JP5590224B2 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5590224B2 JP5590224B2 JP2013507443A JP2013507443A JP5590224B2 JP 5590224 B2 JP5590224 B2 JP 5590224B2 JP 2013507443 A JP2013507443 A JP 2013507443A JP 2013507443 A JP2013507443 A JP 2013507443A JP 5590224 B2 JP5590224 B2 JP 5590224B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- content
- mol part
- multilayer ceramic
- bismuth layered
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 70
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 50
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 23
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/475—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on bismuth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62685—Treating the starting powders individually or as mixtures characterised by the order of addition of constituents or additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3201—Alkali metal oxides or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3203—Lithium oxide or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3281—Copper oxides, cuprates or oxide-forming salts thereof, e.g. CuO or Cu2O
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3298—Bismuth oxides, bismuthates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc bismuthate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
- C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
- C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。また、積層セラミックコンデンサに使用される誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサに代表される積層セラミック電子部品、さらには、積層セラミックコンデンサの製造方法に関する。
図１を参照して、まず、この発明に係る積層セラミック電子部品の代表例である積層セラミックコンデンサ１について説明する。
積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数のセラミック層３とセラミック層３間の界面に沿って形成される複数の内部電極４及び５とをもって構成される、積層体２を備えている。
積層体２の外表面上の互いに異なる位置には、第１及び第２の外部電極８及び９が形成される。図１に示した積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の外部電極８及び９は、積層体２の互いに対向する各端面６及び７の上にそれぞれ形成される。内部電極４及び５は、第１の外部電極８に電気的に接続される複数の第１の内部電極４と第２の外部電極９に電気的に接続される複数の第２の内部電極５とがあり、これら第１及び第２の内部電極４及び５は、積層方向に交互に配置されている。外部電極８及び９の表面には、必要に応じて第１のめっき層１０、１１、及び第２のめっき層１２、１３が形成される。
近年、特に自動車用途として、低温から１５０℃を超える温度まで平坦な容量特性を持つコンデンサが求められている。
従来、そのような平坦な容量特性を持つ誘電体セラミックとしては、チタン酸カルシウム系セラミックが知られている。例えば、特許文献１には、チタン酸カルシウムが０〜４５％、Ａｌ2Ｏ3とＳｉＯ2との合計量が２〜２０％で、ＭｎＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｏＯ及びＮｉＯの一種以上を合計量にて０．１〜１．０％を含有し、残部は少なくとも５０％以上のチタン酸マグネシウムである誘電体セラミックが記載されている。
ところが、特許文献１に記載の誘電体セラミックは、容量特性は平坦なものの、誘電率が低いという問題があった。
本発明は、かかる課題に鑑みてなされたものであり、容量特性が平坦で、誘電率が高い誘電体セラミックと、その誘電体セラミックを用いた積層セラミック電子部品を提供することを目的とする。
本発明の積層セラミックコンデンサ（請求項１にかかる積層セラミックコンデンサ）は、積層されている複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。
また、本発明の積層セラミックコンデンサ（請求項２にかかる積層セラミックコンデンサ）は、積層されている複数の誘電体セラミック層と、誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、積層体の外表面に形成され、内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備え、積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、積層体を溶剤により溶解したときの、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。
本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、内部電極の主成分がＡｌであることが好ましい。
また、本発明の誘電体セラミック（請求項４にかかる誘電体セラミック）は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。
本発明の誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品に使用することができる。
また、本発明の積層セラミック電子部品においては、内部電極の主成分がＡｌであることが好ましい。
また、本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種を用意する工程と、Ｂｉ化合物を用意する工程と、主成分粉末、Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種、前記Ｂｉ化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、焼成前の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備え、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする。
本発明によれば、容量特性が平坦で、誘電率が高い誘電体セラミックを提供することができ、積層セラミック電子部品の小型化、高性能化に大きく貢献することができる。
