JPH0661649A - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents

多層セラミック基板の製造方法

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JPH0661649A
JPH0661649A JP21110092A JP21110092A JPH0661649A JP H0661649 A JPH0661649 A JP H0661649A JP 21110092 A JP21110092 A JP 21110092A JP 21110092 A JP21110092 A JP 21110092A JP H0661649 A JPH0661649 A JP H0661649A
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JP
Japan
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green sheet
inorganic composition
ceramic substrate
glass
laminated
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JP21110092A
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English (en)
Inventor
Eishin Nishikawa
英信 西川
Seiichi Nakatani
誠一 中谷
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 焼結に伴う平面方向の収縮をなくする多層セ
ラミック基板の製造方法を得ることを目的としている。 【構成】 ガラス・セラミックグリーンシート1と無機
組成物グリーンシート2を積層して焼結し、焼結後に焼
結しない無機組成物グリーンシート2によりガラス・セ
ラミックグリーンシート1の平面方向の収縮を阻止し、
焼結後、無機組成物を除去して多層セラミック基板を製
造することにより、多層セラミック基板の収縮をなくし
て内外層導体パターン間の接続を確実にできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体LSI、チップ
部品などを搭載し、かつそれらを相互配線するための多
層セラミック基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、低温焼結ガラス・セラミック基板
の開発によって、使用できる導体材料に金,銀,銅,パ
ラジウムまたはそれらの混合物が用いられるようになっ
た。これらの金属は従来使用されたタングステン,モリ
ブデンなどに比べ導体抵抗が低く、かつ使用できる設備
も安全で低コストに製造できるという利点がある。
【0003】一方、これらの金属のうち貴金属である
金,銀,パラジウムは高価で、かつ価格変動が大きいこ
とから、安価で価格変動の少ない銅電極材料の使用が望
まれている。
【0004】ここで、低温焼結多層基板の代表的な製造
方法の一例を説明する。低温焼結多層基板の製造方法に
は大きく分けて3種類の方法がある。
【0005】その第1は多層基板の内層電極に銀を用い
て、低温焼結基板のグリーンシートを所望の枚数積層
し、空気中で焼成してその後最上層に銀,パラジウムペ
ーストを印刷、焼成する方法である。これは内部にイン
ピーダンスの小さい銀を用い、最上層に半田耐熱を有す
る銀・パラジウムを使用するものである。
【0006】第2の方法は、特開昭62−265796
号公報に示されているように内部の電極に銀を用い、最
上層に銅を用いる方法で、最上層配線に銅を用いること
により、第1の方法で用いた銀,パラジウムに比べて低
いインピーダンス、かつ、半田濡れの点で有利なもので
ある。しかし、最上層に用いる銅は銀との共晶温度が低
いため600℃程度の低温焼成銅ペーストを用いなけれ
ばならないという問題があった。
【0007】第3の方法は、内層および最上層に銅電極
を用いる方法で、導体抵抗、半田濡れ性、コストの点で
最も良いが、すべて窒素などの中性雰囲気で焼成しなけ
ればならずその作製が困難であるという問題があった。
【0008】一般に、銅電極を使用するには、基板上に
Cuペーストをスクリーン印刷して配線パターンを形成
し、乾燥後、Cuの融点以下の温度(850〜950℃
程度)で、かつCuが酸化されずに導体ペースト中の有
機成分が十分燃焼するように酸素分圧を制御した窒素雰
囲気中で焼成を行なうものである。また、多層する場合
も同様の条件で絶縁層を印刷して焼成を行うものであ
る。しかし、焼成工程における雰囲気を適度な酸素分圧
下にコントロールすることは困難であり、また、多層化
する場合には、各ペーストを印刷した後、その都度、焼
成を繰り返し行なわなければならず、リードタイムが長
くなり設備などのコストアップにつながるなどの問題が
あった。
【0009】このような問題を解決するために、特開昭
61−26293号公報に示されているようなセラミッ
ク多層配線基板とその製造方法が提案されている。
