JP7156914B2 - 積層セラミックコンデンサ、及び、積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ、及び、積層セラミックコンデンサの製造方法 Download PDFInfo
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Description
本発明は、積層セラミックコンデンサ、及び、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
積層セラミックコンデンサは、通常、交互に積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極を含む積層体と、上記積層体の表面に設けられた外部電極とを備える。
従来の積層セラミックコンデンサの一例として、特許文献１には、セラミック本体と、上記セラミック本体の第１の一対の面の一方に形成された第１外部電極、及び、上記第１の一対の面の他方に形成された第２外部電極と、上記セラミック本体の第２の一対の面の一方に形成された第３外部電極、及び、上記第２の一対の面の他方に形成された第４外部電極と、上記セラミック本体の内部に形成され、上記第１外部電極及び上記第２外部電極に接続された第１内部電極と、上記第１内部電極とセラミック層を介して配置され、上記第３外部電極及び上記第４外部電極に接続された第２内部電極と、を含む電子部品が開示されている。
図１７（ａ）は、従来の積層セラミックコンデンサを構成する第１の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図１７（ｂ）は、従来の積層セラミックコンデンサを構成する第２の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）に示す第１の内部電極と図１７（ｂ）に示す第２の内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図１７（ａ）に示すように、第１の内部電極１１６は、積層体の第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄに露出している。一方、第１の内部電極１１６は、積層体の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆには露出していない。
図１７（ｂ）に示すように、第２の内部電極１１８は、積層体の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出している。一方、第２の内部電極１１８は、積層体の第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄには露出していない。
第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が積層される積層セラミックコンデンサでは、図１７（ｃ）に示すように、第１の内部電極１１６は、第１の端面１２ｃにおいて第１の端面外部電極２０と接続されており、第２の端面１２ｄにおいて第２の端面外部電極２２と接続されている。第２の内部電極１１８は、第１の側面１２ｅにおいて第１の側面外部電極２４と接続されており、第２の側面１２ｆにおいて第２の側面外部電極２６と接続されている。
近年、電子部品の小型化及び高機能化に伴い、積層セラミックコンデンサにも小型化及び高容量化が求められている。積層セラミックコンデンサの小型化及び高容量化を実現するための方法として、端面側の外部電極を薄くすることが考えられる。しかしながら、外部電極には、積層体内への水分の浸入を防止する機能が求められているため、従来の積層セラミックコンデンサの構造では、一定以上の外部電極の厚みを確保する必要がある。
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、端面側の外部電極を薄くすることで高容量化でき、かつ、端面側の外部電極を薄くしても積層体内への水分の浸入を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。本発明はまた、上記積層セラミックコンデンサの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の積層セラミックコンデンサは、交互に積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極を含み、積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、上記積層方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面と、上記積層方向及び上記長さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面とを有する積層体と、上記積層体の表面に設けられた第１の外部電極及び第２の外部電極と、を備える。上記第１の外部電極は、上記積層体の上記第１の端面に設けられ、かつ、上記積層体の上記第１の端面から延伸して上記第１の側面の一部及び上記第２の側面の一部を覆うように設けられている。上記複数の内部電極は、上記第１の外部電極と接続された第１の内部電極と、上記第１の内部電極と上記積層方向において対向し、上記第２の外部電極と接続された第２の内部電極とを含む。上記第１の内部電極は、上記積層体の上記第１の側面及び上記第２の側面に露出して上記第１の外部電極と接続されており、かつ、上記積層体の上記第１の端面には露出していない。
本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、積層された複数のセラミックグリーンシートと、上記セラミックグリーンシート間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された内部電極パターンとを含む、積層シートを作製する工程と、積層方向に直交する幅方向に沿って上記積層シートを切断することによって、上記幅方向に沿う切断によって現れた第１の切断端面及び第２の切断端面のうち、上記第１の切断端面に第１の内部電極を露出させる工程と、上記積層方向及び上記幅方向に直交する長さ方向に沿って上記積層シートを切断することによって、上記長さ方向に沿う切断によって現れた第１の切断側面及び第２の切断側面にそれぞれ上記第１の内部電極を露出させる工程と、を備える。上記幅方向に沿って上記積層シートを切断する工程、及び、上記長さ方向に沿って上記積層シートを切断する工程により、上記第２の切断端面、上記第１の切断側面及び上記第２の切断側面のうち、いずれかの切断面に第２の内部電極を露出させる。本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、さらに、上記第１の切断端面に第１の絶縁層を形成する工程と、上記第１の切断側面における上記第１の内部電極の露出部、上記第１の絶縁層の表面、及び、上記第２の切断側面における上記第１の内部電極の露出部に跨るように第１の外部電極を形成する工程と、上記第２の内部電極の露出部に第２の外部電極を形成する工程と、を備える。
本発明によれば、端面側の外部電極を薄くすることで高容量化でき、かつ、端面側の外部電極を薄くしても積層体内への水分の浸入を抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供することができる。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサ、及び、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。第２実施形態以降では、第１実施形態と共通の事項についての記述は省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態毎には逐次言及しない。
［積層セラミックコンデンサ］
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、３端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極、第２の外部電極、第３の外部電極及び第４の外部電極を備える。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、３端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極、第２の外部電極、第３の外部電極及び第４の外部電極を備える。
図１は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサの一例を模式的に示す斜視図である。図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩ－ＩＩ線断面図である。図３は、図１に示す積層セラミックコンデンサのＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。
本明細書においては、積層セラミックコンデンサ及び積層体の積層方向、長さ方向、幅方向を、図１において、それぞれＴ、Ｌ、Ｗで定める方向とする。ここで、積層方向（Ｔ方向）と長さ方向（Ｌ方向）と幅方向（Ｗ方向）とは互いに直交する。積層方向（Ｔ方向）は、複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６及び１８とが積み上げられていく方向である。
図１、図２及び図３に積層セラミックコンデンサ１０は、３端子型の積層セラミックコンデンサである。図１、図２及び図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、例えば直方体状又は略直方体状の積層体１２を含む。
積層体１２は、交互に積層された複数の誘電体層１４と複数の内部電極１６及び１８とを含む。
