JPH06349668A - セラミック電子部品 - Google Patents
セラミック電子部品Info
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- JPH06349668A JPH06349668A JP14040593A JP14040593A JPH06349668A JP H06349668 A JPH06349668 A JP H06349668A JP 14040593 A JP14040593 A JP 14040593A JP 14040593 A JP14040593 A JP 14040593A JP H06349668 A JPH06349668 A JP H06349668A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半田付け性に優れ、しかも接着強度の良好な
外部電極を有するセラミック電子部品を提供すること。 【構成】 セラミック電子部品としての積層チップイン
ダクタ１は、セラミック素体２，内部電極３，外部電極
４を有する。外部電極４は、セラミック素体２の上に形
成されセラミック素体２との密着が良好な第１層４ａ
と、この第１層４ａの上に形成され半田付け性が良好な
第２層４ｂとから構成されている。第１層４ａによりセ
ラミック素体との密着性が良好となり、第２層４ｂによ
り半田付け性が良好となる。第２層４ｂに、ほう素，け
い素，タングステン又はそれらの酸化物のうち少なくと
も１種の物質を含有するので、銅又はニッケルの酸化を
防ぐことができる。
外部電極を有するセラミック電子部品を提供すること。 【構成】 セラミック電子部品としての積層チップイン
ダクタ１は、セラミック素体２，内部電極３，外部電極
４を有する。外部電極４は、セラミック素体２の上に形
成されセラミック素体２との密着が良好な第１層４ａ
と、この第１層４ａの上に形成され半田付け性が良好な
第２層４ｂとから構成されている。第１層４ａによりセ
ラミック素体との密着性が良好となり、第２層４ｂによ
り半田付け性が良好となる。第２層４ｂに、ほう素，け
い素，タングステン又はそれらの酸化物のうち少なくと
も１種の物質を含有するので、銅又はニッケルの酸化を
防ぐことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、積層チップインダクタ
や積層チップコンデンサ等の各種のセラミック電子部品
に関し、より詳しくは外部電極の構造に関する。
や積層チップコンデンサ等の各種のセラミック電子部品
に関し、より詳しくは外部電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のセラミック電子部品の外部電極
は、その多くが銀をペースト化して焼き付けたものであ
り、必ずしも半田付け性に優れているとはいえなかっ
た。このため、近年の小型化に伴って多用されてきたチ
ップ型のセラミック電子部品の場合は、殆どがその焼付
け電極の上に、ニッケル及び錫のめっきを行っていた。
しかしながら、そのめっきを施した際にセラミック素体
中にめっき液が侵入し、それが残存することで時に特性
劣化に至るという問題があった。
は、その多くが銀をペースト化して焼き付けたものであ
り、必ずしも半田付け性に優れているとはいえなかっ
た。このため、近年の小型化に伴って多用されてきたチ
ップ型のセラミック電子部品の場合は、殆どがその焼付
け電極の上に、ニッケル及び錫のめっきを行っていた。
しかしながら、そのめっきを施した際にセラミック素体
中にめっき液が侵入し、それが残存することで時に特性
劣化に至るという問題があった。
【０００３】そこで、最近、接着型の導電ペーストを外
部電極として使用するという内容の提案がされるように
なってきている。しかしながら、このような導電ペース
トは、セラミック素体との接着性が不十分であり、ま
た、内部電極を有するセラミック電子部品に用いた場合
には、内部電極との接触性も良好でなく実用上問題があ
る。
部電極として使用するという内容の提案がされるように
なってきている。しかしながら、このような導電ペース
トは、セラミック素体との接着性が不十分であり、ま
た、内部電極を有するセラミック電子部品に用いた場合
には、内部電極との接触性も良好でなく実用上問題があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記事情に鑑みてなされたものであり、半田付け性に優
れ、しかも接着強度の良好な外部電極を有するセラミッ
ク電子部品を提供することを目的とする。
記事情に鑑みてなされたものであり、半田付け性に優
れ、しかも接着強度の良好な外部電極を有するセラミッ
ク電子部品を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１記載のセラミック電子部品は、セラミック素
