JP2002368421A

JP2002368421A - 多層セラミック基板の製造方法および多層セラミック基板

Info

Publication number: JP2002368421A
Application number: JP2001174249A
Authority: JP
Inventors: Akira Baba; 彰馬場; Mitsuyoshi Nishide; 充良西出
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-06-08
Filing date: 2001-06-08
Publication date: 2002-12-20

Abstract

(57)【要約】【課題】多層セラミック基板をいわゆる無収縮プロセ
スによって得るために用意される生の積層体において、
基体用セラミック層の厚みに応じて、これに接する拘束
層の厚みを増し、焼成工程において十分な拘束力を及ぼ
せるようにしたとき、厚みの比較的厚い拘束層であって
も、十分に緻密化できるようにする。【解決手段】拘束層１１〜１７に含まれる無機材料粉
末は焼結しないが基体用セラミック層２〜１０に含まれ
るセラミック材料粉末が焼結する焼成温度で、生の積層
体１を焼成する工程を経て、多層セラミック基板を製造
しようとする場合、拘束層１１〜１７に、その軟化点が
焼成温度より低い少なくとも１種類のガラス粉末を含有
させる。ガラス粉末は、焼成工程が終了するまでに拘束
層１１〜１７に濡れ広がりながら、拘束層１１〜１７に
含まれる無機材料粉末間の隙間を埋め、それによって、
拘束層１１〜１７を緻密化するように機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層セラミック
基板の製造方法およびこの製造方法によって得られた多
層セラミック基板に関するもので、特に、多層セラミッ
ク基板を製造するための焼成工程において無収縮プロセ
スを適用するための拘束層の緻密化を図るための改良に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】多層セラミック基板は、複数の積層され
たセラミック層を備えている。このような多層セラミッ
ク基板には、種々の形態の配線導体が設けられている。
配線導体としては、たとえば、多層セラミック基板の内
部において、セラミック層間の特定の界面に沿って延び
る内部導体膜が形成されたり、特定のセラミック層を貫
通するように延びるビアホール導体が形成されたり、ま
た、多層セラミック基板の外表面上において延びる外部
導体膜が形成されたりしている。

【０００３】多層セラミック基板は、半導体チップ部品
やその他のチップ部品等を搭載し、これらの電子部品を
相互に配線するために用いられている。上述した配線導
体は、この相互配線のための電気的経路を与えている。

【０００４】また、多層セラミック基板には、たとえば
コンデンサ素子やインダクタ素子のような受動部品が内
蔵されることがある。この場合には、上述した配線導体
としての内部導体膜やビアホール導体の一部によって、
これらの受動部品が与えられる。

【０００５】多層セラミック基板は、たとえば、移動体
通信端末機器の分野において、ＬＣＲ複合化高周波部品
として用いられたり、コンピュータの分野において、半
導体ＩＣチップのような能動素子とコンデンサやインダ
クタや抵抗のような受動素子とを複合化した部品とし
て、あるいは単なる半導体ＩＣパッケージとして用いら
れたりしている。

【０００６】より具体的には、積層型セラミック電子部
品は、ＰＡモジュール基板、ＲＦダイオードスイッチ、
フィルタ、チップアンテナ、各種パッケージ部品、複合
デバイス等の種々の電子部品を構成するために広く用い
られている。

【０００７】多層セラミック基板をより多機能化、高密
度化、高性能化するためには、上述したような配線導体
を高密度に配置することが有効である。

【０００８】しかしながら、多層セラミック基板を得る
ためには、必ず、焼成工程を経なければならないが、こ
のような焼成工程においては、セラミックの焼結による
収縮が生じ、この収縮は多層セラミック基板全体におい
て均一に生じにくく、そのため、配線導体において不所
望な変形や歪みがもたらされることがある。このような
配線導体において生じる変形や歪みは、上述のような配
線導体の高密度化を阻害してしまう。

【０００９】そこで、多層セラミック基板を製造するに
あたって、焼成工程において多層セラミック基板の主面
方向での収縮を実質的に生じさせないようにすることが
できる、いわゆる無収縮プロセスを適用することが提案
されている。

【００１０】無収縮プロセスによる多層セラミック基板
の製造方法においては、たとえば１０００℃以下の温度
で焼結可能な低温焼結セラミック材料が用意されるとと
もに、上述の低温焼結セラミック材料の焼結温度では焼
結しない、収縮抑制用として機能する無機材料粉末が用
意される。そして、焼成することによって目的とする多
層セラミック基板となる生の積層体を作製するにあたっ
ては、低温焼結セラミック材料を含み、かつ積層され
た、複数の生の基体用セラミック層の特定のものの主面
に接するように、無機材料粉末を含む生の拘束層が配置
され、また、基体用セラミック層に関連して、配線導体
が設けられる。

【００１１】上述のようにして得られた生の積層体は、
次いで、焼成される。この焼成工程において、拘束層に
含まれる無機材料は実質的に焼結しないため、拘束層に
おいては、収縮が実質的に生じない。このようなことか
ら、拘束層が基体用セラミック層を拘束し、それによっ
て、基体用セラミック層は、厚み方向にのみ実質的に収
縮するが、主面方向での収縮が抑制される。

【００１２】その結果、生の積層体を焼成して得られた
多層セラミック基板において不均一な変形がもたらされ
にくくなり、そのため、配線導体において不所望な変形
や歪みがもたらされにくくすることができ、配線導体の
高密度化を可能にする。

【００１３】上述したような無収縮プロセスによる多層
セラミック基板の製造方法は、特に、複数の多層セラミ
ック基板を取り出すことが予定された大面積の集合基板
の製造に適用されたとき、その上に搭載されるチップ部
品の実装密度を高めることができるという利点をもたら
すことができる。

【００１４】また、たとえば特開２０００−３１５８６
４号公報に記載されるように、拘束層を、多層セラミッ
ク基板となるべき積層体の内部に位置させる場合もあ
る。この場合には、焼成工程において、基体用セラミッ
ク層から流動成分の一部が拘束層内に移動し、拘束層に
含まれる無機材料粉末間の隙間を充填して、拘束層が固
着されることになる。