積層体１２は、積層方向（Ｔ方向）に相対する第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂと、積層方向（Ｔ方向）に直交する長さ方向（Ｌ方向）に相対する第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄと、積層方向（Ｔ方向）及び長さ方向（Ｌ方向）に直交する幅方向（Ｗ方向）に相対する第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆとを有する。
本明細書においては、第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄに直交し、かつ、積層方向（Ｔ方向）と平行な積層セラミックコンデンサ１０又は積層体１２の断面をＬＴ断面という。また、第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに直交し、かつ、積層方向（Ｔ方向）と平行な積層セラミックコンデンサ１０又は積層体１２の断面をＷＴ断面という。また、第１の端面１２ｃ、第２の端面１２ｄ、第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに直交し、かつ、積層方向（Ｔ方向）に直交する積層セラミックコンデンサ１０又は積層体１２の断面をＬＷ断面という。したがって、図２は、積層セラミックコンデンサ１０のＬＴ断面であり、図３は、積層セラミックコンデンサ１０のＷＴ断面である。
積層体１２は、角部及び稜線部に丸みが付けられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。
図１に示す積層セラミックコンデンサ１０では、積層体１２の長さ方向（Ｌ方向）の寸法は、幅方向（Ｗ方向）の寸法より長い。しかし、積層体１２の長さ方向の寸法は、幅方向の寸法より短くてもよいし、幅方向の寸法と同じであってもよい。
誘電体層１４は、誘電体材料により形成される。誘電体材料としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムカルシウム又はジルコン酸カルシウムなどの主成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層セラミックコンデンサ１０の特性に応じて、例えば、Ｍｇ化合物、Ｍｎ化合物、Ｓｉ化合物、Ａｌ化合物、Ｖ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。
内部電極に挟まれた誘電体層１４の平均厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。
図２に示すように、誘電体層１４は、外層部１４ａと内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａに最も近い内部電極（図２では内部電極１８）との間に位置する誘電体層１４、及び、積層体１２の第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極（図２では内部電極１６）との間に位置する誘電体層１４である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。
外層部１４ａの厚みは、片側１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、片側１μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
積層体１２の第１の端面１２ｃには、第１の外部電極の一例である第１の端面外部電極２０が配置される。第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃから延伸して第１の主面１２ａの一部、第２の主面１２ｂの一部、第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されていなくてもよい。また、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
積層体１２の第２の端面１２ｄには、第３の外部電極の一例である第２の端面外部電極２２が配置される。第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄから延伸して第１の主面１２ａの一部、第２の主面１２ｂの一部、第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されていなくてもよい。また、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
積層体１２の第１の側面１２ｅには、第２の外部電極の一例である第１の側面外部電極２４が配置される。第１の側面外部電極２４は、第１の側面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置される。なお、第１の側面外部電極２４は、第１の側面１２ｅのみに配置されていてもよい。
積層体１２の第２の側面１２ｆには、第４の外部電極の一例である第２の側面外部電極２６が配置される。第２の側面外部電極２６は、第２の側面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置される。なお、第２の側面外部電極２６は、第２の側面１２ｆのみに配置されていてもよい。
また、第１の側面外部電極２４が、第１の側面１２ｅから第１の主面１２ａを覆うようにして第２の側面外部電極２６まで延伸し、さらに、第１の側面外部電極２４が、第１の側面１２ｅから第２の主面１２ｂを覆うようにして第２の側面外部電極２６まで延伸することで、第１の側面外部電極２４と第２の側面外部電極２６とが繋がった結果、積層体１２を巻き回すように配置されてもよい。
図２に示すように、第１の端面外部電極２０は、積層体１２側から順に、積層体１２の表面に配置される下地電極層２８と、下地電極層２８を覆うように配置されるめっき層３０とを有する。同様に、第２の端面外部電極２２は、積層体１２側から順に、積層体１２の表面に配置される下地電極層３２と、下地電極層３２を覆うように配置されるめっき層３４とを有する。
図３に示すように、第１の側面外部電極２４は、積層体１２側から順に、積層体１２の表面に配置される下地電極層３６と、下地電極層３６を覆うように配置されるめっき層３８とを有する。同様に、第２の側面外部電極２６は、積層体１２側から順に、積層体１２の表面に配置される下地電極層４０と、下地電極層４０を覆うように配置されるめっき層４２とを有する。
下地電極層は、焼付け電極層、樹脂電極層及び薄膜電極層等から選択される少なくとも１つから成る。
焼付け電極層は、金属及びガラスを含む。焼付け電極層の金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金及びＡｕ等から選択される少なくとも１つを用いることができる。焼付け電極層のガラスとしては、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ又はＬｉ等を含むガラスを用いることができる。
焼付け電極層は、複数層であってもよい。
焼付け電極層は、金属及びガラスを含む導電性ペーストを、積層体に塗布して焼き付けたものである。焼付け電極層は、積層体と同時焼成してもよく、積層体を焼成した後に焼き付けてもよい。積層体と同時焼成して焼付け電極層を形成する場合、焼付け電極層は、金属及びセラミックを含むことが好ましい。セラミックは共材であることがより好ましい。
端面外部電極の下地電極層が焼付け電極層である場合、焼付け電極層の長さ方向（Ｌ方向）の厚みは、最も厚い部分で０．５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
端面外部電極の下地電極層が焼付け電極層である場合、積層体の側面に回り込んでいる焼付け電極層の幅方向（Ｗ方向）の厚みは、最も厚い部分で０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
側面外部電極の下地電極層が焼付け電極層である場合、焼付け電極層の幅方向（Ｗ方向）の厚みは、最も厚い部分で０．５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
薄膜電極層は、めっきやスパッタ、蒸着等の薄膜形成法により形成される、原子が堆積された原子層である。
めっき層の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ、Ｓｎ等から選択される少なくとも１つが用いられる。
めっき層は、複数層により形成されていてもよい。めっき層は、好ましくは、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層との２層構造である。Ｎｉめっき層は、下地電極層が積層セラミックコンデンサを実装する際のはんだによって侵食されることを防止することができる。Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサを実装する際のはんだの濡れ性を向上させ、積層セラミックコンデンサの実装を容易にすることができる。
Ｎｉめっき層の平均厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。Ｓｎめっき層の平均厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
図２及び図３に示すように、積層体１２は、複数の第１の内部電極１６及び複数の第２の内部電極１８を含む。第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８は、積層体１２の積層方向（Ｔ方向）に沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
図４（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図４（ｂ）は、本発明の第１実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図４（ｃ）は、図４（ａ）に示す第１の内部電極と図４（ｂ）に示す第２の内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図４（ａ）に示すように、第１の内部電極１６は、第２の内部電極１８と対向する第１の対向電極部１６ａ、第１の対向電極部１６ａから積層体１２の第１の側面１２ｅに引き出される第１の引出電極部１６ｂ、第１の対向電極部１６ａから積層体１２の第２の側面１２ｆに引き出される第２の引出電極部１６ｃ、第１の対向電極部１６ａから積層体１２の第１の側面１２ｅに引き出される第３の引出電極部１６ｄ、及び、第１の対向電極部１６ａから積層体１２の第２の側面１２ｆに引き出される第４の引出電極部１６ｅを備える。