本発明の誘電体セラミックは、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有している。そして、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満含まれている。この場合に、上記主成分の誘電体セラミックを低温で焼成することが可能であり、誘電率が高く、容量特性が平坦な誘電体セラミックが得られる。
なお、本発明の誘電体セラミックには、本発明の目的を損なわない範囲において、希土類元素、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｖ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏなどが含まれていてもよい。
次に、本発明の誘電体セラミックの製造方法の一例について説明する。
まず、主成分の出発原料として、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｃａ、Ｎｂの酸化物または炭酸化物の粉末が用意される。これら出発原料の粉末が秤量され、液中にてメディアを用いて混合粉砕される。乾燥後、得られた混合粉末を熱処理することにより、主成分であるビスマス層状化合物の粉末が得られる。この方法は一般に固相合成法と呼ばれるものであるが、他の方法として、水熱合成法、加水分解法、シュウ酸法等の湿式合成法を用いても構わない。
なお、主成分であるビスマス層状化合物としては、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、ＣａＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15などが挙げられるが、化学量論組成から外れるものであってもよい。
次に、この主成分粉末に対し、所定量のＢｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの酸化物または炭酸化物の粉末を添加する。これらの粉末としては、本発明の目的を損なわない限り酸化物粉末や炭酸化物粉末に限られるものではない。そして液中にてこれらを混合し、乾燥を行うことによって、最終原料としてのセラミック原料粉末が得られる。
これより先の工程は、本発明の積層セラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。
上述のセラミック原料粉末が用意される。このセラミック原料粉末は、溶媒中にて必要に応じて有機バインダ成分と混合され、セラミックスラリーとされる。このセラミックスラリーをシート成形することにより、セラミックグリーンシートが得られる。
次に、内部電極となる導体膜がセラミックグリーンシート上に形成される。これにはいくつかの方法があり、金属粒子と有機ビヒクルとを含むペーストを所望のパターンにスクリーン印刷する方法が簡便である。その他にも、金属箔を転写する方法や、真空薄膜形成法によりマスキングしながら導体膜を形成する方法もある。
このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極層とが多数層重ねられ、圧着することにより、焼成前の生の積層体が得られる。
この生の積層体は、焼成炉において、所定の雰囲気・温度にて焼成され、セラミック焼結体を含んだセラミック積層体が得られる。このとき、上述のセラミック原料粉末は低温での焼結が可能であるため、導体膜の主成分がＡｌである場合には、Ａｌとセラミックの共焼結が可能である。また、Ａｌは、セラミック中のＢｉが揮発しない、例えば大気雰囲気での焼結が可能であるため、共焼結した場合にも誘電体セラミックの組成がずれにくいという利点を有する。
このセラミック積層体の内部電極の引き出された箇所に対し、外部電極が形成されることによって、積層セラミックコンデンサが完成する。外部電極の形成方法には、ガラスフリットとＣｕやＡｇ等の金属粒子とを含むペーストを塗布し、焼き付ける方法等が挙げられる。さらに、この外部電極の表面には、必要に応じてＮｉ、Ｓｎなどのめっき層が形成される。
なお、本発明の積層セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、セラミック多層基板など様々な電子部品に適用可能である。
［実験例］
まず、固相合成法を利用して粉末を作製し、これを仮焼することで、表１に示すビスマス層状化合物の主成分粉末を得た。
まず、固相合成法を利用して粉末を作製し、これを仮焼することで、表１に示すビスマス層状化合物の主成分粉末を得た。
次に、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、ＢａＣＯ3、ＺｎＯ、Ｌｉ2ＣＯ3の各粉末を準備した。これらの粉末を主成分粉末中のＴｉの含有量４００モル部またはＮｂの含有量２００モル部に対するＢｉ、Ｃｕ、Ｂａ、ＺｎおよびＬｉの追加の含有量が表１のモル部となるように秤量して、主成分粉末に混合した。そして、ポリビニルブチラール系の有機バインダを加えて混合し、トルエンを含む有機溶媒を加えてボールミルにより２４時間湿式混合して、これをセラミックスラリーとした。このセラミックスラリーを、焼成後の厚さが５μｍになる厚さでシート成形を行い、セラミックグリーンシートを得た。
なお、得られたセラミッククリーンシートをＩＣＰ発光分光分析したところ、表１に示した調合組成とほとんど同一であることが確認された。
次に、このセラミックグリーンシート上に、Ａｌ粉末を含むペースト膜を印刷により形成した。その後、ペースト膜が引き出されている部分が互い違いになるように５層積層した。また、ペースト膜が印刷されていないセラミックグリーンシートをその上下に１００枚ずつ積層した。
この生の積層体を大気中にて２８０℃で６時間加熱し、有機バインダを除去した。その後、連続式焼成炉を用いて大気中にて昇降温１００℃／分、最高温度８５０℃で焼成した。
得られた焼結体は２．０×１．２×１．０ｍｍの大きさで、内部電極の厚さは２μｍ、内部電極の対向面積は１．７×１０-6ｍ2であった。
なお、得られた焼結体を溶剤により溶解し、ＩＣＰ発光分光分析したところ、内部電極成分のＡｌを除いては、表１に示した組成と殆ど同一であることが確認された。
また、得られた焼結体のＸＲＤ構造解析を行ったところ、ビスマス層状構造を有することが確認された。
得られた焼結体の内部電極が引き出されている端面に、Ａｇとエポキシ樹脂を含むペーストを塗布して、１８０℃で硬化させた。
得られた試料について、１５０℃での誘電率を測定した。まず、２０個の試料について、−５５℃〜１８０℃の範囲において自動ブリッジ式測定器を利用して、１ｋＨｚ，１．０Ｖｒｍｓの条件で静電容量を測定し、１５０℃での誘電率を算出した。
また、１０個の試料について、１９０℃５０Ｖの条件で高温負荷試験を行った。そして、各試料の故障時間から平均故障時間を算出した。
各条件の試料における、誘電率と平均故障時間の結果を表１にまとめる。
試料番号１〜１２は、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
試料番号１３〜１８は、ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
試料番号１９〜２４は、ＣａＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15を主成分として、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、及びＬｉの含有量を変化させ、その影響をみたものである。
表１の結果より、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、かつ、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満である誘電体セラミックでは、１５０℃での誘電率が高く、ＭＴＴＦも１００時間以上となった。
本発明の誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品、特に積層セラミックコンデンサやセラミック多層基板などに応用可能であり、これらの小型化、高性能化に貢献するものである。
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ セラミック層
４、５ 内部電極
