JP3511982B2 - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
を搭載するためのキャビティを有した多層配線基板の製
造方法に関するものである。
を搭載するためのキャビティを有した多層配線基板の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信用の端末機器をはじめ
とする各種電子機器は、小型化、多機能化が強く要求さ
れており、それに伴って、各種電子機器のキーデバイス
であるＬＳＩ等の半導体デバイスにおいても、高密度
化、多機能化、高信頼化等が飛躍的に進められている。
そして、そうした半導体デバイスを多層配線基板上に信
頼性良く搭載するためには、高精度の実装技術を確立す
ることが必要である。
とする各種電子機器は、小型化、多機能化が強く要求さ
れており、それに伴って、各種電子機器のキーデバイス
であるＬＳＩ等の半導体デバイスにおいても、高密度
化、多機能化、高信頼化等が飛躍的に進められている。
そして、そうした半導体デバイスを多層配線基板上に信
頼性良く搭載するためには、高精度の実装技術を確立す
ることが必要である。
【０００３】ところで、半導体デバイス等を搭載するた
めの多層配線基板としては、耐熱性に優れ、高密度配線
化の可能なセラミック多層基板が多用されている。この
セラミック多層基板は、たとえば、セラミックグリーン
シートに導体パターンおよびビアホールを形成し、これ
を複数枚積み重ね、圧着処理を施した後、焼成処理に供
することによって作製される。
めの多層配線基板としては、耐熱性に優れ、高密度配線
化の可能なセラミック多層基板が多用されている。この
セラミック多層基板は、たとえば、セラミックグリーン
シートに導体パターンおよびビアホールを形成し、これ
を複数枚積み重ね、圧着処理を施した後、焼成処理に供
することによって作製される。
【０００４】そして、各種電子機器の小型化に伴い、こ
うしたセラミック多層基板においても、小型化、高密度
化が要求されており、これらセラミック多層基板に半導
体デバイスを搭載したモジュール部品についても、同様
に、小型化、高密度化が要求されている。特に、移動体
通信用の端末機器におけるモジュール部品は、そのよう
な要求が厳しく、そのさらなる低背化（薄型化）が必要
とされている。
うしたセラミック多層基板においても、小型化、高密度
化が要求されており、これらセラミック多層基板に半導
体デバイスを搭載したモジュール部品についても、同様
に、小型化、高密度化が要求されている。特に、移動体
通信用の端末機器におけるモジュール部品は、そのよう
な要求が厳しく、そのさらなる低背化（薄型化）が必要
とされている。
【０００５】こうしたモジュール部品の低背化を達成す
るためには、基板内に、半導体デバイス等を収納するた
めのキャビティを形成することが有効である。すなわ
ち、キャビティを有したセラミック多層基板を準備し、
そのキャビティ内に半導体デバイス等を収納することに
よって、モジュール部品全体としての低背化を達成する
ことができる。
るためには、基板内に、半導体デバイス等を収納するた
めのキャビティを形成することが有効である。すなわ
ち、キャビティを有したセラミック多層基板を準備し、
そのキャビティ内に半導体デバイス等を収納することに
よって、モジュール部品全体としての低背化を達成する
ことができる。
【０００６】キャビティを有したセラミック多層基板
は、通常、キャビティとなる開口部を有したセラミック
グリーンシートを順次積層し、さらに、得られたグリー
ンシート積層体を圧着処理に供した後、焼成処理を施す
ことによって作製されている。つまり、従来の手法で
は、その圧着処理時には、すでに、グリーンシート積層
体にキャビティが形成されている。
は、通常、キャビティとなる開口部を有したセラミック
グリーンシートを順次積層し、さらに、得られたグリー
ンシート積層体を圧着処理に供した後、焼成処理を施す
ことによって作製されている。つまり、従来の手法で
は、その圧着処理時には、すでに、グリーンシート積層
体にキャビティが形成されている。
【０００７】ところが、そのような手法では、その焼成
処理時にキャビティ周辺にひび割れが発生することがあ
り、さらには、キャビティ底面が歪んで半導体デバイス
の搭載が困難になることがある。特に、キャビティ底面
の歪みは、高精度かつ高密度のデバイス実装を妨げるも
のであって、モジュール部品の信頼性向上や高密度化の
大きな障害になっている。
処理時にキャビティ周辺にひび割れが発生することがあ
り、さらには、キャビティ底面が歪んで半導体デバイス
の搭載が困難になることがある。特に、キャビティ底面
の歪みは、高精度かつ高密度のデバイス実装を妨げるも
のであって、モジュール部品の信頼性向上や高密度化の
大きな障害になっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】キャビティ底面の歪み
は、グリーンシート積層体の圧着処理に、圧着圧力が積
層体に均一に加わっていないことによるものと考えられ
ている。すなわち、キャビティを有したグリーンシート
積層体に上下から平面的な圧力を加えただけでは、キャ
ビティ内とそれ以外に加わる圧力が異なってしまい、そ
のため、圧着処理後のグリーンシート積層体には、圧力
が加わった部分と加わらなかった部分とが存在すること
になる。
は、グリーンシート積層体の圧着処理に、圧着圧力が積
層体に均一に加わっていないことによるものと考えられ
ている。すなわち、キャビティを有したグリーンシート
積層体に上下から平面的な圧力を加えただけでは、キャ
ビティ内とそれ以外に加わる圧力が異なってしまい、そ
のため、圧着処理後のグリーンシート積層体には、圧力
が加わった部分と加わらなかった部分とが存在すること
になる。
【０００９】そこで、キャビティを有したグリーンシー
ト積層体全体に均一な圧着圧力を加えるための手法がい
くつか提案されている。
ト積層体全体に均一な圧着圧力を加えるための手法がい
くつか提案されている。
【００１０】たとえば、特開平９−３９１６０号公報で
は、開口部を有したセラミックグリーンシートを積層
し、得られたキャビティ付きのグリーンシート積層体を
一対のゴムシートで挟んだ状態で真空パックした後、焼
成処理に供するといった手法が開示されている。ところ
が、この手法によれば、グリーンシート積層体の全方向
から均一な圧力を加え、圧着処理を実現できるるもの
の、ゴムシートによってキャビティ側壁に不必要な力が
加えられ、その部分がだれてしまうことがある。あるい
は、ゴムシートがキャビティ内に入り込みすぎて、キャ
ビティ底部が盛り上がってしまう可能性もある。
は、開口部を有したセラミックグリーンシートを積層
し、得られたキャビティ付きのグリーンシート積層体を
一対のゴムシートで挟んだ状態で真空パックした後、焼
成処理に供するといった手法が開示されている。ところ
が、この手法によれば、グリーンシート積層体の全方向
から均一な圧力を加え、圧着処理を実現できるるもの
の、ゴムシートによってキャビティ側壁に不必要な力が
加えられ、その部分がだれてしまうことがある。あるい
は、ゴムシートがキャビティ内に入り込みすぎて、キャ
ビティ底部が盛り上がってしまう可能性もある。
【００１１】他方、特開平８−２４５２６８号公報で
は、キャビティ付きグリーンシート積層体の表面および
キャビティ内に、グリーンシート積層体の焼結温度より
も焼結温度の高い無機粉末層を設け、さらにキャビティ
内にはこれと同形状のグリーンシート（グリーンシート
積層体と同材質のもの）を配置し、これを一括に加圧し
た後、焼成処理に供することによって、キャビティを有
