JP2000165001A - 誘電体回路基板 - Google Patents
誘電体回路基板Info
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- JP2000165001A JP2000165001A JP34074798A JP34074798A JP2000165001A JP 2000165001 A JP2000165001 A JP 2000165001A JP 34074798 A JP34074798 A JP 34074798A JP 34074798 A JP34074798 A JP 34074798A JP 2000165001 A JP2000165001 A JP 2000165001A
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- dielectric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波特性に優れ、導通抵抗が小さく、且つ
接着力に優れた導体パターンを有する誘電体回路基板を
提供する。 【解決手段】 本発明は、複数の誘電体層１ａ〜１ｅを
積層してなる積層体１に、Ａｇを主成分とする金属から
成る導体パターン２、４を形成して成る誘電体回路基板
において、前記導体パターン２、４は、金属成分とＴａ
を含有する低融点ガラス成分とから成り、低融点ガラス
成分は金属成分１００重量部に対して、１．０〜２５．
０重量部添加されるとともに、Ｔａ成分がＴａ2 Ｏ5 換
算で金属成分１００重量部に対して０．１〜３．０重量
部含有している。
接着力に優れた導体パターンを有する誘電体回路基板を
提供する。 【解決手段】 本発明は、複数の誘電体層１ａ〜１ｅを
積層してなる積層体１に、Ａｇを主成分とする金属から
成る導体パターン２、４を形成して成る誘電体回路基板
において、前記導体パターン２、４は、金属成分とＴａ
を含有する低融点ガラス成分とから成り、低融点ガラス
成分は金属成分１００重量部に対して、１．０〜２５．
０重量部添加されるとともに、Ｔａ成分がＴａ2 Ｏ5 換
算で金属成分１００重量部に対して０．１〜３．０重量
部含有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路基板や電
子部品等に適用される誘電体回路基板に関するものであ
る。
子部品等に適用される誘電体回路基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高周波用途に使用される積層回路基板
は、例えば、共振器、コンデンサ、フィルタ等を内蔵
し、高機能、小型化に対応する必要がある。このような
共振器、コンデンサ、フィルタ等を構成する導体パター
ンは、導通抵抗の小さいＡｇを主成分とする導体材料で
構成することが望ましく、導体パターンと一体的に焼成
される誘電体層はＡｇの融点よりも低い温度焼成できる
材料を選択していた。
は、例えば、共振器、コンデンサ、フィルタ等を内蔵
し、高機能、小型化に対応する必要がある。このような
共振器、コンデンサ、フィルタ等を構成する導体パター
ンは、導通抵抗の小さいＡｇを主成分とする導体材料で
構成することが望ましく、導体パターンと一体的に焼成
される誘電体層はＡｇの融点よりも低い温度焼成できる
材料を選択していた。
【０００３】従来の積層回路基板は、例えばガラス成分
とセラミック成分とを有するガラスーセラミック材料の
単板状基体または積層状基体と、基体の内部または表面
の所定導体パターンを形成して構成されている。即ち、
導体パターンに銀のような低抵抗材料を用いることがで
きるため、高周波動作する電子回路を形成する回路基板
として非常に有望なものとなる。
とセラミック成分とを有するガラスーセラミック材料の
単板状基体または積層状基体と、基体の内部または表面
の所定導体パターンを形成して構成されている。即ち、
導体パターンに銀のような低抵抗材料を用いることがで
きるため、高周波動作する電子回路を形成する回路基板
として非常に有望なものとなる。
【０００４】この高周波動作する電子回路としては、上
述の回路基板には、ストリップ線路を用いた共振回路、
電圧制御型発振回路、局発振信号形成回路、パワーアン
プ等が形成される。例えば、積層回路基板は、複数の誘
電体層を積層した基体と、前記絶縁層の層間に配置した
内部導体パターンと、前記基板の表面に配置した表面導
体パターンが形成されており、さらに内部導体パターン
同士、または内部導体パターンと表面導体パターンとを
接続するビアホール導体と、表面導体パターンの一部を
被覆する絶縁層と、表面導体パターンに実装された各種
電子部品とから構成されている。
述の回路基板には、ストリップ線路を用いた共振回路、
電圧制御型発振回路、局発振信号形成回路、パワーアン
プ等が形成される。例えば、積層回路基板は、複数の誘
電体層を積層した基体と、前記絶縁層の層間に配置した
