CN111755247B - 层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种层叠陶瓷电容器以及层叠陶瓷电容器的制造方法。层叠陶瓷电容器具备:具有层叠的陶瓷层和内部电极的电容元件;和在电容元件的表面形成的外部电极。外部电极具有在电容元件的表面形成的基底电极层、和在基底电极层的表面形成且缘部与电容元件的表面对置的Cu镀覆电极层。在Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间存在Sn。优选地在Cu镀覆电极层的表面形成缘部与电容元件的表面对置的至少一层第二镀覆电极层(Ni镀覆电极层、Sn镀覆电极层)。
Description
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电容器,更详细地,涉及实现了耐湿性的提高的层叠陶瓷电容器。
此外,本发明涉及适合于制造本发明的层叠陶瓷电容器的层叠陶瓷电容器的制造方法。
背景技术
一般的层叠陶瓷电容器具备层叠了多个陶瓷层和多个内部电极的电容元件,并在电容元件的表面形成有外部电极。内部电极被引出到电容元件的端面、侧面,并与外部电极连接。
外部电极例如由涂敷导电性膏并进行烧成而形成的基底电极层、和在基底电极层的表面形成的镀覆电极层来构成。镀覆电极层有时根据需要由多个层构成。
例如,在日本特开2017-168488号公报中公开了一种层叠陶瓷电容器,其具备由以Ni为主要成分的基底电极层、在基底电极层的表面形成的Cu镀覆电极层、在Cu镀覆电极层的表面形成的Ni镀覆电极层、以及在Ni镀覆电极层的表面形成的Sn镀覆电极层构成的外部电极。
在专利文献1中公开的层叠陶瓷电容器中,外部电极的Cu镀层耐湿性高,并起到了抑制水分从外部向外部电极的内侧浸入的功能。
然而,Cu镀层是通过在基底电极层的表面镀覆生长而形成的,通常,Cu镀层的缘部与电容元件的表面相接,但是Cu镀层的缘部并不能与电容元件的表面牢固地接合。
因此,在Cu镀层的厚度小的情况下等,有时,水分经由Cu镀层的缘部与电容元件的表面之间的间隙,从外部向外部电极的内侧浸入,进而水分经由基底外部电极与电容元件的表面之间的间隙等到达内部电极,层叠陶瓷电容的特性劣化。
例如,有时在形成Sn镀覆电极层时的镀液中混合了表面活性剂,该镀液(水分)有时会经由Cu镀层的缘部与电容元件的表面之间的间隙而侵入到外部电极的内侧,层叠陶瓷电容器的特性劣化。或者,在层叠陶瓷电容器完成之后,大气中的水分有时会经由Cu镀层的缘部与电容元件的表面之间的间隙而侵入到外部电极的内侧,层叠陶瓷电容器的特性劣化。
发明内容
本发明是为了解决上述以往的问题而作出的,作为其技术手段,设为,本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器具备:电容元件,具有层叠的多个陶瓷层和多个内部电极,并具有在高度方向上相互对置的一对主面、在与高度方向正交的长度方向上相互对置的一对端面、以及在与高度方向以及长度方向正交的宽度方向上相互对置的一对侧面;以及至少两个外部电极,形成于电容元件的表面,内部电极被引出到在端面和/或侧面电容元件的表面,与外部电极连接,外部电极具有:基底电极层,其形成于电容元件的表面;以及Cu镀覆电极层,其形成于基底电极层的表面,且缘部与电容元件的表面对置,在Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间存在Sn。
此外,设为,本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器的制造方法具备:制作多个陶瓷生片的工序;在多个陶瓷生片中的特定陶瓷生片的主面,将用于形成内部电极的导电性膏涂敷成所期望的形状的工序;层叠多个陶瓷生片,使其一体化来制作未烧成电容元件的工序;对未烧成电容元件进行烧成,制作层叠了多个陶瓷层和多个内部电极的电容元件的工序;在电容元件的表面形成基底电极层的工序;在基底电极层的表面形成缘部与电容元件的表面对置的Cu镀覆电极层的工序;使电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液,至少使Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间含浸Sn的工序;以及在Cu镀覆电极层的表面形成缘部与电容元件的表面对置的至少一层第二镀覆电极层的工序。