したセラミック多層基板が得られる旨開示されている。
は、キャビティ付きグリーンシート積層体の表面および
キャビティ内に、グリーンシート積層体の焼結温度より
も焼結温度の高い無機粉末層を設け、さらにキャビティ
内にはこれと同形状のグリーンシート（グリーンシート
積層体と同材質のもの）を配置し、これを一括に加圧し
た後、焼成処理に供することによって、キャビティを有
したセラミック多層基板が得られる旨開示されている。
【００１２】この手法によれば、グリーンシート積層体
全体に均一な圧力を加えることができるため、キャビテ
ィ底面の平坦性を保ち、かつ、キャビティ周辺の変形や
割れを抑制することができるが、キャビティ内に無機粉
末層を充填する工程や、キャビティ内にグリーンシート
（グリーンシート積層体と同材質のもの）を配置するた
めの工程等、多数の複雑な工程を含んでしまい、生産効
率が低下してしまう。
全体に均一な圧力を加えることができるため、キャビテ
ィ底面の平坦性を保ち、かつ、キャビティ周辺の変形や
割れを抑制することができるが、キャビティ内に無機粉
末層を充填する工程や、キャビティ内にグリーンシート
（グリーンシート積層体と同材質のもの）を配置するた
めの工程等、多数の複雑な工程を含んでしまい、生産効
率が低下してしまう。
【００１３】本発明は、上記課題を解決するものであ
り、その目的は、平坦性に優れたキャビティを有する多
層配線基板を容易に効率良く製造することにある。
り、その目的は、平坦性に優れたキャビティを有する多
層配線基板を容易に効率良く製造することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した課
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、グリーンシ
ート積層体のような積層体の層間に、各層同士が密着す
るのを妨げ、それらが剥離し易くなるような層（以下、
剥離層と称する。）を形成しておき、そして、この剥離
層がキャビティ底面となるように前記積層体の一部を除
去することによって、平坦性に優れたキャビティを容易
に効率良く形成できることを見出した。
題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、グリーンシ
ート積層体のような積層体の層間に、各層同士が密着す
るのを妨げ、それらが剥離し易くなるような層（以下、
剥離層と称する。）を形成しておき、そして、この剥離
層がキャビティ底面となるように前記積層体の一部を除
去することによって、平坦性に優れたキャビティを容易
に効率良く形成できることを見出した。
【００１５】すなわち、本願請求項１に係る発明は、剥
離層を有した未焼成セラミック積層体を形成する工程
と、前記未焼成セラミック積層体の一部を取り除いて、
前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する工程
と、を有することを特徴とする、多層配線基板の製造方
法において、前記未焼成セラミック積層体の少なくとも
一方主面に、前記未焼成セラミック積層体の焼成条件で
は焼結しない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適用
し、これを前記未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼
成した後、前記拘束層を除去する工程を有することを特
徴とする多層配線基板の製造方法に係るものである。ま
た、本願請求項２に係る発明は、剥離層を有した未焼成
セラミック積層体を形成する工程と、前記未焼成セラミ
ック積層体の焼成条件で焼成する工程と、前記焼成後の
セラミック積層体の一部を取り除いて、前記剥離層を底
面部としたキャビティを形成する工程と、を有する多層
配線基板の製造方法において、前記剥離層が未焼成セラ
ミック積層体の焼成条件では焼結しない難焼結性粉末を
主成分とすることを特徴とする多層配線基板の製造方法
に係るものである。
離層を有した未焼成セラミック積層体を形成する工程
と、前記未焼成セラミック積層体の一部を取り除いて、
前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する工程
と、を有することを特徴とする、多層配線基板の製造方
法において、前記未焼成セラミック積層体の少なくとも
一方主面に、前記未焼成セラミック積層体の焼成条件で
は焼結しない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適用
し、これを前記未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼
成した後、前記拘束層を除去する工程を有することを特
徴とする多層配線基板の製造方法に係るものである。ま
た、本願請求項２に係る発明は、剥離層を有した未焼成
セラミック積層体を形成する工程と、前記未焼成セラミ
ック積層体の焼成条件で焼成する工程と、前記焼成後の
セラミック積層体の一部を取り除いて、前記剥離層を底
面部としたキャビティを形成する工程と、を有する多層
配線基板の製造方法において、前記剥離層が未焼成セラ
ミック積層体の焼成条件では焼結しない難焼結性粉末を
主成分とすることを特徴とする多層配線基板の製造方法
に係るものである。
【００１６】本発明の多層配線基板の製造方法は、積層
体を形成した後にキャビティを形成する手法であって、
積層体の層間、キャビティ底面となる位置には、各層同
士が密着するのを妨げ得る剥離層が形成されているの
で、それを底面とし、平坦性に優れたキャビティを容易
に効率良く形成することができる。
体を形成した後にキャビティを形成する手法であって、
積層体の層間、キャビティ底面となる位置には、各層同
士が密着するのを妨げ得る剥離層が形成されているの
で、それを底面とし、平坦性に優れたキャビティを容易
に効率良く形成することができる。
【００１７】なお、本発明にしたがって積層体の一部を
取り除いた際には、剥離層が残っていてもよいし、ある
いは、積層体の一部とともに取り除かれてもよい。な
お、本発明において、剥離層は、上述したように、積層
体を構成する層同士が密着するのを妨げ、かつ、それら
を剥離容易にならしめるといった作用を備える機能層で
あって、前記積層体の一部を取り除く時点で、掘削等に
よる剥離が容易となるようなものであればよい。たとえ
ば、その時点で、積層体と剥離層との接合強度が０．０
５ＭＰａ以下であることが望ましい。具体的には、剥離
層としては、たとえば積層体とは異なる材料組成を有し
たセラミック層、樹脂層、金属層等を好適に適用でき
る。
取り除いた際には、剥離層が残っていてもよいし、ある
いは、積層体の一部とともに取り除かれてもよい。な
お、本発明において、剥離層は、上述したように、積層
体を構成する層同士が密着するのを妨げ、かつ、それら
を剥離容易にならしめるといった作用を備える機能層で
あって、前記積層体の一部を取り除く時点で、掘削等に
よる剥離が容易となるようなものであればよい。たとえ
ば、その時点で、積層体と剥離層との接合強度が０．０
５ＭＰａ以下であることが望ましい。具体的には、剥離
層としては、たとえば積層体とは異なる材料組成を有し
たセラミック層、樹脂層、金属層等を好適に適用でき
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本願請求項１にかかる多層配線基
板の製造方法においては、前記積層体を未焼成セラミッ
ク積層体とし、この未焼成セラミック積層体の一部を取
り除いて、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成
