JP2020167376A - 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 Ｃｕめっき層９の縁部と容量素子１の表面との間を経由した水分の浸入を抑制した積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】 積層されたセラミック層１ａと内部電極２、３とを有する容量素子１と、容量素子１の表面に形成された外部電極４〜７と、を備え、外部電極４〜７は、容量素子１の表面に形成された下地電極層８と、下地電極層８の表面に形成され、縁部が容量素子の表面に対向するＣｕめっき電極層９と、を有し、Ｃｕめっき電極層９の縁部と、容量素子１の表面との間に、Ｓｎが存在するものとする。Ｃｕめっき電極層９の表面に、縁部が容量素子の表面に対向する少なくとも１層の第２めっき電極層（Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１）を形成することが好ましい。【選択図】 図２

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、更に詳しくは、耐湿性の向上をはかった積層セラミックコンデンサに関する。

また、本発明は、本発明の積層セラミックコンデンサを製造するのに適した積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。

一般的な積層セラミックコンデンサは、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層された容量素子を備え、容量素子の表面に外部電極が形成されている。内部電極は、容量素子の端面や側面に引出されて、外部電極と接続されている。

外部電極は、たとえば、導電性ペーストを塗布し、焼成して形成された下地電極層と、下地電極層の表面に形成されためっき電極層とで構成される。めっき電極層は、必要に応じて、複数の層で構成される場合がある。

たとえば、特許文献１（特開２０１７-１６８４８８号公報）には、Ｎｉを主成分とする下地電極層と、下地電極層の表面に形成されたＣｕめっき電極層と、Ｃｕめっき電極層の表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の表面に形成されたＳｎめっき電極層とで構成された外部電極を備えた積層セラミックコンデンサが開示されている。

特開２０１７-１６８４８８号公報

特許文献１に開示された積層セラミックコンデンサにおいて、外部電極のＣｕめっき層は、耐湿性が高く、外部から外部電極の内側に水分が浸入するのを抑制する機能を果たしている。

しかしながら、Ｃｕめっき層は下地電極層の表面にめっき成長によって形成されたものであり、通常、Ｃｕめっき層の縁部は容量素子の表面に接しているが、Ｃｕめっき層の縁部と容量素子の表面とが強固に接合されているわけではない。

そのため、Ｃｕめっき層の厚さが小さい場合などには、Ｃｕめっき層の縁部と容量素子の表面との隙間を経由して、外部から外部電極の内側に水分が浸入し、更に下地外部電極と容量素子の表面との隙間などを経由して水分が内部電極に到達し、積層セラミックコンデンサの特性が劣化してしまう場合があった。

たとえば、Ｓｎめっき電極層を形成する際のめっき液には界面活性剤が混合される場合があり、そのめっき液（水分）が、Ｃｕめっき層の縁部と容量素子の表面との隙間を経由して外部電極の内側に侵入し、積層セラミックコンデンサの特性が劣化してしまう場合があった。あるいは、積層セラミックコンデンサが完成した後に、大気中の水分が、Ｃｕめっき層の縁部と容量素子の表面との隙間を経由して外部電極の内側に侵入し、積層セラミックコンデンサの特性が劣化してしまう場合があった。

本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、積層された複数のセラミック層と複数の内部電極とを有し、高さ方向において相互に対向する１対の主面と、高さ方向に直交する長さ方向において相互に対向する１対の端面と、高さ方向および長さ方向に直交する幅方向において相互に対向する１対の側面とを有する容量素子と、容量素子の表面に形成された少なくとも２つの外部電極と、を備え、内部電極は、端面および／または側面において容量素子の表面に引出されて、外部電極に接続され、外部電極は、容量素子の表面に形成された下地電極層と、下地電極層の表面に形成され、縁部が容量素子の表面に対向するＣｕめっき電極層と、を有し、Ｃｕめっき電極層の縁部と、容量素子の表面との間に、Ｓｎが存在するものとする。

また、本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、複数のセラミックグリーンシートのうちの特定のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、未焼成容量素子を作製する工程と、未焼成容量素子を焼成し、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層された容量素子を作製する工程と、容量素子の表面に、下地電極層を形成する工程と、下地電極層の表面に、縁部が容量素子の表面に対向する、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、容量素子を、Ｓｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも、Ｃｕめっき電極層の縁部と、容量素子の表面との間に、Ｓｎを含浸させる工程と、Ｃｕめっき電極層の表面に、縁部が容量素子の表面に対向する、少なくとも１層の第２めっき電極層を形成する工程と、を備えたものとする。

