JP7215410B2 - 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
図1~図4に、第1実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ100を示す。ただし、図1は、積層セラミックコンデンサ100の斜視図である。図2は、積層セラミックコンデンサ100の断面図であり、図1に一点鎖線矢印で示したX-X部分を示している。図3は、積層セラミックコンデンサ100の要部断面図である。図4は、積層セラミックコンデンサ100の分解斜視図である。なお、図中に積層セラミックコンデンサ100の高さ方向T、長さ方向L、幅方向Wを示しており、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。なお、本実施形態においては、後述するセラミック層1aの積層方向を、積層セラミックコンデンサ100の高さ方向Tと定義している。
本発明の有効性を確認するために、以下の耐湿負荷試験をおこなった。
第1実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ100の製造方法の一例を、図5(A)~図7(F)を参照して説明する。
図8、図9に、第2実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ200を示す。ただし、図8は、積層セラミックコンデンサ200の斜視図である。図9は、積層セラミックコンデンサ200の断面図であり、図8に一点鎖線矢印で示したY-Y部分を示している。
第3実施形態は、第1実施形態において示した積層セラミックコンデンサ100の製造方法の工程の一部に変更を加えた。なお、製造される積層セラミックコンデンサ100の構造は第1実施形態と同じであるため、図面は省略する。
1a・・・セラミック層
1A、1B・・・主面
1C、1D・・・端面
1E、1F・・・側面
2、3、22、23・・・内部電極
4、5、6、7・・・外部電極
8・・・下地電極層
9・・・Cuめっき電極層
10・・・Niめっき電極層(第2めっき電極層)
11・・・Snめっき電極層(第2めっき電極層)
12・・・Sn
Claims (10)
- 積層された複数のセラミック層と複数の内部電極とを有し、高さ方向において相互に対向する1対の主面と、前記高さ方向に直交する長さ方向において相互に対向する1対の端面と、前記高さ方向および前記長さ方向に直交する幅方向において相互に対向する1対の側面とを有する容量素子と、
前記容量素子の表面に形成された少なくとも2つの外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記内部電極は、前記端面および/または前記側面において前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
前記外部電極は、
前記容量素子の表面に形成された、非めっき膜からなる下地電極層と、
前記下地電極層の表面に形成され、縁部が前記容量素子の表面に対向するCuめっき電極層と、
前記Cuめっき電極層の表面に形成され、縁部が前記容量素子の表面に対向するNiめっき電極層と、
前記Niめっき電極層の表面に形成され、縁部が前記容量素子の表面に対向するSnめっき電極層と、を有し、
前記Cuめっき電極層の縁部と、前記容量素子の表面との間に、Snが存在する、積層セラミックコンデンサ。 - 前記下地電極層が、Niを主成分とする、請求項1に記載された積層セラミックコンデンサ。
- 前記内部電極が第1内部電極と第2内部電極とを有し、
前記第1内部電極が、両方の前記端面から前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
前記第2内部電極が、少なくとも一方の前記側面から前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
3端子型コンデンサが構成された、請求項1または2に記載された積層セラミックコンデンサ。 - 複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
前記複数のセラミックグリーンシートのうちの特定のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
複数の前記セラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、未焼成容量素子を作製する工程と、
前記未焼成容量素子を焼成し、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層された容量素子を作製する工程と、
前記容量素子の表面に、めっき以外の方法で下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面に、縁部が前記容量素子の表面に対向する、Cuめっき電極層を形成する工程と、
前記容量素子を、Snが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも、前記Cuめっき電極層の縁部と、前記容量素子の表面との間に、Snを含浸させる工程と、
前記Cuめっき電極層の表面に、縁部が前記容量素子の表面に対向する、Niめっき電極層を形成する工程と、
前記Niめっき電極層の表面に、縁部が前記容量素子の表面に対向する、Snめっき電極層を形成する工程と、を備えた積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記容量素子の表面に前記下地電極層を形成する工程が、
前記未焼成容量素子の表面に、前記下地電極層を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布し、
前記未焼成容量素子を焼成して前記容量素子を作製する工程において、前記導電性ペーストを前記未焼成容量素子と同時に焼成するものである、請求項4に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記下地電極層を形成するために導電性ペーストを塗布する工程は、Niを含む導電性ペーストを塗布する工程を含む、請求項5に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記容量素子をSnが溶解された溶液に浸漬させた後に、前記容量素子の表面および/または前記Cuめっき層の表面から、不要なSnを除去する工程を更に備えた、請求項4ないし6のいずれか1項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記不要なSnを除去する工程が、バレルによる研磨、UV照射による研磨、プラズマ照射による研磨、アルカリ液による洗浄、酸液による洗浄から選ばれる少なくとも1つである、請求項7に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記容量素子をSnが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも前記Cuめっき電極層の縁部と前記容量素子の表面との間にSnを含浸させる工程が、
前記容量素子を、2価のSnを含む塩化スズの水溶液に含浸させるものである、請求項4ないし8のいずれか1項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記容量素子をSnが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも前記Cuめっき電極層の縁部と前記容量素子の表面との間にSnを含浸させる工程が、
前記容量素子を、界面活性剤が含まれた、Snが溶解された溶液に浸漬させるものである、請求項4ないし9のいずれか1項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
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