体の上に外部電極を有するセラミック電子部品におい
て、前記外部電極は、前記素体の上に形成され、銀又は
銅を主成分とするガラスを含有する第１層と、この第１
層の上に形成され、銅又はニッケルを主成分とする、ほ
う素，けい素，タングステン又はそれらの酸化物のうち
少なくとも１種の物質を含有する第２層とを具備するこ
とを有することを特徴とするものである。
に請求項１記載のセラミック電子部品は、セラミック素
体の上に外部電極を有するセラミック電子部品におい
て、前記外部電極は、前記素体の上に形成され、銀又は
銅を主成分とするガラスを含有する第１層と、この第１
層の上に形成され、銅又はニッケルを主成分とする、ほ
う素，けい素，タングステン又はそれらの酸化物のうち
少なくとも１種の物質を含有する第２層とを具備するこ
とを有することを特徴とするものである。
【０００６】また、請求項２記載のセラミック電子部品
は、前記第１層は、銀又は銅を主成分とするガラスを含
有する層と、この層の上に形成した銀又は銅を主成分と
するガラスを含有しない層との２層構造であることを特
徴とするものである。
は、前記第１層は、銀又は銅を主成分とするガラスを含
有する層と、この層の上に形成した銀又は銅を主成分と
するガラスを含有しない層との２層構造であることを特
徴とするものである。
【０００７】また、請求項３記載のセラミック電子部品
は、前記第２層の銅又はニッケルは、表面に銀の層を有
する金属粉の焼結体であることを特徴とするものであ
る。
は、前記第２層の銅又はニッケルは、表面に銀の層を有
する金属粉の焼結体であることを特徴とするものであ
る。
【０００８】また、請求項４記載のセラミック電子部品
は、前記第２層は、連続した空隙の多いポーラスな構造
であることを特徴とするものである。
は、前記第２層は、連続した空隙の多いポーラスな構造
であることを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項５記載のセラミック電子部品
は、前記第２層の上に、半田又は錫から成る第３層を形
成したことを特徴とするものである。
は、前記第２層の上に、半田又は錫から成る第３層を形
成したことを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】請求項１記載のセラミック電子部品によれば、
ガラスを含有する第１層によりセラミック素体との密着
性が良好となり、銅又はニッケルを主成分とする第２層
により半田付け性が良好となり、このようにそれぞれの
役割を明確に分担して構成することによって、外部電極
は半田付け性に優れ、しかも接着強度が良好なものとな
る。また、第２層に、ほう素，けい素，タングステン又
はそれらの酸化物のうち少なくとも１種の物質を含有す
るので、銅又はニッケルの酸化を防ぐことができる。
ガラスを含有する第１層によりセラミック素体との密着
性が良好となり、銅又はニッケルを主成分とする第２層
により半田付け性が良好となり、このようにそれぞれの
役割を明確に分担して構成することによって、外部電極
は半田付け性に優れ、しかも接着強度が良好なものとな
る。また、第２層に、ほう素，けい素，タングステン又
はそれらの酸化物のうち少なくとも１種の物質を含有す
るので、銅又はニッケルの酸化を防ぐことができる。
【００１１】請求項２記載のセラミック電子部品によれ
ば、第１層が銀又は銅を主成分とするガラスを含有する
層と、この層の上に形成した銀又は銅を主成分とするガ
ラスを含有しない層との２層構造であることにより、第
２層との密着性が向上する。
ば、第１層が銀又は銅を主成分とするガラスを含有する
層と、この層の上に形成した銀又は銅を主成分とするガ
ラスを含有しない層との２層構造であることにより、第
２層との密着性が向上する。
【００１２】請求項３記載のセラミック電子部品によれ
ば、第２層が表面に銀の層を有した銅又はニッケル粉の
焼結体であることによって、より半田付け性に優れたも
のとなる。
ば、第２層が表面に銀の層を有した銅又はニッケル粉の
焼結体であることによって、より半田付け性に優れたも
のとなる。
【００１３】請求項４記載のセラミック電子部品によれ
ば、第２層が連続した空隙の多いポーラスな構造である
ため、半田付けの際、半田が空隙部に侵入して強固に結
合するので、強度が良好となる。
ば、第２層が連続した空隙の多いポーラスな構造である
ため、半田付けの際、半田が空隙部に侵入して強固に結
合するので、強度が良好となる。
【００１４】請求項５記載のセラミック電子部品によれ
ば、第２層の上に形成された半田又は錫から成る第３層
により、半田付け性がより良好になる。
ば、第２層の上に形成された半田又は錫から成る第３層
により、半田付け性がより良好になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳述