本発明の積層セラミックコンデンサは、Ｃｕめっき電極層の縁部と容量素子の表面との間にＳｎを存在させているため、Ｃｕめっき層の縁部と容量素子の表面との間を経由した水分の浸入が抑制されている。

また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法によれば、本発明の積層セラミックコンデンサを容易に製造することができる。

第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。 積層セラミックコンデンサ１００の断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図６（Ｃ）、（Ｄ）は、図５（Ｂ）の続きであり、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 図７（Ｅ）、（Ｆ）は、図６（Ｄ）の続きであり、それぞれ、積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例において実施される工程を示す断面図である。 第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。 積層セラミックコンデンサ２００の断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１〜図４に、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を示す。ただし、図１は、積層セラミックコンデンサ１００の斜視図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の断面図であり、図１に一点鎖線矢印で示したＸ-Ｘ部分を示している。図３は、積層セラミックコンデンサ１００の要部断面図である。図４は、積層セラミックコンデンサ１００の分解斜視図である。なお、図中に積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔ、長さ方向Ｌ、幅方向Ｗを示しており、以下の説明において、これらの方向に言及する場合がある。なお、本実施形態においては、後述するセラミック層１ａの積層方向を、積層セラミックコンデンサ１００の高さ方向Ｔと定義している。

積層セラミックコンデンサ１００は、直方体形状からなる容量素子１を備えている。容量素子１は、高さ方向Ｔにおいて相互に対向する１対の主面１Ａ、１Ｂと、高さ方向Ｔに直行する長さ方向Ｌにおいて相互に対向する１対の端面１Ｃ、１Ｄと、高さ方向Ｔおよび長さ方向Ｌの両方に直行する幅方向Ｗにおいて相互に対向する１対の側面１Ｅ、１Ｆを有している。

積層セラミックコンデンサ１００の寸法は任意である。ただし、高さ方向Ｔの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ程度とすることができる。長さ方向Ｌの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜３．２ｍｍ程度とすることができる。幅方向Ｗの寸法は、たとえば、０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ程度とすることができる。

容量素子１は、複数のセラミック層１ａと複数の内部電極２、３が積層されたものからなる。なお、内部電極２が第１内部電極、内部電極３が第２内部電極に該当する。

容量素子１（セラミック層１ａ）の材質は任意であるが、たとえば、ＢａＴｉＯ_３を主成分とする誘電体セラミックスを使用することができる。ただし、ＢａＴｉＯ_３に代えて、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３など、他の材質を主成分とする誘電体セラミックスを使用してもよい。

セラミック層１ａの厚さは任意であるが、たとえば、内部電極２、３が形成された容量形成の実効領域において、０．３μｍ〜２．０μｍ程度とすることができる。

セラミック層１ａの層数は任意であるが、たとえば、内部電極２、３が形成された容量形成の実効領域において、１層〜６０００層とすることができる。

容量素子１の上下両側に、内部電極２、３が形成されず、セラミック層１ａのみで構成された外層（保護層）が設けられている。外層の厚さは任意であるが、たとえば、１５μｍ〜１５０μｍとすることができる。なお、外層領域のセラミック層１ａの厚さは、内部電極２、３が形成されている容量形成の実効領域のセラミック層１ａの厚さよりも大きくしてもよい（ただし、図２、図３においては、外層領域と実効領域とにおいてセラミック層１ａの厚さを同じ厚さに示している）。また、外層領域のセラミック層１ａの材質は、実効領域のセラミック層１ａの材質と異なっていてもよい。

図４の分解斜視図は、容量素子１の高さ方向Ｔにおける中央付近を、セラミック層１ａごとに分解して示したものである。図４から分かるように、内部電極２は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の両方の端面１Ｃ、１Ｄに引出されている。内部電極３は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌに伸び、容量素子１の両方の側面１Ｅ、１Ｆに引出されている。なお、内部電極２と内部電極３は、原則として交互に積層されている。

