JP3493294B2 - 回路基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、多層基板、又は単
板などの基体表面に、Ａｕ系導体膜とＡｇ系導体膜とが
混在して成る回路基板に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】上述の回路基板は、主に、ＩＣチップや
単結晶圧電基板などを実装する回路基板に用いられるも
のであり、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜は、
例えばＩＣチップの入出力パッドや単結晶圧電基板の入
出力電極との間にボンディングワイヤなどが施されるボ
ンディングパッドとして用いられる。また、Ａｇ系導体
からなる第２表面配線は、主に回路配線を構成したり、
半田接合される電子部品の電極として用いられる。 【０００３】いずれの材料も、その焼成雰囲気が酸化性
雰囲気（大気雰囲気）であるため、当然同時に焼成可能
な材料と言える。しかも、近年、基体材料も、焼成温度
を８００〜１０５０℃と比較的低い温度で焼成可能な材
料も提案されなおり、基体との一括焼成も行われいた。 【０００４】回路基板は、例えば、複数の誘電体（絶
縁）層からなる多層基板の各層間にＡｇ系導体の内部配
線導体を有し、同時に、多層基板の厚み方向に所定内部
配線導体を接続するＡｇ系導体のビアホール導体を有
し、さらに、多層基板の表面に、ＩＣチップなどのチッ
プ部品を搭載するためのＡｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜と配線パターンを形成するＡｇ系導体からなる
第２表面配線導体膜が形成されている。尚、誘電体層
は、Ａｇ系導体のＡｇの融点よりも低温で焼成可能なガ
ラス−セラミック材料が用いられている。そして、この
ような回路基板を構成する誘電体層、内部配線導体、ビ
アホール導体、第１表面配線導体膜、第２表面配線導体
膜を一括的に焼成していた。 【０００５】ここでと大きな問題は、表面配線導体膜が
Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜とＡｇ系導体か
らなる第２表面配線導体膜との接続である。これは、第
１表面配線導体膜と第２表面配線導体膜とが直接重畳接
合する部分及びビアホール導体と第１表面配線導体膜と
が重畳接合する部分で、焼成処理時に、Ａｇ系導体のＡ
ｇ粒子がＡｕ系導体膜中に取り込まれてしまい、安定し
た接続が達成できないということである。 【０００６】そこで、特開昭６２−２７９６９５号で
は、Ａｇ系導体とＡｕ系導体との接合界面部分にＮｉな
どのメッキ層を形成し、Ａｇ粒子のＡｕ導体膜への移行
を防止し、接続信頼性を維持していた。 【０００７】また、ＩＣチップなどとボンディングワイ
ヤとによって接続されるＡｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜とＡｕ系導体からなる第２表面配線導体膜と重
畳部分は、Ａｇ粒子のＡｕ導体膜への移行距離を考慮
し、ボンディング位置から３００〜５００μｍ以上離し
て信頼性を確保していた。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】しかし、Ａｇ系の導体
とＡｕ系の導体との接合界面に、別の金属などのメッキ
層を介在させることにより、Ａｇ粒子のＡｕ系導体膜の
移行を防ぐことができるものの、製造工程中、厚膜技法
（導電性ペースト印刷・乾燥及び焼成）を中心とする工
程中に、メッキ工程を行う必要があり、製造工程の煩雑
化してしまい、実際の工程に供さないものであった。 【０００９】また、Ａｇ系の導体とＡｕ系の導体とを直
接接続し、ボンディングパッドまでの距離を一定以上と
ることによりワイヤーボンディング信頼性を確保できる
ものの、設計の制約が非常に大きく、小型化の大きな妨
げとなっていた。 【００１０】本発明は、上述の問題に鑑みて案出された
ものであり、その目的は、Ａｇ系の表面配線とＡｕ系の
表面配線とを直接重畳接合でき、且つ接続信頼性を確保
し、また、設計の制約を最小限にして小型化が可能な回
路基板の製造方法を提供するものである。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、耐
熱絶縁基体の表面に、Ａｕ系金属粉末、ガラス成分を含
む第１表面配線導体膜と、Ａｇ系金属粉末、ガラス成分
を含む第２表面配線導体膜とを、夫々の一部を重畳接合
し、且つ一体的に焼成した回路基板において、前記第１
表面配線導体膜のガラス成分の含有率が、Ａｕ系金属成
分１００重量部に対して５．０ｗｔ％未満であり、且つ
