JPS5830194A - セラミック多層配線基板の製造法 - Google Patents
セラミック多層配線基板の製造法Info
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- JPS5830194A JPS5830194A JP12803381A JP12803381A JPS5830194A JP S5830194 A JPS5830194 A JP S5830194A JP 12803381 A JP12803381 A JP 12803381A JP 12803381 A JP12803381 A JP 12803381A JP S5830194 A JPS5830194 A JP S5830194A
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- conductor layer
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子回路部品として使用される七う之ツク多層
配線基板およびその製造法に関するものである。
配線基板およびその製造法に関するものである。
混成集積回路などに用いられる従来のセラミック多層配
線基板は、第3図に示されるように、セラミック基板(
1)′上にモリブデン或いはタングステン等の高融点金
属を主成分とする第1の導体層C21′と、該導体層(
21′を一部lIl!呈させる開口(3)′を有する絶
縁層(4)′と、該絶縁層(4)′から前記開口(3)
7部分にわたらせた銀、金等の貴金属厚膜ペーストをも
ってする第2の導体層(5トとを順次設けたものが知ら
れているが、#Iコの導体# (5)’は酸化雰囲気で
焼結されるのが普通であるため、第1の導体層(2シ′
が際化されKくいような成分組成にするなど特別の配慮
が必要である。このため第2の導体層(5)′を銅を主
成分とする厚膜ペーストを用いて中性或い社還元算囲気
で焼結することにより*/の導体層(2)′の酸化を防
止するとともに貴金属よシも安価な材料を用いることを
本出願人は先に特願昭55−103、.211号として
提案したが、第2の導体層(5f上に半導体素子、コン
デンサー、抵抗等の電子部品或いはその電極用リードを
はんだ付けによシ取付けた場合、第1の導体層C2)′
と第2の導体層(6)′との接着強度が不充分でこの部
分で剥離が起きやすく信鎖性KwR履があって用途が限
定される等の同層が残されていた。
線基板は、第3図に示されるように、セラミック基板(
1)′上にモリブデン或いはタングステン等の高融点金
属を主成分とする第1の導体層C21′と、該導体層(
21′を一部lIl!呈させる開口(3)′を有する絶
縁層(4)′と、該絶縁層(4)′から前記開口(3)
7部分にわたらせた銀、金等の貴金属厚膜ペーストをも
ってする第2の導体層(5トとを順次設けたものが知ら
れているが、#Iコの導体# (5)’は酸化雰囲気で
焼結されるのが普通であるため、第1の導体層(2シ′
が際化されKくいような成分組成にするなど特別の配慮
が必要である。このため第2の導体層(5)′を銅を主
成分とする厚膜ペーストを用いて中性或い社還元算囲気
で焼結することにより*/の導体層(2)′の酸化を防
止するとともに貴金属よシも安価な材料を用いることを
本出願人は先に特願昭55−103、.211号として
提案したが、第2の導体層(5f上に半導体素子、コン
デンサー、抵抗等の電子部品或いはその電極用リードを
はんだ付けによシ取付けた場合、第1の導体層C2)′
と第2の導体層(6)′との接着強度が不充分でこの部
分で剥離が起きやすく信鎖性KwR履があって用途が限
定される等の同層が残されていた。
本発明は前記のような問題点を解決したセラミック多層
配線基板およびその製造法を目的として完成されたもの
で、以下、図示の実施例について詳細に説明する。
配線基板およびその製造法を目的として完成されたもの
で、以下、図示の実施例について詳細に説明する。
第7図に示す第1o!l!施例において、(1)はセラ
ミック基板で、該セラミック基板(1)上にタングステ
ン、モリブデンなどの高融点金属すなわちセラミック基
板(1)の焼成温度よシも融点が高くかつ電気抵抗が小
さい金属を主成分とするペーストをもって印刷焼成した
第1の導体層(2)が設けられておシ、その上層には該
導体層(2)の一部を露呈させる開口(3)を有する絶
縁層(4)が設けられている。この開口(3)は前記I
