and Zr, a Si compound, and a Mn compound, and then obtaining a ceramic slurry. , A step of obtaining a ceramic green sheet from a ceramic slurry, a step of stacking the ceramic green sheet and a conductive pattern that becomes an internal electrode after firing to obtain a laminate before firing, and firing the laminate before firing. And a step of obtaining a laminate in which internal electrodes are formed between dielectric ceramic layers including crystal particles, wherein the average particle size of the crystal particles is less than 130 nm, and the ceramic slurry has a total content of Ti and Zr.
  • the Mn content is 0.015 mol part or less, and the Si content is 0.005 mol.
  • the molar ratio x of Ca / (Ba + Ca) is 0.05 ⁇ x ⁇ 0.20, and the molar ratio y of Zr / (Ti + Zr) is 0.03 ⁇ y. ⁇ 0.18.
  • another method for producing a multilayer ceramic capacitor according to the present invention is a method of measuring a powder containing a perovskite compound having Ba, Ca, Ti, and Zr, a Si compound, and a Mn compound, and slurrying the mixed mixture.
  • the total content of Ti and Zr is 1 mol part
  • the content of Mn is 0.015 mol part or less
  • the molar ratio x of Ca / (Ba + Ca) is 0.05 ⁇ x ⁇ 0.20
  • the ratio y is 0.03 ⁇ y ⁇ 0.18.
  • the present invention it is possible to provide a dielectric ceramic having a large specific resistance and a flat capacitance characteristic at 150 ° C., which can greatly contribute to the enhancement of the performance of the multilayer ceramic capacitor.
  • the dielectric ceramic of the present invention is a dielectric ceramic comprising a perovskite type compound having Ba, Ca, Ti, and Zr, containing Si, optionally containing Mn, and comprising crystal grains, comprising Ti and Zr.
  • the Mn content is 0.015 mol part or less
  • the Si content is 0.005 mol part or more and less than 0.03 mol part
  • Ca / The molar ratio x of Ba + Ca) is 0.05 ⁇ x ⁇ 0.20
  • the molar ratio y of Zr / (Ti + Zr) is 0.03 ⁇ y ⁇ 0.18, and the average particle size of the crystal grains is It is characterized by being less than 130 nm.
  • Mn and Si are not ask
  • it may be present as an oxide in the grain boundary, it may have to generate a composite compound with other elements, (Ba 1-x Ca x ) (Ti 1-y Zr y) O 3 It may be dissolved in crystal particles containing as a main component.
  • the dielectric ceramic of the present invention may contain rare earth elements, Mg, V, Al, Ni, Co, Zn, and the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • MnO powder and SiO 2 powder are added to the main component powder.
  • the MnO powder and the SiO 2 powder are not limited to oxide powders as long as the object of the present invention is not impaired. Then, these are mixed in a liquid and dried to obtain a ceramic raw material powder as a final raw material.
  • ceramic raw material powder is prepared. This ceramic raw material powder is mixed with an organic binder component in a solvent as necessary to obtain a ceramic slurry. A ceramic green sheet is obtained by sheet-forming this ceramic slurry.
  • an internal electrode mainly composed of Ni is formed on the ceramic green sheet.
  • a method of screen printing a conductive paste containing Ni powder and an organic vehicle in a desired pattern is simple.
  • a method of transferring a Ni metal foil and a method of forming a Ni film while masking by a vacuum thin film forming method are several methods for this, and a method of screen printing a conductive paste containing Ni powder and an organic vehicle in a desired pattern.
  • This raw laminate is fired in a firing furnace at a predetermined atmosphere and temperature.
  • the main component of the internal electrode is Ni
  • the internal electrode and the ceramic layer can be co-fired by reducing the oxygen partial pressure in the firing furnace.
  • the rate of temperature increase to the top temperature is 100 ° C./min or more, a ceramic layer having a small average particle diameter of crystal grains can be obtained while obtaining sufficient characteristics.
  • a multilayer ceramic capacitor is completed by forming an external electrode at a location where the internal electrode of the multilayer body is drawn.
  • the method for forming the external electrode include a method in which a paste containing metal particles such as Cu and Ag and glass frit is applied and baked. Furthermore, a plating layer such as Ni or Sn is formed on the surface of the external electrode as necessary.
