JP2002374056A

JP2002374056A - セラミック電子部品の製造方法

Info

Publication number: JP2002374056A
Application number: JP2001179782A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakai; 秀朗中居
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-14
Filing date: 2001-06-14
Publication date: 2002-12-26

Abstract

(57)【要約】【課題】ガラス成分を含むセラミックをもって構成さ
れる部品本体上に外部導体膜を形成するため、ガラスフ
リットを含む導電性ペーストの焼付けによって下地層を
形成し、その上に、無電解ニッケルめっきによって表面
層を形成したとき、部品本体および外部導体膜の各々に
含まれるガラス成分が無電解ニッケルめっき液に溶出
し、部品本体の強度低下および特性劣化や外部導体膜の
強度低下を招くことがある。【解決手段】部品本体２上に下地層８を形成した後、
この下地層８上に、無電解ニッケルめっきによって表面
層９を形成しようとするとき、無電解ニッケルめっき工
程をｐＨ７〜１０の範囲で行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック電子
部品の製造方法に関するもので、特に、部品本体の外表
面上に外部導体膜を形成するため、無電解めっきが適用
される、セラミック電子部品の製造方法に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】この発明にとって興味あるセラミック電
子部品として、たとえば多層セラミック基板がある。

【０００３】多層セラミック基板の部品本体は、複数の
積層されたセラミック層およびセラミック層に関連して
内部に設けられた内部導体を備えている。内部導体とし
ては、典型的には、セラミック層間の特定の界面に沿っ
て形成された内部導体膜や特定のセラミック層を貫通す
るように設けられたビアホール導体などがある。また、
部品本体の外表面上、すなわち、最も外側に積層された
セラミック層の外側に向く面上には、外部導体膜が形成
されている。

【０００４】上述した内部導体や外部導体膜は、多層セ
ラミック基板によって与えられる回路要素の相互接続を
する機能を果たし、特に、内部導体は、部品本体の内部
にコンデンサやインダクタのような受動素子を構成する
ことがある。他方、外部導体膜は、多層セラミック基板
上に実装される他の電子部品を電気的に接続するための
端子電極を構成したり、この多層セラミック基板を実装
するためのマザーボードに対する端子電極として機能し
たりするものである。

【０００５】多層セラミック基板が用いられる電子機器
における信号の伝送速度の高速化や情報量の増加に伴
い、上述した内部導体や外部導体膜は、低抵抗であるこ
とが望まれ、そのため、たとえば銀系や銅系の導電材料
を用いたものが主流となっている。

【０００６】内部導体は、部品本体の内部に設けられる
ものであるため、部品本体を得るための焼成工程におい
て、生の部品本体と同時に焼成されることになる。他
方、外部導体膜については、生の状態の部品本体上に形
成され、部品本体を得るための焼成工程と同時に焼成さ
れる場合と焼結後の部品本体の外表面上に形成される場
合とがある。

【０００７】いずれにしても、少なくとも内部導体は、
生の状態の部品本体と同時に焼成されることから、部品
本体を構成するセラミックは、少なくとも内部導体に含
まれる金属の融点よりも低い温度で焼結されるものでな
ければならず、このような金属として、前述した銀系の
ものや銅系のものが用いられると、その融点が比較的低
いため、部品本体を構成するセラミック材料として、ガ
ラス成分を含むものが用いられ、それによって、焼結温
度の低温化を図っている。

【０００８】また、外部導体膜において銀系または銅系
の金属が用いられると、銀系の場合には、マイグレーシ
ョンの問題があり、銅系では酸化の問題がある。そこ
で、これらの問題を解決するとともに、外部導体膜にお
ける半田濡れ性やワイヤボンディング性などの向上を図
るため、銀系や銅系の金属によって形成された導体膜を
下地層とし、その上に、表面層を形成するため、無電解
めっきによって、ニッケルめっきを施したり、ニッケル
めっきおよび金めっきを施したり、錫めっきを施したり
することが多い。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述した無電解ニッケ
ルめっき工程において用いられる無電解めっき液は、通
常、ｐＨ４〜６の弱酸性である。