【0010】以下その構造と製造方法について図4を参
照しながら説明する。図において、11はガラス・セラ
ミックグリーンシート,3は有機フィルム,4はビアホ
ール,12は電極である。
【0011】上記構成において、無機成分としての低温
焼成ガラス・セラミック材料に有機バインダ,可塑剤,
溶剤を適量加えて混合したスラリーをドクターブレード
法で(a)に示したように有機フィルム3上にシート成
型してガラス・セラミックグリーンシート11を作製す
る。
【0012】次に、(b)に示したようにガラス・セラ
ミックグリーンシート11にビアホール4を形成してビ
アホール加工済みガラス・セラミックグリーンシート1
3を作製する。そして、(c)に示したように、CuO
ペーストを用いてビアホール埋め及び内層配線形成を印
刷法によって行なって電極12を形成し、電極形成済み
ガラス・セラミックグリーンシート14を作製する。
【0013】次に、(d)に示したように、電極形成済
みガラス・セラミックグリーンシート14を複数枚積層
し、熱圧着して積層体15を形成する。そして(e)に
示したように、積層体15を脱バインダCuO還元焼成
してセラミック多層配線基板が作製される。
【0014】このセラミック多層配線基板の製造方法に
よると、焼成時の雰囲気制御が容易になり緻密な焼結体
が得られるという利点がある。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のセラミック多層配線基板の製造方法では、多層セラ
ミック配線基板の焼成時に焼結に伴う収縮が生じるとい
う問題があった。
【0016】この焼結に伴う収縮は、製造工程の面では
積層プレスと焼成により、また、材料の面では使用する
基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットなどにより
異って生じるもので、セラミック多層配線基板の品質に
影響を与えるものであった。
【0017】まず第1に、セラミック多層配線基板の作
製において、前記したように内層配線の焼成を行なって
から最上層配線形成するため、基板材料の収縮誤差が大
きいと、内層配線と最上層配線との間に寸法誤差が生じ
て両者が接続されなくなるという不具合が生じる。この
不具合を避けるために、収縮誤差を許容するように最上
層電極部に必要以上の大きい面積のランドを形成すれば
よいが、この手段は高密度の配線を必要とする回路には
不向きである。また、収縮誤差に合わせて最上層配線の
ためのスクリーン版をいくつか用意しておき、基板の収
縮率に応じて使い分ける方法が取られているが、この方
法ではスクリーン版を数多く用意しなければならず不経
済である。
【0018】一方、最上層配線と内層配線とを同時に焼
成すれば大きなランドの形成は不要となるが、この同時
焼成法によっても基板そのものの収縮誤差はそのまま存
在するので、最後の部品搭載用のクリーム半田印刷にお
いて、その誤差のため必要な部分に印刷できないという
不具合が残る。また部分実装においても所定の部品位置
とズレが生じる。
【0019】第2に、グリーンシート積層法によるセラ
ミック多層配線基板は、グリーンシートの造膜方向によ
って幅方向と長手方向によって収縮率が異なり、このこ
とも多層セラミック配線基板の作製の障害となってい
る。
【0020】これらの収縮誤差を少なくするためには、
製造工程において、基板材料およびグリーンシート組成
の管理はもちろん、粉体ロットの違いや積層条件(プレ
ス圧力,温度)が十分管理されているが、それでも一般
に収縮率の誤差は±0.5%程度存在すると言われてい
る。
【0021】このことはセラミック多層配線基板にかか
わらず、セラミックおよびガラス・セラミックの焼結を
伴うものに共通の問題である。
【0022】本発明は上記問題を解決するもので、焼結
に伴う収縮、特に平面方向の収縮をなくすることができ
る多段セラミック基板の製造方法を提供することを目的
としている。
【0023】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、低温焼結ガラス・セラミック基板材料に少
なくとも有機パインダと可塑剤を含ませたガラス・セラ
ミックグリーンシートに導体ペースト組成物で電極およ
び導体パターンを形成し、ガラス・セラミックグリーン
シートを所定枚数積層してグリーンシート積層体を形成
し、前記グリーンシート積層体と前記低温焼結ガラス・
セラミック基板材料の焼結温度では焼結しない無機組成
物よりなる無機組成物グリーンシートとを交互に積層す
るととにその両面に前記無機組成物グリーンシートを配
設積層して多段積層体を形成し、前記多段積層体を焼成
した後、焼結しない前記無機組成物除去して多段セラミ
ック基板を製造するようにしたものである。
【0024】また、導体ペースト組成物で電極パターン
を形成した低温焼成ガラス・セラミック基板材料よりな
るガラス・セラミックグリーンシートの1枚または積層
体からなるグリーンシート郡の両面に低温焼結ガラス・
セラミック基板材料の焼結温度では焼結しない無機組成
物よりなる無機組成物グリーシートとを交互に積層する
とともにその両面に前記無機組成物グリーンシートを配
設積層して多段積層体を形成し、前記多段積層体を焼成
