CN117747299A - 层叠陶瓷电容器 - Google Patents

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Abstract

层叠陶瓷电容器具备：陶瓷层叠体，层叠了陶瓷层和内部电极，具有主面、侧面和端面；导体层，形成为覆盖陶瓷层叠体的端面，并与内部电极电连接；绝缘层，形成为覆盖导体层；以及外部电极，与导体层电连接。导体层具有延伸至陶瓷层叠体的至少任一个主面的一部分的部分，外部电极配置为覆盖陶瓷层叠体的至少任一个主面中的导体层延伸的部分的整个表面。

Description

层叠陶瓷电容器
本申请是申请日为2020年07月14日、申请号为202010677647.3、发明名称为“层叠陶瓷电容器”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及层叠陶瓷电容器，更详细地说，涉及形成有导体层以使得覆盖陶瓷层叠体的端面并且形成有绝缘层以使得覆盖导体层的层叠陶瓷电容器。
背景技术
在日本特开2017-175037号公报中，公开了一种形成有导体层以使得覆盖陶瓷层叠体的端面并且形成有绝缘层以使得覆盖导体层的层叠陶瓷电容器。日本特开2017-175037号公报所公开的层叠陶瓷电容器通过用导体层与绝缘层这两层来覆盖引出了内部电极的陶瓷层叠体的端面，从而谋求了耐湿性的提高。在图11中示出日本特开2017-175037号公报所公开的层叠陶瓷电容器1000。其中，图11是层叠陶瓷电容器1000的剖视图。
层叠陶瓷电容器1000具备层叠了多个陶瓷层101和多个内部电极102的陶瓷层叠体103。在陶瓷层叠体103的一个端面引出了一部分的内部电极102，在陶瓷层叠体103的另一个端面引出了其余的内部电极102。
在陶瓷层叠体103的两个端面分别形成有导体层104，以使得覆盖端面。导体层104与内部电极102电连接。
形成有绝缘层105，以使得覆盖导体层104。
在陶瓷层叠体103的至少一个主面上形成有一对外部电极106。外部电极106与导体层104电连接。
在层叠陶瓷电容器1000中，存在如下问题，即，陶瓷层叠体103与导体层104的接合强度不充分，导体层104有时会从陶瓷层叠体103剥离。
作为解决本课题的方法，有在导体层104中添加陶瓷的共通材料的方法。例如，通过使用于形成导体层104的导电性膏包含制作陶瓷层叠体103所使用的陶瓷材料，由此能够使陶瓷层叠体103与导体层104的接合强度提高，能够抑制导体层104从陶瓷层叠体103剥离。然而，若在导体层104中添加陶瓷的共通材料较多，则担心会有别的问题产生，即，陶瓷的共通材料妨碍内部电极102与导体层104的电连接，内部电极102与导体层104的连接的可靠性下降。
此外，在层叠陶瓷电容器1000中，存在如下问题，即，导体层104与外部电极106的电连接的可靠性不充分。即，导体层104与外部电极106仅仅是导体层104的端面与外部电极106呈线状连接，存在电连接的可靠性不充分这样的问题。
发明内容
本发明正是为了解决上述的以往的课题而完成的，作为其手段，本发明的一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器具备：陶瓷层叠体，层叠了多个陶瓷层和多个内部电极，具有在高度方向上相对的一对主面、在与高度方向正交的宽度方向上相对的一对侧面、和在与高度方向及宽度方向两者正交的长度方向上相对的一对端面；导体层，形成为覆盖陶瓷层叠体的端面，并与内部电极电连接；绝缘层，形成为覆盖导体层；以及外部电极，与导体层电连接，导体层延伸形成至陶瓷层叠体的主面的一部分。
本发明的层叠陶瓷电容器由于导体层延伸形成至陶瓷层叠体的主面的一部分，因此陶瓷层叠体与导体层的接合强度高。
此外，本发明的层叠陶瓷电容器由于能够通过面将导体层的延伸至陶瓷层叠体的主面的部分和外部电极进行电连接，因此导体层与外部电极的电连接的可靠性高。
根据关联添加的附图而理解的本发明涉及的如下详细的说明，本发明的上述及其他目的、特征、方面及优点变得显而易见。
附图说明
图1A是第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的立体图。