本发明的层叠陶瓷电容器使在Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间存在Sn,因此,抑制了经由Cu镀层的缘部与电容元件的表面之间的水分的浸入。
此外,根据本发明的层叠陶瓷电容器的制造方法,能够容易地制造本发明的层叠陶瓷电容器。
该发明的上述以及其他目的、特征、方面以及优点能够根据关联附图来理解的与本发明有关的以下详细说明而变得明确。
附图说明
图1是第一实施方式的层叠陶瓷电容器100的立体图。
图2是层叠陶瓷电容器100的剖视图。
图3是层叠陶瓷电容器100的主要部分剖视图。
图4是层叠陶瓷电容器100的分解立体图。
图5A是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图5B是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图6C是图5B的后续图,是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图6D是图6C的后续图,是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图7E是图6D的后续图,是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图7F是图7E的后续图,是表示在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的剖视图。
图8是第二实施方式的层叠陶瓷电容器200的立体图。
图9是层叠陶瓷电容器200的剖视图。
具体实施方式
以下,连同附图一起,说明用于实施本发明的方式。
此外,各实施方式例示地表示了本发明的实施方式,本发明并不受限于实施方式的内容。此外,还能够将不同实施方式中记载的内容进行组合来实施,该情况下的实施内容也包含在本发明中。此外,附图是为了有助于说明书的理解,有时是示意性地描绘的,有时描绘的结构要素或结构要素间的尺寸比率与说明书中记载的这些的尺寸比率不一致。此外,有时说明书中记载的结构要素在附图中被省略,有时省略个数地描绘等。
[第一实施方式]
图1~图4表示第一实施方式的层叠陶瓷电容器100。其中,图1是层叠陶瓷电容器100的立体图。图2是层叠陶瓷电容器100的剖视图,表示图1中由单点划线箭头示出的II-II部分。图3是层叠陶瓷电容器100的主要部分剖视图。图4是层叠陶瓷电容器100的分解立体图。此外,图中示出了层叠陶瓷电容器100的高度方向T、长度方向L、宽度方向W,在以下说明中,有时会言及这些方向。此外,在本实施方式中,将后述的陶瓷层1a的层叠方向定义为层叠陶瓷电容器100的高度方向T。
层叠陶瓷电容器100具备由长方体形状构成的电容元件1。电容元件1具有在高度方向T相互对置的一对主面1A、1B;在与高度方向T正交的长度方向L上相互对置的一对端面1C、1D;以及在与高度方向T以及长度方向L这二者正交的宽度方向W上相互对置的一对侧面1E、1F。
层叠陶瓷电容器100的尺寸是任意的。但是,高度方向T的尺寸例如能够设为0.1mm~2.5mm左右。长度方向L的尺寸例如能够设为0.1mm~3.2mm左右。宽度方向W的尺寸例如能够设为0.1mm~2.5mm左右。
电容元件1由多个陶瓷层1a和多个内部电极2、3层叠而构成。此外,内部电极2相当于第一内部电极、内部电极3相当于第二内部电极。
电容元件1(陶瓷层1a)的材质是任意的,例如能够使用以BaTiO3为主要成分的电介质陶瓷。但是,也可以使用代替BaTiO3而以CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等其他材质作为主要成分的电介质陶瓷。
陶瓷层1a的厚度是任意的,例如在形成了内部电极2、3的电容形成的实效区域,能够设为0.3μtm~2.0μm左右。
陶瓷层1a的层数是任意的,例如在形成了内部电极2、3的电容形成的实效区域,能够设为1层~6000层。
