JP2002076554A - 高周波用回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶
粒子、もしくはＢａＴｉ ₄Ｏ₉粒子を主成分とする基板と
ＳｉＯ₂が反応し、導体と誘電体層との間にすき間が発
生することがなく、周波数バラツキや、信頼性の劣化が
ない高周波用回路を提供する。 【解決手段】 本発明の回路基板１０は、ＭｇとＴｉを
含有するペロブスカイト型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ
₄Ｏ₉粒子を主成分とする誘電体層１ａ〜１ｅを複数積層
した積層体１の内部及び／または表面に、少なくともＡ
ｇ系粉末とガラスフリットとを含有し、該ガラスフリッ
トがガラス成分中３０ｗｔ％以下のＳｉＯ ₂を含有する
導電性ペーストで配線パターン２、３を形成した。ま
た、前記導電性ペースト中のガラスフリットの添加量が
１〜１２重量部である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波、ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用
電子部品に用いる回路基板に関するものであり、詳しく
は、その内部配線、表面配線、ビアホール導体の少なく
とも１つとなる導電性ペーストの改良に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ガラス成分とセラミック成分
とを有するガラスセラミック基板は、単板状基体又は複
数のガラスセラミック層を積層した積層基板等として用
いられている。これらの基板材料は比較的低温で焼結で
きるため、基板の内部または表面の所定配線・電極パタ
ーンの材料にＡｇやＣｕ等の低抵抗材料を用いることが
できる。

【０００３】従って、高周波動作する共振器、コンデン
サ、フィルタ等の素子を基板に形成する高周波用電子部
品として非常に有望となる。

【０００４】この高周波用電子部品としては、高周波共
振器、コンデンサ、フィルタ等やこれらを含む電圧制御
型発振回路、局発振信号形成回路、パワーアンプ等を形
成した回路基板等が例示できる。

【０００５】例えば、積層基板（基体）を用いた回路基
板は、複数の誘電体層を積層した基体と、誘電体層の層
間に配置した内部配線と、積層基板の表面に配置した表
面配線と、内部配線同士または内部配線と表面配線とを
接続するビアホール導体と、表面配線上に実装された各
種電子部品から構成されている。

【０００６】また、単板状基板（基体）を用いた回路基
板は、基板と、表面配線と、表面配線パターン上に実装
された各種電子部品から横成されている。

【０００７】比較的低温で焼成可能な回路基板は、基板
の材料として、セラミック等のフィラー材と、フィラー
材とほぼ同等の量の低融点ガラスフリットから成るセラ
ミック材が用いられている。例えば低融点ガラスフリッ
トは、コージェライト、ムライト、アノートサイト、セ
ルジアン、スピネル、ガーナイト、ウィレマイト、ドロ
マイト、ベタライト、オオスミライト及びその置換誘電
体等の結晶層のうち、少なくとも１種類を析出し得るガ
ラスフリットであり、フィラー材は、クリストバライ
ト、石英、コランダム（αアルミナ）等が例示できる。

【０００８】このような低温焼成可能な基体に、所定配
線パターンを形成するために用いられる低温焼成用導電
材料としては、Ａｇ粉末、Ｃｕ粉末、Ａｕ粉末等の低抵
抗材料の金属粉末を主体とし、ガラスフリット、有機ビ
ヒクルを混錬した導電性ペーストがあげられる。Ａｕ系
導電性ペーストは、導電性に優れ、化学的にも全く安定
で、且つ基体との接着性も良く、特に耐侯性に優れてい
るが、主成分のＡｕ粉末が大変高価であるという難点が
ある。また、Ｃｕ系導電性ペーストは主成分のＣｕ粉末
は安価で導電性にも優れるが、還元雰囲気での焼成が必
要となるため焼成工程が高価になる。そこで、これらの
難点を解消するために、各種Ａｇ系導電性ペーストが使
用されてきた。