I/の導体層(2)を上部導体層すなわち後記する第2
の導体層・(5)とを導通させて電気的に接続するため
のものであるが、この開口(3)に臨try/の導体層
(2)の上面にはニッケル、コバルト或いは銅略の導電
性金属よシなるメッキ層(6)が中間導体層として設け
られ、さらにこのメッキ層(6)上或いはこのメッキ層
(6)から前記絶縁層(4)の上面にわたる部分には銅
を主成分とするペーストをもって印刷焼成した分とする
ts2の導体層(5)が設けられている。なお、セラミ
ック基板(1)はアルミナ、ベリリアなどを主成分とす
るもので、セラミック層のみでも或いはシールド用アー
ス導体層等の配線層が内層されているものとしてもよい
。また、絶縁層(4)はセラ・ミック基&(1)と同等
の特性をもつことが好ましく第1の導体層rz+と第2
の導体層(6)とを絶縁するとともに、第1の導体層(
2)を酸化或いは腐食雰囲気から保勝するために設けら
れる、他方、第2図に示す第2の5M!施例はその基本
構成は前記第1(D5I!施例と同一であるが、#!l
の実施例においては第1の導体層(2)と絶縁層(4)
がそれぞれl屡宛の場合であるのに対し、第2の実施例
でFi第1の導体層(2)をII数層設けるとともに絶
縁層(4)も傭数層とした多層構造のものとしてあシ、
この場合、第2の導体層(5)と接続される上側の第1
の導体III (!lとは材質が興るため両者間にメッ
キ層(6)が介在されるよう上側にある第10導体層(
21のうち絶縁層(4)の開口(3)に相当する部分に
のみメッキを施す、なお、このメッキ層(6)社第1の
導体層C!)との濡れ性がよいうえ電気抵抗が小さくか
つ安価なものがよく%第iows体N(2)をタングス
テン、モリブデンとする場合にはニッケルが望ましい、
まえ、塾コの導体層(5)は主成分である銅がりj−以
上、面積抵抗が?φ以下が好ましく、ま口 たこの導体層の耐食性を向上するためにさらにニッケル
、金メッキやガラス貿、有機材などの絶縁層被覆をして
もよい。
ミック基板で、該セラミック基板(1)上にタングステ
ン、モリブデンなどの高融点金属すなわちセラミック基
板(1)の焼成温度よシも融点が高くかつ電気抵抗が小
さい金属を主成分とするペーストをもって印刷焼成した
第1の導体層(2)が設けられておシ、その上層には該
導体層(2)の一部を露呈させる開口(3)を有する絶
縁層(4)が設けられている。この開口(3)は前記I
I/の導体層(2)を上部導体層すなわち後記する第2
の導体層・(5)とを導通させて電気的に接続するため
のものであるが、この開口(3)に臨try/の導体層
(2)の上面にはニッケル、コバルト或いは銅略の導電
性金属よシなるメッキ層(6)が中間導体層として設け
られ、さらにこのメッキ層(6)上或いはこのメッキ層
(6)から前記絶縁層(4)の上面にわたる部分には銅
を主成分とするペーストをもって印刷焼成した分とする
ts2の導体層(5)が設けられている。なお、セラミ
ック基板(1)はアルミナ、ベリリアなどを主成分とす
るもので、セラミック層のみでも或いはシールド用アー
ス導体層等の配線層が内層されているものとしてもよい
。また、絶縁層(4)はセラ・ミック基&(1)と同等
の特性をもつことが好ましく第1の導体層rz+と第2
の導体層(6)とを絶縁するとともに、第1の導体層(
2)を酸化或いは腐食雰囲気から保勝するために設けら
れる、他方、第2図に示す第2の5M!施例はその基本
構成は前記第1(D5I!施例と同一であるが、#!l
の実施例においては第1の導体層(2)と絶縁層(4)
がそれぞれl屡宛の場合であるのに対し、第2の実施例
でFi第1の導体層(2)をII数層設けるとともに絶
縁層(4)も傭数層とした多層構造のものとしてあシ、
この場合、第2の導体層(5)と接続される上側の第1
の導体III (!lとは材質が興るため両者間にメッ
キ層(6)が介在されるよう上側にある第10導体層(
21のうち絶縁層(4)の開口(3)に相当する部分に
のみメッキを施す、なお、このメッキ層(6)社第1の
導体層C!)との濡れ性がよいうえ電気抵抗が小さくか
つ安価なものがよく%第iows体N(2)をタングス
テン、モリブデンとする場合にはニッケルが望ましい、
まえ、塾コの導体層(5)は主成分である銅がりj−以
上、面積抵抗が?φ以下が好ましく、ま口 たこの導体層の耐食性を向上するためにさらにニッケル
、金メッキやガラス貿、有機材などの絶縁層被覆をして
もよい。