第２表面配線導体膜のＡｇ系金属成分に対するガラス成
分の含有率よりも大きいとともに、第１表面配線導体膜
のガラス成分の軟化点が、第２表面配線導体膜のガラス
成分の軟化点よりも高いことを特徴とするものである。 【００１２】尚、ここで、耐熱性絶縁基体とは、例えば
焼成された単板状のセラミック基板であったり、未焼成
状態の低温焼成材料からなる単板状の基板であったり、
また、焼成された多層セラミック基板であったり、未焼
成状態の低温焼成材料からなる多層基板をいい、多層基
板においては、内部に所定配線パターンやコンデンサ、
抵抗、コイルやストリップラインなどの所定機能を有す
る回路が形成されている。 【００１３】 【作用】本発明では、耐熱絶縁基体上に、同時焼成され
たＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜とＡｇ系導体
からなる第２表面配線導体膜とが互いに重畳接合しあっ
て混在している。そして、Ａｕ系の第１表面配線導体膜
は、主にＩＣチップや単結晶圧電基板との接続用パッド
として用いられ、Ａｇ系の第２表面配線導体膜は、主に
回路を構成する表面配線として、内部配線導体との接続
するための導体膜として用いられる。 【００１４】このようなＡｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜とＡｇ系導体からなる第２表面配線導体膜と接
合部分において一体的に焼成すると、Ａｕ系導体からな
る第１表面配線導体膜を形成するＡｕ系導電性ペースト
のガラス成分粉末（無機バインダー）の含有率及び軟化
点の違いにより、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体
膜の焼結の促進を遅れせることができる。従って、Ａｇ
系導体からなる第２表面配線導体膜のＡｇ粒子がＡｕ系
導体膜中に移行する時期、スピードを遅らせることがで
きる。 【００１５】その結果、Ａｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜とＡｇ系導体からなる第２表面配線導体膜との
重畳接合部分の接続安定する。また、ＩＣチップが接続
するＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜（ボンディ
ングパッド）から重畳接合部分までの距離を短くするこ
とができる。 【００１６】Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜の
単体では、Ａｕ導体膜のガラス成分粉末量が多い場合や
焼結温度よりも軟化点が高い場合は、Ａｕ系導電性ペー
ストのガラス成分粉末が、第１表面配線導体膜の表面に
残留したり、焼結不足により第１表面配線導体膜の表面
にボイドが発生したりする。その結果、ワイヤーボンデ
ィング不良や半田濡れ性が低下してしまう。 【００１７】このため、本発明では、Ａｕ系導電性ペー
スト中、ガラス成分粉末の含有率をＡｕ系金属成分１０
０重量部に対して、５．０ｗｔ％未満とすることが重要
となる。また、そのガラス成分粉末の軟化点温度は、焼
成温度以下、例えば、Ａｕの融点以下でなくてはならな
い。 【００１８】以上のように、本発明では、Ａｕ系導体か
らなる第１表面配線導体膜とＡｇ系導体からなる第２表
面配線導体膜との接合界面に、メッキという異なる工程
で別の金属を形成する必要がなく、製造工程が非常に簡
略化する。また、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体
膜とＡｇ系導体からなる第２表面配線導体膜との電気的
な接続も安定し、さらに、Ａｕ系導体からなる第１表面
配線導体膜に対してワイヤボンディングを行うことがで
きる。 【００１９】 【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明に係る回路基板の断
面図である。尚、実施例の基体として、基体の構造及び
製造工程が複雑な低温焼成多層基板を用いた例で説明す
る。 【００２０】図１において、１０は回路基板であり、１
は基体（以下、積層体という）、２１は積層体１の表面
に形成したＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜、２
２はＡｇ系導体からなる第２表面配線導体膜、３は積層
体１内の形成された内部配線導体、４は積層体１内の形
成されたビアホール導体、５は積層体１の表面にＡｕ系
導体からなる第１表面配線導体膜２１とボンディングワ
イヤＷを介して接続する電子部品、６はＡｇ系導体から
なる第２表面配線導体膜２２に半田などを介して接続さ
れる電子部品である。 【００２１】積層体１は、低温焼成可能な材料からなる
絶縁層１ａ〜１ｅが積層されて構成されている。その材
料は、例えば、アルミナセラミック粉末、誘電体セラミ
ック粉末、磁性体材料（広義にセラミック）粉末などの
粒体の周囲に結晶化ガラス成分が存在するガラス−セラ
ミック材料である。 【００２２】絶縁層１ａ〜１ｅの各層間には、所定回路
網を達成し、また必要に応じて容量成分、インダクタ成
分を発生するための内部配線導体膜３が配置されてい
る。また、絶縁層１ａ〜１ｅには、その層の厚み方向を
貫くビアホール導体４が形成されている。 【００２３】上述のガラス−セラミック材料は、例えば
８５０〜１０５０℃前後の比較的低い温度で焼成されて
成るものであり、具体的には、セラミック材料として
は、クリストバライト、石英、コランダム（αアルミ
ナ）、ムライト、コージライトなどの絶縁性セラミッ
ク、ＢａＴｉＯ₃ 、ＰｂＦｅ₂ Ｎｂ₂ Ｏ₁₂、ＴｉＯ₂ な
どの誘電体セラミック、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−
Ｚｎフェライトなどの磁性体セラミックなどが例示でき
る。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を含むガ
ラスフリットを焼成処理することによって、コージェラ
イト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネ
ル、ガーナイト、ウイレマ イト、ドロマイト、ペタラ
イトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析出
するものである。 【００２４】この絶縁層１ａ〜１ｅの厚みは、例えば１
００〜３００μｍ程度である。 【００２５】内部配線導体３、ビアホール導体４は、Ａ
ｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）など導体
膜（導体）からなり、内部配線導体３の厚みは８〜１５
μｍ程度であり、ビアホール導体４の直径は任意な値と
することができるが、例えば直径は８０〜２５０μｍで
ある。 【００２６】また、このような構造の積層体１の表面に
は、２種類の表面配線導体膜２１、２２が形成されてい
る。第１表面配線導体膜２１は、Ａｕ系（Ａｕ単体、Ａ
ｕ−Ｐｔ、Ａｕ−ＰｄななどのＡｇ合金）導体膜からな
り、第２表面配線導体膜２２は、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａ
ｇ−ＰｄなどＡｇ合金）導体膜からなっている。 Ａｇ
系導体からなる第２表面配線導体膜２２は、主に表面の
回路配線を構成するとともに、半田を介して接合される
電子部品６の接続パッドを構成したり、また、厚膜抵抗
膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極を構成したりする。
特に、内部配線導体膜３との接続において、例えば、絶
縁層１ａから露出するＡｇ系導体からなるビアホール導
体４の開口部分で重畳接合している。 【００２７】Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２
１は、主に、ボンディングワイヤＷによって接続される
電子部品（ＩＣチップや単結晶圧電基板）の接続パッド
（ワイヤボンディングパッド）や半田などを介して接続
される電極パッドとして用いられる。 【００２８】回路基板の表面において、第１表面配線導
体膜２１と第２表面配線導体膜２２との接続構造は、第
１表面配線導体膜２１の一部に、第２表面配線導体膜２
１が直接重畳して接続を達成している。 【００２９】このようなＡｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜２１及びＡｇ系導体からなる第２表面配線導体
膜２２は、積層体１とともに一体的に焼成されて構成さ
れる。 【００３０】このＡｕ系導体からなる第１表面配線導体
膜２１とＡｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２と
の重畳接合部分において、第１表面配線導体膜２１の膜
厚は１０〜１５μであり、第２表面配線導体膜の膜厚は
２５μｍ以上である。従って、この重畳接合部分以外の
膜厚は、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２１、
Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２を各々例え
ば１０〜１５μｍ程度としても表面配線導体膜２２同一
にしても構わない。 【００３１】このような接合構造によれば、製造工程
中、特に焼成工程において、Ａｕ系の第１表面配線導体
膜２１に、第２表面配線導体膜２２のＡｇ粒子の移行が
発生しても、Ａｇ系の第２表面配線導体膜２２には十分
な膜厚が存在するために、接続部分が不良となることは
ない。 【００３２】また、焼成工程において、Ａｕ系の第１表
面配線導体膜２１に、Ａｇ系の第２表面配線導体膜２２
のＡｇ系粒子の移行が発生しても、Ａｇ系粒子の移行距
離（Ａｇ拡散距離）を最小限にできるため、重畳部から
ボンディングパッドまでの距離が短くでき、設計的に有
利である。 【００３３】以上のように、本発明の低温焼成回路基板
において、積層体１の第１表面配線導体膜２１に機械的
に接合されたＩＣチップなどの電子部品５とＡｕ系第１
表面配線導体膜２１（ワイヤボンディングパッド）と
を、Ａｌ又はＡｕのボンディングワイヤＷを用いてワイ
ヤボンディングすることができる。 【００３４】また、この第１表面配線導体膜２１には、
半田を介して電子部品を実装することもでき、また、Ａ
ｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２には、電子部
品６を安定して接続することができ、全体として接続信
頼性が維持できる。 【００３５】上述の回路基板の製造方法について説明す
る。 【００３６】まず、絶縁層１ａ〜１ｅとなるガラス−セ
ラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具体
的には、アルミナセラミック粉末、低融点ガラス成分の
フリット、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラ
リーを、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ
成形して、所定大きさに切断してシートを作成する。 【００３７】セラミック粉末は、平均粒径１．０〜６．
０μｍ、好ましくは１．５〜４．０μｍに粉砕したもの
を用いる。尚、セラミック材料は２種以上混合して用い
られてもよい。 【００３８】低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理
することによってコージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶 相を析出するものであればよく、
例えば、Ｂ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＯ、ア
ルカリ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。
このようなガラスフリットは、ガラス化範囲が広くまた
屈伏点が６００〜８００℃付近にあるため、８５０〜１
０５０℃程度の低温焼成に適し、Ａｇ系内部配線導体
３、ビアホール導体４、Ａｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜２１、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜
２２となる導体膜との焼結挙動が近似している。尚、こ
のガラスフリットの平均粒径は、１．０〜６．０μｍ、
１．５〜３．５μｍである。また、上述のセラミック材
料とガラス材料との構成比率は、８５０〜１０５０℃の
比較的低温で焼成するために、セラミック材料が１０〜
６０ｗｔ％、好ましくは３０〜５０ｗｔ％であり、ガラ
ス材料が９０〜４０ｗｔ％、好ましくは７０〜５０ｗｔ
％である。 【００３９】有機バインダは、固形分（セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。 【００４０】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、2.2.4-
トリメチル-1. 3-ペンタンジオールモノイソベンチート
などが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶性である必
要があり、モノマー 及びバインダには、親水性の官能
基、例えばカルボキシル基が付加されている。 【００４１】その付加量は酸価で表せば２〜３００であ
り、好ましくは５〜２００である。付加量が少ない場合
は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、
多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への
溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適