内部導体パターンと、前記基板の表面に配置した表面導
体パターンが形成されており、さらに内部導体パターン
同士、または内部導体パターンと表面導体パターンとを
接続するビアホール導体と、表面導体パターンの一部を
被覆する絶縁層と、表面導体パターンに実装された各種
電子部品とから構成されている。
【０００５】また、単板状基板を用いた回路基板は、基
板と表面導体パターンと、表面導体パターンの一部を被
覆する絶縁層と、表面配線パターンに実装された各種電
子部品とから構成されている。
板と表面導体パターンと、表面導体パターンの一部を被
覆する絶縁層と、表面配線パターンに実装された各種電
子部品とから構成されている。
【０００６】尚、比較的低温で焼成可能誘電体層又は基
板材料としては、低融点ガラス成分とセラミックなどの
フィラー材とから成るガラス−セラミック材料が用いら
れる。
板材料としては、低融点ガラス成分とセラミックなどの
フィラー材とから成るガラス−セラミック材料が用いら
れる。
【０００７】例えば低融点カラス成分は、コージェライ
ト、ムライト、アノードサイト、セルジアン、スピネ
ル、カーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ぺタライ
ト、オオズミライト及びその置換誘電体等の結晶相のう
ち少なくとも１種類を析出し得るガラス成分であり、フ
ィラー材は、クリストバライト、石英、コランダム（α
アルミナ）等が例示できる。
ト、ムライト、アノードサイト、セルジアン、スピネ
ル、カーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ぺタライ
ト、オオズミライト及びその置換誘電体等の結晶相のう
ち少なくとも１種類を析出し得るガラス成分であり、フ
ィラー材は、クリストバライト、石英、コランダム（α
アルミナ）等が例示できる。
【０００８】また、導体パターンとなる導電材料として
は、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末、Ａｕ粉末等の低抵抗材料を主
体とし、低融点ガラスフリット、有機ビヒクルを混線し
た導電ぺーストが挙げられる。
は、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末、Ａｕ粉末等の低抵抗材料を主
体とし、低融点ガラスフリット、有機ビヒクルを混線し
た導電ぺーストが挙げられる。
【０００９】Ａｕは、導電性に優れ、化学的にも全く安
定で、且つ基板との接着性も良く、特に耐候性に優れて
いるが、大変高価であるという難点がある。
定で、且つ基板との接着性も良く、特に耐候性に優れて
いるが、大変高価であるという難点がある。
【００１０】また、Ｃｕは、安価で導電性にも優れる
が、還元雰囲気での焼成が必要となるため焼成工程が高
価になる。
が、還元雰囲気での焼成が必要となるため焼成工程が高
価になる。
【００１１】そこでこれらの難点を解消するために、Ａ
ｇ材料が使用されてきた。Ａｇぺーストを導電材料とし
て用いることは、導電性に優れ、Ａｇ粉末は比較的安価
で焼成も大気中で行うことができる。
ｇ材料が使用されてきた。Ａｇぺーストを導電材料とし
て用いることは、導電性に優れ、Ａｇ粉末は比較的安価
で焼成も大気中で行うことができる。
【００１２】このような回路基板は、製造工程の簡略化
のために、上述の基体と導体パターンは同時焼成するこ
とにより形成される。
のために、上述の基体と導体パターンは同時焼成するこ
とにより形成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】高周波動作する電子回
路を形成するには基体材料のＱ値を高くすることが必要
である。このＱ値を向上させるためには基板材料として
は、ガラス成分を極力減らすことが必要となる。
路を形成するには基体材料のＱ値を高くすることが必要
である。このＱ値を向上させるためには基板材料として
は、ガラス成分を極力減らすことが必要となる。
【００１４】しかし、高周波動作に対応させるべくガラ
ス成分を減少させると、基体と導体パターンとの界面に
存在し、両者を強固に接合させるガラス量が減少してし
まう。その結果、基体と導体パターンとの間で接合強度
が定価してしまう。しかも、高温放置等による接着力が
大きく定価してしまう。
ス成分を減少させると、基体と導体パターンとの界面に
存在し、両者を強固に接合させるガラス量が減少してし
まう。その結果、基体と導体パターンとの間で接合強度
が定価してしまう。しかも、高温放置等による接着力が
大きく定価してしまう。
【００１５】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、その目的は高周波用途に対応させるべく、
基体のガラス成分を少なくしても、高温放置等による基
体と導体パターンとの接合力が低下しない誘電体回路基
板を提供するものである。