このように構成されたものは、在来のこの種セラミック
多層配線基板と同様に使用した場合、セラミック基板(
1)上に設けられている第1の導体層(21が高融点金
属を主成分とするものであるのに対し、第2の導体層(
5)は銅を主成分とするものであるから、面積抵抗が小
さくて充分なシールド効果が得られ、また、銅を主成分
とする第2の導体層(5)は金、銀略の貴金属厚膜ペー
ストをもってしたものと比較して安価に提供できる利点
があシまた、この第1の導体@(21と第2の導体層(
5)との間には導電性金属よシなるメッキ層(6)が介
在されているため、両者の接着強度が充分確保でき、剥
離するおそれのない信頼性の高いものとなって極めて用
途が広くなる特長がある。
多層配線基板と同様に使用した場合、セラミック基板(
1)上に設けられている第1の導体層(21が高融点金
属を主成分とするものであるのに対し、第2の導体層(
5)は銅を主成分とするものであるから、面積抵抗が小
さくて充分なシールド効果が得られ、また、銅を主成分
とする第2の導体層(5)は金、銀略の貴金属厚膜ペー
ストをもってしたものと比較して安価に提供できる利点
があシまた、この第1の導体@(21と第2の導体層(
5)との間には導電性金属よシなるメッキ層(6)が介
在されているため、両者の接着強度が充分確保でき、剥
離するおそれのない信頼性の高いものとなって極めて用
途が広くなる特長がある。
次に前記したようなセラミック多層配線基板を製造する
方法を詳細に説明すれば、アルミナ或いハべりリアなど
を主成分としてこれにシリカ、マグネシアなどの添加成
分および有機バインターなどを加えて混合し、ドクター
ブレード法或いは押出し酸浴法などにより成形したセラ
ミック生シート上に、タングステン、モリブデンなどの
高融点金属を主成分としてこれにマンガン、チタン或い
は前記セラミック生シートと同成分のセラミックspa
遍量を加えたメタライスペーストをスクリーン印刷法或
いは転写印刷法によシ第1の印刷層を印刷形成し、次に
その上に第1の印刷層の所定の場所を残してアルミナ或
いはべりリア等を主成分とするセラミック基の絶縁材ベ
ースFよルなる印刷層を重ね合せてスクリーン印刷或い
線転写印刷法によシ印刷形成する。なお、前記した第2
の51!鞄例のように第1O導体層を複数層必要とする
場合杜絶縁材ペーストよシなる印刷層の上に高融点金属
を主成分とするメタライズペーストをもってスクリーン
印刷或いは転写印刷によシ再び印刷層を印刷形成後さら
Kその上Ktll記絶縁材ペーストよりなる印刷層と同
組成の絶縁材ペーストよシなる印刷層を順次重ね合せて
印刷形成する。その後これを水素、アンモニア分解ガス
等の還元雰囲気中において焼成してセラミック基板上に
高融点金属を主成分とする第1の導体層と絶縁層を順次
設ける。なお、焼結温度および時間はセラミック生シー
トの組成、メタライズ層の組成などKよシ設定されるが
、アルミナ系のセラミック生シートの場合taoo−t
too℃”e/、!t〜/ざ0分とする。この焼成後は
適切な前麩理、例えば酸洗、無電解メッキの場合は活性
化処理等を行ったうえ第iows体屡のうち絶縁層に覆
われていない部分の上にニッケル、コバルシ或いは銅メ
ッキを施して導電性金属よりなるメッキ層を形成する。
方法を詳細に説明すれば、アルミナ或いハべりリアなど
を主成分としてこれにシリカ、マグネシアなどの添加成
分および有機バインターなどを加えて混合し、ドクター
ブレード法或いは押出し酸浴法などにより成形したセラ
ミック生シート上に、タングステン、モリブデンなどの
高融点金属を主成分としてこれにマンガン、チタン或い
は前記セラミック生シートと同成分のセラミックspa
遍量を加えたメタライスペーストをスクリーン印刷法或
いは転写印刷法によシ第1の印刷層を印刷形成し、次に
その上に第1の印刷層の所定の場所を残してアルミナ或
いはべりリア等を主成分とするセラミック基の絶縁材ベ
ースFよルなる印刷層を重ね合せてスクリーン印刷或い
線転写印刷法によシ印刷形成する。なお、前記した第2
の51!鞄例のように第1O導体層を複数層必要とする
場合杜絶縁材ペーストよシなる印刷層の上に高融点金属
を主成分とするメタライズペーストをもってスクリーン
印刷或いは転写印刷によシ再び印刷層を印刷形成後さら
Kその上Ktll記絶縁材ペーストよりなる印刷層と同
組成の絶縁材ペーストよシなる印刷層を順次重ね合せて
印刷形成する。その後これを水素、アンモニア分解ガス
