JPH0786739A - 多層セラミック基板の製造方法 - Google Patents
多層セラミック基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0786739A JPH0786739A JP22549993A JP22549993A JPH0786739A JP H0786739 A JPH0786739 A JP H0786739A JP 22549993 A JP22549993 A JP 22549993A JP 22549993 A JP22549993 A JP 22549993A JP H0786739 A JPH0786739 A JP H0786739A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- green sheet
- ceramic
- glass
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ガラス・セラミック基板が焼成時
において厚み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない
多層基板が得ることを目的とするものである。 【構成】 低温焼結ガラス・セラミックよりなる第１の
グリーンシート積層体の両面に、基板の焼成温度では焼
結しない無機組成物による層を設けた第２の積層体を形
成し、前記第２の積層体を焼成する多層セラミック基板
の製造方法において、第２の積層体の両面の、基板焼成
温度では焼結しない無機組成物による層は、ペーストで
の印刷法で行い、前記第２の積層体の両面に、基板焼成
温度では焼結しない材料によるグリーンシートを積層
し、グリーンシート層を形成する。
において厚み方向だけ収縮し、平面方向には収縮しない
多層基板が得ることを目的とするものである。 【構成】 低温焼結ガラス・セラミックよりなる第１の
グリーンシート積層体の両面に、基板の焼成温度では焼
結しない無機組成物による層を設けた第２の積層体を形
成し、前記第２の積層体を焼成する多層セラミック基板
の製造方法において、第２の積層体の両面の、基板焼成
温度では焼結しない無機組成物による層は、ペーストで
の印刷法で行い、前記第２の積層体の両面に、基板焼成
温度では焼結しない材料によるグリーンシートを積層
し、グリーンシート層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ＬＳＩ、チップ部
品などを搭載し、かつそれらを相互配線するためのセラ
ミック多層配線基板とその製造方法に関するものであ
る。
品などを搭載し、かつそれらを相互配線するためのセラ
ミック多層配線基板とその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、低温焼結ガラス・セラミック多層
基板の開発によって、使用できる導体材料に、金、銀、
銅、パラジウムまたはそれらの混合物が用いられるよう
になった。これらの金属は従来使用されたタングステ
ン、モリブデンなどに比べ導体抵抗が低く、且つ使用で
きる設備も安全で低コストに製造できるものであり、応
用範囲が広い。しかしながら、一般に多層セラミック基
板は、焼成時に焼結に伴う収縮が生じ、この収縮は、使
用する基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットなど
により異なるといった挙動を示す。これにより多層基板
の作製においていくつかの問題が生じている。まず第１
に、多層セラミック基板の作製において前述のごとく内
層配線の焼成を行ってから最上層配線の形成を行なうた
め、基板材料の収縮誤差が大きいと、最上層配線パター
ンと寸法誤差のため内層電極との接続が行えない。その
結果、収縮誤差を予め許容するように最上層電極部に必
要以上の大きい面積のランドを形成しなければならず、
高密度の配線を必要とする回路には使用できない。また
収縮誤差にあわせて最上層配線のためのスクリーン版を
いくつか用意しておき、基板の収縮率に応じて使用する
方法が取られている。この方法ではスクリーン版が数多
く用意しなければならず不経済である。
基板の開発によって、使用できる導体材料に、金、銀、
銅、パラジウムまたはそれらの混合物が用いられるよう
になった。これらの金属は従来使用されたタングステ
ン、モリブデンなどに比べ導体抵抗が低く、且つ使用で
きる設備も安全で低コストに製造できるものであり、応
用範囲が広い。しかしながら、一般に多層セラミック基
板は、焼成時に焼結に伴う収縮が生じ、この収縮は、使
用する基板材料、グリーンシート組成、粉体ロットなど
により異なるといった挙動を示す。これにより多層基板
の作製においていくつかの問題が生じている。まず第１
に、多層セラミック基板の作製において前述のごとく内
層配線の焼成を行ってから最上層配線の形成を行なうた
め、基板材料の収縮誤差が大きいと、最上層配線パター
ンと寸法誤差のため内層電極との接続が行えない。その
結果、収縮誤差を予め許容するように最上層電極部に必
要以上の大きい面積のランドを形成しなければならず、
高密度の配線を必要とする回路には使用できない。また
収縮誤差にあわせて最上層配線のためのスクリーン版を
いくつか用意しておき、基板の収縮率に応じて使用する
方法が取られている。この方法ではスクリーン版が数多
く用意しなければならず不経済である。
【０００３】一方、最上層配線を内層焼成と同時に行え
ば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法によ
