JP2001273816A - 導電性ペースト - Google Patents
導電性ペーストInfo
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- JP2001273816A JP2001273816A JP2000085530A JP2000085530A JP2001273816A JP 2001273816 A JP2001273816 A JP 2001273816A JP 2000085530 A JP2000085530 A JP 2000085530A JP 2000085530 A JP2000085530 A JP 2000085530A JP 2001273816 A JP2001273816 A JP 2001273816A
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- conductive paste
- conductive
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 銀は高湿度雰囲気で直流負荷時にイオン化し
て正極側から負極側に移動し、負極側にて析出して成長
するいわゆる銀マイグレーション現象を引き起こす性質
がある。これによって電子回路内の絶縁劣化が起こり、
電子機器の電気諸特性の変調を来たすし、最悪の場合、
短絡による電子機器の破壊に至る。 【解決手段】 銀粉を導電性粒子として含有する導電性
ペーストにおいて、銀粉１００重量部に対して、１次粒
子径が数１０〜数１００ｎｍのインジウム錫酸化物粉末
０．５〜５０重量部を加えた導電性ペーストで解決し
た。
て正極側から負極側に移動し、負極側にて析出して成長
するいわゆる銀マイグレーション現象を引き起こす性質
がある。これによって電子回路内の絶縁劣化が起こり、
電子機器の電気諸特性の変調を来たすし、最悪の場合、
短絡による電子機器の破壊に至る。 【解決手段】 銀粉を導電性粒子として含有する導電性
ペーストにおいて、銀粉１００重量部に対して、１次粒
子径が数１０〜数１００ｎｍのインジウム錫酸化物粉末
０．５〜５０重量部を加えた導電性ペーストで解決し
た。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、銀粉を導電性粒子
として含有する導電性ペーストに関するものであり、特
に電子部品の端子電極形成やフレキシブルプリント配線
板の導体配線形成あるいはビルドアップ基板のスルーホ
ール穴埋め用等に使用される銀のマイグレーションを抑
止した導電性ペーストに関するものである。
として含有する導電性ペーストに関するものであり、特
に電子部品の端子電極形成やフレキシブルプリント配線
板の導体配線形成あるいはビルドアップ基板のスルーホ
ール穴埋め用等に使用される銀のマイグレーションを抑
止した導電性ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子回路を印刷により簡便に作製した
り、電子部品の実装をはんだ付けに代えて使用する目的
などで導電性ペースト、インク、接着剤等（以下、これ
らを導電性ペーストと略す。）などが使用されてきてい
る。このためにエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミ
ン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル
樹脂など各種熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂に、導
電性付与材として銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉、銀被
覆銅粉等の金属粉を配合した導電性ペーストが広く実用
化されている。各種導電性付与材として用いられる金属
粉のうち、銅粉やニッケル粉は安価であるが酸化しやす
く導電性に難点がある。金粉は酸化しにくく安定である
が非常に高価格なためその利用は限られてくる。銀粉あ
るいは銀被覆銅粉は比較的安価であり導電性も良好なた
め導電ペーストの導電性付与材として広く使用されてい
る。
り、電子部品の実装をはんだ付けに代えて使用する目的
などで導電性ペースト、インク、接着剤等（以下、これ
らを導電性ペーストと略す。）などが使用されてきてい
る。このためにエポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミ
ン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル
樹脂など各種熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂に、導
電性付与材として銀粉、金粉、銅粉、ニッケル粉、銀被
覆銅粉等の金属粉を配合した導電性ペーストが広く実用
化されている。各種導電性付与材として用いられる金属
粉のうち、銅粉やニッケル粉は安価であるが酸化しやす
く導電性に難点がある。金粉は酸化しにくく安定である
が非常に高価格なためその利用は限られてくる。銀粉あ
るいは銀被覆銅粉は比較的安価であり導電性も良好なた
め導電ペーストの導電性付与材として広く使用されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、銀は高
湿度雰囲気で直流負荷時にイオン化して正極側から負極
側に移動し、負極側にて析出して成長するいわゆる銀マ
イグレーション現象（以下、単にマイグレーションと略
す。）を引き起こす性質がある。このマイグレーション
は電子回路内の絶縁体中でも進行するために、これによ
って電子回路内の絶縁劣化が起こり、電子機器の電気諸
特性の変調をきたすし、最悪の場合、短絡による電子機
器の破壊に至るという問題がある。
湿度雰囲気で直流負荷時にイオン化して正極側から負極
側に移動し、負極側にて析出して成長するいわゆる銀マ
イグレーション現象（以下、単にマイグレーションと略
す。）を引き起こす性質がある。このマイグレーション
は電子回路内の絶縁体中でも進行するために、これによ
って電子回路内の絶縁劣化が起こり、電子機器の電気諸
特性の変調をきたすし、最悪の場合、短絡による電子機
器の破壊に至るという問題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決すべく、鋭意検討の結果、優れた導電性と経済
性を有し、かつ長期の実用条件において電気特性の劣化
ならびに短絡障害を起こさない導電性ペーストを開発し
たものである。本発明は、純銀粉、銀を主成分として含
む銀−パラジウム合金粉のような銀合金粉末および表面
に銀を被覆した金属粉（本発明ではこれらを総称して銀
粉と呼ぶ。）を導電性付与材として用い、それらのバイ
ンダー（結合材）として各種有機高分子材料を用いた導
電性ペースト（以下、導電性ペーストと略す。）におい
て、銀粉に錫ドープした酸化インジウム（酸化インジウ
ム・酸化錫複合酸化物、Indium Tin Oxide、以下、ＩＴ
Ｏと略す。）の超微粉を添加することによってマイグレ
ーションが防止できることを見出して本発明を完成する
に至った。
題を解決すべく、鋭意検討の結果、優れた導電性と経済
性を有し、かつ長期の実用条件において電気特性の劣化
ならびに短絡障害を起こさない導電性ペーストを開発し
たものである。本発明は、純銀粉、銀を主成分として含
む銀−パラジウム合金粉のような銀合金粉末および表面
に銀を被覆した金属粉（本発明ではこれらを総称して銀
粉と呼ぶ。）を導電性付与材として用い、それらのバイ
ンダー（結合材）として各種有機高分子材料を用いた導
電性ペースト（以下、導電性ペーストと略す。）におい
て、銀粉に錫ドープした酸化インジウム（酸化インジウ
ム・酸化錫複合酸化物、Indium Tin Oxide、以下、ＩＴ
Ｏと略す。）の超微粉を添加することによってマイグレ
ーションが防止できることを見出して本発明を完成する
に至った。
【０００５】銀のマイグレーションは、次式によって左
から右に進行する反応で、Ａｇイオンが負極側に移行
し、負極で電子をもらって金属Ａｇとして析出する反応
と考えられる。 Ａｇ ⇔ Ａｇ＋ ＋ ｅ− すなわち、Ａｇのイオン化が抑制できればマイグレーシ
ョンも発生しないことになる。そこで、上記の反応が右
から左に進行するようにすれば、Ａｇのイオン化が抑制
されることになる。つまり、銀に対して電子の供給を行
えば良い訳で、電子の供給体であるｎ型半導体がＡｇと
共存すればそれが可能ではないかと考えた。
から右に進行する反応で、Ａｇイオンが負極側に移行
し、負極で電子をもらって金属Ａｇとして析出する反応
と考えられる。 Ａｇ ⇔ Ａｇ＋ ＋ ｅ− すなわち、Ａｇのイオン化が抑制できればマイグレーシ
ョンも発生しないことになる。そこで、上記の反応が右
から左に進行するようにすれば、Ａｇのイオン化が抑制
されることになる。つまり、銀に対して電子の供給を行