６、７ 端面
８、９ 外部電極
１０、１１ 第１のめっき層
１２，１３ 第２のめっき層
２ 積層体
３ セラミック層
４、５ 内部電極
６、７ 端面
８、９ 外部電極
１０、１１ 第１のめっき層
１２，１３ 第２のめっき層
Claims (4)
- 積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量 が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 積層されている複数の誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層間の界面に沿って形成されている複数の内部電極と、を有する積層体と、前記積層体の外表面に形成され、前記内部電極と電気的に接続されている複数の外部電極と、を備える積層セラミックコンデンサにおいて、
前記積層体の組成が、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とし、さらに、Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉのうちの少なくとも１種とＢｉを含有し、
前記積層体を溶剤により溶解したときの、Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記内部電極の主成分がＡｌであることを特徴とする請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
- Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｎｂを含むビスマス層状化合物およびＣａ、Ｂｉ、Ｔｉを含むビスマス層状化合物のいずれか１種を主成分とする主成分粉末を用意する工程と、
Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種を用意する工程と、
Ｂｉ化合物を用意する工程と、
前記主成分粉末、前記Ｃｕ化合物、Ｂａ化合物、Ｚｎ化合物およびＬｉ化合物のうちの少なくとも１種、前記Ｂｉ化合物を混合し、その後、セラミックスラリーを得る工程と、 前記セラミックスラリーからセラミックグリーンシートを得る工程と、
前記セラミックグリーンシートと、内部電極層と、を積み重ねて焼成前の積層体を得る工程と、
前記焼成前の積層体を焼成して、誘電体層間に内部電極が形成された積層体を得る工程と、を備える積層セラミックコンデンサの製造方法であって、
Ｔｉの含有量を４００モル部としたとき、または Ｎｂの含有量を２００モル部としたとき、
（Ｂｉの含有量−Ｔｉの含有量）、または （Ｂｉの含有量−Ｎｂの含有量）が１モル部以上７．５モル部未満であり、
Ｃｕ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｌｉの合計含有量が１モル部以上１０モル部未満であることを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013507443A JP5590224B2 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011068194 | 2011-03-25 | ||
| JP2011068194 | 2011-03-25 | ||
| JP2013507443A JP5590224B2 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| PCT/JP2012/057266 WO2012133077A1 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 積層セラミックコンデンサ、誘電体セラミック、積層セラミック電子部品および積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2012133077A1 JPWO2012133077A1 (ja) | 2014-07-28 |
| JP5590224B2 true JP5590224B2 (ja) | 2014-09-17 |
Family
ID=46930805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013507443A Active JP5590224B2 (ja) | 2011-03-25 | 2012-03-22 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9202626B2 (ja) |
| JP (1) | JP5590224B2 (ja) |
| WO (1) | WO2012133077A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101602782B1 (ko) * | 2014-07-03 | 2016-03-11 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 마킹 방법 |
| JP2016060647A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトＥｐｃｏｓ Ａｇ | 誘電体組成物、誘電体素子、電子部品および積層電子部品 |
| JP6887655B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2021-06-16 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | ビスマス系誘電体用電極及びキャパシタ |
| CN110317055B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-01 | Tdk株式会社 | 介电组合物和电子部件 |
| CN110317056B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-01 | Tdk株式会社 | 电介质组合物及电子部件 |
| CN110317054B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-03-01 | Tdk株式会社 | 介电组合物和电子部件 |
| JP2020202220A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| CN114455944B (zh) * | 2022-01-28 | 2022-11-11 | 厦门乃尔电子有限公司 | 一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000313662A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Kyocera Corp | 磁器組成物 |
| WO2004065669A1 (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法 |
| WO2004065668A1 (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法 |
| JP2005187228A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Tdk Corp | 圧電セラミックス原料粉末、圧電セラミックスおよびその製造方法、圧電素子 |
| JP2006073685A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Tdk Corp | 積層体ユニットおよび薄膜容量素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002033845A (ja) | 2001-04-20 | 2002-01-31 | Sogo Musen:Kk | 一人暮しの老人、寝たきり老人をはじめ障害を抱えている多くの家庭と社会福祉、ヘルパー、医療保健、行政等の各機関を高速通信ネット化すると共にカメラ付き送受信器は操作簡単としクイック対応出来る様にセンターを設け携帯端末、固定電話、ｃａｔｖ等の回線又は無線を利用する地域社会対応のデジタル双方向福祉テレビ電話システムである。 |