图1B是第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的立体图。
图2是层叠陶瓷电容器100的剖视图。
图3是层叠陶瓷电容器100的主要部分剖视图。
图4是层叠陶瓷电容器100的分解立体图。
图5A是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图5B是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图6A是图5B的后续，是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图6B是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图7A是图6B的后续，是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图7B是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图8是图7B的后续，是示出在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。
图9是第二实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200的立体图。
图10是层叠陶瓷电容器200的剖视图。
图11是日本特开2017-175037号公报所公开的层叠陶瓷电容器1000的剖视图。
具体实施方式
以下，与附图一起对用于实施本发明的方式进行说明。
另外，各实施方式例示性地示出本发明的实施方式，本发明并不限定于实施方式的内容。此外，也能够组合在不同的实施方式中记载的内容来实施，该情况下的实施内容也包含于本发明。此外，附图是用于帮助说明书的理解的，有时会示意性地进行描绘，所描绘出的构成要素或者构成要素间的尺寸的比率有时会与说明书中记载的这些尺寸的比率不一致。此外，说明书中记载的构成要素有在附图中被省略的情况、省略个数来进行描绘的情况等。
[第一实施方式]
在图1A、图1B、图2、图3、图4中示出第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100。其中，图1A是从上侧(顶面侧)观察的层叠陶瓷电容器100的立体图。图1B是从下侧(安装面侧)观察的层叠陶瓷电容器100的立体图。图2是层叠陶瓷电容器100的剖视图，示出图1A的单点划线箭头所示的X-X部分。图3是层叠陶瓷电容器100的主要部分剖视图。图4是层叠陶瓷电容器100的分解立体图。
另外，有时会在附图中示出层叠陶瓷电容器100的高度方向T、宽度方向W、长度方向L，在以下的说明中有时会提及到这些方向。
层叠陶瓷电容器100具备层叠了多个陶瓷层1、多个第一内部电极2和多个第二内部电极3的陶瓷层叠体4。陶瓷层叠体4由长方体形状构成，具有在高度方向T上相对的第一主面4A及第二主面4B、在与高度方向T正交的宽度方向W上相对的第一侧面4C及第二侧面4D、和在与高度方向T及宽度方向W两者正交的长度方向L上相对的第一端面4E及第二端面4F。
陶瓷层叠体4(陶瓷层1)的材质是任意的，例如能够使用以BaTiO3为主成分的电介质陶瓷。不过，也可以取代BaTiO3而使用以CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等其他材质为主成分的电介质陶瓷。陶瓷层1的厚度是任意的，但例如优选为0.3μm以上且2.0μm以下的程度。
第一内部电极2被引出到陶瓷层叠体4的第一端面4E。第二内部电极3被引出到陶瓷层叠体4的第二端面4F。另外，在本实施方式中，第一内部电极2、第二内部电极3分别从陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D露出了侧部。原因在于，在本实施方式中，在陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D分别形成后述的侧面绝缘层7，因此无需考虑绝缘。不过，第一内部电极2、第二内部电极3也可以不从陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D露出侧部。