することができる。この未焼成セラミック積層体の少な
くとも一方主面に、未焼成セラミック積層体の焼成条件
では焼結しない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適
用する。未焼成セラミック積層体の層間、所定の位置に
剥離層を形成しておき、この未焼成セラミック積層体の
一部（キャビティに相当する未焼成セラミック）を掘削
等によって取り除くことにより、剥離層を底面としたキ
ャビティを形成することができ、さらに、これを未焼成
セラミック積層体の焼成条件の焼成処理に供し、拘束層
を除去することによって、キャビティを有したセラミッ
ク多層基板を形成することができる。すなわち、本願請
求項１にかかる発明は、たとえば、低温焼結性セラミッ
クを主成分とする未焼成セラミック積層体上に、その焼
成条件では焼結しない、たとえばアルミナやジルコニア
等の難焼結性粉末を主成分とする拘束層を密着せしめ、
これを未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼成した
後、拘束層（ただし、焼成後、拘束層は難焼結性粉末か
らなる多孔質体となっている）を除去するといった、い
わゆる無収縮工法であり、これによって、平坦性の優れ
たキャビティを形成できるうえ、平面方向の収縮を実質
的に抑制した極めて高精度のセラミック多層基板を実現
できる。また、本願請求項２にかかる多層配線基板の製
造方法においては、前記積層体を未焼成セラミック積層
体とし、この未焼成セラミック積層体の一部を取り除い
て、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成するこ
とができる。未焼成セラミック積層体の層間、所定の位
置に、セラミック積層体の焼成条件では焼結しない難焼
結性粉末を主成分とした剥離層を形成し、これを未焼成
セラミック積層体の焼成条件の焼成処理にする。その
後、この焼成後のセラミック積層体の一部（キャビティ
に相当する未焼成セラミック）を掘削等によって取り除
くことにより、剥離層を底面としたキャビティを形成す
ることができ、キャビティを有したセラミック多層基板
を形成することができる。すなわち、本願請求項２にか
かる発明は、たとえば、低温焼結性セラミックを主成分
とする未焼成セラミック積層体内に、その焼成条件では
焼結しない、たとえばアルミナやジルコニア等の難焼結
性粉末を主成分とする剥離層を有し、これを未焼成セラ
ミック積層体の焼成条件で焼成するものであり、焼成に
より剥離層は焼結しないため、焼成後のセラミック積層
体の一部を剥離しやすくなる。さらに剥離層がいわゆる
無収縮工法の拘束層と同様の機能を発揮するため、高精
度のセラミック多層基板を実現できる。剥離層は、シー
ト状のものであってもよいし、ペーストの印刷によるも
のであってもよい。
板の製造方法においては、前記積層体を未焼成セラミッ
ク積層体とし、この未焼成セラミック積層体の一部を取
り除いて、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成
することができる。この未焼成セラミック積層体の少な
くとも一方主面に、未焼成セラミック積層体の焼成条件
では焼結しない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適
用する。未焼成セラミック積層体の層間、所定の位置に
剥離層を形成しておき、この未焼成セラミック積層体の
一部（キャビティに相当する未焼成セラミック）を掘削
等によって取り除くことにより、剥離層を底面としたキ
ャビティを形成することができ、さらに、これを未焼成
セラミック積層体の焼成条件の焼成処理に供し、拘束層
を除去することによって、キャビティを有したセラミッ
ク多層基板を形成することができる。すなわち、本願請
求項１にかかる発明は、たとえば、低温焼結性セラミッ
クを主成分とする未焼成セラミック積層体上に、その焼
成条件では焼結しない、たとえばアルミナやジルコニア
等の難焼結性粉末を主成分とする拘束層を密着せしめ、
これを未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼成した
後、拘束層（ただし、焼成後、拘束層は難焼結性粉末か
らなる多孔質体となっている）を除去するといった、い
わゆる無収縮工法であり、これによって、平坦性の優れ
たキャビティを形成できるうえ、平面方向の収縮を実質
的に抑制した極めて高精度のセラミック多層基板を実現
できる。また、本願請求項２にかかる多層配線基板の製
造方法においては、前記積層体を未焼成セラミック積層
体とし、この未焼成セラミック積層体の一部を取り除い
て、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成するこ
とができる。未焼成セラミック積層体の層間、所定の位
置に、セラミック積層体の焼成条件では焼結しない難焼
結性粉末を主成分とした剥離層を形成し、これを未焼成
セラミック積層体の焼成条件の焼成処理にする。その
後、この焼成後のセラミック積層体の一部（キャビティ
に相当する未焼成セラミック）を掘削等によって取り除
くことにより、剥離層を底面としたキャビティを形成す
ることができ、キャビティを有したセラミック多層基板
を形成することができる。すなわち、本願請求項２にか
かる発明は、たとえば、低温焼結性セラミックを主成分
とする未焼成セラミック積層体内に、その焼成条件では
焼結しない、たとえばアルミナやジルコニア等の難焼結
性粉末を主成分とする剥離層を有し、これを未焼成セラ
ミック積層体の焼成条件で焼成するものであり、焼成に
より剥離層は焼結しないため、焼成後のセラミック積層
体の一部を剥離しやすくなる。さらに剥離層がいわゆる
無収縮工法の拘束層と同様の機能を発揮するため、高精
度のセラミック多層基板を実現できる。剥離層は、シー
ト状のものであってもよいし、ペーストの印刷によるも
のであってもよい。
【００１９】ここで、未焼成セラミック積層体は、ガラ
ス複合系、結晶化ガラス系、非ガラス系等の低温焼結性
の未焼成セラミック積層体であってもよいし、アルミ
ナ、ムライト、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等を主成
分とした高温焼結性の未焼成セラミック積層体であって
もよい。また、この場合、剥離層は、未焼成セラミック
積層体とは異なる材料組成を有したセラミックを主成分
とする層を好適に用いることができる。また、剥離層
は、フィルムやシートによるものであってもよいし、塗
布や印刷等によるものであってもよい。
ス複合系、結晶化ガラス系、非ガラス系等の低温焼結性
の未焼成セラミック積層体であってもよいし、アルミ
ナ、ムライト、窒化アルミニウム、炭化ケイ素等を主成
分とした高温焼結性の未焼成セラミック積層体であって
もよい。また、この場合、剥離層は、未焼成セラミック
積層体とは異なる材料組成を有したセラミックを主成分
とする層を好適に用いることができる。また、剥離層
は、フィルムやシートによるものであってもよいし、塗
布や印刷等によるものであってもよい。
【００２０】また、本発明の多層配線基板の製造方法に
おいては、剥離層を有するセラミックグリーンシートと
それを有しないセラミックグリーンシートとを積層して
前記未焼成セラミック積層体を形成し、これを圧着した
後、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成するこ
とができる。
おいては、剥離層を有するセラミックグリーンシートと
それを有しないセラミックグリーンシートとを積層して
前記未焼成セラミック積層体を形成し、これを圧着した