| JP3783678B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2006-06-07 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック用原料粉末の製造方法、誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP5294441B2 (ja) | 2006-03-30 | 2013-09-18 | 双信電機株式会社 | 電子部品 |
| WO2009037922A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ |
| CN102498081B (zh) * | 2009-09-07 | 2015-09-23 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷组成物和积层陶瓷电容器 |
| JP5321848B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2013-10-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2012206890A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Tdk Corp | 半導体セラミックおよび積層型半導体セラミックコンデンサ |
-
2012
- 2012-03-22 WO PCT/JP2012/057266 patent/WO2012133077A1/ja active Application Filing
- 2012-03-22 JP JP2013507443A patent/JP5590224B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-19 US US14/031,198 patent/US9202626B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000313662A (ja) * | 1999-04-28 | 2000-11-14 | Kyocera Corp | 磁器組成物 |
| WO2004065669A1 (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法 |
| WO2004065668A1 (ja) * | 2003-01-21 | 2004-08-05 | Tdk Corporation | 薄膜容量素子用組成物、高誘電率絶縁膜、薄膜容量素子、薄膜積層コンデンサおよび薄膜容量素子の製造方法 |
| JP2005187228A (ja) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Tdk Corp | 圧電セラミックス原料粉末、圧電セラミックスおよびその製造方法、圧電素子 |
| JP2006073685A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Tdk Corp | 積層体ユニットおよび薄膜容量素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9202626B2 (en) | 2015-12-01 |
| WO2012133077A1 (ja) | 2012-10-04 |
| US20140016243A1 (en) | 2014-01-16 |
| JPWO2012133077A1 (ja) | 2014-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5590224B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP5811103B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| KR101494851B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조방법 | |
| JP5804064B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| US9275797B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor, dielectric ceramic, multilayer ceramic electronic component, and method for manufacturing multilayer ceramic capacitor | |
| US10242801B2 (en) | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of multilayer ceramic capacitor | |
| JP2011184279A (ja) | 誘電体セラミック、及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP5838968B2 (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミック電子部品、およびこれらの製造方法 | |
| JP2020155523A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| WO2013018789A1 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP6707850B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| WO2012023406A1 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| KR101504583B1 (ko) | 적층 세라믹 콘덴서 및 적층 세라믹 콘덴서의 제조 방법 | |
| JP7037945B2 (ja) | セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP2004323315A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造方法並びにそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
| US8748329B2 (en) | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic electronic component | |
| KR20130042578A (ko) | 유전체 세라믹, 적층 세라믹 콘덴서, 및 이들의 제조방법 | |
| JP5312275B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| CN115403370B (zh) | 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件 | |
| JP2022088409A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| CN115403369A (zh) | 电介质组合物及层叠陶瓷电子部件 | |
| JP5295083B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140701 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140714 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5590224 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |