JP2002076609A - 回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】シート抵抗の増大を抑制しつつも、セラミック
基板と表面配線導体との高い接着強度を確保した回路基
板を提供する。 【解決手段】回路基板１０において、セラミック基板１
の表面に、銀を主成分とする金属成分と、ガラス成分
と、Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂のいずれかの金属酸化物とを
含有してなる表面配線導体２を形成してなり、表面配線
導体２は、ガラス成分と金属酸化物との合計が、金属成
分１００重量部に対して０．１〜３０重量部含有し、か
つセラミック基板１と表面配線導体２が接触する界面の
粗さが５μｍ以上であることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板材料に、ガラ
ス−セラミック材料を用いて、低温、例えば８００〜１
０５０℃で焼成可能な回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、焼成温度を８００〜１０５０
℃と比較的低い温度で焼成可能な材料を用いた低温焼成
回路基板が検討されてきた。回路基板の基体構造として
は、ガラス−セラミック層を複数積層して成る多層基板
と、ガラス−セラミックから成る単板基板とがある。基
体が多層基板である場合には、基体の内部に内部配線導
体やビアホール導体をＡｇ系（Ａｇ単体またはＡｇ合金
など）、Ｃｕ系、Ａｕ系などの低抵抗材料で形成されて
いた。

【０００３】このような基板材料として、一般にガラス
−セラミック材料、例えば、コージェライト、ムライ
ト、アノートサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイ
ト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト、オオスミ
ライト及びその置換誘導体などの結晶相のうち少なくと
も１種類を析出し得る低融点ガラス成分とクリストバラ
イト、石英、コランダム（αアルミナ）のうち少なくと
も１種類のセラミック材料（無機物フィラー）とからな
っていた。特に、このようなガラス−セラミック基板の
混合比率はセラミック材料が１０〜６０重量部、低融点
ガラス成分が９０重量部〜４０重量部と、低融点ガラス
成分が多いものであった。

【０００４】実際、このような基板材料を用いて、回路
基板を構成するには、回路基板の表面に表面配線導体を
形成する必要がある。また、製造工程上、基板の焼成と
表面配線導体の焼成工程を共通化して、製造方法の簡略
化を図ることが考えられていた。

【０００５】基板と一体的に焼成される表面配線導体と
しては、Ａｇ系導体やＣｕ系導体などが例示できる。し
かしながら、表面配線導体のマイグレーション性、酸化
性雰囲気（大気中）での焼成などを考慮して、専らＡｇ
系導体に限られていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記回
路基板によれば、回路基板の表面に実装された各種電子
部品を接合する半田の拡散、特に半田に含まれるスズの
拡散により、接着強度の劣化が起こり、十分な接続信頼
性を確保することができないという問題点があった。

【０００７】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、セラミック基板と表面配線導体の接続信頼性を向
上させることが可能な回路基板を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の回路基板は、
セラミック基板の表面に、銀を主成分とする金属成分
と、ガラス成分と、Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂のいずれかの
金属酸化物とを含有してなる表面配線導体を形成してな
る回路基板であって、前記表面配線導体は、前記ガラス
成分と前記金属酸化物との合計が、前記金属成分１００
重量部に対して０．１〜３０重量部含有するとともに、
前記セラミック基板と表面配線導体が接触する界面の粗
さが５μｍ以上である。

【作用】セラミック基板と表面配線導体とが接合する構
造としては、ガラスボンドやケミカルボンドによるもの
がある。

【０００９】ここで、ガラスボンドとは、焼成による表
面配線導体中のガラス成分の融液によって、界面の近傍
のガラス成分とセラミック基板とが融着することによ
り、セラミック基板と表面配線導体とを接合するもので
ある。また、ケミカルボンドとは、界面の近傍のガラス
成分とセラミック基板との反応によって、界面の近傍に
反応層が形成することにより、セラミック基板と表面配
線導体とを接合するものである。