【０００９】Ａｇ系導電性ペーストは、導電性に優れ、
且つ主成分のＡｇ粉末は比較的安価で、焼成も大気中で
行うことができる。このとき基体は、製造工程の簡略化
のために、表面配線パターンと同時焼成することによ
り、形成される。

【００１０】また、近年、高周波電子部品の小型化と高
性能化に伴い、誘電体磁器には高誘電率や低損失、共振
周波数の温度係数が小さいこと等が要求されている。

【００１１】そこで、ＭｇとＴｉを含有するペロブスカ
イト型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ ₄Ｏ₉粒子を主成分と
する高周波用磁器組成物が特開平１１−１５７９３１号
公報に開示されている。

【００１２】上記公報の材料では、誘電体磁器の比誘電
率εｒが１８以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０
０以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ
／℃以内の優れた特性を有し、且つ、比較的低温で焼成
できる高周波用磁器組成物が得られる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】一般に、高周波用磁器
組成物をＡｇ等を主成分とする導体材料と共に同時焼成
すると、導体膜の収縮開始温度が４００℃以下で始ま
り、収縮終了温度が７５０〜８００℃程度となり、一般
のガラスセラミック材料からなる基体側の収縮挙動に合
わず、例えば、導体膜の収縮終了温度（８００〜８５０
℃）前後では、ガラスセラミック材料のガラスの軟化や
結晶化反応が行われるため、基体側に反りが発生してし
まうという問題点がある。

【００１４】また、導体膜の脱バインダーは３００〜４
００℃で行われるが、導体膜の収縮が４００℃以下で始
まると、収縮した導体膜がバインダーの抜け道を塞いで
しまい、残留したバインダーが焼成時に膨張し、デラミ
ネーションの原因となるという問題点がある。

【００１５】そこで、導電性ペースト中にガラスフリッ
トを添加して収縮挙動を合わせ、反りを防止する方法が
考えられる。例えば特開平４−３９８１３には、８００
〜１０００℃の低温で、グリーンシートと一体焼成可能
な導電性ペーストとして、軟化点が５８０℃以上のＢ₂
０₃−ＳｉＯ₂酸系ガラス粉末を添加した導電性ペースト
が提案されている。すなわち、Ａｇ系導体材料の焼結反
応を、ガラスセラミック材料の焼結反応と同時程度に遅
らせることができ、その結果、基板の反りを防止するこ
とができる。また、導体膜の収縮開始温度をガラスセラ
ミック材料の収縮開始温度に近づけることができるた
め、導体膜の脱バインダーを３００〜４００℃で行った
場合も、収縮した導体膜がバインダーの抜け道を塞ぐこ
とがなく、脱バインダーが十分に行われるため、残留し
たバインダーが焼成時に膨張し、デラミネーションの原
因となるという問題点を解決できる。

【００１６】しかしながら、特開平１１−１５７９３１
号公報に開示されている誘電体磁器の場合、Ｂ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂系ガラスを添加した導電性ペーストと同時焼成を
行うと、基板と導体中のガラスとが反応し、導体と基板
の界面にすき間が発生してしまう。そのため、ストリッ
プライン共振器の周波数バラツキや信頼性の劣化につな
がるという問題点があった。

【００１７】本発明は上記課題に鑑みてなされたもの
で、その目的は、ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト
型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ₄Ｏ₉粒子を主成分とする
高周波用磁器組成物から成る誘電体層をＡｇ系導体材料
と一体焼成した場合も、誘電体基板と配線パターン（導
体）中のガラスとが反応し、導体と基板の界面にすき間
が発生することがなく、ストリップライン共振器等の周
波数バラツキや、信頼性の劣化のない高周波用回路基板
を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波用回路基
板は、ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶粒
子、もしくはＢａＴｉ₄Ｏ₉粒子を主成分とする誘電体層
を複数積層した積層体の内部及び／または表面に、少な
くともＡｇ粉末とガラスフリットとを含有し、該ガラス
フリットの組成中３０ｗｔ％以下のＳｉＯ₂を含有する
導電性ペーストで配線パターンを形成したことを特徴と
するものである。