する。
する。
【００１６】図１は本発明のセラミック電子部品の第１
の実施例としての積層チップインダクタ１を示す断面図
である。
の実施例としての積層チップインダクタ１を示す断面図
である。
【００１７】この積層チップインダクタ１は、フェライ
ト材料等から成るセラミック素体２と、銀等から成る内
部電極３と、外部電極４とから構成されている。
ト材料等から成るセラミック素体２と、銀等から成る内
部電極３と、外部電極４とから構成されている。
【００１８】前記外部電極４は、セラミック素体２の上
に形成された第１層４ａと、この第１層４ａの上に形成
された第２層４ｂとから構成されている。
に形成された第１層４ａと、この第１層４ａの上に形成
された第２層４ｂとから構成されている。
【００１９】第１層４ａは、銀又は銅を主成分とするガ
ラスを含有するものであるが、本実施例では、セラミッ
ク素体２上に銀粉末とガラスとを主成分とする導電ペー
ストを塗布した後、ガラスの軟化点以上の温度で焼き付
けて形成したものである。これにより、セラミック素体
２との密着が良好となる。なお、第１層４ａは、銀又は
銅を主成分とするガラスを含有する層と、この層の上に
形成した銀又は銅を主成分とするガラスを含有しない層
との２層構造としてもよい。この場合は、第２層４ｂと
の密着性が向上する。また、第１層４ａの導電ペースト
は、銀粉末，ガラス粉末及び有機ビヒクルから成るが、
銀粉の代わりに銅粉でも良く、また若干のパラジウムを
含有しても良い。また、ガラス粉末は、主にほう硅酸鉛
系のガラスフリットが用いられるが、これに限るもので
はない。
ラスを含有するものであるが、本実施例では、セラミッ
ク素体２上に銀粉末とガラスとを主成分とする導電ペー
ストを塗布した後、ガラスの軟化点以上の温度で焼き付
けて形成したものである。これにより、セラミック素体
２との密着が良好となる。なお、第１層４ａは、銀又は
銅を主成分とするガラスを含有する層と、この層の上に
形成した銀又は銅を主成分とするガラスを含有しない層
との２層構造としてもよい。この場合は、第２層４ｂと
の密着性が向上する。また、第１層４ａの導電ペースト
は、銀粉末，ガラス粉末及び有機ビヒクルから成るが、
銀粉の代わりに銅粉でも良く、また若干のパラジウムを
含有しても良い。また、ガラス粉末は、主にほう硅酸鉛
系のガラスフリットが用いられるが、これに限るもので
はない。
【００２０】第２層４ｂは、銅又はニッケルを主成分と
する、ほう素，けい素，タングステン又はそれらの酸化
物のうち少なくとも１種の物質を含有するものである
が、本実施例では、第１層４ａの上に銅粉とほう素とを
主成分とする導電ペーストを塗布した後、焼き付けて形
成したものである。これにより、半田付け性が良好とな
る。なお、第２層４ｂの銅又はニッケルは、表面に銀の
層を有する金属粉の焼結体としてもよい。この場合は、
より半田付け性に優れたものとなる。また、第２層４ｂ
は、連続した空隙の多いポーラスな構造としてもよい。
この場合は、半田付けの際、半田が空隙部に侵入して強
固に結合するので、強度が良好となる。更に、ほう素は
銅粉に対して１乃至２０WT％であることが望ましい。ま
た、第１層４ａ及び第２層４ｂの金属粉末の粒径は、ペ
ーストとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば
０．１乃至５μｍ程度とすることが望ましい。
する、ほう素，けい素，タングステン又はそれらの酸化
物のうち少なくとも１種の物質を含有するものである
が、本実施例では、第１層４ａの上に銅粉とほう素とを
主成分とする導電ペーストを塗布した後、焼き付けて形
成したものである。これにより、半田付け性が良好とな
る。なお、第２層４ｂの銅又はニッケルは、表面に銀の
層を有する金属粉の焼結体としてもよい。この場合は、
より半田付け性に優れたものとなる。また、第２層４ｂ
は、連続した空隙の多いポーラスな構造としてもよい。
この場合は、半田付けの際、半田が空隙部に侵入して強
固に結合するので、強度が良好となる。更に、ほう素は
銅粉に対して１乃至２０WT％であることが望ましい。ま
た、第１層４ａ及び第２層４ｂの金属粉末の粒径は、ペ
ーストとして使用するのに都合のよい大きさ、例えば
０．１乃至５μｍ程度とすることが望ましい。
【００２１】次に、前記外部電極４の一形成方法につい
て説明する。
て説明する。
【００２２】セラミック素体２を形成するＣｕ−Ｚｕ−
Ｃｏ系のフェライト材料と、内部電極３を形成する銀と
からなる素地（例えば２．０×１．２×０．９ｍｍ）を
用意し、これに外部電極４の第１層４ａとして銀粉末，
ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び有機ビヒクルから成
る導電ペーストを塗布して６５０℃で１時間焼き付け
る。次に、第２層４ｂとして銅粉，ほう素及び有機ビヒ