内部電極２、３の主成分の材質は任意であるが、本実施形態においては、Ｎｉを使用した。ただし、Ｎｉに代えて、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなど、他の金属を使用してもよい。また、ＮｉやＣｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどは、他の金属との合金であってもよい。

内部電極２、３の厚さは任意であるが、たとえば、０．３μｍ〜１．５μｍ程度とすることができる。

内部電極２、３と、容量素子１の側面１Ｅ、１Ｆとの間のギャップ寸法は任意であるが、たとえば、１０μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。また、内部電極３と、容量素子１の端面１Ｃ、１Ｄとの間のギャップ寸法は任意であるが、たとえば、０．５μｍ〜３００μｍ程度とすることができる。

容量素子１の表面に、外部電極４、５、６、７が形成されている。

外部電極４は、容量素子１の端面１Ｃに形成されている。外部電極４は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｃから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。

外部電極５は、容量素子１の端面１Ｄに形成されている。外部電極５は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｄから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。

外部電極６は、容量素子１の側面１Ｅに形成されている。外部電極６は、Ｃ字形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の側面１Ｅから、主面１Ａ、１Ｂに延出して形成されている。

外部電極７は、容量素子１の側面１Ｆに形成されている。外部電極７は、Ｃ字形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の側面１Ｆから、主面１Ａ、１Ｂに延出して形成されている。

積層セラミックコンデンサ１００においては、容量素子１の端面１Ｃに引出された内部電極２が、外部電極４に接続されている。容量素子１の端面１Ｄに引出された内部電極２が、外部電極５に接続されている。容量素子１の側面１Ｅに引出された内部電極３が、外部電極６に接続されている。容量素子１の側面１Ｆに引出された内部電極３が、外部電極７に接続されている。

内部電極２が外部電極４、５に接続され、内部電極３が外部電極６、７に接続された積層セラミックコンデンサ１００は、３端子型コンデンサとして使用することができる。すなわち、積層セラミックコンデンサ１００は、回路において電源ラインまたは信号ラインを途中で分断し、分断した一方に外部電極４を接続し、分断した他方に外部電極５を接続し、かつ、外部電極６、７をグランドに接続することによって、３端子型コンデンサとして使用することができる。この場合、内部電極２がスルー電極になり、内部電極３がグランド電極になる。

外部電極４〜７は、いずれも、同一の多層構造を有している。具体的には、外部電極４〜７は、図２、図３に示すように、それぞれ、容量素子１の表面に形成された下地電極層８と、下地電極層８の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＣｕめっき電極層９と、Ｃｕめっき電極層９の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＮｉめっき電極層１０と、Ｎｉめっき電極層１０の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＳｎめっき電極層１１とを有している。

下地電極層８は、外部電極４〜７のベースとなる部分である。Ｃｕめっき電極層９は、主に耐湿性を向上させる機能を果たしている。Ｎｉめっき電極層１０は、主に、はんだ耐熱性を向上させるとともに、接合性を向上させる機能を果たしている。Ｓｎめっき電極層１１は、主にはんだ付け性を向上させる機能を果たしている。

本実施形態においては、下地電極層８が、Ｎｉを主成分にしている。ただし、下地電極層８の主成分の材質は任意であり、Ｎｉに代えて、たとえば、Ｃｕ、Ａｇなどを主成分にしていてもよい。また、ＮｉやＣｕ、Ａｇなどは、他の金属との合金であってもよい。

下地電極層８の厚さは任意であるが、たとえば、５μｍ〜１５０μｍ程度とすることができる。

Ｃｕめっき電極層９の厚さは任意であるが、たとえば、３μｍ〜２０μｍ程度とすることができる。

Ｃｕめっき電極層９の表面粗さＲＡは任意であるが、たとえば、０．１μｍ〜１．０μｍ程度とすることができる。

本実施形態においては、Ｎｉめっき電極層１０とＳｎめっき電極層１１との２層が、Ｃｕめっき電極層９の表面に形成された第２めっき電極層に該当する。ただし、第２めっき電極層の層数は任意であり、２層に代えて、１層であってもよいし、３層以上であってもよい。また、第２めっき電極層の各層の材質も任意であり、Ｎｉ、Ｓｎ以外の金属からなるめっき電極層を含んでいてもよい。