【００１９】好ましくは、前記導電性ペースト中のガラ
スフリットの添加量は、Ａｇ系金属成分１００重量部に
対して１〜１２重量部の範囲にあることを特徴とするも
のである。

【作用】本発明によれば、導電性ペースト中のガラスフ
リット中に含有されるＳｉＯ₂が３０ｗｔ％以下である
ため、ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結晶粒
子、もしくはＢａＴｉ₄Ｏ₉粒子を主成分とする基板とＳ
ｉＯ₂が反応し、導体と基板の間にすき間が発生するこ
とがなく、周波数バラツキや、信頼性の劣化がない高周
波用電子部品を提供することができる。

【００２０】また、前記導電性ペースト中のガラスフリ
ットの添加量が、Ａｇ系金属成分１００重量部に対して
１〜１２重量部の範囲であるため、導体抵抗を低下させ
ることができる。また、ガラスフリットの比率が１重量
部以上であるため、Ａｇ系導体材料の焼結反応を、ガラ
スセラミック材料の焼結反応と同時程度に遅らせること
ができ、その結果、基板の反りを防止することができ
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る高周波用回路
基を図面に基づいて詳説する。

【００２２】図１は、本発明に係る高周波用電子部品の
一例である回路基板の断面図である。図１において、１
０は高周波用回路路基板であり、１は積層基板、２は積
層基板１内に形成された内部配線、３は積層基板１内に
形成されたビアホール導体、４は積層基板１の表面に形
成した表面配線、５はＩＣチップ部品であり、６は他の
電子部品である。

【００２３】積層基板１は、ガラスセラミック材料から
成る誘電体層１ａ〜１ｅと、誘電体層１ａ〜１ｅの各層
間に、所定回路網を達成したり、容量成分を発生するた
めの内部配線２が配置されている。

【００２４】また、誘電体層１ａ〜１ｅには、その層の
厚み方向を貫くビアホール導体３が形成されている。

【００２５】さらに、誘電体層１ａ〜１ｅを積層した積
層基板１の表面には、表面配線４が形成されている。

【００２６】誘電体層１ａ〜１ｅは、例えば９００〜１
０５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能にするガラス
セラミック材料からなる。具体的なセラミック材料とし
ては、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミ
ナ）、ムライト、コージェライト等の絶縁セラミック材
料、ＢａＴｉＯ₃ 、Ｐｂ₄Ｆｅ₂Ｎｂ₂Ｏ₁₂、ＴｉＯ₂等の
誘電体セラミック材料、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−
Ｚｎフェライト（広義の意味でセラミックスという）等
の磁性体セラミック材料等が挙げられる。なお、その平
均粒径１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜４．０
μｍに粉砕したものを用いる。また、セラミック材料は
２種以上混合して用いられてもよい。特に、コランダム
を用いた場合、コスト的に有利となる。誘電体層１ａ〜
１ｅの厚みは、例えば１００〜３００μｍ程度である。

【００２７】ガラスフリットのフリットは、焼成処理す
ることによってコージェライト、ムライト、アノーサイ
ト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例
えば、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、アルカリ
土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。

【００２８】ガラスフリットは、上述の焼成処理におい
て主に低温焼結助剤として作用し、９００〜９６０℃で
焼成可能とする材料が選ばれる。このガラスフリット
は、Ｂ ₂０₃−ＳｉＯ₂系の低軟化点（６００〜８００
℃）のガラスフリットを添加されている。このガラスフ
リットは、低温焼結助材として作用するものであり、そ
の添加量は、基体の固形成分中３０ｖｏｌ％以下の範囲
で含まれている。すなわち、３０ｖｏｌ％を越えると、
基体の誘電率を低下させてしまい、高周波動作可能な電
子部品に用いることが困難となる。内部配線２の厚みは
８〜１５μｍ程度である。また、ビアホール導体３の直
径は任意な値とすることができるが、大径化して低抵抗
化するために８０〜３５０μｍとしている。