えば良い訳で、電子の供給体であるｎ型半導体がＡｇと
共存すればそれが可能ではないかと考えた。
【０００６】導電性があるｎ型の半導体としては、イン
ジウム酸化物、ＩＴＯ、Ｓｂドープ酸化錫（ネサ）、Ｉ
ｎ、Ａｌ、Ｓｉをドープした酸化亜鉛およびＣｄＩｎ２
Ｏ４（ＣＩＯ）、Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）などが公知
であるが、本発明においては、それ自身の電気抵抗が低
く（導電性が良好な）超微粉末として入手が容易なＩＴ
Ｏが好ましく適用できる。
ジウム酸化物、ＩＴＯ、Ｓｂドープ酸化錫（ネサ）、Ｉ
ｎ、Ａｌ、Ｓｉをドープした酸化亜鉛およびＣｄＩｎ２
Ｏ４（ＣＩＯ）、Ｃｄ２ＳｎＯ４（ＣＴＯ）などが公知
であるが、本発明においては、それ自身の電気抵抗が低
く（導電性が良好な）超微粉末として入手が容易なＩＴ
Ｏが好ましく適用できる。
【０００７】導電性ペーストによる導電性発現機構は、
銀粉を用いた導電性ペーストを乾燥・熱硬化などの手段
で皮膜化した場合、バインダーである絶縁体中に、銀粒
子同士の接触により導電路が形成されることによって導
電性が確保されるものと考えられる。
銀粉を用いた導電性ペーストを乾燥・熱硬化などの手段
で皮膜化した場合、バインダーである絶縁体中に、銀粒
子同士の接触により導電路が形成されることによって導
電性が確保されるものと考えられる。
【０００８】ここで、２つの粒子が接触した場合の粒子
の抵抗値Rは、接触抵抗を無視すれば以下の式で与えら
れる。 R＝（Ｒ１ｄ１＋Ｒ２ｄ２）／（ｄ１＋ｄ２） ここで、Ｒ：２つの粒子が接触している場合の全抵抗 Ｒ１：構成する一方の粒子の抵抗率 Ｒ２：構成するもう一方の粒子の抵抗率 ｄ１：構成する一方の粒子の直径 ｄ２：構成するもう一方の粒子の直径
の抵抗値Rは、接触抵抗を無視すれば以下の式で与えら
れる。 R＝（Ｒ１ｄ１＋Ｒ２ｄ２）／（ｄ１＋ｄ２） ここで、Ｒ：２つの粒子が接触している場合の全抵抗 Ｒ１：構成する一方の粒子の抵抗率 Ｒ２：構成するもう一方の粒子の抵抗率 ｄ１：構成する一方の粒子の直径 ｄ２：構成するもう一方の粒子の直径
【０００９】この式で判るように、２つの粒子が同じ銀
粉であれば、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒとなるが、銀粉より高い抵
抗値の粉体と銀粉の組み合わせで、Ｒ１（銀）＜Ｒ
２（銀以外の粒子）とすると、必ずＲ＞Ｒ１となる。ま
た、上式から分かるように、Ｒ１＜Ｒ２であってもｄ１
＞＞ｄ２であれば、Ｒは限りなくＲ１に近づくことも判
る。即ち、粒径がミクロンサイズの銀粉にナノメートル
サイズ粒径をもつｎ型半導体のＩＴＯを混合しても、銀
の高い導電性をそれほど損なわずに導電性ペーストがえ
られることが容易に理解できる。本発明の導電性ペース
トに用いられる銀粉は球形、立方体、鱗片状など様々な
形状のものが用いられ、またそのサイズも数〜数１０μ
ｍの範囲で様々な粒径のものが用いられている。尚、本
発明において純銀粒子以外に銀−パラジウム合金で代表
される各種銀合金の粉末や銀を被覆した銅粉末も用いる
ことができる。
粉であれば、Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒとなるが、銀粉より高い抵
抗値の粉体と銀粉の組み合わせで、Ｒ１（銀）＜Ｒ
２（銀以外の粒子）とすると、必ずＲ＞Ｒ１となる。ま
た、上式から分かるように、Ｒ１＜Ｒ２であってもｄ１
＞＞ｄ２であれば、Ｒは限りなくＲ１に近づくことも判
る。即ち、粒径がミクロンサイズの銀粉にナノメートル
サイズ粒径をもつｎ型半導体のＩＴＯを混合しても、銀
の高い導電性をそれほど損なわずに導電性ペーストがえ
られることが容易に理解できる。本発明の導電性ペース
トに用いられる銀粉は球形、立方体、鱗片状など様々な
形状のものが用いられ、またそのサイズも数〜数１０μ
ｍの範囲で様々な粒径のものが用いられている。尚、本
発明において純銀粒子以外に銀−パラジウム合金で代表
される各種銀合金の粉末や銀を被覆した銅粉末も用いる
ことができる。
【００１０】本発明に使用できる超微粉ＩＴＯとして
は、銀粉より桁違いに粒子径が小さいものが好ましい。
超微粒子であるＩＴＯとしては各種市販品があり、それ
らを本発明に用いることができる。その例としては、Ｎ
ａｎｏＴｅｋ ＩＴＯの商品名でシーアイ化成株式会社
から、ＰＡＳＳＴＲＡＮ ＩＴＯの商品名で三井金属鉱
業株式会社を挙げることができる。カタログによれば、