ものであり、その目的は高周波用途に対応させるべく、
基体のガラス成分を少なくしても、高温放置等による基
体と導体パターンとの接合力が低下しない誘電体回路基
板を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の誘電体
層を積層してなる積層体に、導体パターンを形成して成
る誘電体回路基板において、前記導体パターンは、Ａｇ
を主成分とする金属成分とＴａを含有する低融点ガラス
成分とから成り、低融点ガラス成分は金属成分１００重
量部に対して、１．０〜２５．０重量部であるととも
に、Ｔａ成分がＴａ2 Ｏ5 換算で金属成分１００重量部
に対して０．１〜３．０重量部であることを特徴とする
誘電体回路基板である。
層を積層してなる積層体に、導体パターンを形成して成
る誘電体回路基板において、前記導体パターンは、Ａｇ
を主成分とする金属成分とＴａを含有する低融点ガラス
成分とから成り、低融点ガラス成分は金属成分１００重
量部に対して、１．０〜２５．０重量部であるととも
に、Ｔａ成分がＴａ2 Ｏ5 換算で金属成分１００重量部
に対して０．１〜３．０重量部であることを特徴とする
誘電体回路基板である。
【００１７】
【作用】本発明では、導体パターンに含まれている低融
点ガラス成分の含有率を、金属成分１００重量部に対し
て、１．０〜２５．０重量部添加している。これによ
り、導体パターンの導体抵抗を大きく劣化させることな
く、基体との接合を安定にできる。しかも、基体側のガ
ラス成分を減少させることもできるため、結果として、
Ｑ値の向上が可能となり、高周波用途の回路基板として
非常に好適となる。
点ガラス成分の含有率を、金属成分１００重量部に対し
て、１．０〜２５．０重量部添加している。これによ
り、導体パターンの導体抵抗を大きく劣化させることな
く、基体との接合を安定にできる。しかも、基体側のガ
ラス成分を減少させることもできるため、結果として、
Ｑ値の向上が可能となり、高周波用途の回路基板として
非常に好適となる。
【００１８】尚、低融点ガラス成分の含有率が、金属成
分１００重量部に対して、１．０重量部未満では、基体
と導体パターンとの接合強度が低下してしまい、その接
合強度が、高温放置後において例えば０．５ｋｇ以下と
なってしまう。
分１００重量部に対して、１．０重量部未満では、基体
と導体パターンとの接合強度が低下してしまい、その接
合強度が、高温放置後において例えば０．５ｋｇ以下と
なってしまう。
【００１９】また、金属成分１００重量部に対して、２
５．０重量部越えると、導体パターン内の絶縁物が増加
してしまい、その導通抵抗が４．０ｍΩ／□以上とな
り、高周波対応の導体パターンにおいて不適な導体パタ
ーンとなってしまう。
５．０重量部越えると、導体パターン内の絶縁物が増加
してしまい、その導通抵抗が４．０ｍΩ／□以上とな
り、高周波対応の導体パターンにおいて不適な導体パタ
ーンとなってしまう。
【００２０】また、ガラス成分中に、Ｔａ成分を含有し
ている。このＴａ成分は、導体パターンのＡｇ成分と誘
電体基板との塗れ性を向上させて、接着力を一層向上さ
せる。
ている。このＴａ成分は、導体パターンのＡｇ成分と誘
電体基板との塗れ性を向上させて、接着力を一層向上さ
せる。
【００２１】尚、低融点ガラス成分に含有されるＴａ
が、Ｔａ2 Ｏ5 換算で、金属成分１００重量部に対し
て、０．１重量部未満では、導体パターン中のＡｇの塗
れ性を向上させることができず、その結果、基体と導体
パターンとの接合強度が低下してしまう。また、金属成
分１００重量部に対して、３．０重量部越えると、導体
パターン中に残存するガラス成分が多くなり、その導通
抵抗が大きくなる。
が、Ｔａ2 Ｏ5 換算で、金属成分１００重量部に対し
て、０．１重量部未満では、導体パターン中のＡｇの塗
れ性を向上させることができず、その結果、基体と導体
パターンとの接合強度が低下してしまう。また、金属成
分１００重量部に対して、３．０重量部越えると、導体
パターン中に残存するガラス成分が多くなり、その導通
抵抗が大きくなる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の誘電体回路基板を
図面を用いて説明する。
図面を用いて説明する。
【００２３】図１は、本発明に係る誘電体回路基板の断
面図である。
面図である。
【００２４】本発明に係る回路基板１０は、複数の誘電
体層１ａ〜１ｅが積層してる積層体１内に、内部導体パ
ターン２、ビアホール導体３が形成され、さらに、積層
体１の表面に表面導体パターン４が形成され、必要に応
じて電子部品５が搭載されている。
体層１ａ〜１ｅが積層してる積層体１内に、内部導体パ
ターン２、ビアホール導体３が形成され、さらに、積層
体１の表面に表面導体パターン４が形成され、必要に応
じて電子部品５が搭載されている。
【００２５】誘電体層１ａ〜１ｅは、ＭｇＯ、ＣａＯ、
ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とする誘電体セラミック
に、低温で焼結可能なようにＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ３な
どを含有して構成されている。尚、誘電体層１ａ〜１ｅ
は、上述の誘電体材料を主成分とする誘電体グリーンシ
ートから形成される、その厚みは１００〜２００μｍで
ある。
ＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 を主成分とする誘電体セラミック
に、低温で焼結可能なようにＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ３な
どを含有して構成されている。尚、誘電体層１ａ〜１ｅ
は、上述の誘電体材料を主成分とする誘電体グリーンシ
ートから形成される、その厚みは１００〜２００μｍで
ある。
【００２６】また、複数の誘電体層１ａ〜１ｅ間には、
内部導体パターン２が配置され、所定回路網を形成して
いる。ここで、内部導体パターン２とは、所定回路網を
形成する導通パターン以外に、共振回路、フィルタを構
成するインダクタ導体、比較的容量の小さいコンデンサ
を形成する電極、グランド電位となる電極層などが例示
できる。
内部導体パターン２が配置され、所定回路網を形成して
いる。ここで、内部導体パターン２とは、所定回路網を
形成する導通パターン以外に、共振回路、フィルタを構
成するインダクタ導体、比較的容量の小さいコンデンサ
を形成する電極、グランド電位となる電極層などが例示
できる。
【００２７】内部導体パターン２は、Ａｇ系（Ａｇを主
成分とする材料で、Ａｇ単体またはＡｇ−ＰｄなどのＡ
ｇ合金）の金属成分と、低融点ガラス成分とから構成さ
れている。
成分とする材料で、Ａｇ単体またはＡｇ−ＰｄなどのＡ
ｇ合金）の金属成分と、低融点ガラス成分とから構成さ
れている。
【００２８】また、誘電体層１ａ〜１ｅの厚み方向にに
は、所定回路網を形成するためのビアホール導体３が形
成されている。このビアホール導体３によって、内部導
体パターン２どうし、内部導体パターン２と表面導体パ
ターン４とが接続されている。尚、ビアホール導体３も
内部導体パターン２と同様にＡｇ系（Ａｇを主成分とす
る材料で、Ａｇ単体またはＡｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）
の導体材料から成っている。
は、所定回路網を形成するためのビアホール導体３が形
成されている。このビアホール導体３によって、内部導
体パターン２どうし、内部導体パターン２と表面導体パ
ターン４とが接続されている。尚、ビアホール導体３も
内部導体パターン２と同様にＡｇ系（Ａｇを主成分とす
る材料で、Ａｇ単体またはＡｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）
の導体材料から成っている。
【００２９】積層体１の表面には誘電体層１ａに形成さ
れたビアホール導体３と接続する表面導体パターンが形
成されている。この表面導体パターン４も、内部導体パ
ターンと同様にＡｇ系材料を主成分とする導体材料から
構成されている。
れたビアホール導体３と接続する表面導体パターンが形
成されている。この表面導体パターン４も、内部導体パ
ターンと同様にＡｇ系材料を主成分とする導体材料から
構成されている。
【００３０】この表面導体パターン４上には、必要に応
じて、ＩＣチップ、チップ部品などの電子部品５が搭載
されている。
じて、ＩＣチップ、チップ部品などの電子部品５が搭載
されている。
【００３１】このような誘電体回路基板は次のようにし
て形成される。
て形成される。
【００３２】まず、誘電体層１ａ〜１ｅとなる誘電体グ
リーンシートを用意する。具体的には、先ず誘電体材料
である、純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3
の各原料粉末と純水を２４時間ボールミルにて混合した
後、該混合物を乾燥し、次いでこの乾燥物を１２００℃
の温度で大気中１時間仮焼し、得られた仮焼物にＢ2Ｏ
3 粉末およびＬｉ2 ＣＯ3 粉末をボールミルにて２４時
間混合した後、乾燥して誘電体原料粉末とし、この粉末
にアクリル系バインダ、可塑剤、トルエンを加えて４０
時間ボールミルで混合し、ドクターブレード法によりグ
リーンシートを得た。
リーンシートを用意する。具体的には、先ず誘電体材料
である、純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3
の各原料粉末と純水を２４時間ボールミルにて混合した
後、該混合物を乾燥し、次いでこの乾燥物を１２００℃
の温度で大気中１時間仮焼し、得られた仮焼物にＢ2Ｏ
3 粉末およびＬｉ2 ＣＯ3 粉末をボールミルにて２４時
間混合した後、乾燥して誘電体原料粉末とし、この粉末