在电容元件1的上下两侧未形成内部电极2、3,而设置有仅由陶瓷层1a构成的外层(保护层)。外层的厚度是任意的,但例如能够设为15μm~150μm。此外,外层区域的陶瓷层1a的厚度还可以大于形成有内部电极2、3的电容形成的实效区域的陶瓷层1a的厚度(但是,在图2、图3中,在外层区域和实效区域,将陶瓷层1a的厚度表示成相同厚度)。此外,外层区域的陶瓷层1a的材质也可以与实效区域的陶瓷层1a的材质不同。
图4的分解立体图按每个陶瓷层1a分解地示出了电容元件1的高度方向T上的中央附近。从图4可知,内部电极2在层叠陶瓷电容器100的长度方向L上延伸,并被引出到电容元件1的两个端面1C、1D。内部电极3在层叠陶瓷电容器100的长度方向L延伸,并被引出到电容元件1的两个侧面1E、1F。此外,内部电极2和内部电极3原则上交替地层叠。
内部电极2、3的主要成分的材质是任意的,在本实施方式中使用了Ni。但是,也可以代替Ni而使用Cu、Ag、Pd、Au等其他金属。此外,Ni或Cu、Ag、Pd、Au等还可以是与其他金属的合金。
内部电极2、3的厚度是任意的,然而例如能够设为0.3μm~1.5μm左右。
内部电极2、3与电容元件1的侧面1E、1F之间的缝隙尺寸是任意,然而例如能够设为10μm~200μm左右。此外,内部电极3与电容元件1的端面1C、1D之间的缝隙尺寸是任意的,例如能够设为0.5μm~300μm左右。
在电容元件1的表面形成有外部电极4、5、6、7。
外部电极4形成于电容元件1的端面1C。外部电极4形成为盖形状,边缘部分从电容元件1的端面1C延展到主面1A、1B、侧面1E、1F来形成。
外部电极5形成于电容元件1的端面1D。外部电极5形成为盖形状,边缘部分从电容元件1的端面1D延展到主面1A、1B、侧面1E、1F来形成。
外部电极6形成于电容元件1的侧面1E。外部电极6形成为C字形状,边缘部分从电容元件1的端面1E延展到主面1A、1B来形成。
外部电极7形成于电容元件1的侧面1F。外部电极7形成为C字形状,边缘部分从电容元件1的端面1F延展到主面1A、1B来形成。
在层叠陶瓷电容器100中,被引出到电容元件1的端面1C的内部电极2与外部电极4连接。被引出到电容元件1的端面1D的内部电极2与外部电极5连接。被引出到电容元件1的侧面1E的内部电极3与外部电极6连接。被引出到电容元件1的侧面1F的内部电极3与外部电极7连接。
内部电极2与外部电极4、5连接且内部电极3与外部电极6、7连接的层叠陶瓷电容器100,能够作为3端子型电容器来使用。即,层叠陶瓷电容器100在电路中将电源线或信号线在中途截断,将截断的一者与外部电极4连接,将截断的另一者与外部电极5连接,并且将外部电极6、7与接地连接,由此,能够作为3端子型电容器来使用。该情况下,内部电极2成为贯通电极,内部电极3成为接地电极。
外部电极4~7均具有相同的多层构造。具体地,外部电极4~7如图2、图3所示那样,分别具有:在电容元件1的表面形成的基底电极层8、在基底电极层8的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Cu镀覆电极层9、在Cu镀覆电极层9的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Ni镀覆电极层10、以及在Ni镀覆电极层10的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Sn镀覆电极层11。
基底电极层8是成为外部电极4~7的基材的部分。Cu镀覆电极层9主要起到使耐湿性提高的功能。Ni镀覆电极层10主要起到使焊料耐热性提高并且使接合性提高的功能。Sn镀覆电极层11主要起到使焊接性提高的功能。
在本实施方式中,基底电极层8以Ni为主要成分。然而,基底电极层8的主要成分的材质是任意的,也可以代替Ni,例如设Cu、Ag等为主要成分。此外,Ni或Cu、Ag等也可以是与其他金属的合金。
基底电极层8的厚度是任意的,然而例如能够设为5μm~150μm左右。
Cu镀覆电极层9的厚度是任意的,然而例如能够设为3μm~20μm左右。
Cu镀覆电极层9的表面粗糙度RA是任意的,然而例如能够设为0.1μm~1.0μm左右。
在本实施方式中,Ni镀覆电极层10和Sn镀覆电极层11这2层相当于在Cu镀覆电极层9的表面形成的第二镀覆电极层。然而,第二镀覆电极层的层数是任意的,代替2层,可以是1层,也可以是3层以上。此外,第二镀覆电极层的各层的材质也是任意的,还可以包含由Ni、Sn以外的金属构成的镀覆电极层。