在本实施方式中，对于第一内部电极2、第二内部电极3的主成分而使用了Ni。不过，第一内部电极2、第二内部电极3的主成分是任意的，也可以取代Ni而使用Pd、Ag、Cu等其他金属。此外，也可以是Ni或Pd、Ag、Cu等与其他金属的合金。第一内部电极2、第二内部电极3的厚度是任意的，但例如优选为10μm以下，更优选为1μm以下。
在陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F分别形成有导体层5。导体层5与第一内部电极2或者第二内部电极3电连接。
导体层5具有：部分5a，延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A；和部分5b，延伸到第二主面4B。原因在于，通过具有延伸的部分5a及5b，从而导体层5相对于陶瓷层叠体4的接合强度得到良好地提高。延伸的部分5a、5b的长度在长度方向L上优选为2μm以上。原因在于，如果延伸的部分5a、5b的长度为2μm以上，则导体层5相对于陶瓷层叠体4的接合强度得到进一步提高。
此外，通过导体层5具有延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a和延伸到第二主面4B的部分5b，从而导体层5与后述的外部电极8的电连接的可靠性得到良好地提高。
在本实施方式中，对于导体层5的主成分而使用了Ni。在本实施方式中，如上述那样，对于第一内部电极2、第二内部电极3的主成分也使用了Ni，因此导体层5和第一内部电极2、第二内部电极3的电连接良好。不过，导体层5的主成分是任意的，也可以取代Ni而使用Pd、Ag、Cu等其他金属。此外，也可以是Ni或Pd、Ag、Cu等与其他金属的合金。如果是第一内部电极2、第二内部电极3的主成分为Ni以外的情况，则导体层5的主成分也优选与第一内部电极2、第二内部电极3的主成分相同。
导体层5的厚度是任意的，但在陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F的中央部分例如优选为3μm以上且10μm以下的程度。若为3μm以上，则能够充分地获得导体层5与第一内部电极2、第二内部电极3的电连接的可靠性。原因在于，若为10μm以下，则能够减小层叠陶瓷电容器100的尺寸。此外，原因在于，如果层叠陶瓷电容器100的尺寸相同，那么能够增大第一内部电极2、第二内部电极3的俯视方向的尺寸，能够增大静电电容。
还优选的是，导体层5含有陶瓷。原因在于，在该情况下，导体层5与陶瓷层叠体4的接合强度得到提高。另外，所含有的陶瓷优选与陶瓷层叠体4(陶瓷层1)的主成分相同。原因在于，导体层5与陶瓷层叠体4的接合强度得到进一步提高。
在导体层5含有陶瓷的情况下，含量优选为20wt％以下。原因在于，若陶瓷的含量为20wt％以下，则能够良好地维持导体层5与第一内部电极2或者第二内部电极3的电连接。此外，原因在于，若陶瓷的含量为20wt％以下，则能够良好地形成导体层5的延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a和延伸到第二主面4B的部分5b。另外，在将导体层5的陶瓷的含量设为20wt％以下的基础上，还优选的是，将第一内部电极2、第二内部电极3的厚度设为1μm以下。原因在于，如果导体层5的陶瓷的含量为20wt％以下，则即便将第一内部电极2、第二内部电极3的厚度设为1μm以下，也能够良好地维持第一内部电极2或者第二内部电极3与导体层5的电连接。
形成有绝缘层6，以使得覆盖导体层5。在本实施方式中，对于绝缘层6的材质而使用了与陶瓷层叠体4(陶瓷层1)相同的材质。不过，绝缘层6的材质是任意的，也可以使用与陶瓷层叠体4不同的材质。
绝缘层6的厚度是任意的，但例如优选为5μm以上且30μm以下的程度。原因在于，如果为5μm以上，则能够充分地发挥将导体层5绝缘并加以保护的功能。原因在于，若为30μm以下，则能够减小层叠陶瓷电容器100的尺寸。此外，原因在于，如果层叠陶瓷电容器100的尺寸相同，那么能够增大第一内部电极2、第二内部电极3的俯视方向的尺寸，能够增大静电电容。
在陶瓷层叠体4的第一侧面4C及第二侧面4D分别形成有侧面绝缘层7。侧面绝缘层7发挥将从陶瓷层叠体4的第一侧面4C及第二侧面4D露出的第一内部电极2及第二内部电极3的侧部进行绝缘的作用。由于层叠陶瓷电容器100具备侧面绝缘层7，因此能够增大第一内部电极2及第二内部电极3的宽度方向W的尺寸，能够实现大电容化。