等の還元雰囲気中において焼成してセラミック基板上に
高融点金属を主成分とする第1の導体層と絶縁層を順次
設ける。なお、焼結温度および時間はセラミック生シー
トの組成、メタライズ層の組成などKよシ設定されるが
、アルミナ系のセラミック生シートの場合taoo−t
too℃”e/、!t〜/ざ0分とする。この焼成後は
適切な前麩理、例えば酸洗、無電解メッキの場合は活性
化処理等を行ったうえ第iows体屡のうち絶縁層に覆
われていない部分の上にニッケル、コバルシ或いは銅メ
ッキを施して導電性金属よりなるメッキ層を形成する。
メッキ方法としては電解メッキより無電解メッキが電極
治真が不要でかつ凹部となっている開口上に總すのに有
利である。なお、メッキ層は後記する第2の導体層の焼
成条件によるが02〜5ミクロンが適切である。メッキ
後は還元雰囲気で熱処理をする。熱処理温度’htso
−tooo℃程度で、この温度および時間の選定は主に
メッキの種11によって行えばよく、例えば次亜燐酸系
ニッケルメッキの場合は約750℃以下である。次いで
このメッキ層および前記絶縁層上に金属銅、酸化銅或い
はこれらの混合物等の錆を主成分としてこれにガラス7
リツト、印刷助剤などを添加したメタライスペーストを
用いて第2の導体層となる印刷層を印刷形成する。なお
、前記したように主成分である銅はその焼結後の組成分
93%以上で面積抵抗がj“し以下となるものが好まし
い。このよう口 にして第2の導体層となる印刷層を形成後はこれを水素
、窒素等の中性もしくは還元雰囲気で700〜1000
℃でよS−40分焼成してこの印刷層を銅を主成分とす
る第2の導体層とする。また、第2の導体層の上にその
導体層の耐食性の向上および他の電子回路等との電気絶
縁をするための絶縁層を形成する方法としては、第2の
導体層となる印刷層を形成後焼成前に絶縁材ペーストを
さらに重ね合せて印刷して焼成してもよいし、印刷層を
tIl威して麩コの導体・層を得たのち絶縁材ペースト
をもって印刷したうえ焼成してもよいが、第2の導体層
用のメタライズ察−ストが酸化銅を主成分とする場合は
導体層とした後に絶縁材ペーストを印JI11%焼結す
る方が良い。
治真が不要でかつ凹部となっている開口上に總すのに有
利である。なお、メッキ層は後記する第2の導体層の焼
成条件によるが02〜5ミクロンが適切である。メッキ
後は還元雰囲気で熱処理をする。熱処理温度’htso
−tooo℃程度で、この温度および時間の選定は主に
メッキの種11によって行えばよく、例えば次亜燐酸系
ニッケルメッキの場合は約750℃以下である。次いで
このメッキ層および前記絶縁層上に金属銅、酸化銅或い
はこれらの混合物等の錆を主成分としてこれにガラス7
リツト、印刷助剤などを添加したメタライスペーストを
用いて第2の導体層となる印刷層を印刷形成する。なお
、前記したように主成分である銅はその焼結後の組成分
93%以上で面積抵抗がj“し以下となるものが好まし
い。このよう口 にして第2の導体層となる印刷層を形成後はこれを水素
、窒素等の中性もしくは還元雰囲気で700〜1000
℃でよS−40分焼成してこの印刷層を銅を主成分とす
る第2の導体層とする。また、第2の導体層の上にその
導体層の耐食性の向上および他の電子回路等との電気絶
縁をするための絶縁層を形成する方法としては、第2の
導体層となる印刷層を形成後焼成前に絶縁材ペーストを
さらに重ね合せて印刷して焼成してもよいし、印刷層を
tIl威して麩コの導体・層を得たのち絶縁材ペースト
をもって印刷したうえ焼成してもよいが、第2の導体層
用のメタライズ察−ストが酸化銅を主成分とする場合は
導体層とした後に絶縁材ペーストを印JI11%焼結す
る方が良い。
寮總例
セラミック成分として重量襲でアルミナ90%の他にシ
リカ、!グネシγ等の添加物とポリビニールブチラール
等の有機バインダーを混合してドクターブレード法によ
り厚さagwiのセラミック生シートを成形後該セラミ
ック生シート上に重量−でタングステン粉末9#iタン
グステン粉末≠9憾およびモリブデン粉末ダ9哄或い社
モリブデン粉宋97%にセラミック生シートのセラミッ
ク成分2−とするメタライズ成分に印#I#剤を加えた
3種類のメタライズペーストを用いてスクリーン印刷に
よシ第1の導体層となる印刷層を形成し、次いで、その
上に該セラミック生シートの七ラミツタ成分と同じ組成
をもつ絶縁材ペーストを用いて前記第1の導体層が後記
する第2の導体層と電気的K11i続するためにコ■径