にアクリル系バインダ、可塑剤、トルエンを加えて４０
時間ボールミルで混合し、ドクターブレード法によりグ
リーンシートを得た。
【００３３】次に、誘電体グリーンシートに内部導体パ
ターン及びビアホール導体となる導体を形成する。具体
的には、誘電体グリーンシートに、ビアホール導体３の
形成位置に応じて、ＮＣパンチ等で貫通孔を形成する。
その後、貫通孔にＡｇ系導体材料を主成分とする導電性
ペーストを充填・乾燥して導体を形成する。続いて、内
部導体パターン２及び表面導体パターン４となる導体膜
をＡｇ系導体材料を主成分とする導電性ペーストの印刷
・乾燥を行う。
ターン及びビアホール導体となる導体を形成する。具体
的には、誘電体グリーンシートに、ビアホール導体３の
形成位置に応じて、ＮＣパンチ等で貫通孔を形成する。
その後、貫通孔にＡｇ系導体材料を主成分とする導電性
ペーストを充填・乾燥して導体を形成する。続いて、内
部導体パターン２及び表面導体パターン４となる導体膜
をＡｇ系導体材料を主成分とする導電性ペーストの印刷
・乾燥を行う。
【００３４】次に、誘電体グリーンシート積層体１の積
層順序に応じて積層圧着する。
層順序に応じて積層圧着する。
【００３５】尚、この未焼成状態の積層体を形成した後
に、表面導体パターン４となる導体膜を形成してもよい
し、予め誘電体層１ａとなる表面に表面導体パターン４
となる導体膜を形成しておいても構わない。
に、表面導体パターン４となる導体膜を形成してもよい
し、予め誘電体層１ａとなる表面に表面導体パターン４
となる導体膜を形成しておいても構わない。
【００３６】次に、上述の積層体の焼成を行う。この焼
成は脱バインダー工程と本焼成工程から成る。脱バイン
ダー工程は概ね６００℃以下の温度領域であり、誘電体
グリーンシート、導体膜、導体にに含まれている有機バ
インダを焼失する過程である。
成は脱バインダー工程と本焼成工程から成る。脱バイン
ダー工程は概ね６００℃以下の温度領域であり、誘電体
グリーンシート、導体膜、導体にに含まれている有機バ
インダを焼失する過程である。
【００３７】また、本焼成工程は、ピーク温度８５０〜
１０５０℃、例えば、９００℃、６０分ピークの焼成過
程である。これにより、５層の誘電体層１ａ〜１ｅ、内
部導体パターン２、ビアホール導体３、表面導体パター
ン４は焼結反応して、積層体１が達成される。その後、
必要に応じて、電子部品５、６を搭載する。
１０５０℃、例えば、９００℃、６０分ピークの焼成過
程である。これにより、５層の誘電体層１ａ〜１ｅ、内
部導体パターン２、ビアホール導体３、表面導体パター
ン４は焼結反応して、積層体１が達成される。その後、
必要に応じて、電子部品５、６を搭載する。
【００３８】本発明において、内部導体パターン２や表
面導体パターン４となる導体膜を形成するための導電性
ぺ一ストは、Ａｇ系導体材料を主成分とする金属粉末
と、低融点ガラスフリット、必要に応じて所定金属酸化
物、有機ビヒクルとを均質混合して形成される。
面導体パターン４となる導体膜を形成するための導電性
ぺ一ストは、Ａｇ系導体材料を主成分とする金属粉末
と、低融点ガラスフリット、必要に応じて所定金属酸化
物、有機ビヒクルとを均質混合して形成される。
【００３９】Ａｇ系導体材料は、平均粒径１〜３μｍの
Ａｇ粉末、Ｐｔ粉末などが例示できる。
Ａｇ粉末、Ｐｔ粉末などが例示できる。
【００４０】低融点ガラス成分は、硼珪酸系ガラス粉末
が例示できる。この低融点ガラス成分には、Ｔａ成分が
含有されている。尚、Ｔａは、ガラス成分の一部として
含有させることもでき、また、Ｔａ2 Ｏ5 の酸化物粉末
として添加することもできる。
が例示できる。この低融点ガラス成分には、Ｔａ成分が
含有されている。尚、Ｔａは、ガラス成分の一部として
含有させることもでき、また、Ｔａ2 Ｏ5 の酸化物粉末
として添加することもできる。
【００４１】尚、酸化物とは、上述のＴａ2 Ｏ5 の他
に、焼成条件を整えるＢｉ2 Ｏ3 例示できる。
に、焼成条件を整えるＢｉ2 Ｏ3 例示できる。
【００４２】ここで、低融点ガラス成分は、Ａｇを主成
分とする金属粉末１００重量部に対して１．０〜２５．
０重量部の範囲で添加されている。この低融点ガラス成
分は、Ｑ値の向上のため、ガラス成分の存在が少なくし
た結果、基体と導体との界面のガラス成分を補い、アン
カー効果により基体と導体との接合強度を高めるもので
ある。
分とする金属粉末１００重量部に対して１．０〜２５．
０重量部の範囲で添加されている。この低融点ガラス成
分は、Ｑ値の向上のため、ガラス成分の存在が少なくし
た結果、基体と導体との界面のガラス成分を補い、アン
カー効果により基体と導体との接合強度を高めるもので
ある。
【００４３】尚、低融点ガラス成分が１．０重量部未満
では、このアンカー効果による接合強度の向上が困難で
あり、例えば、高温放置等による基体と導体の接着力の
低下を抑制することが出来ない。
では、このアンカー効果による接合強度の向上が困難で