  • the multilayer ceramic electronic component of the present invention is not limited to a multilayer ceramic capacitor, and can be applied to various electronic components such as a ceramic multilayer substrate.
  • Table 1 shows the values of x and y in each sample.
  • zirconia may be mixed from other than the weighed material, such as when using YSZ (yttria stabilized zirconia) balls as media.
  • the blending ratio of the materials is adjusted so that the composition is 1B.
  • the ceramic raw material powder was dispersed in an organic solvent containing ethanol and toluene, and a polyvinyl butyral organic binder was added and mixed to obtain a ceramic slurry. This ceramic slurry was formed into a sheet to obtain a ceramic green sheet.
  • a conductive paste mainly composed of Ni was printed on the ceramic green sheet to form a conductive paste film for constituting an internal electrode.
  • a plurality of ceramic green sheets were laminated so that the sides from which the conductive paste films were drawn were alternated to obtain a laminate.
  • This laminate was heated at a temperature of 350 ° C. in a nitrogen atmosphere to burn the binder. Thereafter, the temperature was raised to a temperature shown in Table 1 at a rate of 100 ° C./min in a reducing atmosphere composed of H 2 —N 2 —H 2 O gas having an oxygen partial pressure of 10 ⁇ 10 to 10 ⁇ 12 MPa. Baked for 5-30 minutes.
  • a silver paste containing B 2 O 3 —SiO 2 —BaO glass frit is applied to both end faces of the fired laminate, and baked at a temperature of 600 ° C. in a nitrogen atmosphere to electrically connect the internal electrodes.
  • a connected external electrode was formed.
  • the outer dimensions of the multilayer ceramic capacitor produced as described above were 2.0 mm in length, 1.0 mm in width, and 1.0 mm in thickness.
  • the thickness of the ceramic layer interposed between the internal electrodes was 2.5 ⁇ m, and the number of effective layers was 5.
  • the overlapping area of the internal electrodes was 1.7 ⁇ 10 ⁇ 6 m 2 .
  • the average particle size of the crystal particles under each condition was calculated as follows.
  • the sample was broken so that the WT cross section at a depth of about 1 ⁇ 2 of the length (L) direction of each sample (multilayer ceramic capacitor) was exposed.
  • the sample was heat-treated.
  • the heat treatment was performed at a temperature at which no grain growth occurred and at which the grain boundary became clear. In this experimental example, the heat treatment was performed at 1000 ° C.
  • each crystal particle was assumed to be a sphere having a diameter determined as described above, and the volume of each crystal particle was calculated as the volume of the sphere. And the volume average particle diameter of the sample of each condition was computed from the particle diameter and volume calculated
  • the dielectric constant and the temperature change rate of the dielectric constant at 150 ° C. were measured for the obtained sample.
  • An automatic bridge type measuring device was used for the measurement.
  • the measurement conditions were an AC voltage of 1 V and 1 kHz.
  • the dielectric constant of 25 degreeC and 150 degreeC was measured, and the temperature change rate of the dielectric constant in 150 degreeC was computed on the basis of the dielectric constant of 25 degreeC.
  • a DC voltage was applied for 120 seconds under the conditions of 150 ° C. and 25 V, and the specific resistance at 150 ° C. was calculated. Table 1 shows the results.
  • a dielectric ceramic comprising a perovskite type compound having Ba, Ca, Ti, and Zr, Si, optionally containing Mn, and having crystal grains, the total content of Ti and Zr
  • the Mn content is 0.015 mol part or less
  • the Si content is 0.005 mol part or more and less than 0.03 mol part
  • Ca / (Ba + Ca) The molar ratio x of 0.05 ⁇ x ⁇ 0.20
  • the molar ratio y of Zr / (Ti + Zr) is 0.03 ⁇ y ⁇ 0.18, and the average grain size of crystal grains is less than 130 nm.
  • the specific resistance at 150 ° C. was 10 8 ⁇ m or more
  • the temperature change rate of the dielectric constant at 150 ° C. was within ⁇ 15%, which satisfied the X8R characteristics.
  • the dielectric constant showed a high value of 600 or more.

