JPH0697656A - セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
セラミック多層基板の製造方法Info
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- JPH0697656A JPH0697656A JP24291592A JP24291592A JPH0697656A JP H0697656 A JPH0697656 A JP H0697656A JP 24291592 A JP24291592 A JP 24291592A JP 24291592 A JP24291592 A JP 24291592A JP H0697656 A JPH0697656 A JP H0697656A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 表層電極と内層電極との間等の接続不良がな
く、高密度配線ができるセラミック多層基板の製造方法
を提供する。 【構成】 低温焼成基板材料を主成分とする第１のグリ
ーンシート１を内層に、これよりも焼結温度が高い無機
組成物を主成分とする第２のグリーンシート２を表層に
配した積層体に、第１の焼成およびこれよりも焼成温度
の高い第２の焼成を施すことにより、第１の焼成時には
内層が未焼結の表層に、第２の焼成時には表層が焼結済
の内層にそれぞれ拘束されながら焼結されるために積層
面に平行な方向には焼結に伴う収縮が発生しない。した
がって電極３の位置ずれが起こらないために接続不良が
発生せず、また収縮率のばらつきを見込んで電極３の面
積を大きくする必要がないために高密度配線ができる。
く、高密度配線ができるセラミック多層基板の製造方法
を提供する。 【構成】 低温焼成基板材料を主成分とする第１のグリ
ーンシート１を内層に、これよりも焼結温度が高い無機
組成物を主成分とする第２のグリーンシート２を表層に
配した積層体に、第１の焼成およびこれよりも焼成温度
の高い第２の焼成を施すことにより、第１の焼成時には
内層が未焼結の表層に、第２の焼成時には表層が焼結済
の内層にそれぞれ拘束されながら焼結されるために積層
面に平行な方向には焼結に伴う収縮が発生しない。した
がって電極３の位置ずれが起こらないために接続不良が
発生せず、また収縮率のばらつきを見込んで電極３の面
積を大きくする必要がないために高密度配線ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ＬＳＩやチップ
部品などを搭載してそれらを相互配線するためのセラミ
ック多層基板の製造方法に関する。
部品などを搭載してそれらを相互配線するためのセラミ
ック多層基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラスとセラミックスとの複合組
成物からなる低温焼成基板材料が開発され、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の電極材料と組み合わせたセラミック
低温焼成多層基板が実用化されてきている。
成物からなる低温焼成基板材料が開発され、Ａｕ，Ａ
ｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の電極材料と組み合わせたセラミック
低温焼成多層基板が実用化されてきている。
【０００３】以下、従来のセラミック低温焼成多層基板
の製造方法について、その代表的な一例を図４の製造工
程の説明図を参照しながら説明する。
の製造方法について、その代表的な一例を図４の製造工
程の説明図を参照しながら説明する。
【０００４】まず、主成分の低温焼成基板材料に有機バ
インダ，可塑剤，溶剤を加えたスラリーを準備する。こ
のスラリーを、図４（ａ）のグリーンシートの断面図に
示すように、ドクターブレード法等により有機フィルム
１１上に塗布し、乾燥してグリーンシート１２を作製す
る。次に、図４（ｂ）のグリーンシートの断面図に示す
ように、グリーンシート１２に穴明け加工を施してビア
ホール１３を形成する。さらに、図４（ｃ）のグリーン
シートの断面図に示すように、グリーンシート１２に導
電ペーストを印刷してビアホール１３の穴埋めおよび電
極１４の形成を行う。
インダ，可塑剤，溶剤を加えたスラリーを準備する。こ
のスラリーを、図４（ａ）のグリーンシートの断面図に
示すように、ドクターブレード法等により有機フィルム
１１上に塗布し、乾燥してグリーンシート１２を作製す
る。次に、図４（ｂ）のグリーンシートの断面図に示す
ように、グリーンシート１２に穴明け加工を施してビア
ホール１３を形成する。さらに、図４（ｃ）のグリーン
シートの断面図に示すように、グリーンシート１２に導
電ペーストを印刷してビアホール１３の穴埋めおよび電
極１４の形成を行う。
【０００５】このようにして作製した電極１４の形成済
みのグリーンシート１２を数枚積層し、図４（ｄ）の積
層体の断面図に示すように、内層並びに最上層および最