っても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のため必要な部分に印刷できない場合が起こる。
また部品実装においても所定の部品位置とズレが生じ
る。
ば大きなランドを必要としないが、この同時焼成法によ
っても基板そのものの収縮誤差はそのまま存在するの
で、最後の部品搭載時のクリーム半田印刷において、そ
の誤差のため必要な部分に印刷できない場合が起こる。
また部品実装においても所定の部品位置とズレが生じ
る。
【０００４】第２にグリーンシート積層法による多層基
板は、グリーンシートの造膜方向によって幅方向と長手
方向によってもその収縮率が異なる。このこともセラミ
ック多層基板の作製の障害となっている。
板は、グリーンシートの造膜方向によって幅方向と長手
方向によってもその収縮率が異なる。このこともセラミ
ック多層基板の作製の障害となっている。
【０００５】これらの収縮誤差をなるべく少なくするた
めに、一般に以下の方法が提案され、また実施されてい
る。それは、第１に収縮誤差が決められた仕様内に収ま
ったものだけを使用する方法であり、これは所望の高寸
法精度のものが得られるが、製造歩留まりが極めて低い
ために生産コストが大きく、現在のニーズに合わない。
第２に基板収縮率の絶対値が大きいまま、その収縮誤差
を抑制する方法であり、製造工程において、基板材料お
よびグリーンシート組成の管理はもちろん、粉体ロット
の違いや積層条件（プレス圧力、温度）を十分管理する
ことによって行われるが、一般に収縮率の誤差は±０．
５％程度存在すると言われ、それ以上、収縮誤差を抑制
するには限界である。第３にグリーンシート積層体の両
面に多孔質な焼結板、または基板の焼成温度では焼結し
ない材料によるグリーンシート等を接触させ焼成するこ
とによって、基板の収縮を抑制する技術であり、特公昭
６２−２６０７７７によって提案されたものである。以
下にその構造と製造方法について、図３を参照しながら
説明する。図３において、７は焼結後の積層体、８は多
層基板、１２はガラス・セラミックグリーンシート積層
体、１３は多孔質セラミック焼結板である。上記構成に
おいて、（ａ）に示したように、多孔質セラミック焼結
板をガラス・セラミックグリーンシート積層体１２の両
面に配して加圧する。次に（ｂ）に示したように、ガラ
ス・セラミック材料の焼成温度で焼成する。このように
してガラス・セラミック基板の焼結による収縮を平面方
向には抑制し、厚み方向だけに起こす。この後、（ｃ）
に示したように、基板両面に残った多孔質セラミック焼
結板１３を取り除く。この多層セラミック基板の製造方
法によると、平面方向の収縮が極めて小さく、かつ収縮
誤差を小さいため高寸法精度の基板が作製でき、工業上
極めて有効である。
めに、一般に以下の方法が提案され、また実施されてい
る。それは、第１に収縮誤差が決められた仕様内に収ま
ったものだけを使用する方法であり、これは所望の高寸
法精度のものが得られるが、製造歩留まりが極めて低い
ために生産コストが大きく、現在のニーズに合わない。
第２に基板収縮率の絶対値が大きいまま、その収縮誤差
を抑制する方法であり、製造工程において、基板材料お
よびグリーンシート組成の管理はもちろん、粉体ロット
の違いや積層条件（プレス圧力、温度）を十分管理する
ことによって行われるが、一般に収縮率の誤差は±０．
５％程度存在すると言われ、それ以上、収縮誤差を抑制
するには限界である。第３にグリーンシート積層体の両
面に多孔質な焼結板、または基板の焼成温度では焼結し
ない材料によるグリーンシート等を接触させ焼成するこ
とによって、基板の収縮を抑制する技術であり、特公昭
６２−２６０７７７によって提案されたものである。以
下にその構造と製造方法について、図３を参照しながら
説明する。図３において、７は焼結後の積層体、８は多
層基板、１２はガラス・セラミックグリーンシート積層
体、１３は多孔質セラミック焼結板である。上記構成に
おいて、（ａ）に示したように、多孔質セラミック焼結
板をガラス・セラミックグリーンシート積層体１２の両
面に配して加圧する。次に（ｂ）に示したように、ガラ
ス・セラミック材料の焼成温度で焼成する。このように
してガラス・セラミック基板の焼結による収縮を平面方
向には抑制し、厚み方向だけに起こす。この後、（ｃ）
に示したように、基板両面に残った多孔質セラミック焼
結板１３を取り除く。この多層セラミック基板の製造方
法によると、平面方向の収縮が極めて小さく、かつ収縮
誤差を小さいため高寸法精度の基板が作製でき、工業上
極めて有効である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな基板の収縮を抑制する多層セラミック基板の製造に
おいて問題が生じている。それは、グリーンシート積層
体の平面に内層、表層電極のパターンによって凸凹が生
じている場合、多孔質セラミック焼結板、または基板焼
成温度では焼結しない材料によるグリーンシート等を用
いてグリーンシート積層体に接触させたとき、グリーン
シート積層体との間に接触むらが生じ、基板焼成時に部
分的に収縮が起き、または基板にワレが発生するといっ
た問題である。
うな基板の収縮を抑制する多層セラミック基板の製造に
おいて問題が生じている。それは、グリーンシート積層
体の平面に内層、表層電極のパターンによって凸凹が生
じている場合、多孔質セラミック焼結板、または基板焼
成温度では焼結しない材料によるグリーンシート等を用
いてグリーンシート積層体に接触させたとき、グリーン
シート積層体との間に接触むらが生じ、基板焼成時に部
分的に収縮が起き、または基板にワレが発生するといっ