【００１５】上述した方法によれば、焼成後に拘束層を
除去する工程が不要になるとともに、多層セラミック基
板にチップ部品等を収容するためのキャビティが設けら
れる場合であっても、キャビティの寸法精度を高めるこ
とができるという優れた利点を奏することができる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、拘束
層が積層体の内部に位置される場合には、通常、基体用
セラミック層の各々に隣接して拘束層が位置される。こ
こで、各基体用セラミック層の主面方向に生じ得る収縮
の大きさは、各基体用セラミック層とこれに隣接する拘
束層との厚みの比率に依存する。

【００１７】したがって、各基体用セラミック層の主面
方向での収縮を十分に抑制するためには、基体用セラミ
ック層が比較的厚い場合、これに隣接する拘束層の厚み
も比較的厚くする必要がある。

【００１８】また、多層セラミック基板となるべき積層
体が、厚みの互いに異なる少なくとも２種類の基体用セ
ラミック層を備えている場合には、基体用セラミック層
の各厚みに応じて、これに隣接する拘束層の厚みを変化
させ、積層体の積層方向での各部分の局所的な収縮率を
合わせ込み、それによって、積層体全体としての反りや
歪みを低減する必要がある。

【００１９】上述のような状況の下、拘束層に対して、
厚みの選択範囲が広いこと、より特定的には、十分に厚
くすることが可能であることが求められる。しかしなが
ら、拘束層が厚くなると、前述したような方法では、拘
束層を十分に緻密化できないという問題に遭遇すること
がある。なぜなら、前述した方法では、拘束層は、焼成
時において、隣接する基体用セラミック層から移動する
流動成分によって固着されるものであるが、拘束層が所
定以上の厚みを有する場合には、流動成分の量または移
動距離が不足するからである。

【００２０】このように、拘束層が十分に緻密化されな
いと、得られた多層セラミック基板において、拘束層に
沿う面を介して容易に剥離されたり、拘束層に空孔が生
じ、この空孔内に水分が侵入したり、めっき処理が施さ
れる場合には、めっき液が侵入したりするなど、実用
上、極めて不都合な事態がもたらされる。

【００２１】特に、基体用セラミック層に含まれるセラ
ミック材料が流動成分を多く含有していない場合には、
拘束層の厚みについての許容範囲が狭くなり、多層セラ
ミック基板の設計上の自由度を所定以上に確保すること
ができない。

【００２２】そこで、この発明の目的は、上述したよう
な問題を解決し得る、多層セラミック基板の製造方法お
よびこの製造方法によって得られた多層セラミック基板
を提供しようとすることである。

【００２３】

【課題を解決するための手段】この発明は、簡単に言え
ば、焼成時に流動する流動性成分を拘束層に添加してお
き、この流動性成分によって拘束層の緻密化を図ろうと
するものである。

【００２４】より詳細には、この発明は、セラミック材
料粉末を含み、かつ積層された、複数の生の基体用セラ
ミック層と、生の基体用セラミック層の特定のものの主
面に接するようにそれぞれ配置され、かつセラミック材
料粉末の焼結温度では焼結しない無機材料粉末を含む、
複数の生の拘束層と、基体用セラミック層および拘束層
の少なくとも一方に関連して設けられる、配線導体とを
備える、生の積層体を作製する工程と、生の積層体を、
無機材料粉末は焼結しないがセラミック材料粉末が焼結
する焼成温度で焼成する工程とを備える、多層セラミッ
ク基板の製造方法にまず向けられるものであって、上述
した技術的課題を解決するため、拘束層に、その軟化点
が焼成温度より低い少なくとも１種類のガラス粉末を含
ませておくことを特徴としている。

【００２５】したがって、焼成工程を実施したとき、上
述のように拘束層に含まれるガラス粉末は、焼成工程が
終了するまでに拘束層に濡れ広がりながら、拘束層に含
まれる無機材料粉末間の隙間を埋め、それによって、拘
束層を緻密化するように機能する。

【００２６】この発明において、上述のように拘束層に
含まれるガラス粉末は、焼成工程において、拘束層の焼
結助剤として機能しないものであることが好ましい。

【００２７】この発明において、拘束層に添加されるガ
ラス粉末は、非晶質ガラスからなるものであっても、焼
成工程中にその少なくとも一部が結晶化するガラスから
なるものであってもよい。

【００２８】ガラス粉末の中心粒径は、好ましくは、５
μｍ以下とされる。

【００２９】また、拘束層中において、無機材料粉末と
ガラス粉末との総体積に対して、ガラス粉末の体積が１
０〜７０％となるようにされることが好ましい。

【００３０】拘束層に含まれる無機材料粉末としては、
アルミナが好適に用いられる。

【００３１】また、無機材料粉末の中心粒径は、５μｍ
以下であることが好ましい。

【００３２】拘束層の厚みは、０．５〜５０μｍの範囲
内とされることが好ましい。

【００３３】ガラス粉末を構成するガラスとしては、当
該ガラスからなる表面積３０ｃｍ²の平板を４０℃の温
度に保たれたｐＨ２のＨＣｌ水溶液に６時間浸漬したと
きの重量減少率が５％以下のものが用いられることが好
ましい。

【００３４】また、生の基体用セラミック層に含まれる
セラミック材料粉末は、１０００℃以下の温度で焼結可
能であることが好ましい。

【００３５】上述の場合、ガラス粉末を構成するガラス
は、その軟化点が５００〜９００℃の範囲内にあること
が好ましい。

【００３６】上述したような条件を満たすガラスとして
は、たとえば、ＳｉＯ₂が４０〜６０モル％、Ａｌ₂Ｏ
₃がＳｉＯ₂との合計で５０〜７０モル％、Ｂ₂Ｏ₃が
２〜２０モル％、ＢａＯ、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＳｒＯ
から選ばれた少なくとも１種が合計で１０〜４０モル
％、ならびに、Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選
ばれた少なくとも１種が合計で３〜１５モル％、それぞ
れ、含まれる組成を有するものがある。

【００３７】また、この発明において、生の基体用セラ
ミック層には、ガラス粉末を含ませなくてもよい。

【００３８】また、この発明において、生の積層体を作
製するにあたっては、種々の方法を採用することができ
る。特に、生の拘束層を形成するにあたっては、生の基
体用セラミック層となるセラミックグリーンシートを成
形し、このセラミックグリーンシート上にスクリーン印
刷法によって生の拘束層を形成したり、あるいは、セラ
ミックグリーンシート上で無機材料粉末およびガラス粉
末を含むスラリーをシート状に成形することによって生
の拘束層を形成したりすることができる。

【００３９】積層体には、厚みが互いに異なる少なくと
も２種類の拘束層が存在していてもよい。

【００４０】また、厚みが互いに異なる少なくとも２種
類の基体用セラミック層が積層体に存在していてもよ
い。この場合、厚みが相対的に厚い基体用セラミック層
には、厚みが相対的に厚い拘束層が隣接し、厚みが相対
的に薄い基体用セラミック層には、厚みが相対的に薄い
拘束層が隣接するような配置状態に選ぶことが好まし
い。

【００４１】また、拘束層は、積層体の内部に位置する
ものを含んでいても、積層体の外表面上に位置するもの
を含んでいてもよい。

【００４２】上述のように、積層体の外表面上に位置す
る拘束層上には、配線導体としての外部導体膜が形成さ
れてもよい。この外部導体膜にめっきが施されてもよ
い。このように、外部導体膜にめっきを施す場合、この
発明が特に有利に適用される。

【００４３】この発明は、また、以上のような製造方法
によって得られた多層セラミック基板にも向けられる。

【００４４】また、この発明に係る多層セラミック基板
は、積層された複数の基体用セラミック層と、基体用セ
ラミック層の特定のものの主面に接するようにそれぞれ
配置され、かつ基体用セラミック層を構成するセラミッ
クの焼結温度では焼結しない無機材料粉末を含む、複数
の拘束層と、基体用セラミック層および拘束層の少なく
とも一方に関連して設けられる、配線導体とを含む、積
層体を備え、その構造的特徴として、拘束層は、ガラス
によって無機材料粉末間の隙間が埋められ、それによっ
て緻密化されている。

【００４５】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる多層セラミック基板の製造方法において、多層セラ
ミック基板を得るために用意される生の積層体１を図解
的に示す断面図である。この生の積層体１を焼成するこ
とによって、多層セラミック基板を得ることができる。

【００４６】生の積層体１は、セラミック材料粉末を含
み、かつ積層された、複数の生の基体用セラミック層２
〜１０を備えている。これら基体用セラミック層２〜１
０は、その厚みが互いに異なるものを含んでいる。

【００４７】基体用セラミック層２〜１０に含まれるセ
ラミック材料粉末としては、好ましくは、１０００℃以
下の温度で焼結可能なものが用いられる。たとえば、Ｓ
ｉＯ ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢａＣＯ₃およびＢ₂Ｏ₃の各粉
末を混合し、この混合粉末を仮焼して得られた無機組成
物からなるセラミック材料粉末を有利に用いることがで
きる。このセラミック材料粉末は、焼成中に液化する比
較的少量のホウ素リッチ相が焼結助剤として機能するた
め、９８０℃の温度で焼結可能である。したがって、こ
のような無機組成物を用いると、基体用セラミック層２
〜１０にガラス粉末を含有させなくても、１０００℃以
下の温度で焼結可能とすることができる。

【００４８】上述のように、基体用セラミック層２〜１
０に含まれるセラミック材料粉末が１０００℃以下の温
度で焼結可能であれば、後述する配線導体に含まれる導
電成分として、たとえば、銅、銀またはニッケルのよう
な卑金属を用いることができるとともに、後述する拘束
層に含まれる無機材料粉末の材料選択範囲を広げること
ができる。

【００４９】基体用セラミック層２〜１０は、通常、セ
ラミック材料粉末を含むスラリーをシート状に成形して
得られたセラミックグリーンシートによって与えられ
る。セラミックグリーンシートを作製するため、たとえ
ば、セラミック材料粉末に、バインダ、可塑剤および溶
剤を加えて混練して得られたスラリーを、キャリアフィ
ルム上でシート状に成形することが行なわれる。

【００５０】生の積層体１は、生の基体用セラミック層
２〜１０の特定のものの主面に接するようにそれぞれ配
置された、複数の生の拘束層１１〜１７を備えている。

【００５１】生のセラミック層１１〜１７は、まず、基
体用セラミック層２〜１０に含まれるセラミック材料粉
末の焼結温度では焼結しない無機材料粉末を含んでい
る。無機材料粉末としては、たとえばアルミナ粉末が有
利に用いられる。また、無機材料粉末の中心粒径は、５
μｍ以下であることが好ましい。無機材料粉末の中心粒
径が５μｍより大きいと、生の基体用セラミック層２〜
１０の焼成時の収縮を抑制する効果が低減されるためで
ある。

【００５２】生の積層体１は、後述するように、上述の
無機材料粉末については焼結しないが基体用セラミック
層２〜１０に含まれるセラミック材料粉末については焼
結する焼成温度で焼成されるが、この焼成温度より低い
軟化点を有する少なくとも１種類のガラス粉末が、拘束
層１１〜１７に含まれる。このガラス粉末は、非晶質ガ
ラスからなるものであっても、後述する焼成工程中にそ
の少なくとも一部が結晶化するガラスからなるものであ
ってもよい。

【００５３】前述したように、生の基体用セラミック層
２〜１０に含まれるセラミック材料粉末が１０００℃以
下の温度で焼結可能であるとき、このガラス粉末を構成
するガラスは、その軟化点が５００〜９００℃の範囲内
にあることが好ましい。ガラス軟化点が５００℃未満で
あると、焼成工程中において、ガラスが拘束層１１〜１
７から流出してしまい、他方、軟化点が９００℃を超え
ると、焼成工程中において、ガラスが軟化流動しにくい
ためである。

【００５４】また、ガラス粉末を構成するガラスとして
は、当該ガラスからなる表面積３０ｃｍ²の平板を４０
℃の温度に保たれたｐＨ２のＨＣｌ水溶液に６時間浸漬
したときの重量減少率が５％以下のものを用いることが
好ましい。この重量減少率が５％を超えると、必要に応
じて実施されるめっき処理において、拘束層１１〜１７
中のガラスが溶出し、得られた多層セラミック基板の強
度が低下したり、後述するように、拘束層１１および１
７上に形成された外部導体膜１８の接合強度が低下した
りするためである。