あり、例えば、高温放置等による基体と導体の接着力の
低下を抑制することが出来ない。
【００４４】また、２５．０重量部越えると、導体中に
ガラス成分が過剰となり、導通抵抗が悪化する。
ガラス成分が過剰となり、導通抵抗が悪化する。
【００４５】また、低融点ガラス成分または酸化物とし
て添加されるＴａは、Ａｇを主成分とする金属粉末１０
０重量部に対して０．１〜０．３重量部の範囲で存在す
る。
て添加されるＴａは、Ａｇを主成分とする金属粉末１０
０重量部に対して０．１〜０．３重量部の範囲で存在す
る。
【００４６】Ｔａ成分は、Ａｇ粉末と誘電体基板との濡
れ性を向上させて、接着強度をさらに向上させるもので
ある。
れ性を向上させて、接着強度をさらに向上させるもので
ある。
【００４７】尚、Ｔａの添加量が、金属粉末１００重量
部にＴａ2 Ｏ5 換算で０．１重量部未満では、ガラスに
よるアンカーの効果が少なく高温放置等による基体と導
体の接着力の低下を抑制することができない。また、Ｔ
ａの添加量がＴａ2 Ｏ5 換算で３．０重量部よりも多く
なると導体中に残留するガラス量が多くなり導通抵抗が
大きくなる。
部にＴａ2 Ｏ5 換算で０．１重量部未満では、ガラスに
よるアンカーの効果が少なく高温放置等による基体と導
体の接着力の低下を抑制することができない。また、Ｔ
ａの添加量がＴａ2 Ｏ5 換算で３．０重量部よりも多く
なると導体中に残留するガラス量が多くなり導通抵抗が
大きくなる。
【００４８】尚、本発明においては、導体特性に悪影響
を及ぼさない範囲でＳｉ、Ｒｈ、Ｖ、Ｍｏ等の酸化物や
有機物を添加含有しても良く、この場合さらに接着力低
下の抑制や基板反りの低減を図ることが出来る。
を及ぼさない範囲でＳｉ、Ｒｈ、Ｖ、Ｍｏ等の酸化物や
有機物を添加含有しても良く、この場合さらに接着力低
下の抑制や基板反りの低減を図ることが出来る。
【００４９】このような導電性ぺーストは、例えば、Ａ
ｇ粉末、Ｐｔ粉末、有機ビヒクル、Ｔａを含有するガラ
ス成分、分散剤の各原料を所定量となるように秤量し、
３本ロールで混合し、これを所定の粘度となるように有
機ビヒクルを添加し調整することにより得られる。
ｇ粉末、Ｐｔ粉末、有機ビヒクル、Ｔａを含有するガラ
ス成分、分散剤の各原料を所定量となるように秤量し、
３本ロールで混合し、これを所定の粘度となるように有
機ビヒクルを添加し調整することにより得られる。
【００５０】
【実施例】先ず、平均粒径１〜３μｍのＡｇ粉末、Ｐｔ
粉末、Ｔａを含有するガラスフリツトの各原料粉末を表
１に示す量を秤量混合した後、得られた混合物に、ビヒ
クルとしてエチルセルロース等の有機バインダーを、ペ
ンダジオールインフレート等の有機溶剤に溶解したも
の、分散剤を各々加え、３本ロールミルで充分混合し
た。さらに、ペンダジオールインフレート等の有機溶剤
を用いて粘度を調整し、求める導電性ペーストを得た。
実施例では、Ｔａ成分を含む２種類の低融点ガラスを用
いた。尚、ガラスＡは、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴａＯ5 からなり、夫々の比率は２０Ｂ2
Ｏ3 −５０ＳｉＯ2 −１１ＣａＯ−１３Ａｌ2 Ｏ3 −６
ＴａＯ5 である。また、ガラスＢはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＢａＯ−ＭｇＯ−ＴａＯ5 からなり、夫々の比率は４
２Ｂ2 Ｏ3 −２２ＳｉＯ2 −１９ＢａＯ−５ＭｇＯ−１
２ＴａＯ5 である。
粉末、Ｔａを含有するガラスフリツトの各原料粉末を表
１に示す量を秤量混合した後、得られた混合物に、ビヒ
クルとしてエチルセルロース等の有機バインダーを、ペ
ンダジオールインフレート等の有機溶剤に溶解したも
の、分散剤を各々加え、３本ロールミルで充分混合し
た。さらに、ペンダジオールインフレート等の有機溶剤
を用いて粘度を調整し、求める導電性ペーストを得た。
実施例では、Ｔａ成分を含む２種類の低融点ガラスを用
いた。尚、ガラスＡは、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＣａＯ−
Ａｌ2 Ｏ3 −ＴａＯ5 からなり、夫々の比率は２０Ｂ2
Ｏ3 −５０ＳｉＯ2 −１１ＣａＯ−１３Ａｌ2 Ｏ3 −６
ＴａＯ5 である。また、ガラスＢはＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2
−ＢａＯ−ＭｇＯ−ＴａＯ5 からなり、夫々の比率は４
２Ｂ2 Ｏ3 −２２ＳｉＯ2 −１９ＢａＯ−５ＭｇＯ−１
２ＴａＯ5 である。
【００５１】
【表１】
【００５２】次に基体材料を作成するにあたり、原料と
して純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3 、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 等ガラス成分の各原料粉末を秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、Ｚ