の開口部分を残してスクリーン印刷法により絶縁層とな
る印刷層を重ね印刷し、露点3!℃水素W囲気中におい
て昇温速度300℃/時聞%1sso″c2時間保持後
、降温速度600℃/時間で焼成した0次に焼結し−に
−に5!ツタ基板上に股轄られた第1の導体層のうち絶
縁層が覆われていない部分にメッキ前処理後硼化水素浴
系無電解ニッケルメッキや硫酸浴系電解コバルトメッキ
にするか、硫酸浴系電解ニッケルメッキ後さらに硫酸浴
系銅メッキにするか或いはホルムアルデヒド浴系無電解
鋼メッキ後ビロリン酸浴電解鋼メッキの併用により導電
性金属よシなるメッキ層を形成し、次いで、これを水素
tS気で150℃で10分間熱処理後、銅を主成分とす
る厚膜ペース)(商品名D u pon t #992
3 )Kよシ第1の導体層から前記メッキ層にわたシ第
2の導体層となる印刷層を印刷後窒素雰囲気中において
IjO℃てlj分焼成して該印刷層を前記メッキ層を介
し第1O*体層と導通される#Jの導体層としてセラミ
ック多層配線基板を得た。
リカ、!グネシγ等の添加物とポリビニールブチラール
等の有機バインダーを混合してドクターブレード法によ
り厚さagwiのセラミック生シートを成形後該セラミ
ック生シート上に重量−でタングステン粉末9#iタン
グステン粉末≠9憾およびモリブデン粉末ダ9哄或い社
モリブデン粉宋97%にセラミック生シートのセラミッ
ク成分2−とするメタライズ成分に印#I#剤を加えた
3種類のメタライズペーストを用いてスクリーン印刷に
よシ第1の導体層となる印刷層を形成し、次いで、その
上に該セラミック生シートの七ラミツタ成分と同じ組成
をもつ絶縁材ペーストを用いて前記第1の導体層が後記
する第2の導体層と電気的K11i続するためにコ■径
の開口部分を残してスクリーン印刷法により絶縁層とな
る印刷層を重ね印刷し、露点3!℃水素W囲気中におい
て昇温速度300℃/時聞%1sso″c2時間保持後
、降温速度600℃/時間で焼成した0次に焼結し−に
−に5!ツタ基板上に股轄られた第1の導体層のうち絶
縁層が覆われていない部分にメッキ前処理後硼化水素浴
系無電解ニッケルメッキや硫酸浴系電解コバルトメッキ
にするか、硫酸浴系電解ニッケルメッキ後さらに硫酸浴
系銅メッキにするか或いはホルムアルデヒド浴系無電解
鋼メッキ後ビロリン酸浴電解鋼メッキの併用により導電
性金属よシなるメッキ層を形成し、次いで、これを水素
tS気で150℃で10分間熱処理後、銅を主成分とす
る厚膜ペース)(商品名D u pon t #992
3 )Kよシ第1の導体層から前記メッキ層にわたシ第
2の導体層となる印刷層を印刷後窒素雰囲気中において
IjO℃てlj分焼成して該印刷層を前記メッキ層を介
し第1O*体層と導通される#Jの導体層としてセラミ
ック多層配線基板を得た。
このようにして得られたセラミック多層配線基板C)8
20導体層上K Q j wm径銅線を船−すずはんだ
(JIS Mム)によりはんだ付して引張強さを測定し
た結果を第1表に示す。
20導体層上K Q j wm径銅線を船−すずはんだ
(JIS Mム)によりはんだ付して引張強さを測定し
た結果を第1表に示す。
第 l 表
この表から明らかなように、第1の導体層と第2の導体
層との間にニッケル、コバルト或いハ鋼のメッキ層があ
るものは引張強さがいずれも03階−以上であり、これ
祉メッキ層のないものと比較して着しく強度上すぐれて
いた。また、II2の導体層の面積抵抗を測定し喪とこ
ろ、いずれも約Iψで配線基板として実用に供せられる
もので口 あつ九。
層との間にニッケル、コバルト或いハ鋼のメッキ層があ
るものは引張強さがいずれも03階−以上であり、これ
祉メッキ層のないものと比較して着しく強度上すぐれて
いた。また、II2の導体層の面積抵抗を測定し喪とこ
ろ、いずれも約Iψで配線基板として実用に供せられる
もので口 あつ九。
本発明は前記説明から明らかなように、第1の導体層と
第2の導体層との間に導電性金属よシなるメッキ層を設
けたから、各々の導体層間の引張強さに優れたものであ
り、また、各導体層はスクリーン印刷法等周知の印刷法
によりメタライズペースシをもって印刷後焼成すること
によシ簡単に得られるうえにメッキ層も周知のメッキ法
によ)形成できるので、極めて安価に製造できるもので
あって、電子回路部品として広く使用できるセラミック
多層配線基板およびその極造法として産業の発展に寄与
するところ極めて大々ものである。
第2の導体層との間に導電性金属よシなるメッキ層を設