た問題である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、ガラス・セラミックと有機バインダと、可塑剤から
なるグリーンシートを作製し、導体ペースト組成物で電
極パターンを形成し、前記グリーンシートと別の電極パ
ターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層し、前
記低温焼結ガラス・セラミックよりなる第１のグリーン
シート積層体の両面に、基板の焼成温度では焼結しない
材料による層を設けた第２の積層体を形成し、前記積層
体を空気雰囲気中で焼成する多層セラミック基板の製造
方法において、第２の積層体における基板焼成温度では
焼結しない材料による層の形成は、ペーストでの印刷法
で行なう。また、基板焼成温度では焼結しない材料によ
るペーストを印刷した第２の積層体の両面に、基板焼成
温度では焼結しない材料によるグリーンシートを積層、
焼成することによって多層セラミック基板の製造をす
る。
に、ガラス・セラミックと有機バインダと、可塑剤から
なるグリーンシートを作製し、導体ペースト組成物で電
極パターンを形成し、前記グリーンシートと別の電極パ
ターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積層し、前
記低温焼結ガラス・セラミックよりなる第１のグリーン
シート積層体の両面に、基板の焼成温度では焼結しない
材料による層を設けた第２の積層体を形成し、前記積層
体を空気雰囲気中で焼成する多層セラミック基板の製造
方法において、第２の積層体における基板焼成温度では
焼結しない材料による層の形成は、ペーストでの印刷法
で行なう。また、基板焼成温度では焼結しない材料によ
るペーストを印刷した第２の積層体の両面に、基板焼成
温度では焼結しない材料によるグリーンシートを積層、
焼成することによって多層セラミック基板の製造をす
る。
【０００８】
【作用】本発明は前記のような工程を行なうことによっ
て、ガラス・セラミック基板が焼成時において厚み方向
だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板が得られ
るものである。以下に本発明の作用を説明する。
て、ガラス・セラミック基板が焼成時において厚み方向
だけ収縮し、平面方向には収縮しない多層基板が得られ
るものである。以下に本発明の作用を説明する。
【０００９】まず本発明の製造法は、ガラス・セラミッ
ク材料と有機バインダと、可塑剤からなるグリーンシー
トを作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成
し、前記グリーンシートと別の電極パターン形成済みグ
リーンシートとを所望枚数積層して多層化し、前記低温
焼結ガラス・セラミックよりなるグリーンシート積層体
の両面に、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材料の
焼成温度では焼結しない無機組成物よりなるペーストを
印刷し、焼成する。これにより、グリーンシート積層体
と基板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結し
ない無機組成物よりなる層を有効に接触させることがで
き、積層体を焼成しても基板平面方向の収縮を安定して
抑制できる。また、基板平面方向の収縮を有効に抑制す
るためには、基板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度
では焼結しない無機組成物よりなる層は、ガラス・セラ
ミックグリーンシート積層体層に対して十分な厚みを持
っており、これは収縮を抑制する層が、グリーンシート
積層体の収縮を抑制するだけの強度を持っていなければ
ならない。このため、ペーストによる１回の印刷では層
厚を厚くし、強度を持たせるには限度があるため、ペー
スト印刷後、この積層体の両面に基板焼成温度では焼結
しない無機材料によるグリーンシートを積層し、基板収
縮を抑制する層厚を厚くし、基板収縮を抑制する層の強
度を持たす。この後、不必要な焼結しない材料を取り除
けば、所望の基板が得られる訳である。
ク材料と有機バインダと、可塑剤からなるグリーンシー
トを作製し、導体ペースト組成物で電極パターンを形成
し、前記グリーンシートと別の電極パターン形成済みグ
リーンシートとを所望枚数積層して多層化し、前記低温
焼結ガラス・セラミックよりなるグリーンシート積層体
の両面に、前記ガラス・セラミック低温焼結基板材料の
焼成温度では焼結しない無機組成物よりなるペーストを
印刷し、焼成する。これにより、グリーンシート積層体
と基板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結し
ない無機組成物よりなる層を有効に接触させることがで
き、積層体を焼成しても基板平面方向の収縮を安定して
抑制できる。また、基板平面方向の収縮を有効に抑制す
るためには、基板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度
では焼結しない無機組成物よりなる層は、ガラス・セラ
ミックグリーンシート積層体層に対して十分な厚みを持
っており、これは収縮を抑制する層が、グリーンシート
積層体の収縮を抑制するだけの強度を持っていなければ
ならない。このため、ペーストによる１回の印刷では層
厚を厚くし、強度を持たせるには限度があるため、ペー
スト印刷後、この積層体の両面に基板焼成温度では焼結
しない無機材料によるグリーンシートを積層し、基板収
縮を抑制する層厚を厚くし、基板収縮を抑制する層の強
