JP4593817B2 - 低温焼成セラミック回路基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層された複数の誘電体層間に内部配線導体及び各層間の接続用に形成したビアホール導体を配して成る低温焼成セラミック回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、焼成温度を800〜1050℃と比較的低い温度で焼成可能な材料を用いた回路基板が広く提案されている。
【0003】
回路基板は、複数の誘電体層を積層した基板と、該積層体の各誘電体層間に配置した内部配線導体と、該積層体の表面に配置した表面配線導体と、各誘電体層の厚み方向に所定内部配線導体間、所定内部配線導体と表面配線導体との間を接続するビアホール導体とから構成されている。
【0004】
なお、積層体の表面に配置した表面配線導体には、ICチップを始め、各種電子部品が搭載されている。
【0005】
上述の内部配線導体の導電率を高めて回路の高速化を行うために、内部配線導体、ビアホール導体、表面配線導体としては、金属成分がAg単体またはAg−Pd、Ag−PtなどのAg合金から成るAg系材料が使用されている。また、誘電体層としては、上述のAg系導体のAgの融点から、低温(800〜1050℃)で焼成可能な材料が用いられている。例えば、ガラス成分とセラミック成分とから成る材料である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子機器の小型、高機能化が進み、回路基板内にコンデンサ、フィルターなどの素子を効率良く内蔵し、かつ、内蔵素子の特性向上の要求が強まっている。
【0007】
しかしながら、焼結開始温度の異なる2種類のガラス−セラミック材料などの誘電体層を積層して一体的に焼成すると、収縮挙動に差が生じることにより、基板表面におけるビアホール導体の表面が突出してしまい、その結果、基板表面の配線導体が形成できず、また、電子部品素子の実装ができなくなる問題点があった。
【0008】
これは、焼結開始温度が相違する誘電体層を積層して焼結すると、誘電体層の収縮差による応力が、積層方向に集中し、基板表面におけるビアホール導体及びその周囲の誘電体層が突起することになる。
【0009】
仮に、基板の表面にビアホール導体が露出していない状態であっても、その応力はビアホール導体の直上の基板表面を押し上げるように突出してしまう。
【0010】
本発明は、上述の問題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、焼結開始温度の異なる2種類の誘電体層を一体的に焼成しても、基板表面からビアホール導体の突起を抑えることができる回路基板を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、焼結開始温度が異なる2種類の第1、第2の誘電体層を積層するとともに、前記第1、第2の誘電体層の層間に内部配線導体を配置し、且つ前記第1の誘電体層に第1のビアホール導体を、前記第2の誘電体層に第2のビアホール導体を夫々配置して成る低温焼成セラミック回路基板であって、前記第2の誘電体層は、前記第1の誘電体層に比べて焼結開始温度が高く、前記第1の誘電体層の焼結開始温度は800〜900℃の範囲にあり、且つ前記第2の誘電体層の焼結開始温度は900〜1000℃の範囲にあり、且つ前記第1のビアホール導体は、Ag系導体材料100重量%に対してMoO3を2〜5重量部含有しているとともに、前記第2のビアホール導体は、前記Ag系導体材料100重量%に対してRu2Oを2〜5重量部含有していることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板である。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の回路基板を図面に基づいて説明する。図1は、本発明に係る回路基板の断面図である。
【0013】
図1において、10は回路基板であり、1は基体(以下、積層体という)、3は積層体1内に形成された内部配線導体、4は積層体1の表面に形成した表面配線導体、31、32は積層体1内に形成されたビアホール導体、5は積層体1の表面に搭載したICチップ部品であり、6は他の電子部品である。
【0014】
積層体1は、ガラス−セラミック材料からなる第1の誘電体層1a、1bと、第1の誘電体層1a、1bのガラス−セラミック材料と成分が相違し、焼結開始温度が相違するガラス−セラミック材料からなる第2の誘電体層2a〜2cとが積層されて構成される。そして、第1の誘電体層1a、1bの焼結開始温度は例えば、800〜900℃の範囲にあり、第2の誘電体層2a〜2cの焼結開始温度は、第1の誘電体層1a、1bよりも高い例えば900〜1000℃の範囲である。そして、第1の誘電体層1a、1bは、第2の誘電体層2a〜2cの外側に配置されて積層されている。
【0015】