図４（ｃ）に示すように、第１の引出電極部１６ｂは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、第２の引出電極部１６ｃは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、第３の引出電極部１６ｄは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、第４の引出電極部１６ｅは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されている。
このように、第１の内部電極１６は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。また、第１の内部電極１６は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
従来の積層セラミックコンデンサと異なり、第１の内部電極１６を積層体１２の第１の端面１２ｃには露出させず、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出させることで、第１の端面１２ｃ側からの水分の浸入を考慮する必要性が低くなる。したがって、第１の端面外部電極２０を薄くすることができるため、高容量化が可能となる。さらに、第１の内部電極１６を積層体１２の第２の端面１２ｄには露出させず、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出させることで、第２の端面外部電極２２も薄くすることができるため、更なる高容量化が可能となる。
図４（ｂ）に示すように、第２の内部電極１８は、略十字形状であり、第１の内部電極１６と対向する第２の対向電極部１８ａ、第２の対向電極部１８ａから積層体１２の第１の側面１２ｅに引き出される第５の引出電極部１８ｂ、及び、第２の対向電極部１８ａから積層体１２の第２の側面１２ｆに引き出される第６の引出電極部１８ｃを備える。
図４（ｃ）に示すように、第５の引出電極部１８ｂは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の側面外部電極２４と接続されており、第６の引出電極部１８ｃは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の側面外部電極２６と接続されている。
このように、第２の内部電極１８は、積層体１２の第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄには露出せず、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の側面外部電極２４と接続されており、かつ、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の側面外部電極２６と接続されている。
第１の内部電極１６と第２の内部電極１８とが、誘電体セラミック材料からなる誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。これにより、積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサとして機能する。
これらの内部電極は、適宜の導電性材料により構成することができる。内部電極は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の１種を含む例えばＡｇ－Ｐｄ合金などの合金を含有している。内部電極は、さらに誘電体層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極の合計の積層枚数は、１０枚以上２０００枚以下であることが好ましい。
内部電極の平均厚みは、０．１μｍ以上２μｍ以下であることが好ましい。
図４（ｃ）に示すように、第２の内部電極１８の第１の端面１２ｃ側の端部は、積層方向（Ｔ方向）から透視したときに、第１の内部電極１６の第１の端面１２ｃ側の端部と重なる位置に配置されていることが好ましい。
この場合、第２の内部電極１８の面積を大きくすることができるため、高い容量を得ることができる。
この場合、第２の内部電極１８の面積を大きくすることができるため、高い容量を得ることができる。
同様に、第２の内部電極１８の第２の端面１２ｄ側の端部は、積層方向（Ｔ方向）から透視したときに、第１の内部電極１６の第２の端面１２ｄ側の端部と重なる位置に配置されていることが好ましい。
このように、第１の内部電極１６と第２の内部電極１８の長さ方向（Ｌ方向）の長さは、等しいことが好ましい。
図３、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、積層体１２は、第１の対向電極部１６ａ及び第２の対向電極部１８ａの幅方向（Ｗ方向）の一端と第１の側面１２ｅとの間、並びに、第１の対向電極部１６ａ及び第２の対向電極部１８ａの幅方向（Ｗ方向）の他端と第２の側面１２ｆとの間に形成される積層体１２の側部（以下、「Ｗギャップ」ともいう。）１４ｃを含む。さらに、図２、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、積層体１２は、第１の対向電極部１６ａ及び第２の対向電極部１８ａの長さ方向（Ｌ方向）の一端と第１の端面１２ｃとの間、並びに、第１の対向電極部１６ａ及び第２の対向電極部１８ａの長さ方向（Ｌ方向）の他端と第２の端面１２ｄとの間に形成される積層体１２の端部（以下、「Ｌギャップ」ともいう。）１４ｄを含む。
Ｗギャップ１４ｃの幅方向（Ｗ方向）の平均長さは、２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以上７０μｍ以下であることがより好ましく、４０μｍ以上５０μｍ以下であることがさらに好ましい。
Ｌギャップ１４ｄの長さ方向（Ｌ方向）の平均長さは、５μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、１５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。
図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、Ｌギャップ及びＷギャップの測定方法を説明するための模式図である。
＜Ｌギャップの測定方法＞
図５（ａ）に示す積層体１２の幅方向（Ｗ方向）１／２の位置の断面Ｂにおいて、図５（ｂ）に示すように、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８が積層されている領域を上部Ｕ、中部Ｍ及び下部Ｄに分ける。上部Ｕで１箇所、中部Ｍで１箇所、下部Ｄで１箇所、Ｌギャップ１４ｄの長さを測定する。Ｌギャップ１４ｄは左右にあるので、計６箇所測定する。これを５つの積層体１２に対して実施し、計３０箇所の平均値を求める。
図５（ａ）に示す積層体１２の幅方向（Ｗ方向）１／２の位置の断面Ｂにおいて、図５（ｂ）に示すように、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８が積層されている領域を上部Ｕ、中部Ｍ及び下部Ｄに分ける。上部Ｕで１箇所、中部Ｍで１箇所、下部Ｄで１箇所、Ｌギャップ１４ｄの長さを測定する。Ｌギャップ１４ｄは左右にあるので、計６箇所測定する。これを５つの積層体１２に対して実施し、計３０箇所の平均値を求める。
＜Ｗギャップの測定方法＞
図５（ａ）に示す積層体１２の長さ方向（Ｌ方向）の第１の引出電極部１６ｂと第５の引出電極部１８ｂの長さ方向（Ｌ方向）中央部の位置の断面Ｃ１と、積層体１２の長さ方向（Ｌ方向）の第３の引出電極部１６ｄと第５の引出電極部１８ｂの長さ方向（Ｌ方向）中央部の位置の断面Ｃ２において、図５（ｃ）に示すように、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８が積層されている領域を上部Ｕ、中部Ｍ及び下部Ｄに分ける。上部Ｕで１箇所、中部Ｍで１箇所、下部Ｄで１箇所、Ｗギャップ１４ｃの長さを測定する。Ｗギャップ１４ｃは左右にあるので、計１２箇所測定する。これを３つの積層体１２に対して実施し、計３６箇所の平均値を求める。
図５（ａ）に示す積層体１２の長さ方向（Ｌ方向）の第１の引出電極部１６ｂと第５の引出電極部１８ｂの長さ方向（Ｌ方向）中央部の位置の断面Ｃ１と、積層体１２の長さ方向（Ｌ方向）の第３の引出電極部１６ｄと第５の引出電極部１８ｂの長さ方向（Ｌ方向）中央部の位置の断面Ｃ２において、図５（ｃ）に示すように、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８が積層されている領域を上部Ｕ、中部Ｍ及び下部Ｄに分ける。上部Ｕで１箇所、中部Ｍで１箇所、下部Ｄで１箇所、Ｗギャップ１４ｃの長さを測定する。Ｗギャップ１４ｃは左右にあるので、計１２箇所測定する。これを３つの積層体１２に対して実施し、計３６箇所の平均値を求める。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第１の内部電極が第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含む。
本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第１の内部電極が第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含む。