【００１０】他方、部品本体に含まれるガラス成分は、
低温での焼成を助けるには不可欠の成分であるが、その
化学的安定性はセラミックに比べて低く、弱酸性の無電
解めっき液に浸漬されたとき、無電解めっき液中への溶
出が生じる。特に、ガラス成分がアルカリ土類金属を含
んでいるとき、この溶出がより深刻に生じる。

【００１１】その結果、部品本体の強度が低下したり、
絶縁信頼性が低下したりするといった問題が生じる。

【００１２】また、前述した銀系または銅系の金属をも
って構成される下地層は、通常、ガラスフリットを含む
導電性ペーストを焼成することによって得られるもの
で、その場合には、下地層もガラス成分を含んでいるこ
とになる。この下地層に含まれるガラス成分も、前述し
た無電解めっき工程において、無電解めっき液中に溶出
し、そのため、外部導体膜の強度を低下させるという問
題を引き起こす。

【００１３】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、セラミック電子部品の製造方法、
より特定的には、下地層上に表面層を形成するため、下
地層に無電解ニッケルめっきのような無電解卑金属めっ
きを施す方法を提供しようとすることである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス成分
を含むセラミックをもって構成される部品本体と、この
部品本体の外表面上に形成された外部導体膜とを備え、
外部導体膜が、部品本体上に位置する下地層と、下地層
上に形成される表面層とをもって構成されている、セラ
ミック電子部品を製造する方法に向けられる。

【００１５】この発明に係るセラミック電子部品の製造
方法は、下地層が形成された部品本体を作製する工程
と、下地層上に表面層を形成するため、下地層に無電解
卑金属めっきを施す工程とを備え、前述した技術的課題
を解決するため、無電解卑金属めっき工程を、ｐＨ７〜
１０の範囲で行なうことを特徴としている。

【００１６】上述のガラス成分がアルカリ土類金属を含
むとき、この発明が特に有利に適用される。

【００１７】この発明において、前述した下地層が形成
された部品本体を作製するにあたっては、その外表面上
に下地層が形成された生の状態の部品本体を焼成するよ
うにしても、あるいは、生の状態の部品本体を焼成し、
次いで、焼結後の部品本体の外表面上に下地層を形成す
るようにしてもよい。

【００１８】この発明が適用されるセラミック電子部品
が多層セラミック基板である場合には、部品本体は、複
数の積層されたセラミック層およびセラミック層に関連
して内部に設けられた内部導体を備えている。

【００１９】この発明は、下地層がガラス成分を含む場
合、さらには、このガラス成分がアルカリ土類金属を含
む場合、特に有利に適用される。

【００２０】また、この発明は、下地層の少なくとも表
面が銀系金属からなるとき、特に有利に適用される。

【００２１】この発明において、表面層の上に金めっき
を施す工程がさらに実施されてもよい。

【００２２】前述した無電解卑金属めっき工程におい
て、錯化剤としてクエン酸が用いられることが好まし
い。

【００２３】また、無電解卑金属めっき工程の前に実施
される触媒付与工程においても、ｐＨ７〜１０の範囲の
ｐＨ条件に選ばれることが好ましい。

【００２４】上記無電解卑金属めっきに用いられる卑金
属は、ニッケル、コバルト、銅等であってよいが、特
に、下地層を構成する金属が銀系金属である場合、その
成膜性の点から、ニッケルであることが好ましい。

【００２５】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よるセラミック電子部品の製造方法を適用して得られた
多層セラミック基板１を図解的に示す断面図である。

【００２６】多層セラミック基板１は、ガラス成分を含
むセラミックをもって構成される部品本体２を備えてい
る。部品本体２は、複数の積層されたセラミック層３お
よびセラミック層３に関連して内部に設けられた内部導
体４を備えている。

【００２７】上述した内部導体４としては、セラミック
層３間の特定の界面に沿って形成されたいくつかの内部
導体膜５およびセラミック層３の特定のものを貫通する
ように設けられたいくつかのビアホール導体６等があ
る。

【００２８】多層セラミック基板１は、また、部品本体
２の外表面上、すなわち、最も外側に積層されたセラミ
ック層３の外側に向く面上に形成された外部導体膜７を
備えている。