各誘電体層1a、2a〜2c、1bの各層間には、所定回路網を達成するや容量成分を発生するために、Ag等を主成分とする内部配線導体膜3が形成されている。また、第1の誘電体層1a、1bには、その層の厚み方向を貫く第1のビアホール導体31が形成され、第2の誘電体層2a〜2cには、その層の厚み方向を貫く第2のビアホール導体32が形成されている。
【0016】
そして、第1のビアホール導体31はAg100重量部に対して、酸化モリブデン(MoO3)が銀を2〜5重量部含有した材料からなり、第2のビアホール導体32はAg100重量部に対して酸化ルテニウム(Ru2O)を2〜5重量部含有した材料からなる。
【0017】
第1及び第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cは、ガラス−セラミック材料かなる。ガラス−セラミック材料のセラミック粉末は、クリストバライト、石英、コランダム(αアルミナ)、ムライト、コージェライトなどの絶縁セラミック材料、BaTiO3、Pb4Fe2Nb2O12、TiO2などの誘電体セラミック材料、Ni−Znフェライト、Mn−Znフェライト広義の意味でセラミックという)などの磁性体セラミック材料などが挙げらる。また、ガラス材料は、焼成処理することによってコージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶やスピネル構造の結晶相を析出するものであればよく、例えば、B2O3、SiO2、Al2O3、ZnO、アルカリ土類酸化物を含むガラスフリットが挙げられる。この誘電体層1a、1b、2a〜2cの厚みは、例えば100〜300μm程度である。
【0018】
内部配線導体膜3、ビアホール導体31、32は、Ag系導体膜(導体)からなり、内部配線導体膜3の厚みは8〜15μm程度であり、ビアホール導体31、32の直径は任意な値とすることができるが、例えば直径は80〜350μmである。
【0019】
表面配線導体膜4は、主に表面の回路配線導体を構成するとともに、半田を介して接合される電子部品6の接続パッドとなったり、また、厚膜抵抗膜、厚膜コンデンサ素子の端子電極となる。特に、内部配線導体膜3との接続は、第1の誘電体層1a、1bに形成された第1のビアホール導体31を通じて接続される。
【0020】
また、表面配線導体膜4は、ボンディング細線、フリップチップによって接続されるICチップ5の接続パッド(ワイヤボンディングパッド)としても用いられる。
【0021】
上述の回路基板10の製造方法について説明する。
【0022】
まず、誘電体層1a、2a〜2c、1bとなるガラス−セラミック材料から成るグリーンシートを形成する。具体的には、セラミック材料、ガラス材料、有機バインダ、有機溶剤を均質混練したスラリーを、ドクターブレード法によって所定厚みにテープ成形して、所定大きさに切断してシートを作成する。
【0023】
上述のセラミック材料とガラス材料との構成比率は、850〜1050℃の比較的低温で焼成するために、セラミック材料が10〜60wt%、好ましくは30〜50wt%であり、ガラス材料が90〜40wt%、好ましくは70〜50wt%である。
【0024】
有機バインダは、固形分(セラミック粉末、低融点ガラス成分のフリット)との濡れ性も重視する必要があり、比較的低温で且つ短時間の焼成工程で焼失できるように熱分解性に優れたものが好ましく、アクリル酸もしくはメタクリル酸系重合体のようなカルボキシル基、アルコール性水酸基を備えたエチレン性不飽和化合物が好ましい。
【0025】
溶剤として、有機系溶剤、水系溶剤を用いることができる。例えば、有機溶剤の場合には、2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソベンチートなどが用いられ、水系溶剤の場合には、水溶性である必要があり、モノマー及びバインダには、親水性の官能基、例えばカルボキシル基が付加されている。
その付加量は酸価で表せば2〜300あり、好ましくは5〜100である。付加量が少ない場合は水への溶解性、固定成分の粉末の分散性が悪くなり、多い場合は熱分解性が悪くなるため、付加量は、水への溶解性、分散性、熱分解性を考慮して、上述の範囲で適宜付加される。
【0026】
次に、第1の誘電体層1a、1bとなるグリーンシートの所定位置に、第1のビアホール導体31となる所定径の貫通穴をパンチングによって形成する。
【0027】
また、第2の誘電体層2a〜2cとなるグリーンシートの所定位置に、第2のビアホール導体32となる所定径の貫通穴をパンチングによって形成する。
【0028】
次に、第1の誘電体層1a、1bとなるグリーンシートの貫通穴に、第1のビアホール導体31の導体を充填し、その表面に内部配線導体膜3となる導体膜を印刷し、乾燥処理を行う。尚、第1のビアホール導体膜31となる導体は、Ag系(Ag単体、Ag−Pd合金)粉末、MoO3粉末、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶剤からなる導電性ペーストを用いた。また、内部配線導体膜3となる導体膜は、Ag系(Ag単体、Ag−Pd合金)粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶剤を均質混合した導電性ペーストを用いた。