図６（ａ）は、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ａの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図６（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ｂの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図６（ｃ）は、本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図６（ｄ）は、図６（ａ）に示す第１Ａの内部電極と図６（ｂ）に示す第１Ｂの内部電極と図６（ｃ）に示す第２の内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図６（ａ）及び図６（ｄ）に示すように、第１Ａの内部電極１６Ａは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。また、第１Ａの内部電極１６Ａは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
図６（ｂ）及び図６（ｄ）に示すように、第１Ｂの内部電極１６Ｂは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。また、第１Ｂの内部電極１６Ｂは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
図６（ｃ）及び図６（ｄ）に示すように、第２の内部電極１８は、積層体１２の第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄには露出せず、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の側面外部電極２４と接続されており、かつ、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の側面外部電極２６と接続されている。
第１Ａの内部電極１６Ａ及び第１Ｂの内部電極１６Ｂのいずれかと第２の内部電極１８とが、誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。
（第３実施形態）
本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第１の内部電極が第１Ａの内部電極、第１Ｂの内部電極、第１Ｃの内部電極及び第１Ｄの内部電極を含み、第２の内部電極が第２Ａの内部電極及び第２Ｂの内部電極を含む。
本発明の第２実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第１の内部電極が第１Ａの内部電極、第１Ｂの内部電極、第１Ｃの内部電極及び第１Ｄの内部電極を含み、第２の内部電極が第２Ａの内部電極及び第２Ｂの内部電極を含む。
図７（ａ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ａの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｂ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ｂの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｃ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ｃの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｄ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ｄの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｅ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２Ａの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｆ）は、本発明の第３実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２Ｂの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図７（ｇ）は、図７（ａ）に示す第１Ａの内部電極と図７（ｂ）に示す第１Ｂの内部電極と図７（ｃ）に示す第１Ｃの内部電極と図７（ｄ）に示す第１Ｄの内部電極と図７（ｅ）に示す第２Ａの内部電極と図７（ｆ）に示す第２Ｂの内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図７（ａ）及び図７（ｇ）に示すように、第１Ａの内部電極１６Ａ´は、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。
図７（ｂ）及び図７（ｇ）に示すように、第１Ｂの内部電極１６Ｂ´は、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。
図７（ｃ）及び図７（ｇ）に示すように、第１Ｃの内部電極１６Ｃ´は、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
図７（ｄ）及び図７（ｇ）に示すように、第１Ｄの内部電極１６Ｄ´は、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
図７（ｅ）及び図７（ｇ）に示すように、第２Ａの内部電極１８Ａは、積層体１２の第２の側面１２ｆ、第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄには露出せず、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の側面外部電極２４と接続されている。
図７（ｆ）及び図７（ｇ）に示すように、第２Ｂの内部電極１８Ｂは、積層体１２の第１の側面１２ｅ、第１の端面１２ｃ及び第２の端面１２ｄには露出せず、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の側面外部電極２６と接続されている。
第１Ａの内部電極１６Ａ´、第１Ｂの内部電極１６Ｂ´、第１Ｃの内部電極１６Ｃ´及び第１Ｄの内部電極１６Ｄ´のいずれかと第２Ａの内部電極１８Ａ及び第２Ｂの内部電極１８Ｂのいずれかとが、誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、２端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極及び第２の外部電極を備える。
本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、２端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極及び第２の外部電極を備える。
図８（ａ）は、本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図８（ｂ）は、本発明の第４実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図８（ｃ）は、図８（ａ）に示す第１の内部電極と図８（ｂ）に示す第２の内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図８（ｃ）に示すように、積層体１２の第１の端面１２ｃには、第１の外部電極の一例である第１の端面外部電極２０が配置される。第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃから延伸して第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されてもよい。また、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
図８（ｃ）に示すように、積層体１２の第２の端面１２ｄには、第２の外部電極の一例である第２の端面外部電極２２が配置される。第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄから延伸して第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されてもよい。また、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
図８（ａ）及び図８（ｃ）に示すように、第１の内部電極１７は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。
図８（ｂ）及び図８（ｃ）に示すように、第２の内部電極１９は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
第１の内部電極１７と第２の内部電極１９とが、誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第４実施形態と同様、積層体の表面に第１の外部電極及び第２の外部電極を備える。第５実施形態では、第１の内部電極が第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含み、第２の内部電極が第２Ａの内部電極及び第２Ｂの内部電極を含む。
本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、第４実施形態と同様、積層体の表面に第１の外部電極及び第２の外部電極を備える。第５実施形態では、第１の内部電極が第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含み、第２の内部電極が第２Ａの内部電極及び第２Ｂの内部電極を含む。