した後、前記焼結しない無機組成物を除去して多層セラ
ミック基板を製造するようにしたものである。
【0025】
【作用】上記製造方法において、グリーンシート積層体
の両面には低温焼結ガラス・セラミック基板材料の焼成
温度では焼結しない無機組成物よりなる無機組成物グリ
ーンシートが積層されて焼結されるので、焼結時に焼結
しない、つまり収縮しない無機組成物グリーンシートに
よりグリーンシート積層体の面方向の収縮が阻止されて
いる。そして、不必要な焼結しない無機組成物を除去し
て多段セラミック基板が得られる。
【0026】また、多段セラミック基板の表面は、焼結
しない無機組成物グリーンシートで覆われているので、
多層セラミック基板の表面を汚染することもない。
【0027】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図1から図
3を参照しながら説明する。
【0028】(実施例1)図1は本発明の第1の実施例
を示し、図1において、(a)に示したガラス・セラミ
ックグリーンシート1は、低温焼結ガラス・セラミック
基板材料、たとえば無機成分としてホウ珪酸鉛ガラス粉
末にセラミック材料としてのアルミナ粉末を重量比で5
0対50とした組成物(日本電気硝子社製MLS−1
9)と、有機バインダとしてのポリビニルブチラール
と、可塑剤としてのヂ−n−ブチルフタレートと、溶剤
としてのトルエンとイソプロピルアルコールとの混合液
(30対70重量比)とを混合してスラリーとしたもの
で、このスラリーをドクターブレード法で有機フィルム
3上にシート成型している。
【0029】(b)に示した無機組成物グリーンシート
2は、低温焼結ガラス・セラミック基板材料の焼結温度
では焼結しない無機組成物、たとえば、無機成分として
のアルミナ(住友アルミ社製AL−41平均粒径1.9
μm)粉末を用いて有機フィルム3上にシート成型して
いる。なお、ガラス・セラミックグリーンシート1と無
機組成物グリーンシート2の厚みはともに200μmに
成型してある。
【0030】次に、(c)に示したように、ガラス・セ
ラミックグリーンシート1に所要のビアホール4を穿設
し、(d)に示したように、酸化銅ペースト5をビアホ
ール4に埋設するとともにガラス・セラミックグリーン
シート1の表面に導体パターン6を印刷法で印刷して内
層電極7を形成する。
【0031】次に、(e)に示したように、所定枚数の
ガラス・セラミックグリーンシート1を積層してグリー
ンシート積層体8を形成する。そして、(f)に示した
ように、グリーンシート積層体8と無機組成物グリーン
シート2を交互に積層して多段積層体9を形成するとと
もに、無機組成体グリーンシート2をその両面に配設積
層する。この多段積層体9は80℃の温度と200kg/
cm2の圧力で熱圧着圧して形成される。
【0032】このようにして形成された多段積層体9を
図3に示す。次に、(g)に示したように、多段積層体
9の脱バインダと酸化銅還元と焼成を行う。脱バインダ
は空気中で500℃、酸化銅還元は水素雰囲気中で20
0℃、焼成は窒素雰囲気中で900℃で行なった。この
焼成後の多段積層体9には未焼結の無機組成物層が存在
するため、(h)に示したように酢酸ブチル溶剤中で超
音波洗浄を行なって無機組成物を除去する。これにより
多段積層体8間と両面に積層されていた無機組成物グリ
ーンシート2が除去されて複数枚の多段セラミック基板
10が製造される。
【0033】このようにして製造された多段セラミック
基板10の収縮率を測定すると、その平面方向の収縮率
は0.1%以下であった。これにより平面方向に収縮が
生じない多層セラミック基板の製造方法を得ることがで
きた。
【0034】この多段セラミック基板10に銅ペースト
によって表層電極11を印刷し、焼成を前記と同様の方
法で行なったが、多段セラミック基板10の収縮は極め
て小さいので表層電極11と内層電極7との間の印刷ズ
レは生じなかった。因に多層セラミック基板10の焼結
体密度を測定してみると、従来例の製造方法では3.1
8g/cm3であったのに対して、本実施例の製造方法で
は3.12g/cm3であった。また、多段セラミック基
板10の反り防止と厚み方向の焼結収縮を助けるために
加圧焼成したところ、同様の結果が得られた。
【0035】(実施例2)図2は本発明の第2の実施例
を示し、(a)に示したガラス・セラミックグリーンシ
ート1,酸化銅ペースト5,導体パターン6および、
(b)に示した無機組成物グリーンシート、有機フィル
ム3は第1の実施例に示したものと同一であるので説明
を省略する。
【0036】(c)に示したように、ガラス・セラミッ
クグリーンシート1の1枚または積層体からなるグリー
ンシート郡12の両面に無機組成物グリーンシート2を
交互に積層して多段積層体13を形成するとともに、無
機組成物グリーンシート2をその両面に配設積層する。
この多段積層体13は80℃の温度と200kg/cm2
圧力で熱圧着して形成される。
【0037】次に、(d)に示したように、脱バインダ
と酸化銅還元と焼成未焼成の無機組成物の超音波洗浄を
行って多段セラミック基板10が製造される。
【0038】このようにして製造された多段セラミック
基板10の平面方向の収縮率は、第1の実施例に示した
ものと同様に0.1%以下であった。
【0039】なお、第1および第2の実施例において、
無機組成物にAl23を用いたが、BeO,MgO,Z
rO2,TiO2,BNを用いても同様の結果が得られ
た。
【0040】また、表層電極11を基板焼成後に形成し
たが、導体ペーストをガラス・セラミックグリーンシー
ト1上に印刷しておいて同時焼成してもよいものであ
る。
【0041】
【発明の効果】以上の実施例の説明から明らかなように
本発明によれば、ガラス・セラミックグリーンシートと
無機組成物グリーンシートを積層して焼結するようにし
たことにより、焼結時に焼結しない、つまり収縮しない
無機組成物グリーンシートによってグリーンシート積層
体の面方向の収縮が阻止され、焼成後に不要な焼結しな
い無機組成物を除去して多段セラミック基板が得られ
る。
【0042】このように本発明によれば、焼結に伴う収
縮、特に平面方向の収縮をなくすことができる多段セラ
ミック基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(i)は本発明の多段セラミック基板
の製造方法の第1の実施例の製造工程図
【図2】(a)〜(d)は同方2の実施例の製造工程図
【図3】同多層セラミック基板の側断面図
【図4】(a)〜(e)は従来例の多層セラミック基板
の製造方法の製造工程図
【符号の説明】
1 ガラス・セラミックグリーンシート 2 無機組成物グリーンシート 5 導体ペースト 6 導体パターン 8 グリーンシート積層体 9,13 多段積層体 10 多層セラミック基板 12 グリーンシート郡

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 低温焼結ガラス・セラミック基板材料に
    少なくとも有機バインダと可塑剤を含ませたガラス・セ
    ラミックグリーンシートに導体ペースト組成物で所要の
    電極および導体パターンを形成し、前記ガラス・セラミ
    ックグリーンシートを所定枚数積層してグリーンシート
    積層体を形成し、前記グリーンシート積層体と前記低温
    焼結ガラス・セラミック基板材料の焼結温度では焼結し
    ない無機組成物よりなる無機組成物グリーンシートを交
    互に積層するとともにその両面に前記無機組成物グリー
    ンシートを配設積層して多段積層体を形成し、前記多段
    積層体を焼成した後、焼結しない前記無機組成物を除去
    することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
  2. 【請求項2】 導体ペースト組成物で電極パターンを形
    成した低温焼結ガラス・セラミック基板材料よりなるガ
    ラス・セラミックグリーンシートの1枚または積層体か
    らなるグリーンシート郡の両面に低温焼結ガラス・セラ
    ミック基板材料の焼結温度では焼結しない無機組成物よ
    りなる無機組成物グリーンシートを交互に積層するとと
    もにその両面に前記無機組成物グリーンシートを配設積
    層して多段積層体を形成し、前記多段積層体を焼成した
    後、前記焼結しない無機組成物を除去することを特徴と
    する多層セラミック基板の製造方法。
  3. 【請求項3】 多段積層体を800℃〜1000℃の範
    囲で焼成することを特徴とする請求項1または2記載の
    多層セラミック基板の製造方法。
  4. 【請求項4】 無機組成物グリーンシートは、Al
    23,MgO,ZrO2,TiO2,BeO,BNのいず
    れか、または少なくとも1種を含むことを特徴とする請
    求項1または2記載の多層セラミック基板の製造方法。
  5. 【請求項5】 焼結しない無機組成物を超音波洗浄法で
    取り除くことを特徴とする請求項1または2記載の多層
    セラミック基板の製造方法。
  6. 【請求項6】 導体ペース組成物は、Ag,Ag/P
    d,Ag/Pt,Cu、CuOのいずれかを主成分とす
    ることを特徴とする請求項1または2記載の多層セラミ
    ック基板の製造方法。
  7. 【請求項7】 多段積層体の焼成時に前記多段積層体を
    加圧して焼成することを特徴とする請求項1または2記
    載の多層セラミック基板の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6432239B1 (en) * 1999-03-03 2002-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method of producing ceramic multilayer substrate
US6740183B1 (en) * 1998-04-24 2004-05-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing ceramic multi-layered substrate

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