【００２９】内部導体４および外部導体膜７は、この多
層セラミック基板１において構成される回路要素を相互
接続したり、特に、内部導体４にあっては、部品本体２
の内部にコンデンサ、インダクタ等の受動素子を構成し
たり、特に、外部導体膜７にあっては、部品本体２の外
表面上に実装される他の電子部品のための端子電極を与
えたり、この多層セラミック基板１を実装するマザーボ
ードへの接続のための端子電極となったりするものであ
る。

【００３０】外部導体膜７は、図２に示すように、部品
本体２上に位置する下地層８と、下地層８上に形成され
る表面層９とをもって構成されている。下地層８は、通
常、内部導体４と実質的に同じ組成を有していて、これ
らは、低抵抗のたとえば銀系または銅系の金属を含んで
いる。また、表面層９は、下地層に含まれる金属の酸化
やマイグレーションを防止するために設けられるもの
で、後述するように、無電解ニッケルめっきによって形
成されたニッケルから構成される。

【００３１】このような多層セラミック基板１は、次の
ようにして製造される。

【００３２】まず、セラミック層３となるべきセラミッ
クグリーンシートが作製される。セラミックグリーンシ
ートは、銀系または銅系の金属の融点よりも低温で焼結
可能とするため、ガラス粉末およびセラミック粉末を含
むスラリーを、シート状に成形することによって作製さ
れる。

【００３３】次に、上述のようにして得られた複数のセ
ラミックグリーンシートのうちの特定のものには、内部
導体４としての内部導体膜５およびビアホール導体６が
形成され、また、外部導体膜７における下地層８が形成
される。

【００３４】これら内部導体膜５、ビアホール導体６お
よび下地層８の形成には、通常、ガラスフリットを含む
とともに、導電成分として、前述した銀系または銅系の
金属を含む導電性ペーストが用いられる。この導電性ペ
ーストは、たとえば印刷を適用して付与されることによ
り、内部導体膜５、ビアホール導体６および下地層８と
なるべき形態が与えられる。なお、ビアホール導体６を
形成するにあたっては、セラミックグリーンシートに
は、予め貫通孔が設けられる。

【００３５】次に、複数のセラミックグリーンシートが
積層され、次いで積層方向にプレスされることによっ
て、生の状態にある部品本体２が得られる。なお、外部
導体膜７の下地層８は、このように、生の状態の部品本
体２を得た後に、導電性ペーストを印刷するなどして付
与することによって形成されてもよい。

【００３６】次に、生の状態の部品本体２は、焼成され
る。この焼成にあたっては、好ましくは、１０００℃以
下の温度が適用される。これによって、部品本体２は焼
結され、同時に、内部導体４としての内部導体膜５およ
びビアホール導体６ならびに外部導体膜７における下地
層８をそれぞれ構成する導電性ペーストが焼結される。

【００３７】なお、外部導体膜７における下地層８は、
このような焼結後の部品本体２の外表面上に導電性ペー
ストを印刷するなどして付与し、次いで、焼き付けるこ
とによって形成されてもよい。

【００３８】このようにして、下地層８が形成された部
品本体２が作製された後、下地層８上に表面層９を形成
するため、下地層８に無電解ニッケルめっきを施す工程
が実施される。この無電解ニッケルめっき工程では、ｐ
Ｈ７〜１０の範囲に設定された無電解ニッケルめっき液
が用いられる。また、無電解ニッケルめっき液を、ｐＨ
７〜１０の範囲でより安定化させるため、無電解ニッケ
ルめっき液に添加される錯化剤として、クエン酸が好適
に用いられる。

【００３９】なお、無電解ニッケルめっき工程に先立っ
て、周知のように、前処理工程および触媒付与工程が、
実施される。この触媒付与工程においても、ｐＨ７〜１
０の範囲に設定されることが好ましい。

【００４０】ニッケルからなる表面層９が形成された
後、表面層９の上に金めっきを施す工程が実施されても
よい。この金めっき工程においても、無電解めっきが適
用され、たとえば、表面層９の表面を金で置換する置換
反応工程を実施した後、無電解金めっき工程が実施され
る。