図９（ａ）は、本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ａの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図９（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１Ｂの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図９（ｃ）は、本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２Ａの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図９（ｄ）は、本発明の第５実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２Ｂの内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図９（ｅ）は、図９（ａ）に示す第１Ａの内部電極と図９（ｂ）に示す第１Ｂの内部電極と図９（ｃ）に示す第２Ａの内部電極と図９（ｄ）に示す第２Ｂの内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図９（ａ）及び図９（ｅ）に示すように、第１Ａの内部電極１７Ａは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。
図９（ｂ）及び図９（ｅ）に示すように、第１Ｂの内部電極１７Ｂは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。
図９（ｃ）及び図９（ｅ）に示すように、第２Ａの内部電極１９Ａは、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
図９（ｄ）及び図９（ｅ）に示すように、第２Ｂの内部電極１９Ｂは、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。
第１Ａの内部電極１７Ａ及び第１Ｂの内部電極１７Ｂのいずれかと第２Ａの内部電極１９Ａ及び第２Ｂの内部電極１９Ｂのいずれかとが、誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、多端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極、第２の外部電極、第３の外部電極、第４の外部電極、第５の外部電極及び第６の外部電極を備える。
本発明の第６実施形態に係る積層セラミックコンデンサは、多端子型の積層セラミックコンデンサであり、積層体の表面に第１の外部電極、第２の外部電極、第３の外部電極、第４の外部電極、第５の外部電極及び第６の外部電極を備える。
図１０（ａ）は、本発明の第６実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第１の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第６実施形態に係る積層セラミックコンデンサを構成する第２の内部電極の一例を模式的に示す平面図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）に示す第１の内部電極と図１０（ｂ）に示す第２の内部電極とが積層された積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
図１０（ｃ）に示すように、積層体１２の第１の端面１２ｃには、第１の外部電極の一例である第１の端面外部電極２０が配置される。第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃから延伸して第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されてもよい。また、第１の端面外部電極２０は、積層体１２の第１の端面１２ｃの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
図１０（ｃ）に示すように、積層体１２の第２の端面１２ｄには、第２の外部電極の一例である第２の端面外部電極２２が配置される。第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄから延伸して第１の側面１２ｅの一部及び第２の側面１２ｆの一部を覆うように配置される。なお、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第１の主面１２ａ及び第２の主面１２ｂに配置されてもよい。また、第２の端面外部電極２２は、積層体１２の第２の端面１２ｄの全体を覆うように配置されていることが好ましい。
図１０（ｃ）に示すように、積層体１２の第１の側面１２ｅには、第３の外部電極の一例である第１の側面外部電極２４、及び、第５の外部電極の一例である第３の側面外部電極２７が配置される。第１の側面外部電極２４及び第３の側面外部電極２７は、それぞれ第１の側面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置されてもよい。
図１０（ｃ）に示すように、積層体１２の第２の側面１２ｆには、第４の外部電極の一例である第２の側面外部電極２６、及び、第６の外部電極の一例である第４の側面外部電極２９が配置される。第２の側面外部電極２６及び第４の側面外部電極２９は、それぞれ第２の側面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部及び第２の主面１２ｂの一部を覆うように配置されてもよい。
また、第１の側面外部電極２４が、第１の側面１２ｅから第１の主面１２ａを覆うようにして第２の側面外部電極２６まで延伸し、さらに、第１の側面外部電極２４が、第１の側面１２ｅから第２の主面１２ｂを覆うようにして第２の側面外部電極２６まで延伸することで、第１の側面外部電極２４と第２の側面外部電極２６とが繋がった結果、積層体１２を巻き回すように配置されてもよい。
同様に、第３の側面外部電極２７が、第１の側面１２ｅから第１の主面１２ａを覆うようにして第４の側面外部電極２９まで延伸し、さらに、第３の側面外部電極２７が、第１の側面１２ｅから第２の主面１２ｂを覆うようにして第４の側面外部電極２９まで延伸することで、第３の側面外部電極２７と第４の側面外部電極２９とが繋がった結果、積層体１２を巻き回すように配置されてもよい。
図１０（ａ）及び図１０（ｃ）に示すように、第１の内部電極１７´は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第１の端面外部電極２０と接続されており、かつ、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出していない。また、第１の内部電極１７´は、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出せず、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第１の側面外部電極２４と接続されており、かつ、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第２の側面外部電極２６と接続されている。
図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）に示すように、第２の内部電極１９´は、積層体１２の第１の側面１２ｅ及び第２の側面１２ｆに露出して第２の端面外部電極２２と接続されており、かつ、積層体１２の第２の端面１２ｄには露出していない。また、第２の内部電極１９´は、積層体１２の第１の端面１２ｃには露出せず、積層体１２の第１の側面１２ｅに露出して第３の側面外部電極２７と接続されており、かつ、積層体１２の第２の側面１２ｆに露出して第４の側面外部電極２９と接続されている。
第１の内部電極１７´と第２の内部電極１９´とが、誘電体層１４を介して対向することにより静電容量が形成される。
（その他の実施形態）
本発明の積層セラミックコンデンサは、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
本発明の積層セラミックコンデンサは、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
例えば、第１の内部電極が第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含む場合、第１Ａの内部電極は、積層方向において第１Ｂの内部電極と異なる位置に配置されていてもよいし、積層方向において第１Ｂの内部電極と同じ位置に配置されていてもよい。
第１Ａの内部電極が積層方向において第１Ｂの内部電極と同じ位置に配置されている場合、例えば、図４（ａ）に示す第１の内部電極１６が幅方向（Ｗ方向）１／２の位置で分割された第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極等が挙げられる。
本発明は、上述した３端子型の積層セラミックコンデンサ、２端子型の積層セラミックコンデンサ及び多端子型の積層セラミックコンデンサ以外の積層セラミックコンデンサにも適用することができる。また、本発明の積層セラミックコンデンサは、ビア電極を備える積層セラミックコンデンサ、底面電極を備える積層セラミックコンデンサ等であってもよい。
［積層セラミックコンデンサの製造方法］
以下、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施形態として、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を量産する場合の一例について説明する。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法の一実施形態として、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を量産する場合の一例について説明する。
まず、誘電体層１４となるべきセラミックグリーンシートを準備する。セラミックグリーンシートには、上述した誘電体材料を含むセラミック原料の他、バインダ及び溶剤等が含まれる。セラミックグリーンシートは、例えば、キャリアフィルム上で、ダイコータ、グラビアコータ、マイクログラビアコータ等を用いて成形される。