前者は平均粒子径約１００ｎｍ、体積抵抗率０．６２Ω
・ｃｍ、後者は直径約２０〜３０ｎｍ、体積抵抗率１．
００×１０−２Ω・ｃｍといわれている。ここで、体積
抵抗率はこれらの粉末を押し固めた形で測定したもので
あり、ＩＴＯ粒子一つ一つの体積抵抗率は１０−４Ω・
ｃｍレベルにあると考えられ、それは銀の体積抵抗率
１．６×１０− ６Ω・ｃｍに比べ２桁程度高い抵抗値で
ある。また、粒子サイズは銀粒子より１〜２桁低い粒径
を有する。尚、インジュウム酸化物がＮａｎｏＴｅｋ酸
化インジウムの商品名でシーアイ化成株式会社から、市
販されている。これは、カタログによれば平均粒子径が
約５０ｎｍで好ましいサイズであるが、体積抵抗率が圧
粉体での体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍと大きく本発明に
は適用するには好ましくない。
は、銀粉より桁違いに粒子径が小さいものが好ましい。
超微粒子であるＩＴＯとしては各種市販品があり、それ
らを本発明に用いることができる。その例としては、Ｎ
ａｎｏＴｅｋ ＩＴＯの商品名でシーアイ化成株式会社
から、ＰＡＳＳＴＲＡＮ ＩＴＯの商品名で三井金属鉱
業株式会社を挙げることができる。カタログによれば、
前者は平均粒子径約１００ｎｍ、体積抵抗率０．６２Ω
・ｃｍ、後者は直径約２０〜３０ｎｍ、体積抵抗率１．
００×１０−２Ω・ｃｍといわれている。ここで、体積
抵抗率はこれらの粉末を押し固めた形で測定したもので
あり、ＩＴＯ粒子一つ一つの体積抵抗率は１０−４Ω・
ｃｍレベルにあると考えられ、それは銀の体積抵抗率
１．６×１０− ６Ω・ｃｍに比べ２桁程度高い抵抗値で
ある。また、粒子サイズは銀粒子より１〜２桁低い粒径
を有する。尚、インジュウム酸化物がＮａｎｏＴｅｋ酸
化インジウムの商品名でシーアイ化成株式会社から、市
販されている。これは、カタログによれば平均粒子径が
約５０ｎｍで好ましいサイズであるが、体積抵抗率が圧
粉体での体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍと大きく本発明に
は適用するには好ましくない。
【００１１】また、銀粉に対するＩＴＯ超微粉の比率
は、銀粉１００重量部に対して０．５〜５０重量部、好
ましくは１〜３０重量部が好ましい。この比率以下では
マイグレーション防止効果が低く、この範囲を超えると
導電性が悪くなる傾向があり、また現状では超微粉ＩＴ
Ｏが高価であるので経済的に好ましくない。
は、銀粉１００重量部に対して０．５〜５０重量部、好
ましくは１〜３０重量部が好ましい。この比率以下では
マイグレーション防止効果が低く、この範囲を超えると
導電性が悪くなる傾向があり、また現状では超微粉ＩＴ
Ｏが高価であるので経済的に好ましくない。
【００１２】導電性付与材のバインダーとしては、従来
から使用されてきているエポキシ樹脂,フェノール樹脂,
メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂など各種熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂
が無溶剤あるいは溶剤希釈の形で使用できる。また導電
性ペーストの流動性、分散性、安定性などを制御するた
めの界面活性剤、チクソ性付与材、カーボンブラックな
どを配合することもできる。
から使用されてきているエポキシ樹脂,フェノール樹脂,
メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ア
クリル樹脂など各種熱硬化性樹脂あるいは熱可塑性樹脂
が無溶剤あるいは溶剤希釈の形で使用できる。また導電
性ペーストの流動性、分散性、安定性などを制御するた
めの界面活性剤、チクソ性付与材、カーボンブラックな
どを配合することもできる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに詳細に
説明する。 （実施例１）、（比較例１）以下の組成からなる銀ペー
ストを作製した。 球形銀粉（平均粒径７μｍ） １５ｇ 鱗片状銀粉（平均粒径１５μｍ） ２１ｇ ポリエステル ４ｇ 超微粉末シリカ ０．５ｇ 有機溶剤 １０ｇ これらの銀ペースト１００重量部に対して、各種粉末を
１、５、１０、１５重量部の割合（これらは、銀粉１０
０重量部に換算すると、それぞれ約１．４、６．９、１
３．９、２０．８重量部となる）で配合しロール分散を
行って表１に示すペーストを作製した。これらをＰＥＴ