度を持たす。この後、不必要な焼結しない材料を取り除
けば、所望の基板が得られる訳である。
【００１０】前記ガラス・セラミック積層体の焼成は通
常８００℃〜１０００℃の範囲で行われる。銅電極、銀
電極を使用する場合は９００℃で行なう。またガラス・
セラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しない
無機組成物ペーストまたはグリーンシートの無機成分に
は、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＢｅＯ、Ｂ
Ｎ、の内少なくとも１種以上を含む。９００℃の焼成温
度で行なう低温焼結基板材料には、Ａｌ2Ｏ3が最も有効
である。
常８００℃〜１０００℃の範囲で行われる。銅電極、銀
電極を使用する場合は９００℃で行なう。またガラス・
セラミック低温焼結基板材料の焼成温度では焼結しない
無機組成物ペーストまたはグリーンシートの無機成分に
は、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＢｅＯ、Ｂ
Ｎ、の内少なくとも１種以上を含む。９００℃の焼成温
度で行なう低温焼結基板材料には、Ａｌ2Ｏ3が最も有効
である。
【００１１】前記ガラス・セラミック積層体の焼成時に
前記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なう
と、厚み方向の焼結性が更に促進されち密な焼結体が得
られる。
前記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なう
と、厚み方向の焼結性が更に促進されち密な焼結体が得
られる。
【００１２】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１、図２は本発明の一実施例を示
す。
しながら説明する。図１、図２は本発明の一実施例を示
す。
【００１３】（実施例１）図１において、（ａ）に示し
たガラス・セラミックグリーンシート１は、低温焼結ガ
ラス・セラミック材料、たとえば無機成分としてホウ珪
酸鉛ガラス粉末にセラミック材料としてのＡｌ2Ｏ3粉末
を重量比で５０対５０とした組成物（日本電気硝子社製
ＭＬＳ−１９）と、有機バインダとしてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてヂ−ｎ−ブチルフタレート、溶
剤としてトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
（３０対７０重量比）を混合しスラリーとしたもので、
このスラリーをドクターブレード法でシート形成した。
このグリーンシートにＡｇペーストを用いて導体パター
ンの形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印刷法
によって行い電極３を形成し、電極形成済みガラス・セ
ラミックグリーンシート２を形成した。導体ペースト
は、Ａｇ粉末（平均粒径１μｍ）に接着強度を得るため
のガラスフリット（日本電気硝子社製 ＧＡ−９ガラス
粉末、平均粒径２．５μｍ）を５ｗｔ％加えたものを無
機成分とし、有機バインダであるエチルセルロースをタ
ーピネオールに溶かしたビヒクルとともに加えて、３段
ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用
いた。なおビア埋め用のＡｇペーストは更に無機成分と
して前記ガラス・セラミック粉末を１５重量％加えたも
のを使用して行った。前記ガラス・セラミックグリーン
シート１の厚みは約２００μｍである。
たガラス・セラミックグリーンシート１は、低温焼結ガ
ラス・セラミック材料、たとえば無機成分としてホウ珪
酸鉛ガラス粉末にセラミック材料としてのＡｌ2Ｏ3粉末
を重量比で５０対５０とした組成物（日本電気硝子社製
ＭＬＳ−１９）と、有機バインダとしてポリビニルブ
チラール、可塑剤としてヂ−ｎ−ブチルフタレート、溶
剤としてトルエンとイソプロピルアルコールの混合液
（３０対７０重量比）を混合しスラリーとしたもので、
このスラリーをドクターブレード法でシート形成した。
このグリーンシートにＡｇペーストを用いて導体パター
ンの形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印刷法
によって行い電極３を形成し、電極形成済みガラス・セ
ラミックグリーンシート２を形成した。導体ペースト
は、Ａｇ粉末（平均粒径１μｍ）に接着強度を得るため
のガラスフリット（日本電気硝子社製 ＧＡ−９ガラス
粉末、平均粒径２．５μｍ）を５ｗｔ％加えたものを無
機成分とし、有機バインダであるエチルセルロースをタ
ーピネオールに溶かしたビヒクルとともに加えて、３段
ロールにより適度な粘度になるように混合したものを用
いた。なおビア埋め用のＡｇペーストは更に無機成分と
して前記ガラス・セラミック粉末を１５重量％加えたも
のを使用して行った。前記ガラス・セラミックグリーン
シート１の厚みは約２００μｍである。
【００１４】次に焼結の起こらないペーストを無機成分
としてＡｌ2Ｏ3（住友アルミ社製ＡＬ−４１ 平均粒径
１．９μｍ）粉末のみを用い前記Ａｇペーストと同様の
組成で、同様の方法で作製した。
としてＡｌ2Ｏ3（住友アルミ社製ＡＬ−４１ 平均粒径
１．９μｍ）粉末のみを用い前記Ａｇペーストと同様の
組成で、同様の方法で作製した。
【００１５】（ｃ）に示すように、前記電極形成済みガ
ラス・セラミックグリーンシート２を所定の枚数積み重
ね、この状態で熱圧着して第１の積層体４を形成した。
熱圧着条件は、温度が８０℃、圧力は２００Ｋｇ／ｃｍ