【００４１】このようにして、目的とする多層セラミッ
ク基板１が完成される。

【００４２】以上、この発明を、図示したような多層セ
ラミック基板１の製造方法について説明したが、この発
明は、多層セラミック基板以外の多層セラミック電子部
品または積層セラミック電子部品に対しても、さらに
は、積層構造を備えないセラミック電子部品に対しても
適用することができる。

【００４３】次に、この発明を規定する条件またはこの
発明の好ましい実施態様を規定する条件を見出すために
実施した実験例について説明する。

【００４４】

【実験例１】実験例１は、無電解ニッケルめっき工程に
おける好ましいｐＨ条件を求めるために実施したもので
ある。

【００４５】ＣａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃
系ガラス粉末（ＣａＯを主成分として含む。）とセラミ
ック粉末としてのアルミナ粉末とを、重量比で４０：６
０の割合で混合して、ガラス・セラミック混合粉末を得
た。

【００４６】次に、上記ガラス・セラミック混合粉末１
００重量部に対して、ブチラール系バインダ８重量部、
ジオクチルフタレート２重量部、分散剤１重量部、エタ
ノール３０重量部およびトルエン３０重量部を加えてボ
ールミルによって２４時間混合し、それによって、スラ
リーを得た。

【００４７】次に、上記スラリーを真空脱泡した後、こ
のスラリーに対して、ドクターブレード法を適用し、そ
れによって、厚さ１００μｍのセラミックグリーンシー
トを成形した。

【００４８】次に、上記セラミックグリーンシートを、
１０枚積層した後、５００ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力および
６０℃の温度を付与する条件で積層方向にプレスするこ
とによって、生の積層体を得た。

【００４９】次に、上記生の積層体を、４００℃の温度
で脱脂処理した後、大気中において、８６０℃の温度で
３０分間焼成し、それによって、焼結した積層体を得
た。

【００５０】次に、この焼結した積層体を試料とし、こ
の試料を、水酸化ナトリウム水溶液によってｐＨを２、
３、４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２に
それぞれ調整した０．２Ｍクエン酸溶液に、それぞれ、
２４時間浸漬し、その溶液に溶出したガラス成分をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ分光法）により定量分析した。

【００５１】その結果、溶出量の多かったＣａおよびＳ
ｉの各々についての溶出量のｐＨ依存性を示すと、図３
のようになった。

【００５２】上述した実験例において、ＣａＯ−Ａｌ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末に代えて、Ｍｇ
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラス粉末（ＭｇＯを主成分
として含む。）を用いた場合についても同様の操作を行
ない、試料を作製し、同様の評価を行なった。

【００５３】その結果、溶出量の多かったＭｇおよびＳ
ｉの各々についての溶出量のｐＨ依存性を示すと、図４
のようになった。

【００５４】図３および図４に示すように、ｐＨ７未満
の酸性領域においては、アルカリ土類金属であるＣａや
Ｍｇの溶出が激しく生じ、これにつられて、Ｓｉなどの
他の元素も溶出することがわかる。

【００５５】他方、ｐＨが１０を超える領域では、Ｓｉ
−Ｏの結合が弱まり、Ｓｉの溶出が起こる。

【００５６】このようなことから、ｐＨが７〜１０の範
囲に設定されることにより、試料に含まれるガラス相が
安定であることがわかる。

【００５７】

【実験例２】実験例２は、無電解ニッケルめっき液を安
定化させるのに有効な錯化剤を見出すために実施したも
のである。

【００５８】ニッケル塩を０．１Ｍおよび次亜リン酸を
０．２Ｍ含む溶液に、表１に示すような５種類の錯化剤
をそれぞれ加え、これに、水酸化ナトリウム水溶液を加
えながら、ｐＨを２から徐々に上昇させたときのめっき
液中での沈殿を観察した。表１には、沈殿が開始された
ｐＨが示されている。

【００５９】

【表１】

【００６０】表１に示すように、ｐＨ７〜１０の範囲で
無電解ニッケルめっき液を安定化させるためには、クエ
ン酸を錯化剤として用いることが最も有効であることが
わかる。