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Abstract

　１５０℃において、比抵抗が大きく、平坦な容量特性を有する誘電体セラミックと、その誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子部品を提供する。　セラミック層３は、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、結晶粒子を備え、Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする。

Description

誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法
　本発明は、積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品に用いられる、誘電体セラミックに関する。また、積層セラミック電子部品、積層セラミックコンデンサ、さらに、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
　図１を参照して、まず、この発明に係る積層セラミック電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサ１について説明する。
　積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数のセラミック層３とセラミック層３間の界面に沿って形成される複数の内部電極４及び５とをもって構成される、積層体２を備えている。
　積層体２の外表面上の互いに異なる位置には、第１及び第２の外部電極８及び９が形成される。図１に示した積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の外部電極８及び９は、積層体２の互いに対向する各端面６及び７の上にそれぞれ形成される。内部電極４及び５は、第１の外部電極８に電気的に接続される複数の第１の内部電極４と第２の外部電極９に電気的に接続される複数の第２の内部電極５とがあり、これら第１及び第２の内部電極４及び５は、積層方向に交互に配置されている。外部電極８及び９の表面には、必要に応じて第１のめっき層１０、１１、及び第２のめっき層１２、１３が形成される。内部電極４及び５には、コスト削減のため、Ｎｉ等の卑金属が用いられている。
　セラミック層３に用いられる誘電体セラミックとしては、要求される誘電率等の特性に応じて様々なものが選択されるが、例えば特許文献１に記載の誘電体セラミックが知られている。
　この誘電体セラミックは、Ａサイトの一部がＣａで置換され、Ｂサイトの一部がＺｒで置換された少なくとも２種類のペロブスカイト型チタン酸ジルコン酸バリウムカルシウム結晶粒子（ＢＣＴＺ型結晶粒子）を含有する焼結体である。そのうちの１種のＢＣＴＺ型結晶粒子（１）［（Ｂａ1-xＣａx）m（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ3］のｘ、ｙ、ｍがそれぞれ０．１５≦ｘ≦０．２５、０．１５≦ｙ≦０．２０、１．０００＜ｍである。また、他のＢＣＴＺ型結晶粒子（２）［（Ｂａ1-zＣａz）n（Ｔｉ1-sＺｒs）Ｏ3］のｚ、ｓ、ｎがそれぞれ０≦ｚ≦０．０８、０．０１≦ｓ≦０．１０、１．０００＜ｎである。そして、ＢＣＴＺ型結晶粒子（１）及びＢＣＴＺ型結晶粒子（２）のいずれもが０．１５～０．７μｍの平均粒径を有することを特徴としている。
特開２００５－２２８９０号公報
　近年、特に自動車用途として、－５５℃から１５０℃までの温度範囲で平坦な容量特性を持つコンデンサが求められている。ところが、特許文献１に記載の誘電体セラミックでは、１５０℃において、比抵抗が小さく、また、容量特性の温度変化率が大きいという問題があった。
　本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、１５０℃において、比抵抗が大きく、平坦な容量特性を有する誘電体セラミックと、その誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
　本発明に係る誘電体セラミックは、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、結晶粒子を備え、Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする。
　また、本発明に係る誘電体セラミックでは、結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることが好ましい。
　また、本発明は、積層された複数のセラミック層と、セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極とを備える積層体と、積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含み、セラミック層が上記の誘電体セラミックを含む積層セラミック電子部品にも向けられる。
　また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、積層されている結晶粒子を備える複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体がＢａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする。
　また、本発明に係る別の積層セラミックコンデンサは、積層されている結晶粒子を備える複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体がＢａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、積層体を溶剤により溶解したときのＴｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする。
　また、本発明に係る積層セラミックコンデンサでは、結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることが好ましい。
　また、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法は、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Ｓｉ化合物と、Ｍｎ化合物とを混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導電性パターンと、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、焼成前の積層体を焼成して、結晶粒子を備える誘電体セラミック層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備え、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であり、セラミックスラリーにおいて、ＴｉとＺｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であることを特徴とする。