Ｎｉめっき電極層１０の厚さは任意であるが、たとえば、２μｍ〜７μｍ程度とすることができる。

Ｓｎめっき電極層１１の厚さは任意であるが、たとえば、１μｍ〜８μｍ程度とすることができる。

Ｃｕめっき電極層９、Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１は、それぞれ、不純物を含んでいてもよい。また、Ｃｕめっき電極層９、Ｎｉめっき電極層１０、Ｓｎめっき電極層１１は、それぞれ、合金であってもよい。

積層セラミックコンデンサ１００においては、Ｃｕめっき電極層９の縁部と、容量素子１の表面との間に、Ｓｎ１２が存在している。Ｓｎ１２が存在しているとは、外部電極４〜７の断面をＷＤＸ（Wavelength-Dispersive X-ray spectrometry；波長分散型Ｘ線分光法）によって分析したとき、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎが検出されることをいい、どのような状態で存在してもよい。

積層セラミックコンデンサ１００においては、水分が浸入しやすい、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２が存在しているため、耐湿性が向上している。すなわち、Ｃｕめっき電極層９は下地電極層８の表面にめっき成長によって形成されたものであり、Ｃｕめっき電極層９の縁部は容量素子１の表面に接しているが、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面とが強固に接合されているわけではない。したがって、Ｃｕめっき電極層９の厚さが小さい場合などには、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間（隙間）を経由して、外部から外部電極４、５、６、７の内側に水分が浸入してしまう虞がある。

積層セラミックコンデンサ１００においては、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２を存在させることによって、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間を経由して、外部電極４〜７の内側に水分が浸入するのを抑制している。なお、詳しいメカニズムは研究中であるが、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２を存在させることによって、この部分からの水分の浸入を抑制することができる。

（耐湿負荷試験）
本発明の有効性を確認するために、以下の耐湿負荷試験をおこなった。

まず、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を作製し、実施例にかかる試料とした。

また、比較のために、積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた積層セラミックコンデンサを作製し、比較例にかかる試料とした。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００では、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２が存在していたが、比較例にかかる積層セラミックコンデンサは、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２を存在させなかった（作製にあたり、Ｓｎ１２を存在させるための工程を省略した）。比較例にかかる積層セラミックコンデンサの他の構成は、積層セラミックコンデンサ１００と同じにした。

次に、実施例にかかる試料と比較例にかかる試料とを、各１０個ずつ、共晶半田を用いてガラスエポキシ基板に実装した。続いて、各試料の絶縁抵抗値を測定した。

次に、ガラスエポキシ基板を高温高湿槽内に入れ、１２５℃、相対湿度９５％ＲＨの環境下において、各試料に対して、３．２Ｖの電圧を７２時間印加した。続いて、耐湿負荷試験後の各試料の絶縁抵抗値を測定した。

各試料において、耐湿負荷試験の前後において、１桁以上、絶縁抵抗値が低下したものを不良としてカウントした。その結果、実施例にかかる試料においては、１０個のうち、不良と判定されたものは１個であった。一方、比較例にかかる試料においては、１０個のうち、１０個が不良と判定された。

以上の耐湿負荷試験により、本発明の有効性が確認できた。

（積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例）
第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の一例を、図５（Ａ）〜図７（Ｆ）を参照して説明する。

まず、図５（Ａ）に示す、内部に内部電極２、３が形成され、表面に外部電極４〜７の下地電極層８が形成された容量素子１を作製する。

図示は省略するが、まず、誘電体セラミックスの粉末、バインダー樹脂、溶剤などを用意し、これらを湿式混合してセラミックスラリーを作製する。

次に、キャリアフィルム上に、セラミックスラリーをダイコータ、グラビアコーター、マイクログラビアコーターなどを用いてシート状に塗布し、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。

次に、所定のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極２、３を形成するために、予め用意した導電性ペーストを所望のパターン形状に塗布（たとえば印刷）する。なお、外層となるセラミックグリーンシートには、導電性ペーストは塗布しない。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、金属粉末（たとえばＮｉ粉末）などを混合したものを使用することができる。

次に、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、加熱圧着して一体化させ、未焼成容量素子を作製する。

次に、未焼成容量素子の表面に、下地電極層８を形成するために、導電性ペーストを所望の形状に塗布する。なお、導電性ペーストには、たとえば、溶剤、バインダー樹脂、金属粉末（たとえばＮｉ粉末）、セラミック粉末などを混合したものを使用することができる。