（ポリエステル）フィルムにスクリーン印刷で１ｍｍ幅
長さ１ｍに印刷し、１２０℃３０分熱処理して厚さ約１
０数μｍ程度の導電路を作製し、その抵抗値から体積抵
抗率を求めた。また、ＰＥＴフィルムに幅２ｍｍ、線
（電極）間２ｍｍに印刷し、上記と同様にして硬化した
ものの電極間に水滴を置き、直流３０Ｖを印加して、電
極間抵抗が急激に低下するまでの時間を測定した（これ
をウオータードロップ試験と呼び、電極間の抵抗が急激
に下がる時間をマイグレーション時間と呼ぶ）。
説明する。 （実施例１）、（比較例１）以下の組成からなる銀ペー
ストを作製した。 球形銀粉（平均粒径７μｍ） １５ｇ 鱗片状銀粉（平均粒径１５μｍ） ２１ｇ ポリエステル ４ｇ 超微粉末シリカ ０．５ｇ 有機溶剤 １０ｇ これらの銀ペースト１００重量部に対して、各種粉末を
１、５、１０、１５重量部の割合（これらは、銀粉１０
０重量部に換算すると、それぞれ約１．４、６．９、１
３．９、２０．８重量部となる）で配合しロール分散を
行って表１に示すペーストを作製した。これらをＰＥＴ
（ポリエステル）フィルムにスクリーン印刷で１ｍｍ幅
長さ１ｍに印刷し、１２０℃３０分熱処理して厚さ約１
０数μｍ程度の導電路を作製し、その抵抗値から体積抵
抗率を求めた。また、ＰＥＴフィルムに幅２ｍｍ、線
（電極）間２ｍｍに印刷し、上記と同様にして硬化した
ものの電極間に水滴を置き、直流３０Ｖを印加して、電
極間抵抗が急激に低下するまでの時間を測定した（これ
をウオータードロップ試験と呼び、電極間の抵抗が急激
に下がる時間をマイグレーション時間と呼ぶ）。
【００１４】（表１） ここで、ＩＴＯ−ＡはＰＡＳＳＴＲＡＮ ＩＴＯ、ＩＴ
Ｏ−ＢはＮａｎｏＴｅｋＩＴＯである。
Ｏ−ＢはＮａｎｏＴｅｋＩＴＯである。
【００１５】上記の表でＩＴＯ−Ｂを２５部配合した導
電性ペースト(実施例１)とＩＴＯを含まない導電性ペー
スト（比較例１）をＰＥＴ基板上にＪＩＳ２型（線幅
０．３１８ｍｍ、線間０．３１８ｍｍ）のくし型電極状
に印刷し１２０℃３０分硬化した。これを４０℃９５％
ＲＨの恒温層中槽中に直流５０Ｖを印加して連続的に表
面絶縁抵抗値（ＳＩＲ）を測定した結果、比較例１は９
６時間で１０７Ωレベルに低下したのに対し、実施例１
の試料は１０１５Ωレベルを維持していた。 尚、実施
例１、比較例１のくし型電極基板の初期ＳＩＲは共に２
×１０１５Ωであった。
電性ペースト(実施例１)とＩＴＯを含まない導電性ペー
スト（比較例１）をＰＥＴ基板上にＪＩＳ２型（線幅
０．３１８ｍｍ、線間０．３１８ｍｍ）のくし型電極状
に印刷し１２０℃３０分硬化した。これを４０℃９５％
ＲＨの恒温層中槽中に直流５０Ｖを印加して連続的に表
面絶縁抵抗値（ＳＩＲ）を測定した結果、比較例１は９
６時間で１０７Ωレベルに低下したのに対し、実施例１
の試料は１０１５Ωレベルを維持していた。 尚、実施
例１、比較例１のくし型電極基板の初期ＳＩＲは共に２
×１０１５Ωであった。
【００１６】（実施例２）、（比較例２）導電性粒子と
して実施例１に示した混合銀粉１００重量部とＩＴＯ超
微粉末（ＮａｎｏＴｅｋ ＩＴＯ）２０ｇを混合し、こ
れにバインダーとして以下の組成のもの ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂 １００ｇ 硬化剤（三弗化ホウ素・モノエチルアミン錯体）５ｇ を１９重量部添加して無溶剤１液型導電性接着剤を作製
した。これを紙−フェノール銅張積層板（厚さ１．６ｍ
ｍ、穴径０．８ｍｍ直径）のスルーホールにスクリーン
印刷で充填し、８０℃３０分、１５０℃３０分熱硬化し
て配線板をえた。その結果、スルーホールの抵抗は１穴
当たり１７ｍΩであり、隣り合うスルーホール間の絶縁
抵抗は１０８Ω以上であった。この配線板を１２５℃３
０分〜−６５℃３０分の冷熱サイクル試験を１０００サ
イクル繰り返した後のスルーホール抵抗は２０ｍΩ／穴
のレベルを維持していた。また、４０℃９０％ＲＨ中、
隣り合うスルーホール同士に５０Ｖの直流を印加して１
０００時間後のスルーホール間の絶縁抵抗を測定した結
果、１０８Ω以上を保持していた。尚、比較のためＩＴ
Ｏを含まない導電性ペーストの場合（比較例２）には、
上記試験でスルーホール間の抵抗が１０７Ω以下に低下
した。
して実施例１に示した混合銀粉１００重量部とＩＴＯ超
微粉末（ＮａｎｏＴｅｋ ＩＴＯ）２０ｇを混合し、こ