　また、本発明に係る別の積層セラミックコンデンサの製造方法は、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Ｓｉ化合物と、Ｍｎ化合物とを秤量し、混合した混合物をスラリー化することにより、セラミックスラリーを得る工程と、セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導電性パターンと、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、焼成前の積層体を焼成して、結晶粒子を備える誘電体セラミック層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備え、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であり、混合物において、ＴｉとＺｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であることを特徴とする。
　また、本発明に係る積層セラミックコンデンサの製造方法では、結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることが好ましい。
　本発明によれば、１５０℃において、比抵抗が大きく、平坦な容量特性を有する誘電体セラミックを提供することができ、積層セラミックコンデンサの高性能化に大きく貢献することができる。
本発明の積層セラミックコンデンサの一例を示す模式図である。 結晶粒子の平均粒径の測定方法を示す説明図である。
　本発明の誘電体セラミックは、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、結晶粒子を備える誘電体セラミックであって、Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする。この組み合わせにより、１５０℃において、比抵抗が大きく、平坦な容量特性を有する誘電体セラミックを得ることができる。
　この理由は明らかではないが、以下のように推測される。本発明では、誘電体セラミック中に、ＢａとＴｉだけでなく、ＣａとＺｒが同時に含まれている。チタン酸バリウム系セラミックにおいて、ＣａがなくＺｒが含まれている場合には、１５０℃での比抵抗は大きくなるが、誘電体セラミックの相転移温度が低下する。そのため、１５０℃での容量特性の温度変化率が大きくなる。一方、本発明のように、ＣａとＺｒを同時に含み、結晶粒子の平均粒径が１３０μｍ未満である場合には、格子のひずみが大きくなるため、誘電体セラミックの相転移温度の低下が抑えられる。したがって、１５０℃という高温においても、比抵抗が大きく、かつ平坦な容量特性を有する誘電体セラミックを得ることができる。
　なお、ＭｎやＳｉの存在形態は問われない。例えば、粒界に酸化物として存在していてもよいし、他の元素との複合化合物を生成していてもよいし、（Ｂａ1-xＣａx）（Ｔｉ1-yＺｒy）Ｏ3を主成分とする結晶粒子に固溶していてもよい。
　また、本発明の誘電体セラミックには、本発明の目的を損なわない範囲において、希土類元素、Ｍｇ、Ｖ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｎ等が含まれていてもよい。
　次に、セラミック層を形成するためのセラミック原料粉末の製造方法の一例を説明する。
　まず、主成分の出発原料として、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒ等の酸化物または炭酸化物の粉末を用意する。これら出発原料の粉末を秤量して、液中にてメディアを用いて混合粉砕する。乾燥後、得られた混合粉末を熱処理することにより、主成分であるＢａＴｉＯ3粉末を得る。この方法は一般に固相合成法と呼ばれるものであるが、他の方法として、水熱合成法、加水分解法、シュウ酸法等の湿式合成法を用いても構わない。
　次に、この主成分粉末に対し、所定量のＭｎＯ粉末とＳｉＯ2粉末を添加する。このＭｎＯ粉末とＳｉＯ2粉末は、本発明の目的を損なわない限り酸化物粉末に限られるものではない。そして液中にてこれらを混合し、乾燥を行うことによって、最終原料としてのセラミック原料粉末を得る。
　次に、本発明の積層セラミック電子部品の製造方法について、積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。
　まず、セラミック原料粉末を用意する。このセラミック原料粉末を、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合して、セラミックスラリーとする。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートを得る。
　次に、Ｎｉを主成分とする内部電極をセラミックグリーンシート上に形成する。これにはいくつかの方法があり、Ｎｉ粉末と有機ビヒクルとを含む導電性ペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。その他にも、Ｎｉ金属箔を転写する方法や、真空薄膜形成法によりマスキングしながらＮｉ膜を形成する方法もある。
　このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極とを多数層重ねた後、圧着することにより、焼成前の生の積層体を得る。
　この生の積層体を、焼成炉において、所定の雰囲気・温度にて焼成する。このとき、内部電極の主成分がＮｉである場合には、焼成炉中の酸素分圧を低くすることにより、内部電極とセラミック層の共焼成が可能である。
　また、焼成工程において、トップ温度までの昇温速度を１００℃／分以上とすると、十分な特性を得ながら、結晶粒子の平均粒径の小さいセラミック層を得ることができる。
　次に、この積層体の内部電極の引き出された箇所に対して、外部電極を形成することによって、積層セラミックコンデンサが完成する。外部電極の形成方法としては、ＣｕやＡｇ等の金属粒子とガラスフリットとを含むペーストを塗布し、焼き付ける方法等が挙げられる。さらに、この外部電極の表面には、必要に応じてＮｉ、Ｓｎ等のめっき層が形成される。
　なお、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。
　［実験例］
　まず、出発原料として、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2の粉末を用意した。これらをＴｉとＺｒの合計含有量1モル部に対するＢａとＣａの合計含有量が1モル部、Ｃａと、Ｃａ、Ｂａの合計のモル比Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）がｘ、Ｚｒと、Ｚｒ、Ｔｉの合計のモル比Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）がｙとなるように秤量して、ボールミルにて水中で２４時間混合した。そして、混合後、乾燥して、この配合粉末を所定の温度と時間で熱処理合成した。