在本实施方式中，对于侧面绝缘层7的材质而使用了与陶瓷层叠体4(陶瓷层1)相同的材质。因此，侧面绝缘层7以高的接合强度被接合于陶瓷层叠体4。不过，侧面绝缘层7的材质是任意的，也可以使用与陶瓷层叠体4不同的材质。
在本实施方式中，在陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F分别形成了导体层5及绝缘层6之后，在陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D分别形成了侧面绝缘层7。然而，也可以更换该顺序，在陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D分别形成了侧面绝缘层7之后，在陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F分别形成导体层5及绝缘层6。
在陶瓷层叠体4的第一主面4A形成有一对外部电极8。在本实施方式中，外部电极8从高度方向T观察为大致矩形。一对外部电极8相互空开间隔而形成于陶瓷层叠体4的第一主面4A的两端部。
在本实施方式中，外部电极8形成为以Cu为主成分的基底外部电极层9、以Ni为主成分的第一镀覆层10、和以Sn为主成分的第二镀覆层11这三层构造。基底外部电极层9含有玻璃。
然而，外部电极8的构造、材质是任意的，并不限于上述的内容。即，外部电极8的层数不限于三层，各层的材质能够自由地变更。例如，基底外部电极层9也可以取代Cu而使用Ag、Ni等其他金属。此外，也可以是Cu或Ag、Ni等与其他金属的合金。此外，基底外部电极层9也可以不含有玻璃。
外部电极8与形成于陶瓷层叠体4的第一端面4E或者第二端面4F的导体层5电连接。外部电极8在陶瓷层叠体4的第一主面4A通过面而与导体层5的延伸到第一主面4A的部分5a连接。因此，外部电极8与陶瓷层叠体4的电连接的可靠性高。
另外，在本实施方式中，在陶瓷层叠体4的第一主面4A形成了一对外部电极8，但也可以进一步在陶瓷层叠体4的第二主面4B追加形成一对外部电极。而且，也可以将所追加的一对外部电极分别连接于导体层5的延伸到第二主面4B的部分5b。在该情况下，不仅是陶瓷层叠体4的第一主面4A，第二主面4B也能够作为层叠陶瓷电容器100的安装面来使用。另外，在陶瓷层叠体4的第二主面4B不追加形成外部电极的情况下，也可以用绝缘物来覆盖延伸到陶瓷层叠体4的第二主面4B的部分5b等并实施绝缘处理。
如以上，在第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100中，由于导体层5具有延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a和延伸到第二主面4B的部分5b，因此陶瓷层叠体4与导体层5的接合强度高。即，如日本特开2017-175037所公开的以往的层叠陶瓷电容器1000那样，仅在陶瓷层叠体103的端面形成有导体层104的构造中，若沿着从陶瓷层叠体103的端面离开的方向对导体层104施加应力，则纵使是小的应力，也会担心导体层104从陶瓷层叠体103的端面容易地剥离。相对于此，在第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100中，即便沿着从陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F离开的方向(长度方向L)对导体层5施加应力，导体层5的延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a及延伸到第二主面4B的部分5b也会抑制剥离，因此导体层5不会从陶瓷层叠体4的第一端面4E、第二端面4F容易地剥离。这样，层叠陶瓷电容器100通过导体层5的延伸到第一主面4A的部分5a及延伸到第二主面4B的部分5b的接合力，抑制了导体层5从陶瓷层叠体4剥离。
此外，在第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100中，由于导体层5的延伸到第一主面4A的部分5a和外部电极8通过面来连接，因此导体层5与外部电极8的电连接的可靠性高。