【００６１】

【実験例３】実験例３は、無電解ニッケルめっき液のｐ
Ｈを変えて、多層セラミック基板の部品本体および外部
導体膜の強度および多層セラミック基板の絶縁信頼性の
各々を評価するとともに、これら強度および絶縁信頼性
のｐＨ依存性と実験例１で評価したガラス成分の溶出量
のｐＨ依存性との間での相関関係を確認するために実施
したものである。

【００６２】実験例１で作製したセラミックグリーンシ
ートに、銀を導電成分として含む導電性ペーストを印刷
し、このセラミックグリーンシートを１０枚積層し、実
験例１の場合と同様の条件によって、プレスし、焼成し
て、外部導体膜における下地層が形成された試料となる
部品本体を得た。

【００６３】なお、ここで、上述した導電性ペーストと
して、ＭｇＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラスフリットを
含むものと含まないものとの２種類を用意し、それぞれ
について試料を作製した。

【００６４】次に、表２に示すような条件によって、各
試料に対して、無電解ニッケルめっきおよび無電解金め
っきを実施した。

【００６５】

【表２】

【００６６】表２に示した無電解ニッケルめっき工程に
おいては、めっき液のｐＨのみを２〜１２の範囲で変え
て、それぞれのｐＨ条件下で、１０μｍ／時の成長速度
になる温度で、３０分間めっき処理を行ない、厚さ約５
μｍのニッケルめっき膜を生成させた。また、無電解金
めっき工程では、厚さ約０．５μｍの金めっき膜を生成
させた。

【００６７】このようにして得られた外部導体膜の強度
を、その引張り試験によって評価した。その結果が図５
に示されている。

【００６８】図５には、また、部品本体の抗折強度が示
されている。この抗折強度の評価は、導電性ペーストを
印刷せずに作製した部品本体について行ない、前述の無
電解めっき工程については、１時間実施した。

【００６９】また、導電性ペーストを印刷した多層セラ
ミック基板に係る試料について、ＰＣＴ（１２０℃、９
５％Ｈ₂Ｏ、５０Ｖ、９６時間）による加速試験を行な
い、この試験終了後の良品率を求めた。その結果が図６
に示されている。

【００７０】図５および図６に示すように、ｐＨが７を
下回り低くなるほど、部品本体の抗折強度、外部導体膜
の強度および良品率がともに低下していることがわか
る。

【００７１】他方、ｐＨが１０を超えた場合であって
も、ｐＨの上昇に伴い、部品本体の抗折強度、外部導体
膜の強度および良品率がともに低下している。

【００７２】これらの結果は、前述した図３および図４
に示した結果とほぼ同じ傾向を示している。

【００７３】なお、図５において、導電性ペーストにガ
ラスフリットが含まれている場合と含まれていない場合
とを比較すればわかるように、ガラスフリットが含まれ
ている試料の方が、外部導体膜の強度に関して、ｐＨ依
存性がより大きい。

【００７４】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ガラ
ス成分を含むセラミックをもって構成される部品本体の
外表面上に形成された外部導体膜における下地層上に、
無電解卑金属めっきによって表面層を形成するにあたっ
て、無電解卑金属めっき工程を、ｐＨ７〜１０の範囲で
行なうようにしているので、無電解卑金属めっき工程に
おいて、部品本体に含まれるガラス成分の溶出を抑制す
ることができ、したがって、部品本体の強度低下および
特性劣化を抑制することができる。

【００７５】この発明において、下地層がガラスフリッ
トを含む導電性ペーストの焼付けによって形成されるな
どして、下地層もガラス成分を含む場合には、無電解卑
金属めっき工程において、この下地層に含まれるガラス
成分の溶出も抑制されるので、外部導体膜の強度低下を
も抑制することができる。

【００７６】同様に、無電解卑金属めっき工程の前に実
施される触媒付与工程においても、７〜１０の範囲のｐ
Ｈ条件が適用されると、上述したような効果のより完璧
化を図ることができる。

【００７７】また、無電解卑金属めっき工程において、
錯化剤としてクエン酸が用いられると、無電解卑金属め
っき液の安定化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態によるセラミック電子部
品の製造方法によって得られた多層セラミック基板１を
図解的に示す断面図である。