　このようにして、チタン酸バリウム系主成分粉末を得た。
　表1に、各試料における、ｘ、ｙの値を示す。
　次に、副成分としてＭｎＯ粉末とＳｉＯ2粉末を用意した。そして、これらの粉末を主成分粉末中のＴｉ、Ｚｒの合計含有量１モル部に対するＭｎの含有量がaモル部、Ｓｉの含有量がｂモル部となるように秤量し、主成分粉末に添加した。これをボールミルにて水中で２４時間混合し、乾燥して、セラミック原料粉末とした。このセラミック原料粉末をふるいにかけて、３０ｎｍ以下の微粒粉末を除去した。その結果、セラミック原料粉末の平均粒径はＤ５０＝５０ｎｍとなった。
　なお、上記混合の過程においてＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）ボールをメディアとして用いる場合など、秤量した素材以外からジルコニアが混入することがあるが、その場合には、混入量を含めて表１Ａ、表１Ｂの組成となるように、素材の配合割合を調整する。
　このセラミック原料粉末を、エタノール、トルエンを含む有機溶媒中にて分散させ、ポリビニルブチラール系の有機バインダを加えて混合して、これをセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーをシート成形して、セラミックグリーンシートを得た。
　なお、作製したセラミックスラリー中の原料粉末を酸により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析を行ったところ、表１に示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
　次に、このセラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電性ペーストを印刷して、内部電極を構成するための導電性ペースト膜を形成した。
　次に、セラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数層積層して、積層体を得た。この積層体を、窒素雰囲気にて３５０℃の温度で加熱し、バインダを燃焼させた。その後、酸素分圧１０-10～１０-12ＭＰａのＨ2－Ｎ2－Ｈ2Ｏガスからなる還元雰囲気中において、表１に示す温度まで１００℃／分の昇温速度で昇温して、５～３０分焼成した。
　次に、焼成後の積層体の両端面にＢ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＢａＯ系ガラスフリットを含む銀ペーストを塗布して、窒素雰囲気において６００℃の温度で焼き付けて、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
　以上のようにして作製した積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ２．０ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍであった。また、内部電極間に介在するセラミック層の厚さは２．５μｍであり、有効層数は５層であった。また、内部電極の重なり面積は１．７×１０-6ｍ2であった。
　作製した各試料（積層セラミックコンデンサ）の外部電極を除去した後の積層体を酸により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析を行った。その結果、内部電極成分のＮｉを除いては、表１に示した組成とほぼ同じ組成を有していることが確認された。
　各条件の結晶粒子の平均粒径は、以下のように算出した。
　各試料（積層セラミックコンデンサ）の長さ（Ｌ）方向の１／２程度の深さにおけるＷＴ断面が露出するように試料を破断した。次に、誘電体セラミック層の結晶粒子間の境界（粒界）を明確にするために、上記試料を熱処理した。熱処理の温度は、グレイン成長しない温度で、かつ、粒界が明確になる温度とし、この実験例では、１０００℃で処理した。
　そして、図２に示すように、上述のようにして破断した積層体の破断面（ＷＴ断面）における、Ｗ、Ｔ方向それぞれ１／２程度の位置近傍領域（すなわち破断面の略中央領域）を測定領域として、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、１００００倍で観察した。
　そして、得られたＳＥＭ像からから、５０個の結晶粒子を無作為に抽出し、画像解析により、各結晶粒子の粒界の内側部分の面積を求めて円相当径を算出し、それを各結晶粒子の粒径とした。この各結晶粒子の粒径の測定を、各条件の試料２個について行った（データ数：５０個の結晶粒子×２（試料数）＝１００データ）。
　また、各結晶粒子の形状を、上述のようにして求めた粒径を直径とする球と仮定し、各結晶粒子の体積を、球の体積として算出した。そして、上述のようにして求めた粒径と体積より、各条件の試料の体積平均粒径を算出し、これを各条件の平均粒径とした。
　また、得られた試料について、誘電率と、１５０℃での誘電率の温度変化率を測定した。測定には自動ブリッジ式測定器を用いた。また、測定条件はＡＣ電圧１Ｖ、１ｋＨｚとした。そして、２５℃と１５０℃の誘電率を測定して、２５℃の誘電率を基準として、１５０℃での誘電率の温度変化率を算出した。その後、１５０℃、２５Ｖの条件で直流電圧を１２０秒印加して、１５０℃での比抵抗を算出した。表１にその結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１の結果より、Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、結晶粒子を備える誘電体セラミックであって、Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満である試料では、１５０℃での比抵抗が１０8Ωｍ以上であり、かつ、１５０℃での誘電率の温度変化率が±１５％以内であり、Ｘ８Ｒ特性を満足する結果となった。
　また、結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満である場合には、誘電率が６００以上と高い値を示した。
１　       積層セラミックコンデンサ
２　       積層体
３　       セラミック層
４、５　　　内部電極
６、７　　　端面
８、９　　　外部電極
１０、１１　第１のめっき層
１２，１３　第２のめっき層

Claims (9)

  1. 　Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、結晶粒子を備える誘電体セラミックであって、
    　Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、
    　Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、
    　Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、
    　Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、
