JP2006073685A - 積層体ユニットおよび薄膜容量素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 金属または合金を含む電極層3と、ビスマス層状化合物を含む誘電体層5との間に、同一の結晶面が膜面に対して平行な導電性セラミックスを含むバッファ層4を有するように積層体ユニット10を構成する。c軸が膜面に対して垂直に配向するように誘電体層5の配向状態が制御されるため、第1に、誘電体層5においてリーク電流が発生しにくくなる。第2に、バッファ層4がキャップ層として機能するため、電極層3中の金属が熱的に凝集しにくくなる。第3に、バッファ層4が拡散バリア層として機能するため、誘電体層5中のビスマス層状化合物のうちのビスマスが電極層3中の金属に熱的に拡散しにくくなる。第4に、電極層3が金属または合金を含んで構成されているため、全体が低抵抗化する。これにより、上記した4つの観点において誘電特性が向上する。
【選択図】 図1
Description
Lnx A1-x BO3 ・・・(5)
(ただし、「Ln」はランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)およびルテチウム(Lu)を含む群のうちの少なくとも1種のランタノイド系希土類元素。「A」はカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「B」はチタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)およびニッケル(Ni)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「A」または「B」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「x」は0≦x≦1。)
(Bi2 O2 )2+(Dm-1 Em O3m+1)2-・・・(6)
(ただし、「D」はナトリウム(Na)、カリウム(K)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)およびビスマス(Bi)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「E」は鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、アンチモン(Sb)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)およびタングステン(W)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「D」または「E」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「m」は正の整数。)
Lnx A1-x BO3 ・・・(7)
(ただし、「Ln」はランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)およびルテチウム(Lu)を含む群のうちの少なくとも1種のランタノイド系希土類元素。「A」はカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「B」はチタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)およびニッケル(Ni)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「A」または「B」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「x」は0≦x≦1。)
(Bi2 O2 )2+(Dm-1 Em O3m+1)2-・・・(8)
(ただし、「D」はナトリウム(Na)、カリウム(K)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)およびビスマス(Bi)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「E」は鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、アンチモン(Sb)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)およびタングステン(W)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「D」または「E」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「m」は正の整数。)
Claims (22)
- 金属または合金を含む電極と、同一の結晶面が膜面に対して平行な導電性セラミックスを含むバッファ層と、c軸が膜面に対して垂直に配向したビスマス層状化合物を含む誘電体層とがこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする積層体ユニット。 - 前記バッファ層のうちの前記同一の結晶面が、立方晶、正方晶、斜方晶または単斜晶における(100)面、(010)面または(001)面のうちのいずれかである
ことを特徴とする請求項1記載の積層体ユニット。 - 前記導電性セラミックスが、導電性ペロブスカイト化合物を含んでいる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の積層体ユニット。 - 前記導電性ペロブスカイト化合物が、下記の化学量論的組成式(1)で表される組成を有している
ことを特徴とする請求項3記載の積層体ユニット。
Lnx A1-x BO3 ・・・(1)
(ただし、「Ln」はランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)およびルテチウム(Lu)を含む群のうちの少なくとも1種のランタノイド系希土類元素。「A」はカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「B」はチタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)およびニッケル(Ni)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「A」または「B」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「x」は0≦x≦1。) - 前記導電性ペロブスカイト化合物が、ニッケル酸ランタン(LaNiO3 )である
ことを特徴とする請求項4記載の積層体ユニット。 - 前記金属または合金が、白金(Pt)、ニッケル(Ni)および銅(Cu)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素を含んでいる
ことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の積層体ユニット。 - 前記電極と前記バッファ層との間の界面が、エピタキシャル成長されたものではないのに対して、
前記バッファ層と前記誘電体層との間の界面のうちの少なくとも一部が、エピタキシャル成長されたものである
ことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の積層体ユニット。 - 前記バッファ層の結晶構造が、c軸が膜面に対して垂直に配向するように前記ビスマス層状化合物を成長させることが可能な第1の結晶方位に配向しており、
前記電極の結晶構造が、前記第1の結晶方位とは異なる第2の結晶方位に配向している
ことを特徴とする請求項7記載の積層体ユニット。 - 前記ビスマス層状化合物が、下記の化学量論的組成式(2)で表される組成を有している
ことを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の積層体ユニット。
(Bi2 O2 )2+(Dm-1 Em O3m+1)2-・・・(2)
(ただし、「D」はナトリウム(Na)、カリウム(K)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)およびビスマス(Bi)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「E」は鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、アンチモン(Sb)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)およびタングステン(W)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「D」または「E」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「m」は正の整数。) - 前記化学量論的組成式(2)中のmの値が、偶数である