後、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成するこ
とができる。
【００２１】すなわち、この場合、未焼成セラミック積
層体は、その圧着処理前にはキャビティを有していない
ので、それ全体に均一な圧力を容易に加えることができ
る。つまり、圧着処理時の不均一な圧着圧力によって、
未焼成セラミック積層体に不必要な内部応力が残留する
ことが無い。したがって、平坦性に優れたキャビティを
形成することができ、ひいては、高精度のデバイス実装
を実現することができる。また、圧着工程の簡素化を達
成できるとともに、圧着条件の選択自由度も広げること
ができる。
層体は、その圧着処理前にはキャビティを有していない
ので、それ全体に均一な圧力を容易に加えることができ
る。つまり、圧着処理時の不均一な圧着圧力によって、
未焼成セラミック積層体に不必要な内部応力が残留する
ことが無い。したがって、平坦性に優れたキャビティを
形成することができ、ひいては、高精度のデバイス実装
を実現することができる。また、圧着工程の簡素化を達
成できるとともに、圧着条件の選択自由度も広げること
ができる。
【００２２】特に、圧着後（さらには仮焼後）、焼成前
に、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する場
合、未焼成セラミック積層体は比較的軟らかい状態にあ
るので、側壁が滑らかで加工性の良好なキャビティを形
成することができる。さらに、圧着後であって仮焼前に
前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する場合、
仮焼後にキャビティを形成する場合に比べて、焼成炉か
ら未焼成セラミック積層体の出し入れをする必要が無
く、生産効率を向上することができる。
に、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する場
合、未焼成セラミック積層体は比較的軟らかい状態にあ
るので、側壁が滑らかで加工性の良好なキャビティを形
成することができる。さらに、圧着後であって仮焼前に
前記剥離層を底面部としたキャビティを形成する場合、
仮焼後にキャビティを形成する場合に比べて、焼成炉か
ら未焼成セラミック積層体の出し入れをする必要が無
く、生産効率を向上することができる。
【００２３】なお、本発明において、前記積層体が未焼
成セラミック積層体の場合、それを仮焼した後にキャビ
ティを形成してもよい。仮焼後、すなわち、脱バインダ
処理後に剥離層を底面部としたキャビティを形成する場
合、未焼成セラミック積層体は比較的もろくなってお
り、キャビティに相当する未焼成セラミックの除去が容
易である。他方、未焼成セラミック積層体の圧着後、仮
焼前にキャビティを形成する場合、除去するべき未焼成
セラミックのハンドリング性が良いといった利点を有す
る。
成セラミック積層体の場合、それを仮焼した後にキャビ
ティを形成してもよい。仮焼後、すなわち、脱バインダ
処理後に剥離層を底面部としたキャビティを形成する場
合、未焼成セラミック積層体は比較的もろくなってお
り、キャビティに相当する未焼成セラミックの除去が容
易である。他方、未焼成セラミック積層体の圧着後、仮
焼前にキャビティを形成する場合、除去するべき未焼成
セラミックのハンドリング性が良いといった利点を有す
る。
【００２４】また、本発明の多層配線基板の製造方法に
おいては、積層体の一方主面から剥離層に向かって刃を
入れ、積層体の一部を取り除くことによって、剥離層を
底面部としたキャビティを形成することができる。すな
わち、積層体を構成する層同士が、キャビティの底面部
となる位置で、剥離層によって互いに密着が阻害されて
いるため、一方主面から剥離層に向かって（望ましくは
キャビティ側壁となる位置に）刃を入れ、切れ込みを形
成することによって、キャビティに相当する部分を容易
に取り除くことができる。
おいては、積層体の一方主面から剥離層に向かって刃を
入れ、積層体の一部を取り除くことによって、剥離層を
底面部としたキャビティを形成することができる。すな
わち、積層体を構成する層同士が、キャビティの底面部
となる位置で、剥離層によって互いに密着が阻害されて
いるため、一方主面から剥離層に向かって（望ましくは
キャビティ側壁となる位置に）刃を入れ、切れ込みを形
成することによって、キャビティに相当する部分を容易
に取り除くことができる。
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】また、本発明においては、前記積層体の複
数の層に剥離層を形成しておくことによって、これら複
数の剥離層を底面部とした多段のキャビティを形成する
ことができる。すなわち、前記積層体の異なる層にそれ
ぞれ剥離層を形成し、これらの剥離層を底面部としたキ
ャビティを形成することによって、多段キャビティを有
した多層配線基板（特にセラミック多層基板）を製造す
ることができる。
数の層に剥離層を形成しておくことによって、これら複
数の剥離層を底面部とした多段のキャビティを形成する
ことができる。すなわち、前記積層体の異なる層にそれ
ぞれ剥離層を形成し、これらの剥離層を底面部としたキ
ャビティを形成することによって、多段キャビティを有
した多層配線基板（特にセラミック多層基板）を製造す
ることができる。
【００２９】また、本発明の多層配線基板の製造方法に
おいては、キャビティに半導体デバイスを搭載する工程
が含まれていてもよい。本発明によれば、上述したよう
に、平坦性に優れたキャビティを加工することができる
ので、ベアチップタイプの半導体デバイス等であって
も、高精度に実装することができ、信頼性の高いモジュ
ール部品を形成することができる。
おいては、キャビティに半導体デバイスを搭載する工程
が含まれていてもよい。本発明によれば、上述したよう
に、平坦性に優れたキャビティを加工することができる
ので、ベアチップタイプの半導体デバイス等であって
も、高精度に実装することができ、信頼性の高いモジュ
ール部品を形成することができる。
【００３０】次に、本発明の多層配線基板の製造方法を
実施の形態にしたがって説明する。
実施の形態にしたがって説明する。
【００３１】［第１の実施形態］まず、ガラス粉末およ
びセラミックフィラーを有機ビヒクルとともに混合・分
散して、スラリー状組成物を調製する。そして、このス
ラリー状組成物をドクターブレード法によってシート状
に成形し、低温焼結性のセラミックグリーンシート２お
よび２ａを作製する。セラミックグリーンシート２およ
び２ａには、必要に応じて、ＡｇやＣｕ等の配線パター
ンやビアホールを形成する。そして、キャビティの底面
層となるセラミックグリーンシート２ａには、キャビテ
ィ底面となる部分に、アルミナを主成分とするペースト
を塗布して剥離層３を形成しておく。なお、剥離層３と
しては、アルミナを主成分とするセラミックグリーンシ
ートを用いてもよい。そして、図１に示すように、剥離
層３を有したセラミックグリーンシート２ａ、剥離層を
有しないセラミックグリーンシート２を順次積み重ね、
剥離層３を有した未焼成セラミック積層体１を形成す
る。
びセラミックフィラーを有機ビヒクルとともに混合・分
散して、スラリー状組成物を調製する。そして、このス
ラリー状組成物をドクターブレード法によってシート状
に成形し、低温焼結性のセラミックグリーンシート２お
よび２ａを作製する。セラミックグリーンシート２およ
び２ａには、必要に応じて、ＡｇやＣｕ等の配線パター
ンやビアホールを形成する。そして、キャビティの底面
層となるセラミックグリーンシート２ａには、キャビテ
ィ底面となる部分に、アルミナを主成分とするペースト