    　Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、
    　前記結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする誘電体セラミック。
  2. 　前記結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の誘電体セラミック。
  3. 　積層された複数のセラミック層と、前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極とを備える積層体と、前記積層体の外表面上に形成された外部電極と、を含む積層セラミック電子部品において、
    　前記セラミック層が請求項１または２に記載の誘電体セラミックを含むことを特徴とする、積層セラミック電子部品。
  4. 　積層されている結晶粒子を備える複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
    　前記積層体がＢａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、
    　Ｔｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、
    　Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、
    　Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、
    　Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、
    　Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、
    　前記結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  5. 　積層されている結晶粒子を備える複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
    　前記積層体がＢａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含み、かつ、Ｓｉを含み、Ｍｎを任意で含み、
    　前記積層体を溶剤により溶解したときのＴｉ、Ｚｒの合計含有量を１モル部としたとき、
    　Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、
    　Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、
    　Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、
    　Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であり、
    　前記結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
  6. 　前記結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項４または５に記載の積層セラミックコンデンサ。
  7. 　Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Ｓｉ化合物と、Ｍｎ化合物とを混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、
    　前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
    　前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導電性パターンと、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
    　前記焼成前の積層体を焼成して、結晶粒子を備える誘電体セラミック層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
    　前記結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であり、
    　前記セラミックスラリーにおいて、
    　ＴｉとＺｒの合計含有量を１モル部としたとき、
    　Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、
    　Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、
    　Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、
    　Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
  8. 　Ｂａ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｚｒを有するペロブスカイト型化合物を含む粉末と、Ｓｉ化合物と、Ｍｎ化合物とを秤量し、混合した混合物をスラリー化することにより、セラミックスラリーを得る工程と、
    　前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
    　前記セラミックグリーンシートと、焼成後に内部電極となる導電性パターンと、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
    　前記焼成前の積層体を焼成して、結晶粒子を備える誘電体セラミック層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
    　前記結晶粒子の平均粒径が１３０ｎｍ未満であり、
    　前記混合物において、
    　ＴｉとＺｒの合計含有量を１モル部としたとき、
    　Ｍｎの含有量が、０．０１５モル部以下であり、
    　Ｓｉの含有量が、０．００５モル部以上０．０３モル部未満であり、
    　Ｃａ／（Ｂａ＋Ｃａ）のモル比ｘが、０．０５＜ｘ＜０．２０であり、
    　Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）のモル比ｙが、０．０３＜ｙ＜０．１８であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
  9. 　前記結晶粒子の平均粒径が５０ｎｍを超えて１３０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項７または８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
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