宜付加される。 【００４２】次に、絶縁層１ａ〜１ｅとなるグリーンシ
ートには、各層のビアホール導体４の形成位置に対応し
て、所定径の貫通穴をパンチングによって形成する。 【００４３】次に、グリーンシートの貫通穴に、ビアホ
ール導体４となるＡｇ系導体をＡｇ系導電性ペーストの
印刷により充填するとともに、絶縁層１ｂ〜１ｅとなる
グリーンシート上に、各内部配線導体３となる導体膜を
Ａｇ系導電性ペーストの印刷印刷し、乾燥処理を行う。 【００４４】ここで、ビアホール導体４となる導体、内
部配線導体３となる導体はＡｇ系導電性ペーストを用い
て形成される。このＡｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系
（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末、ホウ珪
酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロースなどの有
機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。 【００４５】また、絶縁層１ａなるグリーンシート上
に、第１表面配線導体膜２１となる導体膜を表面配線用
のＡｕ系導電性ペーストを用いて印刷し、乾燥処理を行
い、続いて、第２表面配線導体膜２２となる導体膜を表
面配線用のＡｇ系導電性ペーストを用いて印刷し、乾燥
処理を行う。両者の接続部、即ち、第１表面配線導体膜
２１となる導体膜上に、第２表面配線導体膜２２となる
導体膜が直接重畳して成る部分において、それぞれの膜
厚を制御しなくてはならない。このため、この重畳接合
部において、第２表面配線導体膜２２となる導体膜を印
刷した回数の1.5倍以上の回数を施して、第２表面配線
導体膜２２となる導体膜の厚みが第１表面配線導体膜の
厚みの1.5 倍以上となるように印刷を行う。 【００４６】ここで、Ａｇ系導体からなる第２表面配線
導体膜２２を形成するためのＡｇ系導電性ペーストは、
Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｔなどのＡｇ合金）粉末、
Ｐｔ粉末、ガラス粉末成分（以下、基板材料のガラス成
分と混同を避けるために無機バインダーという）、有機
バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。 【００４７】また、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導
体膜２１を形成するためのＡｕ系導電性ペーストは、Ａ
ｕ系（Ａｕ単体、Ａｕ−Ｐｄ、Ａｕ−ＰｔなどのＡｕ合
金）粉末、無機バインダー（以下、基板材料のガラス成
分と混同を避けるために無機バインダーという）、有機
バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。 【００４８】尚、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体
膜２１、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２を
形成する導電性ペーストには、積層体１とのアンカー効
果のために接続強度を向上させるために、Ｖ₂ Ｏ₅ 粉末
を各金属成分１００重量部に対して、０．２〜１．０ｗ
ｔ％添加すると、積層体１との接着強度が向上して望ま
しい。 【００４９】このようにして内部配線導体３、ビアホー
ル導体４を有する絶縁層１ｂ〜１ｅとなるグリーンシー
ト及びＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２１とな
る導体膜、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２
となる導体膜を有する絶縁層１ａとなるグリーンシート
を、積層体１の絶縁層１ａ〜１ｅの積層順に応じて積層
一体化する。 【００５０】次に、未焼成の積層体を、酸化性雰囲気ま
たは大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バイン
ダ過程と焼結過程からなる。 【００５１】脱バインダ過程は、絶縁層１ａ〜１ｅとな
るグリーンシート、内部配線導体３３となる導体膜、ビ
アホール導体４となる導体、第１表面配線導体膜２１と
なる導体膜、第２表面配線導体膜２２となる導体膜に含
まれる有機成分を焼失するためのものであり、例えば５
８０℃以下の温度領域で行われる。 【００５２】また、焼結過程は、グリーンシートのガラ
ス成分を結晶化させると同時にセラミック粉末の粒界に