Ni镀覆电极层10的厚度是任意的,然而例如能够设为2μm~7μm左右。
Sn镀覆电极层11的厚度是任意的,然而例如能够设为1μm~8μm左右。
Cu镀覆电极层9、Ni镀覆电极层10、Sn镀覆电极层11各自还可以含有杂质。此外,Cu镀覆电极层9、Ni镀覆电极层10、Sn镀覆电极层11各自还可以是合金。
在层叠陶瓷电容器100中,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12。所谓存在Sn12是指,当通过WDX(Wavelength Dispersive X-ray spectrometry;波长分散型X射线分光法)来分析外部电极4~7的剖面时,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间检测出Sn,无论以何种状态存在都可以。
在层叠陶瓷电容器100中,水分容易浸入,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12,因此,耐湿性提高。即,Cu镀覆电极层9在基底电极层8的表面通过镀覆生长而形成,Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面相接,但是Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面不能牢固地接合。因此,在Cu镀覆电极层9的厚度小的情况下等,水分有可能会经由Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间(间隙),从外部浸入到外部电极4、5、6、7的内侧。
在层叠陶瓷电容器100中,通过使Sn12存在于Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间,从而抑制了水分经由Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间而浸入到外部电极4~7的内侧。此外,详细机理正在研究中,然而通过使Sn12存在于Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间,能够抑制来自该部分的水分的浸入。
(耐湿负荷试验)
为了确认本发明的有效性,进行以下的耐湿负荷试验。
首先,制作第一实施方式的层叠陶瓷电容器100,作为实施例的试样。
此外,为了比较,制作对层叠陶瓷电容器100的结构的一部分增加了变更的层叠陶瓷电容器,作为比较例的试样。具体地,在层叠陶瓷电容器100中,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12,然而,比较例的层叠陶瓷电容器并未使Sn12存在于Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间(在每次制作中,省略了用于使Sn12存在的工序)。比较例的层叠陶瓷电容器的其他结构与层叠陶瓷电容器100相同。
接下来,将实施例的试样和比较例的试样每次各10个地使用共晶焊料安装于玻璃环氧基板。接着,测定各试样的绝缘电阻值。
接下来,将玻璃环氧基板放入高温高湿槽内,在125℃、相对湿度95%RH的环境下,对各试样施加3.2V的电压72小时。接着,测定耐湿负荷试验后的各试样的绝缘电阻值。
在各试样中,在耐湿负荷试验前后,将绝缘电阻值下降了一个位数以上的情况作为不良进行计数。其结果,在实施例的试样中,10个中被判定为不良的是一个。另一方面,在比较例的试样中,10个中有10个被判定为不良。
通过以上的耐湿负荷试验,确认了本发明的有效性。
(层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例)
参照图5A~图7F来说明第一实施方式的层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例。
首先,制作图5A所示的在内部形成了内部电极2、3,并在表面形成了外部电极4~7的基底电极层8的电容元件1。
尽管省略了图示,然而,首先准备电介质陶瓷的粉末、粘合剂树脂、溶剂等,将这些进行湿式混合来制作陶瓷料浆。