【0029】
また、第2の誘電体層2a〜2cとなるグリーンシートの貫通穴に、第2のビアホール導体32の導体を充填し、その基板1の内部側となるグリーンシート上に内部配線導体膜3となる導体膜を印刷し、乾燥処理を行う。また、その基板1の表面側となるグリーンシート上に表面配線導体膜4となる導体膜を印刷し、乾燥処理を行う。尚、第2のビアホール導体膜32となる導体は、Ag系(Ag単体、Ag−Pd合金)粉末、RuO粉末、エチルセルロースなどの有機バインダー、溶剤からなる導電性ペーストを用いた。また、内部配線導体膜3となる導体膜は、上述の導電性ペーストを用いた。また、表面配線導体膜4となるAg系導電性ペーストは、Ag系(Ag単体、Ag−PdなどのAg合金)粉末、Pt粉末、無機バインダー、有機バインダー、溶剤を均質混合したものが用いられる。また、基板1と表面配線導体膜4との密着性を向上するために、V2O5粉末を各金属成分に対して0.2〜1.0重量部添加してよい。
【0030】
このように第1及び第2のビアホール導体31、32となる導体、表面配線導体膜4となる導体膜、内部配線導体膜3となる導体膜が形成された第1及び第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cとなるグリーンシートを、積層順に応じて積層一体化する。
【0031】
次に、この未焼成の積層体を、酸化性雰囲気または大気雰囲気で焼成処理する。焼成処理は、脱バインダ過程と焼結過程からなる。脱バインダ過程は、誘電体層1a、1b、2a〜2cとなるグリーンシート、内部配線導体膜3となる導体膜、ビアホール導体31、32となる導体、表面配線導体膜4となる導体膜に含まれる有機成分を焼失するためのものであり、例えば600℃以下の温度領域で行われる。
【0032】
また、焼結過程は、ガラス−セラミック材料のグリーンシートのガラス成分を結晶化させると同時にセラミック粉末の粒界に均一に分散させ、積層体1に一定強度を与え、内部配線導体膜3となる導体膜、第1及び第のビアホール導体31、32となる導体、表面配線導体膜4となる導体膜の導電材料の金属粉末、Ag系粉末を粒成長させて、低抵抗化させ、誘電体層1a、2a〜2c、1bと一体化させるものである。これは、ピーク温度850〜1050℃に達するまでに行われる。
【0033】
この工程で、内部配線導体膜3、第1および第2のビアホール導体31、32が形成され、且つ表面に表面配線導体膜4が形成された積層体1が達成されることになる。
【0034】
その後、必要に応じて、表面配線導体膜4に接続する厚膜抵抗素子や所定形状の絶縁保護膜を形成して、ICチップ5、各種電子部品6を実装する。
【0035】
これにより、図1に示す回路基板が達成することになる。
【0036】
かくして、本発明の低温焼成セラミック回路基板10によれば、異なる2種類の第1、第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cを積層するとともに、該第1、第2の誘電体層1a、1b、2a〜2cの層間に内部配線導体3を配置し、且つそれぞれ第1、第2の誘電体層の厚みを貫く、Ag系材料を主成分とする第1、第2のビアホール導体31、32を配置している。
【0037】
そして、第2の誘電体層2a〜2cは、第1の誘電体層1a、1bに比べて焼結開始温度が高く、かつ第1のビアホール導体31がAg系材料100重量部に対してMoO3を2〜5重量部含有するとともに、第2のビアホール導体32はAg系材料100重量部に対してRu2Oを2〜5重量部有する。
このため、第1のビアホール31においては、MoO3がAg粒子間に存在し、第1の誘電体層1a、1bが焼結を開始されるまで、Agの焼結を遅らせ、焼成による収縮応力を低減させる。
【0038】
また、第2のビアホール32においては、Ru2OがAg粒子間に存在し、第2誘電体層2a〜2cが焼結を開始されるまで、Agの焼結を遅らせ、焼成による収縮応力を低減させる。
【0039】
そして、800℃以上の温度領域において、第1の誘電体層1a、1bが収縮を開始する際に、MoO3がAg粉末と固溶し、Agの収縮を促進するため、第1の誘電体層1a、1bの収縮応力を緩和することができる。さらに、900℃以上の温度領域において、第2の誘電体層2a〜2cが収縮を開始する際に、Ru2OがAgと固溶し、Agの収縮を促進するため、第2の誘電体層2a〜2cの収縮応力を緩和することができる。その結果、ビアホール31、32のAgの焼結に、約100℃の温度差が発生する。
【0040】
ここで、第1のビアホール導体31はAg系材料100重量部に対してMoO3を2〜5重量部含有させ、また、第2のビアホール導体32はAg系材料100重量部に対してRu2Oを2〜5重量部含有させている。まず、MoO3とRu2Oとでは、Agと固溶する温度に、100℃程度の差を設けるためには好都合の材料である。また、MoO3あるいはRu2Oの添加量が2重量部未満の場合、Agと固溶し、Agの収縮を促進する効果が不十分である。一方、MoO3あるいはRu2Oの添加量が5重量部より大きい場合、第1および第2のビアホール導体31、32の導体抵抗が大きくなってしまう。