れにバインダーとして以下の組成のもの ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂 １００ｇ 硬化剤（三弗化ホウ素・モノエチルアミン錯体）５ｇ を１９重量部添加して無溶剤１液型導電性接着剤を作製
した。これを紙−フェノール銅張積層板（厚さ１．６ｍ
ｍ、穴径０．８ｍｍ直径）のスルーホールにスクリーン
印刷で充填し、８０℃３０分、１５０℃３０分熱硬化し
て配線板をえた。その結果、スルーホールの抵抗は１穴
当たり１７ｍΩであり、隣り合うスルーホール間の絶縁
抵抗は１０８Ω以上であった。この配線板を１２５℃３
０分〜−６５℃３０分の冷熱サイクル試験を１０００サ
イクル繰り返した後のスルーホール抵抗は２０ｍΩ／穴
のレベルを維持していた。また、４０℃９０％ＲＨ中、
隣り合うスルーホール同士に５０Ｖの直流を印加して１
０００時間後のスルーホール間の絶縁抵抗を測定した結
果、１０８Ω以上を保持していた。尚、比較のためＩＴ
Ｏを含まない導電性ペーストの場合（比較例２）には、
上記試験でスルーホール間の抵抗が１０７Ω以下に低下
した。
【００１７】（実施例３）、（比較例３）導電性粒子と
して実施例１に示した混合銀粉１００重量部とＩＴＯ超
微粉末（ＰＡＳＳＴＲＡ ＩＴＯ）２０ｇを混合し、こ
れにバインダーとしてレゾール型フェノール樹脂を固形
分換算で１１重量部、ポリビニルブチラール５．４重量
部を加えて自動乳鉢で混合し、レゾール型フェノール樹
脂のアルコール系溶剤を除去した。これにブチルカルビ
トール１５ｇを加えてよく混合した後、三本ロールでさ
らに混練してから、更にブチルカルビトール１４ｇを加
えて導電性ペーストを作製した。これをガラス・エポキ
シ基板に導体幅０．５ｍｍ、導体間隔０．５ｍｍにスク
リーン印刷でくし型パターンを形成した。これを１５０
℃３０分熱処理した。導体厚１５μｍでＳＩＲは１０
１２Ω以上であった。このくし型電極パターンを有する
基板を４０℃９０％ＲＨに、隣接する回路間に５０Ｖを
印加して５００時間後のＳＩＲは１０１２Ω以上を維持
していた。比較例３として、同様の実験をＩＴＯを含ま
ないもので同様の実験を行なった結果、初期ＳＩＲは１
０１２Ω以上であったが、４０℃９０％ＲＨ、５０Ｖ印
加を５００時間行なったものは、１０７Ω以下に低下し
ていた。
して実施例１に示した混合銀粉１００重量部とＩＴＯ超
微粉末（ＰＡＳＳＴＲＡ ＩＴＯ）２０ｇを混合し、こ
れにバインダーとしてレゾール型フェノール樹脂を固形
分換算で１１重量部、ポリビニルブチラール５．４重量
部を加えて自動乳鉢で混合し、レゾール型フェノール樹
脂のアルコール系溶剤を除去した。これにブチルカルビ
トール１５ｇを加えてよく混合した後、三本ロールでさ
らに混練してから、更にブチルカルビトール１４ｇを加
えて導電性ペーストを作製した。これをガラス・エポキ
シ基板に導体幅０．５ｍｍ、導体間隔０．５ｍｍにスク
リーン印刷でくし型パターンを形成した。これを１５０
℃３０分熱処理した。導体厚１５μｍでＳＩＲは１０
１２Ω以上であった。このくし型電極パターンを有する
基板を４０℃９０％ＲＨに、隣接する回路間に５０Ｖを
印加して５００時間後のＳＩＲは１０１２Ω以上を維持
していた。比較例３として、同様の実験をＩＴＯを含ま
ないもので同様の実験を行なった結果、初期ＳＩＲは１
０１２Ω以上であったが、４０℃９０％ＲＨ、５０Ｖ印
加を５００時間行なったものは、１０７Ω以下に低下し
ていた。
【００１８】
【発明の効果】本発明になる導電性ペーストは、優れた
導電性を有し、かつマイグレーションの発生が抑止でき
るという特徴を有した工業的にきわめて有用な導電性ペ
ーストである。
導電性を有し、かつマイグレーションの発生が抑止でき
るという特徴を有した工業的にきわめて有用な導電性ペ
ーストである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 1/09 Ｈ０５Ｋ 1/09 Ａ (72)発明者 師岡 功 東京都八王子市諏訪町251番地 株式会社 アサヒ化学研究所内 (72)発明者 大場 洋一 東京都東大和市立野―1293―10グリーンタ ウン２―303 (72)発明者 岩佐 山大 東京都八王子市諏訪町251番地 株式会社 アサヒ化学研究所内 (72)発明者 安井 至 東京都目黒区上目黒５−24−２テラスワイ ズ301 Ｆターム(参考） 4E351 AA01 AA06 AA16 BB01 BB22 BB24 BB31 CC11 CC20 DD05 DD35 DD52 EE02 EE03 GG12 4J002 BG041 BG051 CC181 CD001 CF001 CM041 DA076 DE097 FA087 5G301 DA03 DA23 DD01