を塗布して剥離層３を形成しておく。なお、剥離層３と
しては、アルミナを主成分とするセラミックグリーンシ
ートを用いてもよい。そして、図１に示すように、剥離
層３を有したセラミックグリーンシート２ａ、剥離層を
有しないセラミックグリーンシート２を順次積み重ね、
剥離層３を有した未焼成セラミック積層体１を形成す
る。
【００３２】次いで、未焼成セラミック積層体１を所定
の金型に配し、その上面側から押し板を介して、たとえ
ば温度６０℃、圧力２０００ｋｇｆ／ｃｍ2をかけ、未
焼成セラミック積層体１を圧着する。この圧着処理によ
って、剥離層３が設けられた箇所を除き、各セラミック
グリーンシート同士が密着、一体化される。
の金型に配し、その上面側から押し板を介して、たとえ
ば温度６０℃、圧力２０００ｋｇｆ／ｃｍ2をかけ、未
焼成セラミック積層体１を圧着する。この圧着処理によ
って、剥離層３が設けられた箇所を除き、各セラミック
グリーンシート同士が密着、一体化される。
【００３３】次いで、図２に示すように、一体化した未
焼成セラミック積層体１に対し、キャビティの側壁とな
る位置４に刃５を入れ、キャビティの深さ（高さ）分だ
け、切り込みを入れる。すると、キャビティ底面となる
位置には剥離層３が形成されており、剥離層３は、その
上下セラミック同士の密着を妨げているので、キャビテ
ィ６に相当する未焼成セラミック２ｂが容易に除去され
る。そして、図３に示すように、未焼成セラミック積層
体１の所定位置には、底面９を有したキャビティ６が形
成される。なお、図示しないが、キャビティ６の底面９
は、それを上面から見下ろしたとき、ほぼ正方形となる
ように形成される。
焼成セラミック積層体１に対し、キャビティの側壁とな
る位置４に刃５を入れ、キャビティの深さ（高さ）分だ
け、切り込みを入れる。すると、キャビティ底面となる
位置には剥離層３が形成されており、剥離層３は、その
上下セラミック同士の密着を妨げているので、キャビテ
ィ６に相当する未焼成セラミック２ｂが容易に除去され
る。そして、図３に示すように、未焼成セラミック積層
体１の所定位置には、底面９を有したキャビティ６が形
成される。なお、図示しないが、キャビティ６の底面９
は、それを上面から見下ろしたとき、ほぼ正方形となる
ように形成される。
【００３４】そして、キャビティ６を有した未焼成セラ
ミック積層体１を脱バインダ処理し、引き続いて、焼成
処理に供する。たとえば、脱バインダ処理は４５０℃、
４時間、また、焼成処理は８６０℃、２０分で実施する
ことができる。なお、脱バインダ処理の温度は２００〜
６００℃程度が望ましく、焼成処理温度は８００〜１０
００℃程度が望ましい。
ミック積層体１を脱バインダ処理し、引き続いて、焼成
処理に供する。たとえば、脱バインダ処理は４５０℃、
４時間、また、焼成処理は８６０℃、２０分で実施する
ことができる。なお、脱バインダ処理の温度は２００〜
６００℃程度が望ましく、焼成処理温度は８００〜１０
００℃程度が望ましい。
【００３５】すると、図４に示すように、未焼成セラミ
ック積層体１が焼結してセラミック焼成体１’となり、
キャビティ６を備えたセラミック多層基板１０が作製さ
れる。その後は、同じく図４に示すように、キャビティ
６内に半導体デバイス７を搭載し、半導体デバイス７と
セラミック多層基板１０とをワイヤ８を介して接続する
ことによって、半導体デバイス７を搭載したセラミック
多層基板１０（モジュール部品）を完成する。
ック積層体１が焼結してセラミック焼成体１’となり、
キャビティ６を備えたセラミック多層基板１０が作製さ
れる。その後は、同じく図４に示すように、キャビティ
６内に半導体デバイス７を搭載し、半導体デバイス７と
セラミック多層基板１０とをワイヤ８を介して接続する
ことによって、半導体デバイス７を搭載したセラミック
多層基板１０（モジュール部品）を完成する。
【００３６】以上、本実施形態によれば、未焼成セラミ
ック積層体１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体１
の全体に均一な圧力を加えることができるので、側壁に
だれ等が見られず、底部の平坦性に優れたキャビティを
形成することができる。具体的には、その焼成処理後、
平坦度が垂直方向／水平方向での表示で約２０μｍ／１
０ｍｍ以下の極めて平坦性に優れたキャビティを形成す
ることができ、高精度のデバイス実装が可能となる。
ック積層体１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体１
の全体に均一な圧力を加えることができるので、側壁に
だれ等が見られず、底部の平坦性に優れたキャビティを
形成することができる。具体的には、その焼成処理後、
平坦度が垂直方向／水平方向での表示で約２０μｍ／１
０ｍｍ以下の極めて平坦性に優れたキャビティを形成す
ることができ、高精度のデバイス実装が可能となる。
【００３７】［第２の実施形態］図５に示すように、第
１の実施形態と同様にして、剥離層１３ａおよび１３ｂ
を有した未焼成セラミック積層体１１を形成する。ここ
で、未焼成セラミック積層体１１は、剥離層１３ａを有
したセラミックグリーンシート１２ａ、剥離層１３ｂを
有したセラミックグリーンシート１２ｂを、剥離層を有
しないセラミックグリーンシート１２とともに順次積層
してなるものである。
１の実施形態と同様にして、剥離層１３ａおよび１３ｂ
を有した未焼成セラミック積層体１１を形成する。ここ
で、未焼成セラミック積層体１１は、剥離層１３ａを有
したセラミックグリーンシート１２ａ、剥離層１３ｂを
有したセラミックグリーンシート１２ｂを、剥離層を有
しないセラミックグリーンシート１２とともに順次積層
してなるものである。
【００３８】次いで、未焼成セラミック積層体１１を所
定の金型に配し、第１の実施形態と同様の条件で圧着処
理を施すことによって、剥離層１３ａおよび１３ｂが設
けられた箇所を除き、各セラミックグリーンシート同士
を密着、一体化させる。
定の金型に配し、第１の実施形態と同様の条件で圧着処
理を施すことによって、剥離層１３ａおよび１３ｂが設
けられた箇所を除き、各セラミックグリーンシート同士
を密着、一体化させる。
【００３９】その後、第１段目の底面（第１底面１５
ａ）の側壁となる位置１４ａ、ならびに、第２段目の底
面（第２底面１５ｂ）の側壁となる位置１４ｂに、第１
の実施形態と同様に、それぞれ刃を入れ、各底面の側壁
となる高さ分の切り込みを入れる。すると、第１底面１
５ａとなる位置には剥離層１３ａが、第２底面１５ｂと
なる位置には剥離層１３ｂがそれぞれ形成されており、
その上下セラミック同士の密着が妨げられているので、
多段キャビティ１６に相当する未焼成セラミック１２ｃ
が容易に除去される。すなわち、図６に示すように、第
１底面１５ａ、第２底面１５ｂをそれぞれ底面とする多
段キャビティ１６を有した未焼成セラミック積層体１１
が形成される。
ａ）の側壁となる位置１４ａ、ならびに、第２段目の底
面（第２底面１５ｂ）の側壁となる位置１４ｂに、第１
の実施形態と同様に、それぞれ刃を入れ、各底面の側壁
となる高さ分の切り込みを入れる。すると、第１底面１
５ａとなる位置には剥離層１３ａが、第２底面１５ｂと
なる位置には剥離層１３ｂがそれぞれ形成されており、
その上下セラミック同士の密着が妨げられているので、
多段キャビティ１６に相当する未焼成セラミック１２ｃ
が容易に除去される。すなわち、図６に示すように、第
１底面１５ａ、第２底面１５ｂをそれぞれ底面とする多
段キャビティ１６を有した未焼成セラミック積層体１１
が形成される。
【００４０】そして、図示しないが、第１の実施形態と
同様に、脱バインダ処理後、焼成処理に供することによ