下層の外側表面に電極１４を有する積層体を作製する。
そして脱バインダ処理および焼成を行うことにより、図
４（ｅ）の断面図に示す多層基板が得られる。なお、最
上層および最下層の外側表面における電極１４の形成
は、積層体を焼成した後に導電ペーストを印刷，焼成し
て形成する場合もある。
みのグリーンシート１２を数枚積層し、図４（ｄ）の積
層体の断面図に示すように、内層並びに最上層および最
下層の外側表面に電極１４を有する積層体を作製する。
そして脱バインダ処理および焼成を行うことにより、図
４（ｅ）の断面図に示す多層基板が得られる。なお、最
上層および最下層の外側表面における電極１４の形成
は、積層体を焼成した後に導電ペーストを印刷，焼成し
て形成する場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
セラミック多層基板には以下に示すような課題がある。
すなわち、セラミック多層基板が焼成時に焼結に伴う収
縮が生じるために、内層電極を有する積層体の焼成を行
なってから最上層の表層電極形成を行う場合は、基板材
料の収縮誤差が大きいと、表層電極パターンと内層電極
との接続が寸法誤差のため行えない。その結果、収縮誤
差を予め許容するように表層電極に必要以上の大きい面
積のランドを形成しなければならず、高密度の配線を必
要とする回路には障害になる。また収縮誤差にあわせて
表層電極形成のためのスクリーン版をいくつか用意して
おき、多層基板の収縮率に応じて使用する方法が取られ
ている。しかしこの方法では、スクリーン版を数多く用
意しておかなければならず不経済である。
セラミック多層基板には以下に示すような課題がある。
すなわち、セラミック多層基板が焼成時に焼結に伴う収
縮が生じるために、内層電極を有する積層体の焼成を行
なってから最上層の表層電極形成を行う場合は、基板材
料の収縮誤差が大きいと、表層電極パターンと内層電極
との接続が寸法誤差のため行えない。その結果、収縮誤
差を予め許容するように表層電極に必要以上の大きい面
積のランドを形成しなければならず、高密度の配線を必
要とする回路には障害になる。また収縮誤差にあわせて
表層電極形成のためのスクリーン版をいくつか用意して
おき、多層基板の収縮率に応じて使用する方法が取られ
ている。しかしこの方法では、スクリーン版を数多く用
意しておかなければならず不経済である。
【０００７】一方、表層電極形成を内層焼成と同時に行
えば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法に
よっても多層基板そのものの収縮誤差はそのまま存在す
るので、最後のチップ部品搭載時のクリーム半田印刷に
おいて、その誤差のため必要な部分にクリーム半田印刷
できない場合が起こる。またチップ部品実装においても
所定のチップ部品位置とずれが生じる。
えば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法に
よっても多層基板そのものの収縮誤差はそのまま存在す
るので、最後のチップ部品搭載時のクリーム半田印刷に
おいて、その誤差のため必要な部分にクリーム半田印刷
できない場合が起こる。またチップ部品実装においても
所定のチップ部品位置とずれが生じる。
【０００８】また、グリーンシートの造膜方向によって
幅方向と長手方向とで収縮率が異なり、このことも位置
ずれのないセラミック多層基板を作製する上での障害と
なっている。
幅方向と長手方向とで収縮率が異なり、このことも位置
ずれのないセラミック多層基板を作製する上での障害と
なっている。
【０００９】これらの収縮誤差をなるべく少なくするた
めには、製造工程において、基板材料およびグリーンシ
ート組成の管理はもちろん、粉体ロットの違いや積層条
件（プレス圧力，温度）を十分管理する必要がある。し
かし、一般に収縮率の誤差は条件を整えても数％存在
し、位置精度が高くて接続不良の発生がないセラミック
多層基板を歩留り良く製造することは難しい。
めには、製造工程において、基板材料およびグリーンシ
ート組成の管理はもちろん、粉体ロットの違いや積層条
件（プレス圧力，温度）を十分管理する必要がある。し
かし、一般に収縮率の誤差は条件を整えても数％存在
し、位置精度が高くて接続不良の発生がないセラミック
多層基板を歩留り良く製造することは難しい。
【００１０】本発明は上記問題点を解決するもので、高
密度の配線が可能で接続不良の発生を抑えた信頼性の高
いセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的
とする。
密度の配線が可能で接続不良の発生を抑えた信頼性の高
いセラミック多層基板の製造方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のセラミック多層基板の製造方法は、まず、ガ
ラスおよびセラミックスの複合組成物からなる低温焼成
基板材料を主成分とする第１のグリーンシートと、この
低温焼成基板材料よりも高い焼結温度を有する無機組成
物からなる基板材料を主成分とする第２のグリーンシー