【００２９】表面配線４は、主に積層基板１の表面で所
定回路配線を構成するとともに、半田を介して接合され
る電子部品６の接続パッドとなったり、また、厚膜抵抗
膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極となる。特に、内部
配線２との接続において、この表面配線４は誘電体層１
ａから露出するビアホール導体３と接続する。

【００３０】内部配線２、ビアホール導体３、及び表面
配線４を形成するＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ粉末を
主成分とする金属粉末（若干量のＰｔ、Ｐｄの粉末等を
添加してもよい）と、例えば４５Ｂ₂Ｏ₃−５ＳｉＯ₂−
３５Ｂａ０−３ＭｇＯ−８Ａｌ₂Ｏ₃等のＢ₂０₃−ＳｉＯ
₂系ガラスフリット、さらに必要に応じてＢｉ₂Ｏ₃粉末
と、有機ビヒクルとを混練して形成される。

【００３１】本発明の特徴的なことは、導電性ペースト
のガラスフリット、その組成分中ＳｉＯ₂の量が３０ｗ
ｔ％以下であるため、ＭｇとＴｉを含有するペロブスカ
イト型結晶粒子、もしくはＢａＴｉ₄Ｏ₉粒子を主成分と
する基板とＳｉＯ₂が反応し、導体と基板の間にすき間
が発生することがなく、周波数バラツキや、信頼性の劣
化がない高周波用電子部品を提供することができる。

【００３２】ここで、本発明のＡｇ系導電性ペースト
は、内部配線２、ビアホール導体３、及び表面配線４の
全てを形成するために用いてもよく、また、少なくとも
１つを形成するために用いてもよい。

【００３３】そして、このガラスフリットは、配線パタ
ーンのＡｇ系金属成分１００重量部に対して、１〜１２
重量部の範囲になるように添加されることが望ましい。

【００３４】すなわち、ガラス添加量が１重量部未満の
場合、基板と配線パターン（導体）との収縮挙動が合わ
ず、反りが発生してしまう。一方、ガラス添加量が１２
重量部を越える場合、配線パターン（導体）のシート抵
抗値が大きくなってしまう。

【００３５】なお、反りの測定方法は、焼成後の寸法で
８．５ｍｍ角の表面配線を形成し、接触膜厚計のプロー
ブを当てることによって測定し、１００μｍ以下のもの
を良品とし、１００μｍを越えるものを不良とした。

【００３６】また、シート抵抗（ｍΩ／□）は、長さ
（Ｌ）及び幅（Ｗ）が１００：１の寸法関係（Ｌ／Ｗ＝
１００／１）を有するパターンとされた厚膜導体上の２
点を周知の４端子法（ホイートストンブリッジを用いた
抵抗値測定方法）によって測定した上での膜厚換算によ
って求めた導体抵抗値である。シート抵抗の評価とし
て、２０ｍΩ／□以下のものを良品として、２０ｍΩ／
□を越えるものを不良とした。

【００３７】また、ＩＣチップ５は、所定表面配線４
に、ＡｌまたはＡｕのボンディング細線を用いてワイヤ
ボンディングしたり、ＩＣチップ５の下面に形成したパ
ンプ部材を介して接続されている。

【００３８】また、電子部品６は、積層セラミックコン
デンサやチップ抵抗器等のチップ状電子部品や、その他
発振装置やトランジスタ等が例示でき、表面配線４に半
田を介して接続されている。

【００３９】なお、本発明においては、Ａｇ系の導電性
ペーストに導体特性に悪影響を及ぼさない範囲でＢｉ、
Ｒｈ、Ｖ、Ｒｕ、Ｎｉ等の酸化物や有機物を添加しても
良く、この場合、さらに接着力低下の抑制や、基体反り
の低減を図ることができる。