2であった。さらに（ｄ）に示すように、その積層体の
両面に印刷法により、Ａｌ2Ｏ3ペーストによる印刷層５
を形成し、第２の積層体６を形成した。
ラス・セラミックグリーンシート２を所定の枚数積み重
ね、この状態で熱圧着して第１の積層体４を形成した。
熱圧着条件は、温度が８０℃、圧力は２００Ｋｇ／ｃｍ
2であった。さらに（ｄ）に示すように、その積層体の
両面に印刷法により、Ａｌ2Ｏ3ペーストによる印刷層５
を形成し、第２の積層体６を形成した。
【００１６】次に（ｅ）に示すように、前記第２の積層
体６をＡｌ2Ｏ3９６％基板上に乗せ焼成する。条件はベ
ルト炉によって空気中の９００℃で１時間焼成で行っ
た。（９００℃の保持時間は約１２分である。）この時
基板の反りと厚み方向の焼結収縮を助けるためＡｌ2Ｏ3
焼結基板を乗せて加圧するようにして焼成を行った。
体６をＡｌ2Ｏ3９６％基板上に乗せ焼成する。条件はベ
ルト炉によって空気中の９００℃で１時間焼成で行っ
た。（９００℃の保持時間は約１２分である。）この時
基板の反りと厚み方向の焼結収縮を助けるためＡｌ2Ｏ3
焼結基板を乗せて加圧するようにして焼成を行った。
【００１７】（ｆ）に示すように、焼成後の積層体７の
表面には未焼結のＡｌ2Ｏ3層が存在するため、酢酸ブチ
ル溶剤中で超音波洗浄を行ったところＡｌ2Ｏ3層がきれ
いに取り除くことができた。この焼成後の基板の収縮率
を測定すると、収縮率が０．１％以下であった。
表面には未焼結のＡｌ2Ｏ3層が存在するため、酢酸ブチ
ル溶剤中で超音波洗浄を行ったところＡｌ2Ｏ3層がきれ
いに取り除くことができた。この焼成後の基板の収縮率
を測定すると、収縮率が０．１％以下であった。
【００１８】この結果、平面方向の収縮が起こらない多
層基板８が作製できた。さらにこの多層基板にＡｇ−Ｐ
ｄペーストによって最上層パターンをスクリーン印刷
し、乾燥の後焼成を前記と同様の方法で行った。内層基
板の収縮が極めて小さいため、最上層パターンの印刷ズ
レがなかった。
層基板８が作製できた。さらにこの多層基板にＡｇ−Ｐ
ｄペーストによって最上層パターンをスクリーン印刷
し、乾燥の後焼成を前記と同様の方法で行った。内層基
板の収縮が極めて小さいため、最上層パターンの印刷ズ
レがなかった。
【００１９】（実施例２）図２において、（ａ）に示し
た基板材料のガラス・セラミックグリーンシート１は実
施例１と同様の組成の物を用いた。（ｂ）に示すよう
に、このグリーンシートにＡｇペーストを用いて導体パ
ターンの形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印
刷法によって行い電極３を形成し、電極形成済みガラス
・セラミックグリーンシートを作製した。
た基板材料のガラス・セラミックグリーンシート１は実
施例１と同様の組成の物を用いた。（ｂ）に示すよう
に、このグリーンシートにＡｇペーストを用いて導体パ
ターンの形成およびビアホール埋め印刷をスクリーン印
刷法によって行い電極３を形成し、電極形成済みガラス
・セラミックグリーンシートを作製した。
【００２０】次に（ｃ）に示すように、焼結の起こらな
いＡｌ2Ｏ3グリーンシート９の作製は無機成分としてＡ
ｌ2Ｏ3粉末（住友アルミ社製 ＡＬ−４１ 平均粒径
１．９μｍ）のみを用い前記ガラス・セラミック基板用
グリーンシートと同様のグリーンシート組成で、同様の
方法でグリーンシートを作製した。前記ガラス・セラミ
ックグリーンシート１の厚みは約２００μｍ、Ａｌ2Ｏ3
グリーンシート９は約３００μｍである。
いＡｌ2Ｏ3グリーンシート９の作製は無機成分としてＡ
ｌ2Ｏ3粉末（住友アルミ社製 ＡＬ−４１ 平均粒径
１．９μｍ）のみを用い前記ガラス・セラミック基板用
グリーンシートと同様のグリーンシート組成で、同様の
方法でグリーンシートを作製した。前記ガラス・セラミ
ックグリーンシート１の厚みは約２００μｍ、Ａｌ2Ｏ3
グリーンシート９は約３００μｍである。
【００２１】次に焼結の起こらないＡｌ2Ｏ3ペーストを
無機成分としてＡｌ2Ｏ3（住友アルミ社製 ＡＬ−４１
平均粒径１．９μｍ）粉末のみを用い前記Ａｇペース
トと同様の組成で、同様の方法で作製した。
無機成分としてＡｌ2Ｏ3（住友アルミ社製 ＡＬ−４１
平均粒径１．９μｍ）粉末のみを用い前記Ａｇペース
トと同様の組成で、同様の方法で作製した。
【００２２】（ｄ）に示すように、前記電極形成済みガ
ラス・セラミックグリーンシート２を所定の枚数積み重
ねて熱圧着し、さらにその両面に前記Ａｌ2Ｏ3ペースト
によって印刷して印刷層５を形成し、第２の積層体６を
作製した。さらに、前記第２の積層体６の両面にＡｌ2
Ｏ3グリーンシート９を重ね合わせて第３の積層体１０
を形成した。これらの積層、熱圧着条件は、温度が８０
℃、圧力は２００Ｋｇ／ｃｍ2であった。次に、脱バイ
ンダ、焼成を実施例１と同様に行った。
ラス・セラミックグリーンシート２を所定の枚数積み重
ねて熱圧着し、さらにその両面に前記Ａｌ2Ｏ3ペースト
によって印刷して印刷層５を形成し、第２の積層体６を
作製した。さらに、前記第２の積層体６の両面にＡｌ2
Ｏ3グリーンシート９を重ね合わせて第３の積層体１０
を形成した。これらの積層、熱圧着条件は、温度が８０
℃、圧力は２００Ｋｇ／ｃｍ2であった。次に、脱バイ
ンダ、焼成を実施例１と同様に行った。
【００２３】以上のようにして作製した焼成後の積層体
１１の両面のＡｌ2Ｏ3層を実施例１と同様超音波洗浄に
て取り除き多層基板８を作製した。本実施例においても
最上層にＣｕペーストを用いて印刷、焼成を行ったとこ
ろ、良好な低温焼結多層基板が得られた。
１１の両面のＡｌ2Ｏ3層を実施例１と同様超音波洗浄に
て取り除き多層基板８を作製した。本実施例においても
最上層にＣｕペーストを用いて印刷、焼成を行ったとこ
ろ、良好な低温焼結多層基板が得られた。
【００２４】なお本実施例において、未焼結材料として
Ａｌ2Ｏ3を用いたが、その他ＢｅＯＭｇＯ，ＺｒＯ2，
ＴｉＯ2，ＢＮを用いても同様の効果が得られた。ま
た、最上層パターンの形成を基板焼成後に行ったが、最
上層ペーストをガラス・セラミックグリーンシート上に
印刷し、同時焼成しても得られることはいうまでもな
い。
Ａｌ2Ｏ3を用いたが、その他ＢｅＯＭｇＯ，ＺｒＯ2，
ＴｉＯ2，ＢＮを用いても同様の効果が得られた。ま
た、最上層パターンの形成を基板焼成後に行ったが、最
上層ペーストをガラス・セラミックグリーンシート上に
印刷し、同時焼成しても得られることはいうまでもな
い。
【００２５】以上のように本発明は、焼結の起こらない
無機成分からなるグリーンシート層を設け基板焼成を行
なうと、焼結による収縮が平面方向で全く起こらない多
層セラミック基板の作製工程において、焼成時の収縮を
抑制する層の形成をペーストでの印刷法で行なうことに
よって、ガラス・セラミックグリーンシート積層体と基
板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結しない
無機組成物よりなる層を有効に接触させることができ、
積層体を焼成しても基板平面方向の収縮を安定して抑制
でき、基板割れ、収縮むらのない高寸法精度の多層セラ
ミック基板を製造できる。本方法は、セラミック多層配
線基板だけでなく積層セラミックコンデンサや収縮率の
安定性が要求されるセラミック構造材料などに応用でき
ることはいうまでもない。
無機成分からなるグリーンシート層を設け基板焼成を行
なうと、焼結による収縮が平面方向で全く起こらない多
層セラミック基板の作製工程において、焼成時の収縮を
抑制する層の形成をペーストでの印刷法で行なうことに
よって、ガラス・セラミックグリーンシート積層体と基
板の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結しない
無機組成物よりなる層を有効に接触させることができ、
積層体を焼成しても基板平面方向の収縮を安定して抑制
でき、基板割れ、収縮むらのない高寸法精度の多層セラ
ミック基板を製造できる。本方法は、セラミック多層配
線基板だけでなく積層セラミックコンデンサや収縮率の
安定性が要求されるセラミック構造材料などに応用でき
ることはいうまでもない。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、多孔質セラミック焼結板、ま
たは基板焼成温度では焼結しない無機組成物によるグリ
ーンシートをガラス・セラミックグリーンシート積層体
の両面に配して加圧、焼成してガラス・セラミック基板
の焼結による収縮を平面方向には抑制する多層セラミッ
ク基板の製造方法において、前記のような工程を行なう
ことによって、ガラス・セラミックグリーンシート積層
体の平面に内層、表層電極のパターンによって凸凹が生
じている場合においても、グリーンシート積層体と基板
の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結しない無
機組成物よりなる層を有効に接触させることができ、積
層体を焼成する時に発生する部分的な収縮、または基板
ワレといった問題を防止できる。
たは基板焼成温度では焼結しない無機組成物によるグリ
ーンシートをガラス・セラミックグリーンシート積層体
の両面に配して加圧、焼成してガラス・セラミック基板
の焼結による収縮を平面方向には抑制する多層セラミッ
ク基板の製造方法において、前記のような工程を行なう
ことによって、ガラス・セラミックグリーンシート積層
体の平面に内層、表層電極のパターンによって凸凹が生
じている場合においても、グリーンシート積層体と基板
の収縮を抑制する基板材料の焼成温度では焼結しない無
機組成物よりなる層を有効に接触させることができ、積
層体を焼成する時に発生する部分的な収縮、または基板
ワレといった問題を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の実施例１の多層セラミック基
板の製造工程図 （ｂ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｃ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｄ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｅ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｆ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図
板の製造工程図 （ｂ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｃ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｄ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｅ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｆ）は本発明の実施例１の多層セラミック基板の製造
工程図
【図２】（ａ）は本発明の実施例２の多層セラミック基
板の製造工程図 （ｂ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｃ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｄ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｅ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｇ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図
板の製造工程図 （ｂ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｃ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｄ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｅ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図 （ｇ）は本発明の実施例２の多層セラミック基板の製造
工程図
【図３】（ａ）は従来の多層セラミック基板の製造工程
図 （ｂ）は従来の多層セラミック基板の製造工程図 （ｃ）は従来の多層セラミック基板の製造工程図
図 （ｂ）は従来の多層セラミック基板の製造工程図 （ｃ）は従来の多層セラミック基板の製造工程図
１ ガラス・セラミックグリーンシート ２ 電極形成済みガラス・セラミックグリーンシート ３ 電極 ４ 第１の積層体 ５ 印刷層 ６ 第２の積層体 ７ 焼成後の積層体 ８ 多層基板 ９ Ａｌ2Ｏ3 １０ 第３の積層体 １１ 焼成後の積層体
Claims (6)
- 【請求項１】 ガラス・セラミックと有機バインダと可
塑剤からなるグリーンシートを作製し、導体ペースト組
成物で電極パターンを形成し、前記グリーンシートと別
の電極パターン形成済みグリーンシートとを所望枚数積
層し、前記低温焼結ガラス・セラミックよりなる第１の
グリーンシート積層体の両面に、基板の焼成温度では焼
結しない無機組成物による層を設けた第２の積層体を形
成し、前記第２の積層体を焼結する多層セラミック基板
の製造方法において、第２の積層体の両面の、無機組成
物による層は、ペーストでの印刷法で行なう印刷層であ
ることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】 第２の積層体の両面に、基板焼成温度で
は焼結しない無機組成物によるグリーンシートを積層す
ることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記ガラス・セラミック低温焼結基板材
料の焼成温度で焼結しない無機組成物は、Ａｌ2Ｏ3、Ｍ
ｇＯ、ＺｒＯ2、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、ＢＮ、Ｔｉ
Ｏ2を少なくとも１種類以上を含むことを特徴とする請
求項１または２に記載の多層セラミック基板の製造方
法。 - 【請求項４】 第２の積層体の焼成が８００℃〜１００
０℃の範囲で行なうことを特徴とする請求項１記載の多
層セラミック基板の製造方法。 - 【請求項５】 導体ペーストが、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａ
ｇ−Ｐｔ，Ｃｕ，ＣｕＯのいずれかを主成分とすること
を特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の製
造方法。 - 【請求項６】 ガラス・セラミック積層体の焼成時に前
記ガラス・セラミック積層体を加圧して焼成を行なうこ
とを特徴とする請求項１に記載の多層セラミック基板の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22549993A JPH0786739A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22549993A JPH0786739A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786739A true JPH0786739A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16830282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22549993A Pending JPH0786739A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 多層セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786739A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124590A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック回路基板及びその製造方法 |