均一に分散させ、積層体に一定強度を与え、内部配線導
体３となる導体膜、ビアホール導体４となる導体、表面
配線導体膜２１、２２となる導体膜の導電材料の金属粉
末、ＡｇまたはＡｕ粉末を粒成長させて、低抵抗化さ
せ、絶縁層１ａ〜１ｅと一体化させるものである。これ
は、ピーク温度８５０〜１０５０℃に達するまでに行わ
れる 。 【００５３】この工程で、内部に内部配線導体３、ビア
ホール導体４が形成され、且つ表面に表面配線導体膜２
１、２２が形成された積層体１が達成されることにな
る。 【００５４】所定形状の絶縁保護膜を形成して、各種電
子部品６を半田などで接合・実装を行う。さらに、第１
表面配線導体膜２１上にＩＣチップなどの電子部品６を
搭載して、第１表面配線導体膜２１との間にＡｌ又はＡ
ｕのボンディング細線を介して、ワイヤボンディング接
合を行う。 【００５５】これにより、図１に示す回路基板が達成す
ることになる。 【００５６】上述の製造方法において、Ａｕ系導体から
なる第１表面配線導体膜２１を形成するためのＡｕ系導
電性ペースト、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜
２２を形成するためのＡｇ系導電性ペーストには、固形
成分として、Ａｕ系やＡｇ系金属粉末以外に無機バイン
ダーを含んでいる。 【００５７】上述の無機バインダーは、ホウ珪酸鉛系ガ
ラス、ホウ珪酸バリウム系ガラス、ホウ珪酸マグネシウ
ム系ガラスなどが適宜用いられる。無機バインダーの軟
化点は、その組成、比率を制御することができる。例え
ば、軟化点５３０℃の無機バインダーは、鉛成分が多い
ホウ珪酸鉛系ガラスなどが例示でき、軟化点５８０℃の
無機バインダーは、鉛成分が少ないホウ珪酸鉛系ガラス
などが例示でき、軟化点６８０℃の無機バインダーは、
ホウ珪酸バリウム系ガラスなどが例示でき、軟化点８１
０℃の無機バインダーは、ホウ珪酸マグネシウム系ガラ
スなどが例示できる。 【００５８】そして、Ａｕ系導電性ペースト中の無機バ
インダーは、Ａｕ系金属成分１００重量部に対して、
５．０ｗｔ％未満の範囲に含有している。また、その軟
化点と、脱バイ処理終了温度、例えば、５８０℃以上、
焼成温度、例えば１０５０℃未満の範囲に設定されてい
る。 【００５９】また、Ａｇ系導電性ペースト中の無機バイ
ンダーの含有率は、上述したＡｕ系導電性ペーストの含
有率よりも小さく、また、その軟化点も上述したＡｕ系
導電性ペーストの無機バインダーの軟化点よりも低くな
っている。 【００６０】この理由は、Ａｕ系導電性ペーストの無機
バインダーの軟化点が、Ａｇ系導電性ペーストの無機バ
インダーの軟化点よりも高く、且つ金属成分に対する含
有率が高いため、Ａｇ系導電性ペーストにより形成され
るＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２１の焼結促
進を遅れせることができる。従って、Ａｇ系導電性ペー
ストにより形成するＡｇ系導体からなる第２表面配線導
体膜２２のＡｇ粒子がＡｕ系導体からなる第１表面配線
導体膜２１に移行する時期（昇温による時間的な差異）
及び移行スピードを遅らせることができる。その結果、
Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２１とＡｇ系導
体からなる第２表面配線導体膜２２との重畳接合部分を
安定した状態で接合でき、しかも、この接合重畳部分と
ワイヤーボンディングパッドまでの距離を最小限に抑え
ても安定したボンディングが可能となる。 【００６１】また、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導
体膜２１の無機バインダーの含有率が５．０ｗｔ％未満
であるため、導体膜２１の表面に無機バインダーが析出
されたりすることがない。また、Ａｕ系導体からなる第
１表面配線導体膜２１の無機バインダーの軟化点が焼成
温度以下であるため、焼成不足に起因して、導体膜２１
の表面にボイドが形成されたりすることがない。 【００６２】上述の説明では、第１表面配線導体膜２１
と第１表面配線導体膜２２との接合構造について説明し
たが、多層回路基板は、積層体１の内部に内部配線導体
膜３、ビアホール導体４とで構成された回路網と積層体
１の表面のＡｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２
１、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２とを接
続させる必要がある。ここで、内部配線導体膜電極３と
表面配線導体膜２１、２２とを接続する絶縁層１ａ形成
されたビアホール導体４は、Ａｇ系導体で形成されてい