【００１０】ここで、ガラスボンドはケミカルボンドよ
り確実かつ良好な結合である。しかし、セラミック基板
と表面配線導体が接触する界面の粗さが５μｍ未満であ
る場合、セラミック基板と表面配線導体の接触面積が狭
いことから、ケミカルボンドが支配的となる。

【００１１】すなわち、表面配線導体は、銀を主成分と
する金属成分と、金属成分１００重量に対して０．１〜
３０重量部のガラス成分および金属酸化物（Ｃｕ₂Ｏま
たはＭｎＯ₂）を含有し、かつセラミック基板と表面配
線導体が接触する界面の粗さが５μｍ以上であるため、
セラミック基板が適度な凹凸の表面を有し、いわゆるア
ンカー効果（Ａｇ系導電性ペーストを構成するＡｇ粒子
と基板材料のガラス成分が強固に結合し合う）を発揮し
て、ガラスボンドやケミカルボンドの両方により、セラ
ミック基板と表面配線導体との接着力を高めるため、高
い接着信頼性が達成される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の回路基板を図面に
基づいて説明する。図１は、本発明に係る回路基板の断
面図である。尚、実施例では、基板として、ガラス−セ
ラミック層を４層積層して成る多層回路基板で説明す
る。

【００１３】図１において、１０は回路基板であり、１
は内部に所定回路を構成する内部配線導体を有する基体
（以下、セラミック基板という）、２は基体１の表面に
形成した表面配線導体、３は内部配線導体、４はビアホ
ール導体、５は各種電子部品、６は半田である。

【００１４】セラミック基板１は、ガラス−セラミック
層１ａ〜１ｄと、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄの各
層間には、所定回路網を達成するため、あるいは容量成
分を発生するための内部配線導体３が配置されている。
また、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄには、その層の
厚み方向を貫くビアホール導体４が形成されている。

【００１５】ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄは、例え
ば８５０〜１０５０℃前後の比較的低い温度で焼成可能
にするガラス−セラミック材料からなる。具体的なセラ
ミック材料としては、クリストバライト、石英、コラン
ダム（αアルミナ）、ムライト、コージライトなどが例
示できる。また、ガラス材料として複数の金属酸化物を
含むガラスフリットを焼成処理することによって、コー
ジェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、ス
ピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタ
ライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種類を析
出するものである。このガラス−セラミック層１ａ〜１
ｄの厚みは例えば１００〜３００μｍ程度である。

【００１６】内部配線導体３、ビアホール導体４は、ガ
ラス成分を含有するＡｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄなど
のＡｇ合金）導体からなり、内部配線導体３の厚みは８
〜１５μｍ程度であり、ビアホール導体４の直径は任意
な値とすることができるが、例えば直径は８０〜２５０
μｍである。

【００１７】また、セラミック基板１の両主面には、表
面配線導体２が形成されている。表面配線導体２は、金
属酸化物（Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂）、Ｂｉ₂Ｏ₃、ホウ珪
酸系ガラス成分を含有するＡｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐ
ｄなどのＡｇ合金）導体から成る。

【００１８】銀を主成分とする金属成分と、金属成分１
００重量に対して０．１〜３０重量部のガラス成分及び
金属酸化物を含有する。ここで、０．１〜３０重量部の
ガラス成分及び金属酸化物とは、ガラス成分と金属酸化
物の重量の合計が、金属成分１００重量に対して０．１
〜３０重量部であることを意味する。

【００１９】また、セラミック基板１と表面配線導体２
が接触する界面の粗さが５μｍ以上である。尚、界面の
粗さは２０μｍ程度が実用的である。これを大きく越え
ると、表面配線導体の表面にその影響が現れてくる。

【００２０】また、表面配線導体２のＡｇ系導体は、セ
ラミック基板１の焼成時に同時に焼成されて形成される
ものであり、電子部品５を表面配線導体２上に半田接合
したときに、表面配線導体２に半田食われが発生しない
ように、金属成分として、Ｐｔなどを若干添加してもか
まわない。