セラミックグリーンシート上に、例えば、所定のパターンで導電性ペーストを印刷することにより、セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する。導電性ペーストは、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、グラビア印刷法等を用いてセラミックグリーンシート上に塗布される。
図１１は、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートの一例を模式的に示す平面図である。
図１１に示すように、誘電体層１４となるべきセラミックグリーンシート１１０上に、所定のパターンで導電性ペーストが印刷されることによって、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８となるべき内部電極パターン１２０が形成される。
図１１に示すように、誘電体層１４となるべきセラミックグリーンシート１１０上に、所定のパターンで導電性ペーストが印刷されることによって、第１の内部電極１６及び第２の内部電極１８となるべき内部電極パターン１２０が形成される。
内部電極パターン１２０では、第１の内部電極１６となるべき第１の内部電極領域１２１と第２の内部電極１８となるべき第２の内部電極領域１２２とが長さ方向（Ｌ方向）で連結されたものが、幅方向（Ｗ方向）に沿って連なっている。
その後、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その上に、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートをずらしながら所定枚数積層し、その上に、内部電極パターンが形成されていないセラミックグリーンシートを所定枚数積層する積層工程を行う。
図１２は、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層する方法を説明するための平面図である。
図１２に示すように、セラミックグリーンシート１１０に形成された第１の内部電極領域１２１と第２の内部電極領域１２２とが積層方向（Ｔ方向）において対向するように、セラミックグリーンシート１１０を長さ方向（Ｌ方向）にずらしながら積層される。
図１２に示すように、セラミックグリーンシート１１０に形成された第１の内部電極領域１２１と第２の内部電極領域１２２とが積層方向（Ｔ方向）において対向するように、セラミックグリーンシート１１０を長さ方向（Ｌ方向）にずらしながら積層される。
積層工程の結果、積層された複数のセラミックグリーンシートと、セラミックグリーンシート間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された内部電極パターンとを含む、積層シートが得られる。得られた積層シートは、必要に応じて、静水圧プレス等の手段により積層方向にプレスされる。
得られた積層シートを互いに直交する幅方向及び長さ方向に沿って切断することによって、複数のグリーンチップが得られる。
図１３は、積層シートを切断する方法を説明するための平面図である。
図１３に示すように、積層シート１３０を、積層方向（Ｔ方向）に直交する幅方向（Ｗ方向）の切断線Ｌ１に沿って切断するとともに、積層方向（Ｔ方向）及び幅方向（Ｗ方向）に直交する長さ方向（Ｌ方向）の切断線Ｌ２に沿って切断する。これにより、内部電極パターン１２０の第１の内部電極領域１２１と第２の内部電極領域１２２が分割される。
図１３に示すように、積層シート１３０を、積層方向（Ｔ方向）に直交する幅方向（Ｗ方向）の切断線Ｌ１に沿って切断するとともに、積層方向（Ｔ方向）及び幅方向（Ｗ方向）に直交する長さ方向（Ｌ方向）の切断線Ｌ２に沿って切断する。これにより、内部電極パターン１２０の第１の内部電極領域１２１と第２の内部電極領域１２２が分割される。
積層シートの切断は、例えば、ダイシング、押切り、レーザーカット等の方法により行うことができる。
図１４は、グリーンチップの一例を模式的に示す斜視図である。
図１４に示すグリーンチップ１４０は、未焼成の状態にある複数の誘電体層１１４と複数の内部電極１１６及び１１８とをもって構成された積層構造を有している。グリーンチップ１４０の第１の切断端面１１２ｃ及び第２の切断端面１１２ｄは、幅方向（Ｗ方向）の切断線Ｌ１に沿う切断によって現れた面であり、第１の切断側面１１２ｅ及び第２の切断側面１１２ｆは長さ方向（Ｌ方向）の切断線Ｌ２の切断によって現れた面である。第１の切断端面１１２ｃには、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が露出している。図示されていないが、第２の切断端面１１２ｄにも、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が露出している。また、第２の切断側面１１２ｆには、同層の第１の内部電極１１６が２箇所で露出し、さらに、第２の内部電極１１８が露出している。図示されていないが、第１の切断側面１１２ｅにも、同層の第１の内部電極１１６が２箇所で露出し、さらに、第２の内部電極１１８が露出している。
図１４に示すグリーンチップ１４０は、未焼成の状態にある複数の誘電体層１１４と複数の内部電極１１６及び１１８とをもって構成された積層構造を有している。グリーンチップ１４０の第１の切断端面１１２ｃ及び第２の切断端面１１２ｄは、幅方向（Ｗ方向）の切断線Ｌ１に沿う切断によって現れた面であり、第１の切断側面１１２ｅ及び第２の切断側面１１２ｆは長さ方向（Ｌ方向）の切断線Ｌ２の切断によって現れた面である。第１の切断端面１１２ｃには、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が露出している。図示されていないが、第２の切断端面１１２ｄにも、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が露出している。また、第２の切断側面１１２ｆには、同層の第１の内部電極１１６が２箇所で露出し、さらに、第２の内部電極１１８が露出している。図示されていないが、第１の切断側面１１２ｅにも、同層の第１の内部電極１１６が２箇所で露出し、さらに、第２の内部電極１１８が露出している。
続いて、第１の切断端面に第１の絶縁層を形成し、第２の切断端面に第２の絶縁層を形成する。
図１５（ａ）及び図１５（ｂ）は、切断端面に絶縁層を形成する工程を説明するための模式図である。
図１５（ａ）に示すように、例えば、グリーンチップ１４０の第１の切断端面１１２ｃ及び第２の切断端面１１２ｄに絶縁シート１４１を貼り付けることによって、絶縁層を形成することができる。これにより、図１５（ｂ）に示すように、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が、第１の切断側面１１２ｅ及び第２の切断側面１１２ｆにのみ露出する未焼成の積層体１５０が得られる。
図１５（ａ）に示すように、例えば、グリーンチップ１４０の第１の切断端面１１２ｃ及び第２の切断端面１１２ｄに絶縁シート１４１を貼り付けることによって、絶縁層を形成することができる。これにより、図１５（ｂ）に示すように、第１の内部電極１１６及び第２の内部電極１１８が、第１の切断側面１１２ｅ及び第２の切断側面１１２ｆにのみ露出する未焼成の積層体１５０が得られる。
第１の絶縁層等の絶縁層は、絶縁シートを貼り付けることにより形成することが好ましい。この場合、厚みの均一性の高い絶縁層を形成することができる。なお、絶縁シートを貼り付ける前に、切断端面に接着剤を塗布しておいてもよい。この接着剤は、後の焼成工程において焼失することで除去される。
また、第１の絶縁層等の絶縁層は、絶縁ペーストを塗布し、乾燥させることにより形成してもよい。
絶縁シート又は絶縁ペーストには、積層シートを作製するためのセラミックグリーンシートと同じセラミック原料が主成分として含有されていることが好ましい。
なお、未焼成の積層体に、バレル研磨等を適宜施し、角部や稜線部に丸みを付けておくことが好ましい。
次に、未焼成の積層体１５０を焼成することにより、図１、図２及び図３に示した積層体１２が得られる。
焼成温度は、用いたセラミック材料や導電性材料に応じて適宜設定することができ、例えば、９００℃以上１３００℃以下程度である。セラミックグリーンシートと内部電極用の導電性ペーストとは、同時に焼成される。
その後、積層体１２の第１の端面１２ｃに導電性ペーストが塗布・焼き付けられて、第１の端面外部電極２０の下地電極層２８が形成され、第２の端面１２ｄに導電性ペーストが塗布・焼き付けられて、第２の端面外部電極２２の下地電極層３２が形成される。また、積層体１２の第１の側面１２ｅに導電性ペーストが塗布・焼き付けられて、第１の側面外部電極２４の下地電極層３６が形成され、第２の側面１２ｆに導電性ペーストが塗布・焼き付けられて、第２の側面外部電極２６の下地電極層４０が形成される。焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。
次に、第１の端面外部電極２０の下地電極層２８の表面にめっき層３０が形成され、第２の端面外部電極２２の下地電極層３２の表面にめっき層３４が形成される。また、第１の側面外部電極２４の下地電極層３６の表面にめっき層３８が形成され、第２の側面外部電極２６の下地電極層４０の表面にめっき層４２が形成される。
以上のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
上述した実施形態では、積層シート１３０を切断線Ｌ１及びＬ２に沿って切断して複数のグリーンチップを得てから、グリーンチップの両端面に絶縁層を形成したが、積層シートを切断する順序、及び、絶縁層を形成する順序は特に限定されない。
例えば、積層シート１３０を切断線Ｌ１のみに沿って切断することによって、切断端面に第１の内部電極及び第２の内部電極が露出した、複数の棒状のグリーンブロック体を得てから、グリーンブロック体の両端面に絶縁層を形成した後、切断線Ｌ２に沿って切断して複数の未焼成の積層体を得て、その後、未焼成の積層体を焼成してもよい。焼成後は、上述の実施形態と同様に外部電極を形成することによって、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０を製造することができる。