【図２】図１に示した外部導体膜７を拡大して示す断面
図である。

【図３】実験例１において求められたガラス成分中のＣ
ａおよびＳｉの各溶出量のｐＨ依存性を示す図である。

【図４】実験例１において求められたガラス成分中のＭ
ｇおよびＳｉの各溶出量のｐＨ依存性を示す図である。

【図５】実験例３において求められた部品本体抗折強度
および外部導体膜強度のｐＨ依存性を示す図である。

【図６】実験例３において求められた絶縁信頼試験後の
良品率のｐＨ依存性を示す図である。

【符号の説明】

１多層セラミック基板２部品本体３セラミック層４内部導体５内部導体膜６ビアホール導体７外部導体膜８下地層９表面層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 18/52 Ｃ２３Ｃ 18/52 ＢＨ０５Ｋ 3/18 Ｈ０５Ｋ 3/18 Ｊ 3/34 ５０１ 3/34 ５０１Ｆ 3/46 3/46 ＨＴＦターム(参考） 4K022 AA04 AA42 BA03 BA14 BA31 BA35 BA36 DA01 DB07 DB25 5E319 AC01 AC11 AC17 CC22 CD26 GG03 5E343 AA02 AA23 BB16 BB25 BB44 BB71 BB72 CC78 DD02 DD33 DD34 GG01 GG11 GG18 5E346 AA02 AA12 AA15 AA22 AA32 AA51 CC16 CC37 CC39 DD13 DD23 DD34 EE24 EE25 EE29 GG06 GG08 GG17 HH11 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス成分を含むセラミックをもって構
成される部品本体と、前記部品本体の外表面上に形成さ
れた外部導体膜とを備え、前記外部導体膜は、前記部品
本体上に位置する下地層と、前記下地層上に形成される
表面層とをもって構成されている、セラミック電子部品
を製造する方法であって、前記下地層が形成された前記部品本体を作製する工程
と、前記下地層上に前記表面層を形成するため、前記下地層
に無電解卑金属めっきを施す工程とを備え、前記無電解卑金属めっき工程を、ｐＨ７〜１０の範囲で
行なうことを特徴とする、セラミック電子部品の製造方
法。
【請求項２】前記ガラス成分は、アルカリ土類金属を
含む、請求項１に記載のセラミック電子部品の製造方
法。
【請求項３】前記部品本体を作製する工程は、その外
表面上に前記下地層が形成された生の状態の前記部品本
体を焼成する工程を備える、請求項１または２に記載の
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】前記部品本体を作製する工程は、生の状
態の前記部品本体を焼成する工程と、焼結後の前記部品
本体の外表面上に前記下地層を形成する工程とを備え
る、請求項１または２に記載のセラミック電子部品の製
造方法。
【請求項５】前記部品本体は、複数の積層されたセラ
ミック層および前記セラミック層に関連して設けられた
内部導体を備える、請求項３または４に記載のセラミッ
ク電子部品の製造方法。
【請求項６】前記下地層は、ガラス成分を含む、請求
項１ないし５のいずれかに記載のセラミック電子部品の
製造方法。
【請求項７】前記下地層に含まれるガラス成分は、ア
ルカリ土類金属を含む、請求項６に記載のセラミック電
子部品の製造方法。
【請求項８】前記下地層は、その少なくとも表面が銀
系金属からなる、請求項１ないし７のいずれかに記載の
セラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】前記表面層の上に金めっきを施す工程を
さらに備える、請求項１ないし８のいずれかに記載のセ
ラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】前記無電解卑金属めっき工程におい
て、錯化剤としてクエン酸が用いられる、請求項１ない
し９のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方
法。
【請求項１１】前記無電解卑金属めっき工程の前に、
触媒付与工程が実施され、当該触媒付与工程は、ｐＨ７
〜１０の範囲で行なわれる、請求項１ないし１０のいず
れかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１２】前記無電解卑金属めっきは、無電解ニ
ッケルめっきである、請求項１ないし１１のいずれかに
記載のセラミック電子部品の製造方法。