次に、未焼成容量素子を、所定のプロファイルで焼成して、図５（Ａ）に示す容量素子１を完成させる。このとき、セラミックグリーンシートが焼成されてセラミック層１ａになり、セラミックグリーンシートの主面に塗布された導電性ペーストが同時に焼成されて内部電極２、３になり、未焼成容量素子の表面に塗布された導電性ペーストが同時に焼成されて下地電極層８になる。

次に、図５（Ｂ）に示すように、外部電極４〜７の下地電極層８の表面に、Ｃｕめっき電極層９を形成する。

次に、図６（Ｃ）に示すように、Ｓｎが溶解された溶液１３を入れた槽１４を用意し、容量素子１を溶液１３に浸漬する。溶液１３には、たとえば、２価のＳｎを含む塩化スズの水溶液を使用することができる。溶液１３には、界面活性剤が含まれることが好ましい。界面活性剤としては、表面張力を下げる効果のあるピット防止剤を用いることができ、たとえばラウリル硫酸ナトリウム等を用いることができる。この工程は、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間（隙間）にＳｎ１２を含浸させるためのものであるが、溶液１３に界面活性剤が含まれると、Ｓｎ１２の含浸が良好におこなわれるからである。また、溶液１３には、他の金属が含まれていてもよい。なお、容量素子１の溶液１３への浸漬は、多数の容量素子１をカゴ等に入れ、一括しておこなってもよい。また、槽１４を気密構造に構成し、容量素子１を溶液１３へ浸漬させたあと、真空引きをおこない、槽１４内を減圧したり、真空状態にしたりしてもよい。

続いて、容量素子１を溶液１３から取り出し、容量素子１の表面や下地電極層８の表面に付着したＳｎを除去してもよい。表面のＳｎの除去は、たとえば、物理的研削（バレル、ＵＶ照射、プラズマ照射）や、化学的研削(アルカリ液、酸液などでの洗浄)でおこなう。

この結果、図６（Ｄ）に示すように、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間（隙間）に、Ｓｎ１２が含浸される。

次に、図７（Ｅ）に示すように、外部電極４〜７のＣｕめっき電極層９の表面に、Ｎｉめっき電極層１０を形成する。なお、Ｎｉめっき電極層１０を形成する際に、はんだボールをメディアとして使用すると、Ｃｕめっき電極層９とＮｉめっき電極層１０との界面に、Ｓｎの層が形成される場合がある。

最後に、図７（Ｅ）に示すように、Ｎｉめっき電極層１０の表面に、Ｓｎめっき電極層１１を形成し、外部電極４〜７を完成させて、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００を完成させる。

なお、Ｓｎめっき電極層１１を形成する際のめっき液には界面活性剤が混合される場合があるが、積層セラミックコンデンサ１００においては、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２が存在しているため、めっき液（水分）が外部電極４〜７の内側に浸入することが抑制されている。したがって、めっき液が内部電極２、３に到達することも抑制されており、めっき液によって積層セラミックコンデンサ１００の特性が劣化することも抑制されている。

［第２実施形態］
図８、図９に、第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００を示す。ただし、図８は、積層セラミックコンデンサ２００の斜視図である。図９は、積層セラミックコンデンサ２００の断面図であり、図８に一点鎖線矢印で示したＹ-Ｙ部分を示している。

第２実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ２００は、第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の構成の一部に変更を加えた。具体的には、積層セラミックコンデンサ１００は３端子型コンデンサであったが、積層セラミックコンデンサ２００は２端子型コンデンサとした。

積層セラミックコンデンサ２００は、容量素子１が、複数のセラミック層１ａと、複数の内部電極２２、２３とが積層されたものからなる。内部電極２２、２３は、いずれも、長さ方向Ｌに伸び、平面視において矩形形状をしている。そして、内部電極２２が容量素子１の端面１Ｃに引出され、内部電極２３が容量素子１の端面１Ｄに引出されている。

容量素子１の表面に、外部電極２４、２５が形成されている。

外部電極２４は、容量素子１の端面１Ｃに形成されている。外部電極２４は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｃから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。

外部電極２５は、容量素子１の端面１Ｄに形成されている。外部電極２５は、キャップ形状に形成されており、縁の部分が、容量素子１の端面１Ｄから、主面１Ａ、１Ｂ、側面１Ｅ、１Ｆに延出して形成されている。

積層セラミックコンデンサ２００においては、容量素子１の端面１Ｃに引出された内部電極２２が、外部電極２４に接続されている。また、容量素子１の端面１Ｄに引出された内部電極２３が、外部電極２５に接続されている。

外部電極２４、２５は、それぞれ、容量素子１の表面に形成された下地電極層８と、下地電極層８の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＣｕめっき電極層９と、Ｃｕめっき電極層９の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＮｉめっき電極層１０と、Ｎｉめっき電極層１０の表面に形成され縁部が容量素子１の表面に対向するＳｎめっき電極層１１とを有している。

積層セラミックコンデンサ２００においても、Ｃｕめっき電極層９の縁部と、容量素子１の表面との間に、Ｓｎ１２が存在している。

積層セラミックコンデンサ２００においては、水分が浸入しやすい、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２が存在しているため、耐湿性が向上している。

このように、本発明の積層セラミックコンデンサは、２端子型コンデンサとして構成してもよい。

［第３実施形態］
第３実施形態は、第１実施形態において示した積層セラミックコンデンサ１００の製造方法の工程の一部に変更を加えた。なお、製造される積層セラミックコンデンサ１００の構造は第１実施形態と同じであるため、図面は省略する。

第１実施形態にかかる積層セラミックコンデンサ１００の製造方法では、作製した未焼成容量素子の表面に導電性ペーストを所望の形状に塗布し、未焼成容量素子を焼成して容量素子１を作製するときに、未焼成容量素子の表面に塗布された導電性ペーストを同時に焼成して下地電極層８を形成した。第３実施形態では、これを変更し、未焼成容量素子の表面に導電性ペーストは塗布せず、未焼成容量素子を焼成して容量素子１を作製した後に、容量素子１の表面に導電性ペーストを所望の形状に塗布し、容量素子１を加熱し、導電性ペーストを容量素子１の表面に焼付けて下地電極層８を形成した。第３実施形態の他の工程は、第１実施形態と同じにした。このように、下地電極層８は、未焼成容量素子を焼成して容量素子１を作製した後に形成してもよい。

以上、第１実施形態、第２実施形態、第３実施形態について説明した。しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って種々の変更をなすことができる。

たとえば、積層セラミックコンデンサ１００、２００では、Ｃｕめっき電極層９の縁部と容量素子１の表面との間にＳｎ１２を存在させたが、この部分に、Ｓｎ以外の金属が同時に存在するようにしてもよい。

また、積層セラミックコンデンサ１００、２００では、第２めっき層として、Ｎｉめっき電極層１０とＳｎめっき電極層１１との２層を設けたが、第２めっき層の層数、材質などは任意であり、適宜、変更することができる。

また、積層セラミックコンデンサ１００では、３端子型コンデンサを構成するにあたり、グランドに接続する電極として２つの外部電極６、７を形成したが、容量素子１の表面において外部電極６と外部電極７とを繋ぎ、１つの共通外部電極としてもよい。この場合において、内部電極３は、容量素子１の両方の側面１Ｅ、１Ｆにおいて共通外部電極に接続されることが好ましいが、電気的には側面１Ｅ、１Ｆの少なくとも一方において共通外部電極に接続されればよい。

本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサは、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

この積層セラミックコンデンサにおいて、下地電極層が、Ｎｉを主成分とすることも好ましい。この場合には、内部電極を、Ｎｉを主成分とする（あるいは高温での焼成に耐えうる金属を主成分とする）ことにより、容量素子と、内部電極と、外部電極の下地電極層とを、容易に同時焼成することが可能になる。

また、Ｃｕめっき電極層の表面に形成され、縁部が容量素子の表面に対向する、少なくとも１層の第２めっき電極層を更に備えることも好ましい。

また、第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含むことも好ましい。この場合には、外部電極のはんだ付け性を向上させることができる。

また、第２めっき電極層が、Ｃｕめっき電極層の表面に形成されたＮｉめっき電極層と、Ｎｉめっき電極層の表面に形成されたＳｎめっき電極層と、を含むことも好ましい。この場合には、Ｎｉめっき電極層ではんだ耐熱性を付与するとともに接合性を向上させ、Ｓｎめっき電極層ではんだ付け性を向上させることができる。

また、内部電極が第１内部電極と第２内部電極とを有し、第１内部電極が、両方の端面から容量素子の表面に引出されて、外部電極に接続され、第２内部電極が、少なくとも一方の側面から容量素子の表面に引出されて、外部電極に接続され、３端子型コンデンサが構成されることも好ましい。

本発明の一実施態様にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法は、「課題を解決するための手段」の欄に記載したとおりである。

この積層セラミックコンデンサの製造方法において、容量素子の表面に下地電極層を形成する工程が、未焼成容量素子の表面に、下地電極層を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布し、未焼成容量素子を焼成して容量素子を作製する工程において、導電性ペーストを未焼成容量素子と同時に焼成するものであることも好ましい。この場合には、容易に下地電極層を形成することができる。

また、下地電極層を形成するために導電性ペーストを塗布する工程は、Ｎｉを含む導電性ペーストを塗布する工程を含むことも好ましい。この場合には、内部電極を、Ｎｉを主成分とする（あるいは高温での焼成に耐えうる金属を主成分とする）ことにより、容量素子と、内部電極と、外部電極の下地電極層とを、容易に同時焼成することができる。

また、容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させた後に、容量素子の表面および／またはＣｕめっき層の表面から、不要なＳｎを除去してもよい。この場合には、不要なＳｎが存在することにより、第２めっき電極層が不要な部分に形成されることを抑制することができる。なお、なお、表面のＳｎの除去は、たとえば、物理的研削（バレル、ＵＶ照射、プラズマ照射）や、化学的研削(アルカリ液、酸液などでの洗浄)でおこなう。

また、第２めっき電極層を形成する工程は、Ｓｎめっき電極層を形成する工程を含むことも好ましい。この場合には、外部電極のはんだ付け性を向上させることができる。

また、第２めっき電極層を形成する工程は、Ｃｕめっき電極層の表面にＮｉめっき電極層を形成する工程と、Ｎｉめっき電極層の表面にＳｎめっき電極層を形成する工程と、を含むことも好ましい。この場合には、Ｎｉめっき電極層ではんだ耐熱性を付与するとともに接合性を向上させ、Ｓｎめっき電極層ではんだ付け性を向上させることができる。

また、容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくともＣｕめっき電極層の縁部と容量素子の表面との間にＳｎを含浸させる工程が、容量素子を、２価のＳｎを含む塩化スズの水溶液に含浸させるものであることも好ましい。この場合には、容易に、Ｃｕめっき電極層の縁部と容量素子の表面との間にＳｎを含浸させることができる。

また、容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくともＣｕめっき電極層の縁部と容量素子の表面との間にＳｎを含浸させる工程が、容量素子を、界面活性剤が含まれた、Ｓｎが溶解された溶液に浸漬させるものであることも好ましい。この場合には、良好に、Ｃｕめっき電極層の縁部と容量素子の表面との間にＳｎを含浸させることができる。

１…容量素子
１ａ・・・セラミック層
１Ａ、１Ｂ・・・主面
１Ｃ、１Ｄ・・・端面
１Ｅ、１Ｆ・・・側面
２、３、２２、２３・・・内部電極
４、５、６、７・・・外部電極
８・・・下地電極層
９・・・Ｃｕめっき電極層
１０・・・Ｎｉめっき電極層（第２めっき電極層）
１１・・・Ｓｎめっき電極層（第２めっき電極層）
１２・・・Ｓｎ

Claims (15)