また、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０以外の積層セラミックコンデンサを製造する場合には、積層シートを切断することにより露出させる第１の内部電極及び第２の内部電極の位置や数、外部電極を形成する位置や数を適宜変更することによって製造することができる。
以下、本発明の積層セラミックコンデンサをより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
以下の構成を有する実施例１、比較例１及び比較例２の積層セラミックコンデンサを作製した。
図１６（ａ）は、実施例１の積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図であり、図１６（ｂ）は、比較例１及び比較例２の積層セラミックコンデンサを積層方向から見た透視図である。
・端面外部電極折返し部の寸法（図１６（ａ）中、ｅ１で示す長さ）：２００μｍ
・側面外部電極の幅（図１６（ａ）中、ｅ２で示す長さ）：３００μｍ
・外観寸法（Ｌ×Ｗ×Ｔ）
実施例１及び比較例１：１．１３ｍｍ×０．６３ｍｍ×０．６３ｍｍ
比較例２：１．１２ｍｍ×０．６３ｍｍ×０．６３ｍｍ
・積層体寸法（Ｌ×Ｗ×Ｔ）
実施例１：１．０７ｍｍ×０．５６ｍｍ×０．６０ｍｍ
比較例１及び比較例２：１．０６ｍｍ×０．５６ｍｍ×０．６０ｍｍ
・誘電体層の主成分：チタン酸バリウム
・誘電体層の平均厚み：０．５９μｍ
・内部電極の主成分：Ｎｉ
・内部電極の平均厚み：０．５μｍ
・内部電極の積層枚数：５３３枚
・側面への引出電極部の幅：１１０μｍ
・Ｗギャップ：４０μｍ
・焼成条件：トップ温度１２００℃で還元雰囲気焼成
・外部電極：下地電極層（焼付け層）とめっき層とを含む構造
・下地電極層：Ｃｕ焼付け電極（８００℃焼付け）
・めっき層：Ｎｉめっき後にＳｎめっきの２層構造
・側面外部電極の幅（図１６（ａ）中、ｅ２で示す長さ）：３００μｍ
・外観寸法（Ｌ×Ｗ×Ｔ）
実施例１及び比較例１：１．１３ｍｍ×０．６３ｍｍ×０．６３ｍｍ
比較例２：１．１２ｍｍ×０．６３ｍｍ×０．６３ｍｍ
・積層体寸法（Ｌ×Ｗ×Ｔ）
実施例１：１．０７ｍｍ×０．５６ｍｍ×０．６０ｍｍ
比較例１及び比較例２：１．０６ｍｍ×０．５６ｍｍ×０．６０ｍｍ
・誘電体層の主成分：チタン酸バリウム
・誘電体層の平均厚み：０．５９μｍ
・内部電極の主成分：Ｎｉ
・内部電極の平均厚み：０．５μｍ
・内部電極の積層枚数：５３３枚
・側面への引出電極部の幅：１１０μｍ
・Ｗギャップ：４０μｍ
・焼成条件：トップ温度１２００℃で還元雰囲気焼成
・外部電極：下地電極層（焼付け層）とめっき層とを含む構造
・下地電極層：Ｃｕ焼付け電極（８００℃焼付け）
・めっき層：Ｎｉめっき後にＳｎめっきの２層構造
（外部電極の形成方法）
積層体の第１の側面３箇所、第２の側面３箇所に外部電極ペーストをローラー塗布した後、乾燥させる。
その後、外部電極ペーストを用いて積層体の一方の端面に１回目のディップ塗布を行う。このとき、第１の側面及び第２の側面上と同時に、第１の主面及び第２の主面上の外部電極折返し部も形成される。なお、１回目のディップ塗布では、外部電極ペーストの乾燥は行わない。
外部電極の厚み調整用に２回目のディップ塗布を行い、外部電極ペーストを乾燥させる。このとき、１回目で塗布された端面上の外部電極ペーストがかき取られ、厚みが調整される。
積層体の他方の端面に対しても同様に、１回目及び２回目のディップ塗布を行う。
外部電極ペーストを焼付けた後、めっき層を形成する。
積層体の第１の側面３箇所、第２の側面３箇所に外部電極ペーストをローラー塗布した後、乾燥させる。
その後、外部電極ペーストを用いて積層体の一方の端面に１回目のディップ塗布を行う。このとき、第１の側面及び第２の側面上と同時に、第１の主面及び第２の主面上の外部電極折返し部も形成される。なお、１回目のディップ塗布では、外部電極ペーストの乾燥は行わない。
外部電極の厚み調整用に２回目のディップ塗布を行い、外部電極ペーストを乾燥させる。このとき、１回目で塗布された端面上の外部電極ペーストがかき取られ、厚みが調整される。
積層体の他方の端面に対しても同様に、１回目及び２回目のディップ塗布を行う。
外部電極ペーストを焼付けた後、めっき層を形成する。
また、以下の方法により外部電極を形成してもよい。
第１及び第２の側面外部電極を形成するため、積層体の第１の側面１箇所、第２の側面１箇所に外部電極ペーストをローラー塗布した後、乾燥させる。
その後、外部電極ペーストを用いて積層体の一方の端面に１回目のディップ塗布を行う。このとき、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面上の外部電極折返し部も同時に形成される。なお、１回目のディップ塗布では、外部電極ペーストの乾燥は行わない。
外部電極の厚み調整用に２回目のディップ塗布を行い、外部電極ペーストを乾燥させる。このとき、１回目で塗布された端面上の外部電極ペーストがかき取られ、厚みが調整される。
積層体の他方の端面に対しても同様に、１回目及び２回目のディップ塗布を行う。
外部電極ペーストを焼付けた後、めっき層を形成する。
第１及び第２の側面外部電極を形成するため、積層体の第１の側面１箇所、第２の側面１箇所に外部電極ペーストをローラー塗布した後、乾燥させる。
その後、外部電極ペーストを用いて積層体の一方の端面に１回目のディップ塗布を行う。このとき、第１及び第２の主面、第１及び第２の側面上の外部電極折返し部も同時に形成される。なお、１回目のディップ塗布では、外部電極ペーストの乾燥は行わない。
外部電極の厚み調整用に２回目のディップ塗布を行い、外部電極ペーストを乾燥させる。このとき、１回目で塗布された端面上の外部電極ペーストがかき取られ、厚みが調整される。
積層体の他方の端面に対しても同様に、１回目及び２回目のディップ塗布を行う。
外部電極ペーストを焼付けた後、めっき層を形成する。
実施例１の構造では、２つの引出電極部が１つの端面外部電極にまとめられているため、実装基板上の配線パターンを単純化することができる。また、実施例１では、外観形状を従来構造品である比較例１とほぼ同じにすることができる。そのため、従来構造品にて用いられていた実装基板上の配線パターンをほとんど変更することなく使用することができる。
表１に、Ｃｕ焼付け電極の長さ方向（Ｌ方向）の厚み、及び、積層体のＬギャップを示す。
実施例１では、上述した製造方法にしたがって、絶縁シートである誘電体シートを貼り付けて端面部を形成することにより、Ｌギャップを狭くした。実施例１及び比較例２では、端面外部電極のＣｕ焼付け電極の長さ方向の厚みを比較例１より薄くした。
実施例１では、上述した製造方法にしたがって、絶縁シートである誘電体シートを貼り付けて端面部を形成することにより、Ｌギャップを狭くした。実施例１及び比較例２では、端面外部電極のＣｕ焼付け電極の長さ方向の厚みを比較例１より薄くした。
各構造につき、サンプル２０個に対する静電容量の平均値、及び、サンプル５個に対する等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）の平均値を測定した。実施例１及び比較例１の結果を表２に示す。
実施例１では、Ｃｕ焼付け電極の長さ方向の厚み、及び、積層体のＬギャップを比較例１よりも小さくすることによって、有効面積を大きくすることができ、高い静電容量を得ることができた。
また、第１の内部電極（スルー電極）と第２の内部電極（グランド電極）の距離が近接することによって、ループインダクタンスが低減したと推定されるが、実施例１では比較例１よりも低いＥＳＬを得ることができた。
また、第１の内部電極（スルー電極）と第２の内部電極（グランド電極）の距離が近接することによって、ループインダクタンスが低減したと推定されるが、実施例１では比較例１よりも低いＥＳＬを得ることができた。
各構造につき、サンプル７２個を用いて耐湿負荷試験を実施した。
耐湿負荷試験は、温度８５℃、湿度８５％、印加電圧４Ｖの条件で行い、１０００時間経過後の絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定した。ＬｏｇＩＲ≦６となるものを故障と判定した。
電圧の引加は、第１の内部電極（スルー電極）を正極とした場合（正印加）と第２の内部電極（グランド電極）を正極とした場合（逆印加）の２方向で３６個ずつ、計７２個の試験を実施した。故障の発生数を表３に示す。
耐湿負荷試験は、温度８５℃、湿度８５％、印加電圧４Ｖの条件で行い、１０００時間経過後の絶縁抵抗ＩＲ（Ω）を測定した。ＬｏｇＩＲ≦６となるものを故障と判定した。
電圧の引加は、第１の内部電極（スルー電極）を正極とした場合（正印加）と第２の内部電極（グランド電極）を正極とした場合（逆印加）の２方向で３６個ずつ、計７２個の試験を実施した。故障の発生数を表３に示す。
実施例１では、第１及び第２の引出電極部を側面に露出させることで、端面外部電極を薄くしても水分の浸入が抑制されるため、故障の発生はなく、比較例１と同等以上の耐湿負荷信頼性を確保していると推定される。
一方、比較例２では、端面外部電極が薄くなったことで、第１の内部電極（スルー電極）に到達する水分量が増加し、耐湿負荷信頼性が劣化したと推定される。
一方、比較例２では、端面外部電極が薄くなったことで、第１の内部電極（スルー電極）に到達する水分量が増加し、耐湿負荷信頼性が劣化したと推定される。
１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の端面
１２ｄ 第２の端面
１２ｅ 第１の側面
１２ｆ 第２の側面
１４ 誘電体層
１４ａ 外層部
１４ｂ 内層部
１４ｃ 側部（Ｗギャップ）
１４ｄ 端部（Ｌギャップ）
１６，１７，１７´，１１６ 第１の内部電極
１６Ａ，１６Ａ´，１７Ａ 第１Ａの内部電極
１６Ｂ，１６Ｂ´，１７Ｂ 第１Ｂの内部電極
１６Ｃ´ 第１Ｃの内部電極
１６Ｄ´ 第１Ｄの内部電極
１６ａ 第１の対向電極部
１６ｂ 第１の引出電極部
１６ｃ 第２の引出電極部
１６ｄ 第３の引出電極部
１６ｅ 第４の引出電極部
１８，１９，１９´，１１８ 第２の内部電極
１８Ａ，１９Ａ 第２Ａの内部電極
１８Ｂ，１９Ｂ 第２Ｂの内部電極
１８ａ 第２の対向電極部
１８ｂ 第５の引出電極部
１８ｃ 第６の引出電極部
２０ 第１の端面外部電極
２２ 第２の端面外部電極
２４ 第１の側面外部電極