トとをそれぞれ準備し、これらのグリーンシートに導電
ペーストを塗布して電極パターンを形成する。次に、こ
れらの電極パターンを形成した第１のグリーンシートと
第２のグリーンシートとをそれぞれ所定枚数重ね合わせ
て積層し、得られた積層体をまず第１の焼成を行った
後、さらにこの第１の焼成における焼成温度よりも高い
焼成温度で第２の焼成を行うものである。
に本発明のセラミック多層基板の製造方法は、まず、ガ
ラスおよびセラミックスの複合組成物からなる低温焼成
基板材料を主成分とする第１のグリーンシートと、この
低温焼成基板材料よりも高い焼結温度を有する無機組成
物からなる基板材料を主成分とする第２のグリーンシー
トとをそれぞれ準備し、これらのグリーンシートに導電
ペーストを塗布して電極パターンを形成する。次に、こ
れらの電極パターンを形成した第１のグリーンシートと
第２のグリーンシートとをそれぞれ所定枚数重ね合わせ
て積層し、得られた積層体をまず第１の焼成を行った
後、さらにこの第１の焼成における焼成温度よりも高い
焼成温度で第２の焼成を行うものである。
【００１２】
【作用】この製造方法によれば、まず第１のグリーンシ
ートの焼結温度に対応する低い焼成温度で第１の焼成を
行うと、第１のグリーンシートは焼結されて収縮しよう
とするものの、第２のグリーンシートは焼成温度がその
焼結温度よりも低いために未焼結の状態に保持され、収
縮がほとんど起こらない。したがって、第１のグリーン
シートと第２のグリーンシートとが密着して積層されて
いる積層体においては、第１のグリーンシートはその厚
み方向には収縮するものの、厚み方向に対して直角な方
向、すなわち積層面に平行な方向には収縮しようとして
も第２のグリーンシートによってその動きが拘束され、
ほとんど収縮が起こらない。
ートの焼結温度に対応する低い焼成温度で第１の焼成を
行うと、第１のグリーンシートは焼結されて収縮しよう
とするものの、第２のグリーンシートは焼成温度がその
焼結温度よりも低いために未焼結の状態に保持され、収
縮がほとんど起こらない。したがって、第１のグリーン
シートと第２のグリーンシートとが密着して積層されて
いる積層体においては、第１のグリーンシートはその厚
み方向には収縮するものの、厚み方向に対して直角な方
向、すなわち積層面に平行な方向には収縮しようとして
も第２のグリーンシートによってその動きが拘束され、
ほとんど収縮が起こらない。
【００１３】次に、第２のグリーンシートの焼結温度に
対応する高い焼成温度で第２の焼成を行うと、第２のグ
リーンシートの焼結による収縮が始まるものの、第２の
グリーンシートはすでに焼結された第１のグリーンシー
トによりその動きが拘束されるために積層面に平行な方
向にはほとんど収縮が起こらず、厚み方向にのみ収縮が
起こる。その結果、積層体の焼成による収縮は厚み方向
が主体であって、積層面に平行な方向ではほとんど発生
しない。したがって、最上層に面積の大きなランドを形
成する必要がなく、また層間接続の不良や電極パターン
の位置ずれが発生しない。
対応する高い焼成温度で第２の焼成を行うと、第２のグ
リーンシートの焼結による収縮が始まるものの、第２の
グリーンシートはすでに焼結された第１のグリーンシー
トによりその動きが拘束されるために積層面に平行な方
向にはほとんど収縮が起こらず、厚み方向にのみ収縮が
起こる。その結果、積層体の焼成による収縮は厚み方向
が主体であって、積層面に平行な方向ではほとんど発生
しない。したがって、最上層に面積の大きなランドを形
成する必要がなく、また層間接続の不良や電極パターン
の位置ずれが発生しない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例におけるセラミック多
層基板の製造方法について説明する。
層基板の製造方法について説明する。
【００１５】（実施例１）まず、ホウ珪酸鉛ガラスとア
ルミナとが重量比で等量の複合組成物に、有機バインダ
としてアクリル樹脂、可塑剤としてフタル酸エステル、
溶剤としてメチルエチルケトンをそれぞれ混合してスラ
リーとし、このスラリーをドクターブレード法で有機フ
ィルム上に塗布し乾燥して第１のグリーンシートを作製
した。また、上記複合組成物の代わりにコージライトか
らなる無機組成物を用い、第１のグリーンシートと同様
の方法により第２のグリーンシートを作製した。
ルミナとが重量比で等量の複合組成物に、有機バインダ
としてアクリル樹脂、可塑剤としてフタル酸エステル、
溶剤としてメチルエチルケトンをそれぞれ混合してスラ
リーとし、このスラリーをドクターブレード法で有機フ
ィルム上に塗布し乾燥して第１のグリーンシートを作製
した。また、上記複合組成物の代わりにコージライトか
らなる無機組成物を用い、第１のグリーンシートと同様
の方法により第２のグリーンシートを作製した。
【００１６】次に、これらのグリーンシートの所定位置
に穴明け加工を施してビアホールを形成した後、Ａｇを
主成分とする導電ペーストを印刷してビアホール埋めお