接下来,在载体薄膜上,使用模具涂敷机、凹版涂敷机、微凹版涂敷机等将陶瓷料浆涂敷成薄片状,使其干燥来制作陶瓷生片。
接下来,为了在给定的陶瓷生片的主面形成内部电极2、3,将预先准备的导电性膏涂敷(例如印刷)成所期望的图案形状。此外,在成为外层的陶瓷生片并不涂敷导电性膏。此外,对于导电性膏,能够使用混合了例如溶剂、粘合剂树脂、金属粉末(例如Ni粉末)等而得的材料。
接下来,以给定的顺序层叠陶瓷生片,进行加热压接而使其一体化,制作未烧成电容元件。
接下来,在未烧成电容元件的表面,为了形成基底电极层8,将导电性膏涂敷成所期望的形状。此外,对于导电性膏,能够使用将例如溶剂、粘合剂树脂、金属粉末(例如Ni粉末)、陶瓷粉末等混合而得的材料。
接下来,将未烧成电容元件以给定的炉型(profile)进行烧成,使图5A所示的电容元件1完成。此时,烧成陶瓷生片而成为陶瓷层1a,同时烧成在陶瓷生片的主面涂敷的导电性膏而成为内部电极2、3,同时烧成在未烧成电容元件的表面涂敷的导电性膏而成为基底电极层8。
接下来,如图5B所示那样,在外部电极4~7的基底电极层8的表面形成Cu镀覆电极层9。
接下来,如图6C所示那样,准备加入了溶解了Sn的溶液13的槽14,并将电容元件1浸渍到溶液13中。对于溶液13,例如能够使用含有二价Sn的氯化锡的水溶液。溶液13中优选地含有表面活性剂。作为表面活性剂,例如能够使用具有降低表面张力的效果的抗点蚀剂,例如能够使用十二烷基硫酸钠等。该工序是为了使在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间(间隙)含浸Sn12,若在溶液13中含有表面活性剂,则能够良好地进行Sn12的含浸。此外,溶液13中还可以含有其他金属。此外,对于电容元件1向溶液13的浸渍,还可以将多个电容元件1放入篮子等中总括地进行。此外,还可以将槽14构成为气密构造,在使电容元件1浸渍到溶液13之后,进行抽真空,使槽14内减压或成为真空状态。
接着,还可以将电容元件1从溶液13取出,并除去在电容元件1的表面、基底电极层8的表面附着的Sn。表面的Sn的除去例如通过物理性研削(滚筒、UV照射、等离子体照射)、化学性研削(利用碱性液、酸性液等的清洗)来进行。
其结果,如图6D所示那样,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间(间隙)含浸Sn12。
接下来,如图7E所示那样,在外部电极4~7的Cu镀覆电极层9的表面形成Ni镀覆电极层10。此外,当形成Ni镀覆电极层10时,若使用焊料球作为介质(media),则有时在Cu镀覆电极层9与Ni镀覆电极层10的界面形成Sn层。
最后,如图7E所示那样,在Ni镀覆电极层10的表面形成Sn镀覆电极层11,使外部电极4~7完成,来使第一实施方式的层叠陶瓷电容器100完成。
此外,有时在形成Sn镀覆电极层11时的镀液中混合了表面活性剂,然而,由于在层叠陶瓷电容器100中在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12,因此,抑制了镀液(水分)浸入到外部电极4~7的内侧。因此,还抑制了镀液到达内部电极2、3,并还通过镀液抑制了层叠陶瓷电容器100的特性劣化。
[第二实施方式]
图8、图9中表示第二实施方式的层叠陶瓷电容器200。其中,图8是层叠陶瓷电容器200的立体图。图9是层叠陶瓷电容器200的剖视图,并表示图8中由单点划线箭头表示的IX-IX部分。
第二实施方式的层叠陶瓷电容器200对第一实施方式的层叠陶瓷电容器100的结构的一部分增加了变更。具体地,层叠陶瓷电容器100是3端子型电容器,但是层叠陶瓷电容器200设为2端子型电容器。
对于层叠陶瓷电容器200,电容元件1由多个陶瓷层1a和多个内部电极22、23层叠而构成。内部电极22、23每一个均设为在长度方向L上延伸,并在俯视观察下是矩形形状。并且,内部电极22被引出到电容元件1的端面1C,内部电极23被引出到电容元件1的端面1D。
在电容元件1的表面形成有外部电极24、25。
外部电极24形成于电容元件1的端面1C。外部电极24形成为盖形状,边缘部分从电容元件1的端面1C延展到主面1A、1B、侧面1E、1F来形成。