【００２１】表面配線導体２は、所定回路の入出力端子
電極や電子部品搭載パッドを含むものであり、必要に応
じて、厚膜抵抗体膜や絶縁保護膜が形成され、さらにチ
ップ状コンデンサ、チップ状抵抗、トランジスタ、ＩＣ
などの各種電子部品５などが半田やワイヤボンディング
などによって搭載されている。

【００２２】上述の回路基板１０の製造方法について説
明する。

【００２３】セラミック基板１は、まず、ガラス−セラ
ミック層１ａ〜１ｄとなるガラス−セラミック材料から
成るグリーンシートを形成する。具体的には、セラミッ
ク粉末、低融点ガラス成分のフリット、有機バインダ、
有機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクターブレード
法によって所定厚みにテープ成型して、所定大きさに切
断してシートを作成する。

【００２４】セラミック粉末は、クリストバライト、石
英、コランダム（αアルミナ）、ムライト、コージライ
トなどの絶縁セラミック材料、ＢａＴｉＯ₃、Ｐｂ₄Ｆｅ
₂Ｎｂ₂Ｏ₁₂、ＴｉＯ₂などの誘電体セラミック材料、Ｎ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト（広義の意
味でセラミックという）なとの磁性体セラミック材料な
どが挙げられ、その平均粒径１．０〜６．０μｍ、好ま
しくは１．５〜４．０μｍに粉砕したものを用いる。
尚、セラミック材料は２種以上混合して用いられてもよ
い。特に、コランダムを用いた場合、コスト的に有利と
なる。

【００２５】低融点ガラス成分のフリットは、焼成処理
することによってコージェライト、ムライト、アノーサ
イト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶や
スピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例
えば、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、アルカリ
土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。この様
なガラスフリットは、ガラス化の温度範囲が広く、また
屈伏点が６００〜８００℃付近にあるため、８５０〜１
０５０℃程度の低温焼成に適し、Ａｇ系内部配線導体
３、Ａｇ系表面配線導体２となる導体膜との焼結挙動が
近似している。尚、このガラスフリットの平均粒径は、
１．０〜６．０μｍ、好ましくは１．５〜３．５μｍで
ある。

【００２６】上述のセラミック材料とガラス材料との構
成比率は、８５０〜１０５０℃の比較的低温で焼成する
場合には、セラミック材料が１０〜６０重量部、好まし
くは３０〜５０重量部であり、ガラス材料が９０〜４０
重量部、好ましくは７０〜５０重量部である。

【００２７】有機バインダは、固形分（セラミック粉
末、低融点ガラス成分のフリット）との濡れ性も重視す
る必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼
失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アク
リル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキ
シル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和
化合物が好ましい。

【００２８】溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用い
ることができる。例えば、有機溶剤の場合には、２，
２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノイソ
ベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶
性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水
性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。

【００２９】その付加量は酸価で表せば２〜３００であ
り、好ましくは５〜１００である。付加量が少ない場合
は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、
多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への
溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適
宜付加される。

【００３０】次に、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄと
なるグリーンシートには、各層のビアホール導体４の形
成位置に対応して、所定径の貫通穴をパンチングによっ
て形成する。

【００３１】次に、グリーンシートの貫通穴に、ビアホ
ール導体４の導体をＡｇ系導電性ペーストを印刷・充填
するとともに、ガラス−セラミック層１ｂ〜１ｄとなる
グリーンシート上に、各内部配線導体３となる導体膜を
印刷し、乾燥処理を行う。

【００３２】ここで、ビアホール導体、内部配線用のＡ
ｇ系導電性ペーストは、Ａｇ系（Ａｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ
などのＡｇ合金）粉末、金属酸化物（Ｃｕ₂ＯまたはＭ
ｎＯ₂）、Ｂｉ₂Ｏ₃、ホウ珪酸系ガラスフリット、エチ
ルセルロースなどの有機バインダー、溶剤を均質混合し
たものが用いられる。

【００３３】また、ガラス−セラミック層１ａとなるグ
リーンシート上に、表面配線導体２となる導体膜を表面
配線用Ａｇ系導電性ペーストを用いて印刷し、乾燥処理
を行う。