クルから成る導電ペーストを塗布し、６００℃で１時間
空気中で焼き付ける。このようにして、外部電極４が形
成される。
Ｃｏ系のフェライト材料と、内部電極３を形成する銀と
からなる素地（例えば２．０×１．２×０．９ｍｍ）を
用意し、これに外部電極４の第１層４ａとして銀粉末，
ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び有機ビヒクルから成
る導電ペーストを塗布して６５０℃で１時間焼き付け
る。次に、第２層４ｂとして銅粉，ほう素及び有機ビヒ
クルから成る導電ペーストを塗布し、６００℃で１時間
空気中で焼き付ける。このようにして、外部電極４が形
成される。
【００２３】このように構成された上記第１の実施例に
よれば、第２層４ｂの金属粉末に半田付け性に優れた金
属である銅粉を用いているので、半田濡れ性は２１５℃
で０．５秒以内、半田耐熱性も３００℃で１０秒以上と
なり、良好な半田付け性が得られる。また、ほう素の配
合によって銅酸化を防ぐことができるため、空気中での
焼成ができるようになる。また、第１層４ａとして銀と
ガラスをセラミック素体２の上に焼き付けて形成したの
で、端子引張り強度は５Ｋｇ以上、撓み試験も３ｍｍ以
上となり、セラミック素体２との良好な密着性が得られ
るようになる。従って、半田付け性に優れ、しかも接着
強度の良好な外部電極４を有し、十分に実用的な積層チ
ップインダクタ１を提供することができる。
よれば、第２層４ｂの金属粉末に半田付け性に優れた金
属である銅粉を用いているので、半田濡れ性は２１５℃
で０．５秒以内、半田耐熱性も３００℃で１０秒以上と
なり、良好な半田付け性が得られる。また、ほう素の配
合によって銅酸化を防ぐことができるため、空気中での
焼成ができるようになる。また、第１層４ａとして銀と
ガラスをセラミック素体２の上に焼き付けて形成したの
で、端子引張り強度は５Ｋｇ以上、撓み試験も３ｍｍ以
上となり、セラミック素体２との良好な密着性が得られ
るようになる。従って、半田付け性に優れ、しかも接着
強度の良好な外部電極４を有し、十分に実用的な積層チ
ップインダクタ１を提供することができる。
【００２４】図２は本発明のセラミック電子部品の第２
の実施例としての積層チップコンデンサ１０を示す断面
図である。
の実施例としての積層チップコンデンサ１０を示す断面
図である。
【００２５】この積層チップコンデンサ１０は、チタン
酸バリウム系のセラミック材料等から成るセラミック素
体１２と、パラジウム等から成る内部電極１３と、外部
電極１４とから構成されている。
酸バリウム系のセラミック材料等から成るセラミック素
体１２と、パラジウム等から成る内部電極１３と、外部
電極１４とから構成されている。
【００２６】前記外部電極１４は、セラミック素体１２
の上に形成された第１層１４ａと、この第１層１４ａの
上に形成された第２層１４ｂと、この第２層１４ｂの上
に形成された第３層１４ｃとから構成されている。
の上に形成された第１層１４ａと、この第１層１４ａの
上に形成された第２層１４ｂと、この第２層１４ｂの上
に形成された第３層１４ｃとから構成されている。
【００２７】第１層１４ａは、銀又は銅を主成分とする
ガラスを含有するものであるが、本実施例では、第１の
実施例と同様に、セラミック素体１２の上に銀粉末とガ
ラスとを主成分とする導電ペーストを塗布した後、ガラ
スの軟化点以上の温度で焼き付けて形成したものであ
る。これにより、セラミック素体２との密着が良好とな
る。なお、第２層１４ａは、第１の実施例と同様に、他
の構成としてもよい。
ガラスを含有するものであるが、本実施例では、第１の
実施例と同様に、セラミック素体１２の上に銀粉末とガ
ラスとを主成分とする導電ペーストを塗布した後、ガラ
スの軟化点以上の温度で焼き付けて形成したものであ
る。これにより、セラミック素体２との密着が良好とな
る。なお、第２層１４ａは、第１の実施例と同様に、他
の構成としてもよい。
【００２８】第２層１４ｂは、銅又はニッケルを主成分
とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれらの酸
化物のうち少なくとも１種の物質を含有するものである
が、本実施例では、第１層１４ａの上にニッケル及びほ
う素の合金粉とほう素とを主成分とする導電ペーストを
塗布した後、焼き付けて形成し、連続した空隙の多いポ
ーラスな構造としたものである。これにより、半田付け
性が良好となる。なお、第２層４ｂは、第１の実施例と
同様に他の構成としてもよい。
とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれらの酸
化物のうち少なくとも１種の物質を含有するものである
が、本実施例では、第１層１４ａの上にニッケル及びほ
う素の合金粉とほう素とを主成分とする導電ペーストを