って、多段キャビティを有したセラミック多層基板を得
ることができる。さらに、半導体デバイスを搭載するこ
とによって、半導体デバイスを搭載したセラミック多層
基板（モジュール部品）を得ることができる。
同様に、脱バインダ処理後、焼成処理に供することによ
って、多段キャビティを有したセラミック多層基板を得
ることができる。さらに、半導体デバイスを搭載するこ
とによって、半導体デバイスを搭載したセラミック多層
基板（モジュール部品）を得ることができる。
【００４１】以上、本実施形態によれば、未焼成セラミ
ック積層体１１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体
１１の全体に均一な圧力を加えることができるので、各
側壁にだれ等が見られず、また、各底部の平坦性に優れ
た多段キャビティを形成することができる。
ック積層体１１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体
１１の全体に均一な圧力を加えることができるので、各
側壁にだれ等が見られず、また、各底部の平坦性に優れ
た多段キャビティを形成することができる。
【００４２】［第３の実施形態］まず、第１の実施形態
と同様にして、剥離層２３を有したセラミックグリーン
シート２２ａ、剥離層を有しないセラミックグリーンシ
ート２２を順次積み重ねて、そのほぼ中心位置に剥離層
２３を備えた未焼成セラミック積層体２１を形成する。
そして、未焼成セラミック積層体２１の両主面には、拘
束層２４、２５をそれぞれ密着させて、図７に示すよう
に、拘束層２４および２５を備えた未焼成セラミック積
層体２１を形成する。ここで、拘束層２４および２５
は、アルミナを主成分としたセラミックグリーンシート
を複数枚積層したものであって、未焼成セラミック積層
体２１の焼成温度では焼結しないものである。
と同様にして、剥離層２３を有したセラミックグリーン
シート２２ａ、剥離層を有しないセラミックグリーンシ
ート２２を順次積み重ねて、そのほぼ中心位置に剥離層
２３を備えた未焼成セラミック積層体２１を形成する。
そして、未焼成セラミック積層体２１の両主面には、拘
束層２４、２５をそれぞれ密着させて、図７に示すよう
に、拘束層２４および２５を備えた未焼成セラミック積
層体２１を形成する。ここで、拘束層２４および２５
は、アルミナを主成分としたセラミックグリーンシート
を複数枚積層したものであって、未焼成セラミック積層
体２１の焼成温度では焼結しないものである。
【００４３】次いで、拘束層２４および２５を備えた未
焼成セラミック積層体２１を所定の金型に入れ、第１の
実施形態と同様の条件で、これを圧着処理に付す。する
と、剥離層３が設けられた箇所を除き、各セラミックグ
リーンシート同士が密着、一体化される。
焼成セラミック積層体２１を所定の金型に入れ、第１の
実施形態と同様の条件で、これを圧着処理に付す。する
と、剥離層３が設けられた箇所を除き、各セラミックグ
リーンシート同士が密着、一体化される。
【００４４】その後、キャビティ側壁となる位置２６に
刃を入れ、キャビティ側壁となる高さ分の切り込みを入
れる。すると、キャビティ底面となる位置には剥離層２
３が形成されているので、キャビティ２７に相当する未
焼成セラミック２２ｂが、拘束層２４の一部（拘束層２
４ａ）とともに容易に除去され、図８に示すように、底
面２９を有したキャビティ２７が形成される。
刃を入れ、キャビティ側壁となる高さ分の切り込みを入
れる。すると、キャビティ底面となる位置には剥離層２
３が形成されているので、キャビティ２７に相当する未
焼成セラミック２２ｂが、拘束層２４の一部（拘束層２
４ａ）とともに容易に除去され、図８に示すように、底
面２９を有したキャビティ２７が形成される。
【００４５】そして、図示しないが、第１の実施形態と
同様に、脱バインダ処理後、焼成処理に供する。その
後、多孔質状態となっている拘束層２４および２５を湿
式ホーニング法等によって除去することによって、キャ
ビティを有したセラミック多層基板を得ることができ
る。さらに、半導体デバイスを搭載することによって、
半導体デバイスを搭載したセラミック多層基板（モジュ
ール部品）を得ることができる。
同様に、脱バインダ処理後、焼成処理に供する。その
後、多孔質状態となっている拘束層２４および２５を湿
式ホーニング法等によって除去することによって、キャ
ビティを有したセラミック多層基板を得ることができ
る。さらに、半導体デバイスを搭載することによって、
半導体デバイスを搭載したセラミック多層基板（モジュ
ール部品）を得ることができる。
【００４６】本実施形態によれば、未焼成セラミック積
層体２１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体２１の
全体に均一な圧力を加えることができるので、側壁にだ
れ等が見られず、底部の平坦性に優れたキャビティを形
成することができる。また、未焼成セラミック積層体の
の焼成温度では焼結しない難焼結性粉末を主成分とする
拘束層を密着させたまま、未焼成セラミック積層体の焼
成温度で処理しているので、平面方向への焼成収縮を抑
え、極めて高精度のセラミック多層基板を得ることがで
きる。
層体２１の圧着処理時、未焼成セラミック積層体２１の
全体に均一な圧力を加えることができるので、側壁にだ
れ等が見られず、底部の平坦性に優れたキャビティを形
成することができる。また、未焼成セラミック積層体の
の焼成温度では焼結しない難焼結性粉末を主成分とする
拘束層を密着させたまま、未焼成セラミック積層体の焼
成温度で処理しているので、平面方向への焼成収縮を抑
え、極めて高精度のセラミック多層基板を得ることがで
きる。
【００４７】以上、本発明を３種の実施形態について説
明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるもの
ではない。
明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるもの
ではない。
【００４８】たとえば、キャビティに相当する部分は、
未焼成セラミック積層体の焼成後に、取り除くこともで
きる。すなわち、剥離層を有した未焼成セラミック積層
体を圧着して、未焼成セラミック積層体を一体化した
後、キャビティの側壁部となる箇所に切り込みを入れ、
ここで、切り込みを入れた箇所に、焼成後も剥離機能を
失わない剥離材（たとえば、未焼成セラミック積層体が
低温焼結セラミックからなるものであれば、アルミナ等
の難焼結性粉末を主成分とする材料）を注入し、さら
に、それを焼成処理に供した後、キャビティ形状に相当
する部分（焼結体）を除去することによってキャビティ
を形成してもよい。
未焼成セラミック積層体の焼成後に、取り除くこともで
きる。すなわち、剥離層を有した未焼成セラミック積層
体を圧着して、未焼成セラミック積層体を一体化した
後、キャビティの側壁部となる箇所に切り込みを入れ、
ここで、切り込みを入れた箇所に、焼成後も剥離機能を
失わない剥離材（たとえば、未焼成セラミック積層体が
低温焼結セラミックからなるものであれば、アルミナ等
の難焼結性粉末を主成分とする材料）を注入し、さら
に、それを焼成処理に供した後、キャビティ形状に相当
する部分（焼結体）を除去することによってキャビティ
を形成してもよい。
【００４９】また、上述した実施形態では、キャビティ
側壁に相当する切れ込みを形成するため刃を入れたが、
たとえば、レーザーを用いて同様の切れ込みを形成する
ことも可能である。この場合、剥離層は、レーザー光を
吸収あるいは反射するような特性を有するものであるこ
とが望ましい。
側壁に相当する切れ込みを形成するため刃を入れたが、