【００４０】上述の回路基板１０の製造方法について説
明する。

【００４１】まず、誘電体層１ａ〜１ｅとなるガラスセ
ラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具体
的には、上述のセラミック粉末、上述の低融点ガラス成
分のフリット、有機バインダ、有機溶剤を均質混練した
スラリーを、ドクターブレード法によって所定厚みにテ
ープ成形して、所定大きさに切断してシートを作成す
る。上述のセラミック材料とガラス材料との構成比率
は、９００〜１０５０℃の比較的低温で安定的に焼成す
るために、セラミック材料が１０〜６０重量％、好まし
くは３０〜５０重量％であり、ガラス材料が９０〜４０
重量％、好ましくは７０〜５０重量％である。

【００４２】有機バインダは、固形分（セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように、熱分解性に優れたものが好ましく、ア
クリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボ
キシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽
和化合物が好ましい。

【００４３】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２，
２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイ
ソベンチート等が用いられ、水系溶剤の場合には、水溶
性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水
性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
その付加量は酸価で表せば２〜３００あり、好ましくは
５〜１００である。付加量が少ない場合は水への溶解
性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱
分解性が悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散
性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加され
る。

【００４４】次に、誘電体層１ａ〜１ｅとなるグリーン
シートに、各誘電体層の厚みを貫くビアホール導体３が
形成される所定径の貫通穴をパンチングによって形成す
る。

【００４５】この貫通穴は、ビアホール導体３の導体抵
抗を下げるため、必要に応じてその開口直径を８０〜３
５０μｍとしている。

【００４６】次に、グリーンシートに形成した貫通穴
に、ビアホール導体３となる導体を、Ａｇ系導電性ペー
ストの印刷・充填により形成するとともに、グリーンシ
ート上に、各内部配線２となる導体膜を印刷し、乾燥処
理を行う。同時に、最外表に位置するグリーンシート上
に、表面配線４となる導体膜を印刷し、乾燥処理を行
う。

【００４７】ここで、内部配線２、ビアホール導体３、
表面配線４用のＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ
単体、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等のＡｇ合金）粉末、ホ
ウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロース等の
有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられ
る。

【００４８】また、表面配線４には、固形成分として、
Ｖ₂Ｏ₅粉末を各金属成分に対して０．２〜１．０重量部
添加すると、積層基板１表面との接着強度が向上して望
ましい。

【００４９】このようにビアホール導体３となる導体、
内部配線２となる導体膜が形成された誘電体層１ｂ〜１
ｅとなるグリーンシート、表面配線４となるＡｇ系の導
体膜が形成された誘電体層１ａとなるグリーンシート
を、積層基板１の誘電体層１ａ〜１ｅの積層順に応じて
積層一体化する。

【００５０】次に、未焼成の積層基板を、酸化性、中性
雰囲気または大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、
脱バインダ過程と焼結過程からなる。

【００５１】脱バインダ過程は、誘電体層１ａ〜１ｅと
なるグリーンシート、内部配線２となる導体膜、ビアホ
ール導体３となる導体、表面配線４となる導体膜に含ま
れる有機成分を焼失するためのものであり、例えば６０
０℃以下の温度領域で行われる。

【００５２】また、焼結過程は、誘電体層１ａ〜１ｅと
なるグリーンシートのガラス成分が結晶化すると同時に
セラミック粉末の粒界に均一に分散し、積層基板に一定
強度を与え、さらに、内部配線２となる導体膜、ビアホ
ール導体３となる導体、表面配線４となる導体膜の導電
材料の金属粉末であるＡｇ系材料またはＡｕ材料を粒成
長させて、低抵抗化させ、誘電体層１ａ〜１ｅと一体化
させるものである。これは、ピーク温度９００〜１０５
０℃に達するまでに行われる。