外部电极25形成于电容元件1的端面1D。外部电极25形成为盖形状,边缘部分从电容元件1的端面1D延展到主面1A、1B、侧面1E、1F来形成。
在层叠陶瓷电容器200中,被引出到电容元件1的端面1C的内部电极22与外部电极24连接。此外,被引出到电容元件1的端面1D的内部电极23与外部电极25连接。
外部电极24、25分别具有:在电容元件1的表面形成的基底电极层8、在基底电极层8的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Cu镀覆电极层9、在Cu镀覆电极层9的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Ni镀覆电极层10、以及在Ni镀覆电极层10的表面形成且缘部与电容元件1的表面对置的Sn镀覆电极层11。
在层叠陶瓷电容器200中,也在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12。
在层叠陶瓷电容器200中,由于水分容易浸入的Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12,因此耐湿性提高。
这样,本发明的层叠陶瓷电容器也可以构成为2端子型电容器。
[第三实施方式]
第三实施方式对第一实施方式中示出的层叠陶瓷电容器100的制造方法的工序的一部分增加了变更。此外,制造的层叠陶瓷电容器100的构造与第一实施方式相同,因此省略附图。
在第一实施方式的层叠陶瓷电容器100的制造方法中,在制作出的未烧成电容元件的表面将导电性膏涂敷成所期望的形状,当对未烧成电容元件进行烧成来制作电容元件1时,同时烧成在未烧成电容元件的表面涂敷的导电性膏而形成了基底电极层8。在第三实施方式中,对此进行了变更,并未在未烧成电容元件的表面涂敷导电性膏,而是在对未烧成电容元件进行烧成而制作了电容元件1之后,在电容元件1的表面将导电性膏涂敷成所期望的形状,加热电容元件1,将导电性膏与电容元件1的表面烧附来形成了基底电极层8。第三实施方式的其他工序与第一实施方式相同。这样,基底电极层8还可以在对未烧成电容元件进行烧成而制作电容元件1之后形成。
以上,说明了第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式。然而,本发明并不受限于上述内容,能够按照发明的主旨而进行各种变更。
例如,在层叠陶瓷电容器100、200中,在Cu镀覆电极层9的缘部与电容元件1的表面之间存在Sn12,然而,还可以设为在该部分同时存在Sn以外的金属。
此外,在层叠陶瓷电容器100、200中,作为第二镀层,设置了Ni镀覆电极层10和Sn镀覆电极层11这2层,然而第二镀层的层数、材质等是任意的,能够适当进行变更。
此外,在层叠陶瓷电容器100中,当构成3端子型电容器时,作为与接地连接的电极形成了两个外部电极6、7,然而还可以在电容元件1的表面将外部电极6与外部电极7连结,作为一个公共外部电极。该情况下,优选地,内部电极3在电容元件1的两个侧面1E、1F与公共外部电极连接,然而在电学上,只要在侧面1E、1F的至少一处与公共外部电极连接即可。
本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器是如“用于解决课题的手段”部分中记载的那样。
在该层叠陶瓷电容器中,优选地,基底电极层以Ni为主要成分。该情况下,通过使内部电极为以Ni作为主要成分(或者,以能够耐受高温下的烧成的金属为主要成分),能够容易地对电容元件、内部电极、和外部电极的基底电极层进行同时烧成。
此外,还优选地,进一步具备:在Cu镀覆电极层的表面形成且缘部与电容元件的表面对置的至少一层的第二镀覆电极层。
此外,第二镀覆电极层还优选包含Sn镀覆电极层。该情况下,能够使外部电极的焊接性提高。
此外,还优选地,第二镀覆电极层包含:在Cu镀覆电极层的表面形成的Ni镀覆电极层、以及在Ni镀覆电极层的表面形成的Sn镀覆电极层。该情况下,能够利用Ni镀覆电极层来赋予焊料耐热性并且使接合性提高,利用Sn镀覆电极层使焊接性提高。
此外,还优选地,内部电极具有第一内部电极和第二内部电极,第一内部电极从两个端面引出到电容元件的表面来与外部电极连接,第二内部电极从至少一个侧面引出到电容元件的表面来与外部电极连接,由此构成3端子型电容器。