此外，在第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100中，由于引出了第一内部电极2的陶瓷层叠体4的第一端面4E、及引出了第二内部电极3的陶瓷层叠体4的第二端面4F分别通过绝缘层6覆盖了导体层5，因此耐湿性高。
此外，在第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100中，由于在陶瓷层叠体4的第一端面4E和第二端面4F分别形成有绝缘层6，在陶瓷层叠体4的第一侧面4C和第二侧面4D分别形成有侧面绝缘层7，仅通过形成于陶瓷层叠体4的第一主面的外部电极8而与电路基板等的电极接合，因此能够与其他电子部件接近地安装。
(层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例)
第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100例如能够通过如下的方法来制造。参照图5A～图8进行说明。其中，图5A～图8分别是示出在本实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中实施的工序的主要部分剖视图。另外，在图5A～图8中，如与图1B相同地，使层叠陶瓷电容器100的第一主面4A为上侧并使第二主面4B为下侧地示出。
首先，虽然未图示，但制作陶瓷生片。陶瓷生片是为了制作陶瓷层叠体4的陶瓷层1、绝缘层6、侧面绝缘层7而使用的。
具体地说，首先，准备电介质陶瓷的粉末、粘合剂树脂、溶剂等，将它们进行湿式混合来制作陶瓷浆。
接下来，在载体薄膜上，利用模涂机、凹版涂布机、微凹版涂布机等，将陶瓷浆涂敷成片状并使其干燥来制作陶瓷生片。
接下来，在用于制作陶瓷层1的陶瓷生片的给定陶瓷生片的主面，为了形成第一内部电极2、第二内部电极3，将预先准备的导电性膏印刷成所希望的图案形状。不过，在成为保护层的陶瓷生片不印刷导电性膏。另外，在本实施方式中，如上述那样，由于第一内部电极2、第二内部电极3将Ni作为主成分，因此对于在此使用的导电性膏而使用含有Ni的导电性膏。
接下来，如图5A所示，制作未烧成的陶瓷层叠体54。未烧成的陶瓷层叠体54由以下部分构成，即，该部分是层叠有用于形成陶瓷层1的陶瓷生片51、用于形成第一内部电极2的导电性膏52和用于形成第二内部电极3的导电性膏53并被加热压接而一体化的。未烧成的陶瓷层叠体54由长方体形状构成，该长方体形状具备第一主面54A、第二主面54B、第一侧面54C、第二侧面54D、第一端面54E和第二端面54F。其中，在图5A～图6A中，仅出现这些面之中的第一主面54A及第一端面54E。
接下来，虽然未图示，但在用于形成绝缘层6的陶瓷生片的一个主面涂敷用于形成导体层5的导电性膏。另外，在本实施方式中，如上述那样，导体层5将Ni作为主成分，因此对于在此使用的导电性膏而使用含有Ni的导电性膏。另外，导电性膏的涂敷的方法是任意的，但例如能够基于丝网印刷、辊涂等的方法。
接下来，如图5B所示，在未烧成的陶瓷层叠体54的第一端面54E粘贴涂敷有导电性膏55的陶瓷生片56。具体地说，在涂敷于陶瓷生片56的导电性膏55之上，使未烧成的陶瓷层叠体54的第一端面54E抵接之后，对陶瓷生片56进行冲裁，由此在未烧成的陶瓷层叠体54的第一端面54E粘贴涂敷有导电性膏55的陶瓷生片56。另外，虽然未图示，但在未烧成的陶瓷层叠体54的第二端面54F也以同样的方法粘贴涂敷有导电性膏55的陶瓷生片56。
接下来，虽然未图示，但在未烧成的陶瓷层叠体54的第一侧面54C及第二侧面54D分别粘贴用于形成侧面绝缘层7的陶瓷生片57。具体地说，在用于形成侧面绝缘层7的陶瓷生片57的一个主面上，使未烧成的陶瓷层叠体54的第一侧面54C或者第二侧面54D抵接之后，对陶瓷生片57进行冲裁，由此在未烧成的陶瓷层叠体54的第一侧面54C及第二侧面54D分别粘贴用于形成侧面绝缘层7的陶瓷生片57。
接下来，对未烧成的陶瓷层叠体54实施滚筒处理，如图6A所示，将用于形成导体层5的导电性膏55延伸，在未烧成的陶瓷层叠体54的第一主面54A上形成导电性膏55的延伸的部分55a。虽然未图示，但在未烧成的陶瓷层叠体54的第二主面54B上也形成导电性膏55的延伸的部分55b。