たとえば、レーザーを用いて同様の切れ込みを形成する
ことも可能である。この場合、剥離層は、レーザー光を
吸収あるいは反射するような特性を有するものであるこ
とが望ましい。
【００５０】また、半導体デバイス等の実装は、ワイヤ
ボンディングを介しての実装に限定されるものではな
く、フリップチップ実装等の形態であってもよいし、チ
ップサイズパッケージでの実装であってもよい。
ボンディングを介しての実装に限定されるものではな
く、フリップチップ実装等の形態であってもよいし、チ
ップサイズパッケージでの実装であってもよい。
【００５１】また、本発明の多層配線基板の製造方法
は、セラミック多層基板の製造方法に限定されるもので
はなく、たとえばプリント配線基板のように、樹脂を主
成分とする多層配線基板の製造方法にも適用することが
できる。また、セラミック多層基板はシート積層による
ものであってもよいが、厚膜印刷によるものであっても
よい。
は、セラミック多層基板の製造方法に限定されるもので
はなく、たとえばプリント配線基板のように、樹脂を主
成分とする多層配線基板の製造方法にも適用することが
できる。また、セラミック多層基板はシート積層による
ものであってもよいが、厚膜印刷によるものであっても
よい。
【００５２】本願請求項１にかかる多層配線基板の製造
方法は、剥離層を有した未焼成セラミック積層体を形成
する工程と、未焼成セラミック積層体の一部を取り除い
て、剥離層を底面部としたキャビティを形成する工程
と、を有することを特徴とする、多層配線基板の製造方
法において、未焼成セラミック積層体の少なくとも一方
主面に、未焼成セラミック積層体の焼成条件では焼結し
ない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適用し、これ
を未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼成した後、拘
束層を除去する工程を有するものであり、未焼成セラミ
ック積層体における所定の層の間には、各層同志の密着
を妨げ、それらを剥離し易くさせる剥離層が形成されて
いるので、これを底面としたキャビティを簡易に効率よ
く製造することができる。また、未焼成のセラミック多
層基板の少なくとも一方主面に拘束層を備えているの
で、平坦性の優れたキャビティを形成でき、平面方向の
収縮を実質的に抑制した極めて高精度のセラミック多層
基板を実現できる。また、本願請求項２にかかる多層配
線基板の製造方法は、剥離層を有した未焼成セラミック
積層体を形成する工程と、未焼成セラミック積層体の焼
成条件で焼成する工程と、焼成後のセラミック積層体の
一部を取り除いて、剥離層を底面部としたキャビティを
形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法にお
いて、剥離層が未焼成セラミック積層体の焼成条件では
焼結しない難焼結性粉末を主成分とするものであり、剥
離層は未焼成のセラミック積層体の焼成条件においては
剥離層は焼結しないため、焼成後のセラミック積層体の
一部を剥離しやすくなる。さらに剥離層がいわゆる無収
縮工法の拘束層と同様の機能を発揮するため、高精度の
セラミック多層基板を実現できる。
方法は、剥離層を有した未焼成セラミック積層体を形成
する工程と、未焼成セラミック積層体の一部を取り除い
て、剥離層を底面部としたキャビティを形成する工程
と、を有することを特徴とする、多層配線基板の製造方
法において、未焼成セラミック積層体の少なくとも一方
主面に、未焼成セラミック積層体の焼成条件では焼結し
ない難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適用し、これ
を未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼成した後、拘
束層を除去する工程を有するものであり、未焼成セラミ
ック積層体における所定の層の間には、各層同志の密着
を妨げ、それらを剥離し易くさせる剥離層が形成されて
いるので、これを底面としたキャビティを簡易に効率よ
く製造することができる。また、未焼成のセラミック多
層基板の少なくとも一方主面に拘束層を備えているの
で、平坦性の優れたキャビティを形成でき、平面方向の
収縮を実質的に抑制した極めて高精度のセラミック多層
基板を実現できる。また、本願請求項２にかかる多層配
線基板の製造方法は、剥離層を有した未焼成セラミック
積層体を形成する工程と、未焼成セラミック積層体の焼
成条件で焼成する工程と、焼成後のセラミック積層体の
一部を取り除いて、剥離層を底面部としたキャビティを
形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方法にお
いて、剥離層が未焼成セラミック積層体の焼成条件では
焼結しない難焼結性粉末を主成分とするものであり、剥
離層は未焼成のセラミック積層体の焼成条件においては
剥離層は焼結しないため、焼成後のセラミック積層体の
一部を剥離しやすくなる。さらに剥離層がいわゆる無収
縮工法の拘束層と同様の機能を発揮するため、高精度の
セラミック多層基板を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施形態による未焼成セラミッ
ク積層体の概略断面図である。
ク積層体の概略断面図である。
【図２】同第１の実施形態において、未焼成セラミック
積層体のキャビティ側壁に相当する位置に刃を入れる際
の様子を示した概略断面図である。
積層体のキャビティ側壁に相当する位置に刃を入れる際
の様子を示した概略断面図である。
【図３】同第１の実施形態によるキャビティを形成した
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
【図４】同第１の実施形態によるセラミック多層基板
（モジュール部品）の概略断面図である。
（モジュール部品）の概略断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態による未焼成セラミッ
ク積層体の概略断面図である。
ク積層体の概略断面図である。
【図６】同第２の実施形態によるキャビティを形成した
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態による未焼成セラミッ
ク積層体の概略断面図である。
ク積層体の概略断面図である。
【図８】同第３の実施形態によるキャビティを形成した
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
未焼成セラミック積層体の概略断面図である。
１・・・未焼成セラミック積層体
１’・・・セラミック多層基板
２・・・セラミックグリーンシート
３・・・剥離層
６・・・キャビティ
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/12
H05K 3/46
Claims (6)
- 【請求項１】 剥離層を有した未焼成セラミック積層体
を形成する工程と、前記未焼成セラミック積層体の一部
を取り除いて、前記剥離層を底面部としたキャビティを
形成する工程と、を有することを特徴とする、多層配線
基板の製造方法において、 前記未焼成セラミック積層体の少なくとも一方主面に、
前記未焼成セラミック積層体の焼成条件では焼結しない
難焼結性粉末を主成分とする拘束層を適用し、これを前
記未焼成セラミック積層体の焼成条件で焼成した後、前
記拘束層を除去する工程を有することを特徴とする多層
配線基板の製造方法 。 - 【請求項２】 剥離層を有した未焼成セラミック積層体
を形成する工程と、前記未焼成セラミック積層体の焼成