塗布した後、焼き付けて形成し、連続した空隙の多いポ
ーラスな構造としたものである。これにより、半田付け
性が良好となる。なお、第２層４ｂは、第１の実施例と
同様に他の構成としてもよい。
【００２９】第３層１４ｃは、半田から成るが、錫から
成るものでもよい。
成るものでもよい。
【００３０】次に、前記外部電極１４の一形成方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００３１】セラミック素体１２を形成するチタン酸バ
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとから成る素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意し、これに外部電極１４の第１層１
４ａとして銀粉末，ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び
有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布して６５０℃
で１時間焼き付ける。次に、第２層１４ｂとして銅粉，
ほう素及び有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布
し、６００℃で１時間空気中で焼き付け、更に、第３層
１４ｃとして、これにフラックスを塗布し、２３０℃の
半田槽にディップして、表面に半田層を形成する。この
ようにして、外部電極１４が形成される。
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとから成る素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意し、これに外部電極１４の第１層１
４ａとして銀粉末，ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び
有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布して６５０℃
で１時間焼き付ける。次に、第２層１４ｂとして銅粉，
ほう素及び有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布
し、６００℃で１時間空気中で焼き付け、更に、第３層
１４ｃとして、これにフラックスを塗布し、２３０℃の
半田槽にディップして、表面に半田層を形成する。この
ようにして、外部電極１４が形成される。
【００３２】このように構成された上記第２の実施例に
よれば、外部電極１４の最外層である第３層１４ｃが半
田から成るので、第１の実施例よりも良好な半田付け性
及び第１の実施例と同等以上のセラミック素体との良好
な密着性が得られる。すなわち、図３の第３層１４ｃが
形成された後の詳細断面図に示すように、第３層１４ｃ
の半田は、第２層１４ｂに侵入して第２層１４ｂ内の空
隙部を埋めていき、部分的に第１層１４ａまで到達して
第３層１４ｃと第１層１４ａが直接結合することで、密
着強度が向上する。従って、半田付け性に優れ、しかも
接着強度の良好な外部電極１４を有し、十分に実用的な
積層チップコンデンサ１０を提供することができる。
よれば、外部電極１４の最外層である第３層１４ｃが半
田から成るので、第１の実施例よりも良好な半田付け性
及び第１の実施例と同等以上のセラミック素体との良好
な密着性が得られる。すなわち、図３の第３層１４ｃが
形成された後の詳細断面図に示すように、第３層１４ｃ
の半田は、第２層１４ｂに侵入して第２層１４ｂ内の空
隙部を埋めていき、部分的に第１層１４ａまで到達して
第３層１４ｃと第１層１４ａが直接結合することで、密
着強度が向上する。従って、半田付け性に優れ、しかも
接着強度の良好な外部電極１４を有し、十分に実用的な
積層チップコンデンサ１０を提供することができる。
【００３３】また、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を変更しない範囲内で種々に変形
実施可能であり、また本発明は積層チップインダクタや
積層チップコンデンサのみならず、他のセラミック電子
部品における外部電極についても、同様に適用できる。
のではなく、その要旨を変更しない範囲内で種々に変形
実施可能であり、また本発明は積層チップインダクタや
積層チップコンデンサのみならず、他のセラミック電子
部品における外部電極についても、同様に適用できる。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した請求項１記載の発明によれ
ば、セラミック素体上に形成される銀又は銅を主成分と
するガラスを含有する第１層と、銀又はニッケル粉を主
成分とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれら
の酸化物の内少なくとも１種を含有する第２層により、
外部電極を構成しているので、半田付け性に優れ、しか
も接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部
品を提供することができる。
ば、セラミック素体上に形成される銀又は銅を主成分と
するガラスを含有する第１層と、銀又はニッケル粉を主
成分とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれら
の酸化物の内少なくとも１種を含有する第２層により、
外部電極を構成しているので、半田付け性に優れ、しか
も接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部
品を提供することができる。
【００３５】請求項２記載の発明によれば、第１層を銀
又は銅を主成分とするガラスを含有する層と、この層の
上に形成した銀又は銅を主成分とするガラスを含有しな
い層との２層構造としているので、第２層との密着性が
向上する。
又は銅を主成分とするガラスを含有する層と、この層の
上に形成した銀又は銅を主成分とするガラスを含有しな
い層との２層構造としているので、第２層との密着性が
向上する。
【００３６】請求項３記載の発明によれば、第２層が表
面に銀の層を有した銅又はニッケル粉の焼結体を主成分
としているので、より半田付け性に優れる。
面に銀の層を有した銅又はニッケル粉の焼結体を主成分
としているので、より半田付け性に優れる。
【００３７】請求項４記載の発明によれば、第２層が連
続した空隙の多いポーラスな構造であるので、半田付け
後の強度が良好となる。
続した空隙の多いポーラスな構造であるので、半田付け
後の強度が良好となる。
【００３８】請求項５記載の発明によれば、第２層の上
に形成された半田又は錫から成る第３層により、半田付
け性がより良好となる。
に形成された半田又は錫から成る第３層により、半田付
け性がより良好となる。
【図１】本発明のセラミック電子部品の第１の実施例と
しての積層チップインダクタを示す断面図。
しての積層チップインダクタを示す断面図。
【図２】本発明のセラミック電子部品の第２の実施例と
しての積層チップコンデンサを示す断面図。
しての積層チップコンデンサを示す断面図。
【図３】第２の実施例において第３層が形成された後の
詳細断面図。
詳細断面図。
１ 積層チップインダクタ（セラミック電子部品） ２，１２ セラミック素体 ４，１４ 外部電極 ４ａ，１４ａ 第１層 ４ｂ，１４ｂ 第２層 １４ｃ 第３層 １０ 積層チップコンデンサ（セラミック電子部品）
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】セラミック素体１２を形成するチタン酸バ
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとから成る素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意し、これに外部電極１４の第１層１
４ａとして銀粉末，ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び
有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布して６５０℃
で１時間焼き付ける。次に、第２層１４ｂとしてニッケ
ルとほう素の合金粉，ほう素及び有機ビヒクルから成る
導電ペーストを塗布し、６００℃で１時間空気中で焼き
付け、更に、第３層１４ｃとして、これにフラックスを
塗布し、２３０℃の半田槽にディップして、表面に半田
層を形成する。このようにして、外部電極１４が形成さ
れる。
リウム系のセラミック材料と、内部電極１３を形成する
パラジウムとから成る素地（例えば２．０×１．２×
０．９ｍｍ）を用意し、これに外部電極１４の第１層１
４ａとして銀粉末，ほう硅酸鉛系のガラスフリット及び
有機ビヒクルから成る導電ペーストを塗布して６５０℃
で１時間焼き付ける。次に、第２層１４ｂとしてニッケ
ルとほう素の合金粉，ほう素及び有機ビヒクルから成る
導電ペーストを塗布し、６００℃で１時間空気中で焼き
付け、更に、第３層１４ｃとして、これにフラックスを
塗布し、２３０℃の半田槽にディップして、表面に半田
層を形成する。このようにして、外部電極１４が形成さ
れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】
【発明の効果】以上詳述した請求項１記載の発明によれ
ば、セラミック素体上に形成される銀又は銅を主成分と
するガラスを含有する第１層と、銅又はニッケル粉を主
成分とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれら
の酸化物の内少なくとも１種を含有する第２層により、