接下来，以给定的轮廓对未烧成的陶瓷层叠体54进行烧成，制作图6B所示的陶瓷层叠体4。还优选的是，在烧成之前，实施脱粘合剂处理，使未烧成的陶瓷层叠体54中包含的粘合剂树脂消失或减少。通过对未烧成的陶瓷层叠体54进行烧成来制作陶瓷层叠体4，由此陶瓷生片51被烧成而成为陶瓷层1，导电性膏52被烧成而成为第一内部电极2，导电性膏53被烧成而成为第二内部电极3，导电性膏55被烧成而成为导体层5，陶瓷生片56被烧成而成为绝缘层6，陶瓷生片57被烧成而成为侧面绝缘层7。此外，导电性膏55的延伸到第一主面54A上的部分55a成为部分5a，导电性膏55的延伸到第二主面54B上的部分55b成为部分5b。
接下来，如图7A所示，在陶瓷层叠体4的第一主面4A形成作为外部电极8的一部分的基底外部电极层9。具体地说，涂敷导电性膏并进行烧附，在陶瓷层叠体4的第一主面4A形成基底外部电极层9。导电性膏的涂敷的方法是任意的，但例如能够基于丝网印刷、辊涂等的方法。
基底外部电极层9通过面而与导体层5的延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a电连接。因此，导体层5与基底外部电极层9的电连接的可靠性高。
另外，在本实施方式中，如上述那样，由于基底外部电极层9将Cu作为主成分，因此对于在此使用的导电性膏而使用含有Cu的导电性膏。此外，为了使基底外部电极层9与陶瓷层叠体4的接合强度提高，也可以在导电性膏中含有玻璃。
接下来，如图7B所示，通过电解镀覆，在基底外部电极层9的表面形成以Ni为主成分的第一镀覆层10。
接下来，如图8所示，通过电解镀覆，在第一镀覆层10的表面形成以Sn为主成分的第二镀覆层11。通过以上，形成了由基底外部电极层9、第一镀覆层10、第二镀覆层11这三层构成的外部电极8，完成了第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100。
第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100如下述那样还能够作为对结构的一部分施加变更而得到的变形例来制作。
(第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的变形例1)
在层叠陶瓷电容器100中，外部电极8的基底外部电极层9是在陶瓷层叠体4的第一主面4A涂敷导电性膏并进行烧附而形成的。在变形例1中，对此进行变更，通过在陶瓷层叠体4的第一主面4A溅射Cu来形成外部电极的基底电极层。
另外，在变形例1中，也是：在通过溅射Cu而形成的基底电极层之上形成以Ni为主成分的第一镀覆层10，并在第一镀覆层10之上形成以Sn为主成分的第二镀覆层11，作为由三层构造构成的外部电极。
(第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的变形例2)
变形例2对变形例1进一步进行变更。具体地说，在变形例1中，将外部电极构成为通过溅射Cu而形成的基底电极层、以Ni为主成分的第一镀覆层10和以Sn为主成分的第二镀覆层11这三层构造。变形例2对此进一步进行变更，将第一镀覆层10置换为通过溅射Ni而形成的第二层，将第二镀覆层11置换为通过溅射Sn而形成的第三层。
即，在变形例2中，将外部电极构成为通过溅射Cu而形成的第一层(基底电极层)、通过溅射Ni而形成的第二层和通过溅射Sn而形成的第三层这三层构造。
[第二实施方式]
在图9、图10中示出第二实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200。其中，图9是从上侧(顶面侧)观察的层叠陶瓷电容器200的立体图。图10是层叠陶瓷电容器200的剖视图，示出图9的单点划线箭头所示的Y-Y部分。
第二实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200对第一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100的结构的一部分施加了变更。具体地说，在层叠陶瓷电容器100中，外部电极8从高度方向T观察为矩形，并形成于陶瓷层叠体4的第一主面4A。层叠陶瓷电容器200对此进行变更，在陶瓷层叠体4的第一端面4E及第二端面4F分别将外部电极28形成为盖帽状。