【００５５】上述のように、重量減少率が５％以下であ
るという条件および軟化点が５００〜９００℃の範囲内
にあるという条件の双方を満足するガラスとして、たと
えば、ＳｉＯ₂が４０〜６０モル％、Ａｌ₂Ｏ₃がＳｉ
Ｏ₂との合計で５０〜７０モル％、Ｂ₂Ｏ₃が２〜２０
モル％、ＢａＯ、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＳｒＯから選ば
れた少なくとも１種が合計で１０〜４０モル％、ならび
に、Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選ばれた少な
くとも１種が合計で３〜１５モル％、それぞれ、含まれ
る組成を有するものがある。

【００５６】ガラス粉末の中心粒径は、５μｍ以下であ
ることが好ましい。ガラス粉末の中心粒径が５μｍより
大きいと、拘束層１１〜１７の各々の厚みがばらつきや
すいためである。

【００５７】また、拘束層１１〜１７中において、無機
材料粉末とガラス粉末との総体積に対し、ガラス粉末の
体積が１０〜７０％であることが好ましい。ガラス粉末
の体積が１０％を下回ると、拘束層１０〜１７における
ガラスの量が不足して、これらを緻密化することができ
ず、他方、７０％を上回ると、生の基体用セラミック層
２〜１０の焼成時の収縮を抑制する効果が弱くなるため
である。

【００５８】拘束層１１〜１７の各々の厚みは、０．５
〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。厚みが０．
５μｍ未満であると、実質的な収縮抑制効果を期待でき
ず、他方、厚みが５０μｍを超えると、多層セラミック
基板の低背化に対して不利であるためである。

【００５９】この実施形態では、拘束層１１〜１７に
は、厚みが互いに異なるものを含んでいる。また、前述
したように、基体用セラミック層２〜１０についても、
厚みが互いに異なるものを含んでいる。このような場
合、図１において、その傾向がほぼ現れているように、
基体用セラミック層２〜１０のうち、厚みが相対的に厚
いものには、拘束層１１〜１７のうち、厚みが相対的に
厚いものが隣接し、基体用セラミック層２〜１０のう
ち、厚みが相対的に薄いものには、拘束層１１〜１７の
うち、厚みが相対的に薄いものが隣接するように配置状
態が選ばれることが好ましい。

【００６０】なお、拘束層１１〜１７の各厚みは、上述
のように、基体用セラミック層２〜１０の各厚みに応じ
て調整されるほか、基体用セラミック層２〜１０の組
成、配線導体の密度、あるいは積層位置等のファクタを
考慮して調整される。すなわち、生の積層体１の各部分
での収縮を同程度に抑制しながら、所望の収縮率を達成
できるように、拘束層１１〜１７の各厚みが最適化され
る。

【００６１】拘束層１１〜１７を形成するため、上述し
た無機材料粉末およびガラス粉末に、バインダ、可塑剤
および溶剤を加えて混練して得られたスラリーがまず用
意される。そして、拘束層１１〜１７に隣接する基体用
セラミック層、この実施形態では、基体用セラミック層
２〜５、７、９および１０をそれぞれ与えるセラミック
グリーンシート上に、上述したスラリーを用いて、スク
リーン印刷法によって生の拘束層１１〜１７を形成した
り、これらセラミックグリーンシート上でスラリーをシ
ート状に成形することによって生の拘束層１１〜１７を
形成したりすることが行なわれる。

【００６２】生の積層体１は、さらに、基体用セラミッ
ク層２〜１０および拘束層１１〜１７の少なくとも一方
に関連して設けられる、配線導体を備えている。

【００６３】配線導体としては、より具体的には、生の
積層体１の外表面上に形成されるいくつかの外部導体膜
１８と、生の積層体１の内部に形成されるいくつかの内
部導体膜１９と、基体用セラミック層２〜１０の特定の
ものおよび拘束層１１〜１７の特定のものの少なくとも
一方を貫通するように設けられるいくつかのビアホール
導体２０とがある。

【００６４】外部導体膜１８および内部導体膜１９は、
たとえば、金属箔によって形成されたり、導電性ペース
トによって形成されたりすることができる。ビアホール
導体２０は、これを設けるための貫通孔に導電性ペース
トを充填することによって形成されることができる。

【００６５】このような生の積層体１を得るため、通
常、積層技術が適用される。より具体的には、金型が用
意され、金型内に、まず、生の拘束層１１と一体化され
た基体用セラミック層２を与えるセラミックグリーンシ
ートがキャリアフィルムを剥離してから配置される。こ
のとき、拘束層１１および外部導体膜１８が形成された
側が金型の底面と接するようにされる。

【００６６】続いて、拘束層１２と一体化された基体用
セラミック層３となるセラミックグリーンシート、拘束
層１３と一体化された基体用セラミック層４となるセラ
ミックグリーンシート、拘束層１４と一体化された基体
用セラミック層５となるセラミックグリーンシート、基
体用セラミック層６となるセラミックグリーンシート、
拘束層１５と一体化された基体用セラミック層７となる
セラミックグリーンシート、基体用セラミック層８とな
るセラミックグリーンシート、拘束層１６と一体化され
た基体用セラミック層９となるセラミックグリーンシー
トが、順次、キャリアフィルムを剥離してから積層され
る。

【００６７】最後に、拘束層１７と一体化された基体用
セラミック層１０となるセラミックグリーンシートが、
拘束層１７および外部導体膜１８を上方に向けた状態で
積層され、その後、金型の上蓋が配置され、生の積層体
１が金型内に密閉される。

【００６８】次に、金型を介して、生の積層体１が積層
方向にプレスされる。このプレス工程では、たとえば、
５０℃の温度および５００ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力が適用
される。

【００６９】上述のプレス工程に付された生の積層体１
が、分割されることによって複数の多層セラミック基板
を取り出すことができるようにされたマザー状態のもの
である場合には、プレス後において、個々の多層セラミ
ック基板を与える複数の生の積層体を得るため、切断工
程が実施される。なお、切断工程は、後述する焼成工程
の後に実施されてもよい。

【００７０】次に、金型から取り出された生の積層体１
は、脱バインダ処理された後、焼成される。この焼成に
あたっては、生の拘束層１１〜１７に含まれる無機材料
粉末は焼結しないが生の基体用セラミック層２〜１０に
含まれるセラミック材料粉末が焼結する焼成温度が適用
される。たとえば、焼成工程では、還元性雰囲気中にお
いて、９８０℃の温度で１時間熱処理することが行なわ
れる。

【００７１】これによって、基体用セラミック層２〜１
０においては、焼結が達成される。他方、拘束層１１〜
１７においては、そこに含まれるガラス粉末は、好まし
くは、焼結助剤として機能せず、拘束層１１〜１７を焼
結させることはないが、焼成工程が終了するまでに拘束
層１１〜１７に濡れ広がりながら、拘束層１１〜１７に
含まれる無機材料粉末間の隙間を埋め、それによって、
拘束層１１〜１７の各々を緻密化するように機能する。

【００７２】また、拘束層１１〜１７は、上述した焼成
工程において、実質的に収縮しない。そのため、拘束層
１１〜１７は、基体用セラミック層２〜１０に対して、
主面方向での収縮を抑制する拘束力を及ぼし、基体用セ
ラミック層２〜１０の主面方向での収縮が抑制され、基
体用セラミック層２〜１０は、実質的に厚み方向にのみ
収縮する。この場合、生の拘束層１１〜１７に含まれて
いたガラス粉末は、焼成後において、拘束層１１〜１７
の緻密化に寄与するばかりでなく、焼成工程中におい
て、上述したような拘束力の向上にも寄与している。

【００７３】次に、必要に応じて、外部導体膜１８にめ
っきが施される。外部導体膜１８が導電成分として、た
とえば銅を含む場合には、ニッケルめっきおよび金めっ
きが施される。

【００７４】このようにして、目的とする多層セラミッ
ク基板が完成される。

【００７５】図２は、この発明の他の実施形態による多
層セラミック基板の製造方法において作製される生の積
層体２１を図解的に示す、図１に相当する断面図であ
る。図２において、図１に示す要素に相当する要素には
同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

【００７６】図２に示した生の積層体２１は、図１に示
した生の積層体１と比較して、基体用セラミック層６お
よび８の各々にも隣接して拘束層２２および２３が配置
されるとともに、拘束層１１〜１７、２２および２３の
すべてが互いに同じ厚みを有している点で異なってい
る。

【００７７】図３は、この発明のさらに他の実施形態に
よる多層セラミック基板の製造方法において作製される
生の積層体３１を図解的に示す、図１または図２に相当
する断面図である。

【００７８】図３に示した生の積層体３１は、図２に示
した生の積層体２１と比較したとき、生の基体用セラミ
ック層２に隣接して生の拘束層１１が形成されていない
とともに、生の基体用セラミック層１０については、こ
れに隣接して形成された生の拘束層１７が、生の基体用
セラミック層９に接するように配置されている点で相違
している。したがって、生の積層体３１の外表面上に形
成された外部導体膜１８は、生の基体用セラミック層２
上に形成され、生の基体用セラミック層１０の外側に向
く面上には、外部導体膜が形成されていない。

【００７９】次に、この発明に基づいて実施した実験例
について説明する。

【００８０】

【実験例１】実験例１では、実施例１〜４の各々に係る
多層セラミック基板ならびに比較例の各々に係る多層セ
ラミック基板を作製し、焼成による主面方向での収縮率
および反りを評価した。

【００８１】（実施例１）実施例１では、図１に示すよ
うな積層構造を有する生の積層体１を作製した。

【００８２】より具体的には、基体用セラミック層２〜
１０となるセラミックグリーンシートを次のように作製
した。

【００８３】すなわち、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢａＣ
Ｏ₃およびＢ₂Ｏ₃の各粉末を混合し、得られた混合粉
末を仮焼することによって、セラミック材料粉末となる
無機組成物を用意した。この無機組成物は、焼成中に液
化する比較的少量のホウ素リッチ相が焼結助剤として機
能し、９８０℃の温度で焼結可能な低温焼結セラミック
材料を与えるものである。

【００８４】次に、この無機組成物からなる粉末に、バ
インダとしてのポリビニルブチラール、可塑剤としての
ジ−ｎ−ブチルフタレートおよび溶剤としてのトルエン
およびイソプロピレンアルコールを加えて混練してスラ
リーを得、このスラリーをキャリアフィルム上でシート
状に成形することによって、基体用セラミック層２〜１
０の各々となるセラミックグリーンシートを作製した。

【００８５】また、基体用セラミック層２〜１０の特定
のものを与えるセラミックグリーンシート上で、無機材
料粉末およびガラス粉末を含むスラリーをシート状に成
形することによって、拘束層１１〜１７を形成した。

【００８６】上述の拘束層１１〜１７に含まれる無機材
料粉末としては、中心粒径が０．５μｍのアルミナ粉末
を用い、ガラス粉末としては、中心粒径が１．３μｍの
ホウ珪酸ガラス粉末を用い、これらを体積比で６：４に
混合した。

【００８７】上述のホウ珪酸ガラスは、ＳｉＯ₂が５５
モル％、Ａｌ₂Ｏ₃が４モル％、Ｂ ₂Ｏ₃が１０モル
％、ＢａＯが２０モル％、ＣａＯが５．５モル％、Ｍｇ
Ｏが０．５モル％、およびＳｒＯが５モル％、それぞ
れ、含まれる組成のものを用いた。このガラスは、軟化
点６７０℃の非晶質ガラスである。また、このガラス
は、化学的耐久性に優れており、当該ガラスからなる表
面積３０ｃｍ²の平板を４０℃の温度に保たれたｐＨ２
のＨＣｌ水溶液に６時間浸漬したときの重量減少率が
０．５％であった。

【００８８】また、外部導体膜１８および内部導体膜１
９は、厚み５μｍの銅箔を用いて形成し、ビアホール導
体２０は、銅を導電成分として含む導電性ペーストを用
いて形成した。

【００８９】また、基体用セラミック層２〜１０ならび
に拘束層１１〜１７の各々の厚みは、表１に示すとおり
とし、表１に示す積層順序に従って積層した。

【００９０】

【表１】

【００９１】なお、表１において、積層順序は、図１の
下からの順序である。したがって、たとえば、積層順序
「１」の基体用セラミック層は、図１に示した基体用セ
ラミック層２に相当し、積層順序「１」の拘束層は、図
１に示した拘束層１１に相当している。