【００３４】表面配線用Ａｇ系導電性ペーストは、Ａｇ
系（Ａｇ単体、Ａｇ−ＰｄなどのＡｇ合金）粉末、Ｐｔ
粉末、所定量の金属酸化物（Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂）、
Ｂｉ ₂Ｏ₃粉末、ホウ珪酸系ガラスフリット、有機バイン
ダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。尚、金属
酸化物（Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂）、Ｂｉ₂Ｏ₃粉末、ホウ
珪酸系ガラス成分以外の微量の金属酸化物が含有してい
ても構わない。このようにビアホール導体４となる導
体、内部配線導体３となる導体膜、表面配線導体２とな
る導体膜が形成されたグリーンシートを、セラミック基
板１のガラス−セラミック層１ａ〜１ｄの積層順に応じ
て積層一体化する。

【００３５】尚、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄとな
るグリーンシートに形成されるビアホール導体４となる
導体は、印刷工程の共通化のために、表面配線用Ａｇ系
導電性ペーストを用いることが望ましい。

【００３６】次に、未焼成のセラミック基板を、酸化性
雰囲気または大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、
脱バインダ過程と焼結過程からなる。

【００３７】脱バインダ過程は、ガラス−セラミック層
１ａ〜１ｄとなるグリーンシート、内部配線導体３とな
る導体膜、ビアホール導体４となる導体、表面配線導体
２となる導体膜に含まれる有機成分を焼失するためのも
のであり、例えば６００℃以下の温度領域で行われる。

【００３８】また、焼結過程は、ガラス−セラミックの
グリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセ
ラミック粉末の粒界に均一に分散させ、セラミック基板
１に一定強度を与え、内部配線導体３となる導体膜、ビ
アホール導体４となる導体、表面配線導体２となる導体
膜の導電材料、例えば、Ａｇ系粉末を粒成長させて、低
抵抗化させ、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄと一体化
させるものである。これは、ピーク温度８５０〜１０５
０℃に達するまでに行われる。

【００３９】この工程で、内部に内部配線導体３、ビア
ホール導体４が形成され、かつ表面に表面配線導体２が
形成されたセラミック基板１が達成されることになる。
その後、必要に応じて、表面配線導体２に接続する厚膜
抵抗素子や絶縁保護膜を形成して、各種電子部品５を半
田などで接着・実装を行う。

【００４０】これにより、表面配線導体２がセラミック
基板１と一体的に焼成処理された低温焼成の回路基板１
０が達成することになる。

【００４１】本発明において、表面配線導体２を形成す
るためのＡｇ系導電性ペーストは、例えば、平均粒径３
μｍのＡｇ粉末と、Ａｇ等の金属成分に１００重量部に
対して、０．１〜３０重量部のガラス成分及び金属酸化
物粉末と、エチルセルロースなどの有機バインダー、ペ
ンタンジオールイソブレートなどの有機溶剤が均質混合
されて形成される。尚、必要に応じて、金属成分とし
て、例えば、平均粒径０．５μｍのＰｔ粉末を添加して
も構わない。このＰｔ粉末は、表面配線導体２上に電子
部品５などを半田を介して接着する際、Ａｇ成分が半田
に食われることを防止するために添加するものであり、
例えば、金属成分中、例えば約１重量部の割合で添加さ
れている。

【００４２】この表面配線用のＡｇ系導電性ぺースト
は、ガラス−セラミック層１ａ〜１ｄとなるガラス−セ
ラミックのグリーンシートなどとともに、大気雰囲気中
で一体的に焼成されるものである。

【００４３】金属酸化物（Ｃｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂）粉末
は、Ａｇ系粉末と、例えばセラミック基板１のガラス−
セラミック材料のガラス成分とのアンカー効果のスパイ
ク構造をより接着を強固にするものである。具体的にＡ
ｇ系粒子の凹凸表面に、食い込むように金属酸化物（Ｃ
ｕ₂ＯまたはＭｎＯ₂）が配置されて、ガラス−セラミッ
ク材料のガラス成分と安定的に結合しあう。