更具体地说，一个外部电极28形成于在陶瓷层叠体4的第一端面4E形成的绝缘层6之上，一个外部电极28的缘部延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A、第二主面4B、第一侧面4C、第二侧面4D的一部分，由此形成为盖帽状。另一个外部电极28形成于在陶瓷层叠体4的第二端面4F形成的绝缘层6之上，另一个外部电极28的缘部延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A、第二主面4B、第一侧面4C、第二侧面4D的一部分，由此形成为盖帽状。
另外，外部电极28也与层叠陶瓷电容器100的外部电极8同样地形成为以Cu为主成分的基底外部电极层29、以Ni为主成分的第一镀覆层30及以Sn为主成分的第二镀覆层31这三层构造。而且，基底外部电极层29通过面而与导体层5的延伸到第一主面4A的部分5a及导体层5的延伸到第二主面4B的部分5b分别电连接。
在第二实施方式涉及的层叠陶瓷电容器200中，由于导体层5具有延伸到陶瓷层叠体4的第一主面4A的部分5a和延伸到第二主面4B的部分5b，因此陶瓷层叠体4与导体层5的接合强度高。
此外，在层叠陶瓷电容器200中，由于外部电极28在导体层5的延伸到第一主面4A的部分5a及导体层5的延伸到第二主面4B的部分5b这两处分别通过面而与导体层5电连接，因此外部电极28与导体层5的电连接的可靠性高。
此外，在层叠陶瓷电容器200中，由于对引出了第一内部电极2的陶瓷层叠体4的第一端面4E及引出了第二内部电极3的陶瓷层叠体4的第二端面4F进行覆盖的导体层5被绝缘层6覆盖，因此耐湿性高。
以上，对第一实施方式、第二实施方式涉及的层叠陶瓷电容器100、200进行了说明。然而，本发明并不限定于上述的内容，能够沿着发明的主旨实施各种变更。
例如，在层叠陶瓷电容器100中，将外部电极8形成于陶瓷层叠体4的第一主面4A，但也可以除此之外还在陶瓷层叠体4的第二主面4B形成外部电极8。在该情况下，不仅是陶瓷层叠体4的第一主面4A，第二主面4B也能够作为层叠陶瓷电容器100的安装面来使用。
此外，在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中，在陶瓷层叠体4的第一端面4E及第二端面4F，为了分别形成导体层5及绝缘层6而粘贴了在一个主面涂敷有导电性膏的陶瓷生片。然而，导体层5及绝缘层6的形成方法是任意的，也可以取代上述的方法而在未烧成的陶瓷层叠体54的第一端面54E及第二端面54F分别粘贴导电性片，进而在该导电性片之上粘贴陶瓷生片。另外，导电性片是指，例如将金属粉末(Ni粉末等)、粘合剂树脂、溶剂等进行湿式混合而制作出的浆涂敷于基体(载体薄膜等)之上并使其干燥而成的导电性片。
此外，在层叠陶瓷电容器100的制造方法的一例中，为了将用于形成导体层5的导电性膏55延伸从而在未烧成的陶瓷层叠体54的第一主面54A上形成导电性膏55的延伸的部分55a，在第二主面54B上形成导电性膏55的延伸的部分55b，对未烧成的陶瓷层叠体54实施了滚筒处理。然而，形成部分55a、55b的方法并不限于滚筒处理，也可以基于分别用辊来对在陶瓷层叠体54的第一端面54E及第二端面54F分别粘贴的陶瓷生片56的表面进行加压等的方法。
此外，在层叠陶瓷电容器100、200中，在陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D分别形成了侧面绝缘层7，但在不从陶瓷层叠体4的第一侧面4C、第二侧面4D露出第一内部电极2、第二内部电极3的侧部的情况下，也可以省略侧面绝缘层7。
本申请发明的一实施方式涉及的层叠陶瓷电容器如“发明内容”一栏所记载的那样。
在该层叠陶瓷电容器中，还优选的是，导体层的延伸到主面的部分的长度方向上的尺寸为2μm以上。原因在于，如果延伸的部分的长度为2μm以上，则能够使导体层相对于陶瓷层叠体的接合强度得到良好地提高。此外，原因在于，如果延伸的部分的长度为2μm以上，则能够使导体层与外部电极的电连接的可靠性得到良好地提高。