ｒＯ2 ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混
合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気中７５０℃の温度
で３時間板焼した。得られた仮焼物にアクリル酸系のバ
インダー、可塑剤等を加えてからドクターブレード法に
てグリーンシートを得た。
して純度９９％以上のＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3 、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 等ガラス成分の各原料粉末を秤量
し、該原料粉末に媒体として純水を加えて２４時間、Ｚ
ｒＯ2 ボールを用いたボールミルにて混合した後、該混
合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気中７５０℃の温度
で３時間板焼した。得られた仮焼物にアクリル酸系のバ
インダー、可塑剤等を加えてからドクターブレード法に
てグリーンシートを得た。
【００５３】このグリーンシートには所定径のビアホー
ル導体３となる貫通孔をパンチングによって形成し、Ａ
ｇ系の導電ぺーストをこのビアホールに充填した。
ル導体３となる貫通孔をパンチングによって形成し、Ａ
ｇ系の導電ぺーストをこのビアホールに充填した。
【００５４】また、グリーンシート上にはＡｇ系の導電
性ぺーストを印刷し、特に表層には上記導電ペーストを
印刷し、各グリーンシートを積層一体化してから大気中
で焼成した。こうして得られた積層体の表層に露出した
表面導体パターンの導体抵抗及び１５０℃の高温槽に５
００時間投入した後の接着強度を調べた。
性ぺーストを印刷し、特に表層には上記導電ペーストを
印刷し、各グリーンシートを積層一体化してから大気中
で焼成した。こうして得られた積層体の表層に露出した
表面導体パターンの導体抵抗及び１５０℃の高温槽に５
００時間投入した後の接着強度を調べた。
【００５５】尚、導体抵抗は４．０ｍΩ／□以下を良品
とし、接着強度は０．５Ｋｇ以上を良好とした。結果を
表２に示す。
とし、接着強度は０．５Ｋｇ以上を良好とした。結果を
表２に示す。
【００５６】
【表２】
【００５７】表２によれば、低融点ガラス成分の添加量
が金属成分（Ａｇ及びＰｔ）１００重量部に対して１．
０重量部〜２５重量部で、さらに、ＴａがＴａ2 Ｏ5 換
算で０．１重量部〜３．０重量部の範囲においては、導
通抵抗（シート抵抗）が１．６〜３．９ｍΩ／□と４．
０ｍΩ／□以下となり、さらに、高温放置後であっても
接着強度が０．５Ｋｇ以上が維持できる。
が金属成分（Ａｇ及びＰｔ）１００重量部に対して１．
０重量部〜２５重量部で、さらに、ＴａがＴａ2 Ｏ5 換
算で０．１重量部〜３．０重量部の範囲においては、導
通抵抗（シート抵抗）が１．６〜３．９ｍΩ／□と４．
０ｍΩ／□以下となり、さらに、高温放置後であっても
接着強度が０．５Ｋｇ以上が維持できる。
【００５８】また、低融点ガラスの添加量が１．０重量
部未満又はＴａの含有量がＴａ2 Ｏ5 換算で１．０重量
部未満では、試料番号１〜３のように、高温放置後の接
着強度が０．１〜０．４Ｋｇ程度となる。
部未満又はＴａの含有量がＴａ2 Ｏ5 換算で１．０重量
部未満では、試料番号１〜３のように、高温放置後の接
着強度が０．１〜０．４Ｋｇ程度となる。
【００５９】特に、試料番号３のように、低融点ガラス
成分の添加量が１．０重量部であっても、Ｔａ成分が
０．０６重量部では、充分な接着強度が得られない。
成分の添加量が１．０重量部であっても、Ｔａ成分が
０．０６重量部では、充分な接着強度が得られない。
【００６０】また、低融点ガラスの添加量が２５．０重
量部を越える又はＴａの含有量がＴａ2 Ｏ5 換算で３．
０重量部を越えると試料番号１１、１８のように、導通
抵抗不良が発生する。
量部を越える又はＴａの含有量がＴａ2 Ｏ5 換算で３．
０重量部を越えると試料番号１１、１８のように、導通
抵抗不良が発生する。
【００６１】特に、試料番号１１のように、Ｔａ成分が
１．８０重量部であっても、低融点ガラス成分の添加量
が３０．０重量部では、全体としてもガラス成分が多過
ぎ、、充分な接着強度が得られない。
１．８０重量部であっても、低融点ガラス成分の添加量
が３０．０重量部では、全体としてもガラス成分が多過
ぎ、、充分な接着強度が得られない。
【００６２】尚、上述の実施例では、誘電体層が５層の
誘電体回路基板で説明したが、５層に限られるものでは
なく、単板状の基体の表面に表面導体パターンを同時焼
成によって焼き付けて形成したものであっても構わな
い。
誘電体回路基板で説明したが、５層に限られるものでは