る。従って、このビアホール導体４と表面配線導体膜と
の接続を、同じＡｇ系の第２表面配線導体膜２２と接続
させれば、簡単に表面配線導体膜２１、２２と内部配線
導体３との接続が達成できる。 【００６３】 【実験例】本発明者は、積層体１の表面におけるＡｇ系
の第２表面配線導体膜２２とＡｕ系の表面配線導体膜２
１に含まれる無機バインダーの軟化点及び金属成分１０
０重量部に対する含有率による比較を行った。 【００６４】 【表１】 【００６５】表１の実験１〜８に示す様に、Ａｇ導体中
の無機バインダーの軟化点に対して、Ａｕ導体中の無機
バインダーの軟化点が高い程Ａｇの拡散距離が短くな
り、接合点からワイヤーボンディングパッドまでの距離
を狭くでき、設計制約が少なくできることを表してい
る。また、Ａｇ導体中の無機バインダーの量よりもＡｕ
導体中の無機バインダー量が多い方がＡｇ拡散距離を短
くでき、同様の効果が見られる。しかし、無機バインダ
ーの量が５％を越えるとガラス浮きが顕著となり、ボン
ディング性が劣化してしまう。以上の結果は、Ａｇ導体
よりもＡｕ導体の焼結性を遅らせることにより、Ａｇ粒
子のＡｕへの拡散を抑えることができることを意味して
いる。 【００６６】尚、上述の説明では、基板に、低温焼成材
料を用いて、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜２
１、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜２２とを低
温焼成可能な基板材料と一括して焼成してる低温焼成回
路基板を例に説明したが、少なくともＡｕ系導体からな
る第１表面配線導体膜２１とＡｇ系導体からなる第２表
面配線導体膜２２とを同時に焼成すればよく、この限り
においては、耐熱性絶縁基体は、既に焼成された単板上
の基板、多層構造の基板であってもよく、また、低温焼
成可能な基板材料を単板状として基板と一体的に焼成し
ても構わない。 【００６７】 【発明の効果】本発明によれば、耐熱性絶縁基体の表面
に、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導体膜とＡｇ系導
体からなる第２表面配線導体膜とを重畳し、一体的に焼
成しているため、製造工程が簡略化する。特に、両者の
接合界面には別の金属層を介在させる必要がないことか
らも、一層、製造方法が簡略化する。 【００６８】また、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導
体膜に含有するガラス成分粉末の金属成分に対する含有
率を、Ａｇ系導体からなる第２表面配線導体膜に含有す
るガラス成分粉末の含有率が多いため、Ａｇ系導体から
なる第２表面配線導体膜のＡｇ系粒子がＡｕ系導体から
なる第１表面配線導体膜に移行しにくくなる。これよ
り、両者の重畳接合が安定化し、Ａｇ系粒子の移行処理
が短くなり、重畳接合部分に近接して各種電子部品を実
装することができ、回路基板の設計が緩和され、小型化
に寄与できる。 【００６９】さらに、Ａｕ系導体からなる第１表面配線
導体膜に含まれるガラス成分粉末の含有率が５．０ｗｔ
％未満であるため、Ａｕ系導体からなる第１表面配線導
体膜にガラス成分が析出されることがなく、ガラス成分
粉末の軟化点が焼成温度よりも低いため、Ａｕ系導体か
らなる第１表面配線導体膜の表面にボイドなどが形成さ
れることがない。 【００７０】このため、Ａｕ系導体からなる第１表面配
線導体膜への各種電子部品の実際が簡単かつ確実とな
る。

【図面の簡単な説明】 【図１】本発明に係る回路基板の断面図である。 【符号の説明】 １０ ・・・・・ 回路基板 １ ・・・・・ 積層体 １ａ〜１ｅ・・・ 絶縁層 ２１ ・・・・・ Ａｕ系導体からなる第１表面配線導
体膜 ２２ ・・・・・ Ａｇ系導体からなる第２表面配線導
体膜 ３ ・・・・・ 内部配線導体 ４ ・・・・・ ビアホール導体

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】耐熱絶縁基体の表面に、Ａｕ系金属粉末、
   ガラス成分を含む第１表面配線導体膜と、Ａｇ系金属粉
   末、ガラス成分を含む第２表面配線導体膜とを、夫々の
   一部を重畳接合し、且つ一体的に焼成した回路基板にお
   いて、 前記第１表面配線導体膜のガラス成分の含有率が、Ａｕ
   系金属成分１００重量部に対して５．０ｗｔ％未満であ
   り、且つ第２表面配線導体膜のＡｇ系金属成分に対する
   ガラス成分の含有率よりも大きいとともに、第１表面配
   線導体膜のガラス成分の軟化点が、第２表面配線導体膜
   のガラス成分の軟化点よりも高いことを特徴とする回路
   板基板。