此外，还优选的是，导体层或绝缘层含有陶瓷。在该情况下，能够使陶瓷层叠体与导体层的接合强度或导体层与绝缘层的接合强度得到提高。
此外，还优选的是，导体层中的陶瓷的含量为20wt％以下。在该情况下，能够良好地维持内部电极与导体层的电连接。此外，能够良好地形成导体层的延伸到陶瓷层叠体的主面的部分。即，在导体层中的陶瓷的含量为20wt％以下的情况下，可良好地形成导体层的延伸到陶瓷层叠体的主面的部分，但若导体层中的陶瓷的含量超过20wt％，则随着含量增加而变得不易形成。
此外，还优选的是，将内部电极的厚度设为1μm以下。在该情况下，能够减小层叠陶瓷电容器的尺寸。此外，如果层叠陶瓷电容器的尺寸相同，那么能够增加内部电极的层数，因此能够增大静电电容。
此外，还优选的是，外部电极从高度方向观察为大致矩形，并形成为覆盖至少一个主面的一部分。在该情况下，由于在层叠陶瓷电容器的端面及侧面没有形成外部电极，因此能够使层叠陶瓷电容器与其他电子部件接近地安装。
或者，还优选的是，外部电极形成为覆盖绝缘层、两个主面的一部分和两个侧面的一部分。即，还优选的是，外部电极形成为盖帽状。
此外，还优选的是，内部电极和导体层包含相同种类的金属成分。在该情况下，在烧成时导体层和内部电极中包含的金属的烧结温度之差变小，因此能够良好地进行电连接。例如，优选的是，在内部电极和导体层这两者中包含Ni或者Ni合金。
还优选的是，在陶瓷层叠体的侧面形成侧面绝缘层。在该情况下，通过增大内部电极的宽度方向的尺寸，从而能够增大层叠陶瓷电容器的电容。
虽然对本发明的实施方式进行了说明，但应该认为本次公开的实施方式在全部方面均为例示，而非限制性的内容。本发明的范围由权利要求书示出，意图包含与权利要求书等同的含义及范围内的全部变更。

Claims (11)

1.一种层叠陶瓷电容器，具备：
陶瓷层叠体，层叠了多个陶瓷层和多个内部电极，具有在高度方向上相对的一对主面、在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的一对侧面、和在与所述高度方向及所述宽度方向两者正交的长度方向上相对的一对端面；
导体层，形成为覆盖所述陶瓷层叠体的所述端面，并与所述内部电极电连接；
绝缘层，形成为覆盖所述导体层；以及
外部电极，与所述导体层电连接，
所述导体层具有延伸至所述陶瓷层叠体的至少任一个所述主面的一部分的部分，
所述外部电极配置为覆盖所述陶瓷层叠体的所述至少任一个主面中的所述导体层延伸的部分的整个表面。
2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述导体层的延伸到所述主面的部分的所述长度方向上的尺寸为2μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述绝缘层含有陶瓷。
4.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述导体层含有陶瓷。
5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述导体层中的所述陶瓷的含量为20wt％以下。
6.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述内部电极的厚度为1μm以下。
7.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述绝缘层未延伸形成至所述陶瓷层叠体的所述主面。
8.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述外部电极形成为覆盖所述绝缘层、两个所述主面的一部分和两个所述侧面的一部分。
9.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述内部电极和所述导体层包含相同种类的金属成分。
10.根据权利要求9所述的层叠陶瓷电容器，其中，
所述相同种类的金属成分为Ni或者Ni合金。
11.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其中，
在所述陶瓷层叠体的所述侧面形成了侧面绝缘层。
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