２６ 第２の側面外部電極
２７ 第３の側面外部電極
２９ 第４の側面外部電極
２８，３２，３６，４０ 下地電極層
３０，３４，３８，４２ めっき層
１１０ セラミックグリーンシート
１１２ｃ 第１の切断端面
１１２ｄ 第２の切断端面
１１２ｅ 第１の切断側面
１１２ｆ 第２の切断側面
１１４ 未焼成の誘電体層
１１６ 未焼成の第１の内部電極
１１８ 未焼成の第２の内部電極
１２０ 内部電極パターン
１２１ 第１の内部電極領域
１２２ 第２の内部電極領域
１３０ 積層シート
１４０ グリーンチップ
１４１ 絶縁シート
１５０ 未焼成の積層体
Ｌ１，Ｌ２ 切断線
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の端面
１２ｄ 第２の端面
１２ｅ 第１の側面
１２ｆ 第２の側面
１４ 誘電体層
１４ａ 外層部
１４ｂ 内層部
１４ｃ 側部（Ｗギャップ）
１４ｄ 端部（Ｌギャップ）
１６，１７，１７´，１１６ 第１の内部電極
１６Ａ，１６Ａ´，１７Ａ 第１Ａの内部電極
１６Ｂ，１６Ｂ´，１７Ｂ 第１Ｂの内部電極
１６Ｃ´ 第１Ｃの内部電極
１６Ｄ´ 第１Ｄの内部電極
１６ａ 第１の対向電極部
１６ｂ 第１の引出電極部
１６ｃ 第２の引出電極部
１６ｄ 第３の引出電極部
１６ｅ 第４の引出電極部
１８，１９，１９´，１１８ 第２の内部電極
１８Ａ，１９Ａ 第２Ａの内部電極
１８Ｂ，１９Ｂ 第２Ｂの内部電極
１８ａ 第２の対向電極部
１８ｂ 第５の引出電極部
１８ｃ 第６の引出電極部
２０ 第１の端面外部電極
２２ 第２の端面外部電極
２４ 第１の側面外部電極
２６ 第２の側面外部電極
２７ 第３の側面外部電極
２９ 第４の側面外部電極
２８，３２，３６，４０ 下地電極層
３０，３４，３８，４２ めっき層
１１０ セラミックグリーンシート
１１２ｃ 第１の切断端面
１１２ｄ 第２の切断端面
１１２ｅ 第１の切断側面
１１２ｆ 第２の切断側面
１１４ 未焼成の誘電体層
１１６ 未焼成の第１の内部電極
１１８ 未焼成の第２の内部電極
１２０ 内部電極パターン
１２１ 第１の内部電極領域
１２２ 第２の内部電極領域
１３０ 積層シート
１４０ グリーンチップ
１４１ 絶縁シート
１５０ 未焼成の積層体
Ｌ１，Ｌ２ 切断線
Claims (12)
- 交互に積層された複数の誘電体層及び複数の内部電極を含み、積層方向に相対する第１の主面及び第２の主面と、前記積層方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面及び第２の端面と、前記積層方向及び前記長さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面及び第２の側面とを有する積層体と、
前記積層体の表面に設けられた第１の外部電極及び第２の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサであって、
前記第１の外部電極は、前記積層体の前記第１の端面に設けられ、かつ、前記積層体の前記第１の端面から延伸して前記第１の側面の一部及び前記第２の側面の一部を覆うように設けられ、
前記複数の内部電極は、前記第１の外部電極と接続された第１の内部電極と、前記第１の内部電極と前記積層方向において対向し、前記第２の外部電極と接続された第２の内部電極とを含み、
前記第１の内部電極は、前記積層体の前記第１の側面及び前記第２の側面に露出して前記第１の外部電極と接続されており、かつ、前記積層体の前記第１の端面には露出しておらず、
前記第２の内部電極の前記第１の端面側の端部は、前記積層方向から透視したときに、前記第１の内部電極の前記第１の端面側の端部と連続して重なる位置に配置されている、積層セラミックコンデンサ。 - 前記第２の内部電極の前記第２の端面側の端部は、前記積層方向から透視したときに、前記第１の内部電極の前記第２の端面側の端部と連続して重なる位置に配置されている、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記第１の外部電極は、前記積層体の前記第１の端面の全体を覆うように設けられている、請求項１又は２に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記積層体の表面に設けられた第３の外部電極及び第４の外部電極をさらに備え、
前記第３の外部電極は、前記積層体の前記第２の端面に設けられ、かつ、前記積層体の前記第２の端面から延伸して前記第１の側面の一部及び前記第２の側面の一部を覆うように設けられ、
前記第１の内部電極は、前記積層体の前記第１の側面及び前記第２の側面に露出して前記第３の外部電極と接続されており、かつ、前記積層体の前記第２の端面には露出しておらず、
前記第２の内部電極は、前記積層体の前記第１の側面に露出して前記第２の外部電極と接続されており、かつ、前記積層体の前記第２の側面に露出して前記第４の外部電極と接続されている、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記第１の内部電極は、第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含み、
前記第１Ａの内部電極は、前記積層体の前記第１の側面に露出して前記第１の外部電極と接続されており、かつ、前記積層体の前記第１の端面には露出しておらず、
前記第１Ｂの内部電極は、前記積層体の前記第２の側面に露出して前記第１の外部電極と接続されており、かつ、前記積層体の前記第１の端面には露出していない、請求項１～４のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記第１Ａの内部電極は、前記積層方向において前記第１Ｂの内部電極と異なる位置に配置されている、請求項５に記載の積層セラミックコンデンサ。
- 積層された複数のセラミックグリーンシートと、前記セラミックグリーンシート間の複数の界面に沿ってそれぞれ配置された内部電極パターンとを含む、積層シートを作製する工程と、
積層方向に直交する幅方向に沿って前記積層シートを切断することによって、前記幅方向に沿う切断によって現れた第１の切断端面及び第２の切断端面のうち、前記第１の切断端面に第１の内部電極及び第２の内部電極を露出させる工程と、
前記積層方向及び前記幅方向に直交する長さ方向に沿って前記積層シートを切断することによって、前記長さ方向に沿う切断によって現れた第１の切断側面及び第２の切断側面にそれぞれ前記第１の内部電極を露出させる工程と、を備え、
前記幅方向に沿って前記積層シートを切断する工程、及び、前記長さ方向に沿って前記積層シートを切断する工程により、前記第２の切断端面、前記第１の切断側面及び前記第２の切断側面のうち、いずれかの切断面に前記第２の内部電極を露出させ、
さらに、
前記第１の切断端面に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の切断側面における前記第１の内部電極の露出部、前記第１の絶縁層の表面、及び、前記第２の切断側面における前記第１の内部電極の露出部に跨るように第１の外部電極を形成する工程と、
前記第２の内部電極の露出部に第２の外部電極を形成する工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記幅方向に沿って前記積層シートを切断する工程では、前記第１の切断端面に前記第１の内部電極を露出させ、前記第２の切断端面に前記第１の内部電極を露出させ、
前記長さ方向に沿って前記積層シートを切断する工程では、前記第１の切断側面に前記第１の内部電極を２箇所で露出させ、前記第２の切断側面に前記第１の内部電極を２箇所で露出させ、
前記幅方向に沿って前記積層シートを切断する工程、及び、前記長さ方向に沿って前記積層シートを切断する工程により、前記第２の切断端面、前記第１の切断側面及び前記第２の切断側面のうち、異なる２箇所の切断面に前記第２の内部電極を露出させ、
さらに、
前記第２の切断端面に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の外部電極が形成されない前記第１の切断側面における前記第１の内部電極の露出部、前記第２の絶縁層の表面、及び、前記第１の外部電極が形成されない前記第２の切断側面における前記第１の内部電極の露出部に跨るように第３の外部電極を形成する工程と、
前記第２の外部電極が形成されない前記第２の内部電極の露出部に第４の外部電極を形成する工程と、を備える、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記幅方向に沿って前記積層シートを切断する工程では、前記第２の切断端面に前記第１の内部電極及び前記第２の内部電極を露出させる、請求項７又は８に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記第１の絶縁層及び／又は前記第２の絶縁層は、絶縁シートを貼り付けることにより形成される、請求項７～９のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
- 前記第１の内部電極は、第１Ａの内部電極及び第１Ｂの内部電極を含み、
前記幅方向に沿って前記積層シートを切断する工程では、前記第１の切断端面に前記第１Ａの内部電極及び前記第１Ｂの内部電極を露出させ、
前記長さ方向に沿って前記積層シートを切断する工程では、前記第１の切断側面に前記第１Ａの内部電極を露出させ、前記第２の切断側面に前記第１Ｂの内部電極を露出させ、
前記第１の外部電極を形成する工程では、前記第１の切断側面における前記第１Ａの内部電極の露出部、前記第１の絶縁層の表面、及び、前記第２の切断側面における前記第１Ｂの内部電極の露出部に跨るように前記第１の外部電極を形成する、請求項７～１０のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 前記第１Ａの内部電極は、前記積層方向において前記第１Ｂの内部電極と異なる位置に配置される、請求項１１に記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
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