外部電極を構成しているので、半田付け性に優れ、しか
も接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部
品を提供することができる。
ば、セラミック素体上に形成される銀又は銅を主成分と
するガラスを含有する第１層と、銅又はニッケル粉を主
成分とする、ほう素，けい素，タングステン又はそれら
の酸化物の内少なくとも１種を含有する第２層により、
外部電極を構成しているので、半田付け性に優れ、しか
も接着強度の良好な外部電極を有するセラミック電子部
品を提供することができる。
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミック素体の上に外部電極を有する
セラミック電子部品において、前記外部電極は、前記素
体の上に形成され、銀又は銅を主成分とするガラスを含
有する第１層と、この第１層の上に形成され、銅又はニ
ッケルを主成分とする、ほう素，けい素，タングステン
又はそれらの酸化物のうち少なくとも１種の物質を含有
する第２層とを具備することを有することを特徴とする
セラミック電子部品。 - 【請求項２】 前記第１層は、銀又は銅を主成分とする
ガラスを含有する層と、この層の上に形成した銀又は銅
を主成分とするガラスを含有しない層との２層構造であ
ることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部
品。 - 【請求項３】 前記第２層の銅又はニッケルは、表面に
銀の層を有する金属粉の焼結体であることを特徴とする
請求項１又は２記載のセラミック電子部品。 - 【請求項４】 前記第２層は、連続した空隙の多いポー
ラスな構造であることを特徴とする請求項１乃至３記載
のセラミック電子部品。 - 【請求項５】 前記第２層の上に、半田又は錫から成る
第３層を形成したことを特徴とする請求項１乃至４記載
のセラミック電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040593A JPH06349668A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | セラミック電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14040593A JPH06349668A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | セラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349668A true JPH06349668A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15268003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14040593A Pending JPH06349668A (ja) | 1993-06-11 | 1993-06-11 | セラミック電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349668A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101508540B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2015-04-06 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
-
1993
- 1993-06-11 JP JP14040593A patent/JPH06349668A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101508540B1 (ko) * | 2013-08-09 | 2015-04-06 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 적층 세라믹 전자부품 및 적층 세라믹 전자부품 내장형 인쇄회로기판 |
| US9390852B2 (en) | 2013-08-09 | 2016-07-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic part to be embedded in board and printed circuit board having multilayer ceramic electronic part embedded therein |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020108 |