けたから、各々の導体層間の引張強さに優れたものであ
り、また、各導体層はスクリーン印刷法等周知の印刷法
によりメタライズペースシをもって印刷後焼成すること
によシ簡単に得られるうえにメッキ層も周知のメッキ法
によ)形成できるので、極めて安価に製造できるもので
あって、電子回路部品として広く使用できるセラミック
多層配線基板およびその極造法として産業の発展に寄与
するところ極めて大々ものである。
II/1%ila本発明に係るセラミック多層配mi板
の第70実施例を示す要部の断面図、第2図は間じ〈第
λの実施例を示す要部の断面図、第3図は従来のセラミ
ック多層配線基板の代表例を示す要部の断面図である。 (1):セラミック基板、(2):高融点金属を主成分
とする導体層、(3):開口、(4):絶縁層、 (5
) :鋼を主成分とする導体層、(6):メツキ層。 第1図 第2図 第3図
の第70実施例を示す要部の断面図、第2図は間じ〈第
λの実施例を示す要部の断面図、第3図は従来のセラミ
ック多層配線基板の代表例を示す要部の断面図である。 (1):セラミック基板、(2):高融点金属を主成分
とする導体層、(3):開口、(4):絶縁層、 (5
) :鋼を主成分とする導体層、(6):メツキ層。 第1図 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /、セラミック基板上に高融点金属を主成分とする導体
層を設けるとともに該導体層に導通される銅を主成分と
する別の導体層を設けたセラミック多層配線基板におい
て、高融点金属を主成分とする導体層と前記鋼を主成分
とする導体層との導通部分に!ll電性金属よりなるメ
ッキ層を介在させ九ことを特徴とするセラミック多層配
線基板。 λ、セラミック生シーシ上に高融点金属を主成分とする
メタライズペーストをもってする印刷層と該印刷層の一
部が露出されるように印刷され九七テミツク系OS縁ペ
ース■]なる印刷層を順次印刷S威後これを還元雰囲気
中において焼成してセラミック基板上に高融点金属を主
成分とする導体層と絶縁層を設けえうえ前記導体層のう
ち絶縁層よシ露出する部分にニッケル、コバルト或いは
銅メッキし要談これを還元雰囲気で熱処理し、次いで、
前記絶縁層からメッキ層にわたる表rIjIK鋼を主成
分とするメタライスペーストよプなる印刷層を形成した
うえ中性或いは還元雰囲気で焼成して該印刷層を前記導
体層にメッキ層を介して導通される鋼を主成分とする導
体層に形成することを特徴とするセラミック多層配線基
板の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12803381A JPS5830194A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | セラミック多層配線基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP12803381A JPS5830194A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | セラミック多層配線基板の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5830194A true JPS5830194A (ja) | 1983-02-22 |
JPS6342879B2 JPS6342879B2 (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=14974847
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12803381A Granted JPS5830194A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | セラミック多層配線基板の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPS5830194A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1981-08-14 JP JP12803381A patent/JPS5830194A/ja active Granted
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