【００９２】また、生の積層体１のプレスにあたって
は、５０℃の温度で５００ｋｇｆ／ｃｍ²の圧力を付与
する条件を適用した。

【００９３】また、焼成工程においては、還元性雰囲気
中において、９８０℃の温度で１時間熱処理する条件を
適用した。

【００９４】また、焼成後において、外部導体膜１８に
対して、ニッケルめっきおよび金めっきを施した。

【００９５】このようにして得られた多層セラミック基
板において、主面方向での収縮率は０．１％であり、反
りは１０μｍであった。

【００９６】（実施例２）実施例２では、図２に示すよ
うな積層構造を有する生の積層体２１を作製した。

【００９７】実施例２では、基体用セラミック層２〜１
０ならびに拘束層１１〜１７、２２および２３の各厚み
は、表２に示すとおりとし、表２に示す積層順序に従っ
て積層した。

【００９８】

【表２】

【００９９】その他の点については、実施例１と同様の
条件とした。

【０１００】このようにして得られた多層セラミック基
板において、主面方向での収縮率は０．１％であり、反
りは１０μｍであった。

【０１０１】（実施例３）実施例３では、図３に示すよ
うな積層構造を有する生の積層体３１を作製した。

【０１０２】実施例３では、基体用セラミック層２〜１
０ならびに拘束層１２〜１７、２２および２３の各厚み
は、表３に示すとおりとし、表３に示す積層順序に従っ
て積層した。

【０１０３】

【表３】

【０１０４】また、実施例３では、拘束層１２〜１７、
２２および２３の形成のために、スクリーン印刷を適用
した。

【０１０５】また、拘束層１２〜１７、２２および２３
に含まれるガラス粉末としては、ホウ珪酸ガラスからな
るものを用いたが、その中心粒径は２．０μｍとした。

【０１０６】また、拘束層１２〜１７、２２および２３
に含まれる無機材料粉末とガラス粉末とは、体積比で
７：３の割合で混合した。

【０１０７】また、ここで用いたホウ珪酸ガラスは、Ｓ
ｉＯ₂が５５モル％、Ａｌ₂Ｏ₃が８モル％、Ｂ₂Ｏ₃
が５モル％、ＢａＯが２０モル％、ＣａＯが５モル％、
Ｌｉ ₂Ｏが５モル％、およびＮａ₂Ｏが２モル％、それ
ぞれ、含まれる組成を有するものであり、軟化点が７２
０℃のガラスとした。このガラスは、８８０℃で一部結
晶化するものである。また、このガラスは、化学的耐久
性に優れており、当該ガラスからなる表面積３０ｃｍ²
の平板を４０℃の温度に保たれたｐＨ２のＨＣｌ水溶液
に６時間浸漬したときの重量減少率は１．２％であっ
た。

【０１０８】また、外部導体膜１８および内部導体膜１
９の形成のため、銅を導電成分として含む導電性ペース
トを用い、これを厚み５μｍをもって形成した。

【０１０９】その他の条件は、実施例１の場合と同様と
した。

【０１１０】このようにして得られた多層セラミック基
板において、主面方向での収縮率は０．３％であり、反
りは１０μｍであった。

【０１１１】（実施例４）実施例４では、基体用セラミ
ック層および拘束層の各々の厚みは、表４に示すとおり
とし、表４に示す積層順序に従って積層することによっ
て生の積層体を作製した。

【０１１２】

【表４】

【０１１３】その他の条件については、実施例１の場合
と同様である。

【０１１４】このようにして得られた多層セラミック基
板において、主面方向での収縮率は６．２％であり、反
りは１４５０μｍであった。

【０１１５】（比較例）比較例では、基体用セラミック
層および拘束層の各々の厚みは、表５に示すとおりと
し、表５に示す積層順序に従って積層し、生の積層体を
作製した。

【０１１６】なお、比較例では、拘束層にガラス粉末を
添加しなかった。

【０１１７】

【表５】

【０１１８】その他の条件については、実施例１の場合
と同様とした。

【０１１９】このようにして得られた多層セラミック基
板において、主面方向での収縮率は８．８％であり、反
りは１３６０μｍであった。

【０１２０】（考察）実施例１〜３では、基体用セラミ
ック層に含まれる流動成分の量が少ないにも関らず、厚
み６μｍといった比較的厚い拘束層であっても、これを
緻密化することができた。なお、この発明に従えば、厚
み５０μｍの拘束層であっても、これを緻密化できるこ
とを確認している。比較例のように、ガラスを含まない
拘束層では、その厚みが１μｍというように薄くても、
これを完全には緻密化し得なかったので、拘束層の緻密
化に対するガラスの効果は明白である。

【０１２１】しかも、ガラスの添加は、基体用セラミッ
ク層と拘束層との界面での接合力の向上をもたらし、そ
の結果、拘束層による収縮を抑制する能力も高めること
ができる。このことは、拘束層においてガラスが添加さ
れているかいないかの違いしか有していない実施例４と
比較例との比較から明らかである。すなわち、比較例で
は、収縮率が８．８％であるのに対し、実施例４では、
収縮率が６．２％であり、ガラス添加による拘束層の収
縮抑制効果を確認することができる。

【０１２２】なお、実施例４では、厚みがすべて１μｍ
の拘束層を形成したため、厚みが１５０μｍといった比
較的厚い積層順序「２」および「３」の基体用セラミッ
ク層に対しては、収縮を抑制する能力が不足し、局所的
に収縮の大きい箇所が生じ、そのため、１４５０μｍと
いった大きな反りが生じることになったが、実施例１〜
３からわかるように、拘束層の厚みをより厚くすること
により、反りを十分に低減することができる。

【０１２３】また、実施例１〜３からわかるように、最
も厚い１５０μｍの基体用セラミック層に対しても、拘
束層の厚みを６μｍにまで厚くすれば、主面方向での収
縮をほぼ完全に抑制できるため、拘束層の厚みを６μｍ
より厚くする必要はない。

【０１２４】また、特に、実施例１および２によれば、
主面方向での収縮率はわずか０．１％であり、また実施
例３であっても、０．３％である。このことから、拘束
層の厚みを最適化することにより、多層セラミック基板
の製造ロット間での収縮率のばらつきも低く抑えること
ができることがわかる。