よび電極パターン形成を行い、種々の電極パターンを有
する第１および第２のグリーンシートを準備した。そし
て、図１の積層体の断面図に示すように、第２のグリー
ンシート２に第１のグリーンシート１を３枚重ね、その
上に再び第２のグリーンシート２を重ねて熱圧着し、内
層および上下両表面に電極３を有する積層体を作製し
た。なお、熱圧着条件は加熱温度８０℃、加圧力は２０
０kg／cm2である。さらに、この積層体を脱バインダ処
理した後、まず９００℃の温度で第１の焼成を行い、続
いて１０００℃で第２の焼成を行った。焼成にはベルト
炉を使用した。
に穴明け加工を施してビアホールを形成した後、Ａｇを
主成分とする導電ペーストを印刷してビアホール埋めお
よび電極パターン形成を行い、種々の電極パターンを有
する第１および第２のグリーンシートを準備した。そし
て、図１の積層体の断面図に示すように、第２のグリー
ンシート２に第１のグリーンシート１を３枚重ね、その
上に再び第２のグリーンシート２を重ねて熱圧着し、内
層および上下両表面に電極３を有する積層体を作製し
た。なお、熱圧着条件は加熱温度８０℃、加圧力は２０
０kg／cm2である。さらに、この積層体を脱バインダ処
理した後、まず９００℃の温度で第１の焼成を行い、続
いて１０００℃で第２の焼成を行った。焼成にはベルト
炉を使用した。
【００１７】このようにして作製したセラミック多層基
板について、その焼成前後の積層体における積層面に平
行な方向の収縮率を調べた結果、収縮率は０．１％以下
であり、焼結による収縮は非常に小さいものであった。
また導通試験を行った結果、接続不良は認められなかっ
た。
板について、その焼成前後の積層体における積層面に平
行な方向の収縮率を調べた結果、収縮率は０．１％以下
であり、焼結による収縮は非常に小さいものであった。
また導通試験を行った結果、接続不良は認められなかっ
た。
【００１８】なお、上記とは別な焼成炉を用いて、上記
積層体の上下方向に加圧しながら９００℃の第１の焼成
および１０００℃の第２の焼成を行う製造方法も試み
た。そして圧力下焼成前後における積層体の収縮率を調
べたところ、圧力を加えない場合よりも厚み方向の収縮
率が増大し、積層面に平行な方向の収縮率は０．０２％
以下とほとんど収縮のないセラミック多層基板が得られ
た。なお、加圧は必ずしも第１の焼成および第２の焼成
の両方とも必要とするものでなく、どちらか一方の焼成
を圧力下で行っても加圧のない場合よりも積層面に平行
な方向の収縮率は小さくなる。
積層体の上下方向に加圧しながら９００℃の第１の焼成
および１０００℃の第２の焼成を行う製造方法も試み
た。そして圧力下焼成前後における積層体の収縮率を調
べたところ、圧力を加えない場合よりも厚み方向の収縮
率が増大し、積層面に平行な方向の収縮率は０．０２％
以下とほとんど収縮のないセラミック多層基板が得られ
た。なお、加圧は必ずしも第１の焼成および第２の焼成
の両方とも必要とするものでなく、どちらか一方の焼成
を圧力下で行っても加圧のない場合よりも積層面に平行
な方向の収縮率は小さくなる。
【００１９】（実施例２）実施例１で作製した電極パタ
ーンを有する第１のグリーンシート１および第２のグリ
ーンシート２を用いて、図２の積層体の断面図に示すよ
うに、最上層および最下層が第１のグリーンシート１、
内層が第２のグリーンシート２からなる構成の積層体を
熱圧着により作製し、これに９００℃の第１の焼成、続
いて１０００℃の第２の焼成を施してセラミック多層基
板を作製した。
ーンを有する第１のグリーンシート１および第２のグリ
ーンシート２を用いて、図２の積層体の断面図に示すよ
うに、最上層および最下層が第１のグリーンシート１、
内層が第２のグリーンシート２からなる構成の積層体を
熱圧着により作製し、これに９００℃の第１の焼成、続
いて１０００℃の第２の焼成を施してセラミック多層基
板を作製した。
【００２０】そして、実施例１と同様に焼成前後の収縮
率および導通状態を調べた結果、本実施例のセラミック
多層基板の場合も積層面に平行な方向の収縮率は０．１
％以下であり、また接続不良も認められなかった。
率および導通状態を調べた結果、本実施例のセラミック
多層基板の場合も積層面に平行な方向の収縮率は０．１
％以下であり、また接続不良も認められなかった。
【００２１】（実施例３）実施例１で作製した電極パタ
ーンを有する第１のグリーンシート１および第２のグリ
ーンシート２を用いて、図３の積層体の断面図に示すよ
うに、第１のグリーンシート１と第２のグリーンシート
２とが交互に積層された構成の積層体を熱圧着により作
製し、これに９００℃の第１の焼成、続いて１０００℃
の第２の焼成を施してセラミック多層基板を作製した。
ーンを有する第１のグリーンシート１および第２のグリ
ーンシート２を用いて、図３の積層体の断面図に示すよ
うに、第１のグリーンシート１と第２のグリーンシート
２とが交互に積層された構成の積層体を熱圧着により作
製し、これに９００℃の第１の焼成、続いて１０００℃
の第２の焼成を施してセラミック多層基板を作製した。