【0041】
なお、本発明は上記の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内での種々の変更や改良等は何ら差し支えない。
【0042】
【実験例】
本発明者は、収縮開始温度が800℃に設定した第1の誘電体層1a、1bと、収縮開始温度が900℃に設定した第2の誘電体層2a〜2cとを積層し、一体焼結した多層基板において、第1の誘電体層1a、1bに形成する第1のビアホール導体31の酸化物の種類、添加量と第2の誘電体層2a〜2cに形成する第2のビアホール導体32の酸化物の種類、添加量を変更による検討を行った。
【0043】
なお、図1に示すように、5層構造の積層体1で、上下の各1層を第1の誘電体層1a、1bが、積層体1中央寄りの3層に第2の誘電体層2a〜2cを用いた。
【0044】
【表1】
【0045】
ビアホール導体の突起量の測定方法は、積層体1の第1のビアホール導体31領域にて、最低高さを示す部分と、最高高さを示す部分との高さの差を接触膜厚計のプローブを当てて測定し、20μm未満のものを良品、20μm以上のものを不良品とした。
【0046】
導体抵抗の測定方法は、図1における表面配線導体膜4にそれぞれプローブを当てることによって測定し、1mΩ未満のものを良品、1mΩ以上のものを不良品とした。
【0047】
表1に示すように、第1のビアホール導体31がMoO3を2〜5重量部、第2のビアホール導体32がRu2Oを2〜5重量部含有する場合(試料番号4〜7)、ビアホール導体の突起量は20μm未満、導体抵抗は1mΩ未満となった。
【0048】
一方、第1、第2のビアホール導体31、32の両方ともMoO3を2重量部含有する場合(試料番号1)、ビアホール導体の突起量が25μmとなった。また、第1、第2のビアホール導体31、32の両方ともRu2Oを2重量部含有する場合(試料番号2)、ビアホール導体の突起量が25μmとなった。
【0049】
また、第1のビアホール導体31がMoO3を1重量部、第2のビアホール導体32がRu2Oを1重量部含有する場合(試料番号3)、ビアホール導体の突起量が22μmとなった。さらに、第1のビアホール導体31がMoO3を重量部、第2のビアホール導体32がRu2Oを6重量部含有する場合(試料番号8)、導体抵抗は1.5mΩとなった。
【0050】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、焼結開始温度が異なる2種類の第1、第2の誘電体層を積層するとともに、第1、第2の誘電体層の内部に、それぞれ誘電体層の厚みを貫く、Agを主成分とする第1、第2のビアホール導体を配置した低温焼成セラミック回路基板であって、第2の誘電体層は、第1の誘電体層に比べて焼結開始温度が高く、第1の誘電体層の焼結開始温度は800〜900℃の範囲にあり、かつ第2の誘電体層の焼結開始温度は900〜1000℃の範囲にあり、かつ第1のビアホール導体はAg系導体材料100重量%に対してMoO3を2〜5重量部含有しているとともに、第2のビアホール導体はAg系導体材料100重量%に対してRu2Oを2〜5重量部含有している。このため、MoO3、Ru2Oは、それぞれ第1、第2の誘電体層が収縮を開始する前に、第1、第2のビアホール導体の焼結を遅らせ、収縮応力を低減させるとともに、それぞれ第1、第2の誘電体層が収縮を開始する際に、Agと固溶し、Agの収縮を促進することにより、第1、第2の誘電体層の収縮応力を緩和し、基板表面からビアホール導体の突起を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る回路基板の断面図である。
【符号の説明】
10 回路基板
1 積層体
1a、1b 第1のガラス−セラミック層
2a〜2c 第2のガラス−セラミック層
3 内部配線導体膜
4 表面配線導体膜
31 第1のビアホール導体
32 第2のビアホール導体
Claims (1)
- 焼結開始温度が異なる2種類の第1、第2の誘電体層を積層するとともに、前記第1、第2の誘電体層の層間に内部配線導体を配置し、且つ前記第1の誘電体層に第1のビアホール導体を、前記第2の誘電体層に第2のビアホール導体を夫々配置して成る低温焼成セラミック回路基板であって、
前記第2の誘電体層は、前記第1の誘電体層に比べて焼結開始温度が高く、前記第1の誘電体層の焼結開始温度は800〜900℃の範囲にあり、且つ前記第2の誘電体層の焼結開始温度は900〜1000℃の範囲にあり、且つ前記第1のビアホール導体は、Ag系導体材料100重量%に対してMoO3を2〜5重量部含有しているとともに、前記第2のビアホール導体は、前記Ag系導体材料100重量%に対してRu2Oを2〜5重量部含有していることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
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