ことを特徴とする請求項9記載の積層体ユニット。 - 前記mの値が、4である
ことを特徴とする請求項10記載の積層体ユニット。 - 金属または合金を含む第1の電極と、同一の結晶面が膜面に対して平行な導電性セラミックスを含むバッファ層と、c軸が膜面に対して垂直に配向したビスマス層状化合物を含む誘電体層と、第2の電極とがこの順に積層された積層構造を有している
ことを特徴とする薄膜容量素子。 - 前記バッファ層のうちの前記同一の結晶面が、立方晶、正方晶、斜方晶または単斜晶における(100)面、(010)面または(001)面のうちのいずれかである
ことを特徴とする請求項12記載の薄膜容量素子。 - 前記導電性セラミックスが、導電性ペロブスカイト化合物を含んでいる
ことを特徴とする請求項12または請求項13に記載の薄膜容量素子。 - 前記導電性ペロブスカイト化合物が、下記の化学量論的組成式(3)で表される組成を有している
ことを特徴とする請求項14記載の薄膜容量素子。
Lnx A1-x BO3 ・・・(3)
(ただし、「Ln」はランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)およびルテチウム(Lu)を含む群のうちの少なくとも1種のランタノイド系希土類元素。「A」はカルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)およびバリウム(Ba)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「B」はチタン(Ti)、バナジウム(V)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)およびニッケル(Ni)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「A」または「B」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「x」は0≦x≦1。) - 前記導電性ペロブスカイト化合物が、ニッケル酸ランタン(LaNiO3 )である
ことを特徴とする請求項15記載の薄膜容量素子。 - 前記金属または合金が、白金(Pt)、ニッケル(Ni)および銅(Cu)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素を含んでいる
ことを特徴とする請求項12ないし請求項16のいずれか1項に記載の薄膜容量素子。 - 前記第1の電極と前記バッファ層との間の界面が、エピタキシャル成長されたものではないのに対して、
前記バッファ層と前記誘電体層との間の界面のうちの少なくとも一部が、エピタキシャル成長されたものである
ことを特徴とする請求項12ないし請求項17のいずれか1項に記載の薄膜容量素子。 - 前記バッファ層の結晶構造が、c軸が膜面に対して垂直に配向するように前記ビスマス層状化合物を成長させることが可能な第1の結晶方位に配向しており、
前記第1の電極の結晶構造が、前記第1の結晶方位とは異なる第2の結晶方位に配向している
ことを特徴とする請求項18記載の薄膜容量素子。 - 前記ビスマス層状化合物が、下記の化学量論的組成式(4)で表される組成を有している
ことを特徴とする請求項12ないし請求項19のいずれか1項に記載の薄膜容量素子。
(Bi2 O2 )2+(Dm-1 Em O3m+1)2-・・・(4)
(ただし、「D」はナトリウム(Na)、カリウム(K)、鉛(Pb)、バリウム(Ba)、ストロンチウム(Sr)、カルシウム(Ca)およびビスマス(Bi)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。「E」は鉄(Fe)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ガリウム(Ga)、チタン(Ti)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、アンチモン(Sb)、マンガン(Mn)、バナジウム(V)、モリブデン(Mo)およびタングステン(W)を含む群のうちの少なくとも1種の金属元素。なお、「D」または「E」を2種類以上の金属元素で構成する場合、その2種類以上の金属元素の比率は任意に設定可能である。「m」は正の整数。) - 前記化学量論的組成式(4)中のmの値が、偶数である
ことを特徴とする請求項20記載の薄膜容量素子。 - 前記mの値が、4である
ことを特徴とする請求項21記載の薄膜容量素子。
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JP2009231514A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2010161330A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-07-22 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
JP5590224B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2016044350A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 誘電体薄膜 |
WO2019159236A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造装置 |
WO2020261347A1 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
CN113594361A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-02 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313097A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜、製造方法及び強誘電体薄膜を含んでなる素子 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313097A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-11-24 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜、製造方法及び強誘電体薄膜を含んでなる素子 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231514A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子 |
JP2010161330A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-07-22 | Hitachi Cable Ltd | 圧電薄膜素子 |
JP5590224B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-09-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
JP2016044350A (ja) * | 2014-08-26 | 2016-04-04 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 誘電体薄膜 |
WO2019159236A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造装置 |
WO2020261347A1 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | シャープ株式会社 | 発光素子 |
CN113594361A (zh) * | 2021-07-27 | 2021-11-02 | 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 | 相变薄膜、相变存储器及相变存储器的操作方法 |
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