【００２２】そして、実施例１と同様に焼成前後の収縮
率および導通状態を調べた結果、この場合も積層面に平
行な方向の収縮率は０．１％以下であり、また接続不良
も認められなかった。
率および導通状態を調べた結果、この場合も積層面に平
行な方向の収縮率は０．１％以下であり、また接続不良
も認められなかった。
【００２３】なお、上記実施例１〜３においては、第１
の焼成工程における焼成温度が９００℃、第２の焼成工
程における焼成温度が１０００℃の例を示したが、積層
面に平行な方向の収縮率が小さいセラミック多層基板が
得られる焼成温度範囲としては、第１の焼成工程は６０
０〜１０００℃、第２の焼成工程は８００〜１５００℃
が望ましい。
の焼成工程における焼成温度が９００℃、第２の焼成工
程における焼成温度が１０００℃の例を示したが、積層
面に平行な方向の収縮率が小さいセラミック多層基板が
得られる焼成温度範囲としては、第１の焼成工程は６０
０〜１０００℃、第２の焼成工程は８００〜１５００℃
が望ましい。
【００２４】また、第１のグリーンシートに用いるガラ
スおよびセラミックスからなる複合組成物としては、上
記実施例に示したホウ珪酸鉛ガラスとアルミナの複合組
成物だけでなく、他の低温焼成基板材料としての複合組
成物を用いることもできる。さらに第２のグリーンシー
トに用いる無機組成物としては、上記実施例に示したコ
ージライトの他、アルミナ，マグネシア，ジルコニア，
チタニア，ベリリア，窒化ボロン等も使用でき、また第
１のグリーンシートに用いた複合組成物よりも焼結温度
の高い低温焼成基板材料を用いても良い。
スおよびセラミックスからなる複合組成物としては、上
記実施例に示したホウ珪酸鉛ガラスとアルミナの複合組
成物だけでなく、他の低温焼成基板材料としての複合組
成物を用いることもできる。さらに第２のグリーンシー
トに用いる無機組成物としては、上記実施例に示したコ
ージライトの他、アルミナ，マグネシア，ジルコニア，
チタニア，ベリリア，窒化ボロン等も使用でき、また第
１のグリーンシートに用いた複合組成物よりも焼結温度
の高い低温焼成基板材料を用いても良い。
【００２５】また、電極形成に用いる導電ペーストとし
てはＡｇの他、Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属または合金、ＣｕＯの酸化物を主成分とするもの
が使用できる。
てはＡｇの他、Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ，Ｃｕ等
の金属または合金、ＣｕＯの酸化物を主成分とするもの
が使用できる。
【００２６】さらに上記実施例では、最上層および最下
層の表層電極の形成を内層電極の形成と同時に行う例を
示したが、本発明のセラミック多層基板の製造方法はこ
れに限定されるものではなく、内層電極を形成した積層
体を焼成した後に表層電極を形成する場合にも適用でき
るものである。この場合にも焼成による積層体の積層面
に平行な方向の収縮率は極めて小さいため、表層電極パ
ターンの印刷ずれが起こらない。
層の表層電極の形成を内層電極の形成と同時に行う例を
示したが、本発明のセラミック多層基板の製造方法はこ
れに限定されるものではなく、内層電極を形成した積層
体を焼成した後に表層電極を形成する場合にも適用でき
るものである。この場合にも焼成による積層体の積層面
に平行な方向の収縮率は極めて小さいため、表層電極パ
ターンの印刷ずれが起こらない。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のセラミック多層基板の製造方法は、焼結温度の異なる
２種類のグリーンシートを組み合わせて積層し、これに
焼成温度の異なる２回の焼成を施すことにより、焼成に
伴う積層面に平行な方向の収縮をほとんどなくすことが
でき、したがって、電極パターンの位置ずれがないため
に特に焼成後に表層電極を形成する場合においても内層
電極との接続不良の発生が抑えられ、また位置ずれを考
慮する必要がないためランド面積を小さくすることがで
きる信頼性に優れた高密度のセラミック多層基板を実現
するものである。
のセラミック多層基板の製造方法は、焼結温度の異なる
２種類のグリーンシートを組み合わせて積層し、これに
焼成温度の異なる２回の焼成を施すことにより、焼成に
伴う積層面に平行な方向の収縮をほとんどなくすことが
でき、したがって、電極パターンの位置ずれがないため
に特に焼成後に表層電極を形成する場合においても内層
電極との接続不良の発生が抑えられ、また位置ずれを考
慮する必要がないためランド面積を小さくすることがで
きる信頼性に優れた高密度のセラミック多層基板を実現
するものである。
【００２８】さらに、基板材料，グリーンシート組成，
粉体ロット等による収縮率の相異やばらつきがないため
に常に一定寸法のものが得られて生産歩留りが向上し、
また収縮率に対応する多数の電極パターン形成用のスク
リーン版を用意する必要もなく、低コスト化を図ること
ができる。
粉体ロット等による収縮率の相異やばらつきがないため