【０１２５】特に、実施例１によれば、各部分での収縮
率を一定にすることによって反りを低減するため、拘束
層の厚みを各層毎に調整しているため、拘束層が必要以
上に厚くされることがなく、したがって、多層セラミッ
ク基板の低背化に有利である。

【０１２６】また、特に、実施例２によれば、拘束層の
厚みを一定にしているので、拘束層の厚みを変えること
による工程の煩雑さを招かないようにすることができ
る。

【０１２７】また、特に、実施例３によれば、各々拘束
層が形成された基体用セラミック層となるセラミックグ
リーンシートを同じ方向に積層するだけでよいので、積
層工程での反転が不要となり、この工程での反転による
煩雑さを回避することができる。

【０１２８】また、実施例３では、拘束層に含有される
ガラスが一部結晶化するものを用いたが、結晶化する前
に、無機材料粉末間の隙間にガラスが十分濡れ広がるた
め、結晶化によって、拘束層の緻密化が損なわれないこ
とも、実施例３から確認することができる。

【０１２９】また、実施例１〜４において拘束層に含有
させたガラスは、化学的耐久性に優れているため、外部
導体膜１８に対するめっき処理によっても、この外部導
体膜１８の接合強度および得られた多層セラミック基板
の強度劣化をほとんど生じないことも確認された。

【０１３０】

【実験例２】実験例２は、拘束層に添加されるべきガラ
ス粉末を構成するガラスの好ましい組成を見出すために
実施した。

【０１３１】以下の表６に示すように、ガラスの組成比
（モル分率）を変えた試料１〜８について、軟化点を求
めるとともに、各試料に係るガラスをもって表面積３０
ｃｍ ²の平板を作製し、これを４０℃の温度に保たれた
ｐＨ２のＨＣｌ水溶液に６時間浸漬したときの重量減少
率を求めた。

【０１３２】

【表６】

【０１３３】表６からわかるように、ＳｉＯ₂が４０〜
６０モル％、Ａｌ₂Ｏ₃がＳｉＯ₂との合計で５０〜７
０モル％、Ｂ₂Ｏ₃が２〜２０モル％、ＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯおよびＳｒＯから選ばれた少なくとも１種が
合計で１０〜４０モル％、ならびに、Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂
ＯおよびＫ₂Ｏから選ばれた少なくとも１種が合計で３
〜１５モル％といった組成比率条件を満足する試料１〜
４によれば、軟化点が５００〜９００℃の範囲内にある
という条件と、重量減少率が５％以下であるという条件
との双方を満足することができ、拘束層に含有させるガ
ラスとして適していることがわかる。

【０１３４】

【実験例３】実験例３は、拘束層に含まれるガラス粉末
を構成するガラスの軟化点および含有量が、主面方向で
の収縮率および拘束層の緻密化に対して及ぼす影響を調
査するために実施した。

【０１３５】この実験例３では、ガラスの軟化点および
含有量を除いて、前述した実験例１における実施例３の
場合と同じ条件を採用した。

【０１３６】以下の表７にその結果が示されている。

【０１３７】

【表７】

【０１３８】表７に示すように、ガラスの軟化点が５０
０〜９００℃の範囲内にあり、かつガラスの含有量が１
０〜７０体積％の範囲内にある試料１１〜１５によれ
ば、主面方向での収縮率が０．５％以下と小さく、かつ
拘束層の緻密化について優れた結果を示すことがわか
る。

【０１３９】

【実験例４】実験例４は、拘束層に添加されるガラスの
前述した重量減少率と、めっき処理前後における外部導
体膜の接合強度の劣化率との関係を調査するために実施
したものである。

【０１４０】この実験例４では、表８に示すように、重
量減少率の異なるガラスからなるガラス粉末を、同じく
表８に示すような含有量をもって拘束層に含有させ、厚
み３μｍをもって形成された拘束層の表面に、銅を含む
導電性ペーストをもって厚み３μｍの外部導体膜を形成
し、この外部導体膜の拘束層に対する接合強度を、外部
導体膜にめっき処理を施す前およびめっき処理を施した
後にそれぞれ測定し、その変化を劣化率として求めた。

【０１４１】その結果が以下の表８に示されている。

【０１４２】

【表８】

【０１４３】表８に示すように、重量減少率が５％を超
える試料２５および２６では、外部導体膜の接合強度の
劣化率が高かったが、重量減少率が５％以下の試料２１
〜２４によれば、外部導体膜の接合強度の劣化率を低く
抑えることができた。

【０１４４】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、いわ
ゆる無収縮プロセスを適用する多層セラミック基板の製
造方法において、拘束層に、その軟化点が焼成温度より
低い少なくとも１種類のガラス粉末が含まれているの
で、焼成工程において、このガラス粉末は、焼成工程が
終了するまでに拘束層に濡れ広がりながら、拘束層に含
まれる無機材料粉末間の隙間を埋め、それによって、拘
束層を緻密化するように機能する。

【０１４５】したがって、拘束層の部分で多層セラミッ
ク基板が剥離したり、拘束層内に水分が侵入して、多層
セラミック基板の特性を劣化させたりするといった問題
を回避することができる。また、拘束層を介してのめっ
き液の侵入も防止でき、めっき液による強度劣化や特性
劣化の問題も回避することができ、多層セラミック基板
の外表面上に位置する拘束層上に形成された外部導体膜
に対するめっき処理を問題なく実施することができる。

【０１４６】また、拘束層の厚みが増しても、これを良
好に緻密化することができるので、拘束層に隣接する基
体用セラミック層の厚みに応じて拘束層を十分に厚くす
ることができ、基体用セラミック層に対して十分な拘束
力を及ぼすことができる。したがって、生の積層体にお
いて、厚みが互いに異なる少なくとも２種類の基体用セ
ラミック層が存在していても、焼成工程において反りを
生じさせにくいように、拘束層の厚みを選ぶことが容易
になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による多層セラミック基
板の製造方法において作製される生の積層体１を図解的
に示す断面図である。