【００４４】かくして本発明の回路基板１０によれば、
表面配線導体２は、銀を主成分とする金属と、金属成分
１００重量に対して０．１〜３０重量部のガラス成分及
び金属酸化物を含有し、かつセラミック基板１と表面配
線導体２が接触する界面の粗さが５μｍ以上であるた
め、セラミック基板１が適度な凹凸の表面を有し、いわ
ゆるアンカー効果（Ａｇ系導電性ペーストを構成するＡ
ｇ粒子への基板材料のガラス成分とが強固に結合しあ
う）を発揮して、ガラスボンドやケミカルボンドの両方
により、セラミック基板１と表面配線導体２との接着力
を高めるため、高い接着信頼性が達成される。

【００４５】次に、ガラス成分及び金属酸化物（Ｃｕ₂
ＯまたはＭｎＯ₂）粉末の添加範囲の上限は、金属成分
１００重量部に対して３０重量部である。ガラス成分及
び金属酸化物粉末が３０重量部を越えて過剰に添加され
ると、金属酸化物成分が、表面配線導体２の表面に析出
されることから、表面配線導体２の表面において、半田
の濡れ性を阻害され、各種電子部品５を安定して半田接
合することが困難となる。

【００４６】ここで、上記ガラス成分と金属酸化物のそ
れぞれの重量部でなく、合計の重量部によって、シート
抵抗及び接着強度が支配される原因は、現在のところ不
明である。

【００４７】また、ホウ珪酸系ガラスについて、軟化点
が６００〜８００℃である。軟化点は、ホウ珪酸系ガラ
ス成分を構成するＢ₂Ｏ₃の量比を調整することによって
制御される。例えば、Ｂ₂Ｏ₃の量比を高めると、軟化点
は低下する方向となる。

【００４８】ホウ珪酸系ガラス成分の軟化点は、セラミ
ック基板１の焼結挙動に近似させることなどから厳密に
制御する必要がある。

【００４９】軟化点が６００℃未満では、表面配線導体
２中のホウ珪酸系ガラス成分が、Ａｇ系材料に比較して
低い温度または同等の温度で軟化流動してしまう。この
ため、セラミック基板１の収縮挙動を阻害し、セラミッ
ク基板１のガラス成分と相溶し、セラミック基板１の結
晶化ガラス成分の組成を変質させて、結晶化を阻害して
しまう。

【００５０】そして、Ａｇ系材料の焼結反応を遅らせる
べく、ホウ珪酸系ガラス成分の量を多くすると、表面配
線導体２の表面や配線導体の基体との界面部分にガラス
成分が集中し、半田ぬれ性が低下し、Ａｇ粉末のアンカ
ー効果を阻害する結果となり、接着強度が低下してしま
う。

【００５１】また、軟化点が８００℃を越えると、焼成
された表面配線導体２中にホウ珪酸系ガラス成分が残存
し、セラミック基板１の結晶化ガラス成分を引きつけ、
表面配線導体２のガラス成分が相対的に過剰となり、半
田ぬれ性を劣化させてしまうことになる。

【００５２】以上の点から、表面配線導体２に含まれる
ホウ珪酸系ガラス成分の軟化点は、６００〜８００℃が
望ましい。

【００５３】

【実施例】次に本発明について実施例に基づき更に詳細
に説明する。

【００５４】界面粗さは、ガラス成分と金属酸化物の添
加量を変化させることによって適宣調節し、セラミック
基板と表面配線導体が接触する部分を研磨し、ＳＥＭ像
を写真撮影し、この写真により求めた。

【００５５】このようにして得られた厚膜導体のシート
抵抗及び接着強度をそれぞれ測定、評価した。その結果
を表１に示す。

【００５６】なお、表１におけるシート抵抗（ｍΩ／
□）は、長さ（Ｌ）及び幅（Ｗ）が１００：１の寸法関
係（Ｌ／Ｗ＝１００／１）を有するパターンとされた厚
膜導体上の２点を周知の４端子法（ホイートストンブリ
ッジを用いた抵抗値測定方法）によって測定した上での
膜厚換算によって求めた導体抵抗値である。シート抵抗
の評価として、４．０ｍΩ／□以下であれば、実用的な
条件を満足するものである。