なく、単板状の基体の表面に表面導体パターンを同時焼
成によって焼き付けて形成したものであっても構わな
い。
【００６３】また、誘電体層、誘電体膜として、Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とする誘電体セラミック
で説明したが、同一の材料で、８００〜１０５０℃で焼
成が可能な誘電体材料であれば上述の材料に限られるも
のではない。
Ｏ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 を主成分とする誘電体セラミック
で説明したが、同一の材料で、８００〜１０５０℃で焼
成が可能な誘電体材料であれば上述の材料に限られるも
のではない。
【００６４】
【発明の効果】本発明では、高周波用途に対応させるべ
く、基体のガラス成分を少なくしても、Ａｇを主成分と
する導体パターンの低融点ガラス成分及びＴａ成分を限
定することにより、接着力に優れ、導通抵抗にも優れた
導体パターンが形成でき、高周波用途に優れた誘電体回
路基板となる。
く、基体のガラス成分を少なくしても、Ａｇを主成分と
する導体パターンの低融点ガラス成分及びＴａ成分を限
定することにより、接着力に優れ、導通抵抗にも優れた
導体パターンが形成でき、高周波用途に優れた誘電体回
路基板となる。
【図１】本発明の誘電体回路基板の断面図である。
１・・・・・積層体 １ａ〜１ｅ・・・誘電体層 ２・・・・内部導体パターン ３・・・・ビアホール導体 ４・・・・表面配線パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA07 BB01 BB31 CC12 CC22 DD05 DD22 DD41 DD52 EE02 EE09 GG02 GG07 5E346 AA12 AA13 AA15 AA43 BB01 CC18 CC39 EE24 FF18 GG02 GG06 GG08 GG09 HH02 HH06 HH11
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層を積層してなる積層体
に、導体パターンを形成して成る誘電体回路基板におい
て、 前記導体パターンは、Ａｇを主成分とする金属成分とＴ
ａを含有する低融点ガラス成分とから成り、低融点ガラ
ス成分は金属成分１００重量部に対して、１．０〜２
５．０重量部であるとともに、Ｔａ成分がＴａ2 Ｏ5 換
算で金属成分１００重量部に対して０．１〜３．０重量
部であることを特徴とする誘電体回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34074798A JP2000165001A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34074798A JP2000165001A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000165001A true JP2000165001A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18339924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34074798A Pending JP2000165001A (ja) | 1998-11-30 | 1998-11-30 | 誘電体回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000165001A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076638A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック回路基板 |
| JP2002290037A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | 回路基板の製造方法 |
-
1998
- 1998-11-30 JP JP34074798A patent/JP2000165001A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002076638A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック回路基板 |
| JP2002290037A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-10-04 | Kyocera Corp | 回路基板の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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