CN114455944B - 一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,其化学计量式为Ca(1‑x)Li2xBi4Ti4‑y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,0<x<0.1,0<y≤0.2,0<z≤0.6。该铋层状结构压电陶瓷材料具备压电性能优异、介电损耗低、居里温度高和高温电阻率高的优点,同时制备工艺简单稳定,操作方便,适合工业生产。
Description
技术领域
本发明涉及压电陶瓷材料领域,特别涉及一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
压电加速度计的核心敏感元件是压电材料,压电材料的性能优异与否直接决定了压电加速度计的优劣,因此针对提高压电材料性能的研究就显得至关重要。常见的压电材料一般可分为压电单晶与陶瓷,如铌酸锂单晶的压电常数高,居里温度高,但存在着制备工艺复杂,技术难度高等不利因素,因此成本居高不下,难以工业化大规模应用。而锆钛酸铅体系压电陶瓷的居里温度不超过400℃,钪酸铋-钛酸铅体系压电陶瓷居里温度可达450℃,但其使用温度仍不超过350℃,均无法满足高温服役所需。
铋层状结构压电陶瓷中的CaBi4Ti4O15(CBT)拥有理想的高居里温度(780℃)和优异高温电阻率(7×105Ω·cm@600℃),但其压电常数较低,仅为7.5pC/N,改性提高CaBi4Ti4O15体系压电陶瓷的压电性能具备很好的研究意义。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术中存在的不足,提出一种铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法,该铋层状结构压电陶瓷材料具备压电性能优异、介电损耗低、居里温度高和高温电阻率高的优点,同时制备工艺简单稳定,操作方便,适合工业生产。为此,本发明采用以下技术方案:
一种铋层状结构压电陶瓷材料,其化学计量式为Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,0<x<0.1,0<y≤0.2,0<z≤0.6。
基于相同的发明构思,本实施例还提供上述的铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:S1、球磨,按照化学计量比称取各种原料放入球磨罐中混合球磨,得球磨料;S2、二次球磨,将所述球磨料烘干后模压成块体进行预烧结,得预烧结粉料,将所述预烧结粉料放入球磨罐中进行二次球磨,得二次球磨料;S3、成型,将所述二次球磨料烘干后充分研磨,加入粘合剂进行研磨造粒,得造粒粉体,将所述造粒粉体过筛后压制成型,进行排胶处理,得陶瓷坯体;S4、烧结,将所述陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,得到烧结陶瓷片;S5、极化:将所述烧结陶瓷片两面抛光并印刷上电极,置于硅油中施加电压进行极化,得所述铋层状结构压电陶瓷材料。
优选的,所述步骤S1中,所述原料包括碳酸钙CaCO3、氧化铋Bi2O3、氧化钛TiO2、三氧化二镍Ni2O3、氧化钨WO3、碳酸锂Li2CO3和氧化锌ZnO。
优选的,所述步骤S1中,所述球磨罐中还放入玛瑙球和无水乙醇,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,球磨的时间为10~12小时;所述步骤S2中,所述球磨罐中还放入玛瑙球和无水乙醇,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,二次球磨的时间为24~48小时,烘干的温度为120℃;所述步骤S3中,烘干的温度为120℃。
优选的,所述步骤S2中,模压的压力为10~30MPa,预烧结的条件为:升温速率为3~5℃/min,升温至750~900℃,保温时间为2~4小时。
优选的,所述粘合剂为聚乙烯醇PVA水溶液,所述聚乙烯醇PVA水溶液的质量浓度为10%,所述聚乙烯醇PVA水溶液的质量为所述原料的总质量的8~12%。
优选的,过筛的目数为80目,压制成型的压力为2~30MPa,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至700~750℃,保温时间为2~4小时。
优选的,所述步骤S4中,烧结的温度为1100~1250℃,时间为2~4小时。
优选的,所述步骤S5中,在两面抛光的所述烧结陶瓷片上被铂再烧铂作为电极,烧铂的温度为900℃,时间为20~40分钟。
优选的,所述步骤S5中,极化的温度为180~240℃,电场强度为10~12kV/mm,时间为30~40分钟。
本技术方案的有益之处在于:
1、本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料具备压电性能优异、介电损耗低、居里温度高和高温电阻率高的优点;
2、本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料采用传统的固相反应法即可制备,制备工艺简单稳定,操作方便,适于大规模工业生产的推广,具有实际的应用价值和广泛的应用前景;
3、本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料在高温电子器件中具有实际应用价值,可满足高温压电加速度计的应用。
附图说明
图1为实施例二中制备得到的铋层状结构压电陶瓷材料的介电温谱图;
图2为实施例一至三中制备得到的铋层状结构压电陶瓷材料的退极化温度图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、特征和优点更加的清晰,以下结合附图及实施例,对本发明的具体实施方式做出更为详细的说明,在下面的描述中,阐述了很多具体的细节以便于充分的理解本发明,但是本发明能够以很多不同于描述的其他方式来实施。因此,本发明不受以下公开的具体实施的限制。
实施例一
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.01,z=0.3的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨12小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以20MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为5℃/min,升温至750℃,保温时间为2小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨24小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的8%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以2MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至700℃,保温时间为3小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1100℃,时间为4小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧20分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于180℃硅油中施加10kV/mm的直流电场保持30分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