【００５７】また、接着強度（ｋｇｆ）は、ピール法、
すなわち導電性ペーストの焼き付けによって形成された
２ｍｍ角の表面配線上に０．６ｍｍφの錫メッキ銅リー
ド線を半田付け接続した後、このリード線を引っ張るこ
とによって求められる数値である。そこで、本実施例に
おいては、２３５±５℃に温度調整された銀（Ａｇ）２
％入りの共晶半田中に２ｍｍ×２ｍｍの大きさを有する
厚膜導体を５±１秒間だけ浸漬し、かつ、この厚膜導体
に対して、リード線である直径０．８ｍｍの錫メッキ銅
線を半田付け接続した後、このリード線を引っ張り試験
機によって２０ｃｍ／分の速度で引っ張ることによって
測定された接着強度を示している。また、１５０℃で２
時間放置後（エージング）の接着強度を調べた。接着強
度の評価として、０．５ｋｇ以上あれば、実用的な条件
を満足するものである。

【００５８】

【表１】

【００５９】表面配線導体が、銀を主成分とする金属成
分と、金属成分１００重量に対して０．１〜３０重量部
のガラス成分及び金属酸化物を含有し、かつ前記セラミ
ック基板と表面配線導体が接触する界面の粗さが５μｍ
以上である場合（試料Ｎｏ４〜１３）は、シート抵抗が
４．０ｍΩ／□以下、接着強度が０．５ｋｇ以上となっ
た。

【００６０】これに対し、界面粗さが５μｍ未満である
場合（試料Ｎｏ１〜３）は、接着強度が０．５ｋｇ未満
となった。

【００６１】また、ガラス成分と金属酸化物の合計が３
０重量部を越える場合（試料Ｎｏ１４〜１５）は、シー
ト抵抗が４．０ｍΩ／□より大きくなった。

【００６２】

【発明の効果】以上のように、本発明の回路基板は、セ
ラミック基板の表面に所定の表面配線導体を形成してな
る回路基板において、前記表面配線導体は、銀を主成分
とする金属成分と、金属成分１００重量に対して０．１
〜３０重量部のガラス成分及び金属酸化物を含有し、か
つ前記セラミック基板と表面配線導体が接触する界面の
粗さが５μｍ以上であるため、セラミック基板が適度な
凹凸の表面を有し、いわゆるアンカー効果（Ａｇ系導電
性ペーストを構成するＡｇ粒子への基板材料のガラス成
分とが強固に結合しあう）を発揮して、ガラスボンドや
ケミカルボンドの両方により、セラミック基板と表面配
線導体との接着力を高めるため、高い接着信頼性が達成
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回路基板の断面図である。

【符号の説明】

１０ 回路基板 １ 基体（セラミック基板） １ａ〜１ｄ ガラス−セラミック層 ２ 表面配線導体 ３ 内部配線導体 ４ ビアホール導体 ５ 電子部品

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA07 AA17 BB01 BB24 BB31 CC11 CC22 DD05 DD31 DD33 EE02 EE03 EE09 EE27 GG01 5E343 AA02 AA23 AA36 AA39 BB15 BB25 BB59 BB74 BB77 DD02 ER33 ER35 GG02 5E346 AA12 AA15 AA32 BB01 CC18 CC39 DD34 EE21 GG02 GG06 GG09 HH11 5G301 DA03 DA33 DA34 DD01

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック基板の表面に、銀を主成分とす
   る金属成分と、ガラス成分と、Ｃｕ ₂ＯまたはＭｎＯ₂の
   いずれかの金属酸化物とを含有してなる表面配線導体を
   形成してなる回路基板であって、 前記表面配線導体は、前記ガラス成分と前記金属酸化物
   との合計が、前記金属成分１００重量部に対して０．１
   〜３０重量部含有するとともに、前記セラミック基板と
   表面配線導体が接触する界面の粗さが５μｍ以上である
   ことを特徴とする回路基板。