【図２】この発明の他の実施形態による多層セラミック
基板の製造方法において作製される生の積層体２１を図
解的に示す断面図である。

【図３】この発明のさらに他の実施形態による多層セラ
ミック基板の製造方法において作製される生の積層体３
１を図解的に示す断面図である。

【符号の説明】１，２１，３１生の積層体２〜１０基体用セラミック層１１〜１７，２２，２３拘束層１８外部導体膜１９内部導体膜２０ビアホール導体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA12 AA15 AA24 AA43 CC17 CC18 CC32 CC37 CC38 EE27 FF18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック材料粉末を含み、かつ積層さ
れた、複数の生の基体用セラミック層と、生の前記基体
用セラミック層の特定のものの主面に接するようにそれ
ぞれ配置され、かつ前記セラミック材料粉末の焼結温度
では焼結しない無機材料粉末を含む、複数の生の拘束層
と、前記基体用セラミック層および前記拘束層の少なく
とも一方に関連して設けられる、配線導体とを備える、
生の積層体を作製する工程と、前記生の積層体を、前記無機材料粉末は焼結しないが前
記セラミック材料粉末が焼結する焼成温度で焼成する工
程とを備え、前記拘束層には、その軟化点が前記焼成温度より低い少
なくとも１種類のガラス粉末が含まれている、多層セラ
ミック基板の製造方法。
【請求項２】前記焼成工程において、前記拘束層に含
まれる前記ガラス粉末は、前記拘束層の焼結助剤として
機能しない、請求項１に記載の多層セラミック基板の製
造方法。
【請求項３】前記ガラス粉末は、非晶質ガラスからな
る、請求項１または２に記載の多層セラミック基板の製
造方法。
【請求項４】前記ガラス粉末は、前記焼成工程中にそ
の少なくとも一部が結晶化するガラスからなる、請求項
１または２に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】前記ガラス粉末の中心粒径は、５μｍ以
下である、請求項１ないし４のいずれかに記載の多層セ
ラミック基板の製造方法。
【請求項６】前記拘束層中において、前記無機材料粉
末と前記ガラス粉末との総体積に対し、前記ガラス粉末
の体積が１０〜７０％である、請求項１ないし５のいず
れかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項７】前記無機材料粉末は、アルミナからな
る、請求項１ないし６のいずれかに記載の多層セラミッ
ク基板の製造方法。
【請求項８】前記無機材料粉末の中心粒径は、５μｍ
以下である、請求項１ないし７のいずれかに記載の多層
セラミック基板の製造方法。
【請求項９】前記拘束層の厚みは、０．５〜５０μｍ
の範囲内である、請求項１ないし８のいずれかに記載の
多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】前記ガラス粉末を構成するガラスとし
て、当該ガラスからなる表面積３０ｃｍ²の平板を４０
℃の温度に保たれたｐＨ２のＨＣｌ水溶液に６時間浸漬
したときの重量減少率が５％以下のものが用いられる、
請求項１ないし９のいずれかに記載の多層セラミック基
板の製造方法。
【請求項１１】生の前記基体用セラミック層に含まれ
る前記セラミック材料粉末は、１０００℃以下の温度で
焼結可能である、請求項１ないし１０のいずれかに記載
の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】前記ガラス粉末を構成するガラスは、
その軟化点が５００〜９００℃の範囲内にある、請求項
１１に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】前記ガラス粉末を構成するガラスは、
ＳｉＯ₂が４０〜６０モル％、Ａｌ₂Ｏ₃が前記ＳｉＯ
₂との合計で５０〜７０モル％、Ｂ₂Ｏ₃が２〜２０モ
ル％、ＢａＯ、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＳｒＯから選ばれ
た少なくとも１種が合計で１０〜４０モル％、ならび
に、Ｎａ₂Ｏ、Ｌｉ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選ばれた少な
くとも１種が合計で３〜１５モル％、それぞれ、含まれ
る組成を有する、請求項１ないし１２のいずれかに記載
の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１４】生の前記基体用セラミック層は、ガラ
ス粉末を含まない、請求項１ないし１３のいずれかに記
載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１５】前記生の積層体を作製する工程は、生
の前記基体用セラミック層となるセラミックグリーンシ
ートを成形する工程と、前記セラミックグリーンシート
上にスクリーン印刷法によって生の前記拘束層を形成す
る工程とを含む、請求項１ないし１４のいずれかに記載
の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１６】前記生の積層体を作製する工程は、生
の前記基体用セラミック層となるセラミックグリーンシ
ートを成形する工程と、前記セラミックグリーンシート
上で前記無機材料粉末および前記ガラス粉末を含むスラ
リーをシート状に成形することによって生の前記拘束層
を形成する工程とを含む、請求項１ないし１４のいずれ
かに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１７】前記積層体において、厚みが互いに異
なる少なくとも２種類の前記拘束層が存在する、請求項
１ないし１６のいずれかに記載の多層セラミック基板の
製造方法。
【請求項１８】前記積層体において、厚みが互いに異
なる少なくとも２種類の前記基体用セラミック層が存在
し、厚みが相対的に厚い前記基体用セラミック層には、
厚みが相対的に厚い前記拘束層が隣接し、厚みが相対的
に薄い前記基体用セラミック層には、厚みが相対的に薄
い前記拘束層が隣接する、請求項１７に記載の多層セラ
ミック基板の製造方法。
【請求項１９】前記拘束層は、前記積層体の内部に位
置するものを含む、請求項１ないし１８のいずれかに記
載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２０】前記拘束層は、前記積層体の外表面上
に位置するものを含む、請求項１ないし１９のいずれか
に記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２１】前記配線導体は、前記積層体の外表面
上に位置する前記拘束層上に形成される外部導体膜を含
む、請求項２０に記載の多層セラミック基板の製造方
法。
【請求項２２】前記外部導体膜にめっきを施す工程を
さらに備える、請求項２１に記載の多層セラミック基板
の製造方法。
【請求項２３】請求項１ないし２２のいずれかに記載
の製造方法によって得られた、多層セラミック基板。
【請求項２４】積層された複数の基体用セラミック層
と、前記基体用セラミック層の特定のものの主面に接するよ
うにそれぞれ配置され、かつ前記基体用セラミック層を
構成するセラミックの焼結温度では焼結しない無機材料
粉末を含む、複数の拘束層と、前記基体用セラミック層および前記拘束層の少なくとも
一方に関連して設けられる、配線導体とを含む、積層体
を備え、前記拘束層は、ガラスによって前記無機材料粉末間の隙
間が埋められ、それによって緻密化されている、多層セ
ラミック基板。