条件で焼成する工程と、前記焼成後のセラミック積層体
の一部を取り除いて、前記剥離層を底面部としたキャビ
ティを形成する工程と、を有する多層配線基板の製造方
法において、 前記剥離層が未焼成セラミック積層体の焼成条件では焼
結しない難焼結性粉末を主成分とすることを特徴とする
多層配線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記剥離層を有するセラミックグリーン
シートとそれを有しないセラミックグリーンシートとを
積層して未焼成セラミック積層体を形成し、これを圧着
した後、前記剥離層を底面部としたキャビティを形成す
ることを特徴とする、請求項１または２に記載の多層配
線基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記未焼成セラミック積層体の一方主面
から前記剥離層に向かって刃を入れ、前記未焼成セラミ
ック積層体の一部を取り除いて、前記剥離層を底面部と
したキャビティを形成することを特徴とする請求項１乃
至３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項５】 前記未焼成セラミック積層体の複数の層
に前記剥離層を形成し、これらの剥離層を底面部とした
多段のキャビティを形成することを特徴とする、請求項
１乃至４のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記キャビティに半導体デバイスを搭載
する、請求項１乃至５のいずれかに記載の多層配線基板
の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178796A JP3511982B2 (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 多層配線基板の製造方法 |
| TW090109105A TW595295B (en) | 2000-06-14 | 2001-04-17 | Method for making multilayer board having a cavity |
| US09/860,020 US20010054481A1 (en) | 2000-06-14 | 2001-05-17 | Method for making multilayer board having a cavity |
| GB0113101A GB2364828B (en) | 2000-06-14 | 2001-05-30 | Method for making multilayer board having a cavity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000178796A JP3511982B2 (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001358247A JP2001358247A (ja) | 2001-12-26 |
| JP3511982B2 true JP3511982B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=18680167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000178796A Expired - Fee Related JP3511982B2 (ja) | 2000-06-14 | 2000-06-14 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20010054481A1 (ja) |
| JP (1) | JP3511982B2 (ja) |
| GB (1) | GB2364828B (ja) |
| TW (1) | TW595295B (ja) |
Families Citing this family (26)
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| JP4543374B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2010-09-15 | 日立金属株式会社 | 積層基板およびその製造方法 |
| JP4028863B2 (ja) | 2004-09-10 | 2007-12-26 | 富士通株式会社 | 基板製造方法 |
| US7326857B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-02-05 | International Business Machines Corporation | Method and structure for creating printed circuit boards with stepped thickness |
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| DE102005037456B4 (de) * | 2005-08-01 | 2007-10-25 | Technische Universität Ilmenau | Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen Keramikverbundes |
| JP4867276B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-02-01 | 株式会社村田製作所 | セラミック基板の製造方法 |
| JP2008159819A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Tdk Corp | 電子部品の実装方法、電子部品内蔵基板の製造方法、及び電子部品内蔵基板 |
| AT11663U1 (de) * | 2007-02-16 | 2011-02-15 | Austria Tech & System Tech | Haftverhinderungsmaterial, verfahren zum entfernen eines teilbereichs einer flächigen materialschicht sowie mehrlagige struktur und verwendung hiefür |
| JP2008229789A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Nec Corp | 凹部形成方法、凹部形成装置、及び凹部形成用材料 |
| JP2009188096A (ja) * | 2008-02-05 | 2009-08-20 | Alps Electric Co Ltd | セラミック積層配線板の製造方法 |
| US8193456B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-06-05 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrical inspection substrate unit and manufacturing method therefore |
| TWI392404B (zh) | 2009-04-02 | 2013-04-01 | Unimicron Technology Corp | 線路板及其製作方法 |
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