【００５３】この工程で、内部に内部配線２、ビアホー
ル導体３が形成され、且つ表面に表面配線４が形成され
た積層基板１が達成されることになる。

【００５４】その後、必要に応じて、表面配線４に接続
する厚膜抵抗素子や所定形状の絶縁保護膜を形成して、
各種電子部品６を半田等で接合・実装を行う。さらに、
所定配線導体膜上にＩＣチップ部品５を搭載して、Ａｌ
またはＡｕのボンディング細線によるワイヤボンディン
グ接合や半田バンプを用いたフリップチップ接続を行
う。これにより、図１に示す回路基板１０が達成でき
る。

【００５５】ここで、導電性ペーストのガラスフリット
中のＳｉＯ₂は、全ガラス成分中０、１０、１２、３
０、４０、５０ｗｔ％に夫々変化させ、作製した試料を
破断し、ＳＥＭによりすき間の有無を調査した。尚、ガ
ラス成分の添加量は、Ａｇ系金属成分１００重量部に対
して、１０重量部に固定した。

【００５６】その結果、ガラスフリット中のＳｉＯ₂の
量が３０ｗｔ％以下である場合、基体とガラスが反応せ
ず、すき間が発生しなかった。これは、ＳｉＯ₂の量が
０ｗｔ％の場合も同様だった。

【００５７】これに対し、ＳｉＯ₂の量が３０ｗｔ％を
超える場合、基体とガラスが反応し、すき間が発生し
た。

【００５８】また、ガラスの添加量として、導電性ペー
ストのＡｇ系金属成分１００重量部に対して、０重量
部、１重量部、１２重量部、１５重量部に夫々変化させ
て、反り及び導体抵抗を測定した。尚、ＳｉＯ₂の添加
量は、ガラス成分中１２ｗｔ％で固定した。

【００５９】その結果、０重量部では、反りが１２０μ
ｍ、シート抵抗が９ｍΩ／□であり、１重量部では、反
りが６０μｍ、シート抵抗が１３ｍΩ／□であり、１２
重量部では、反りが２０μｍ、シート抵抗が１９ｍΩ／
□であり、１５重量部では、反りが１０μｍ、シート抵
抗が３５ｍΩ／□であった。

【００６０】すなわち、上述のガラス添加量では、１重
量部未満の場合、反りが１００μｍを越えてしまい、ま
た１２重量部を越えると、２０ｍΩ／□を越えるものと
なってまう。

【００６１】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導電性
ペーストのガラスフリット中の成分中ＳｉＯ₂の含有量
が３０ｗｔ％以下であるため、導電性ペーストと基体と
の反応を抑え、基体と導体界面のすき間の発生を抑える
ことが可能となる。このことにより、周波数バラツキ
や、信頼性の劣化がない高周波用電子部品に用いる回路
基板を提供することができる。

【００６２】また、前記導電性ペーストのガラスフリッ
トの添加量が、Ａｇ系金属成分中１〜１２重量部の範囲
であるため、導体抵抗を低下させることができる。ま
た、ガラスフリットの比率が１重量部以上であるため、
Ａｇ系導体材料の焼結反応を、ガラスセラミック材料の
焼結反応と同時程度に遅らせることができ、その結果、
基板の反りを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる高周波用回路基板の断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ 回路基板 １ 積層基板 １ａ〜１ｅ 誘電体層 ２ 内部配線 ３ ビアホール導体 ４ 表面配線 ５ ＩＣチップ ６ 電子部品

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ＭｇとＴｉを含有するペロブスカイト型結
   晶粒子、もしくはＢａＴｉ₄Ｏ₉粒子を主成分とする誘電
   体層を複数積層した積層体の内部及び／または表面に、 少なくともＡｇ系粉末とガラスフリットとを含有し、該
   ガラスフリットの組成中３０ｗｔ％以下のＳｉＯ₂を含
   有する導電性ペーストにより配線パターンを形成したこ
   とを特徴とする高周波用回路基板。
2. 【請求項２】前記導電性ペースト中のガラスフリットの
   添加量は、Ａｇ系金属成分１００重量部に対して、１〜
   １２重量部の範囲であることを特徴とする請求項１記載
   の高周波用回路基板。