Claims (2)
- 【請求項１】 銀粉を導電性粒子として含有する導電性
ペーストにおいて、銀粉１００重量部に対して、1次粒
子径が数１０〜数１００ｎｍのインジウム錫酸化物粉末
０．５〜５０重量部を加えたことを特徴とする導電性ペ
ースト。 - 【請求項２】銀粉を導電性粒子として含有する導電性ペ
ーストにおいて、銀粉１００重量部に対して、1次粒子
径が数１０〜数１００ｎｍのインジウム錫酸化物粉末１
〜３０重量部を加えたことを特徴とする導電性ペース
ト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085530A JP2001273816A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 導電性ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000085530A JP2001273816A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 導電性ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001273816A true JP2001273816A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18601856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000085530A Pending JP2001273816A (ja) | 2000-03-27 | 2000-03-27 | 導電性ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001273816A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203304A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 混合導電粉 |
| JP2007201142A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Sony Corp | Ａｇ配線基板 |
| JPWO2006022258A1 (ja) * | 2004-08-27 | 2008-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法 |
| US7659568B2 (en) | 2004-08-27 | 2010-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method for adjusting equivalent series resistance thereof |
-
2000
- 2000-03-27 JP JP2000085530A patent/JP2001273816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203304A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 混合導電粉 |
| JPWO2006022258A1 (ja) * | 2004-08-27 | 2008-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその等価直列抵抗調整方法 |
| US7659568B2 (en) | 2004-08-27 | 2010-02-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Monolithic ceramic capacitor and method for adjusting equivalent series resistance thereof |
| JP2007201142A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Sony Corp | Ａｇ配線基板 |
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