1. 積層された複数のセラミック層と複数の内部電極とを有し、高さ方向において相互に対向する１対の主面と、前記高さ方向に直交する長さ方向において相互に対向する１対の端面と、前記高さ方向および前記長さ方向に直交する幅方向において相互に対向する１対の側面とを有する容量素子と、
   前記容量素子の表面に形成された少なくとも２つの外部電極と、を備えた積層セラミックコンデンサであって、
   前記内部電極は、前記端面および／または前記側面において前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
   前記外部電極は、
   前記容量素子の表面に形成された下地電極層と、
   前記下地電極層の表面に形成され、縁部が前記容量素子の表面に対向するＣｕめっき電極層と、を有し、
   前記Ｃｕめっき電極層の縁部と、前記容量素子の表面との間に、Ｓｎが存在する、積層セラミックコンデンサ。
2. 前記下地電極層が、Ｎｉを主成分とする、請求項１に記載された積層セラミックコンデンサ。
3. 前記Ｃｕめっき電極層の表面に形成され、縁部が前記容量素子の表面に対向する、少なくとも１層の第２めっき電極層を更に備えた、請求項１または２に記載された積層セラミックコンデンサ。
4. 前記第２めっき電極層が、Ｓｎめっき電極層を含む、請求項３に記載された積層セラミックコンデンサ。
5. 前記第２めっき電極層が、
   前記Ｃｕめっき電極層の表面に形成されたＮｉめっき電極層と、
   前記Ｎｉめっき電極層の表面に形成された前記Ｓｎめっき電極層と、を含む、請求項４に記載された積層セラミックコンデンサ。
6. 前記内部電極が第１内部電極と第２内部電極とを有し、
   前記第１内部電極が、両方の前記端面から前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
   前記第２内部電極が、少なくとも一方の前記側面から前記容量素子の表面に引出されて、前記外部電極に接続され、
   ３端子型コンデンサが構成された、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサ。
7. 複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
   前記複数のセラミックグリーンシートのうちの特定のセラミックグリーンシートの主面に、内部電極を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布する工程と、
   複数の前記セラミックグリーンシートを積層し、一体化させて、未焼成容量素子を作製する工程と、
   前記未焼成容量素子を焼成し、複数のセラミック層と複数の内部電極とが積層された容量素子を作製する工程と、
   前記容量素子の表面に、下地電極層を形成する工程と、
   前記下地電極層の表面に、縁部が前記容量素子の表面に対向する、Ｃｕめっき電極層を形成する工程と、
   前記容量素子を、Ｓｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも、前記Ｃｕめっき電極層の縁部と、前記容量素子の表面との間に、Ｓｎを含浸させる工程と、
   前記Ｃｕめっき電極層の表面に、縁部が前記容量素子の表面に対向する、少なくとも１層の第２めっき電極層を形成する工程と、を備えた積層セラミックコンデンサの製造方法。
8. 前記容量素子の表面に前記下地電極層を形成する工程が、
   前記未焼成容量素子の表面に、前記下地電極層を形成するための導電性ペーストを所望の形状に塗布し、
   前記未焼成容量素子を焼成して前記容量素子を作製する工程において、前記導電性ペーストを前記未焼成容量素子と同時に焼成するものである、請求項７に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
9. 前記下地電極層を形成するために導電性ペーストを塗布する工程は、Ｎｉを含む導電性ペーストを塗布する工程を含む、請求項８に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
10. 前記容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させた後に、前記容量素子の表面および／または前記Ｃｕめっき層の表面から、不要なＳｎを除去する工程を更に備えた、請求項７ないし９のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
11. 前記不要なＳｎを除去する工程が、バレルによる研磨、ＵＶ照射による研磨、プラズマ照射による研磨、アルカリ液による洗浄、酸液による洗浄から選ばれる少なくとも１つである、請求項１０に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
12. 前記第２めっき電極層を形成する工程は、Ｓｎめっき電極層を形成する工程を含む、請求項７ないし１１のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
13. 前記第２めっき電極層を形成する工程は、
    前記Ｃｕめっき電極層の表面にＮｉめっき電極層を形成する工程と、
    前記Ｎｉめっき電極層の表面に前記Ｓｎめっき電極層を形成する工程と、を含む、請求項１２に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
14. 前記容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも前記Ｃｕめっき電極層の縁部と前記容量素子の表面との間にＳｎを含浸させる工程が、
    前記容量素子を、２価のＳｎを含む塩化スズの水溶液に含浸させるものである、請求項７ないし１３のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。
15. 前記容量素子をＳｎが溶解された溶液に浸漬させ、少なくとも前記Ｃｕめっき電極層の縁部と前記容量素子の表面との間にＳｎを含浸させる工程が、
    前記容量素子を、界面活性剤が含まれた、Ｓｎが溶解された溶液に浸漬させるものである、請求項７ないし１４のいずれか１項に記載された積層セラミックコンデンサの製造方法。

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