| JP2002368421A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| KR100383378B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2003-05-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모놀리식 세라믹 기판, 이의 제조 방법 및 설계 방법, 및전자 장치 |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| JP2008235911A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22549993A patent/JPH0786739A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100383378B1 (ko) * | 2000-04-10 | 2003-05-12 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 모놀리식 세라믹 기판, 이의 제조 방법 및 설계 방법, 및전자 장치 |
| JP2002124590A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | セラミック回路基板及びその製造方法 |
| JP4613410B2 (ja) * | 2000-10-13 | 2011-01-19 | 株式会社村田製作所 | セラミック回路基板の製造方法 |
| JP2002368421A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-20 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板 |
| US7105070B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-09-12 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method for producing ceramic substrate, and ceramic substrate |
| JP2008235911A (ja) * | 2008-03-26 | 2008-10-02 | Murata Mfg Co Ltd | 低温焼成セラミック回路基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2785544B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0697656A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JP3351043B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3003413B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH05327218A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH0786739A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2857552B2 (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JP3082475B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2007053294A (ja) | 積層型セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP2803421B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| EP1189495B1 (en) | Method of manufacturing multilayer ceramic substrate | |
| JP3100796B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JPH11224984A (ja) | セラミック多層基板の製造方法 | |
| JPH0730253A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| US6245185B1 (en) | Method of making a multilayer ceramic product with thin layers | |
| US8241449B2 (en) | Method for producing ceramic body | |
| JPH05136572A (ja) | 多層セラミツク基板の製造方法 | |
| JPH05327220A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2812605B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP3188086B2 (ja) | セラミック配線基板とその製造方法及びその実装構造 | |
| JP2681328B2 (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPH06244559A (ja) | セラミックス多層基板の製造方法 | |
| JPH0661649A (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2855959B2 (ja) | 多層セラミック基板の製造方法 | |
| JP2515165B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 |