本发明的一实施方式的层叠陶瓷电容器的制造方法是如“用于解决课题的手段”部分中记载的那样。
在该层叠陶瓷电容器的制造方法中,关于在电容元件的表面形成基底电极层的工序,优选地,在未烧成电容元件的表面将用于形成基底电极层的导电性膏涂敷成所期望的形状、对未烧成电容元件进行烧成来制作电容元件的工序中,将导电性膏与未烧成电容元件同时进行烧成。该情况下,能够容易地形成基底电极层。
此外,在为了形成基底电极层而涂敷导电性膏的工序中,还优选地包含涂敷含有Ni的导电性膏的工序。该情况下,通过使内部电极为以Ni作为主要成分(或者,以能够耐受高温下的烧成的金属为主要成分),能够容易地对电容元件、内部电极、和外部电极的基底电极层进行同时烧成。
此外,还可以在使电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液中之后,从电容元件的表面和/或Cu镀层的表面除去不必要的Sn。该情况下,通过存在不必要的Sn,能够抑制第二镀覆电极层形成在不必要的部分这一情况。此外,此外,表面的Sn的除去例如通过物理性研削(滚筒、UV照射、等离子体照射)、化学性研削(利用碱性液、酸性液等的清洗)来进行。
此外,在形成第二镀覆电极层的工序中,还优选地包含形成Sn镀覆电极层的工序。该情况下,能够使外部电极的焊接性提高。
此外,在形成第二镀覆电极层的工序中,还优选地包含:在Cu镀覆电极层的表面形成Ni镀覆电极层的工序、和在Ni镀覆电极层的表面形成Sn镀覆电极层的工序。该情况下,能够利用Ni镀覆电极层来赋予焊料耐热性并且使接合性提高,利用Sn镀覆电极层使焊接性提高。
此外,还优选地,使电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液并至少使Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间含浸Sn的工序是如下工序:使电容元件含浸到包含二价Sn的氯化锡的水溶液。该情况下,能够容易地使Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间含浸Sn。
此外,还优选地,使电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液并至少使Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间含浸Sn的工序是如下工序使电容元件浸渍到含有表面活性剂并溶解了Sn的溶液。该情况下,能够良好地使Cu镀覆电极层的缘部与电容元件的表面之间含浸Sn。
说明了本发明的实施方式,然而应当认为,本次公开的实施方式的在所有方面都是示例,而不是限制性的。本发明的范围由权利要求书来表示,并希望能够包含与权利要求书均等的意思以及范围内的全部变更。
Claims (15)
1.一种层叠陶瓷电容器,具备:
电容元件,具有层叠的多个陶瓷层和多个内部电极,并具有在高度方向上相互对置的一对主面、在与所述高度方向正交的长度方向上相互对置的一对端面、以及在与所述高度方向以及所述长度方向正交的宽度方向上相互对置的一对侧面;以及
至少两个外部电极,形成于所述电容元件的表面,
其中,
所述内部电极在所述端面和/或所述侧面被引出到所述电容元件的表面,与所述外部电极连接,
所述外部电极具有:
基底电极层,形成于所述电容元件的表面;以及
Cu镀覆电极层,形成于所述基底电极层的表面,且缘部与所述电容元件的表面对置,
在所述Cu镀覆电极层的缘部与所述电容元件的表面之间存在Sn。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述基底电极层以Ni为主要成分。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述层叠陶瓷电容器进一步具备:
至少一层第二镀覆电极层,形成于所述Cu镀覆电极层的表面、且缘部与所述电容元件的表面对置。
4.根据权利要求3所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述第二镀覆电极层包含Sn镀覆电极层。
5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述第二镀覆电极层包含:
Ni镀覆电极层,形成于所述Cu镀覆电极层的表面;以及
所述Sn镀覆电极层,形成于所述Ni镀覆电极层的表面。
6.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器,其中,
所述内部电极具有第一内部电极和第二内部电极,
所述第一内部电极从两个所述端面引出到所述电容元件的表面,与所述外部电极连接,
所述第二内部电极从至少一个所述侧面引出到所述电容元件的表面,与所述外部电极连接,
由此构成了3端子型电容器。
7.一种层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
具备如下工序:
制作多个陶瓷生片的工序;
在所述多个陶瓷生片中的特定陶瓷生片的主面,将用于形成内部电极的导电性膏涂敷成所期望的形状的工序;
层叠多个所述陶瓷生片,使其一体化来制作未烧成电容元件的工序;
对所述未烧成电容元件进行烧成,制作层叠了多个陶瓷层和多个内部电极的电容元件的工序;
在所述电容元件的表面形成基底电极层的工序;
在所述基底电极层的表面形成缘部与所述电容元件的表面对置的Cu镀覆电极层的工序;
使所述电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液,至少使所述Cu镀覆电极层的缘部与所述电容元件的表面之间含浸Sn的工序;以及
在所述Cu镀覆电极层的表面形成缘部与所述电容元件的表面对置的至少一层第二镀覆电极层的工序。
8.根据权利要求7所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
在所述电容元件的表面形成所述基底电极层的工序是如下工序:
在所述未烧成电容元件的表面,将用于形成所述基底电极层的导电性膏涂敷成所期望的形状,
在对所述未烧成电容元件进行烧成来制作所述电容元件的工序中,将所述导电性膏与所述未烧成电容元件同时进行烧成。
9.根据权利要求8所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
在为了形成所述基底电极层而涂敷导电性膏的工序中,包含涂敷含有Ni的导电性膏的工序。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
所述制造方法进一步具备:
在使所述电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液中之后,从所述电容元件的表面和/或所述Cu镀覆电极层的表面除去不必要的Sn的工序。
11.根据权利要求10所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
除去所述不必要的Sn的工序选自基于滚筒的研磨、基于UV照射的研磨、基于等离子体照射的研磨、基于碱性液的清洗、基于酸性液的清洗的至少一种。
12.根据权利要求7至9中任一项所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
形成所述第二镀覆电极层的工序包含形成Sn镀覆电极层的工序。
13.根据权利要求12所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
形成所述第二镀覆电极层的工序包含:
在所述Cu镀覆电极层的表面形成Ni镀覆电极层的工序;以及
在所述Ni镀覆电极层的表面形成所述Sn镀覆电极层的工序。
14.根据权利要求7至9中任一项所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
使所述电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液、并至少使所述Cu镀覆电极层的缘部与所述电容元件的表面之间含浸Sn的工序是如下工序:使所述电容元件含浸到包含二价Sn的氯化锡的水溶液。
15.根据权利要求7至9中任一项所述的层叠陶瓷电容器的制造方法,其中,
使所述电容元件浸渍到溶解了Sn的溶液、并至少使所述Cu镀覆电极层的缘部与所述电容元件的表面之间含浸Sn的工序是如下工序:使所述电容元件浸渍到含有表面活性剂并溶解了Sn的溶液。
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