に常に一定寸法のものが得られて生産歩留りが向上し、
また収縮率に対応する多数の電極パターン形成用のスク
リーン版を用意する必要もなく、低コスト化を図ること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるセラミック多層
基板の焼成前の積層体の断面図
基板の焼成前の積層体の断面図
【図２】本発明の第２の実施例におけるセラミック多層
基板の焼成前の積層体の断面図
基板の焼成前の積層体の断面図
【図３】本発明の第２の実施例におけるセラミック多層
基板の焼成前の積層体の断面図
基板の焼成前の積層体の断面図
【図４】（ａ）従来のセラミック多層基板に用いるグリ
ーンシートの断面図 （ｂ）同ビアホールを形成したグリーンシートの断面図 （ｃ）同ビアホールおよび表面に電極を形成したグリー
ンシートの断面図 （ｄ）同電極を形成したグリーンシートの積層体の断面
図 （ｅ）同積層体を焼成して得たセラミック多層基板の断
面図
ーンシートの断面図 （ｂ）同ビアホールを形成したグリーンシートの断面図 （ｃ）同ビアホールおよび表面に電極を形成したグリー
ンシートの断面図 （ｄ）同電極を形成したグリーンシートの積層体の断面
図 （ｅ）同積層体を焼成して得たセラミック多層基板の断
面図
１ 第１のグリーンシート ２ 第２のグリーンシート ３ 電極
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラスおよびセラミックスの複合組成物
からなる低温焼成基板材料を主成分とする第１のグリー
ンシートを作製する工程と、前記低温焼成基板材料より
も高い焼結温度を有する無機組成物からなる基板材料を
主成分とする第２のグリーンシートを作製する工程と、
前記第１のグリーンシートおよび前記第２のグリーンシ
ートにそれぞれ導電ペーストを塗布して電極パターンを
形成する工程と、前記電極パターンを形成した第１のグ
リーンシートと同じく第２のグリーンシートとを積層す
る工程と、この積層体を焼成する第１の焼成工程と、こ
の第１の焼成工程よりも高い焼成温度で焼成する第２の
焼成工程とを備えたセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項２】 積層工程において、内層に第１のグリー
ンシートを、最上層および最下層に第２のグリーンシー
トをそれぞれ配置して積層する請求項１記載のセラミッ
ク多層基板の製造方法。 - 【請求項３】 積層工程において、内層に第２のグリー
ンシートを、最上層および最下層に第１のグリーンシー
トをそれぞれ配置して積層する請求項１記載のセラミッ
ク多層基板の製造方法。 - 【請求項４】 積層工程において、第１のグリーンシー
トと第２のグリーンシートとを交互に配置して積層する
請求項１記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項５】 第１の焼成工程と第２の焼成工程とのう
ち少なくとも一方の焼成を加圧下で行う請求項１〜４の
いずれか１項に記載のセラミック多層基板の製造方法。 - 【請求項６】 第１の焼成工程における焼成温度が６０
０〜１０００℃、第２の焼成工程における焼成温度が８
００〜１５００℃である請求項１〜４のいずれか１項に
記載のセラミック多層基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24291592A JPH0697656A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | セラミック多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24291592A JPH0697656A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | セラミック多層基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697656A true JPH0697656A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17096109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24291592A Pending JPH0697656A (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0697656A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299822A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック回路基板 |
| DE10309689A1 (de) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Bundesanstalt für Materialforschung und -Prüfung (BAM) | Keramischer Körper mit monolithischem Schichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US6797093B2 (en) | 2001-06-05 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic multilayer substrate manufacturing method and glass ceramic multilayer substrate product |
| JP2006090999A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP2006321715A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 未焼成積層シート |
| DE102005037456A1 (de) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Technische Universität Ilmenau | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Keramikverbundes |
| JP2007173857A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2008004646A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Kyocera Corp | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2008187146A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2009007239A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-01-15 | Ngk Insulators Ltd | 結晶配向セラミックスの製造方法 |
| JP2009522792A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | モノリシックセラミック素子および作製方法 |
| JP2009206233A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | セラミック基板の製造方法 |
| US7687137B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-03-30 | Kyocera Corporation | Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor |
| JP5229227B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-07-03 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板 |
| CN107946010A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-20 | 江苏苏杭电子有限公司 | 基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺 |
-
1992
- 1992-09-11 JP JP24291592A patent/JPH0697656A/ja active Pending
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4593817B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-12-08 | 京セラ株式会社 | 低温焼成セラミック回路基板 |
| JP2002299822A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 低温焼成セラミック回路基板 |
| US6797093B2 (en) | 2001-06-05 | 2004-09-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic multilayer substrate manufacturing method and glass ceramic multilayer substrate product |
| DE10309689A1 (de) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Bundesanstalt für Materialforschung und -Prüfung (BAM) | Keramischer Körper mit monolithischem Schichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE10309689B4 (de) * | 2003-02-27 | 2005-04-07 | Bundesanstalt für Materialforschung und -Prüfung (BAM) | Keramische Platte mit monolithischem Schichtaufbau und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP2006090999A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-04-06 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
| JP4574369B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-11-04 | 京セラ株式会社 | 配線基板およびその製造方法 |
| US7687137B2 (en) | 2005-02-28 | 2010-03-30 | Kyocera Corporation | Insulating substrate and manufacturing method therefor, and multilayer wiring board and manufacturing method therefor |
| DE102005037456A1 (de) * | 2005-08-01 | 2007-02-08 | Technische Universität Ilmenau | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Keramikverbundes |
| DE102005037456B4 (de) * | 2005-08-01 | 2007-10-25 | Technische Universität Ilmenau | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Keramikverbundes |
| JP2009522792A (ja) * | 2006-01-05 | 2009-06-11 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | モノリシックセラミック素子および作製方法 |
| US9532454B2 (en) | 2006-01-05 | 2016-12-27 | Epcos Ag | Monolithic ceramic component and production method |
| JP4502977B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2010-07-14 | 京セラ株式会社 | 未焼結積層シート |
| JP2006321715A (ja) * | 2006-06-19 | 2006-11-30 | Kyocera Corp | 未焼成積層シート |
| JP2008004646A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Kyocera Corp | 回路基板およびその製造方法 |
| JP2008187146A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路装置 |
| JP2007173857A (ja) * | 2007-02-13 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 多層基板およびその製造方法 |
| JP2009007239A (ja) * | 2007-05-28 | 2009-01-15 | Ngk Insulators Ltd | 結晶配向セラミックスの製造方法 |
| JP5229227B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2013-07-03 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板 |
| JP2009206233A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | セラミック基板の製造方法 |
| CN107946010A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-04-20 | 江苏苏杭电子有限公司 | 基于线路板生产工艺加工热敏电阻半导体的加工工艺 |
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