在其他实施例中,烧结陶瓷片上印刷的电极材料也可以为金。
实施例二
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.03,z=0.3的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨10小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以30MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为3℃/min,升温至855℃,保温时间为3小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨48小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的12%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以30MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至750℃,保温时间为2小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1150℃,时间为3小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧40分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于220℃硅油中施加12kV/mm的直流电场保持30分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
实施例三
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.05,z=0.3的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨11小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以20MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为4℃/min,升温至900℃,保温时间为4小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨30小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的9%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以20MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至750℃,保温时间为3小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1250℃,时间为2小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧30分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于240℃硅油中施加11kV/mm的直流电场保持40分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
实施例四
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.08,z=0.3的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨10小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以30MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为3℃/min,升温至855℃,保温时间为3小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨48小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的12%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以30MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至750℃,保温时间为2小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1150℃,时间为3小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧40分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于220℃硅油中施加12kV/mm的直流电场保持30分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
实施例五
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.1,z=0.3的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨10小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以30MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为3℃/min,升温至855℃,保温时间为3小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨48小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的12%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以30MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至750℃,保温时间为2小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1150℃,时间为3小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧40分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于220℃硅油中施加12kV/mm的直流电场保持30分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
实施例六
本实施例提供一种铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,制备符合化学组成Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,y=0.05,z=0.6的改性压电陶瓷材料。
本实施例所述的方法包括以下步骤:
S1、球磨,按照上述计量比称取分析纯的原料CaCO3(99.99%)、Bi2O3(99.99%)、TiO2(99.9%)、Ni2O3(99.99%)、WO3(99%)、Li2CO3(99.8%)和ZnO(99%)放入球磨罐中混合,同时将玛瑙球和无水乙醇一并放入球磨罐中,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,进行球磨10小时,得球磨料。
S2、二次球磨,将球磨料在120℃下烘干,烘干后以30MPa的压力模压成块体进行预烧结,预烧结的条件为:升温速率为3℃/min,升温至855℃,保温时间为3小时,得预烧结粉料。将预烧结粉料二次球磨48小时,得二次球磨料。
S3、成型,将二次球磨料烘干后充分研磨,加入PVA水溶液进行研磨造粒,PVA的质量浓度为10%,加入的PVA水溶液的质量为原料的总质量的12%,得造粒粉体,将造粒粉体过80目筛后,以30MPa的压力压制成直径为10毫米的薄圆坯,进行排胶处理排除PVA胶水,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至750℃,保温时间为2小时,得陶瓷坯体。
S4、烧结,将陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,烧结的温度为1150℃,时间为3小时,得烧结陶瓷片。
S5、极化:将烧结陶瓷片两面抛光,被铂电极再于900℃下烧40分钟。将印刷上电极的烧结陶瓷片置于220℃硅油中施加12kV/mm的直流电场保持30分钟进行极化,得本实施例所述的铋层状结构压电陶瓷材料。
压电性能检测
分别检测实施例一至六制备的铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能,检测结果见表1。
表1铋层状结构压电陶瓷材料的压电性能检测结果
相比未改性的CaBi4Ti4O15压电陶瓷材料,本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料在保持了低介电损耗、高居里温度和优异的高温体电阻率的前提下,材料的压电常数得到大幅提高。其中,参照附图1,实施例二制备的材料的居里温度达到798℃。参照附图2,实施例二制备的材料的退极化温度达到700℃。参照表1,实施例二制备的材料的压电常数达到23pC/N。
综合来说,本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料兼具高居里温度、低介电损耗和优异的高温电阻率(600℃)的优点,同时,具有较高的压电常数,可满足高温压电加速度计等高温压电器件在高温环境下服役使用的需求。
本发明提供的铋层状结构压电陶瓷材料采用传统的固相反应法即可制备,制备工艺简单稳定,操作方便,适于大规模工业生产的推广,具有实际的应用价值和广泛的应用前景。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种铋层状结构压电陶瓷材料,其特征在于,其化学计量式为Ca(1-x)Li2xBi4Ti4-y(Ni2/3W1/3)yO15+z wt%ZnO,其中,x=0.05,0<y≤0.1,0<z≤0.6。
2.一种如权利要求1所述的铋层状结构压电陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、球磨,按照化学计量比称取各种原料放入球磨罐中混合球磨,得球磨料;
S2、二次球磨,将所述球磨料烘干后模压成块体进行预烧结,得预烧结粉料,将所述预烧结粉料放入球磨罐中进行二次球磨,得二次球磨料;
S3、成型,将所述二次球磨料烘干后充分研磨,加入粘合剂进行研磨造粒,得造粒粉体,将所述造粒粉体过筛后压制成型,进行排胶处理,得陶瓷坯体;
S4、烧结,将所述陶瓷坯体放入密闭坩埚中进行烧结,得到烧结陶瓷片;
S5、极化:将所述烧结陶瓷片两面抛光并印刷上电极,置于硅油中施加电压进行极化,得所述铋层状结构压电陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述原料包括碳酸钙CaCO3、氧化铋Bi2O3、氧化钛TiO2、三氧化二镍Ni2O3、氧化钨WO3、碳酸锂Li2CO3和氧化锌ZnO。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述球磨罐中还放入玛瑙球和无水乙醇,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,球磨的时间为10~12小时;
所述步骤S2中,所述球磨罐中还放入玛瑙球和无水乙醇,原料、玛瑙球和无水乙醇的质量比为1:3:1,二次球磨的时间为24~48小时,烘干的温度为120℃;
所述步骤S3中,烘干的温度为120℃。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,模压的压力为10~30MPa,预烧结的条件为:升温速率为3~5℃/min,升温至750~900℃,保温时间为2~4小时。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,所述粘合剂为聚乙烯醇PVA水溶液,所述聚乙烯醇PVA水溶液的质量浓度为10%,所述聚乙烯醇PVA水溶液的质量为所述原料的总质量的8~12%。
7.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,过筛的目数为80目,压制成型的压力为2~30MPa,排胶处理的条件为:升温速率为1℃/min,升温至700~750℃,保温时间为2~4小时。
8.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S4中,烧结的温度为1100~1250℃,时间为2~4小时。
9.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,在两面抛光的所述烧结陶瓷片上被铂再烧铂作为电极,烧铂的温度为900℃,时间为20~40分钟。
10.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中,极化的温度为180~240℃,电场强度为10~12kV/mm,时间为30~40分钟。
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